JP2003101204A - 配線基板及び配線基板の製造方法並びに電子部品 - Google Patents

配線基板及び配線基板の製造方法並びに電子部品

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JP2003101204A
JP2003101204A JP2001290695A JP2001290695A JP2003101204A JP 2003101204 A JP2003101204 A JP 2003101204A JP 2001290695 A JP2001290695 A JP 2001290695A JP 2001290695 A JP2001290695 A JP 2001290695A JP 2003101204 A JP2003101204 A JP 2003101204A
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conductive
insulating substrate
electronic component
wiring board
thickness
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Taro Hirai
太郎 平井
Goro Ikegami
五郎 池上
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電ランド上に電子部品本体を粘稠性を有す
る導電性接着材でマウントした電子部品は小型化すると
接着材が導電ランドから食み出すことがあった。 【解決手段】 絶縁基板１１の一主面に、周縁部厚みが
中央部厚みに比して肉厚に形成された導電ランド１２を
有する配線基板１０と、上記導電ランド１２の中央部分
に導電性接着材１５を介して電気的にマウントされた電
子部品本体１４とを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は小型の電子部品用配
線基板及びその製造方法並びにこの配線基板を用いた電
子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】小型、軽量で可搬型の電子回路装置、例
えばディジタルカメラやノート型パーソナルコンピュー
タは、これに用いられる構造部品、機構部品だけでな
く、電子部品も小型、軽量化が要求されている。
【０００３】そのため、電子部品本体を小型化すること
の他、電子部品本体は多少大きくなっても周辺の機能が
異なる回路ブロックを集積して、実質的に小型化を実現
している。
【０００４】小型の電子部品は量産性を良好にするた
め、一般的にリードフレームが用いられ、樹脂封止によ
り外装しているが、電子部品本体を小型化するもので
も、パッケージ構造を改善して一層の小型化に努力して
いる。
【０００５】この例を図９に示す。図において、１は配
線基板で、セラミックや耐熱性樹脂などの矩形状絶縁基
板２上を多数の領域に区画し、各区分領域の両面に導電
ランド３、４をそれぞれ所定のパターンに形成したもの
である。絶縁基板２の表面の導電ランド３は図示例では
矩形状の径大導電ランド３ａと、各導電ランド３ａの近
傍に独立して配置された一対の径小導電ランド３ｂ、３
ｃで構成されている。また裏面の導電ランド４も表面の
導電ランド３ａ、３ｂ、３ｃとほぼ同様の形状に形成さ
れ、表裏の対応する導電ランド３、４は図示省略するが
絶縁基板２を貫通した貫通孔を通して互いに電気的に接
続されている。
【０００６】この導電ランド３、４は絶縁基板２がセラ
ミックなどの高温に耐える材料の場合、導電ペーストを
スクリーン印刷しこの導電ペーストを焼き付けて形成さ
れるが、絶縁基板２が樹脂の場合、絶縁基板２の表面を
粗面化しこの粗面にめっき触媒を付与して無電解めっき
によりめっき金属を析出させ、この上にさらに無電解め
っきしたり電解めっきして十分な厚みのめっき層を形成
している。
【０００７】５は電子部品本体、例えば半導体ペレット
で、図示省略するが裏面に一つの電極が形成され、表面
に２つの電極が形成されており、裏面電極が導電性接着
材６を介して径大の導電ランド３ａに電気的に接続され
てマウントされている。７、８は電子部品本体５上の電
極と径小導電ランド３ｂ、３ｃをそれぞれ電気的に接続
するワイヤを示す。９は絶縁基板２上を一定の厚みで被
覆した外装樹脂を示す。
【０００８】この電子部品中間構体は切断工程に送ら
れ、配線基板１の区画領域（図示点線部分）を回転ブレ
ード（図示せず）を用いて切断し、図１０に示す個々の
電子部品を得ている。
【０００９】この種電子部品は例えば特開平１１−２６
５９６４号公報（先行技術）に開示ざれており、各導電
ランド３、４が互いに近接して絶縁基板２に固定される
ためリードフレームを用いたものに比して小型軽量化が
可能である。また一枚の絶縁基板２で数１０〜数１００
の半導体装置を一括して製造することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子部品本
体５の径大導電ランド３ａへの供給は一般的に吸着コレ
ット（図示せず）が用いられる。
【００１１】また導電性接着材６はシリンジを用いた滴
下法やスクリーン印刷法により導電ランド３上に供給さ
れるが、滴下法では粘稠性導電性接着材の供給量のばら
つきが大きく、一辺長さが０．５ｍｍ以下の電子部品本
体５では供給量が過多であると電子部品本体５が導電性
接着材６に埋まり、接着材６の一部が吸着コレットに付
着することがある。
【００１２】また電子部品本体５により押し退けられた
余剰の接着材６が隣接する導電ランド３ａ、３ｂ、３ｃ
に付着し、組みをなす導電ランド間に付着すると、電気
的に短絡状態となり不良となる。また余剰の接着材６が
異なる組みの導電ランドに付着すると図１１に示すよう
に導電ランド３ａから食み出した導電性接着材６が樹脂
９から露呈し、外観不良となるだけでなく、樹脂９と接
着材６の界面から水分が内部に浸入し耐湿性を低下させ
近接配置された他の電子部品との間の短絡事故や耐電圧
低下などの問題を引き起こす虞があった。また回転ブレ
ードの切削性が短期間で低下するという問題もあった。
【００１３】これに対してスクリーン印刷法による導電
性接着材６の供給は接着材の供給量、供給位置が安定で
ある。
【００１４】しかしながら接着材６が多数の導電ランド
３上に一括して供給されるのに対して電子部品本体５の
供給は時間を要するため、供給量が多い径大導電ランド
３ａ上に供給した粘稠性導電性接着材６が時間とともに
流動し、近接する径小導電ランド３ｂ、３ｃに近接また
は短絡することがある。
【００１５】そのため導電性接着材６の厚みを薄くして
供給量を減少させればよいが、導電性接着材６を供給
後、接着材６は時間とともに乾燥硬化し接着力が低下す
るため、同一の配線基板１上で最初に供給される電子部
品本体５と最後に供給される電子部品本体との間で接着
強度が著しく異なることがあった。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、絶縁基板の一主面に、
電子部品本体を導電性接着材を介してマウントし電気的
に接続する導電ランドを形成した配線基板において、上
記導電ランドの電子部品本体を囲む周縁部厚みを中央部
に比して肉厚にしたことを特徴とする配線基板を提供す
る。
【００１７】また本発明は、絶縁基板上に感光性レジス
ト膜を塗布し、このレジスト膜を所定のパタンに露光し
て窓明けする工程と、窓明け部分に露呈した絶縁基板上
に無電解めっきによる導電膜を形成する工程と、無電解
めっきした絶縁基板を、ブラインドビアホールの埋め込
み性に優れためっき添加剤を混合しためっき液中で電解
めっきして、窓明け部分の無電解めっき導電膜上に電解
めっき導電膜を形成する工程とを含み、上記電解めっき
導電膜の周縁部厚みを中央部厚みに比して肉厚に形成す
ることを特徴とする配線基板の製造方法を提供する。
【００１８】さらに本発明は、絶縁基板の一主面に、周
縁部厚みが中央部厚みに比して肉厚に形成された導電ラ
ンドを有する配線基板と、上記導電ランドの中央部分に
導電性接着材を介して電気的にマウントされた電子部品
本体とを含むことを特徴とする電子部品を提供する。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明による配線基板は、導電ラ
ンドの電子部品本体を囲む周縁部厚みを中央部に比して
肉厚にしたことを特徴とするが、絶縁基板の電子部品本
体がマウントされない面に外部電極となる平坦な導電ラ
ンドを形成し、絶縁基板を貫通した貫通孔を介して絶縁
基板両面の導電ランドを電気的に接続することができ
る。
【００２０】また本発明による配線基板の製造方法は、
無電解めっきした絶縁基板を、ブラインドビアホールの
埋め込み性に優れためっき添加剤を混合しためっき液中
で電解めっきして、窓明け部分の無電解めっき導電膜上
に電解めっき導電膜を形成することにより、電解めっき
導電膜の周縁部厚みを中央部厚みに比して肉厚に形成す
ることを特徴とする。
【００２１】また本発明による電子部品は絶縁基板の一
主面に、周縁部厚みが中央部厚みに比して肉厚に形成さ
れた導電ランドを有する配線基板と、上記導電ランドの
中央部分に導電性接着材を介して電気的にマウントされ
た電子部品本体とを含むことを特徴とするが、絶縁基板
の他の主面に平坦な導電膜を形成し、絶縁基板両面の導
電膜を電気的に接続することもできる。
【００２２】
【実施例】以下に本発明を適用した電子部品の実施例を
図１及び図２から説明する。先ず図１において、１０は
配線基板で、図３及び図４に示すように平面形状が矩形
状の樹脂製絶縁基板１１の両面に導電ランド１２、１３
を形成したもので、表面側の導電ランド１２は径大の矩
形状導電ランド１２ａとこの導電ランド１２ａの一端側
に近接配置された一対の径小の導電ランド１２ｂ、１２
ｃで組をなし、裏面側導電ランド１３は表面側導電ラン
ド１２と対応して配置され図示例では絶縁基板１１を貫
通した孔１１ａ、１１ｂ、１１ｃを通して電気的に接続
されている。導電ランド１２、１３はめっきにより形成
され略平坦であるが、少なくとも表面側の径大導電ラン
ド１２ａは中央部の厚みに比して周縁部の厚みがやや厚
くなるように内方から方に向かって上り傾斜の側断面形
状が略直角三角形の盛上り部Ａが形成されている。
【００２３】配線基板１０の外径寸法が、小型半導体装
置用で１．０×１．５×０．２５ｍｍのものでは、径大
導電ランド１２ａの中央部の厚みを２０〜３０μｍに設
定したとき、前記盛上り部Ａの底辺ａの長さは約３０〜
１００μｍ、高さｈは約１０〜２０μｍに設定されてい
る。
【００２４】図１において、１４は図示例では両面に主
電流が流れる径大の主電極１４ａ、１４ｂが形成され、
上面には主電流を制御するための制御信号が付与される
径小の制御電極１４ｃが形成された電子部品本体１４、
例えばトランジスタなどの半導体ペレットで、径大導電
ランド１２ａに銀ペーストなどの導電性接着材１５を介
して電気的、機械的にマウントされている。１６、１７
は電子部品本体１４上の主電極１４ｂと制御電極１４ｃ
とをそれぞれ径小導電ランド１２ｂ，１２ｃに電気的に
接続するワイヤを示す。１８は電子部品本体１４を含む
配線基板１０上を被覆し外装した樹脂を示す。
【００２５】この電子部品１９は外径寸法の厚みを０．
５ｍｍ以下に設定することが可能で表面実装が可能な小
型の電子部品に好適である。このように厚みを１．０ｍ
ｍより小さく設定することにより配線基板１０上の導電
ランド１２の寸法も小さくせざるを得ないが本発明によ
る電子部品１９は径大導電ランド１２ａの周縁に高さが
５〜２０μｍ程度の盛上り部Ａを形成することにより、
銀ペーストのような粘稠性のある導電性接着材１５の供
給量がばらついて適正量より多く供給されても盛上り部
Ａと電子部品本体１４の間に空間を形成することができ
るため、この空間部分に導電性接着材１５を保持し、基
板１０上の他の導電ランド１２ｂ、１２ｃに近接、短絡
するのを防止できる。具体的に、径大導電ランド１２ａ
の外径寸法を７５０μｍ、盛上り部Ａの底辺長さａを５
０μｍ、高さｈを１０μｍとすると、盛上り部Ａで囲ま
れる平坦部の容積は約４．２×１０６μｍ３、盛上り部
Ａ部分の容積は約７×１０５μｍ３で、盛上り部Ａの容
積は盛上り部Ａで囲まれる平坦部の容積の１／６（約１
６％）となり、導電ランド１２ａ上に供給された導電性
接着材１５が電子部品本体１４によって加圧され、電子
部品本体１４の底面から食み出す接着材１５を十分導電
ランド１２ａ上に保持することかできる。
【００２６】また仮に電子部品本体１４の底面から食み
出した導電性接着材１５が盛上り部Ａを越えても、径大
導電ランド１２ａからの食み出し量は少量ですみ、隣接
する導電ランド１２ｂ、１２ｃへの近接を防止でき、短
絡や耐電圧低下を防止でき、樹脂１８から外面に食み出
し、隣接する電子部品との間の短絡を防止できる。
【００２７】本発明による電子部品の製造に用いられる
配線基板の製造方法を以下に説明する。先ず図５に示す
ように両面を粗面化処理した樹脂製絶縁基板１１を用意
し、この基板１１の両面に感光性レジスト膜２０を塗布
し、このレジスト膜２０を所定のパタンに露光して窓明
けして窓明け部分２０ａに絶縁基板１１を露呈させる。
次ぎに図６に示すように基板１１の窓明け部分２０ａ、
２０ａに貫通孔１１ａを穿設する。そして図示省略する
がこの絶縁基板１１をめっき触媒液に浸漬し絶縁基板１
１の貫通孔１１ａを含む窓明け部分２０ａにめっき触媒
を付与する。さらにこの絶縁基板１１を無電解めっき液
に浸漬し、図７に示すように貫通孔１１ａ内をめっき材
料で充実し窓明け部分２０ａに露呈した絶縁基板１１上
にめっき層２１を形成する。
【００２８】これにより絶縁基板１１両面のめっき層２
１、２１は貫通孔１１ａの内周面を被覆しためっき層２
１ａにより電気的に接続されている。この後、絶縁基板
１１を電解めっき液に浸漬し、無電解めっき層２１上に
電解めっきする。硫酸銅を主成分とする電解めっき液に
レベラ系硫酸銅めっき添加剤を添加することにより貫通
孔１１ａ内をめっき材料で充実するとともに無電解めっ
き層を電解めっき層で覆い肉厚にする。このめっき液
は、硫酸銅１６０〜２４０ｇ／Ｌ、硫酸４０〜８０ｇ／
Ｌ、塩素イオン３０〜７０ｍｇ／Ｌ、添加剤（奥野製薬
工業／商品名「トップルチナＢＶＦ」）２〜１０ｍＬ／
Ｌを混合したもので、浴温１８〜３０℃、陰極電流密度
１〜５Ａ／ｄｍ２でめっきする。
【００２９】上記めっき条件により貫通孔１１ａ内はめ
っき材料で充実され、めっき層２１はめっき材料で覆わ
れて肉厚になる。このとき窓明け部分２０ａは開口周縁
部に沿って図８に示すようにめっき厚みが厚く形成さ
れ、レジスト膜２０を除去すると、周縁部の厚みが中央
部の厚みに比して肉厚の導電ランド１２を有する配線基
板１０が得られる。このように貫通孔１１ａを充実する
ためにめっき液に添加剤を添加するだけで、周縁部厚み
を中央部厚みより厚くした導電ランドを形成することが
でき、小形の電子部品用配線基板として利用することが
できる。
【００３０】上記実施例では両面にめっき層２１を形成
しこのめっき層２１、２１を貫通孔１１ａを充実しため
っき材料で電気的に接続した構造の配線基板の製造方法
であるが、めっき層２１は絶縁基板１１の片面にのみ形
成するものでも良く、この場合には貫通孔１１ａは不要
である。
【００３１】尚、本発明は上記実施例にのみ限定される
ものではなく、例えば十分厚い導電箔を積層した絶縁基
板をレジスト膜で被覆し、このレジスト膜を所定のパタ
ーンに窓明して、窓明け部分をエッチングして所定のパ
ターンの導電ランドを形成し、この導電ランドの周縁部
と重合してレジスト膜を形成し、導電ランドの中央部を
肉薄にエッチングして導電ランドの周縁部厚みを厚くす
ることもできる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明による配線基板は電
子部品本体がマウントされる導電ランドの周縁の厚みを
中央部に比較して厚く形成したから、少量の粘稠性導電
性接着材でも導電ランド上からの流出が防止でき、スク
リーン印刷法により一括供給しても導電ランド上に所定
量の接着材を保持することができる。また電子部品本体
の供給に用いられる吸着コレットに導電性接着材が付着
するのを防止できる。また余剰の接着材が隣接する導電
ランドに付着したり外装樹脂からの食み出しを防止でき
るから短絡事故や耐電圧低下などの問題を防止できる。
さらには外装樹脂を回転ブレードで切断する場合、ブレ
ードの損傷を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による電子部品を示す樹脂を透視した
側断面図
【図２】 図１に示す電子部品の平断面図
【図３】 本発明による配線基板の側断面図
【図４】 本発明による配線基板の平面図
【図５】 本発明による配線基板の製造方法を示す絶縁
基板の側断面図
【図６】 図５工程に続く配線基板の製造方法を示す絶
縁基板の側断面図
【図７】 図６工程に続く配線基板の製造方法を示す絶
縁基板の側断面図
【図８】 図７工程に続く配線基板の製造方法を示す絶
縁基板の側断面図
【図９】 小形の電子部品中間構体を示す一部透視斜視
図
【図１０】 図９中間構体から得られた電子部品を示す
側断面図
【図１１】 図１０電子部品の課題を示す側断面図
【符号の説明】
１０ 配線基板 １１ 絶縁基板 １１ａ 貫通孔 １２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ 導電ランド １４ 電子部品本体 １５ 導電性接着材 １９ 電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｎ ５Ｅ３４３ 1/18 1/18 Ｒ 3/18 3/18 Ｅ Ｈ 3/42 ６３０ 3/42 ６３０Ａ ６５０ ６５０Ｃ Ｆターム(参考） 4K024 AA09 AB01 AB02 AB17 BA11 BB11 BC01 CA01 CA04 CA06 FA05 4K044 AA13 AA16 AB10 BA06 BB03 BC04 CA15 CA18 CA64 5E317 AA24 BB12 CC32 CC33 CD05 CD15 CD25 GG16 5E319 AA03 AA07 AA10 AB06 AC02 AC11 BB11 CC12 CD27 GG03 GG15 GG20 5E336 AA04 AA08 BB02 BB15 BC26 CC55 EE08 5E343 AA02 AA12 BB08 BB24 CC62 DD33 DD43 ER12 ER18

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁基板の一主面に、電子部品本体を導電
    性接着材を介してマウントし電気的に接続する導電ラン
    ドを形成した配線基板において、 上記導電ランドの電子部品を囲む周縁部厚みを中央部に
    比して肉厚にしたことを特徴とする配線基板。
  2. 【請求項２】絶縁基板の電子部品本体がマウントされな
    い面に外部電極となる平坦な導電ランドを形成し、絶縁
    基板を貫通した貫通孔を介して絶縁基板両面の導電ラン
    ドを電気的に接続したことをと特徴とする請求項１に記
    載の配線基板。
  3. 【請求項３】絶縁基板上に感光性レジスト膜を塗布し、
    このレジスト膜を所定のパタンに露光して窓明けする工
    程と、 窓明け部分に露呈した絶縁基板上に無電解めっきによる
    導電膜を形成する工程と、 無電解めっきした絶縁基板を、ブラインドビアホールの
    埋め込み性に優れためっき添加剤を混合しためっき液中
    で電解めっきして、窓明け部分の無電解めっき導電膜上
    に電解めっき導電膜を形成する工程とを含み、 上記電解めっき導電膜の周縁部厚みを中央部厚みに比し
    て肉厚に形成することを特徴とする配線基板の製造方
    法。
  4. 【請求項４】絶縁基板に形成した導電ランドの中央部を
    エッチングして周縁部厚みを中央部厚みに比して肉厚に
    形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
  5. 【請求項５】絶縁基板の一主面に、周縁部厚みが中央部
    厚みに比して肉厚に形成された導電ランドを有する配線
    基板と、 上記導電ランドの中央部分に導電性接着材を介して電気
    的にマウントされた電子部品本体とを含むことを特徴と
    する電子部品。
  6. 【請求項６】絶縁基板の他の主面に平坦な導電膜が形成
    され、絶縁基板両面の導電膜が電気的に接続されたこと
    を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
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KR1020020056450A KR20030026855A (ko) 2001-09-25 2002-09-17 소형 전자 부품용 배선 기판 및 그 제조 방법
TW091121947A TW560234B (en) 2001-09-25 2002-09-24 Wiring substrate for small electronic component and manufacturing method
US10/253,295 US20030058629A1 (en) 2001-09-25 2002-09-24 Wiring substrate for small electronic component and manufacturing method
CN02143438A CN1411055A (zh) 2001-09-25 2002-09-25 用于小电子部件的布线基板及其制造方法

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066685A (ja) * 2005-10-17 2008-03-21 Seiko Instruments Inc 半導体装置およびその製造方法
JP2012099794A (ja) * 2010-09-08 2012-05-24 Vincotech Holdings Sarl 焼結金属接合、好ましくは焼結銀接合を有するパワー半導体モジュールおよびその製造方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7820535B2 (en) * 2003-03-25 2010-10-26 Toppan Printing Co., Ltd. Method for analyzing copper electroplating solution, apparatus for the analysis, and method for fabricating semiconductor product
TWI270187B (en) * 2005-12-19 2007-01-01 Polytronics Technology Corp Thermal conductive apparatus and manufacturing method thereof
JP5010208B2 (ja) * 2006-08-17 2012-08-29 三菱重工業株式会社 半導体素子モジュール及びその製造方法
US20090181390A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Signosis, Inc. A California Corporation High throughput detection of micrornas and use for disease diagnosis
CN102858995B (zh) 2009-09-10 2016-10-26 森特瑞隆技术控股公司 靶向测序方法
US10174368B2 (en) 2009-09-10 2019-01-08 Centrillion Technology Holdings Corporation Methods and systems for sequencing long nucleic acids
HUE052213T2 (hu) 2009-11-06 2021-04-28 Univ Leland Stanford Junior Grafitkilökõdés nem invazív diagnosztizálása szervátültetett betegekben
EP2670863B1 (en) 2011-01-31 2018-06-27 H. Hoffnabb-La Roche Ag Methods of identifying multiple epitopes in cells
US20120252682A1 (en) 2011-04-01 2012-10-04 Maples Corporate Services Limited Methods and systems for sequencing nucleic acids
JP2015501974A (ja) 2011-11-07 2015-01-19 インジェヌイティ システムズ インコーポレイテッド 原因ゲノム変異の同定の方法およびシステム。
TWI435427B (zh) * 2012-02-01 2014-04-21 矽品精密工業股份有限公司 半導體承載件暨封裝件及其製法
US10174310B2 (en) 2012-08-08 2019-01-08 Roche Sequencing Solutions, Inc. Increasing dynamic range for identifying multiple epitopes in cells
EP2971152B1 (en) 2013-03-15 2018-08-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Identification and use of circulating nucleic acid tumor markers
DK2970959T3 (en) 2013-03-15 2018-08-06 Lineage Biosciences Inc METHODS AND COMPOSITIONS FOR MARKING AND ANALYSIS OF SAMPLES
US9167684B2 (en) * 2013-05-24 2015-10-20 Nokia Technologies Oy Apparatus and method for forming printed circuit board using fluid reservoirs and connected fluid channels
KR102291045B1 (ko) 2013-08-05 2021-08-19 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 드 노보 합성된 유전자 라이브러리
WO2015070086A1 (en) 2013-11-07 2015-05-14 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Cell-free nucleic acids for the analysis of the human microbiome and components thereof
CA2975852A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Twist Bioscience Corporation Methods and devices for de novo oligonucleic acid assembly
CA2975855A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Twist Bioscience Corporation Compositions and methods for synthetic gene assembly
WO2016172377A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Twist Bioscience Corporation Devices and methods for oligonucleic acid library synthesis
KR20180050411A (ko) 2015-09-18 2018-05-14 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 올리고핵산 변이체 라이브러리 및 그의 합성
CN113604546A (zh) 2015-09-22 2021-11-05 特韦斯特生物科学公司 用于核酸合成的柔性基底
WO2017095958A1 (en) 2015-12-01 2017-06-08 Twist Bioscience Corporation Functionalized surfaces and preparation thereof
CA3185611A1 (en) 2016-03-25 2017-09-28 Karius, Inc. Synthetic nucleic acid spike-ins
WO2018038772A1 (en) 2016-08-22 2018-03-01 Twist Bioscience Corporation De novo synthesized nucleic acid libraries
KR102217487B1 (ko) 2016-09-21 2021-02-23 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 핵산 기반 데이터 저장
EA201991262A1 (ru) 2016-12-16 2020-04-07 Твист Байосайенс Корпорейшн Библиотеки вариантов иммунологического синапса и их синтез
CA3054303A1 (en) 2017-02-22 2018-08-30 Twist Bioscience Corporation Nucleic acid based data storage
CA3056388A1 (en) 2017-03-15 2018-09-20 Twist Bioscience Corporation Variant libraries of the immunological synapse and synthesis thereof
WO2018191563A1 (en) 2017-04-12 2018-10-18 Karius, Inc. Sample preparation methods, systems and compositions
WO2018231864A1 (en) 2017-06-12 2018-12-20 Twist Bioscience Corporation Methods for seamless nucleic acid assembly
KR20240013290A (ko) 2017-06-12 2024-01-30 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 심리스 핵산 어셈블리를 위한 방법
GB2581620A (en) 2017-09-11 2020-08-26 Twist Bioscience Corp GPCR binding proteins and synthesis thereof
WO2019060716A1 (en) 2017-09-25 2019-03-28 Freenome Holdings, Inc. SAMPLE EXTRACTION METHODS AND SYSTEMS
CN111565834B (zh) 2017-10-20 2022-08-26 特韦斯特生物科学公司 用于多核苷酸合成的加热的纳米孔
EP3735459A4 (en) 2018-01-04 2021-10-06 Twist Bioscience Corporation DNA-BASED DIGITAL INFORMATION STORAGE
CA3100739A1 (en) 2018-05-18 2019-11-21 Twist Bioscience Corporation Polynucleotides, reagents, and methods for nucleic acid hybridization
EP3930753A4 (en) 2019-02-26 2023-03-29 Twist Bioscience Corporation NUCLEIC ACID VARIANT BANKS FOR THE GLP1 RECEPTOR
KR20210144698A (ko) 2019-02-26 2021-11-30 트위스트 바이오사이언스 코포레이션 항체 최적화를 위한 변이 핵산 라이브러리
CN114729342A (zh) 2019-06-21 2022-07-08 特韦斯特生物科学公司 基于条形码的核酸序列装配
DE112019007815T5 (de) * 2019-11-18 2022-06-30 Scivita Medical Technology Co., Ltd. Eine integrierte Miniatur-Schweißplattenstruktur und ihr Herstellungsprozess

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255969A (ja) * 1995-03-17 1996-10-01 Sony Corp プリント基板装置
KR100331072B1 (ko) * 1998-05-27 2003-12-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 인쇄회로기판
JP3764587B2 (ja) * 1998-06-30 2006-04-12 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124587A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニットのプリント基板への取付構造、並びに電子回路ユニットのプリント基板への取付方法
JP2002533914A (ja) * 1998-12-18 2002-10-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 集積回路と伝送コイルを備えるデータキャリアモジュール
KR100327705B1 (ko) * 1999-07-15 2002-03-08 전우창 빌드업 다층 인쇄회로기판의 제조방법
JP2002231882A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066685A (ja) * 2005-10-17 2008-03-21 Seiko Instruments Inc 半導体装置およびその製造方法
JP2012099794A (ja) * 2010-09-08 2012-05-24 Vincotech Holdings Sarl 焼結金属接合、好ましくは焼結銀接合を有するパワー半導体モジュールおよびその製造方法

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