JP2003037098A - 基板洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】種々の仕様に対応可能な基板洗浄方法を提供す
ること。 【解決手段】基板の両面を洗浄するにあたり、基板Ｗの
一方の面を基板を回転させながら液体を用いて第１の洗
浄を行い、基板Ｗの他方の面を基板を回転させながら液
体を用いて第２の洗浄を行う。そして、第１の洗浄と第
２の洗浄との間および第２の洗浄の後で加熱乾燥工程を
実施するか、第２の洗浄の後のみに加熱乾燥工程を実施
するか、または加熱乾燥工程を実施しないかのレシピを
選択し、このレシピに基づいて加熱乾燥工程を実施する
か、実施しないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ基板等の基板の両面を洗浄する洗浄方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
シリコンウエハに代表される半導体ウエハ上に例えば回
路や電極パターン等を形成するために、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジ
スト膜に転写し、これを現像処理する一連の処理が施さ
れる。

【０００３】このような処理においては、半導体ウエハ
上にレジスト液を塗布し、その後露光工程、現像工程が
行われるが、このような一連の所定の処理を行う前に、
回路パターンの欠陥発生や配線のショートなどを防止す
るためにレジスト液が塗布される半導体ウエハの表面を
洗浄するとともに、露光時の焦点のずれやパーティクル
の発生を防止するためにその裏面をも洗浄する必要があ
る。

【０００４】そこで、従来、半導体ウエハに洗浄液を供
給しながら、その表裏面をブラシ洗浄する洗浄装置が用
いられている。通常このような洗浄装置は、搬送路の両
側に表面洗浄ユニット、裏面洗浄ユニット、ウエハ反転
ユニット、加熱・冷却ユニットが配列され、搬送路を移
動する搬送機構を有している。そしてこのような装置に
より半導体ウエハの洗浄を行う場合には、予め設定され
たレシピに従って、搬送機構により各ユニットへ半導体
ウエハが搬送され、所定の処理が実施される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな洗浄処理においては、乾燥処理等において、種々の
ユーザーの仕様に対応可能な汎用性の高いことが要求さ
れており、一つのレシピに従って基板の洗浄処理を実施
するだけでは不十分である。

【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、種々の仕様に対応可能な基板洗浄方法を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、第１に、基板の一方の面を基板を回転させ
ながら液体を用いて洗浄する第１の洗浄工程と、基板の
他方の面を基板を回転させながら液体を用いて洗浄する
第２の洗浄工程とにより基板の両面を洗浄する基板洗浄
方法であって、第１の洗浄工程と第２の洗浄工程との間
および第２の洗浄工程の後で加熱乾燥工程を実施する
か、第２の洗浄工程の後のみに加熱乾燥工程を実施する
か、または加熱乾燥工程を実施しないかのうちからいず
れか１つのレシピを選択するレシピ選択工程と、前記レ
シピ選択工程において選択されたレシピに従って加熱乾
燥工程を実施する、あるいは実施しない工程とを有する
ことを特徴とする基板洗浄方法を提供する。

【０００８】第２に、基板の一方の面を基板を回転させ
ながら液体を用いて洗浄する第１の洗浄工程と、基板の
他方の面を基板を回転させながら液体を用いて洗浄する
第２の洗浄工程とにより基板の両面を洗浄する基板洗浄
方法であって、第１の洗浄工程と第２の洗浄工程との間
および第２の洗浄工程の後で加熱乾燥工程を実施する
か、第２の洗浄工程の後のみに加熱乾燥工程を実施する
か、または加熱乾燥工程を実施しないかのうちからいず
れか１つのレシピを選択する第１のレシピ選択工程と、
前記第１の洗浄工程に先立って、基板の前記一方の面に
紫外線を照射するか、照射しないかのいずれかのレシピ
を選択する第２のレシピ選択工程と、前記第１のレシピ
選択工程において選択されたレシピに従って加熱乾燥工
程を実施する、あるいは実施しない工程と、前記第２の
レシピ選択工程において選択されたレシピに従って基板
の一方の面に紫外線を照射する、あるいは照射しない工
程とを有することを特徴とする基板洗浄方法を提供す
る。

【０００９】第１の発明においては、洗浄液による基板
洗浄後の加熱乾燥の態様を選択可能であるから、種々の
仕様に対応可能である。すなわち、基板を回転させなが
ら液体により基板を洗浄する場合は、洗浄後に基板を回
転させることにより洗浄液を振り切れば洗浄液はほとん
ど残存しないから、あえて加熱乾燥工程を行わなくても
よいし、また、洗浄液をより完全に乾燥しようとする場
合には第２の洗浄の後に加熱乾燥を行うことが考えられ
るし、さらに、第１の洗浄の後および第２の洗浄の後に
加熱乾燥を行うことも考えられる。したがって、これら
を選択的に実行可能とすることで、極めて自由度の高い
洗浄処理が実現される。

【００１０】第２の発明においては、洗浄液による基板
洗浄後の加熱乾燥の態様を選択可能であり、しかも紫外
線照射による洗浄の有無も選択可能であるから、さらに
自由度の高い洗浄処理が実現される。

【００１１】なお、上記第１および第２の発明において
は、加熱乾燥工程の後に基板を冷却する冷却工程を実施
することが好ましい。また、第２の発明において、紫外
線を照射する工程では、基板の一方の面に紫外線を照射
すると同時に基板の他方の面を加熱することが好まし
い。これにより紫外線照射による有機物の除去効果を一
層高めることができる。そして、加熱の有無にかかわら
ず、紫外線を照射した後は、基板を冷却することが好ま
しい。また、いずれの場合でも、第１の洗浄工程と第２
の洗浄工程との間よび第２の洗浄工程の後に基板反転工
程を実施することが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基いて詳細に説明する。図１は本発明の一実施形
態に係る半導体ウエハの洗浄装置を示す斜視図である。

【００１３】この洗浄装置は、複数の半導体ウエハＷを
収容するカセットＣを載置するカセットステーション１
と、複数のユニットを有する洗浄処理ステーション２と
を具備している。

【００１４】上記カセットステーション１は、被処理体
としての半導体ウエハＷを複数枚例えば２５枚単位でウ
エハカセットＣに搭載された状態で他の装置からこの装
置へ搬入またはこの装置から他の装置へ搬出したり、洗
浄処理ステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行
うためのものである。このカセットステーション１の洗
浄処理ステーション２側には、カセットＣの配列方向に
沿って通路１０が設けられている。そして、この通路１
０に沿って移動するカセットステーションアーム１１が
設けられており、このカセットステーションアーム１１
により各カセットＣと洗浄処理ステーション２との間で
半導体ウエハＷの搬送が行われる。

【００１５】洗浄処理ステーション２は、中央に通路２
０を有しており、この通路２０は上述の通路１０とＴ字
型に交わっている。また、洗浄処理ステーション２は、
通路２０の両側に配置された複数のユニットを有してい
る。すなわち、通路２０の一方の側には、２つの表面洗
浄ユニット２１および熱系ユニット群２２が並置されて
おり、他方の側には、２つの裏面洗浄ユニット２３およ
び反転ユニット群２４が並置されている。熱系ユニット
群２２は、４つのユニットが重ねられており、上３段が
加熱ユニット２５であり、最下段が冷却ユニット２６で
ある。なお、加熱ユニット２５の最上段は紫外線照射ラ
ンプを備え、半導体ウエハ２５の上面に紫外線を照射す
ることが可能となっている。また、反転ユニット群２４
は、２つのユニットが重ねられており、上段の反転ユニ
ット２７は半導体ウエハの反転機構のみを有しており、
下段の反転ユニット２８は半導体ウエハの反転機構の
他、半導体ウエハのアライメント機構を有している。

【００１６】また、洗浄処理ステーション２は、通路２
０に沿って移動可能な半導体ウエハ搬送用の搬送機構３
を有している。この搬送機構３は前後移動、回転移動お
よび垂直移動が可能な搬送メインアーム３１を有してお
り、このメインアーム３１により、カセットステーショ
ンアーム１１との間の半導体ウエハの受け渡し、各ユニ
ットへの半導体ウエハの搬送および各ユニットに対する
半導体ウエハの搬入出が実施される。

【００１７】表面洗浄ユニット２１および裏面洗浄ユニ
ット２３は、図２の断面図および図３の平面図に示すよ
うな構造を有している。これら洗浄ユニットは、本体４
１と、半導体ウエハＷを回転可能に支持するスピンチャ
ック４２と、スピンチャック４２に保持された半導体ウ
エハＷの上面を洗浄する洗浄部４３と、超音波振動水を
供給するための超音波水供給機構４４と、半導体ウエハ
の表面にリンス液（例えば純水）を供給するためのリン
ス液ノズル４５とを備えている。また、スピンチャック
４２の周囲には、洗浄液等が周囲に飛散することを防止
するためのカップ４６が設けられている。

【００１８】スピンチャック４２は、図４に示すよう
に、その本体４２ａの周囲に３個の可動ピン７１と６個
の固定ピン７２が設けられており、半導体ウエハは可動
ピン７１によりロックされて保持される。この場合のロ
ック機構は、図５に示すようなものである。すなわち、
可動ピン７１は、軸７１ａを中心として回動可能なかぎ
状をなしており、この可動ピン７１の水平部分７１ｂと
本体４２ａとの間にはスプリング７４が設けられてい
て、可動ピン７１の水平部分７１ｂの下方にはシリンダ
７３が設けられている。したがって、シリンダ７３のピ
ストン７３ａが退入した状態ではスプリング７４の付勢
力により可動ピン７１が内側へ回動して半導体ウエハＷ
がロックされる。さらに、ウエハＷが回転する際の遠心
力により、ウエハＷが確実にロックされる。また、ピス
トン７３ａが突出することにより、可動ピン７１の水平
部分７１ｂが押されて可動ピン７１が外側へ回動しロッ
クが解除される。このような機械的な保持機構を用いる
ことにより、半導体ウエハを反転する際のアライメント
が不要となる。なお、半導体ウエハの保持手段として
は、このような機械的なものに限らず、真空吸着等他の
手段を用いることが可能であるが、その際の半導体ウエ
ハの反転には、アライメント機構を有する反転ユニット
２８を用いる必要がある。

【００１９】洗浄部４３は、図２および図３に示すよう
に、本体４１のベースにおけるスピンチャック４２の側
方に配設されている。この洗浄部４３は、支持柱５７に
回動可能に取り付けられたアーム５１を有し、アーム５
１の先端部には軸５４を介して洗浄ブラシ５３が設けら
れている。支持柱５７は支持部材５５により本体４１に
支持され、その上方には、ブラシ５３を回転させるため
のステッピングモータ５６が設けられている。また、図
示はしていないが、本体４１の下には、アーム５１を回
動させるためのステッピングモータおよびブラシ５３を
上下動させるためのシリンダが設けられている。

【００２０】アーム５１は、モータにより図３の２点鎖
線で示す待機位置と半導体ウエハＷ上の洗浄位置との間
で回動される。待機位置において洗浄ブラシ５３は洗浄
ブラシ洗浄部５８の中で洗浄される。半導体ウエハＷを
洗浄するに際しては、ブラシ５３が上昇した状態でアー
ム５１が半導体ウエハＷ上に回動され、ブラシ５３が下
降されることにより図２に示すようにブラシ５３がウエ
ハＷの表面に当接する。この状態で半導体ウエハＷを回
転させるとともに、ブラシ５３に洗浄液（例えば純水）
を供給しながらブラシ５３を回転させて洗浄を行う。

【００２１】超音波水供給機構４４は、図２および図３
に示すように、本体４１のベースにおける、スピンチャ
ック４２を挟んで洗浄部４３と反対側に設けられてい
る。この超音波水供給機構４４は支持柱６３に回動可能
に取り付けられたアーム６１を有し、アーム６１の先端
に超音波水ノズル６２が設けられ、支持柱６３は支持部
材６５により本体４１に支持されている。そして、アー
ム６１は図示しない駆動機構により、図３に示す退避位
置と半導体ウエハＷの上方の洗浄位置との間で回動され
洗浄位置において、超音波水ノズル６２から所定の周波
数で励振された洗浄液が半導体ウエハＷに噴射される。
なお、このような超音波水供給機構に代えて高圧ジェッ
ト水をスプレーして洗浄する機構を設けてもよい。

【００２２】リンス液ノズル４５は、スピンチャック４
２の外側に設けられており、半導体ウエハＷの洗浄後の
残留物を洗い流すために、その上面にリンス液（例えば
純水）を供給するためのものである。このリンス液ノズ
ル４５は、リンス液の吐出方向が調整可能となってい
る。

【００２３】このような洗浄ユニットにおいては、スピ
ンチャック４２に半導体ウエハＷを保持させた状態で、
半導体ウエハＷに洗浄液を供給しながら洗浄ブラシ５３
によりブラシ洗浄を行う。あるいは、超音波水ノズル６
２から半導体ウエハＷに超音波水を供給して超音波洗浄
を行う。洗浄処理後、リンス液ノズル４５から半導体ウ
エハＷにリンス液を供給してウエハＷ表面の残留物を洗
い流す。そして、最後に半導体ウエハを回転させて振り
切り乾燥を行う。

【００２４】次に、加熱ユニット２５について図６を参
照しながら説明する。この加熱ユニットは、振り切り乾
燥された半導体ウエハＷをさらに乾燥させるためのもの
である。加熱ユニット２５は、筐体８０を有し、その中
に半導体ウエハＷを加熱して乾燥させるための熱板８１
がその面を水平にして配置されている。この熱板８１に
はヒーター（図示せず）が装着されており、所望の温度
に設定可能となっている。

【００２５】この熱板８１の表面には、複数のスペーサ
８２が設けられており、このスペーサ８２によって半導
体ウエハＷが保持される。すなわち、プロキシミティー
方式が採用されており、熱板８１と半導体ウエハＷとの
直接の接触を避け、熱板８１からの放熱によって半導体
ウエハＷを加熱するようになっている。これにより熱板
８１からの半導体ウエハＷの汚染が防止される。各スペ
ーサー８２には位置決め部材８３がねじ止めされてお
り、これにより半導体ウエハＷが位置決めされる。これ
ら位置決め部材８３は、いわゆる落とし込みにより半導
体ウエハＷを位置決めするようになっている。

【００２６】熱板８１にはリフトピン８４が設けられて
おり、このリフトピン８４は駆動機構８５により上下動
し、突没可能となっている。そして、半導体ウエハの搬
入の際には、リフトピン８４が突出して半導体ウエハＷ
を受け取り、搬出の際には半導体ウエハＷを持ち上げ
る。そして、加熱乾燥の際にはリフトピン８４は熱板８
１内に退入した状態となる。

【００２７】紫外線照射ランプ８６は、加熱ユニット２
５のうち最上段のものに設けられている。この紫外線照
射ランプ８６は、半導体ウエハＷの上方位置になるよう
に筐体８０の上壁部に設けられており、半導体ウエハＷ
の上面に紫外線を照射することにより有機物の除去を行
う。この際に、熱板８１により半導体ウエハＷの下面を
加熱しながら紫外線を照射することにより、有機物の除
去効果が一層高まる。この紫外線照射ランプ８６による
紫外線の照射は、必要に応じて、洗浄液による洗浄に先
立って行われる。

【００２８】なお、冷却ユニット２６は、加熱ユニット
２５により加熱された半導体ウエハＷを冷却するもので
あり、冷却板の上にスペーサーを介して半導体ウエハＷ
を載置し、プロキシミティー方式により冷却するもので
ある。

【００２９】次に、図７を参照しながら、この装置の制
御系について説明する。この装置では、予め設定された
レシピに基づいて、ＣＰＵ９０により制御が行われる。
ＣＰＵ９０には、メモリ９３が接続されており、ここに
後述する種々の洗浄シーケンスに対応するレシピが記憶
されている。また、操作部９１において、所望のシーケ
ンスを選択してＣＰＵ９０に信号を送ることにより、レ
シピコントローラ９２が所望のレシピを選択し、そのレ
シピに基づいて、ＣＰＵ９０が、各ユニット、搬送機
構、および紫外線ランプを制御する。

【００３０】このように構成される洗浄装置において
は、まず、カセットステーション１において、カセット
ステーションアーム１１がカセットステーション１上の
未処理のウエハＷを収容しているカセットＣにアクセス
して、そのカセットＣから１枚のウエハＷを取り出す。
ウエハＷのセンタリングを行った後、カセットステーシ
ョンアーム１１から洗浄処理ステーション２における搬
送機構３のメインアーム３１にウエハＷが受け渡され
る。

【００３１】その後、メインアーム３１上の半導体ウエ
ハＷは、所定のレシピに従って所定のユニットに搬入さ
れ、その後そのレシピに基づいてメインアーム３１によ
り各ユニットに搬送され一連処理が行われる。

【００３２】本実施形態においては、表面洗浄ユニット
２１における半導体ウエハ表面の洗浄、反転ユニット２
７または２８における半導体ウエハの反転、裏面洗浄ユ
ニット２３における半導体ウエハ裏面の洗浄、および反
転ユニット２７または２８における半導体ウエハの再反
転を基本とし、操作部９１により各洗浄ユニットの後の
加熱乾燥、表面洗浄ユニット２１における表面洗浄に先
立って行われる紫外線照射が選択的に設定され、それに
対応してレシピコントローラ９２が所望のレシピを選択
し、そのレシピに基づいて、ＣＰＵ９０が各ユニット、
搬送機構、および紫外線ランプを制御する。

【００３３】具体的には、図８の（１）〜（６）の工程
を選択することができる。（１）においては、カセット
ステーション１からメインアーム３１が半導体ウエハＷ
を受け取った後（ＳＴ１）、最上段の加熱ユニット２５
に半導体ウエハＷを搬入し、半導体ウエハＷの下面（裏
面）を加熱しながら、紫外線ランプ８６により半導体ウ
エハＷの上面（表面）に紫外線を照射し、有機物の除去
を行う（ＳＴ２）。その後、メインアーム３１により半
導体ウエハＷをいずれかの表面洗浄ユニット２１に搬入
し、そこで半導体ウエハＷの表面の洗浄および振り切り
乾燥を行う（ＳＴ３）。そして、メインアーム３１によ
り半導体ウエハＷをいずれかの加熱ユニット２５に搬入
し、そこで加熱乾燥した後、冷却ユニット２６に搬入し
て半導体ウエハＷを冷却する（ＳＴ４）。その後、メイ
ンアーム３１により半導体ウエハを反転ユニット２７ま
たは２８に搬入して反転させ（ＳＴ５）、次いでいずれ
かの裏面洗浄ユニット２３に搬入し、そこで半導体ウエ
ハＷの裏面洗浄および振り切り乾燥を行う（ＳＴ６）。
その後、メインアーム３１により再び半導体ウエハＷを
反転ユニット２７または２８に搬入して反転させ（ＳＴ
７）、加熱乾燥および冷却を行い（ＳＴ８）、最後にカ
セットステーション１の処理済みウエハ用のカセットに
戻して一連の処理が終了する（ＳＴ９）。このように、
紫外線照射工程を入れることにより、有機物を除去する
ことができ、さらに、表面洗浄後および裏面洗浄後の両
方に加熱乾燥工程を入れることにより、確実に乾燥する
ことができる。

【００３４】（２）は、（１）からＳＴ２の紫外線照射
工程を除いたものである。有機物の除去が不要な場合に
は、この工程を選択すればよい。また、（３）は、
（１）からＳＴ４の表面洗浄後の加熱乾燥工程を除いた
ものであり、ＳＴ８の裏面乾燥後の加熱乾燥で十分な場
合には、この工程を選択すればよい。さらに、（４）
は、（３）からＳＴ２の紫外線照射工程を除いたもので
あり、（３）において有機物の除去が不要な場合には、
この工程を選択すればよい。さらにまた、（５）は
（３）からＳＴ８の裏面洗浄後の加熱乾燥工程を除いた
ものであり、振り切り乾燥で十分な場合には、この工程
を選択すればよい。さらにまた、（６）は、（５）から
ＳＴ２の紫外線照射工程を除いたものであり、（５）に
おいて有機物の除去が不要な場合には、この工程を選択
すればよい。

【００３５】このように、基板洗浄後の加熱乾燥を種々
の態様から選択可能であり、しかも紫外線照射による洗
浄の有無も選択可能であるから、種々の仕様に対応可能
であり、極めて自由度の高い洗浄処理を実現することが
できる。

【００３６】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば、上記実施の
形態では、紫外線照射の有無を選択可能としたが、常に
紫外線を照射するようにしてもよいし、常に紫外線を照
射しないようにしてもよい。また、上記実施の形態で
は、半導体ウエハの表面から洗浄するようにしたが、裏
面から洗浄するようにしてもよい。さらに、被洗浄基板
も半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ガラス基板、Ｃ
Ｄ基板、フォトマスク、プリント基板等種々のものに適
用可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄液による基板洗浄後の加熱乾燥の態様を選択可能で
あるから、種々の仕様に対応可能であり、極めて自由度
の高い洗浄処理が実現される。また、さらに紫外線照射
の有無も選択可能とすることにより、さらに自由度の高
い洗浄処理が実現される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置を示す
斜視図。

【図２】図１の基板洗浄装置における洗浄ユニットを示
す断面図。

【図３】図１の基板洗浄装置における洗浄ユニットを示
す平面図。

【図４】洗浄ユニットに用いられる機械的保持機構を備
えたスピンチャックを示す平面図。

【図５】図４のスピンチャックのロック機構を示す側面
図。

【図６】図１の基板洗浄装置における加熱ユニットを示
す断面図。

【図７】図１の基板洗浄装置の制御系を示すブロック
図。

【図８】図１の基板洗浄装置による洗浄動作を示すフロ
ーチャート。

【符号の説明】

１……カセットステーション ２……洗浄処理ステーション ３……搬送機構 １０，２０……通路 １１……カセットステーションアーム ２１……表面洗浄ユニット ２２……熱系ユニット群 ２３……裏面洗浄ユニット ２４……反転ユニット群 ２５……加熱ユニット ２６……冷却ユニット ２７，２８……反転ユニット ８６……紫外線照射ランプ ９０……ＣＰＵ ９１……操作部 ９２……レシピコントローラ ９３……メモリ Ｗ……半導体ウエハ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一方の面を基板を回転させながら
   液体を用いて洗浄する第１の洗浄工程と、基板の他方の
   面を基板を回転させながら液体を用いて洗浄する第２の
   洗浄工程とにより基板の両面を洗浄する基板洗浄方法で
   あって、 第１の洗浄工程と第２の洗浄工程との間および第２の洗
   浄工程の後で加熱乾燥工程を実施するか、第２の洗浄工
   程の後のみに加熱乾燥工程を実施するか、または加熱乾
   燥工程を実施しないかのうちからいずれか１つのレシピ
   を選択するレシピ選択工程と、 前記レシピ選択工程において選択されたレシピに従って
   加熱乾燥工程を実施する、あるいは実施しない工程とを
   有することを特徴とする基板洗浄方法。
2. 【請求項２】 基板の一方の面を基板を回転させながら
   液体を用いて洗浄する第１の洗浄工程と、基板の他方の
   面を基板を回転させながら液体を用いて洗浄する第２の
   洗浄工程とにより基板の両面を洗浄する基板洗浄方法で
   あって、 第１の洗浄工程と第２の洗浄工程との間および第２の洗
   浄工程の後で加熱乾燥工程を実施するか、第２の洗浄工
   程の後のみに加熱乾燥工程を実施するか、または加熱乾
   燥工程を実施しないかのうちからいずれか１つのレシピ
   を選択する第１のレシピ選択工程と、 前記第１の洗浄工程に先立って、基板の前記一方の面に
   紫外線を照射するか、照射しないかのいずれかのレシピ
   を選択する第２のレシピ選択工程と、 前記第１のレシピ選択工程において選択されたレシピに
   従って加熱乾燥工程を実施する、あるいは実施しない工
   程と、 前記第２のレシピ選択工程において選択されたレシピに
   従って基板の一方の面に紫外線を照射する、あるいは照
   射しない工程とを有することを特徴とする基板洗浄方
   法。
3. 【請求項３】 前記加熱乾燥工程の後に基板を冷却する
   冷却工程を実施することを特徴とする請求項１または請
   求項２に記載の基板洗浄方法。
4. 【請求項４】 前記紫外線を照射する工程において、基
   板の一方の面に紫外線を照射すると同時に基板の他方の
   面を加熱することを特徴とする請求項２に記載の基板洗
   浄方法。
5. 【請求項５】 前記紫外線を照射する工程の後に基板を
   冷却する冷却工程を実施することを特徴とする請求項２
   または請求項４に記載の基板洗浄方法。
6. 【請求項６】 第１の洗浄工程と第２の洗浄工程との間
   および第２の洗浄工程の後に基板反転工程を有すること
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に
   記載の基板洗浄方法。