JP2003133649A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003133649A5 JP2003133649A5 JP2001330068A JP2001330068A JP2003133649A5 JP 2003133649 A5 JP2003133649 A5 JP 2003133649A5 JP 2001330068 A JP2001330068 A JP 2001330068A JP 2001330068 A JP2001330068 A JP 2001330068A JP 2003133649 A5 JP2003133649 A5 JP 2003133649A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- film
- semiconductor laser
- semiconductor substrate
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001330068A JP3910041B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 窒化物半導体レーザ素子及びこれを備えた半導体光学装置 |
US10/493,137 US7498608B2 (en) | 2001-10-29 | 2002-10-28 | Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device |
PCT/JP2002/011186 WO2003038957A1 (en) | 2001-10-29 | 2002-10-28 | Nitride semiconductor device, its manufacturing method, and semiconductor optical apparatus |
US12/211,577 US7781244B2 (en) | 2001-10-29 | 2008-09-16 | Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control |
US12/836,211 US8334544B2 (en) | 2001-10-29 | 2010-07-14 | Nitride semiconductor laser device including growth-inhibiting film at dislocation concentrated region |
US13/688,021 US8502238B2 (en) | 2001-10-29 | 2012-11-28 | Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001330068A JP3910041B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 窒化物半導体レーザ素子及びこれを備えた半導体光学装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006344919A Division JP2007131527A (ja) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003133649A JP2003133649A (ja) | 2003-05-09 |
JP2003133649A5 true JP2003133649A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2005-05-19 |
JP3910041B2 JP3910041B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=19145858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001330068A Expired - Lifetime JP3910041B2 (ja) | 2001-10-29 | 2001-10-29 | 窒化物半導体レーザ素子及びこれを備えた半導体光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3910041B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1650841B1 (en) | 2003-07-10 | 2014-12-31 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
JP4539077B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-09-08 | 日本電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
US7655491B2 (en) | 2004-05-12 | 2010-02-02 | Showa Denko K.K. | P-type Group III nitride semiconductor and production method thereof |
JP2006229219A (ja) * | 2004-05-12 | 2006-08-31 | Showa Denko Kk | III族窒化物p型半導体およびその製造方法 |
JP3833674B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2006-10-18 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP4895488B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2012-03-14 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子、その製造方法、およびウエハ |
JP4707712B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-06-22 | シャープ株式会社 | p型窒化物半導体の製造方法及びその方法を用いて作製された半導体装置 |
JP5135708B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2013-02-06 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板 |
JP2009543331A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | p型化合物半導体層の形成方法 |
JP5168849B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 面発光レーザ素子およびその製造方法、ならびに面発光レーザアレイおよびその製造方法 |
JP4899740B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-03-21 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光装置および製造方法 |
JP2008127252A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体インゴット及びこれから得られる窒化物半導体基板並びに窒化物半導体インゴットの製造方法 |
JP5018247B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2012-09-05 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
JP5041902B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-10-03 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP5022136B2 (ja) | 2007-08-06 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
JP2009170798A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物半導体レーザ |
JP2009224602A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ、窒化物半導体レーザを作製する方法、及び窒化物半導体レーザのためのエピタキシャルウエハ |
JP2009280482A (ja) | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物単結晶自立基板およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP5093033B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
JP2009117875A (ja) * | 2009-02-23 | 2009-05-28 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP5332959B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2013-11-06 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物系半導体光素子 |
JP5306935B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-10-02 | 大陽日酸株式会社 | 反応生成物の検知方法 |
JP2011223043A (ja) * | 2011-08-09 | 2011-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法 |
JPWO2013058352A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2015-04-02 | 三菱化学株式会社 | Iii族窒化物半導体結晶 |
JP5451796B2 (ja) * | 2012-03-06 | 2014-03-26 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体構造 |
US11870213B2 (en) * | 2018-09-26 | 2024-01-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser, semiconductor laser array and method of manufacturing semiconductor laser |
JP7384734B2 (ja) * | 2020-04-07 | 2023-11-21 | パナソニックホールディングス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP7556246B2 (ja) | 2020-09-23 | 2024-09-26 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法およびプロジェクター |
-
2001
- 2001-10-29 JP JP2001330068A patent/JP3910041B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003133649A5 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP3702700B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JP4092927B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 | |
TWI425558B (zh) | 形成電路結構的方法 | |
US7180088B2 (en) | Nitride based semiconductor light-emitting device | |
TWI469187B (zh) | 電路結構 | |
JP3966207B2 (ja) | 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子 | |
JP3760663B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2006128227A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2005277374A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
WO2002058120A1 (en) | Crystal film, crystal substrate, and semiconductor device | |
TW200818546A (en) | Nitride gallium compound semiconductor light emitting element | |
JP2001158698A5 (ja) | 窒化物系iii−v族化合物の結晶製造方法、窒化物系iii−v族化合物結晶基板、窒化物系iii−v族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法 | |
TWI811572B (zh) | 半導體發光元件及其製造方法 | |
JP2001185498A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JP4803302B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2003023179A (ja) | p型III族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置およびその作製方法 | |
JP5488916B2 (ja) | 半導体面発光素子及びその製造方法 | |
JP2005072310A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
JP4651161B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP2008071910A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 | |
TWI321885B (en) | Fabrication method of semiconductor luminescent device | |
JP2008053385A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード素子 | |
JP2590710B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2803791B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 |