JP5135708B2 - Iii族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板 - Google Patents
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図1(A)は、本実施の形態に係るIII族窒化物系電子デバイスを示す図面である。図1(A)を参照すると、III族窒化物系電子デバイス11が示されている。III族窒化物系電子デバイス11は、III族窒化物支持基体13およびドリフト層15を備える。III族窒化物支持基体13は主面13aを有する。ドリフト層15は主面13a上に設けられており、また1×1017cm−3未満のシリコン濃度を有するn−型III族窒化物系半導体からなる。このシリコンはドナーとして作用する。ドナーとして作用するドーパントにはシリコンのほかにゲルマニウムなどがあり、それらを用いることも可能である。以下の実施例ではドーパントとしてシリコンを用いているものの、ゲルマニウムや他の元素でも実施可能である。支持基体13のIII族窒化物は、図1(B)に示されるような六方晶系結晶構造を有する材料からなる。合成オフ角は主面13aの全体にわたって0.15度以上である。合成オフ角は、例えばIII族窒化物支持基体13のC面の単位法線ベクトルVCN(図1(B)に示される<0001>方向を指すベクトル)と主面13aの単位法線ベクトルVPNとの成す角度である。例えば、主面13a上の位置P1における合成オフ角は、主面13a上に位置P1と異なる位置P2における合成オフ角と異なることになり、これ故に、合成オフ角の値は、主面13a上にわたって分布している。ドリフト層15内における炭素濃度NCは3×1016cm−3以下である。n−型III族窒化物系半導体は、例えばGaNまたはAlGaNから成ることができる。III族窒化物支持基体13は、例えばGaNまたはAlGaNから成ることができる。
さまざまなオフ角を持った窒化ガリウム自立基板を準備する。窒化ガリウム基板の転位密度は1×106cm−2未満である。これらの基板の合成オフ角の分布を調べる。サーマルクリーニングに引き続き、有機金属気相成長法を用いてIII族窒化物の結晶成長を行う。原料として、トリメチルガリウム、アンモニア、ドーパントとしてモノシラン、キャリアガスとして水素を用いる。窒化ガリウム自立基板上にn+GaNバッファ膜を成長する。このバッファ膜の厚さは、0.5マイクロメートルであり、シリコン濃度NSiは2×1017cm−3である。次いで、有機金属気相成長法を用いて、n+GaNバッファ膜上にn−GaNドリフト膜を成長する。このバッファ膜の厚さは、7.0マイクロメートルであり、シリコン濃度NSiは3.5×1016cm−3である。このエピタキシャル基板の二次イオン放出質量(SIMS)分析を行いエピタキシャル膜中の不純物濃度(水素、炭素)を測定する。また、基板の裏面にオーミック電極を形成すると共に、エピタキシャル膜の表面にショットキー電極を形成する。C−V法を用いて有効キャリア濃度(Nd−Na)を測定する。また、I−V測定を行ってショットキバリアダイオードのオン抵抗(直列抵抗)を測定する。
参照符号Angle6は0.4度の合成オフ角を示し、参照符号Angle7は0.25度の合成オフ角を示し、参照符号Angle8は0.3度の合成オフ角を示し、参照符号Angle9は0.2度の合成オフ角を示す。
図11(A)、図11(B)および図11(C)は、III族窒化物系電子デバイスのためのエピタキシャル基板を作成する工程を示す図面である。図11(A)に示されるように、III族窒化物基板81を準備する。III族窒化物ウエハ81の転位密度は1×108cm−2未満である。好ましくは、転位密度は1×106cm−2以下である。
(1)この窒化ガリウム系エピタキシャル膜85を形成するための成長圧力P
成長圧力Pは、50torr以上であることができる。成長圧力が低くなると、炭素の取り込みが増えるが、50torr未満の圧力では炭素濃度を2×1016cm−3未満にすることが困難だからである。好ましくは、成長圧力Pは200torr以上である。なお、1torrは、133.322Pa(パスカル)であり、この換算によりSI単位系に変換される。
(2)窒化ガリウム系エピタキシャル膜85を形成するための成長温度T
成長温度Tは、摂氏1000度以上であることができる。成長温度が1010度を下回ると急激に炭素の取り込みが増えるので、1000度未満の成長温度では炭素濃度を2×1016cm−3未満にすることが容易ではない。また、成長温度Tは1200度以下であることができる。1200度より高い成長温度ではGaNの成長が困難であるからである。好ましくは、成長温度Tは1050℃付近、例えば摂氏1030度以上1070度以下である。
(3)成膜ガスG2に関して
(V族原料の供給量)/(III族原料の供給量)(単に、「V/III」と記す)は200以上であることができる。V/IIIが200未満になると炭素の取り込みが増え、炭素濃度を3×1016cm−3以下にすることが困難だからである。また、V/IIIは10000以下であることができる。V/IIIが高いほど成長速度が遅くなるため、V/IIIが10000以上では実用に適さないからである。好ましくは、V/IIIは400以上である。また、V/IIIは4000未満であることが好ましい。
以下の条件
条件1:第1の交差線分上における第1のオフ角度成分の最大値の絶対値が第1のオフ角度成分の最小値の絶対値と異なる、
条件2:第1のオフ角度成分の最大値の絶対値は(当該最大値の絶対値+当該最小値の絶対値)/2よも大きい、
条件3:第1のオフ角度成分の最小値の絶対値は(当該最大値の絶対値+当該最小値の絶対値)/2よも小さい、
を満たすオフ角分布は、第1のオフ角度成分の最大値の絶対値が第1のオフ角度成分の最小値の絶対値とほぼ等しいオフ角分布に比べて、両者の第1のオフ角成分に関する変動幅が同じでも、第1のオフ角度成分の最大値の絶対値と第1のオフ角度成分の最小値の絶対値との差を大きくできる。
また、以下の条件
条件4:第2の交差線分上における第2のオフ角度成分の最大値の絶対値が第2のオフ角度成分の最小値の絶対値と異なる、
条件5:第2のオフ角度成分の最大値の絶対値は(当該最大値の絶対値+当該最小値の絶対値)/2よも大きい、
条件6:第2のオフ角度成分の最小値の絶対値は(当該最大値の絶対値+当該最小値の絶対値)/2よも小さい、
を満たすオフ角分布は、第2のオフ角度成分の最大値の絶対値が第2のオフ角度成分の最小値の絶対値とほぼ等しいオフ角分布に比べて、両者の第2のオフ角成分に関する変動幅が同じでも、第2のオフ角度成分の最大値の絶対値と第2のオフ角度成分の最小値の絶対値との差を大きくできる。反り量の異方性が小さいGaNインゴットでも、上記のように基板主面を傾斜させることによってオフ角成分の非対称性を高めて、基板の主面全体にわたる合成オフ角の分布幅を小さくできる。故に、キャリア濃度の均一性を高めることができる。
Claims (23)
- 主面を有するIII族窒化物支持基体と、
3×1016cm−3以下のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有するn−型III族窒化物系半導体からなり前記主面上に設けられたドリフト層と、
前記支持基体の裏面に設けられた電極と、
を備え、
前記ドリフト層内における炭素濃度は3×1016cm−3以下であり、
前記ドリフト層内におけるキャリア濃度は、3×1016cm−3以下であり、
前記III族窒化物支持基体のC面の単位法線ベクトルVCNと前記主面の単位法線ベクトルVPNとの成す合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.15度以上である、ことを特徴とするIII族窒化物系電子デバイス。 - 主面を有するIII族窒化物支持基体と、
1×1017cm−3未満のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有するn−型III族窒化物系半導体からなり前記主面上に設けられたドリフト層と、
前記支持基体の裏面に設けられた電極と、
を備え、
前記ドリフト層内における炭素濃度は3×1016cm−3以下であり、
前記ドリフト層内におけるキャリア濃度は、3×1016cm−3以下であり、
前記III族窒化物支持基体のC面の単位法線ベクトルVCNと前記主面の単位法線ベクトルVPNとの成す合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.15度以上である、ことを特徴とするIII族窒化物系電子デバイス。 - 前記ドリフト層上に設けられたショットキ電極をさらに備え、
当該III族窒化物系電子デバイスはショットキバリアダイオードである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。 - 前記ドリフト層上に設けられたp型III族窒化物系半導体層をさらに備え、
当該III族窒化物系電子デバイスは、pn接合ダイオードおよびpin接合ダイオードのいずれかである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。 - n型窒化ガリウム系半導体からなるソース領域と、
前記ドリフト層と前記ソース領域との間に設けられp型窒化ガリウム系半導体からなるウエル領域と、
前記ウエル領域上に設けられたゲート電極と、
をさらに備え、
当該III族窒化物系電子デバイスは縦型トランジスタである、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。 - 前記ドリフト層内における水素濃度は5×1016cm−3以下である、ことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.7度以上である、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.7度未満である、ことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記C面は、<1−100>軸および<11−20>軸のうちのいずれかの軸方向に傾斜している、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記合成オフ角は、Sqrt(TH12+TH22)により規定され、
前記sqrtは平方根の演算を示し、
前記TH1は、<1−100>軸方向および<11−20>軸方向のうちの一の方向に関する第1のオフ角度成分であり、
前記TH2は、<1−100>軸方向および<11−20>軸方向のうちの他の方向に関する第2のオフ角度成分であり、
前記TH1の絶対値は前記TH2の絶対値よりも大きい、ことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。 - 1×1017cm−3以上のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有しており前記III族窒化物支持基体と前記ドリフト層との間に設けられたn型III族窒化物系半導体層を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記n−型III族窒化物系半導体は、GaNおよびAlGaNのいずれかである、ことを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記III族窒化物支持基体の材料は、GaNおよびAlGaNのいずれかである、ことを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- 前記n−型III族窒化物系半導体および前記III族窒化物支持基体の材料は窒化ガリウムである、ことを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物系電子デバイス。
- III族窒化物系電子デバイスのためのエピタキシャル基板であって、
主面を有するIII族窒化物基板と、
3×1016cm−3以下のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有しており前記主面上に設けられておりドリフト層のためのn−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜と、
を備え、
前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜内における炭素濃度は3×1016cm−3以下であり、
前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜内におけるキャリア濃度は、3×1016cm−3以下であり、
前記III族窒化物基板のC面の単位法線ベクトルVCNと前記主面の単位法線ベクトルVPNとの成す合成オフ角は、前記主面の全体にわたって0.15度以上で分布している、ことを特徴とするエピタキシャル基板。 - III族窒化物系電子デバイスのためのエピタキシャル基板であって、
主面を有するIII族窒化物基板と、
1×1017cm−3未満のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有しており前記主面上に設けられておりドリフト層のためのn−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜と、
を備え、
前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜内における炭素濃度は3×1016cm−3以下であり、
前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜内におけるキャリア濃度は、3×1016cm−3以下であり、
前記III族窒化物基板のC面の単位法線ベクトルVCNと前記主面の単位法線ベクトルVPNとの成す合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.15度以上で分布している、ことを特徴とするエピタキシャル基板。 - 前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜内における水素濃度は5×1016cm−3以下である、ことを特徴とする請求項15または請求項16に記載されたエピタキシャル基板。
- 前記合成オフ角は、前記主面の全体にわたって0.7度以上である、ことを特徴とする請求項15〜請求項17のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
- 前記合成オフ角は、前記主面の全体にわたって0.7度未満である、ことを特徴とする請求項15〜請求項17のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
- 1×1017cm−3以上のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有しており前記III族窒化物基板と前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜との間に設けられたn型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜を更に備える、ことを特徴とする請求項15〜請求項19のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
- 前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜はGaNおよびAlGaNのいずれかから成る、ことを特徴とする請求項15〜請求項20のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
- 前記III族窒化物基板はGaNおよびAlGaNのいずれかから成る、ことを特徴とする請求項15〜請求項21のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
- 前記n−型III族窒化物系半導体エピタキシャル膜および前記III族窒化物基板の材料は窒化ガリウムである、ことを特徴とする請求項15〜請求項21のいずれか一項に記載されたエピタキシャル基板。
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