JP7380423B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、n型III族窒化物半導体からなる基板上に、n型ドーパントガス、窒素源ガス、およびIII族金属源ガスを供給してMOCVD法によって基板よりもn型不純物濃度が低いn型III族窒化物半導体からなる半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、半導体層の形成を開始する前に、n型ドーパントガスの供給を開始する第1工程と、第1工程後に、半導体層の形成を開始する第2工程と、を有し、第1工程は、基板を半導体層の成長温度まで加熱する昇温前、または昇温中に窒素源ガスの供給を開始する工程であり、第2工程は、昇温後にIII族金属源ガスの供給を開始して半導体層の形成を開始する工程である、ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
また、本発明は、n型III族窒化物半導体からなる基板上に、n型ドーパントガス、窒素源ガス、およびIII族金属源ガスを供給してMOCVD法によって基板よりもn型不純物濃度が低いn型III族窒化物半導体からなる半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、半導体層の形成を開始する前に、n型ドーパントガスの供給を開始する第1工程と、第1工程後に、半導体層の形成を開始する第2工程と、を有し、第2工程において、III族金属源ガスの供給開始時に、n型ドーパントガスを供給する供給管を加熱してIII族金属源ガスを供給する供給管との温度差を5℃以下とする、ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
実施例1では基板110の材料をGaNとしているが、本発明はIII 族窒化物半導体であれば任意であり、基板110上に形成する半導体層もGaNに限らず、任意のIII 族窒化物半導体でよい。もちろん、格子整合性の点から、基板110と、基板110上に形成する半導体層の組成比は一致させることが好ましい。特に、結晶性の点からは実施例1のようにGaNが好ましい。
120:ドリフト層
130:ボディ層
140:ソースコンタクト層
F1:ゲート絶縁膜
G1:ゲート電極
S1:ソース電極
B1:ボディ電極
D1:ドレイン電極
T1:トレンチ
R1:リセス
Claims (5)
- n型III族窒化物半導体からなる基板上に、n型ドーパントガス、窒素源ガス、およびIII族金属源ガスを供給してMOCVD法によって前記基板よりもn型不純物濃度が低いn型III族窒化物半導体からなる半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、
前記半導体層の形成を開始する前に、n型ドーパントガスの供給を開始する第1工程と、
前記第1工程後に、前記半導体層の形成を開始する第2工程と、
を有し、
前記第1工程において、前記n型ドーパントガスの濃度は1~8ppmとする、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - n型III族窒化物半導体からなる基板上に、n型ドーパントガス、窒素源ガス、およびIII族金属源ガスを供給してMOCVD法によって前記基板よりもn型不純物濃度が低いn型III族窒化物半導体からなる半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、
前記半導体層の形成を開始する前に、n型ドーパントガスの供給を開始する第1工程と、
前記第1工程後に、前記半導体層の形成を開始する第2工程と、
を有し、
前記第1工程は、前記基板を前記半導体層の成長温度まで加熱する昇温前、または昇温中に前記窒素源ガスの供給を開始する工程であり、
前記第2工程は、昇温後に前記III族金属源ガスの供給を開始して前記半導体層の形成を開始する工程である、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - n型III族窒化物半導体からなる基板上に、n型ドーパントガス、窒素源ガス、およびIII族金属源ガスを供給してMOCVD法によって前記基板よりもn型不純物濃度が低いn型III族窒化物半導体からなる半導体層を形成する半導体装置の製造方法において、
前記半導体層の形成を開始する前に、n型ドーパントガスの供給を開始する第1工程と、
前記第1工程後に、前記半導体層の形成を開始する第2工程と、
を有し、
前記第2工程において、前記III族金属源ガスの供給開始時に、前記n型ドーパントガスを供給する供給管を加熱して前記III族金属源ガスを供給する供給管との温度差を5℃以下とする、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程において、前記n型ドーパントガスを供給する供給管の温度は0~80℃とする、ことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程において、前記n型ドーパントガスの流量は、0.4sccm~10slmとする、ことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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