KR20080017265A - 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는전자 부품 - Google Patents

감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는전자 부품 Download PDF

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KR20080017265A
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히로후미 고또
히로후미 사사끼
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Abstract

본 발명의 목적은 g선, h선에 대한 감도가 양호하면서, 해상성, 전기 절연성, 열충격성 등의 여러 특성이 우수한 표면 보호막, 층간 절연막, 평탄화막을 형성할 수 있는 감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물, 및 그의 경화물을 구비하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은 페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지, 하기 화학식 1로 표시되는 s-트리아진 유도체를 포함하는 감방사선성 산 발생제, 및 가교제를 함유한다.
<화학식 1>
Figure 112007059795411-PAT00001
[식 중, R은 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내고, Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타냄]
감광성 절연 수지 조성물, 페놀성 수산기, 알칼리 가용성 수지, 감방사선성 산 발생제, 가교제

Description

감광성 절연 수지 조성물 및 그의 경화물 및 이를 구비하는 전자 부품{PHOTOSENSITIVE INSULATING RESIN COMPOSITION, HARDENED PRODUCT THEREOF AND ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING THE SAME}
본 발명은 반도체 소자 등의 표면 보호막(패시베이션막, 오버코팅막), 층간 절연막, 평탄화막 등에 이용되는 감광성 절연 수지 조성물 및 이것이 경화되어 이루어지는 절연성 경화물 및 이를 구비하는 전자 부품에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 영구막 레지스트로서 해상성이 우수한 동시에 잔막률이 높고, 전기 절연성 및 열충격성 등의 특성이 우수한 경화물, 및 이와 같은 경화물이 얻어지는 감광성 절연 수지 조성물, 및 그의 경화물을 구비하는 전자 부품에 관한 것이다.
종래, 전자 기기의 반도체 소자에 이용되는 표면 보호막, 층간 절연막 등에는 내열성이나 기계적 특성 등이 우수한 폴리이미드계 수지가 널리 사용되고 있다.
또한, 반도체 소자의 고집적화에 의해 막 형성 정밀도의 향상을 도모하기 위해, 감광성을 부여한 감광성 폴리이미드계 수지가 다양하게 제안되었다. 예를 들면, 일본 특허 공개 (소)54-145794호 공보 및 일본 특허 공개 (평)03-186847호 공보에는 각각, 폴리이미드 전구체에 이온 결합에 의해 광 가교기를 도입한 감광성 폴리이미드계 수지를 함유하는 조성물, 및 폴리이미드 전구체에 에스테르 결합에 의해 광 가교기를 도입한 감광성 폴리이미드계 수지를 함유하는 조성물이 기재되어 있다.
그러나, 이들 조성물에서는 이미드화하기 위해 폐환 공정을 필요로 하고, 용제를 이용하여 현상하는 방법이기 때문에 해상성이 충분하지 않다는 결점이 있었다.
또한, 일본 특허 공개 (평)08-50354호 공보에는 방향족 폴리이미드 전구체에 다관능 아크릴 화합물을 첨가한 네가티브형 타입의 감광성 조성물이 기재되어 있지만, 상기와 동일한 문제점이 지적되었다.
본 발명의 과제는 상기한 바와 같은 종래 기술에 따른 문제점을 해결하여, g선, h선에 대한 감도가 양호하면서, 해상성, 전기 절연성, 열충격성 등의 여러 특성이 우수한 표면 보호막, 층간 절연막, 평탄화막을 형성할 수 있는 감광성 절연 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 이러한 감광성 절연 수지 조성물을 경화시킨 경화물(절연막) 및 그의 경화물을 구비하는 전자 부품을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 우수한 특성을 갖는 감광성 절연 수지 조성물을 발견하기에 이르렀다.
본 발명은 이하와 같다.
1. [A] 페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지, [B] 하기 화학식 1로 표시되는 s-트리아진 유도체를 포함하는 감방사선성 산 발생제, 및 [C] 가교제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 절연 수지 조성물.
Figure 112007059795411-PAT00002
[화학식 1에 있어서, R은 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내고, Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타냄]
2. 상기 가교제 [C]가 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 상기 1에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
3. 상기 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물이, 알킬에테르화된 멜라민인 상기 2에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
4. 상기 가교제 [C]가 추가로 옥시란환 함유 화합물을 포함하는 상기 2에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
5. 상기 옥시란환 함유 화합물이 지환식 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 중 하나 이상인 상기 4에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
6. 상기 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물이, 알킬에테르화된 멜라민인 상기 4에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
7. 상기 옥시란환 함유 화합물의 함유 비율이, 상기 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물 및 상기 옥시란환 함유 화합물의 합계를 100 중량％로 한 경우에 50 중량％ 이하인 상기 4에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
8. 상기 가교제 [C]가 옥시란환 함유 화합물을 포함하는 상기 1에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
9. 상기 옥시란환 함유 화합물이 지환식 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 중 하나 이상인 상기 8에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
10. 추가로 가교 미립자 [D]를 함유하는 상기 1에 기재된 감광성 절연 수지 조성물.
11. 상기 1에 기재된 감광성 절연 수지 조성물이 경화되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화물.
12. 상기 11에 기재된 경화물을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
13. 상기 경화물이 층간 절연막 또는 평탄화막인 상기 12에 기재된 전자 부품.
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은 감방사선성 산 발생제로서 특정 구조를 갖는 s-트리아진 유도체를 함유하기 때문에, g선(436 ㎚), h선(405 ㎚), i선(365 ㎚) 영역에 넓은 흡수를 갖고, 다른 트리아진 골격을 갖는 일반적인 감방사 선성 산 발생제에 비해 산 발생 효율을 높게 할 수 있다. 그 때문에, 현상 후의 잔막률이 높고, 해상성, 전기 절연성, 열충격성 및 내약품성 등의 특성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 반도체 소자 등의 전자 부품의 표면 보호막(패시베이션막, 오버코팅막), 층간 절연막, 평탄화막 등에 바람직하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 한편, 본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴"은 아크릴 및 메트아크릴을 의미하고, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메트아크릴레이트를 의미하며, "(메트)알릴"은 알릴 및 메트알릴을 의미한다.
1. 감광성 절연 수지 조성물
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은 [A] 페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지, [B] 특정 s-트리아진 유도체를 포함하는 감방사선성 산 발생제, 및 [C] 가교제를 함유하는 것이다.
1-1. 페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지 [A]
본 발명에서의 "페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지"(이하, "페놀 수지 [A]"라 함)로서는, 예를 들면 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌, 폴리히드록시스티렌의 공중합체, 히드록시스티렌과 스티렌의 공중합체, 히드록시스티렌, 스티렌 및 (메트)아크릴산 유도체의 공중합체, 페놀-크실릴렌글리콜 축합 수지, 크레졸-크실릴렌글리콜 축합 수지, 페놀-디시클로펜타디엔 축합 수지 등이 이용된다. 이들 중에서도 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌, 폴리히드록시스티렌의 공중합체, 히드 록시스티렌과 스티렌의 공중합체, 히드록시스티렌, 스티렌 및 (메트)아크릴산 유도체의 공중합체, 페놀-크실릴렌글리콜 축합 수지가 바람직하다. 한편, 이들 페놀 수지 [A]는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 노볼락 수지는 예를 들면 페놀류와 알데히드류를 촉매의 존재하에서 축합시킴으로써 얻을 수 있다.
상기 페놀류로서는, 예를 들면 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있다.
또한, 상기 알데히드류로서는, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드 등을 들 수 있다.
구체적인 노볼락 수지로서는, 예를 들면 페놀/포름알데히드 축합 노볼락 수지, 크레졸/포름알데히드 축합 노볼락 수지, 페놀-나프톨/포름알데히드 축합 노볼락 수지 등을 들 수 있다.
또한, 상기 페놀 수지 [A]에는 성분의 일부로서 페놀성 저분자 화합물이 함유될 수 있다.
상기 페놀성 저분자 화합물로서는, 예를 들면 4,4'-디히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐에테르, 트리스(4-히드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4-히드록시 페닐)-1-페닐에탄, 트리스(4-히드록시페닐)에탄, 1,3-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 1,4-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]벤젠, 4,6-비스[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]-1,3-디히드록시벤젠, 1,1-비스(4-히드록시페닐)-1-[4-〔1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸〕페닐]에탄, 1,1,2,2-테트라(4-히드록시페닐)에탄, 4,4'-{1-[4-〔1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸〕페닐]에틸리덴}비스페놀 등을 들 수 있다. 이들 페놀성 저분자 화합물은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
이 페놀성 저분자 화합물의 페놀 수지 [A] 중에서의 함유 비율은 페놀 수지 [A]를 100 중량％로 한 경우, 바람직하게는 40 중량％ 이하, 보다 바람직하게는 1 내지 30 중량％이다.
본 발명에서의 페놀 수지 [A]의 중량 평균 분자량은, 얻어지는 절연막의 해상성, 열충격성, 내열성, 잔막률 등의 측면에서 바람직하게는 2,000 이상, 보다 바람직하게는 2,000 내지 20,000 정도이다.
또한, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물 중에서의 페놀 수지 [A]의 함유 비율은 용제를 제외한 조성물 전체를 100 중량％로 한 경우에, 바람직하게는 30 내지 90 중량％, 보다 바람직하게는 40 내지 80 중량％이다. 이 페놀 수지 [A]의 함유 비율이 30 내지 90 중량％인 경우에는 감광성 절연 수지 조성물을 이용하여 형성된 막이 알칼리 수용액에 의한 충분한 현상성을 갖고 있기 때문에 바람직하다.
1-2. 감방사선성 산 발생제 [B]
본 발명에서의 "감방사선성 산 발생제"(이하, "산 발생제 [B]"라고도 함)는 방사선 등의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이고, 이 산의 촉매 작용에 의해, 후술하는 가교제 [C] 중의 관능기와 반응하여 네가티브형 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 산 발생제 [B]는 하기 화학식 1로 표시되는 s-트리아진 유도체로 구성된다. 이 s-트리아진 유도체는 g선, h선, i선 영역에 넓은 흡수를 갖고 있고, 다른 트리아진 골격을 갖는 일반적인 감방사선성 산 발생제에 비해 산 발생 효율이 높고, 잔막률이 높은 절연성 경화물을 얻을 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112007059795411-PAT00003
[화학식 1에 있어서, R은 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내고, Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타냄]
상기 화학식 1에서의 R의 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 예시할 수 있다. 또한, 탄소수 1 내지 4의 알콕실기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, sec-부톡시기 등을 예시할 수 있다. 이들 중에서, R로서는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.
상기 화학식 1에 있어서, 할로겐 원자를 나타내는 X는 불소 원자, 염소 원 자, 브롬 원자 또는 요오드 원자인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 염소 원자이다.
또한, 상기 화학식 1에 있어서, Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내지만, 산소 원자인 것이 보다 바람직하다.
상기 화학식 1로 표시되는 s-트리아진 유도체로서는, 예를 들면 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(Y＝O, R＝H, X＝Cl), 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(Y＝O, R＝CH3, X＝Cl) 등을 들 수 있다.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 s-트리아진 유도체는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물 중의 상기 산 발생제 [B]의 함유량은 잔막률, 감도, 해상도, 패턴 형상 등을 확보하는 측면에서, 상기 페놀 수지 [A] 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.3 내지 8 중량부, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부이다. 이 산 발생제 [B]의 배합량이 0.1 내지 10 중량부인 경우, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물을 이용하여 형성된 막이 방사선에 대하여 높은 투명성을 갖고, 노광에 의해 경화 반응의 진행에 충분한 양의 산이 발생함으로써, 높은 잔막률로 양호한 패턴 형상을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물에는 상기 산 발생제 [B] 이외에도 다른 산 발생제(이하, "다른 산 발생제 (b)"라 함)가 포함될 수 있다.
상기 다른 산 발생제 (b)로서는, 예를 들면 오늄염 화합물, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 화합물, 술폰이미드 화합물, 디아조메탄 화합물 등을 들 수 있다.
상기 오늄염 화합물로서는, 예를 들면 요오도늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 피리디늄염 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔술포네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오도늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오도늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 4-t-부틸페닐·디페닐술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-t-부틸페닐·디페닐술포늄 p-톨루엔술포네이트, 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다.
상기 할로겐 함유 화합물로서는, 예를 들면 할로알킬기 함유 탄화수소 화합물, 할로알킬기 함유 복소환식 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 1,10-디브로모-n-데칸, 1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 4-메톡시페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 스티릴-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 나프틸-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-트리클로로메틸(피페로닐)-s-트리아진 등의 s-트리아진 유도체를 들 수 있다.
상기 디아조케톤 화합물로서는, 예를 들면 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디 아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 페놀류의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르 화합물 등을 들 수 있다.
상기 술폰 화합물로서는, 예를 들면 β-케토술폰 화합물, β-술포닐술폰 화합물 및 이들 화합물의 α-디아조 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 4-트리스페나실술폰, 메시틸페나실술폰, 비스(페나실술포닐)메탄 등을 들 수 있다.
상기 술폰산 화합물로서는, 예를 들면 알킬술폰산에스테르류, 할로알킬술폰산에스테르류, 아릴술폰산에스테르류, 이미노술포네이트류 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 벤조인토실레이트, 피로갈롤트리스트리플루오로메탄술포네이트, o-니트로벤질트리플루오로메탄술포네이트, o-니트로벤질 p-톨루엔술포네이트 등을 들 수 있다.
상기 술폰이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸이미드 등을 들 수 있다.
상기 디아조메탄 화합물로서는, 예를 들면 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.
이들 다른 산 발생제 (b)는 1종만 함유될 수도 있고, 2종 이상이 함유될 수도 있다.
또한, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물이 상기 다른 산 발생제 (b)를 함유하는 경우, 그 함유량은 상기 페놀 수지 [A] 100 중량부에 대하여 통상 8 중량부 이하이고, 바람직하게는 5 중량부 이하, 보다 바람직하게는 3 중량부 이하이다.
1-3. 가교제 [C]
본 발명에서의 "가교제"(이하, "가교제 [C]"라고도 함)는 상기 페놀 수지 [A]와 반응하는 가교 성분(경화 성분)으로서 작용하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 가교제 [C]로서는, 예를 들면 분자 중에 적어도 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물, 옥시란환 함유 화합물, 티이란환 함유 화합물, 옥세타닐기 함유 화합물, 이소시아네이트기 함유 화합물(블록화된 것을 포함) 등을 들 수 있다.
상기 분자 중에 적어도 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 (폴리)메틸올멜라민, (폴리)메틸올글리콜우릴, (폴리)메틸올벤조구아나민, (폴리)메틸올우레아 등의 질소 화합물 중의 활성 메틸올기(CH2OH기)의 전부 또는 일부(2개 이상)가 알킬에테르화된 화합물을 들 수 있다. 여기서, 알킬에테르를 구성하는 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 부틸기 등을 들 수 있고, 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 또한, 알킬에테르화되지 않은 메틸올기는 1 분자 내에서 자기 축합될 수 있고, 2 분자 사이에서 축합되어, 그 결과 올리고머 성분이 형성될 수 있다. 구체적으로는, 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사부톡시메틸멜라민, 테트라메톡시메틸글리콜우릴, 테트라부톡시메틸글리콜우릴 등을 사용할 수 있다. 이 들 중에서도 헥사메톡시메틸멜라민, 헥사부톡시메틸멜라민 등의 알킬에테르화된 멜라민이 바람직하다.
상기 옥시란환 함유 화합물로서는 옥시란환을 분자 내에 함유하고 있는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 테트라페놀형 에폭시 수지, 페놀-크실릴렌형 에폭시 수지, 나프톨-크실릴렌형 에폭시 수지, 페놀-나프톨형 에폭시 수지, 페놀-디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 지환식 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지가 바람직하다.
한편, 이들 가교제 [C]는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
또한, 이들 가교제 [C] 중에서도 분자 중에 적어도 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물, 및 옥시란환 함유 화합물이 바람직하다. 나아가, 분자 중에 적어도 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물 및 옥시란환 함유 화합물을 병용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물에서의 가교제 [C]의 함유량은 상기 페놀 수지 [A] 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 100 중량부, 보다 바람직하게는 5 내지 50 중량부이다. 이 가교제 [C]의 함유량이 1 내지 100 중량부인 경우에는 경화 반응이 충분히 진행되어, 얻어지는 경화물은 고해상도이고 양호한 패턴 형상을 가지며, 내열성, 전기 절연성이 우수하기 때문에 바람직하다.
또한, 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물 및 옥시란환 함유 화합물을 병용하는 경우, 옥시란환 함유 화합물의 함유 비율은 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물 및 옥시란환 함유 화합물의 합계를 100 중량％로 한 경우에 50 중량％ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 내지 40 중량％, 특히 바람직하게는 5 내지 30 중량％이다. 이 경우, 얻어지는 경화막은 고해상성을 손상시키지 않고 내약품성도 우수하기 때문에 바람직하다.
1-4. 가교 미립자
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은, 얻어지는 경화물의 내구성이나 열충격성을 향상시키기 위해 가교 미립자(이하, "가교 미립자 [D]"라고도 함)를 추가로 함유할 수 있다.
상기 가교 미립자 [D]로서는 이 가교 미립자를 구성하는 중합체의 유리 전이 온도(Tg)가 0℃ 이하이면 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 중합체는 불포화 중합성기를 2개 이상 갖는 가교성 단량체(이하, 단순히 "가교성 단량체"라 함)와, 가교 미립자 [D]의 Tg가 0℃ 이하가 되도록 선택되는 1종 또는 2종 이상의 "다른 단량체"를 공중합한 것이다. 특히 바람직한 중합체는 상기 다른 단량체를 2종 이상 병용하면서, 다른 단량체 중의 1종 이상이 카르복실기, 에폭시기, 아미노기, 이소시아네이트기, 히드록실기 등의 중합성기 이외의 관능기를 갖는 중합체이다.
상기 가교성 단량체로서는, 예를 들면 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸 렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등의 중합성 불포화기를 복수개 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도 디비닐벤젠이 바람직하다.
상기 가교 미립자 [D]를 제조할 때에 이용되는 상기 가교성 단량체는 공중합에 이용되는 전체 단량체 100 중량％에 대하여 바람직하게는 1 내지 20 중량％, 보다 바람직하게는 1 내지 10 중량％, 특히 바람직하게는 1 내지 5 중량％이다.
또한, 상기 다른 단량체로서는, 예를 들면 부타디엔, 이소프렌, 디메틸부타디엔, 클로로프렌, 1,3-펜타디엔 등의 디엔 화합물, (메트)아크릴로니트릴, α-클로로아크릴로니트릴, α-클로로메틸아크릴로니트릴, α-메톡시아크릴로니트릴, α-에톡시아크릴로니트릴, 크로톤산니트릴, 신남산니트릴, 이타콘산디니트릴, 말레산디니트릴, 푸마르산디니트릴 등의 불포화 니트릴 화합물류, (메트)아크릴아미드, 디메틸(메트)아크릴아미드, N,N'-메틸렌비스(메트)아크릴아미드, N,N'-에틸렌비스(메트)아크릴아미드, N,N'-헥사메틸렌비스(메트)아크릴아미드, N-히드록시메틸(메트)아크릴아미드, N-(2-히드록시에틸)(메트)아크릴아미드, N,N-비스(2-히드록시에틸)(메트)아크릴아미드, 크로톤산아미드, 신남산아미드 등의 불포화 아미드류, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산라우릴, 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산에스테르류, 스티렌, α-메틸스티렌, o-메톡시스티렌, p-히드록시스티렌, p-이소프로페닐페놀 등의 방향족 비닐 화합물, 비스페놀 A의 디글리시딜에테르, 글리콜의 디글리시딜에테 르 등과 (메트)아크릴산, 히드록시알킬(메트)아크릴레이트 등과의 반응에 의해 얻어지는 에폭시(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, (메트)알릴글리시딜에테르 등의 에폭시기 함유 불포화 화합물, 히드록시알킬(메트)아크릴레이트와 폴리이소시아네이트와의 반응에 의해 얻어지는 우레탄(메트)아크릴레이트류, (메트)아크릴산, 이타콘산, 숙신산-β-(메트)아크릴옥시에틸, 말레산-β-(메트)아크릴옥시에틸, 프탈산-β-(메트)아크릴옥시에틸, 헥사히드로프탈산-β-(메트)아크릴옥시에틸 등의 불포화 산 화합물, 디메틸아미노(메트)아크릴레이트, 디에틸아미노(메트)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 불포화 화합물, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류 등의 히드록실기 함유 불포화 화합물 등을 들 수 있다.
이들 다른 단량체 중에서도 부타디엔, 이소프렌, (메트)아크릴로니트릴, (메트)아크릴산알킬에스테르류, 스티렌, p-히드록시스티렌, p-이소프로페닐페놀, 글리시딜(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산, 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류 등이 바람직하다.
또한, 상기 가교 미립자 [D]의 제조에는 다른 단량체로서 1종 이상의 디엔 화합물, 구체적으로는 부타디엔이 이용되고 있는 것이 바람직하다. 이 디엔 화합물의 사용량은 공중합에 이용하는 전체 단량체 100 중량％에 대하여 바람직하게는 20 내지 80 중량％, 보다 바람직하게는 30 내지 70 중량％, 특히 바람직하게는 40 내지 70 중량％이다. 다른 단량체로서, 부타디엔 등의 디엔 화합물이 전체 단량체 100 중량％에 대하여 20 내지 80 중량％로 공중합되는 경우에는 가교 미립자 [D]가 고무상의 부드러운 미립자가 되어, 얻어지는 경화막에 크랙(균열)이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 내구성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다.
한편, 상기 가교 미립자 [D]는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
또한, 상기 가교 미립자 [D]의 평균 입경은 통상 30 내지 500 ㎚이고, 바람직하게는 40 내지 200 ㎚, 더욱 바람직하게는 50 내지 120 ㎚이다.
이 가교 미립자 [D]의 입경 조정 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 유화 중합에 의해 가교 미립자를 합성하는 경우, 사용하는 유화제의 양을 조정함으로써 유화 중합 중의 미셀의 수를 제어하여 입경을 조정할 수 있다.
한편, 본 발명에서의 가교 미립자 [D]의 평균 입경이란, 오쓰카 덴시 가부시끼가이샤 제조의 광산란 유동 분포 측정 장치 "LPA-3000"을 이용하여, 가교 미립자의 분산액을 통상법에 따라 희석하여 측정한 값이다.
상기 가교 미립자 [D]의 함유량은 상기 페놀 수지 [A] 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 50 중량부, 보다 바람직하게는 1 내지 30 중량부이다. 이 가교 미립자 [D]의 함유량이 0.5 내지 50 중량부인 경우에는 다른 성분과의 상용성 또는 분산성이 우수하고, 얻어지는 경화막의 열충격성 및 내열성을 향상시킬 수 있다.
1-5. 밀착 보조제
또한, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은 기재와의 밀착성을 향상시키기 위해 밀착 보조제(이하, "밀착 보조제 [E]"라고도 함)를 함유할 수 있다.
상기 밀착 보조제 [E]로서는, 예를 들면 카르복실기, 메트아크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 갖는 관능성 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
상기 밀착 보조제 [E]로서는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메트아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 1,3,5-N-트리스(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다. 이들 밀착 보조제 [E]는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 밀착 보조제 [E]의 함유량은 상기 페놀 수지 [A] 100 중량부에 대하여 바람직하게는 0.2 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 8 중량부이다. 이 밀착 보조제 [E]의 함유량이 0.2 내지 10 중량부인 경우에는 저장 안정성이 우수하면서, 양호한 밀착성을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다.
1-6. 용제
또한, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은 수지 조성물의 취급성을 향상시키거나, 점도나 보존 안정성을 조절하기 위해 용제(이하, "용제 [F]"라고도 함)를 함유할 수 있다.
상기 용제는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬 에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 셀로솔브류, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류; 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-프로필, 락트산이소프로필 등의 락트산 에스테르류; 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산이소아밀, 프로피온산이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산이소부틸 등의 지방족 카르복실산 에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 다른 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류를 들 수 있다. 이들 용제는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
1-7. 다른 첨가제
또한, 본 발명의 감광성 절연 수지 조성물은 본 발명의 특성을 손상시키지 않는 정도로, 필요에 따라 다른 첨가제(이하, "다른 첨가제 [G]"라고도 함)를 함유할 수 있다. 그 밖의 첨가제 [G]로서는, 무기 충전제, 증감제, 억제제, 레벨링제·계면 활성제 등을 들 수 있다.
상기 레벨링제·계면 활성제는 수지 조성물의 도포성을 향상시키기 위해 통상적으로 첨가된다. 이 레벨링제·계면 활성제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬아릴에테르류, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블럭 공중합체류, 소르비탄모노라우레이트, 소르비탄모노팔미테이트, 소르비탄모노스테아레이트 등의 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리올레에이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르의 비이온계 레벨링제·계면 활성제 등을 사용할 수 있다.
시판품으로서는, "에프톱 EF301", "에프톱 EF303", "에프톱 EF352"(이상, 가부시끼가이샤 토켐 프로덕츠 제조), "메가팩 F171", "메가팩 F172", "메가팩 F173"(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교가부시끼가이샤 제조), "플로라드 FC430", "플로라드 FC431"(이상, 스미또모 쓰리엠 가부시끼가이샤 제조), "아사히가드 AG710", "서프론 S-381", "서프론 S-382", "서프론 SC101", "서프론 SC102", "서프 론 SC103", "서프론 SC104", "서프론 SC105", "서프론 SC106", "서피놀 E1004", "KH-10", "KH-20", "KH-30", "KH-40"(이상, 아사히 가라스 가부시끼가이샤 제조), "프터젠트 250", "프터젠트 251", "프터젠트 222F", "FTX-218"(이상, 가부시끼가이샤 네오스 제조) 등의 불소계 레벨링제·계면 활성제, 오르가노실록산 중합체 "KP341", "X-70-092", "X-70-093"(이상, 신에쯔 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조), "SH8400"(도레이 다우 코닝 가부시끼가이샤 제조), 아크릴산계 또는 메트아크릴산계 레벨링제 "폴리플로우 No. 75", "폴리플로우 No. 77", "폴리플로우 No. 90", "폴리플로우 No. 95"(이상, 교에이샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조) 등을 들 수 있다. 이들 레벨링제·계면 활성제는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
상기 레벨링제·계면 활성제의 배합량은 수지 용액 중에서, 바람직하게는 50 내지 1,000 ppm, 보다 바람직하게는 100 내지 800 ppm이다. 이 레벨링제·계면 활성제의 배합량이 50 내지 1,000 ppm인 경우에는 단차 기판 상으로의 균일 도포성이 양호하면서, 현상시나 경화 후의 밀착성이 우수하기 때문에 바람직하다.
1-8. 제조 방법
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 각 성분을 이용하여 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 각 성분을 안에 넣고 완전히 밀봉한 샘플병을 웨이브 로터 위에 두고 교반함으로써도 제조할 수 있다.
2. 경화물
본 발명의 경화물은 상기 감광성 절연 수지 조성물이 경화되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상술한 본 발명에 따른 감광성 절연 수지 조성물은 잔막률이 높고, 해상성이 우수한 동시에, 그의 경화물은 전기 절연성, 열충격성 등이 우수하기 때문에, 그의 경화물은 반도체 소자, 반도체 패키지 등의 전자 부품의 표면 보호막, 평탄화막, 층간 절연막 재료 등으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 경화물을 형성하기 위해서는 우선 상술한 본 발명에 따른 감광성 절연 수지 조성물을 지지체(수지 부착 동박, 동장 적층판이나 금속 스퍼터막을 붙인 실리콘 웨이퍼나 알루미나 기판 등)에 도공하고, 건조하여 용제 등을 휘발시켜 도막을 형성한다. 그 후, 원하는 마스크 패턴을 통해 노광하고, 가열 처리(이하, 이 가열 처리를 "PEB"라 함)를 행하여 페놀 수지 [A]와 가교제 [C]와의 반응을 촉진시킨다. 이어서, 알칼리성 현상액에 의해 현상하고, 미노광부를 용해, 제거함으로써 원하는 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 절연막 특성을 발현시키기 위해 가열 처리를 행함으로써 경화막을 얻을 수 있다.
수지 조성물을 지지체에 도공하는 방법으로서는, 예를 들면 침지법, 분무법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 스핀 코팅법 등의 도포 방법을 사용할 수 있다. 또한, 도포막의 두께는 도포 수단, 조성물 용액의 고형분 농도나 점도를 조절함으로써 적절히 제어할 수 있다.
노광에 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면 저압 수은등, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, g선 스테퍼, h선 스테퍼, i선 스테퍼, gh선 스테퍼, ghi선 스테 퍼 등의 자외선이나 전자선, 레이저 광선 등을 들 수 있다. 또한, 노광량은 사용하는 광원이나 수지막 두께 등에 따라 적절히 선정되지만, 예를 들면 고압 수은등으로부터의 자외선 조사의 경우, 수지막 두께 1 내지 50 ㎛에서는 100 내지 20,000 J/㎡ 정도이다.
노광 후에는 발생한 산에 의한 페놀 수지 [A]와 가교제 [C]의 경화 반응을 촉진시키기 위해 상기 PEB 처리를 행한다. PEB 조건은 수지 조성물의 조성(배합량 등)이나 사용막 두께 등에 따라 다르지만, 통상 70 내지 150℃, 바람직하게는 80 내지 120℃이고, 1 내지 60분 정도이다. 그 후, 알칼리성 현상액에 의해 현상하고, 미노광부를 용해, 제거함으로써 원하는 패턴을 형성한다. 이 경우의 현상 방법으로서는, 샤워 현상법, 분무 현상법, 침지 현상법, 퍼들 현상법 등을 들 수 있다. 현상 조건으로서는 통상적으로 20 내지 40℃에서 1 내지 10분 정도이다.
상기 알칼리성 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 콜린 등의 알칼리성 화합물을 농도가 1 내지 10 중량％ 정도가 되도록 물에 용해시킨 알칼리성 수용액을 들 수 있다. 또한, 상기 알칼리성 수용액에는 예를 들면 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제 등을 적량 첨가할 수도 있다. 한편, 알칼리성 현상액으로 현상한 후에 물로 세정하고, 건조시킨다.
또한, 현상 후에 절연막으로서의 특성을 충분히 발현시키기 위해 가열 처리를 행함으로써 충분히 경화시킬 수 있다. 이 경화 조건은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 경화물의 용도에 따라 50 내지 250℃의 온도에서 30분 내지 10 시간 정 도 가열하여 조성물을 경화시킬 수 있다. 또한, 경화를 충분히 진행시키거나, 얻어진 패턴 형상의 변형을 방지하기 위해 2단계로 가열할 수도 있고, 예를 들면 제1 단계에서는 50 내지 120℃의 온도에서 5분 내지 2 시간 정도 가열하고, 추가로 제2 단계에서는 80 내지 250℃의 온도에서 10분 내지 10 시간 정도 가열하여 경화시킬 수도 있다. 이러한 경화 조건이면, 가열 설비로서 일반적인 오븐이나 적외선로 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 감광성 절연 수지 조성물을 이용함으로써, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같은 반도체 소자(회로 부착 기판) 등의 전자 부품을 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 전자 부품은 상기 경화물을 구비한다. 도 1의 회로 부착 기판은 기판 (1) 상에 금속 패드 (2)를 소정 패턴으로 형성한 후, 상기 수지 조성물을 이용하여 경화 절연막 (3)을 소정 패턴으로 형성하고, 이어서 금속 배선 (4)를 소정 패턴으로 형성함으로써 얻을 수 있다. 또한, 추가로 도 1의 회로 부착 기판 위에 상기 수지 조성물을 이용하여 경화 절연막 (5)를 형성하면, 도 2에 도시한 바와 같은 회로 부착 기판을 얻을 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 제약되지 않는다.
1. 감광성 절연 수지 조성물의 제조
실시예 1
표 1에 나타낸 바와 같이, 페놀 수지 (A-1) 100 중량부, 감방사선성 산 발생 제 (B-1) 1.0 중량부, 가교제 (C-4) 25 중량부 및 밀착 보조제 (E-1) 5 중량부를 용제 (F-1) 145 중량부에 용해시킴으로써 감광성 절연 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 2 내지 7 및 비교예 1 내지 2
실시예 1과 동일하게 하여 표 1에 나타낸 바와 같이 페놀 수지, 감방사선성 산 발생제, 가교제, 가교 미립자, 밀착 보조제 및 다른 첨가제를 용제에 용해시킴으로써 각 감광성 절연 수지 조성물을 제조하였다.
Figure 112007059795411-PAT00004
한편, 표 1에 기재된 성분은 이하와 같다. 또한, 하기 가교 미립자 [D]는 후술하는 방법에 의해 제조된 것이다.
(1) 페놀 수지 [A]
A-1: p-히드록시스티렌/스티렌/비닐벤조산＝18/80/2(몰비)로 이루어지는 공중합체, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)＝10,000
A-2: p-히드록시스티렌/스티렌＝80/20(몰비)로 이루어지는 공중합체, Mw＝10,000
A-3: 폴리히드록시스티렌, Mw＝10,000
A-4: p-크실릴렌글리콜 축합 페놀 수지(미쓰이 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "XLC-3L")
A-5: m-크레졸/p-크레졸＝60/40(몰비)로 이루어지는 크레졸 노볼락 수지, Mw＝6,500
A-6: 4,4'-{1-[4-〔2-(4-히드록시페닐)-2-프로필〕페닐]에틸리덴}비스페놀(페놀성 저분자 화합물)
(2) 산 발생제 [B]
B-1: 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(가부시끼가이샤 산와 케미컬 제조, 상품명 "TFE-트리아진")
B-2: 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진(가부시끼가이샤 산와 케미컬 제조, 상품명 "TME-트리아진")
(3) 다른 산 발생제 (b)
b-1: 2,4-트리클로로메틸(피페로닐)-s-트리아진
b-2: 1-(4,7-디부톡시-1-나프탈레닐)테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트
(4) 가교제 [C]
C-1: 노볼락형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "EP-152")
C-2: 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "에피코트 828")
C-3: 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르(교에이샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "에폴라이트 100MF")
C-4: 헥사메톡시메틸멜라민(가부시끼가이샤 산와 케미컬 제조, 상품명 "니칼락 MW-390")
(5) 가교 미립자 [D]
D-1: 부타디엔/아크릴로니트릴/히드록시부틸메트아크릴레이트/메트아크릴산/디비닐벤젠＝64/20/8/6/2(중량％)로 이루어지는 공중합체, 평균 입경＝65 ㎚, Tg＝ -38℃
D-2: 부타디엔/스티렌/히드록시부틸메트아크릴레이트/메트아크릴산/디비닐벤젠＝48/20/24/6/2(중량％)로 이루어지는 공중합체, 평균 입경＝65 ㎚, Tg＝ -9℃
한편, 평균 입경은 중합 후의 라텍스를 증류수로 희석하여 입도 분포 측정 장치 "UPA-EX150"(니키소 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여 측정하고, 유리 전이 온도(Tg)는 DSC를 이용하여 측정하였다.
(6) 밀착 보조제 [E]
E-1: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란(칫소 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "S510")
E-2: 1,3,5-N-트리스(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트(GE 도시바실리콘 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "Y-11597")
(7) 용제 [F]
F-1: 락트산에틸
F-2: 2-헵타논
(8) 다른 첨가제 [G]
G-1: 레벨링제·계면 활성제(가부시끼가이샤 네오스 제조, 상품명 "FTX-218")
G-2: 레벨링제·계면 활성제(교에이샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조, 상품명 "폴리플로우 No. 90")
[가교 미립자 (D-1)의 제조 방법]
단량체로서 부타디엔/아크릴로니트릴/히드록시부틸메트아크릴레이트/메트아크릴산/디비닐벤젠＝64/20/8/6/2(중량％)를 이용하여 하기 중합 방법으로 오토클레이브 내에서 15℃에서 유화 중합을 행하였다. 이어서, 반응 정지제 N,N-디에틸히드록실아민 0.3 중량부를 첨가하고, 공중합 에멀젼을 얻었다. 그 후, 이 용액 중에 수증기를 불어 넣고, 미반응 원료 단량체를 제거한 후, 이 용액을 5％ 염화칼슘 수용액 중에 첨가하고, 공중합체를 석출시켰다. 석출된 공중합체를 수세한 후, 90℃로 설정한 송풍 건조기에서 2 시간 건조함으로써 가교 미립자 (D-1)를 단리하였다.
<중합 방법>
단량체(100 중량부), 증류수(220 중량부), 도데실벤젠술폰산나트륨(3 중량부), 염화칼륨(0.04 중량부), 에틸렌디아민사아세트산나트륨염(0.09 중량부), 히드로술파이트(0.05 중량부), 황산제1철(0.016 중량부), 나트륨포름알데히드술폭실레이트(0.05 중량부), 파라멘탄히드로퍼옥시드(0.05 중량부)
[가교 미립자 (D-2)의 제조 방법]
단량체로서 부타디엔/스티렌/히드록시부틸메트아크릴레이트/메트아크릴산/디비닐벤젠＝48/20/24/6/2(중량％)를 사용한 것 이외에는 상기 (D-1)과 동일하게 하여 가교 미립자 (D-2)를 단리하였다.
2. 감광성 절연 수지 조성물의 평가
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 2의 각 감광성 절연 수지 조성물의 특성을 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.
(1) 잔막률
6 인치의 실리콘 웨이퍼에 감광성 절연 수지 조성물을 스핀 코팅하고, 핫 플레이트를 이용하여 110℃에서 3분간 가열하여 20 ㎛ 두께의 균일한 수지 도막을 제조하였다. 그 후, 얼라이너 "MA-150"(Karl Suss사 제조)을 이용하여 패턴 마스크를 통해 고압 수은등으로부터의 자외선을 파장 420 ㎚에서의 노광량이 500 mJ/㎠가 되도록 노광하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열(PEB)하고, 2.38 중량％ 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 이용하여 23℃에서 120초간 침지 현상하였다. 그리고, 현상 전후의 막 두께로부터 잔막률을 산출하였다.
(2) 해상성
6 인치의 실리콘 웨이퍼에 감광성 절연 수지 조성물을 스핀 코팅하고, 핫 플레이트를 이용하여 110℃에서 3분간 가열하여 20 ㎛ 두께의 균일한 수지 도막을 제조하였다. 그 후, 얼라이너 "MA-150"(Karl Suss사 제조)를 이용하여 패턴 마스크를 통해 고압 수은등으로부터의 자외선을 파장 420 ㎚에서의 노광량이 500 mJ/㎠가 되도록 노광하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열(PEB)하고, 2.38 중량％ 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액을 이용하여 23℃에서 120초간 침지 현상하였다. 그리고, 얻어진 패턴의 최소 치수를 해상도로 하였다.
(3) 밀착성
SiO2을 스퍼터한 실리콘 웨이퍼에 감광성 절연 수지 조성물을 도포하고, 핫 플레이트를 이용하여 110℃에서 3분간 가열하여 10 ㎛ 두께의 균일한 수지 도막을 제조하였다. 그 후, 얼라이너 "MA-150"(Karl Suss사 제조)을 이용하여 패턴 마스크를 통해 고압 수은등으로부터의 자외선을 파장 420 ㎚에서의 노광량이 500 mJ/㎠가 되도록 노광하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열(PEB)하고, 대류식 오븐을 이용하여 190℃에서 1 시간 가열하여 수지 도막을 경화시켜 경화막을 얻었다. 이어서, 이 경화막 부착 웨이퍼를 프레셔 쿠커 시험 장치 "EHS-221MD"(다바이 에스팩 가부시끼가이샤 제조)로 온도 121℃, 습도 100％, 압력 2.1 기압의 조건하에서 168 시간 처리하였다. 그리고, 시험 전후에서의 밀착성을 JIS K 5400에 준거하여 크로스 커팅 시험(바둑판 눈금 테이프법)을 행하여 평가하였다.
(4) 열충격성
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같은 기판 (6) 상에 소정 패턴의 구리층 (7)을 갖고 있는 열충격성 평가용 기재 (8)에 감광성 절연 수지 조성물을 도포하고, 핫 플레이트를 이용하여 110℃에서 3분간 가열하여, 구리층 (7) 상에서의 두께가 10 ㎛인 수지 도막을 갖는 기재를 제조하였다. 그 후, 얼라이너 "MA-150"(Karl Suss사 제조)를 이용하여 패턴 마스크를 통해 고압 수은등으로부터의 자외선을 파장 420 ㎚에서의 노광량이 500 mJ/㎠가 되도록 노광하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열(PEB)하고, 대류식 오븐을 이용하여 190℃에서 1 시간 가열하여 수지 도막을 경화시켜 경화막을 얻었다. 이 경화막 부착 기재를 냉열 충격 시험기 "TSA-40L"(다바이 에스팩 가부시끼가이샤 제조)로 -65℃/30분 내지 150℃/30분을 1 사이클로 하여 내성 시험을 행하였다. 그리고, 경화막에 균열 등의 결함이 발생하기까지의 사이클수(100 사이클마다)를 측정하였다.
(5) 절연성
도 5에 도시한 바와 같은 기판 (9) 상에 소정 패턴의 구리층 (10)을 갖고 있는 절연성 평가용 기재 (11)에 감광성 절연 수지 조성물을 도포하고, 핫 플레이트를 이용하여 110℃에서 3분간 가열하여, 구리층 (10) 상에서의 두께가 10 ㎛인 수지 도막을 갖는 기재를 제조하였다. 그 후, 얼라이너 "MA-150"(Karl Suss사 제조)를 이용하여 패턴 마스크를 통해 고압 수은등으로부터의 자외선을 파장 420 ㎚에서의 노광량이 500 mJ/㎠가 되도록 노광하였다. 이어서, 핫 플레이트에서 110℃에서 3분간 가열(PEB)하고, 대류식 오븐을 이용하여 190℃에서 1 시간 가열하여 수지 도막을 경화시켜 경화막을 얻었다. 이 경화막 부착 기재를 마이그레이션 평가 시스템 "AEI, EHS-221MD"(다바이 에스팩 가부시끼가이샤 제조)에 투입하고, 온도 121℃, 습도 85％, 압력 1.2 기압, 인가 전압 5 V의 조건으로 200 시간 처리하였다. 그 후, 시험 기재의 경화막의 저항치(Ω)를 측정하고, 절연성을 평가하였다.
Figure 112007059795411-PAT00005
도 1은 반도체 소자의 단면을 설명하는 모식도이다.
도 2는 반도체 소자의 단면을 설명하는 모식도이다.
도 3은 열충격성 평가용 기재의 단면을 설명하는 모식도이다.
도 4는 열충격성 평가용 기재를 설명하는 모식도이다.
도 5는 전기 절연성 평가용 기재를 설명하는 모식도이다.

Claims (13)

  1. [A] 페놀성 수산기를 갖는 알칼리 가용성 수지, [B] 하기 화학식 1로 표시되는 s-트리아진 유도체를 포함하는 감방사선성 산 발생제, 및 [C] 가교제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 절연 수지 조성물.
    <화학식 1>
    Figure 112007059795411-PAT00006
    [화학식 1에 있어서, R은 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕실기를 나타내고, X는 할로겐 원자를 나타내고, Y는 산소 원자 또는 황 원자를 나타냄]
  2. 제1항에 있어서, 상기 가교제 [C]가 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물을 포함하는 감광성 절연 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물이, 알킬에테르화된 멜라민인 감광성 절연 수지 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 상기 가교제 [C]가 추가로 옥시란환 함유 화합물을 포함하 는 감광성 절연 수지 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 옥시란환 함유 화합물이 지환식 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 중 하나 이상인 감광성 절연 수지 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 상기 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물이, 알킬에테르화된 멜라민인 감광성 절연 수지 조성물.
  7. 제4항에 있어서, 상기 옥시란환 함유 화합물의 함유 비율이, 상기 분자 중에 2개 이상의 알킬에테르화된 아미노기를 갖는 화합물 및 상기 옥시란환 함유 화합물의 합계를 100 중량％로 한 경우에 50 중량％ 이하인 감광성 절연 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 가교제 [C]가 옥시란환 함유 화합물을 포함하는 감광성 절연 수지 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 옥시란환 함유 화합물이 지환식 에폭시 수지 및 지방족 에폭시 수지 중 하나 이상인 감광성 절연 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 추가로 가교 미립자 [D]를 함유하는 감광성 절연 수지 조성물.
  11. 제1항에 기재된 감광성 절연 수지 조성물이 경화되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화물.
  12. 제11항에 기재된 경화물을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
  13. 제12항에 있어서, 상기 경화물이 층간 절연막 또는 평탄화막인 전자 부품.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110118821A (ko) * 2009-02-20 2011-11-01 산아프로 가부시키가이샤 술포늄염, 광산 발생제 및 감광성 수지 조성물

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4678383B2 (ja) * 2007-03-29 2011-04-27 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
US8791173B2 (en) 2008-06-13 2014-07-29 Dic Corporation Ink composition for forming insulating film and insulating film formed from the ink composition
JP5444813B2 (ja) * 2009-04-23 2014-03-19 Ｊｓｒ株式会社 感光性絶縁樹脂組成物および絶縁膜
JP5846110B2 (ja) * 2011-12-09 2016-01-20 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜
WO2014061062A1 (ja) 2012-10-18 2014-04-24 サンアプロ株式会社 スルホニウム塩、光酸発生剤、硬化性組成物およびレジスト組成物
JP6543882B2 (ja) * 2014-01-10 2019-07-17 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6513596B2 (ja) * 2016-04-04 2019-05-15 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品
KR102272225B1 (ko) 2016-06-09 2021-07-01 산아프로 가부시키가이샤 술포늄염, 광산 발생제, 경화성 조성물 및 레지스트 조성물
JP2018028690A (ja) * 2017-10-31 2018-02-22 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、半導体装置及び電子部品
WO2019225185A1 (ja) 2018-05-25 2019-11-28 サンアプロ株式会社 スルホニウム塩、光酸発生剤、硬化性組成物およびレジスト組成物
JP7468282B2 (ja) 2020-09-30 2024-04-16 味の素株式会社 感光性樹脂組成物
WO2023145537A1 (ja) * 2022-01-27 2023-08-03 味の素株式会社 感光性樹脂組成物セット、光導波路及びその製造方法、光電気混載基板、シートセット、コア用樹脂組成物、クラッド用樹脂組成物、並びに樹脂シート

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5952822B2 (ja) 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPH03186847A (ja) 1989-12-18 1991-08-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物
DE69400595T2 (de) 1993-04-20 1997-04-30 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung
JP2826979B2 (ja) 1995-05-22 1998-11-18 旭化成工業株式会社 ｉ線用感光性組成物
US6190833B1 (en) * 1997-03-30 2001-02-20 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
KR19980087522A (ko) * 1997-05-30 1998-12-05 마티네츠 길러모 신규한 중합체를 함유하는 방사선 감응성 조성물
JP3509473B2 (ja) 1997-06-04 2004-03-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JPH112894A (ja) * 1997-06-13 1999-01-06 Konica Corp 平版印刷版材料
JPH1160896A (ja) 1997-08-25 1999-03-05 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および硬化膜
US6797450B2 (en) * 2000-07-27 2004-09-28 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, insulating film and organic EL display element
JP4042142B2 (ja) * 2000-09-08 2008-02-06 Ｊｓｒ株式会社 Ｅｌ表示素子の隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁およびｅｌ表示素子
JP4029556B2 (ja) 2000-11-01 2008-01-09 Ｊｓｒ株式会社 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
TWI242689B (en) * 2001-07-30 2005-11-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Chemically amplified negative photoresist composition for the formation of thick films, photoresist base material and method of forming bumps using the same
US20030073042A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Cernigliaro George J. Process and materials for formation of patterned films of functional materials
US7214454B2 (en) * 2002-01-23 2007-05-08 Jsr Corporation Positively photosensitive insulating resin composition and cured object obtained therefrom
JP3960055B2 (ja) * 2002-01-23 2007-08-15 Ｊｓｒ株式会社 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
WO2003065384A1 (fr) * 2002-01-28 2003-08-07 Jsr Corporation Composition pour former une matiere dielectrique photosensible, et film de transfert, matiere dielectrique et elements electroniques utilisant celle-ci
JP2004177683A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Clariant (Japan) Kk 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4306267B2 (ja) 2003-02-05 2009-07-29 Ｊｓｒ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物およびその硬化物
EP1609024B1 (en) * 2003-03-11 2015-09-30 Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. Photosensitive resin compositions
JP2006154570A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターンおよび導体パターンの製造方法
JP2006179423A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nippon Zeon Co Ltd ネガ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス表示素子の絶縁膜
JP4499591B2 (ja) * 2005-03-23 2010-07-07 東京応化工業株式会社 厚膜形成用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物
EP1755365B1 (en) 2005-08-19 2009-05-06 JSR Corporation Positive photosensitive insulating resin composition, cured product thereof, and electronic component
JP2007056109A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Jsr Corp 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP4640051B2 (ja) 2005-09-01 2011-03-02 Ｊｓｒ株式会社 絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物および絶縁膜の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110118821A (ko) * 2009-02-20 2011-11-01 산아프로 가부시키가이샤 술포늄염, 광산 발생제 및 감광성 수지 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008077057A (ja) 2008-04-03
TW200813634A (en) 2008-03-16
EP1892574A1 (en) 2008-02-27
TWI409589B (zh) 2013-09-21
US20080045621A1 (en) 2008-02-21
US7714033B2 (en) 2010-05-11

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