JP2003215802A - 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 - Google Patents
感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物Info
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Abstract
ノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂(A)、分
子中に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化された
アミノ基を含有する化合物(B)、架橋微粒子(C)、
オキシラン環含有化合物(D)、光感応性酸発生剤
(E)および溶剤(F)を含有することを特徴としてい
る。また、本発明の硬化物は、このような感光性絶縁樹
脂組成物を熱硬化してなることを特徴としている。 【効果】 本発明によれば、解像性、電気絶縁性、熱衝
撃性に優れるとともに、良好な耐薬品性を有する硬化物
が得られる感光性絶縁樹脂組成物を得ることができる。
Description
表面保護膜(オーバーコート膜)や層間絶縁膜(パッシ
ベーション膜)などに用いられる感光性絶縁樹脂組成物
およびそれを硬化してなる硬化物(絶縁物)に関する。
より詳細には、永久膜レジストとして解像性に優れてい
るとともに電気絶縁性、熱衝撃性、耐薬品性等の特性に
優れた硬化物、およびそのような硬化物が得られる感光
性絶縁樹脂組成物に関する。
いられる表面保護膜、層間絶縁膜などには耐熱性や機械
的特性などに優れたポリイミド系樹脂が広く使用されて
いる。また、半導体素子の高集積化によって膜形成精度
の向上を図るために、感光性を付与した感光性ポリイミ
ド系樹脂が種々提案されている。たとえば、ポリイミド
前駆体にイオン結合により光架橋基を導入した感光性ポ
リイミド系樹脂(特公昭59-52822号公報)あるいはポリ
イミド前駆体にエステル結合により光架橋基を導入した
感光性ポリイミド系樹脂(特開平3-186847号公報)を含
有する組成物が記載されている。しかしながら、これら
の組成物では、イミド化するために閉環工程を必要と
し、溶剤現像であるために解像性が十分でないという欠
点があった。また、特開平8-50354号公報には、芳香族
ポリイミド前駆体に多官能アクリル化合物を添加したネ
ガ型タイプの感光性組成物が記載されているが、前記と
同様な問題点が指摘されている。
に伴う問題点を解決し、解像性、電気絶縁性、熱衝撃
性、耐薬品性等の諸特性に優れた表面保護膜、層間絶縁
膜を形成しうる感光性絶縁樹脂組成物を提供することを
目的としている。さらに、本発明はこのような感光性絶
縁樹脂組成物を硬化させた硬化物(絶縁膜)を提供する
ことを目的としている。
鋭意研究した結果、優れた特性を有する感光性絶縁樹脂
組成物を見出すに至った。すなわち、本発明の感光性絶
縁樹脂組成物は、(A)フェノール性水酸基を有するア
ルカリ可溶性樹脂、(B)分子中に少なくとも2つ以上
のアルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合
物、(C)架橋微粒子、(D)オキシラン環含有化合
物、(E)光感応性酸発生剤および(F)溶剤から構成
されることを特徴としている。
樹脂組成物、およびその硬化物について具体的に説明す
る。[感光性絶縁樹脂組成物] 本発明の感光性絶縁樹脂組成物
は、(A)フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性
樹脂、(B)分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエ
ーテル化されたアミノ基を含有する化合物、(C)架橋
微粒子、(D)オキシラン環含有化合物、(E)光感応
性酸発生剤、および(F)溶剤とから構成される。ま
た、本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、必要に応じ、密
着助剤、増感剤、レベリング剤などのその他添加剤など
を含有することもできる。
リ可溶性樹脂;本発明において用いられるフェノール性
水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂(以下、「フェノー
ル樹脂(A)」という。)としては、特に限定されない
が、ノボラック樹脂が好ましい。このようなノボラック
樹脂はフェノール類とアルデヒド類とを触媒の存在下
で、縮合させることにより得られる。
たとえばフェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、
p-クレゾール、o-エチルフェノール、m-エチルフェ
ノール、p-エチルフェノール、o-ブチルフェノール、
m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、2,3-キシ
レノール、2,4-キシレノール、2,5-キシレノール、2,6-
キシレノール、3,4-キシレノール、3,5-キシレノール、
2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノ
ール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α
-ナフトール、β-ナフトールなどが挙げられる。
ヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベン
ズアルデヒドなどが挙げられる。このようなノボラック
樹脂としては、具体的には、フェノール/ホルムアルデ
ヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒ
ド縮合ノボラック樹脂、フェノール-ナフトール/ホル
ムアルデヒド縮合ノボラック樹脂などが挙げられる。
水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、ポリヒド
ロキシスチレンおよびその共重合体、フェノール-キシ
リレングリコール縮合樹脂、クレゾール-キシリレング
リコール縮合樹脂、フェノール-ジシクロペンタジエン
縮合樹脂などを挙げることができる。本発明ではまた、
上記フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と
フェノール性低分子化合物(以下、「フェノール化合物
(a)」という。)とを併用することができる。たとえ
ば、4,4'-ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4'-ジヒド
ロキシジフェニルエーテル、トリス(4-ヒドロキシフェ
ニル)メタン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1-
フェニルエタン、トリス(4-ヒドロキシフェニル)エタ
ン、1,3-ビス[1-(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエ
チル]ベンゼン、1,4-ビス[1-(4-ヒドロキシフェニル)
-1-メチルエチル]ベンゼン、4,6-ビス[1-(4-ヒドロキ
シフェニル)-1-メチルエチル]-1,3-ジヒドロキシベン
ゼン、1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1-[4-{1-
(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル}フェニル]
エタン、1,1,2,2-テトラ(4-ヒドロキシフェニル)エタ
ンなどが挙げられる。これらのフェノール化合物(a)
は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂
(A)中に(A)成分の一部として、0〜40重量%、特
に0〜30重量%の範囲で含有することができる。
の解像性、熱衝撃性、耐熱性などの観点から、重量平均
分子量が2,000以上であることが必要であり、特に2,000
〜20,000程度の範囲が好ましい。本発明の組成物におい
て、フェノール樹脂(A)の含有量(フェノール化合物
(a)を併用する場合は合計量)は、組成物全体の30〜
80重量部、好ましくは40〜70重量部である。フェノール
樹脂(A)の割合がこの範囲であると、得られる組成物
を用いて形成された膜がアルカリ水溶液による十分な現
像性を有している。
キルエーテル化されたアミノ基を有する化合物;分子中
に少なくとも2つ以上のアルキルエーテル化されたアミ
ノ基を有する化合物(以下、「架橋剤(B)」とい
う。)は、前記フェノール樹脂(A)と反応する架橋成
分(硬化成分)として作用するものである。架橋剤
(B)としては(ポリ)メチロール化メラミン、(ポ
リ)メチロール化グリコールウリル、(ポリ)メチロー
ル化ベンゾグアナミン、(ポリ)メチロール化ウレアな
どの活性メチロール基の全部または一部をアルキルエー
テル化した含窒素化合物を挙げることができる。ここ
で、アルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル
基、またはこれらを混合したものを挙げることができ、
一部自己縮合してなるオリゴマー成分を含有していても
よい。具体的にはヘキサメトキシメチル化メラミン、ヘ
キサブトキシメチル化メラミン、テトラメトキシメチル
化グリコールウリル、テトラブトキシメチル化グリコー
ルウリルなどを用いることができ、これらの架橋剤
(B)は1種単独または2種以上を併用しても構わない。
前記フェノール樹脂(A)100重量部に対して、1〜100
重量部、好ましくは5〜50重量部である。配合量が1重量
部未満では露光による硬化が不十分になり、パターニン
グが困難になったり、得られる硬化物の耐熱性が低下し
たりすることがあり、100重量部を越えると解像性が低
下したり、電気絶縁性が低下することがある。
(C)」という。)は、架橋微粒子を構成する重合体の
Tgが0℃以下であれば特に限定されるものではない
が、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性モノマー
(以下、「架橋性モノマー」と称す。)と、架橋微粒子
(C)のTgが0℃以下となるように選択される1種以
上のその他モノマー(以下、「その他モノマー」と称
す。)を共重合したものが好ましく、さらに、その他モ
ノマーとして架橋微粒子(C)のTgが0℃以下となる
ようなものであって、重合性基以外の官能基、たとえ
ば、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、イソシア
ネート基、水酸基等の官能基を有するモノマーを含むモ
ノマーを共重合したものが用いられる。
ンゼン、ジアリルフタレート、エチレングリコールジ
(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メ
タ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)
アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アク
リレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリ
レートなどの重合性不飽和基を複数有する化合物を挙げ
ることができる。なかでも、ジビニルベンゼンが好まし
い。
る際に用いられる架橋性モノマーは、共重合に用いる全
モノマーに対して1〜20重量%の範囲、より好ましくは2
〜10重量%の範囲の量で用いられる。その他モノマーの
例としては、ブタジエン、イソプレン、ジメチルブタジ
エン、クロロプレン、1,3-ペンタジエンなどのジエン化
合物、(メタ)アクリロニトリル、α-クロロアクリロ
ニトリル、α-クロロメチルアクリロニトリル、α-メト
キシアクリロニトリル、α-エトキシアクリロニトリ
ル、クロトン酸ニトリル、ケイ皮酸ニトリル、イタコン
酸ジニトリル、マレイン酸ジニトリル、フマル酸ジニト
リルなどの不飽和ニトリル化合物類、(メタ)アクリル
アミド、N,N'-メチレンビス(メタ)アクリルアミド、
N,N'-エチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N'-ヘ
キサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、N-ヒドロキ
シメチル(メタ)アクリルアミド、N-(2-ヒドロキシエ
チル)(メタ)アクリルアミド、N,N-ビス(2-ヒドロ
キシエチル)(メタ)アクリルアミド、クロトン酸アミ
ド、ケイ皮酸アミド等の不飽和アミド類、(メタ)アク
リル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)ア
クリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メ
タ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリ
ル、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポ
リプロピレングリコール(メタ)アクリレートなどの
(メタ)アクリル酸エステル類、スチレン、α-メチル
スチレン、o-メトキシスチレン、p-ヒドロキシスチレ
ン、p-イソプロペニルフェノールなどの芳香族ビニル
化合物、ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、グ
リコールのジグリシジルエーテルなどと(メタ)アクリ
ル酸、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートなどと
の反応によって得られるエポキシ(メタ)アクリレート
および、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとポ
リイソシアナートとの反応によって得られるウレタン
(メタ)アクリレート類、グリシジル(メタ)アクリレ
ート、(メタ)アリルグリシジルエーテルなどのエポキ
シ基含有不飽和化合物、(メタ)アクリル酸、イタコン
酸、コハク酸-β-(メタ)アクリロキシエチル、マレイ
ン酸-β-(メタ)アクリロキシエチル、フタル酸-β-
(メタ)アクリロキシエチル、ヘキサヒドロフタル酸-
β-(メタ)アクリロキシエチルなどの不飽和酸化合
物、ジメチルアミノ(メタ)アクリレート、ジエチルア
ミノ(メタ)アクリレート等のアミノ基含有不飽和化合
物、(メタ)アクリルアミド、ジメチル(メタ)アクリ
ルアミド等のアミド基含有不飽和化合物、ヒドロキシエ
チル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メ
タ)アクリレート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレ
ート等の水酸基含有不飽和化合物などを例示することが
できる。これらのその他モノマーとしては、ブタジエ
ン、イソプレン、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)
アクリル酸アルキルエステル類、スチレン、p-ヒドロ
キシスチレン、p-イソプロペニルフェノール、グリシ
ジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、ヒド
ロキシアルキル(メタ)アクリレート類などが好ましく
用いられる。
も1種のジエン化合物、具体的にはブタジエンを用いる
ことが好ましい。このようなジエン化合物は、共重合に
用いる全モノマーに対して20〜80重量%、好ましく
は30〜70重量%の量で用いられることが望ましい。
本発明で用いられる架橋微粒子(C)は、他のモノマー
としてブタジエンなどのジエン化合物が全モノマーに対
して上記のような量で共重合されていると、ゴム状の軟
らかい微粒子となり、特に得られる硬化膜にクラック
(割れ)が生ずるのを防止でき、耐久性に優れた硬化膜
を得ることができる。
均粒子径は、通常30〜500nm、好ましくは40〜200nm、さ
らに好ましくは50〜120nmであることが好まし
い。架橋微粒子(C)の粒径コントロール方法は、特に
限定されるものではないが、乳化重合により架橋微粒子
(C)を合成する場合、使用する乳化剤の量により、乳
化重合中のミセルの数を制御し、粒径をコントロールす
る方法が例示できる。
ェノール樹脂(A)100重量部に対して、1〜50重量部、
好ましくは5〜30重量部である。配合量が1重量部未満で
は、得られる硬化膜の熱衝撃性が低下し、50重量部を越
えると解像性や得られる硬化膜の耐熱性が低下したり、
他成分との相溶性分散性が低下することがある。(D)オキシラン環含有化合物; 本発明において用いら
れるオキシラン環含有化合物(以下、「エポキシ樹脂
(D)」という。)は、オキシラン環を分子内に含有し
ているものであれば特に制限されないが、具体的にはフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、
トリスフェノール型エポキシ樹脂、テトラフェノール型
エポキシ樹脂、フェノール-キシリレン型エポキシ樹
脂、ナフトール-キシリレン型エポキシ樹脂、フェノー
ル-ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール-ジシクロペ
ンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪
族エポキシ樹脂などが挙げられる。
前記フェノール樹脂(A)100重量部に対して、1〜70重
量部、好ましくは3〜30重量部である。配合量が1重量部
未満では、得られる硬化膜の耐薬品性が低下することが
あり、70重量部を超えると解像性が低下したりすること
がある。(E)光感応性酸発生剤; 本発明において用いられる光
感応性酸発生剤(以下、「酸発生剤(E)」という。)
は、放射線などの照射により酸を発生する化合物であ
り、この酸の触媒作用により架橋剤(B)中のアルキル
エーテル基とフェノール樹脂(A)とが脱アルコールを
伴って反応することによってネガ型のパターンを形成す
ることができる。酸発生剤(E)は放射線などの照射に
より酸を発生する化合物であれば特に限定されないが、
たとえば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジ
アゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合
物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物などを
挙げることができる。以下、その具体例を示す。
ては、たとえばヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホス
ホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩などを挙
げることができる。好ましいオニウム塩の具体例として
は、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレー
ト、トリフェニルスルホニウムトリフリオロメタンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ンチモネート、4-t-ブチルフェニル・ジフェニルスルホ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-t-ブチルフ
ェニル・ジフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネー
ト、4,7-ジ-n-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェ
ニウムトリフリオロメタンスルホネートなどを挙げるこ
とができる。
としては、たとえばハロアルキル基含有炭化水素化合
物、ハロアルキル基含有複素環式化合物などを挙げるこ
とができる。好ましいハロゲン含有化合物の具体例とし
ては、1,10-ジブロモ-n-デカン、1,1-ビス(4-クロロ
フェニル)-2,2,2-トリクロロエタン、フェニル-ビス
(トリクロロメチル)-s-トリアジン、4-メトキシフェ
ニル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、スチ
リル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、ナフ
チル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジンなどの
s-トリアジン誘導体を挙げることができる。
としては、たとえば1,3-ジケト-2-ジアゾ化合物、ジア
ゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物など
を挙げることができ、具体例としてはフェノール類の1,
2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル化合物
が挙げられる。
は、たとえばβ-ケトスルホン化合物、β-スルホニルス
ルホン化合物およびこれらの化合物のα-ジアゾ化合物
を挙げることができ、具体例としては、4-トリスフェ
ナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス
(フェナシルスルホニル)メタンなどを挙げることがで
きる。
ては、たとえばアルキルスルホン酸エステル類、ハロア
ルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エス
テル類、イミノスルホネート類などを挙げることができ
る。好ましい具体例としては、ベンゾイントシレート、
ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、
o-ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o-
ニトロベンジルp-トルエンスルホネートなどを挙げるこ
とができる。
合物の具体例としては、N-(トリフルオロメチルスルホ
ニルオキシ)スクシンイミド、N-(トリフルオロメチル
スルホニルオキシ)フタルイミド、N-(トリフルオロメ
チルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N-(ト
リフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]
ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(トリフル
オロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミドなどを挙
げることができる。
の具体例としては、ビス(トリフルオロメチルスルホニ
ル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)
ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタ
ンなどを挙げることができる。本発明においては、これ
らの酸発生剤(E)を1種単独でまたは2種以上を混合し
て使用することができる。また、酸発生剤(E)の配合
量は、本発明の樹脂組成物の感度、解像度、パターン形
状などを確保する観点からフェノール樹脂(A)100重
量部に対して0.1〜10重量部、好ましくは0.3〜5重量部
である。この場合、酸発生剤(E)の配合量が0.1重量部
未満では硬化が不十分になり、耐熱性が低下することが
あり、10重量部を超えると、放射線に対する透明性が低
下し、パターン形状の劣化を招くことがある。
り、粘度や保存安定性を調節するために添加される。こ
のような有機溶媒の種類は、特に制限されるものではな
いが、たとえば、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル
アセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレング
リコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコール
モノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチ
ルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、
プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレン
グリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコール
ジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロ
ピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブ
チルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノ
アルキルエーテルアセテート類;エチルセロソルブ、ブ
チルセロソルブ等のセロソルブ類、ブチルカルビトール
等のカルビトール類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-
プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類;酢酸
エチル、酢酸n-プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n-ブ
チル、酢酸イソブチル、酢酸n-アミル、酢酸イソアミ
ル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n-ブチ
ル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エス
テル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプ
ロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-
エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、
4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N-ジメ
チルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチ
ルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ
-ブチロラクン等のラクトン類を挙げることができる。
これらの有機溶媒は、1種単独あるいは2種以上を混合
して使用することもできる。
の他添加剤として密着助剤、増感剤、レベリング剤など
を含有させることもできる。[硬化物] 本発明にかかる感光性絶縁樹脂組成物は、フェ
ノール樹脂(A)、架橋剤(B)、架橋微粒子(C)、
オキシラン環含有化合物(D)、酸発生剤(E)、溶剤
(F)、および必要に応じ、その他添加剤を含有し、解
像性に優れているとともに、その硬化物は電気絶縁性、
熱衝撃性、耐薬品性に優れている。このような本発明の
感光性絶縁樹脂組成物は、特に、半導体素子の表面保護
膜や層間絶縁膜材料などとして好適に使用することがで
きる。
持体(樹脂付き銅箔、銅張り積層板や金属スパッタ膜を
付けたシリコンウエハーやアルミナ基板など)に塗工
し、乾燥して溶剤などを揮発させて塗膜を形成する。そ
の後所望のマスクパターンを介して露光し、加熱処理
(以下、この加熱処理を「PEB」という。)を行い、フ
ェノール樹脂と架橋剤との反応を促進させる。次いで、
アルカリ性現像液により現像して、未露光部を溶解、除
去することにより所望のパターンを得ることができる。
さらに、絶縁膜特性を発現させるために加熱処理を行う
ことにより、硬化膜を得ることができる。
は、たとえば、ディッピング法、スプレー法、バーコー
ト法、ロールコート法、またはスピンコート法などの塗
布方法を用いることができる。また、塗布の厚さは、塗
布手段、組成物溶液の固形分濃度や粘度を調節すること
により、適宜制御することができる。露光に用いられる
放射線としては、たとえば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、
メタルハライドランプ、g線ステッパー、i線ステッパ
ーなどの紫外線や電子線、レーザー光線などが挙げら
れ、露光量としては使用する光源や樹脂膜厚などによっ
て適宜選定されるが、たとえば高圧水銀灯からの紫外線
照射の場合、樹脂膜厚10〜50μmでは、1,000〜20,000J
/m2程度である。
脂(A)と架橋剤(B)の硬化反応を促進させるために
PEBの処理を行う。その条件は樹脂組成物の配合量や使
用膜厚などによって異なるが、通常、70〜150℃、好ま
しくは80〜120℃で、1〜60分程度である。その後、アル
カリ性現像液により現像して、未露光部を溶解、除去す
ることによって所望のパターンを形成する。この場合の
現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、
浸漬現像法、パドル現像法などを挙げることができ、現
像条件としては通常、20〜40℃で1〜10分程度である。
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア
水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンな
どのアルカリ性化合物を濃度が1〜10重量%程度になる
ように水に溶解したアルカリ性水溶液を挙げることがで
きる。前記アルカリ性水溶液には、たとえば、メタノー
ル、エタノールなどの水溶性の有機溶剤や界面活性剤な
どを適量添加することもできる。なお、アルカリ性現像
液で現像した後は、水で洗浄し、乾燥する。
分に発現させるために、加熱処理を行うことによって十
分に硬化させることができる。このような硬化条件は特
に制限されるものではないが、硬化物の用途に応じて、
50〜200℃の温度で、30分〜10時間程度加熱し、組成物
を硬化させることができる。また、硬化を十分に進行さ
せたり、得られたパターン形状の変形を防止するために
二段階で加熱することもでき、たとえば、第一段階で
は、50〜120℃の温度で、5分〜2時間程度加熱し、さら
に80〜200℃の温度で、10分〜10時間程度加熱して硬化
させることもできる。
して一般的なオーブンや、赤外線炉などを使用すること
ができる。本発明の感光性絶縁樹脂組成物を用いれば、
図1および図2に示すような半導体素子(回路付基板)
を形成することができる。すなわち基板1上に金属パッ
ド2をパターン状に形成した後、上記樹脂組成物を用い
て硬化絶縁膜3をパターン状に形成し、次いで金属配線
4をパターン状に形成すると、図1に示すような回路付
基板を得ることができる。またさらにこの上に上記樹脂
組成物を用いて硬化絶縁膜5を形成すると、図2に示す
ような回路付基板を得ることができる。
が、本発明はこれら実施例により何ら限定されるもので
はない。なお、以下の実施例、比較例における部は特に
断らない限り重量部の意味で用いる。また、硬化物の各
特性については、下記の要領で実施した。 解像性;6インチのシリコンエウハーに感光性絶縁樹脂
組成物をスピンコートし、ホットプレートで110℃、3分
間加熱し、10μm厚の均一な塗膜を作製した。その後、
アライナー(Karl Suss社製 MA-100)を用い、パター
ンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を波長350nm
における露光量が3,000〜5,000J/m2となるように露
光した。次いで、ホットプレートで110℃、3分間加熱
(PEB)し、2.38重量%テトラメチルアンモニウムハイ
ドロキサイド水溶液を用いて23℃で90秒間、浸漬現像し
た。得られたパターンの最小寸法を解像度とした。 電気絶縁性(体積抵抗率):樹脂組成物をSUS基板に塗
布し、ホットプレートで110℃、3分間加熱し、10μm厚
の均一な樹脂塗膜を作製した。その後、アライナーを用
い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を
波長350nmにおける露光量が5,000J/m2となるように
露光した。次いで、ホットプレートで110℃、3分間加熱
(PEB)し、対流式オーブンで170℃、2時間加熱して硬
化膜を得た。この得られた硬化膜をプレッシャークッカ
ー試験装置(タバイエスペック(株)社製)で、温度;
121℃、湿度;100%、圧力:2.1気圧の条件下で168時
間処理した。試験前後での層間の体積抵抗率を測定し、
耐性を確認した。 熱衝撃性:図3および図4に示すように、基板6上にパ
ターン状の銅箔7を有している熱衝撃性の評価用基板6
上に塗布し、ホットプレートで110℃、3分間加熱し、導
体上で10μm厚の樹脂塗膜を作製した。その後、アライ
ナーを用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの
紫外線を波長350nmにおける露光量が5,000J/m2とな
るように露光した。次いで、ホットプレートで110℃、3
分間加熱(PEB)し、対流式オーブンで170℃、2時間加
熱して硬化膜を得た。この基板を冷熱衝撃試験器(タバ
イエスペック(株)社製)で-55℃/30分〜150℃/30分
を1サイクルとして耐性試験を行った。硬化膜にクラッ
クなどの欠陥が発生するまでのサイクル数を確認した。 耐薬品性:6インチのシリコンエウハーに感光性絶縁樹
脂組成物をスピンコートし、ホットプレートで110℃、3
分間加熱し、10μm厚の均一な塗膜を作製した。その
後、アライナーを用い、パターンマスクを介して高圧水
銀灯からの紫外線を波長350nmにおける露光量が5,000J
/m2となるように露光した。次いで、ホットプレート
で110℃、3分間加熱(PEB)し、対流式オーブンで170
℃、2時間加熱して硬化膜を得た。得られた基板をイソ
プロピルアルコール中、60℃で10分間浸漬し、硬化膜表
面を光学顕微鏡で観察した。
1)100重量部、架橋剤(B-1)25重量部、架橋微粒子
(C-1)10重量部、エポキシ樹脂(D-1)10重量部およ
び酸発生剤(E-1)1.0重量部を溶剤(F-1)145重量部
に溶解した。この組成物の特性を前記評価方法にしたが
って測定した。得られた結果を表2に示す。
組成の感光性絶縁樹脂組成物を調製し、これらの特性を
実施例1と同様に測定した。得られた結果を表2に示
す。
と同様に物性を測定した。結果を表2に示す。
ある。フェノール樹脂; A-1:m-クレゾール/p-クレゾール=60/40(モル比)
からなるクレゾールノボラック樹脂(ポリスチレン換算
重量平均分子量=8,700) A-2:ポリヒドロキシスチレン(丸善石油化学(株)
製、商品名;マルカリンカーS-2P) A-3:フェノール-キシリレングリコール縮合樹脂(三
井化学(株)製、商品名;XLC-3L)フェノール化合物; a-1:1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)-1-[4-{1-
(4-ヒドロキシフェニル)-1-メチルエチル}フェニル]
エタン架橋剤; B-1:ヘキサメトキシメチルメラミン(三井サイテック
(株)製、商品名;サイメル300) B-2:テトラメトキシメチルグリコールウリル(三井サ
イテック(株)製、商品名;サイメル1174)架橋微粒子; C-1:ブタジエン/ヒドロキシブチルメタクリレート/
メタクリル酸/ジビニルベンゼン=60/32/6/2(重量
%)、平均粒径=65nm C-2:ブタジエン/アクリロニトリル/ヒドロキシブチ
ルメタクリレート/ジビニルベンゼン=60/24/14/2
(重量%)、平均粒径=70nmエポキシ樹脂; D-1:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキ
シレジン(株)製、商品名;EP-828) D-2:プロピレングリコールジグリシジルエーテル(共
栄社(株)製、商品名;エポライト70P)酸発生剤; E-1:スチリル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジ
ン E-2:4,7-ジ-n-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェ
ニウムトリフルオロメタンスルホネート溶剤; F-1:乳酸エチル F-2:2-ヘプタノン
Claims (5)
- 【請求項1】(A)フェノール性水酸基を有するアルカ
リ可溶性樹脂、(B)分子中に少なくとも2つ以上のア
ルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合物、
(C)架橋微粒子、(D)オキシラン環含有化合物、
(E)光感応性酸発生剤、および(F)溶剤を含有する
ことを特徴とする感光性絶縁樹脂組成物。 - 【請求項2】前記(A)フェノール性水酸基を有するア
ルカリ可溶性樹脂100重量部に対して、 前記(B)分子中に少なくとも2つ以上のアルキルエー
テル化されたアミノ基を有する化合物の量が1〜100
重量部であり、 前記(C)架橋微粒子の量が1〜50重量部であり、 前記(D)オキシラン環含有化合物の量が1〜70重量
部であり、 前記(E)光感応性酸発生剤の量が0.1〜10重量部
である、請求項1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。 - 【請求項3】前記(C)架橋微粒子の平均粒径が30〜
500nmである、請求項1に記載の感光性絶縁樹脂組
成物。 - 【請求項4】請求項1に記載の感光性絶縁樹脂組成物を
硬化してなる硬化物。 - 【請求項5】請求項1に記載の感光性絶縁樹脂組成物を
用いて形成された硬化絶縁膜を有することを特徴とする
半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002014308A JP3960055B2 (ja) | 2002-01-23 | 2002-01-23 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002014308A JP3960055B2 (ja) | 2002-01-23 | 2002-01-23 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003215802A true JP2003215802A (ja) | 2003-07-30 |
JP3960055B2 JP3960055B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002014308A Expired - Lifetime JP3960055B2 (ja) | 2002-01-23 | 2002-01-23 | 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 |
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Country | Link |
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