JP2003115441A - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 251
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 116
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 161
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板上の塗布膜の平坦化を速やかにかつ安価に
行うことができ、これにより基板製品の生産性を向上
し、かつその低コスト化に寄与する。 【解決手段】この基板処理装置は、基板ＷＦに塗布液を
供給する塗布処理部２７と、基板上に形成された塗布膜
を加圧する加圧処理部２６と、露光用マスクを用いて選
択的に露光された塗布膜を担持する基板に対して現像液
を供給する現像処理部２８とを備えている。加圧処理部
２６は、加圧板Ｓを基板ＷＳ上に形成された塗布膜に密
着させて加圧することによって、塗布膜の平坦化を達成
する。
行うことができ、これにより基板製品の生産性を向上
し、かつその低コスト化に寄与する。 【解決手段】この基板処理装置は、基板ＷＦに塗布液を
供給する塗布処理部２７と、基板上に形成された塗布膜
を加圧する加圧処理部２６と、露光用マスクを用いて選
択的に露光された塗布膜を担持する基板に対して現像液
を供給する現像処理部２８とを備えている。加圧処理部
２６は、加圧板Ｓを基板ＷＳ上に形成された塗布膜に密
着させて加圧することによって、塗布膜の平坦化を達成
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示パネル用ガラス基板、プラズマディプレイパネ
ル用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基
板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、プリ
ント基板などの各種の基板上に塗布膜のパターンを形成
するための基板処理装置に関する。
液晶表示パネル用ガラス基板、プラズマディプレイパネ
ル用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基
板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、プリ
ント基板などの各種の基板上に塗布膜のパターンを形成
するための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの表面に多層配線を形成す
るプロセスは、アルミニウムまたは銅などの配線パター
ンが形成された半導体ウエハ上に感光性ＳＯＤ（Spin o
n dielectric）液を塗布し、これを乾燥させてＳＯＤ膜
を形成する工程と、このＳＯＤ膜を平坦化するためのＣ
ＭＰ（化学的機械的研磨）工程と、平坦化されたＳＯＤ
膜に対して露光処理および現像処理を施して、層間配線
用の開口を形成する工程と、この開口に配線用金属を埋
設する工程とを含む。
るプロセスは、アルミニウムまたは銅などの配線パター
ンが形成された半導体ウエハ上に感光性ＳＯＤ（Spin o
n dielectric）液を塗布し、これを乾燥させてＳＯＤ膜
を形成する工程と、このＳＯＤ膜を平坦化するためのＣ
ＭＰ（化学的機械的研磨）工程と、平坦化されたＳＯＤ
膜に対して露光処理および現像処理を施して、層間配線
用の開口を形成する工程と、この開口に配線用金属を埋
設する工程とを含む。
【０００３】感光性ＳＯＤを用いる代わりに、感光性が
付与されていない通常のＳＯＤ液を用いてＳＯＤ膜が形
成される場合もある。この場合、ＳＯＤ膜をＣＭＰ工程
によって平坦化した後に、このＳＯＤ膜上にレジスト膜
を形成して、このレジスト膜に対して露光処理および現
像処理を行ってパターニングし、このレジスト膜をエッ
チングマスクとしてＳＯＤ膜をエッチングする。これに
より、層間配線用の開口がＳＯＤ膜に形成される。
付与されていない通常のＳＯＤ液を用いてＳＯＤ膜が形
成される場合もある。この場合、ＳＯＤ膜をＣＭＰ工程
によって平坦化した後に、このＳＯＤ膜上にレジスト膜
を形成して、このレジスト膜に対して露光処理および現
像処理を行ってパターニングし、このレジスト膜をエッ
チングマスクとしてＳＯＤ膜をエッチングする。これに
より、層間配線用の開口がＳＯＤ膜に形成される。
【０００４】ＳＯＤ膜の平坦化処理は、非感光性ＳＯＤ
膜またはレジスト膜を露光機によって所望のパターンに
露光する処理を精密に行うために必要な処理である。す
なわち、ＳＯＤ膜の表面に凹凸が生じていると、特に形
成するパターンが微細な場合には、この微細パターンが
ＳＯＤ膜表面またはレジスト膜表面で合焦状態とならず
に、像がぼけてしまう。とくに、微細なパターンのレジ
スト膜を形成する場合には、露光時に焦点の合う範囲
（被写界深度）が狭いため、レジスト膜の厚さを薄くす
る必要があり、そのために、レジスト膜を塗布する前の
ＣＭＰ工程を欠かすことができない。
膜またはレジスト膜を露光機によって所望のパターンに
露光する処理を精密に行うために必要な処理である。す
なわち、ＳＯＤ膜の表面に凹凸が生じていると、特に形
成するパターンが微細な場合には、この微細パターンが
ＳＯＤ膜表面またはレジスト膜表面で合焦状態とならず
に、像がぼけてしまう。とくに、微細なパターンのレジ
スト膜を形成する場合には、露光時に焦点の合う範囲
（被写界深度）が狭いため、レジスト膜の厚さを薄くす
る必要があり、そのために、レジスト膜を塗布する前の
ＣＭＰ工程を欠かすことができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＭＰ工程で
は、研磨剤による汚染が発生するので、いわゆるＣＭＰ
後洗浄が必要である。そのため、処理に時間を要すると
ともに、製造コストが高くなるという問題がある。しか
も、洗浄が不完全であると、半導体ウエハ表面に研磨剤
汚染が残留するから、その後のプロセスに悪影響を及ぼ
し、製造歩留りの悪化を招くという問題もある。
は、研磨剤による汚染が発生するので、いわゆるＣＭＰ
後洗浄が必要である。そのため、処理に時間を要すると
ともに、製造コストが高くなるという問題がある。しか
も、洗浄が不完全であると、半導体ウエハ表面に研磨剤
汚染が残留するから、その後のプロセスに悪影響を及ぼ
し、製造歩留りの悪化を招くという問題もある。
【０００６】さらには、ＣＭＰ工程では、研磨処理の特
性上、ＳＯＤ膜の表面形状が半導体ウエハの周縁部にお
いて高く、中央部において低くなってしまう傾向があ
り、大サイズの半導体ウエハ（たとえば３００ｍｍ径の
もの）においては、平坦性が確保できないという問題が
あった。そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題
を解決し、基板上の塗布膜の平坦化を速やかにかつ安価
に行うことができ、これにより基板製品の生産性を向上
し、かつその低コスト化に寄与することができる基板処
理装置を提供することである。
性上、ＳＯＤ膜の表面形状が半導体ウエハの周縁部にお
いて高く、中央部において低くなってしまう傾向があ
り、大サイズの半導体ウエハ（たとえば３００ｍｍ径の
もの）においては、平坦性が確保できないという問題が
あった。そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題
を解決し、基板上の塗布膜の平坦化を速やかにかつ安価
に行うことができ、これにより基板製品の生産性を向上
し、かつその低コスト化に寄与することができる基板処
理装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ
Ｆ）に塗布液を供給する塗布処理部（２７）と、基板上
に形成された塗布膜を加圧する加圧処理部（２６）と、
露光用マスクを用いて選択的に露光された塗布膜を担持
する基板に対して現像液を供給する現像処理部（２８）
とを含むことを特徴とする基板処理装置である。なお、
括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素
等を表す。以下、この項において同じ。
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ
Ｆ）に塗布液を供給する塗布処理部（２７）と、基板上
に形成された塗布膜を加圧する加圧処理部（２６）と、
露光用マスクを用いて選択的に露光された塗布膜を担持
する基板に対して現像液を供給する現像処理部（２８）
とを含むことを特徴とする基板処理装置である。なお、
括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素
等を表す。以下、この項において同じ。
【０００８】上記塗布処理部は、感光性塗布液を基板に
供給するものであってもよく、非感光性塗布液を基板に
供給するものであってもよい。また、感光性塗布液およ
び非感光性塗布液を切り換えて基板に供給することがで
きるものであってもよい。上記現像処理部では、感光性
の塗布膜に対する現像処理が行われることになる。この
発明の構成によれば、基板上に塗布液を供給して塗布膜
を形成できるとともに、この塗布膜を加圧して、所望形
状に整形（たとえば平坦化）することができる。そし
て、感光性が付与された当該塗布膜または非感光性の当
該塗布膜上に形成された別の感光性塗布膜（たとえば、
レジスト膜）に対して所望のパターンの露光用マスクを
用いて選択的な露光処理を施した後に、当該基板に対し
て現像液を供給することで、基板上に、所望のパターン
にパターニングされた塗布膜を形成できる。
供給するものであってもよく、非感光性塗布液を基板に
供給するものであってもよい。また、感光性塗布液およ
び非感光性塗布液を切り換えて基板に供給することがで
きるものであってもよい。上記現像処理部では、感光性
の塗布膜に対する現像処理が行われることになる。この
発明の構成によれば、基板上に塗布液を供給して塗布膜
を形成できるとともに、この塗布膜を加圧して、所望形
状に整形（たとえば平坦化）することができる。そし
て、感光性が付与された当該塗布膜または非感光性の当
該塗布膜上に形成された別の感光性塗布膜（たとえば、
レジスト膜）に対して所望のパターンの露光用マスクを
用いて選択的な露光処理を施した後に、当該基板に対し
て現像液を供給することで、基板上に、所望のパターン
にパターニングされた塗布膜を形成できる。
【０００９】このように、この発明によれば、ＣＭＰ工
程を行うことなく、基板上の塗布膜を平坦化することが
できる。したがって、基板処理に要する時間を著しく短
縮することができるとともに、基板処理に要するコスト
を低減することができる。また、基板のサイズが大きい
場合であっても、ＣＭＰ工程のような問題がなく、基板
の全域にわたって塗布膜を所望の表面形状（たとえば平
坦面）に整形できる。
程を行うことなく、基板上の塗布膜を平坦化することが
できる。したがって、基板処理に要する時間を著しく短
縮することができるとともに、基板処理に要するコスト
を低減することができる。また、基板のサイズが大きい
場合であっても、ＣＭＰ工程のような問題がなく、基板
の全域にわたって塗布膜を所望の表面形状（たとえば平
坦面）に整形できる。
【００１０】請求項２記載の発明は、上記加圧処理部
は、上記塗布膜に密接する平坦面を有する加圧板（Ｓ）
を、上記基板に対して相対的に接近させることによって
上記塗布膜に密着させて当該塗布膜を加圧するものであ
ることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置であ
る。この発明によれば、平坦面を有する加圧板を塗布膜
に密接させることによって、塗布膜の表面を平坦化する
ことができる。
は、上記塗布膜に密接する平坦面を有する加圧板（Ｓ）
を、上記基板に対して相対的に接近させることによって
上記塗布膜に密着させて当該塗布膜を加圧するものであ
ることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置であ
る。この発明によれば、平坦面を有する加圧板を塗布膜
に密接させることによって、塗布膜の表面を平坦化する
ことができる。
【００１１】請求項３記載の発明は、上記加圧処理部
（２６）は、上記加圧板を保持する加圧板保持手段（６
２）と、上記基板を保持する基板保持手段（６１）と、
上記加圧板保持手段と上記基板保持手段とを相対的に接
近させる加圧機構（ボールねじ機構など）とを含み、上
記基板処理装置は、上記基板に密着した加圧板を剥離す
る剥離手段（２９）をさらに含むことを特徴とする請求
項２記載の基板処理装置である。
（２６）は、上記加圧板を保持する加圧板保持手段（６
２）と、上記基板を保持する基板保持手段（６１）と、
上記加圧板保持手段と上記基板保持手段とを相対的に接
近させる加圧機構（ボールねじ機構など）とを含み、上
記基板処理装置は、上記基板に密着した加圧板を剥離す
る剥離手段（２９）をさらに含むことを特徴とする請求
項２記載の基板処理装置である。
【００１２】この発明によれば、加圧板保持手段に保持
された加圧板を基板保持手段に保持された基板に対して
密着させて加圧することにより、塗布膜の表面が平坦化
される。そして、基板に密着した加圧板が剥離手段によ
って剥離されることにより、表面が平坦化された塗布膜
を担持した基板が得られる。個々の基板毎に加圧板を交
換して処理を行えば、１つの基板から別の基板へとパー
ティクルが転移したり、加圧板に付着した残膜が他の基
板上の塗布膜を傷つけたりすることがない。
された加圧板を基板保持手段に保持された基板に対して
密着させて加圧することにより、塗布膜の表面が平坦化
される。そして、基板に密着した加圧板が剥離手段によ
って剥離されることにより、表面が平坦化された塗布膜
を担持した基板が得られる。個々の基板毎に加圧板を交
換して処理を行えば、１つの基板から別の基板へとパー
ティクルが転移したり、加圧板に付着した残膜が他の基
板上の塗布膜を傷つけたりすることがない。
【００１３】上記剥離手段は、上記加圧板保持手段によ
って加圧板が保持された状態で、上記加圧板保持手段と
上記基板保持手段とを相対的に離間させる手段（ボール
ねじ機構など）によって実現されてもよい。また、上記
剥離手段は、上記加圧処理部とは別に設けられていても
よい。この場合、上記加圧板保持手段または基板保持手
段は、加圧板が基板上の塗布膜に密着した後に、加圧板
または基板の保持を解除することになる。
って加圧板が保持された状態で、上記加圧板保持手段と
上記基板保持手段とを相対的に離間させる手段（ボール
ねじ機構など）によって実現されてもよい。また、上記
剥離手段は、上記加圧処理部とは別に設けられていても
よい。この場合、上記加圧板保持手段または基板保持手
段は、加圧板が基板上の塗布膜に密着した後に、加圧板
または基板の保持を解除することになる。
【００１４】請求項４記載の発明は、上記塗布処理部
は、基板上に下地膜用塗布液を供給する手段（７３）
と、下地膜が形成された基板上に感光性塗布液（７４）
を供給する手段とを含み、上記基板処理装置は、感光性
塗布膜をマスクとして、この感光性塗布膜の下に存在す
る下地膜をエッチングするためのエッチング処理部（４
０）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の基板処理装置である。
は、基板上に下地膜用塗布液を供給する手段（７３）
と、下地膜が形成された基板上に感光性塗布液（７４）
を供給する手段とを含み、上記基板処理装置は、感光性
塗布膜をマスクとして、この感光性塗布膜の下に存在す
る下地膜をエッチングするためのエッチング処理部（４
０）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の基板処理装置である。
【００１５】この構成によれば、基板上に下地膜として
の塗布膜（たとえば非感光性ＳＯＤ膜）を形成し、さら
にその下地膜上に感光性塗布膜（たとえばレジスト膜）
を形成して、この感光性塗布膜をマスクとして下地膜の
エッチングを行うことにより、下地膜を所望のパターン
にパターニングできる。この場合、下地膜が形成された
後に、この下地膜に対して加圧処理部による加圧処理を
施して表面を平坦化しておけば、この平坦化された下地
膜上に感光性塗布膜を薄く形成することができる。そし
て、この薄く形成された感光性塗布膜に対して露光処理
を施し、その後に現像を行えば、感光性塗布膜は高精細
なエッチングマスクとして機能することができる。
の塗布膜（たとえば非感光性ＳＯＤ膜）を形成し、さら
にその下地膜上に感光性塗布膜（たとえばレジスト膜）
を形成して、この感光性塗布膜をマスクとして下地膜の
エッチングを行うことにより、下地膜を所望のパターン
にパターニングできる。この場合、下地膜が形成された
後に、この下地膜に対して加圧処理部による加圧処理を
施して表面を平坦化しておけば、この平坦化された下地
膜上に感光性塗布膜を薄く形成することができる。そし
て、この薄く形成された感光性塗布膜に対して露光処理
を施し、その後に現像を行えば、感光性塗布膜は高精細
なエッチングマスクとして機能することができる。
【００１６】請求項５記載の発明は、上記塗布処理部
は、多孔質の塗布膜を形成するための塗布液を基板に供
給するものであることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載の基板処理装置である。この構成によれ
ば、基板上に多孔質の塗布膜を形成することができる。
ＣＭＰ工程による塗布膜の研磨のためには、塗布膜があ
る程度の強度を有していなければならないため、多孔質
の塗布膜を適用することはできないが、この発明では、
塗布膜の平坦化が加圧によって達成されるので、多孔質
の塗布膜の適用が可能になる。多孔質の塗布膜は、誘電
率が低く、たとえば層間絶縁膜として極めて良好な性質
を有する。
は、多孔質の塗布膜を形成するための塗布液を基板に供
給するものであることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載の基板処理装置である。この構成によれ
ば、基板上に多孔質の塗布膜を形成することができる。
ＣＭＰ工程による塗布膜の研磨のためには、塗布膜があ
る程度の強度を有していなければならないため、多孔質
の塗布膜を適用することはできないが、この発明では、
塗布膜の平坦化が加圧によって達成されるので、多孔質
の塗布膜の適用が可能になる。多孔質の塗布膜は、誘電
率が低く、たとえば層間絶縁膜として極めて良好な性質
を有する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示
す図解的な平面図である。この基板処理装置は、半導体
ウエハ等の基板ＷＦに対して処理を施すものであって、
インデクサ部１と、基板処理部２とを結合して構成され
ている。基板処理部２にはさらに、インタフェース部３
を介して露光機４が結合されている。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示
す図解的な平面図である。この基板処理装置は、半導体
ウエハ等の基板ＷＦに対して処理を施すものであって、
インデクサ部１と、基板処理部２とを結合して構成され
ている。基板処理部２にはさらに、インタフェース部３
を介して露光機４が結合されている。
【００１８】インデクサ部１は、基板ＷＦをそれぞれ多
段の積層状態で保持することができるカセットＣＷ１，
ＣＷ２、および基板ＷＦの表面に形成された塗布膜に密
着されてこの塗布膜を平坦化するための加圧板Ｓをそれ
ぞれ多段に積層して収容することができるカセットＣＳ
１，ＣＳ２が、所定方向に沿って整列されて載置される
カセット載置部１１を備えている。このカセット載置部
１１の側方には、カセットＣＷ１，ＣＷ２，ＣＳ１，Ｃ
Ｓ２の整列方向に沿って移動可能なインデクサロボット
１２が設けられている。
段の積層状態で保持することができるカセットＣＷ１，
ＣＷ２、および基板ＷＦの表面に形成された塗布膜に密
着されてこの塗布膜を平坦化するための加圧板Ｓをそれ
ぞれ多段に積層して収容することができるカセットＣＳ
１，ＣＳ２が、所定方向に沿って整列されて載置される
カセット載置部１１を備えている。このカセット載置部
１１の側方には、カセットＣＷ１，ＣＷ２，ＣＳ１，Ｃ
Ｓ２の整列方向に沿って移動可能なインデクサロボット
１２が設けられている。
【００１９】基板処理部２には、インデクサロボット１
２が走行する直線搬送路１３の中間部付近から、この搬
送路１３にほぼ直交する方向に延びた直線搬送路２３が
設けられていて、この直線搬送路２３には主搬送ロボッ
ト２１が配置されている。直線搬送路２３の一方側に
は、熱処理部２４，２５および加圧処理部２６が直線搬
送路２３に沿って設けられている。また、直線搬送路２
３の他方側には、塗布処理部２７、現像処理部２８およ
び剥離処理部２９が、直線搬送路２３に沿って配列され
ている。主搬送ロボット２１は、直線搬送路２３に沿っ
て往復移動することができ、熱処理部２４，２５、加圧
処理部２６、塗布処理部２７、現像処理部２８および剥
離処理部２９に対して、基板ＷＦまたは加圧板Ｓを搬入
／搬出することができる。
２が走行する直線搬送路１３の中間部付近から、この搬
送路１３にほぼ直交する方向に延びた直線搬送路２３が
設けられていて、この直線搬送路２３には主搬送ロボッ
ト２１が配置されている。直線搬送路２３の一方側に
は、熱処理部２４，２５および加圧処理部２６が直線搬
送路２３に沿って設けられている。また、直線搬送路２
３の他方側には、塗布処理部２７、現像処理部２８およ
び剥離処理部２９が、直線搬送路２３に沿って配列され
ている。主搬送ロボット２１は、直線搬送路２３に沿っ
て往復移動することができ、熱処理部２４，２５、加圧
処理部２６、塗布処理部２７、現像処理部２８および剥
離処理部２９に対して、基板ＷＦまたは加圧板Ｓを搬入
／搬出することができる。
【００２０】インデクサロボット１２と主搬送ロボット
２１とは、直線搬送路２３と直線搬送路２３の結合部付
近に設けられた仮置台５を介して、基板ＷＦおよび加圧
板Ｓを受け渡すことができる。熱処理部２４，２５は、
上下方向に沿って多段に積層配置されたホットプレート
ＨＨおよびクールプレートＣＰを備えている。たとえ
ば、最下段にクールプレートＣＰが配置され、その上に
２段のホットプレートＨＨが積層状態で配置されてい
る。
２１とは、直線搬送路２３と直線搬送路２３の結合部付
近に設けられた仮置台５を介して、基板ＷＦおよび加圧
板Ｓを受け渡すことができる。熱処理部２４，２５は、
上下方向に沿って多段に積層配置されたホットプレート
ＨＨおよびクールプレートＣＰを備えている。たとえ
ば、最下段にクールプレートＣＰが配置され、その上に
２段のホットプレートＨＨが積層状態で配置されてい
る。
【００２１】加圧処理部２６は、基板ＷＦの表面に加圧
板Ｓを密着させて加圧するための処理部である。また、
塗布処理部２７は、基板ＷＦの表面にＳＯＤ液やレジス
ト液等の塗布液を供給するための処理部である。さら
に、現像処理部２８は、露光機４によって所定パターン
に露光された後の感光性塗布膜を現像するための処理部
である。また、剥離処理部２９は、加圧処理部２６によ
って基板ＷＦ上に密着された加圧板Ｓを剥離するための
処理部である。
板Ｓを密着させて加圧するための処理部である。また、
塗布処理部２７は、基板ＷＦの表面にＳＯＤ液やレジス
ト液等の塗布液を供給するための処理部である。さら
に、現像処理部２８は、露光機４によって所定パターン
に露光された後の感光性塗布膜を現像するための処理部
である。また、剥離処理部２９は、加圧処理部２６によ
って基板ＷＦ上に密着された加圧板Ｓを剥離するための
処理部である。
【００２２】基板ＷＦは、たとえば円板状のシリコン基
板であり、加圧板Ｓは、たとえば、基板ＷＦのエッジカ
ット以上の大きさの石英製の平板であり、基板ＷＦ上の
塗布膜に密着される平坦面を有している。該平坦面は研
磨されており、石英が直接該塗布膜に接触する。なお、
塗布膜に接触する平坦面にフッ素樹脂の膜をコーティン
グしてもよい。また、エッジカットとは、基板ＷＦの周
縁部のデバイスが作り込まれていない領域をいい、基板
ＷＦの活性面（デバイスが作り込まれている表面）の円
周から内側に向かって数ｍｍ程度の幅でリング状に設定
されている。
板であり、加圧板Ｓは、たとえば、基板ＷＦのエッジカ
ット以上の大きさの石英製の平板であり、基板ＷＦ上の
塗布膜に密着される平坦面を有している。該平坦面は研
磨されており、石英が直接該塗布膜に接触する。なお、
塗布膜に接触する平坦面にフッ素樹脂の膜をコーティン
グしてもよい。また、エッジカットとは、基板ＷＦの周
縁部のデバイスが作り込まれていない領域をいい、基板
ＷＦの活性面（デバイスが作り込まれている表面）の円
周から内側に向かって数ｍｍ程度の幅でリング状に設定
されている。
【００２３】図２は、インデクサロボット１２の構成を
説明するための平面図である。インデクサロボット１２
は、カセット整列方向に沿って往復直線移動可能に設け
られていて、基台部１２１と、この基台部１２１に取り
付けられた一対の多関節アーム１２２，１２３とを備え
ている。基台部１２１は、昇降機構および回転駆動機構
（いずれも図示せず）に結合されていて、鉛直方向に沿
って昇降可能であるとともに、鉛直方向に沿う回転軸線
１２５まわりに回転可能である。
説明するための平面図である。インデクサロボット１２
は、カセット整列方向に沿って往復直線移動可能に設け
られていて、基台部１２１と、この基台部１２１に取り
付けられた一対の多関節アーム１２２，１２３とを備え
ている。基台部１２１は、昇降機構および回転駆動機構
（いずれも図示せず）に結合されていて、鉛直方向に沿
って昇降可能であるとともに、鉛直方向に沿う回転軸線
１２５まわりに回転可能である。
【００２４】一方の多関節アーム１２２は、基板ＷＦを
下方から保持して支持するためのハンドＨＷに結合され
ており、このハンドＨＷを基台部１２１の回転軸線１２
５に対して近接／離反する方向に水平移動させる。他方
の多関節アーム１２３には、加圧板Ｓを保持するための
ハンドＨＳが結合されていて、このハンドＨＳを基台部
１２１の回転軸線１２５に対して近接／離反する方向に
水平移動させる。この構成によって、インデクサロボッ
ト１２は、カセット載置部１１に載置されたカセットＣ
Ｗ１，ＣＷ２，ＣＳ１，ＣＳ２のいずれかの前方まで移
動して、ハンドＨＷ，ＨＳを当該カセットに向けること
ができる。その状態で、多関節アーム１２２，１２３に
よってハンドＨＷ，ＨＳを当該カセットに対して進退さ
せることにより、基板ＷＦまたは加圧板Ｓを当該カセッ
トに対して搬入または搬出することができる。
下方から保持して支持するためのハンドＨＷに結合され
ており、このハンドＨＷを基台部１２１の回転軸線１２
５に対して近接／離反する方向に水平移動させる。他方
の多関節アーム１２３には、加圧板Ｓを保持するための
ハンドＨＳが結合されていて、このハンドＨＳを基台部
１２１の回転軸線１２５に対して近接／離反する方向に
水平移動させる。この構成によって、インデクサロボッ
ト１２は、カセット載置部１１に載置されたカセットＣ
Ｗ１，ＣＷ２，ＣＳ１，ＣＳ２のいずれかの前方まで移
動して、ハンドＨＷ，ＨＳを当該カセットに向けること
ができる。その状態で、多関節アーム１２２，１２３に
よってハンドＨＷ，ＨＳを当該カセットに対して進退さ
せることにより、基板ＷＦまたは加圧板Ｓを当該カセッ
トに対して搬入または搬出することができる。
【００２５】たとえば、カセットＣＷ１に未処理の基板
ＷＦを収容し、カセットＣＷ２に処理済の基板ＷＦを収
容することとしている場合には、カセットＣＷ１の前方
まで移動したインデクサロボット１２は、多関節アーム
１２２によってハンドＨＷをカセットＣＷ１に対して前
進させて当該カセットＣＷ１の内部に入り込ませた後、
基台部１２１を若干上昇させることによって、カセット
ＣＷ１内の１枚の基板ＷＦをすくい取って保持する。そ
の状態で、多関節アーム１２２を駆動してハンドＨＷを
カセットＣＷ１から後退させることによって、未処理の
基板ＷＦがカセットＣＷ１から搬出される。その後、イ
ンデクサロボット１２は、仮置台５まで移動し、さら
に、ハンドＨＷを仮置台５に向けるように基台部１２１
を回転させる。そして、基台部１２１の昇降および多関
節アーム１２２によるハンドＨＷの進退駆動を行うこと
によって、仮置台５に未処理の基板ＷＦが載置されるこ
とになる。
ＷＦを収容し、カセットＣＷ２に処理済の基板ＷＦを収
容することとしている場合には、カセットＣＷ１の前方
まで移動したインデクサロボット１２は、多関節アーム
１２２によってハンドＨＷをカセットＣＷ１に対して前
進させて当該カセットＣＷ１の内部に入り込ませた後、
基台部１２１を若干上昇させることによって、カセット
ＣＷ１内の１枚の基板ＷＦをすくい取って保持する。そ
の状態で、多関節アーム１２２を駆動してハンドＨＷを
カセットＣＷ１から後退させることによって、未処理の
基板ＷＦがカセットＣＷ１から搬出される。その後、イ
ンデクサロボット１２は、仮置台５まで移動し、さら
に、ハンドＨＷを仮置台５に向けるように基台部１２１
を回転させる。そして、基台部１２１の昇降および多関
節アーム１２２によるハンドＨＷの進退駆動を行うこと
によって、仮置台５に未処理の基板ＷＦが載置されるこ
とになる。
【００２６】主搬送ロボット２１が処理済の基板ＷＦを
仮置台５に載置すると、インデクサロボット１２は、こ
の仮置台５からハンドＨＷによって処理済の基板ＷＦを
すくい取る。その後、インデクサロボット１２は、カセ
ットＣＷ２の前まで移動し、かつハンドＨＷを当該カセ
ットＣＷ２に向けるように基台部１２１を回転させる。
その状態で、多関節アーム１２２が駆動されて、ハンド
ＨＷがカセットＣＷ２内に進入させられる。そして、基
台部１２１が若干下降されることによって、カセットＣ
Ｗ２内の棚に処理済の基板ＷＦが置かれることになる。
仮置台５に載置すると、インデクサロボット１２は、こ
の仮置台５からハンドＨＷによって処理済の基板ＷＦを
すくい取る。その後、インデクサロボット１２は、カセ
ットＣＷ２の前まで移動し、かつハンドＨＷを当該カセ
ットＣＷ２に向けるように基台部１２１を回転させる。
その状態で、多関節アーム１２２が駆動されて、ハンド
ＨＷがカセットＣＷ２内に進入させられる。そして、基
台部１２１が若干下降されることによって、カセットＣ
Ｗ２内の棚に処理済の基板ＷＦが置かれることになる。
【００２７】インデクサロボット１２は、加圧板Ｓを収
容したカセットＣＳ１，ＣＳ２に対しても同様の処理を
行う。すなわち、たとえばカセットＣＳ１に未使用の加
圧板Ｓを収容し、カセットＣＳ２に使用済の加圧板Ｓを
収容することとしている場合、インデクサロボット１２
は未使用の加圧板ＳをカセットＣＳ１から搬出して仮置
台５に置き、また主搬送ロボット２１によって仮置台５
に置かれた使用済の加圧板ＳをカセットＣＳ２に搬入す
る。
容したカセットＣＳ１，ＣＳ２に対しても同様の処理を
行う。すなわち、たとえばカセットＣＳ１に未使用の加
圧板Ｓを収容し、カセットＣＳ２に使用済の加圧板Ｓを
収容することとしている場合、インデクサロボット１２
は未使用の加圧板ＳをカセットＣＳ１から搬出して仮置
台５に置き、また主搬送ロボット２１によって仮置台５
に置かれた使用済の加圧板ＳをカセットＣＳ２に搬入す
る。
【００２８】主搬送ロボット２１の構成は、インデクサ
ロボット１２の構成とほぼ同様であり、この主搬送ロボ
ット２１にも、基板ＷＦを保持するためのハンドと、加
圧板Ｓを保持するためのハンドとが備えられている。図
３は、仮置台５の構成を説明するための側面図である。
仮置台５は、基板ＷＦの周縁部を支持する複数本の支持
ピン５１と、加圧板Ｓの周縁部を支持する複数本の支持
ピン５２とを備えている。支持ピン５２は、支持ピン５
１よりも外側に立設されていて、支持ピン５２の高さは
支持ピン５１の高さよりも高くなっている。支持ピン５
１および５２に基板ＷＦおよび加圧板Ｓをそれぞれ支持
したとき、図３に示すように、基板ＷＦおよび加圧板Ｓ
は、互いに離間された状態で上下に積層配置されること
になる。
ロボット１２の構成とほぼ同様であり、この主搬送ロボ
ット２１にも、基板ＷＦを保持するためのハンドと、加
圧板Ｓを保持するためのハンドとが備えられている。図
３は、仮置台５の構成を説明するための側面図である。
仮置台５は、基板ＷＦの周縁部を支持する複数本の支持
ピン５１と、加圧板Ｓの周縁部を支持する複数本の支持
ピン５２とを備えている。支持ピン５２は、支持ピン５
１よりも外側に立設されていて、支持ピン５２の高さは
支持ピン５１の高さよりも高くなっている。支持ピン５
１および５２に基板ＷＦおよび加圧板Ｓをそれぞれ支持
したとき、図３に示すように、基板ＷＦおよび加圧板Ｓ
は、互いに離間された状態で上下に積層配置されること
になる。
【００２９】図４は、塗布処理部２７の構成を説明する
ための図解的な側面図である。塗布処理部２７は、基板
ＷＦを吸着して保持する円板状のスピンチャック７１
と、このスピンチャック７１を回転させる回転軸７２
と、塗布液であるＳＯＤ液を基板ＷＦに供給するための
ＳＯＤ液吐出ノズル７３と、同じく塗布液としてのレジ
スト液を基板ＷＦに供給するためのレジスト液吐出ノズ
ル７４と、エッジリンスを行うべく基板ＷＦの周縁部分
に洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズル７５と、塗布液や
洗浄液等が飛散するのを防止する飛散防止カップ７６と
を備えている。スピンチャック７１の上面には、基板Ｗ
Ｆを真空吸着するための吸気口（図示せず）が形成され
ている。
ための図解的な側面図である。塗布処理部２７は、基板
ＷＦを吸着して保持する円板状のスピンチャック７１
と、このスピンチャック７１を回転させる回転軸７２
と、塗布液であるＳＯＤ液を基板ＷＦに供給するための
ＳＯＤ液吐出ノズル７３と、同じく塗布液としてのレジ
スト液を基板ＷＦに供給するためのレジスト液吐出ノズ
ル７４と、エッジリンスを行うべく基板ＷＦの周縁部分
に洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズル７５と、塗布液や
洗浄液等が飛散するのを防止する飛散防止カップ７６と
を備えている。スピンチャック７１の上面には、基板Ｗ
Ｆを真空吸着するための吸気口（図示せず）が形成され
ている。
【００３０】ＳＯＤ液吐出ノズル７３およびレジスト液
吐出ノズル７４は、それぞれ昇降可能に設けられてお
り、さらに基板ＷＦの上方から退避した退避位置と、基
板ＷＦの回転中心（すなわちスピンチャック７１の回転
中心）の上方において基板ＷＦに近接した処理位置との
間でそれぞれ移動することができるようになっている。
基板ＷＦをその活性面を上方に向けてスピンチャック７
１で真空吸着した状態で回転軸７２に回転力を与えるこ
とにより、基板ＷＦが回転される。この状態で、ＳＯＤ
液吐出ノズル７３またはレジスト液吐出ノズル７４から
基板ＷＦの回転中心に塗布液を供給すると、基板ＷＦの
回転に伴う遠心力によって、基板ＷＦの中心からその全
面にわたって塗布液が塗布されることになる。基板ＷＦ
の外側に飛散した塗布液は、飛散防止カップ７６を介し
て、図外の排出管を通って排出される。基板ＷＦの全面
に対して塗布液が塗布された後には、洗浄液吐出ノズル
７５から洗浄液が吐出され、これによって、基板ＷＦの
周縁部に付着した塗布液が洗い流される。
吐出ノズル７４は、それぞれ昇降可能に設けられてお
り、さらに基板ＷＦの上方から退避した退避位置と、基
板ＷＦの回転中心（すなわちスピンチャック７１の回転
中心）の上方において基板ＷＦに近接した処理位置との
間でそれぞれ移動することができるようになっている。
基板ＷＦをその活性面を上方に向けてスピンチャック７
１で真空吸着した状態で回転軸７２に回転力を与えるこ
とにより、基板ＷＦが回転される。この状態で、ＳＯＤ
液吐出ノズル７３またはレジスト液吐出ノズル７４から
基板ＷＦの回転中心に塗布液を供給すると、基板ＷＦの
回転に伴う遠心力によって、基板ＷＦの中心からその全
面にわたって塗布液が塗布されることになる。基板ＷＦ
の外側に飛散した塗布液は、飛散防止カップ７６を介し
て、図外の排出管を通って排出される。基板ＷＦの全面
に対して塗布液が塗布された後には、洗浄液吐出ノズル
７５から洗浄液が吐出され、これによって、基板ＷＦの
周縁部に付着した塗布液が洗い流される。
【００３１】ＳＯＤ液吐出ノズル７３に供給されるＳＯ
Ｄ液は、非感光性のものであってもよく、感光性のもの
であってもよい。感光性ＳＯＤ液がＳＯＤ液吐出ノズル
７３から基板ＷＦに供給される場合には、レジスト液吐
出ノズル７４は必ずしも設ける必要がない。図５は、現
像処理部２８の構成を説明するための図解的な側面図で
ある。現像処理部２８は、基板ＷＦを、その活性面を上
方に向けた状態で真空吸着してほぼ水平に保持するスピ
ンチャック８１と、このスピンチャック８１を鉛直軸線
回りに回転させるための回転軸８２と、スピンチャック
８１に保持された基板ＷＦに対して現像液を供給するた
めの現像液吐出ノズル８３と、スピンチャック８１に保
持された基板ＷＦに対して純水を供給するための純水吐
出ノズル８４と、基板ＷＦから遠心力によって排除され
る現像液または純水を受け止めてその飛散を防止する飛
散防止カップ８６とを備えている。
Ｄ液は、非感光性のものであってもよく、感光性のもの
であってもよい。感光性ＳＯＤ液がＳＯＤ液吐出ノズル
７３から基板ＷＦに供給される場合には、レジスト液吐
出ノズル７４は必ずしも設ける必要がない。図５は、現
像処理部２８の構成を説明するための図解的な側面図で
ある。現像処理部２８は、基板ＷＦを、その活性面を上
方に向けた状態で真空吸着してほぼ水平に保持するスピ
ンチャック８１と、このスピンチャック８１を鉛直軸線
回りに回転させるための回転軸８２と、スピンチャック
８１に保持された基板ＷＦに対して現像液を供給するた
めの現像液吐出ノズル８３と、スピンチャック８１に保
持された基板ＷＦに対して純水を供給するための純水吐
出ノズル８４と、基板ＷＦから遠心力によって排除され
る現像液または純水を受け止めてその飛散を防止する飛
散防止カップ８６とを備えている。
【００３２】現像液吐出ノズル８３および純水吐出ノズ
ル８４は、それぞれ昇降可能に設けられていて、さら
に、スピンチャック８１の上方の空間から退避した退避
位置と、スピンチャック８１の回転軸線上において基板
ＷＦに近接した処理位置との間でそれぞれ移動可能に構
成されている。この構成により、スピンチャック８１を
鉛直軸線回りに回転させつつ、基板ＷＦの回転中心に現
像液または純水を供給すれば、遠心力の作用によって、
基板ＷＦの全面に現像液または純水を供給できる。すな
わち、現像液吐出ノズル８３から現像液を基板ＷＦ上の
感光性の塗布膜（感光性ＳＯＤ膜またはレジスト膜）に
供給することによって、この塗布膜の現像を行い、その
後に純水吐出ノズル８４から基板ＷＦに純水を供給する
ことによって、現像処理の進行を停止することができ
る。
ル８４は、それぞれ昇降可能に設けられていて、さら
に、スピンチャック８１の上方の空間から退避した退避
位置と、スピンチャック８１の回転軸線上において基板
ＷＦに近接した処理位置との間でそれぞれ移動可能に構
成されている。この構成により、スピンチャック８１を
鉛直軸線回りに回転させつつ、基板ＷＦの回転中心に現
像液または純水を供給すれば、遠心力の作用によって、
基板ＷＦの全面に現像液または純水を供給できる。すな
わち、現像液吐出ノズル８３から現像液を基板ＷＦ上の
感光性の塗布膜（感光性ＳＯＤ膜またはレジスト膜）に
供給することによって、この塗布膜の現像を行い、その
後に純水吐出ノズル８４から基板ＷＦに純水を供給する
ことによって、現像処理の進行を停止することができ
る。
【００３３】図６は、熱処理部２４，２５におけるホッ
トプレートまたはクールプレートの構成を説明するため
の図解的な断面図である。たとえば、ホットプレートＨ
Ｈは、表面に吸着口が形成された真空吸着式のものであ
って、開閉式のチャンバ４１内に収容されている。ホッ
トプレートＨＨは、予め所定の温度に加熱されていて、
真空吸着によって基板ＷＦをその表面に吸着保持した後
に、チャンバ４１を閉じることにより、基板ＷＦのベー
ク処理を行うことができる。
トプレートまたはクールプレートの構成を説明するため
の図解的な断面図である。たとえば、ホットプレートＨ
Ｈは、表面に吸着口が形成された真空吸着式のものであ
って、開閉式のチャンバ４１内に収容されている。ホッ
トプレートＨＨは、予め所定の温度に加熱されていて、
真空吸着によって基板ＷＦをその表面に吸着保持した後
に、チャンバ４１を閉じることにより、基板ＷＦのベー
ク処理を行うことができる。
【００３４】クールプレートＣＰの構成も同様であっ
て、ホットプレートＨＨに代えて、所定の低温状態（た
とえば常温状態）に温調されたクールプレートＣＰ上に
基板ＷＦが吸着保持されることになる。図７は、加圧処
理部２６の構成を説明するための図解的な断面図であ
る。加圧処理部２６は、処理チャンバ６０内に、基板保
持ステージ６１および加圧板保持ステージ６２を上下に
対向配置して構成されている。基板保持ステージ６１お
よび加圧板保持ステージ６２は、それぞれ静電チャック
方式によって基板ＷＦおよび加圧板Ｓをそれぞれ保持す
る保持面６１ａ，６２ａを有していて、これらの保持面
６１ａ，６２ａが互いに対向している。基板保持ステー
ジ６１および加圧板保持ステージ６２は、少なくともい
ずれか一方が、ボールねじ機構などによって上下動され
るようになっていて、基板保持ステージ６１に対して加
圧板保持ステージ６２を相対的に近接／離反させること
ができる。
て、ホットプレートＨＨに代えて、所定の低温状態（た
とえば常温状態）に温調されたクールプレートＣＰ上に
基板ＷＦが吸着保持されることになる。図７は、加圧処
理部２６の構成を説明するための図解的な断面図であ
る。加圧処理部２６は、処理チャンバ６０内に、基板保
持ステージ６１および加圧板保持ステージ６２を上下に
対向配置して構成されている。基板保持ステージ６１お
よび加圧板保持ステージ６２は、それぞれ静電チャック
方式によって基板ＷＦおよび加圧板Ｓをそれぞれ保持す
る保持面６１ａ，６２ａを有していて、これらの保持面
６１ａ，６２ａが互いに対向している。基板保持ステー
ジ６１および加圧板保持ステージ６２は、少なくともい
ずれか一方が、ボールねじ機構などによって上下動され
るようになっていて、基板保持ステージ６１に対して加
圧板保持ステージ６２を相対的に近接／離反させること
ができる。
【００３５】処理チャンバ６０は密閉チャンバであっ
て、排気バルブ６５を介して真空ポンプ６６に接続され
ている。これにより、処理チャンバ６０内は減圧状態と
され、その状態で、基板ＷＦを保持した基板保持ステー
ジ６１と加圧板Ｓを保持した加圧板保持ステージ６２と
が近接させられる。そして、基板ＷＦの表面に形成され
た塗布膜に加圧板Ｓが密着させられて加圧されることに
より、塗布膜が平坦化される。
て、排気バルブ６５を介して真空ポンプ６６に接続され
ている。これにより、処理チャンバ６０内は減圧状態と
され、その状態で、基板ＷＦを保持した基板保持ステー
ジ６１と加圧板Ｓを保持した加圧板保持ステージ６２と
が近接させられる。そして、基板ＷＦの表面に形成され
た塗布膜に加圧板Ｓが密着させられて加圧されることに
より、塗布膜が平坦化される。
【００３６】加圧板Ｓが基板ＷＦに密着した後、加圧板
保持ステージ６２は、加圧板Ｓの保持を解除して、加圧
板Ｓから離間させられる。基板保持ステージ６１および
加圧板保持ステージ６２には、ヒータやランプ等の加熱
機構６３，６４が内蔵されており、加圧時に、必要に応
じて基板ＷＦおよび加圧板Ｓを加熱できるようになって
いる。図８は、剥離処理部２９の構成を説明するための
図解的な断面図である。この剥離処理部２９は、基板Ｗ
Ｆから加圧板Ｓを引き剥がすためのものであり、処理チ
ャンバ９１内に、真空吸着式の剥離用プレート９２と、
加圧板Ｓを吸着保持するための加圧板保持部９３とを収
容して構成されている。剥離用プレート９２は、その中
央部に、凹部９４が形成されており、この凹部９４が吸
引排気されるようになっている。
保持ステージ６２は、加圧板Ｓの保持を解除して、加圧
板Ｓから離間させられる。基板保持ステージ６１および
加圧板保持ステージ６２には、ヒータやランプ等の加熱
機構６３，６４が内蔵されており、加圧時に、必要に応
じて基板ＷＦおよび加圧板Ｓを加熱できるようになって
いる。図８は、剥離処理部２９の構成を説明するための
図解的な断面図である。この剥離処理部２９は、基板Ｗ
Ｆから加圧板Ｓを引き剥がすためのものであり、処理チ
ャンバ９１内に、真空吸着式の剥離用プレート９２と、
加圧板Ｓを吸着保持するための加圧板保持部９３とを収
容して構成されている。剥離用プレート９２は、その中
央部に、凹部９４が形成されており、この凹部９４が吸
引排気されるようになっている。
【００３７】加圧板保持部９３は、昇降可能に構成され
ており、密着状態の基板ＷＦおよび加圧板Ｓが剥離用プ
レート９２に載置されると、その吸着面（下面）が加圧
板Ｓに接触するまで下降される。この状態で、加圧板保
持部９３は加圧板Ｓを真空吸着し、その一方で、剥離用
プレート９２の凹部９４が吸引排気される。この状態
で、加圧板保持部９３を上昇させて加圧板Ｓを引き上げ
ると、加圧板Ｓが基板ＷＦから剥離される。
ており、密着状態の基板ＷＦおよび加圧板Ｓが剥離用プ
レート９２に載置されると、その吸着面（下面）が加圧
板Ｓに接触するまで下降される。この状態で、加圧板保
持部９３は加圧板Ｓを真空吸着し、その一方で、剥離用
プレート９２の凹部９４が吸引排気される。この状態
で、加圧板保持部９３を上昇させて加圧板Ｓを引き上げ
ると、加圧板Ｓが基板ＷＦから剥離される。
【００３８】基板ＷＦから加圧板Ｓを剥離する際に、チ
ャンバ９１内が真空雰囲気となっていると、帯電によっ
て基板ＷＦが破壊されるおそれがあるが、この問題は、
処理チャンバ９１内をたとえばオゾン雰囲気とすること
によって解決できる。図９は、この実施形態に係る基板
処理装置による処理の一例を説明するための断面図であ
り、図１０は、その処理工程を説明するための流れ図で
ある。未処理の基板ＷＦを収容するカセットＣＳ１に
は、アルミニウムまたは銅などの金属配線３０が形成さ
れた状態の基板ＷＦが収容されている（図９(a)）。こ
の未処理の基板ＷＦは、インデクサロボット１２によっ
てカセットＣＷ１から搬出され、仮置台５に載置され
る。この基板ＷＦは、主搬送ロボット２１によって受け
取られ、塗布処理部２７に搬入される。この塗布処理部
２７において、基板ＷＦには、感光性ＳＯＤ液が供給さ
れて塗布される（ステップＳ１）。
ャンバ９１内が真空雰囲気となっていると、帯電によっ
て基板ＷＦが破壊されるおそれがあるが、この問題は、
処理チャンバ９１内をたとえばオゾン雰囲気とすること
によって解決できる。図９は、この実施形態に係る基板
処理装置による処理の一例を説明するための断面図であ
り、図１０は、その処理工程を説明するための流れ図で
ある。未処理の基板ＷＦを収容するカセットＣＳ１に
は、アルミニウムまたは銅などの金属配線３０が形成さ
れた状態の基板ＷＦが収容されている（図９(a)）。こ
の未処理の基板ＷＦは、インデクサロボット１２によっ
てカセットＣＷ１から搬出され、仮置台５に載置され
る。この基板ＷＦは、主搬送ロボット２１によって受け
取られ、塗布処理部２７に搬入される。この塗布処理部
２７において、基板ＷＦには、感光性ＳＯＤ液が供給さ
れて塗布される（ステップＳ１）。
【００３９】次に、主搬送ロボット２１は、塗布処理部
２７から塗布処理後の基板ＷＦを搬出して、熱処理部２
４，２５のいずれかにおけるホットプレートＨＨに搬入
する。これによって、基板ＷＦの表面のＳＯＤ液がゲル
状になるまで（適度な粘度が生じるまで）乾燥させられ
る（ステップＳ２）。このとき、図９(b)に示すよう
に、基板ＷＦ上におけるＳＯＤ膜３１の表面には凹凸が
生じている。乾燥処理後の基板ＷＦは、主搬送ロボット
２１によってホットプレートＨＨから搬出され、次に、
加圧処理部２６に搬入される。このときまでに、インデ
クサロボット１２は、カセットＣＳ１から未使用の加圧
板Ｓを搬出して、仮置台５に載置し、さらに主搬送ロボ
ット２１がこの未使用の加圧板Ｓを受け取って加圧処理
部２６に搬入している。
２７から塗布処理後の基板ＷＦを搬出して、熱処理部２
４，２５のいずれかにおけるホットプレートＨＨに搬入
する。これによって、基板ＷＦの表面のＳＯＤ液がゲル
状になるまで（適度な粘度が生じるまで）乾燥させられ
る（ステップＳ２）。このとき、図９(b)に示すよう
に、基板ＷＦ上におけるＳＯＤ膜３１の表面には凹凸が
生じている。乾燥処理後の基板ＷＦは、主搬送ロボット
２１によってホットプレートＨＨから搬出され、次に、
加圧処理部２６に搬入される。このときまでに、インデ
クサロボット１２は、カセットＣＳ１から未使用の加圧
板Ｓを搬出して、仮置台５に載置し、さらに主搬送ロボ
ット２１がこの未使用の加圧板Ｓを受け取って加圧処理
部２６に搬入している。
【００４０】加圧処理部２６に搬入された加圧板Ｓは加
圧板保持ステージ６２に保持され、同じく加圧処理部２
６に搬入された基板ＷＦは基板保持ステージ６１に保持
される。そして、この加圧処理部２６において、基板Ｗ
Ｆおよび加圧板Ｓは、図９(c)に示すように互いに密着
させられて加圧される（ステップＳ３）。このとき、加
圧処理部２６では、処理チャンバ６０内が減圧され、さ
らに加熱機構６３，６４に通電が行われて、基板ＷＦお
よび加圧板Ｓが加熱されることになる。これによって、
ＳＯＤの塗布膜１２の表面が平坦になる。
圧板保持ステージ６２に保持され、同じく加圧処理部２
６に搬入された基板ＷＦは基板保持ステージ６１に保持
される。そして、この加圧処理部２６において、基板Ｗ
Ｆおよび加圧板Ｓは、図９(c)に示すように互いに密着
させられて加圧される（ステップＳ３）。このとき、加
圧処理部２６では、処理チャンバ６０内が減圧され、さ
らに加熱機構６３，６４に通電が行われて、基板ＷＦお
よび加圧板Ｓが加熱されることになる。これによって、
ＳＯＤの塗布膜１２の表面が平坦になる。
【００４１】密着状態の基板ＷＦおよび加圧板Ｓは、主
搬送ロボット２１によって加圧処理部２６から搬出さ
れ、熱処理部２４，２５のうちのいずれかのホットプレ
ートＨＨに搬入されて加熱処理を受ける（ステップＳ
４）。この場合、基板ＷＦおよび加圧板Ｓのいずれがホ
ットプレートＨＨに真空吸着されてもよい。この加熱処
理によって、ＳＯＤの塗布液が露光に適した組成へと変
化する。加熱処理が完了すると、主搬送ロボット２１
は、ホットプレートＨＨから密着状態の基板ＷＦおよび
加圧板Ｓを搬出して、熱処理部２４，２５内のいずれか
のクールプレートＣＰにそれらを搬入して冷却させる
（ステップＳ５）。
搬送ロボット２１によって加圧処理部２６から搬出さ
れ、熱処理部２４，２５のうちのいずれかのホットプレ
ートＨＨに搬入されて加熱処理を受ける（ステップＳ
４）。この場合、基板ＷＦおよび加圧板Ｓのいずれがホ
ットプレートＨＨに真空吸着されてもよい。この加熱処
理によって、ＳＯＤの塗布液が露光に適した組成へと変
化する。加熱処理が完了すると、主搬送ロボット２１
は、ホットプレートＨＨから密着状態の基板ＷＦおよび
加圧板Ｓを搬出して、熱処理部２４，２５内のいずれか
のクールプレートＣＰにそれらを搬入して冷却させる
（ステップＳ５）。
【００４２】冷却後の基板ＷＦおよび加圧板Ｓは、剥離
処理部２９に搬入され、基板ＷＦから加圧板Ｓが剥離さ
れる（ステップＳ６）。これによって、図９(d)に示す
状態となり、基板ＷＦ上に表面が平坦なＳＯＤ塗布膜３
１が形成された状態となる。この後、主搬送ロボット２
１は、剥離処理部２９から基板ＷＦを取り出してインタ
フェース部３に設けられた仮置台３ａに受け渡す。さら
に、主搬送ロボット２１は、剥離処理部２９から使用済
の加圧板Ｓを搬出して、仮置台５に受け渡す。仮置台５
に受け渡された加圧板Ｓは、インデクサロボット１２に
よって、カセットＣＳ２に搬入されることになる（ステ
ップＳ７）。
処理部２９に搬入され、基板ＷＦから加圧板Ｓが剥離さ
れる（ステップＳ６）。これによって、図９(d)に示す
状態となり、基板ＷＦ上に表面が平坦なＳＯＤ塗布膜３
１が形成された状態となる。この後、主搬送ロボット２
１は、剥離処理部２９から基板ＷＦを取り出してインタ
フェース部３に設けられた仮置台３ａに受け渡す。さら
に、主搬送ロボット２１は、剥離処理部２９から使用済
の加圧板Ｓを搬出して、仮置台５に受け渡す。仮置台５
に受け渡された加圧板Ｓは、インデクサロボット１２に
よって、カセットＣＳ２に搬入されることになる（ステ
ップＳ７）。
【００４３】インタフェース部３の仮置台３ａに受け渡
された基板ＷＦは、露光機４に搬入され、感光性ＳＯＤ
塗布膜３１が、所定の露光パターンで露光されることに
なる。これにより、図９(e)において斜線を付して示す
部分（金属配線の上方の部分）が露光される。ポジ型の
感光材でＳＯＤに感光性を付与しておけば、この斜線部
分が後の現像処理によって溶解されることになる。露光
処理後の基板ＷＦは、インタフェース部３の仮置台３ａ
に受け渡される。主搬送ロボット２１は、仮置台３ａか
ら露光処理後の基板ＷＦを受け取って、熱処理部２４，
２５のいずれかのホットプレートＨＨに搬入する。これ
によって、感光性ＳＯＤの光化学反応を補助するための
加熱処理が行われる（ステップＳ８）。
された基板ＷＦは、露光機４に搬入され、感光性ＳＯＤ
塗布膜３１が、所定の露光パターンで露光されることに
なる。これにより、図９(e)において斜線を付して示す
部分（金属配線の上方の部分）が露光される。ポジ型の
感光材でＳＯＤに感光性を付与しておけば、この斜線部
分が後の現像処理によって溶解されることになる。露光
処理後の基板ＷＦは、インタフェース部３の仮置台３ａ
に受け渡される。主搬送ロボット２１は、仮置台３ａか
ら露光処理後の基板ＷＦを受け取って、熱処理部２４，
２５のいずれかのホットプレートＨＨに搬入する。これ
によって、感光性ＳＯＤの光化学反応を補助するための
加熱処理が行われる（ステップＳ８）。
【００４４】この加熱処理後には、主搬送ロボット２１
は、ホットプレートＨＨから基板ＷＦを搬出して、現像
処理部２８に当該基板ＷＦを搬入する。現像処理部２８
では、感光性ＳＯＤ塗布膜が形成された基板ＷＦに対し
て、現像液が供給され、露光部分のＳＯＤが溶解させら
れる（ステップＳ９）。そして、その後に純水を基板Ｗ
Ｆに供給することによって、現像を停止させるととも
に、溶解物が除去される。これによって、図９(f)に示
すように、層間配線のための開口３３がＳＯＤ塗布膜３
１に形成されることになる。
は、ホットプレートＨＨから基板ＷＦを搬出して、現像
処理部２８に当該基板ＷＦを搬入する。現像処理部２８
では、感光性ＳＯＤ塗布膜が形成された基板ＷＦに対し
て、現像液が供給され、露光部分のＳＯＤが溶解させら
れる（ステップＳ９）。そして、その後に純水を基板Ｗ
Ｆに供給することによって、現像を停止させるととも
に、溶解物が除去される。これによって、図９(f)に示
すように、層間配線のための開口３３がＳＯＤ塗布膜３
１に形成されることになる。
【００４５】その後、主搬送ロボット２１は、現像処理
部２８から処理済の基板ＷＦを搬出し、この基板ＷＦ
を、熱処理部２４，２５のいずれかのホットプレートＨ
Ｈに搬入する。これによって、ＳＯＤ塗布膜の焼き締め
処理が行われる（ステップＳ１０）。その後、主搬送ロ
ボット２１は、ホットプレートＨＨから、加熱処理後の
基板ＷＦを搬出し、この基板ＷＦを熱処理部２４，２５
のいずれかのクールプレートＣＰに搬入して、常温にま
で冷却させる（ステップＳ１１）。
部２８から処理済の基板ＷＦを搬出し、この基板ＷＦ
を、熱処理部２４，２５のいずれかのホットプレートＨ
Ｈに搬入する。これによって、ＳＯＤ塗布膜の焼き締め
処理が行われる（ステップＳ１０）。その後、主搬送ロ
ボット２１は、ホットプレートＨＨから、加熱処理後の
基板ＷＦを搬出し、この基板ＷＦを熱処理部２４，２５
のいずれかのクールプレートＣＰに搬入して、常温にま
で冷却させる（ステップＳ１１）。
【００４６】冷却処理後の基板ＷＦは、主搬送ロボット
２１によってクールプレートＣＰから搬出されて、仮置
台５に載置される。この基板ＷＦは、インデクサロボッ
ト１２によって、カセットＣＷ２に収容されることにな
る。この後、基板ＷＦは、別の基板処理装置へと搬送さ
れて、ＳＯＤ塗布膜３１に形成された層間配線用開口３
３内に銅などの金属を埋め込むための処理が施される。
これによって、その下方の金属配線３０などとのコンタ
クトをとるための処理が行われる。
２１によってクールプレートＣＰから搬出されて、仮置
台５に載置される。この基板ＷＦは、インデクサロボッ
ト１２によって、カセットＣＷ２に収容されることにな
る。この後、基板ＷＦは、別の基板処理装置へと搬送さ
れて、ＳＯＤ塗布膜３１に形成された層間配線用開口３
３内に銅などの金属を埋め込むための処理が施される。
これによって、その下方の金属配線３０などとのコンタ
クトをとるための処理が行われる。
【００４７】図１１は、この実施形態に係る基板処理装
置によって実行可能な他の基板処理を説明するための断
面図であり、図１２は、その処理フローを説明する流れ
図である。なお、図１１において、上述の図９に示され
た各部に対応する部分には、図９の場合と同一の参照符
号を付して示す。同様に、図１２において、上述の図１
０の各ステップと同様の処理が行われるステップには、
図１０の場合と同一の参照符号を付して示す。
置によって実行可能な他の基板処理を説明するための断
面図であり、図１２は、その処理フローを説明する流れ
図である。なお、図１１において、上述の図９に示され
た各部に対応する部分には、図９の場合と同一の参照符
号を付して示す。同様に、図１２において、上述の図１
０の各ステップと同様の処理が行われるステップには、
図１０の場合と同一の参照符号を付して示す。
【００４８】この例では、塗布処理部２７において、非
感光性のＳＯＤ液が基板ＷＦに塗布され（ステップＳ２
１）、これをホットプレートＨＨでゲル状になるまで乾
燥させた後（ステップＳ２）、加圧処理部２６に搬入し
てＳＯＤ塗布膜３１に加圧板Ｓを加圧して密着させる
（ステップＳ３）。その後、この密着状態の基板ＷＦお
よび加圧板ＳをホットプレートＨＨに搬入してベーク処
理を行う（ステップＳ４）。その後、基板ＷＦおよび加
圧板ＳをクールプレートＣＰに移して常温にまで冷却し
た後（ステップＳ５）、これらを剥離処理部２９に搬入
して基板ＷＦから加圧板Ｓを剥離させる（ステップＳ
６）。
感光性のＳＯＤ液が基板ＷＦに塗布され（ステップＳ２
１）、これをホットプレートＨＨでゲル状になるまで乾
燥させた後（ステップＳ２）、加圧処理部２６に搬入し
てＳＯＤ塗布膜３１に加圧板Ｓを加圧して密着させる
（ステップＳ３）。その後、この密着状態の基板ＷＦお
よび加圧板ＳをホットプレートＨＨに搬入してベーク処
理を行う（ステップＳ４）。その後、基板ＷＦおよび加
圧板ＳをクールプレートＣＰに移して常温にまで冷却し
た後（ステップＳ５）、これらを剥離処理部２９に搬入
して基板ＷＦから加圧板Ｓを剥離させる（ステップＳ
６）。
【００４９】その後、加圧板Ｓは主搬送ロボット２１に
よって仮置台５に受け渡され、さらにインデクサロボッ
ト１２によってカセットＣＳ２に収容される。一方、主
搬送ロボット２１は、基板ＷＦを塗布処理部２７に再び
搬入する。塗布処理部２７では、ＳＯＤ塗布膜３１上に
レジスト液が供給されて塗布される（ステップＳ２
２）。この時、ＳＯＤ塗布膜３１は加圧板Ｓによる加圧
によって平坦化されているので図１１(a)に示すように
ＳＯＤ塗布膜３１上に薄いレジスト膜３２を形成するこ
とができる。
よって仮置台５に受け渡され、さらにインデクサロボッ
ト１２によってカセットＣＳ２に収容される。一方、主
搬送ロボット２１は、基板ＷＦを塗布処理部２７に再び
搬入する。塗布処理部２７では、ＳＯＤ塗布膜３１上に
レジスト液が供給されて塗布される（ステップＳ２
２）。この時、ＳＯＤ塗布膜３１は加圧板Ｓによる加圧
によって平坦化されているので図１１(a)に示すように
ＳＯＤ塗布膜３１上に薄いレジスト膜３２を形成するこ
とができる。
【００５０】次に、主搬送ロボット２１は、基板ＷＦを
塗布処理部２７から搬出して、熱処理部２４，２５のい
ずれかのホットプレートＨＨに搬入する。これにより、
レジストを乾燥させるためのプリベーク処理が行われる
（ステップＳ２３）。その後、主搬送ロボット２１は、
ホットプレートＨＨから基板ＷＦを搬出してクールプレ
ートＣＰに搬入し、基板ＷＦを常温まで冷却させる（ス
テップＳ２４）。次に、主搬送ロボット２１は、クール
プレートＣＰから基板ＷＦを取り出して、インタフェー
ス部３の仮置台３ａに受け渡す。この基板ＷＦは、露光
機４に搬入されて、所定の露光マスクを用いて露光され
る（ステップＳ２５）。これにより、図１１(b)におい
て斜線を付して示すように、レジスト膜３２において金
属配線３０の上方の部位が選択的に露光される。レジス
トがポジ型のものである場合、この露光部分が、後の現
像処理によって溶解することになる。
塗布処理部２７から搬出して、熱処理部２４，２５のい
ずれかのホットプレートＨＨに搬入する。これにより、
レジストを乾燥させるためのプリベーク処理が行われる
（ステップＳ２３）。その後、主搬送ロボット２１は、
ホットプレートＨＨから基板ＷＦを搬出してクールプレ
ートＣＰに搬入し、基板ＷＦを常温まで冷却させる（ス
テップＳ２４）。次に、主搬送ロボット２１は、クール
プレートＣＰから基板ＷＦを取り出して、インタフェー
ス部３の仮置台３ａに受け渡す。この基板ＷＦは、露光
機４に搬入されて、所定の露光マスクを用いて露光され
る（ステップＳ２５）。これにより、図１１(b)におい
て斜線を付して示すように、レジスト膜３２において金
属配線３０の上方の部位が選択的に露光される。レジス
トがポジ型のものである場合、この露光部分が、後の現
像処理によって溶解することになる。
【００５１】露光処理後の基板ＷＦは、インタフェース
部３の仮置台３ａに排出される。この基板ＷＦは、主搬
送ロボット２１により、熱処理部２４，２５のいずれか
のホットプレートＨＨに搬入されて、光化学反応を補助
するための加熱処理（ポストベーク）を受ける（ステッ
プＳ２６）。ポストベーク処理後の基板ＷＦは、主搬送
ロボット２１によってホットプレートＨＨから搬出さ
れ、現像処理部２８へと搬入される（ステップＳ２
７）。現像処理部２８は、基板ＷＦ上のレジスト膜３２
に現像液を供給する。これによって、レジスト膜３２の
露光部分が溶解して、図１１(c)に示すように開口３４
が形成される。主搬送ロボット２１は、基板ＷＦを現像
処理部２８から搬出して、熱処理部２４，２５のいずれ
かのホットプレートＨＨに搬入して、レジスト膜３２を
焼き締めるためのベーク処理を行う（ステップＳ２
８）。
部３の仮置台３ａに排出される。この基板ＷＦは、主搬
送ロボット２１により、熱処理部２４，２５のいずれか
のホットプレートＨＨに搬入されて、光化学反応を補助
するための加熱処理（ポストベーク）を受ける（ステッ
プＳ２６）。ポストベーク処理後の基板ＷＦは、主搬送
ロボット２１によってホットプレートＨＨから搬出さ
れ、現像処理部２８へと搬入される（ステップＳ２
７）。現像処理部２８は、基板ＷＦ上のレジスト膜３２
に現像液を供給する。これによって、レジスト膜３２の
露光部分が溶解して、図１１(c)に示すように開口３４
が形成される。主搬送ロボット２１は、基板ＷＦを現像
処理部２８から搬出して、熱処理部２４，２５のいずれ
かのホットプレートＨＨに搬入して、レジスト膜３２を
焼き締めるためのベーク処理を行う（ステップＳ２
８）。
【００５２】その後、主搬送ロボット２１は、ホットプ
レートＨＨから基板ＷＦを搬出して、クールプレートＣ
Ｐに搬入し、常温まで冷却させる（ステップＳ２９）。
この冷却後の基板ＷＦは、主搬送ロボット２１によって
仮置台５に載置される。この基板ＷＦは、インデクサロ
ボット１２によって、カセットＣＷ２に収容されること
になる。その後、基板ＷＦは、別の装置へと搬送され、
ＨＦ（フッ酸）またはＢＨＦ（バッファードフッ酸）な
どのエッチング液で、レジスト膜３２をマスクとして、
その下に存在する下地膜としてのＳＯＤ膜３１をエッチ
ングするための処理が施される。これによって、図１１
(d)に示すように、ＳＯＤ膜３１に、層間配線のための
開口３３が形成される。
レートＨＨから基板ＷＦを搬出して、クールプレートＣ
Ｐに搬入し、常温まで冷却させる（ステップＳ２９）。
この冷却後の基板ＷＦは、主搬送ロボット２１によって
仮置台５に載置される。この基板ＷＦは、インデクサロ
ボット１２によって、カセットＣＷ２に収容されること
になる。その後、基板ＷＦは、別の装置へと搬送され、
ＨＦ（フッ酸）またはＢＨＦ（バッファードフッ酸）な
どのエッチング液で、レジスト膜３２をマスクとして、
その下に存在する下地膜としてのＳＯＤ膜３１をエッチ
ングするための処理が施される。これによって、図１１
(d)に示すように、ＳＯＤ膜３１に、層間配線のための
開口３３が形成される。
【００５３】図１３は、この発明の他の実施形態に係る
基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図であ
る。この図１３において、前述の図１に示された各部に
対応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付し
て示す。また、この実施形態の説明では、上述の図２〜
図８および図１１を再び参照する。この実施形態に係る
基板処理装置では、剥離処理部２９に代えてエッチング
処理部４０が設けられている。そして、基板ＷＦからの
加圧板Ｓの剥離は、加圧処理部２６によって行われるよ
うになっている。すなわち、この実施形態においては、
加圧処理部２６の加圧板保持ステージ６２は、基板ＷＦ
に加圧板Ｓが密着された後も、加圧板Ｓの保持を解除せ
ず、その保持状態を維持しつつ、上方に変位して、基板
保持ステージ６１から退避する。これによって、基板Ｗ
Ｆから加圧板Ｓが剥離されることになる。
基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図であ
る。この図１３において、前述の図１に示された各部に
対応する部分には、図１の場合と同一の参照符号を付し
て示す。また、この実施形態の説明では、上述の図２〜
図８および図１１を再び参照する。この実施形態に係る
基板処理装置では、剥離処理部２９に代えてエッチング
処理部４０が設けられている。そして、基板ＷＦからの
加圧板Ｓの剥離は、加圧処理部２６によって行われるよ
うになっている。すなわち、この実施形態においては、
加圧処理部２６の加圧板保持ステージ６２は、基板ＷＦ
に加圧板Ｓが密着された後も、加圧板Ｓの保持を解除せ
ず、その保持状態を維持しつつ、上方に変位して、基板
保持ステージ６１から退避する。これによって、基板Ｗ
Ｆから加圧板Ｓが剥離されることになる。
【００５４】図１４は、エッチング処理部４０の構成を
説明するための図解的な側面図である。エッチング処理
部４０は、基板ＷＦの裏面を吸着保持する円板状のスピ
ンチャック１０１と、このスピンチャック１０１を鉛直
軸線回りに回転させるための回転軸１０２と、スピンチ
ャック１０１に保持された基板ＷＦの回転中心にエッチ
ング液（フッ酸またはバッファードフッ酸）を供給する
ためのエッチング液吐出ノズル１０３と、エッチング処
理終了後に、スピンチャック１０１に保持された基板Ｗ
Ｆに純水を供給する純水吐出ノズル１０４と、スピンチ
ャック１０１の側方において、基板ＷＦから飛び出して
くる処理液（エッチング液または純水）を受け止めてそ
の飛散を防止する飛散防止カップ１０６とを備えてい
る。
説明するための図解的な側面図である。エッチング処理
部４０は、基板ＷＦの裏面を吸着保持する円板状のスピ
ンチャック１０１と、このスピンチャック１０１を鉛直
軸線回りに回転させるための回転軸１０２と、スピンチ
ャック１０１に保持された基板ＷＦの回転中心にエッチ
ング液（フッ酸またはバッファードフッ酸）を供給する
ためのエッチング液吐出ノズル１０３と、エッチング処
理終了後に、スピンチャック１０１に保持された基板Ｗ
Ｆに純水を供給する純水吐出ノズル１０４と、スピンチ
ャック１０１の側方において、基板ＷＦから飛び出して
くる処理液（エッチング液または純水）を受け止めてそ
の飛散を防止する飛散防止カップ１０６とを備えてい
る。
【００５５】エッチング液吐出ノズル１０３および純水
吐出ノズル１０４は、昇降可能に構成されているととも
に、スピンチャック１０１の上方の空間を回避した退避
位置と、スピンチャック１０１に保持された基板ＷＦの
回転中心の近傍において基板ＷＦに近接した処理位置と
の間でそれぞれ移動可能に構成されている。図１５は、
この実施形態の基板処理装置により実行可能な処理フロ
ーの一例を示す流れ図である。この図１５において、上
述の図１２に示された各ステップと同様な処理が行われ
るステップには図１２の場合と同一の参照符号を付して
示す。
吐出ノズル１０４は、昇降可能に構成されているととも
に、スピンチャック１０１の上方の空間を回避した退避
位置と、スピンチャック１０１に保持された基板ＷＦの
回転中心の近傍において基板ＷＦに近接した処理位置と
の間でそれぞれ移動可能に構成されている。図１５は、
この実施形態の基板処理装置により実行可能な処理フロ
ーの一例を示す流れ図である。この図１５において、上
述の図１２に示された各ステップと同様な処理が行われ
るステップには図１２の場合と同一の参照符号を付して
示す。
【００５６】この実施形態では、エッチング処理が可能
であるため、図１１(c)の状態となった基板ＷＦが、ク
ールプレートＣＰから主搬送ロボット２１によって搬出
されて、エッチング処理部４０に搬入される。そして、
エッチング処理部４０では、レジスト膜をマスクとした
ＳＯＤ膜３１のエッチング処理が行われ（ステップＳ３
０）、図１１(d)に示すように、層間配線のための開口
３３が形成されることになる。その後、この基板ＷＦ
は、必要に応じて加熱処理（ステップＳ３１）および冷
却処理（ステップＳ３２）を受けた後、仮置台５からイ
ンデクサロボット１２によってカセットＣＷ２に収容さ
れることになる。レジスト膜３２の剥離は、別の装置に
おいて行われる。
であるため、図１１(c)の状態となった基板ＷＦが、ク
ールプレートＣＰから主搬送ロボット２１によって搬出
されて、エッチング処理部４０に搬入される。そして、
エッチング処理部４０では、レジスト膜をマスクとした
ＳＯＤ膜３１のエッチング処理が行われ（ステップＳ３
０）、図１１(d)に示すように、層間配線のための開口
３３が形成されることになる。その後、この基板ＷＦ
は、必要に応じて加熱処理（ステップＳ３１）および冷
却処理（ステップＳ３２）を受けた後、仮置台５からイ
ンデクサロボット１２によってカセットＣＷ２に収容さ
れることになる。レジスト膜３２の剥離は、別の装置に
おいて行われる。
【００５７】以上、この発明の２つの実施形態について
説明したが、この発明は他の形態で実施することもでき
る。たとえば、上記の実施形態では、多層配線の層間絶
縁膜としてＳＯＤ膜が用いられる例について説明した
が、多孔質（ポーラス状）の絶縁膜を層間絶縁膜として
用いてもよい。多孔質絶縁膜は、誘電率が低いため、層
間絶縁膜として良好な性質を有している反面、機械的強
度が弱い。そのため、ＣＭＰプロセスが必須であった従
来技術では層間絶縁膜としての適用が不可能であった
が、この発明では、加圧板を押し付けることによって塗
布膜の平坦化を達成できるので、層間絶縁膜の機械的強
度が大きくなければならない必然性はなく、多孔質絶縁
膜を用いることができる。
説明したが、この発明は他の形態で実施することもでき
る。たとえば、上記の実施形態では、多層配線の層間絶
縁膜としてＳＯＤ膜が用いられる例について説明した
が、多孔質（ポーラス状）の絶縁膜を層間絶縁膜として
用いてもよい。多孔質絶縁膜は、誘電率が低いため、層
間絶縁膜として良好な性質を有している反面、機械的強
度が弱い。そのため、ＣＭＰプロセスが必須であった従
来技術では層間絶縁膜としての適用が不可能であった
が、この発明では、加圧板を押し付けることによって塗
布膜の平坦化を達成できるので、層間絶縁膜の機械的強
度が大きくなければならない必然性はなく、多孔質絶縁
膜を用いることができる。
【００５８】また、上記の実施形態では、半導体ウエハ
に代表される円形基板に対して処理を施す基板処理装置
を例にとったが、この発明は、液晶表示パネル用ガラス
基板などに代表される角形基板に対して処理を施す装置
にも適用することができる。また、基板表面に形成され
る塗布膜には、ＳＯＤ膜およびレジスト膜の他にも、有
機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜、ＳＯＧ（Spin On Glas
s）膜などを挙げることができる。
に代表される円形基板に対して処理を施す基板処理装置
を例にとったが、この発明は、液晶表示パネル用ガラス
基板などに代表される角形基板に対して処理を施す装置
にも適用することができる。また、基板表面に形成され
る塗布膜には、ＳＯＤ膜およびレジスト膜の他にも、有
機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜、ＳＯＧ（Spin On Glas
s）膜などを挙げることができる。
【００５９】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレ
イアウトを示す図解的な平面図である。
イアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】インデクサロボットの構成を説明するための平
面図である。
面図である。
【図３】仮置台の構成を説明するための側面図である。
【図４】塗布処理部の構成を説明するための図解的な側
面図である。
面図である。
【図５】現像処理部の構成を説明するための図解的な側
面図である。
面図である。
【図６】熱処理部の構成を説明するための図解的な断面
図である。
図である。
【図７】加圧処理部の構成を説明するための図解的な断
面図である。
面図である。
【図８】剥離処理部の構成を説明するための図解的な断
面図である。
面図である。
【図９】基板処理工程の一例を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１０】図９の基板処理工程を説明するための流れ図
である。
である。
【図１１】基板処理工程の他の例を説明するための断面
図である。
図である。
【図１２】図１１の基板処理工程を説明するための流れ
図である。
図である。
【図１３】この発明の他の実施形態に係る基板処理装置
のレイアウトを示す図解的な平面図である。
のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図１４】図１３の基板処理装置におけるエッチング処
理部の構成を説明するための図解的な側面図である。
理部の構成を説明するための図解的な側面図である。
【図１５】図１３の基板処理装置によって実行可能な処
理フローの一例を示す流れ図である。
理フローの一例を示す流れ図である。
１ インデクサ部
２ 基板処理部
３ インタフェース部
４ 露光機
５ 仮置台
１１ カセット載置部
１２ インデクサロボット
２１ 主搬送ロボット
２４，２５ 熱処理部
２６ 加圧処理部
２７ 塗布処理部
２８ 現像処理部
２９ 剥離処理部
３０ 金属配線
３１ ＳＯＤ塗布膜
３２ レジスト膜
３３ 層間配線用開口
３４ 開口
４０ エッチング処理部
６１ 基板保持ステージ
６２ 加圧板保持ステージ
６３，６４ 加熱機構
６５ 排気バルブ
６６ 真空ポンプ
７１ スピンチャック
７３ ＳＯＤ液吐出ノズル
７４ レジスト液吐出ノズル
８１ スピンチャック
８３ 現像液吐出ノズル
８４ 純水吐出ノズル
９２ 剥離用プレート
９３ 加圧板保持部
１０１ スピンチャック
１０３ エッチング液吐出ノズル
１０４ 純水吐出ノズル
ＣＳ１ カセット
ＣＳ２ カセット
ＣＷ１ カセット
ＣＷ２ カセット
ＨＨ ホットプレート
ＨＳ ハンド
ＨＷ ハンド
Ｓ 加圧板
ＷＦ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６５
(72)発明者 上山 勉
京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁
目天神北町１番地の１ 大日本スクリーン
製造株式会社内
Ｆターム(参考） 2H025 AA18 AB14 AB15 AB16 EA05
FA15
2H096 AA25 AA26 AA28 CA12 DA00
GA08
4F042 AA02 AA07 AA08 AA10 BA06
CB03 DC00 DD06 DD21 EB17
EB29
5F045 AF03 BB02 EB20 HA16
5F046 CD01 CD05 JA02 JA05 JA15
JA22 KA04 KA07 LA01
Claims (5)
- 【請求項１】基板に塗布液を供給する塗布処理部と、 基板上に形成された塗布膜を加圧する加圧処理部と、 露光用マスクを用いて選択的に露光された塗布膜を担持
する基板に対して現像液を供給する現像処理部とを含む
ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】上記加圧処理部は、上記塗布膜に密接する
平坦面を有する加圧板を、上記基板に対して相対的に接
近させることによって上記塗布膜に密着させて当該塗布
膜を加圧するものであることを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置。 - 【請求項３】上記加圧処理部は、上記加圧板を保持する
加圧板保持手段と、上記基板を保持する基板保持手段
と、上記加圧板保持手段と上記基板保持手段とを相対的
に接近させる加圧機構とを含み、 上記基板処理装置は、上記基板に密着した加圧板を剥離
する剥離手段をさらに含むことを特徴とする請求項２記
載の基板処理装置。 - 【請求項４】上記塗布処理部は、基板上に下地膜用塗布
液を供給する手段と、下地膜が形成された基板上に感光
性塗布液を供給する手段とを含み、 上記基板処理装置は、感光性塗布膜をマスクとして、こ
の感光性塗布膜の下に存在する下地膜をエッチングする
ためのエッチング処理部をさらに含むことを特徴とする
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項５】上記塗布処理部は、多孔質の塗布膜を形成
するための塗布液を基板に供給するものであることを特
徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307745A JP4018892B2 (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 基板処理装置 |
| US10/256,120 US6893805B2 (en) | 2001-10-03 | 2002-09-25 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR10-2002-0060048A KR100498129B1 (ko) | 2001-10-03 | 2002-10-02 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| TW091122733A TW578204B (en) | 2001-10-03 | 2002-10-02 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001307745A JP4018892B2 (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115441A true JP2003115441A (ja) | 2003-04-18 |
| JP4018892B2 JP4018892B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=19127164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001307745A Expired - Fee Related JP4018892B2 (ja) | 2001-10-03 | 2001-10-03 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6893805B2 (ja) |
| JP (1) | JP4018892B2 (ja) |
| KR (1) | KR100498129B1 (ja) |
| TW (1) | TW578204B (ja) |
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| DE102007063163B4 (de) | 2007-12-19 | 2009-12-10 | Karl-Heinz Fehr | Beschichtungsanlage |
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| KR101156769B1 (ko) | 2009-10-09 | 2012-06-18 | 주식회사 신성프리시젼 | 지그를 이용한 금속박판 에칭공법 |
| JP2015035585A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜システム |
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| JPH0786155A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Japan Energy Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3278714B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2002-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置 |
| KR19980023315A (ko) * | 1996-09-25 | 1998-07-06 | 김광호 | 포토레지스트막 평탄화방법 |
| JPH10135198A (ja) | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成方法 |
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| JP2020077671A (ja) * | 2018-11-05 | 2020-05-21 | キヤノン株式会社 | 平坦化層形成装置、および、物品製造方法 |
| JP7129315B2 (ja) | 2018-11-05 | 2022-09-01 | キヤノン株式会社 | 平坦化層形成装置、平坦化方法、および、物品製造方法 |
| KR102580550B1 (ko) | 2018-11-05 | 2023-09-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 평탄화층 형성 장치 및 물품 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030064609A1 (en) | 2003-04-03 |
| TW578204B (en) | 2004-03-01 |
| KR100498129B1 (ko) | 2005-07-01 |
| KR20030029468A (ko) | 2003-04-14 |
| JP4018892B2 (ja) | 2007-12-05 |
| US6893805B2 (en) | 2005-05-17 |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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