JP2003086075A - 電子放出素子、電子源及び画像形成装置、並びに電子放出素子及び電子源の製造方法 - Google Patents
電子放出素子、電子源及び画像形成装置、並びに電子放出素子及び電子源の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素を主成分とする電子放出部材と、この電
子放出部材の近傍に配置された引き出し電極を有する電
子放出素子において、電子放出部材のうち引き出し電極
近傍の領域からのみ電子を放出させることを可能とし、
かかる電子放出素子を電子源として構成した画像形成装
置においては、輝度ムラ、異常点燈が低減させ得るよう
にする。 【解決手段】 電子放出部材４の電子放出閾値を、引き
出し電極２に近いところでは低く、引き出し電極２から
遠いところでは高くなるようにしたことを特徴とする。
子放出部材の近傍に配置された引き出し電極を有する電
子放出素子において、電子放出部材のうち引き出し電極
近傍の領域からのみ電子を放出させることを可能とし、
かかる電子放出素子を電子源として構成した画像形成装
置においては、輝度ムラ、異常点燈が低減させ得るよう
にする。 【解決手段】 電子放出部材４の電子放出閾値を、引き
出し電極２に近いところでは低く、引き出し電極２から
遠いところでは高くなるようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子及び
これを用いた電子源、及びテレビジョン放送の表示装
置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置
の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンター
としての画像形成装置に関する。
これを用いた電子源、及びテレビジョン放送の表示装
置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置
の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンター
としての画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属に対し１０6Ｖ／ｃｍ以上の強電界
をかけて金属表面から電子を放出させる電界放出型（Ｆ
Ｅ型）電子放出素子が冷電子源の一つとして注目されて
いる。
をかけて金属表面から電子を放出させる電界放出型（Ｆ
Ｅ型）電子放出素子が冷電子源の一つとして注目されて
いる。
【０００３】近年、特に表示装置等の画像形成装置にお
いては、液晶を用いた平板型表示装置がＣＲＴに替わっ
て普及してきたが、自発光型でないため、バックライト
を持たなければならない等の問題点があり、自発光型表
示装置が望まれてきた。
いては、液晶を用いた平板型表示装置がＣＲＴに替わっ
て普及してきたが、自発光型でないため、バックライト
を持たなければならない等の問題点があり、自発光型表
示装置が望まれてきた。
【０００４】ＦＥ型の冷電子源が実用化されれば、薄型
の自発光画像表示装置が可能となり、消費電力の低減、
軽量化にも貢献する。
の自発光画像表示装置が可能となり、消費電力の低減、
軽量化にも貢献する。
【０００５】縦型ＦＥ型の例としては、例えばＣ．Ａ．
Ｓｐｉｎｄｔ，“ＰｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓ
ｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄ
ｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
４７，５２４８（１９７６）等に開示されたもの（以下
スピント型）が知られている。
Ｓｐｉｎｄｔ，“ＰｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓ
ｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌｙｂｄ
ｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，
４７，５２４８（１９７６）等に開示されたもの（以下
スピント型）が知られている。
【０００６】また、２０００年のＳＩＤ（Ｓｏｃｉｅｔ
ｙ ｆｏｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｄｉｓｐｌａ
ｙ）予稿集ｐ３８６にはカーボンナノチューブ電子放出
体を電極上の一端に寄せた二極管構成が示されている。
電子放出体を電極の一端に寄せることで電極中央部より
高い電界を端部に形成し、高電界領域が電子放出領域の
端部にのみ形成されることで、放出された電子の軌道が
狭められ、小さな電子ビームスポットが得られることが
示されている。
ｙ ｆｏｒ ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｄｉｓｐｌａ
ｙ）予稿集ｐ３８６にはカーボンナノチューブ電子放出
体を電極上の一端に寄せた二極管構成が示されている。
電子放出体を電極の一端に寄せることで電極中央部より
高い電界を端部に形成し、高電界領域が電子放出領域の
端部にのみ形成されることで、放出された電子の軌道が
狭められ、小さな電子ビームスポットが得られることが
示されている。
【０００７】また、２０００年の第１７回ＩＤＷ（Ｉｎ
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｗｏｒｋｓ
ｈｏｐ）の予稿集ｐ１００５に見られる三極管構成（断
面のみ）の電子放出素子がある。この構成を図７に示
す。図７では７１が基板、７２が下電極（ゲート電
極）、７３が絶縁層、７４が上電極（陰極）、７５はカ
ーボンナノチューブから構成される電子放出体、７６は
陽極（蛍光体）を示している。絶縁層７３にはＳｉＯ2
及びポリイミドからなる二種類の絶縁層を用いている。
かかる素子では、下電極７２を高電位とすることで、上
下電極間に強い電界が形成され上電極７４上に設けられ
たカーボンナノチューブ７５から電界により電子が放出
し、蛍光体である陽極７６に到達するように構成されて
いる。
ｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｗｏｒｋｓ
ｈｏｐ）の予稿集ｐ１００５に見られる三極管構成（断
面のみ）の電子放出素子がある。この構成を図７に示
す。図７では７１が基板、７２が下電極（ゲート電
極）、７３が絶縁層、７４が上電極（陰極）、７５はカ
ーボンナノチューブから構成される電子放出体、７６は
陽極（蛍光体）を示している。絶縁層７３にはＳｉＯ2
及びポリイミドからなる二種類の絶縁層を用いている。
かかる素子では、下電極７２を高電位とすることで、上
下電極間に強い電界が形成され上電極７４上に設けられ
たカーボンナノチューブ７５から電界により電子が放出
し、蛍光体である陽極７６に到達するように構成されて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来例で用いられるカ
ーボンナノチューブは電子放出に必要な閾値が数Ｖ／μ
ｍであると報告されている。三極管構成を有する電子放
出素子にとって低い閾値を持つ電子放出材料を使うこと
は電子放出に必要な電圧が下がるため、駆動装置のコス
トの低減に役立つだけでなく、消費電力の低減を行う上
できわめて重要である。
ーボンナノチューブは電子放出に必要な閾値が数Ｖ／μ
ｍであると報告されている。三極管構成を有する電子放
出素子にとって低い閾値を持つ電子放出材料を使うこと
は電子放出に必要な電圧が下がるため、駆動装置のコス
トの低減に役立つだけでなく、消費電力の低減を行う上
できわめて重要である。
【０００９】しかしながら陽極と陰極の間に高電圧を印
加する場合は、条件によりゲート電極に電圧を印加せず
とも陰極と陽極との間に形成される電界によって陰極上
の電子放出体から直接電子が引き出され陽極に到達する
場合がある。このような状況下では、ゲートに電圧を印
加して電子を引き出す場合とは、電子の軌道が異なるた
め、陽極上で期待される領域に電子が到達しないばかり
かゲート電極による変調が効かないため、画像形成装置
においては色ずれを起こし、異常点燈となって画像の品
質を低下させる要因となっていた。また前述の現象は画
像形成装置内のわずか１個でも存在すると装置の欠陥と
なるため、画像形成装置の設計幅を狭める要因ともなっ
ていた。
加する場合は、条件によりゲート電極に電圧を印加せず
とも陰極と陽極との間に形成される電界によって陰極上
の電子放出体から直接電子が引き出され陽極に到達する
場合がある。このような状況下では、ゲートに電圧を印
加して電子を引き出す場合とは、電子の軌道が異なるた
め、陽極上で期待される領域に電子が到達しないばかり
かゲート電極による変調が効かないため、画像形成装置
においては色ずれを起こし、異常点燈となって画像の品
質を低下させる要因となっていた。また前述の現象は画
像形成装置内のわずか１個でも存在すると装置の欠陥と
なるため、画像形成装置の設計幅を狭める要因ともなっ
ていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は以下の手段を講じているものである。
ために、本発明は以下の手段を講じているものである。
【００１１】即ち、本発明の電子放出素子は、炭素を主
成分とする電子放出部材と、該電子放出部材の近傍に配
置された引き出し電極を有する電子放出素子であって、
前記電子放出部材の電子放出閾値が、前記引き出し電極
からの距離により異なることを特徴とする。
成分とする電子放出部材と、該電子放出部材の近傍に配
置された引き出し電極を有する電子放出素子であって、
前記電子放出部材の電子放出閾値が、前記引き出し電極
からの距離により異なることを特徴とする。
【００１２】上記本発明の電子放出素子において、「前
記電子放出部材の電子放出閾値が、前記引き出し電極に
近いところでは低く、前記引き出し電極から遠いところ
では高いこと」、「前記引き出し電極からの距離により
異なる電子放出閾値を有する前記電子放出部材は、前記
電子放出部材と化学的に反応しうる物質の雰囲気下にお
いて、前記電子放出部材を部分的にエッチングして形成
されること」、「前記電子放出部材は、ｓｐ2結合を有
するグラファイトナノファイバー、カーボンナノチュー
ブ、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる繊維状カーボン、またはｓｐ3
結合を有するダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボ
ン、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる薄膜であること」、が好ましい
形態として挙げられる。
記電子放出部材の電子放出閾値が、前記引き出し電極に
近いところでは低く、前記引き出し電極から遠いところ
では高いこと」、「前記引き出し電極からの距離により
異なる電子放出閾値を有する前記電子放出部材は、前記
電子放出部材と化学的に反応しうる物質の雰囲気下にお
いて、前記電子放出部材を部分的にエッチングして形成
されること」、「前記電子放出部材は、ｓｐ2結合を有
するグラファイトナノファイバー、カーボンナノチュー
ブ、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる繊維状カーボン、またはｓｐ3
結合を有するダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボ
ン、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる薄膜であること」、が好ましい
形態として挙げられる。
【００１３】また、本発明の電子源は、上記本発明の電
子放出素子を複数個並列に配置し、結線してなる前記電
子放出素子の列を少なくとも１列以上有すること、もし
くは、上記本発明の電子放出素子を複数個配列してなる
前記電子放出素子の列を少なくとも１列以上有し、前記
電子放出素子を駆動する低電位供給用配線と高電位供給
用配線がマトリクス配置されていること、を特徴とす
る。
子放出素子を複数個並列に配置し、結線してなる前記電
子放出素子の列を少なくとも１列以上有すること、もし
くは、上記本発明の電子放出素子を複数個配列してなる
前記電子放出素子の列を少なくとも１列以上有し、前記
電子放出素子を駆動する低電位供給用配線と高電位供給
用配線がマトリクス配置されていること、を特徴とす
る。
【００１４】また、本発明の画像形成装置は、上記本発
明の電子源と、該電子源から放出された電子によって画
像を形成する画像形成部材とを備え、情報信号により前
記電子源の各電子放出素子の電子放出量を制御すること
を特徴とする。
明の電子源と、該電子源から放出された電子によって画
像を形成する画像形成部材とを備え、情報信号により前
記電子源の各電子放出素子の電子放出量を制御すること
を特徴とする。
【００１５】また、本発明の電子放出素子の製造方法
は、炭素を主成分とする電子放出部材と、該電子放出部
材の近傍に配置された引き出し電極を有する電子放出素
子の製造方法であって、前記電子放出部材の電子放出閾
値が、前記引き出し電極からの距離により異なる値を持
つように処理する閾値制御工程を有することを特徴とす
る。
は、炭素を主成分とする電子放出部材と、該電子放出部
材の近傍に配置された引き出し電極を有する電子放出素
子の製造方法であって、前記電子放出部材の電子放出閾
値が、前記引き出し電極からの距離により異なる値を持
つように処理する閾値制御工程を有することを特徴とす
る。
【００１６】上記本発明の電子放出素子の製造方法にお
いて、「前記電子放出部材は、ｓｐ2結合を有するグラ
ファイトナノファイバー、カーボンナノチューブ、アモ
ルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種類以上の
混合物からなる繊維状カーボン、またはｓｐ3結合を有
するダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン、アモ
ルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種類以上の
混合物からなる薄膜であること」、「前記閾値制御工程
は、前記電子放出部材と化学的に反応しうる物質の雰囲
気下において、前記電子放出部材を部分的にエッチング
する工程であること」、「前記電子放出部材と化学的に
反応しうる物質が、水または酸素または二酸化炭素であ
ること」、「前記閾値制御工程において、前記電子放出
部材から電子を放出させること」、「前記閾値制御工程
において、前記引き出し電極に前記電子放出部材からみ
て負の電位を与え、真空を介して前記電子放出部材に対
向して配置された陽極に前記電子放出部材からみて正の
電位を与えること」、「前記閾値制御工程において、前
記引き出し電極に前記電子放出部材からみて正の電位を
与え、真空を介して前記電子放出部材に対向して配置さ
れた陽極に前記電子放出部材からみて負の電位を与える
こと」、が好ましい形態として挙げられる。
いて、「前記電子放出部材は、ｓｐ2結合を有するグラ
ファイトナノファイバー、カーボンナノチューブ、アモ
ルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種類以上の
混合物からなる繊維状カーボン、またはｓｐ3結合を有
するダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン、アモ
ルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種類以上の
混合物からなる薄膜であること」、「前記閾値制御工程
は、前記電子放出部材と化学的に反応しうる物質の雰囲
気下において、前記電子放出部材を部分的にエッチング
する工程であること」、「前記電子放出部材と化学的に
反応しうる物質が、水または酸素または二酸化炭素であ
ること」、「前記閾値制御工程において、前記電子放出
部材から電子を放出させること」、「前記閾値制御工程
において、前記引き出し電極に前記電子放出部材からみ
て負の電位を与え、真空を介して前記電子放出部材に対
向して配置された陽極に前記電子放出部材からみて正の
電位を与えること」、「前記閾値制御工程において、前
記引き出し電極に前記電子放出部材からみて正の電位を
与え、真空を介して前記電子放出部材に対向して配置さ
れた陽極に前記電子放出部材からみて負の電位を与える
こと」、が好ましい形態として挙げられる。
【００１７】また、本発明の電子源の製造方法は、絶縁
性基板上に、電子放出素子を複数個配列した列を少なく
とも１列以上有し、該電子放出素子を駆動する低電位供
給配線と高電位供給配線がマトリクス配置された電子源
の製造方法であって、前記電子放出素子を、上記本発明
の電子放出素子の製造方法により製造することを特徴と
する。
性基板上に、電子放出素子を複数個配列した列を少なく
とも１列以上有し、該電子放出素子を駆動する低電位供
給配線と高電位供給配線がマトリクス配置された電子源
の製造方法であって、前記電子放出素子を、上記本発明
の電子放出素子の製造方法により製造することを特徴と
する。
【００１８】上記本発明の電子源の製造方法において、
「前記閾値制御工程は、前記電子放出素子の列を選択し
て１列毎に駆動させて、線順次に行われること」、「前
記閾値制御工程は、前記電子放出素子を選択して１素子
毎に駆動させて、点順次に行われること」、が好ましい
形態として挙げられる。
「前記閾値制御工程は、前記電子放出素子の列を選択し
て１列毎に駆動させて、線順次に行われること」、「前
記閾値制御工程は、前記電子放出素子を選択して１素子
毎に駆動させて、点順次に行われること」、が好ましい
形態として挙げられる。
【００１９】本発明の電子放出素子及び電子源によれ
ば、電子放出部材のうち引き出し電極近傍の領域からの
み電子を放出させることが可能であり、本電子源を用い
て構成した画像形成装置においては、輝度ムラ、異常点
燈が低減した良質な画像を形成することができるもので
ある。
ば、電子放出部材のうち引き出し電極近傍の領域からの
み電子を放出させることが可能であり、本電子源を用い
て構成した画像形成装置においては、輝度ムラ、異常点
燈が低減した良質な画像を形成することができるもので
ある。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例を説明
するが、本発明はこれらの形態例に限定されるものでは
ない。
するが、本発明はこれらの形態例に限定されるものでは
ない。
【００２１】先ず、本発明における、引き出し電極から
の距離により異なる電子放出閾値を持つ電子放出部材の
形成手法について、図２を用いて説明する。
の距離により異なる電子放出閾値を持つ電子放出部材の
形成手法について、図２を用いて説明する。
【００２２】図２において、１はリア基板、２は引き出
し電極（「ゲート電極」あるいは「ゲート」とよぶ場合
もある）、３は陰極電極（「カソード電極」または「エ
ミッタ電極」と呼ぶ場合もある）、４は電子放出部材、
５は導伝性材料、２０は真空容器、２１はアノード基
板、２２はアノード電極、２３はアノードと電子放出素
子との間に形成され、ある一定の電位を表す等電位線、
２４はゲート電極からの高さｓで規定される電子放出部
材の最上位面、２５は真空排気装置、２６は電子放出部
材と化学的に反応する物質、あるいは物理的に反応する
物質が含まれる容器を示す。また、上記陰極電極３と導
伝性材料５とを含めて、陰極電極（「カソード電極」ま
たは「エミッタ電極」と呼ぶ場合もある）と呼ぶ場合も
ある。
し電極（「ゲート電極」あるいは「ゲート」とよぶ場合
もある）、３は陰極電極（「カソード電極」または「エ
ミッタ電極」と呼ぶ場合もある）、４は電子放出部材、
５は導伝性材料、２０は真空容器、２１はアノード基
板、２２はアノード電極、２３はアノードと電子放出素
子との間に形成され、ある一定の電位を表す等電位線、
２４はゲート電極からの高さｓで規定される電子放出部
材の最上位面、２５は真空排気装置、２６は電子放出部
材と化学的に反応する物質、あるいは物理的に反応する
物質が含まれる容器を示す。また、上記陰極電極３と導
伝性材料５とを含めて、陰極電極（「カソード電極」ま
たは「エミッタ電極」と呼ぶ場合もある）と呼ぶ場合も
ある。
【００２３】ここで、電極間のギャップ距離はｄ、リア
基板とアノード基板間の距離をＨと定義する。
基板とアノード基板間の距離をＨと定義する。
【００２４】まず、素子を真空容器２０内に配置し、排
気装置２５を用いて真空を形成し、ゲート電極２に低電
位が印加され、電子放出部材４が高電位になるように素
子に電圧を印加する。そして、基板１と距離Ｈを隔てて
対向して配置されたアノード２１に電子放出部材４より
も高い電位Ｖａを印加する。この時、図２に示したよう
な等電位線２３が形成される。
気装置２５を用いて真空を形成し、ゲート電極２に低電
位が印加され、電子放出部材４が高電位になるように素
子に電圧を印加する。そして、基板１と距離Ｈを隔てて
対向して配置されたアノード２１に電子放出部材４より
も高い電位Ｖａを印加する。この時、図２に示したよう
な等電位線２３が形成される。
【００２５】図２から明らかなように、電子放出部材４
の表面にある特定の電位を持った等電位線２３が形成さ
れ、ゲート電極２に一番近い領域では離れ、ゲート電極
２から遠くなるにつれて電子放出部材４に近づくように
形成される。すなわち、電子放出部材４の表面では、ゲ
ート電極２に近い領域は電界が弱く、ゲート電極２から
遠い領域は電界が強い状態となる。
の表面にある特定の電位を持った等電位線２３が形成さ
れ、ゲート電極２に一番近い領域では離れ、ゲート電極
２から遠くなるにつれて電子放出部材４に近づくように
形成される。すなわち、電子放出部材４の表面では、ゲ
ート電極２に近い領域は電界が弱く、ゲート電極２から
遠い領域は電界が強い状態となる。
【００２６】この状態で、アノード電圧Ｖａ及び高さＨ
を適当な条件で動作させると、ゲート電極から遠い領域
の電界が電子放出に十分な電界強度に達するため、ゲー
ト電極から遠い領域の電子放出部材より電子が放出し、
ゲート電極に近い領域は電子が放出しない状態を作り出
すことが出来る。
を適当な条件で動作させると、ゲート電極から遠い領域
の電界が電子放出に十分な電界強度に達するため、ゲー
ト電極から遠い領域の電子放出部材より電子が放出し、
ゲート電極に近い領域は電子が放出しない状態を作り出
すことが出来る。
【００２７】このような状況下で、電子放出部材４と反
応する物質が含まれる容器２６のバルブ（不図示）を開
けて真空容器２０内に微量の反応物質を導入する。
応する物質が含まれる容器２６のバルブ（不図示）を開
けて真空容器２０内に微量の反応物質を導入する。
【００２８】前述の電子放出部材４と反応する物質に
は、主に化学的に作用する物質と物理的に作用する物質
の二種類がある。ここでいう化学的に反応する物質と
は、電子放出部材４がカーボンである場合は、例えばＯ
2や、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等である。また、物理的に反応する
物質とは、主に電子ビームにより帯電粒子となる物質の
ことをいい、Ａｒ等の比較的質量数の大きな物質が好ま
しい。上記物質ガスの導入圧力は、ガス種により異なる
が、一般的に電子放出時において電子放出部材４と化学
的に反応させる場合は１×１０-4Ｐａ〜１×１０1Ｐａ
程度、物理的に反応させる場合は１×１０-6Ｐａ〜１×
１０1Ｐａ程度である。
は、主に化学的に作用する物質と物理的に作用する物質
の二種類がある。ここでいう化学的に反応する物質と
は、電子放出部材４がカーボンである場合は、例えばＯ
2や、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等である。また、物理的に反応する
物質とは、主に電子ビームにより帯電粒子となる物質の
ことをいい、Ａｒ等の比較的質量数の大きな物質が好ま
しい。上記物質ガスの導入圧力は、ガス種により異なる
が、一般的に電子放出時において電子放出部材４と化学
的に反応させる場合は１×１０-4Ｐａ〜１×１０1Ｐａ
程度、物理的に反応させる場合は１×１０-6Ｐａ〜１×
１０1Ｐａ程度である。
【００２９】このような状況では、電子が放出している
部分において、温度が高くなっている等の要因で化学的
な活性が高いため、他の電子の出ていない領域よりも早
く電子放出部材と化学的反応が進行し、電子放出部材が
化学的にエッチング、除去されることで電子放出部材の
形態が変化あるいは消失する。結果、閾値が上昇する。
部分において、温度が高くなっている等の要因で化学的
な活性が高いため、他の電子の出ていない領域よりも早
く電子放出部材と化学的反応が進行し、電子放出部材が
化学的にエッチング、除去されることで電子放出部材の
形態が変化あるいは消失する。結果、閾値が上昇する。
【００３０】また、電子が放出している部分では、放出
した電子が真空内に残留するガスをイオン化するため、
イオン化したイオンが電子放出部に衝突することで電子
放出部がエッチング、除去され、電子放出部材の形態が
変化あるいは消失する。結果、閾値が上昇する。
した電子が真空内に残留するガスをイオン化するため、
イオン化したイオンが電子放出部に衝突することで電子
放出部がエッチング、除去され、電子放出部材の形態が
変化あるいは消失する。結果、閾値が上昇する。
【００３１】本発明による電位を伴う閾値制御工程によ
り、電子放出領域において、より電子放出し易い（電界
がエンハンスされ易い）部分が集中的に反応してエッチ
ングされ、過度に電界が集中している部分が除去され、
ゲートからの距離方向に電子放出閾値の異なる電子放出
部材が形成される。
り、電子放出領域において、より電子放出し易い（電界
がエンハンスされ易い）部分が集中的に反応してエッチ
ングされ、過度に電界が集中している部分が除去され、
ゲートからの距離方向に電子放出閾値の異なる電子放出
部材が形成される。
【００３２】本発明では、電子放出部材として繊維状カ
ーボンを用いることが好ましい。繊維状カーボンは縦横
比が非常に大きいため、電界をエンハンスさせ易い。そ
のために、低電圧で電子を放出させることが可能であ
り、本発明の電子放出部材として好ましく用いられる。
ーボンを用いることが好ましい。繊維状カーボンは縦横
比が非常に大きいため、電界をエンハンスさせ易い。そ
のために、低電圧で電子を放出させることが可能であ
り、本発明の電子放出部材として好ましく用いられる。
【００３３】なお、本発明における「繊維状カーボン」
とは、「炭素を主成分とする柱状物質」あるいは、「炭
素を主成分とする線状物質」ということもできる。ま
た、「繊維状カーボン」とは、「炭素を主成分とするフ
ァイバー」ということもできる。そして、また、本発明
における「繊維状カーボン」とは、より具体的には、カ
ーボンナノチューブ，グラファイトナノファイバー，ア
モルファスカーボンファイバーを含む。そして、中で
も、グラファイトナノファイバーが電子放出部材として
最も好ましい。
とは、「炭素を主成分とする柱状物質」あるいは、「炭
素を主成分とする線状物質」ということもできる。ま
た、「繊維状カーボン」とは、「炭素を主成分とするフ
ァイバー」ということもできる。そして、また、本発明
における「繊維状カーボン」とは、より具体的には、カ
ーボンナノチューブ，グラファイトナノファイバー，ア
モルファスカーボンファイバーを含む。そして、中で
も、グラファイトナノファイバーが電子放出部材として
最も好ましい。
【００３４】電子放出部材４として特に好ましく用いら
れる材料は、繊維状カーボンの集合体である。
れる材料は、繊維状カーボンの集合体である。
【００３５】上記繊維状カーボンは、数Ｖ／μｍの閾値
電界を持つ。繊維状カーボンの形態の一例を図８、図９
示す。各図では一番左側に光学顕微鏡レベル（〜１００
０倍）で見える形態、中央は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
レベル（〜３万倍）で見える形態、右側は透過電子顕微
鏡（ＴＥＭ）レベル（〜１００万倍）で見えるカーボン
の形態を模式的に示している。
電界を持つ。繊維状カーボンの形態の一例を図８、図９
示す。各図では一番左側に光学顕微鏡レベル（〜１００
０倍）で見える形態、中央は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）
レベル（〜３万倍）で見える形態、右側は透過電子顕微
鏡（ＴＥＭ）レベル（〜１００万倍）で見えるカーボン
の形態を模式的に示している。
【００３６】図８のように、グラフェンが円筒形状（円
筒形が多重構造になっているものはマルチウォールナノ
チューブと呼ばれる）の形態をとるものはカーボンナノ
チューブと呼ばれ、特にチューブ先端を開放させた構造
の時に、最もその閾値が下がる。より具体的には、カー
ボンナノチューブは、その長手方向（ファイバーの軸方
向）を囲むよう（円筒形状）にグラフェンが配置されて
いるファイバー状の物質である。換言すると、グラフェ
ンがファイバーの軸に対して実質的に平行に配置される
ファイバー状の物質である。
筒形が多重構造になっているものはマルチウォールナノ
チューブと呼ばれる）の形態をとるものはカーボンナノ
チューブと呼ばれ、特にチューブ先端を開放させた構造
の時に、最もその閾値が下がる。より具体的には、カー
ボンナノチューブは、その長手方向（ファイバーの軸方
向）を囲むよう（円筒形状）にグラフェンが配置されて
いるファイバー状の物質である。換言すると、グラフェ
ンがファイバーの軸に対して実質的に平行に配置される
ファイバー状の物質である。
【００３７】図９は、比較的低温で生成することができ
る繊維状カーボンの形態を示している。この形態の繊維
状カーボンは、グラフェンの積層体（このため「グラフ
ァイトナノファイバー」と呼ばれることがあるが、温度
によりアモルファス構造の割合が増加する）で構成され
ている。より具体的には、グラファイトナノファイバー
は、その長手方向（ファイバーの軸方向）にグラフェン
が積層されたファイバー状の物質を指す。換言すると、
グラフェンがファイバーの軸に対して非平行に配置され
たファイバー状の物質である。
る繊維状カーボンの形態を示している。この形態の繊維
状カーボンは、グラフェンの積層体（このため「グラフ
ァイトナノファイバー」と呼ばれることがあるが、温度
によりアモルファス構造の割合が増加する）で構成され
ている。より具体的には、グラファイトナノファイバー
は、その長手方向（ファイバーの軸方向）にグラフェン
が積層されたファイバー状の物質を指す。換言すると、
グラフェンがファイバーの軸に対して非平行に配置され
たファイバー状の物質である。
【００３８】尚、グラファイトの１枚面を「グラフェ
ン」あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。より具体的
には、グラファイトは、炭素原子がｓｐ2混成により共
有結合でできた正六角形を敷き詰める様に配置された炭
素平面が、３．３５４Åの距離を保って積層してできた
ものである。この一枚一枚の炭素平面を「グラフェン」
あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。
ン」あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。より具体的
には、グラファイトは、炭素原子がｓｐ2混成により共
有結合でできた正六角形を敷き詰める様に配置された炭
素平面が、３．３５４Åの距離を保って積層してできた
ものである。この一枚一枚の炭素平面を「グラフェン」
あるいは「グラフェンシート」と呼ぶ。
【００３９】どちらの繊維状カーボンも電子放出の閾値
が１Ｖ〜１０Ｖ／μｍ程度であり、本発明のエミッター
（電子放出部材）４の材料として好ましい。
が１Ｖ〜１０Ｖ／μｍ程度であり、本発明のエミッター
（電子放出部材）４の材料として好ましい。
【００４０】特に、グラファイトナノファイバーの集合
体を用いた電子放出素子では、低電界で電子放出を起こ
すことができ、大きな放出電流を得ることができ、簡易
に製造ができ、安定な電子放出特性をもつ電子放出素子
を得ることが出来る。例えば、グラファイトナノファイ
バーをエミッタとし、このエミッタからの電子放出を制
御する電極を用意することで電子放出素子とすることが
でき、さらに、グラファイトナノファイバーから放出さ
れた電子の照射により発光する発光体を用いればランプ
などの発光装置を形成することができる。また、さらに
は、上記グラファイトナノファイバーを用いた電子放出
素子を複数配列すると共に、蛍光体などの発光体を有す
るアノード電極を用意することでディスプレイなどの画
像表示装置をも構成することができる。
体を用いた電子放出素子では、低電界で電子放出を起こ
すことができ、大きな放出電流を得ることができ、簡易
に製造ができ、安定な電子放出特性をもつ電子放出素子
を得ることが出来る。例えば、グラファイトナノファイ
バーをエミッタとし、このエミッタからの電子放出を制
御する電極を用意することで電子放出素子とすることが
でき、さらに、グラファイトナノファイバーから放出さ
れた電子の照射により発光する発光体を用いればランプ
などの発光装置を形成することができる。また、さらに
は、上記グラファイトナノファイバーを用いた電子放出
素子を複数配列すると共に、蛍光体などの発光体を有す
るアノード電極を用意することでディスプレイなどの画
像表示装置をも構成することができる。
【００４１】グラファイトナノファイバーを用いた電子
放出装置や発光装置や画像表示装置においては、内部を
従来の電子放出素子のように超高真空に保持しなくても
安定な電子放出をすることができ、また、低電界で電子
放出するため、信頼性の高い装置を非常に簡易に製造す
ることができる。そのため、グラファイトナノファイバ
ーを用いたデバイスにおいては、本発明の製造方法が好
ましく適用される。
放出装置や発光装置や画像表示装置においては、内部を
従来の電子放出素子のように超高真空に保持しなくても
安定な電子放出をすることができ、また、低電界で電子
放出するため、信頼性の高い装置を非常に簡易に製造す
ることができる。そのため、グラファイトナノファイバ
ーを用いたデバイスにおいては、本発明の製造方法が好
ましく適用される。
【００４２】上記した繊維状カーボンは、触媒（炭素の
堆積を促進する材料）を用いて炭化水素ガスを分解して
形成することができる。カーボンナノチューブとグラフ
ァイトナノファイバーは触媒の種類、及び分解の温度に
よって異なる。
堆積を促進する材料）を用いて炭化水素ガスを分解して
形成することができる。カーボンナノチューブとグラフ
ァイトナノファイバーは触媒の種類、及び分解の温度に
よって異なる。
【００４３】前記触媒材料としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｐｄ、
Ｎｉ、もしくはこれらの中から選択された材料の合金が
繊維状カーボン形成用の核として用いることが出来る。
Ｎｉ、もしくはこれらの中から選択された材料の合金が
繊維状カーボン形成用の核として用いることが出来る。
【００４４】特に、Ｐｄ、Ｎｉにおいては低温（４００
℃以上の温度）でグラファイトナノファイバーを生成す
ることが可能である。Ｆｅ、Ｃｏを用いたカーボンナノ
チューブの生成温度は８００℃以上必要なことから、Ｐ
ｄ、Ｎｉを用いてのグラファイトナノファイバー材料の
作成は、低温で可能なため、他の部材への影響や、製造
コストの観点からも好ましい。
℃以上の温度）でグラファイトナノファイバーを生成す
ることが可能である。Ｆｅ、Ｃｏを用いたカーボンナノ
チューブの生成温度は８００℃以上必要なことから、Ｐ
ｄ、Ｎｉを用いてのグラファイトナノファイバー材料の
作成は、低温で可能なため、他の部材への影響や、製造
コストの観点からも好ましい。
【００４５】さらに、Ｐｄにおいては酸化物が水素によ
り低温（室温）で還元される特性を用いて、核形成材料
として酸化パラジウムを用いることも可能である。
り低温（室温）で還元される特性を用いて、核形成材料
として酸化パラジウムを用いることも可能である。
【００４６】酸化パラジウムの水素還元処理を行なう
と、一般的な核形成技法として従来から使用されている
金属薄膜の熱凝集や、超微粒子の生成と蒸着を用いずと
も、比較的低温（２００℃以下）で初期凝集核の形成が
可能である。
と、一般的な核形成技法として従来から使用されている
金属薄膜の熱凝集や、超微粒子の生成と蒸着を用いずと
も、比較的低温（２００℃以下）で初期凝集核の形成が
可能である。
【００４７】前述の炭化水素ガスとしては例えばアセチ
レン、エチレン、メタン、プロパン、プロピレンなどの
炭化水素ガス、ＣＯ，ＣＯ2ガスあるいはエタノールや
アセトンなどの有機溶剤の蒸気を用いることができる。
レン、エチレン、メタン、プロパン、プロピレンなどの
炭化水素ガス、ＣＯ，ＣＯ2ガスあるいはエタノールや
アセトンなどの有機溶剤の蒸気を用いることができる。
【００４８】さらには、本発明の電子放出素子において
は、ゲート電極２上での散乱を抑制するために、電子放
出部材４の表面を含み基板１表面と実質的に平行な平面
が、ゲート電極２表面の一部を含み基板１表面と実質的
に平行な平面よりも、基板表面よりも離れた位置に配置
される（図２参照）。換言すると、本発明の電子放出装
置においては、電子放出部材４の表面の一部を含み基板
１表面と実質的に平行な平面が、ゲート電極２の表面の
一部を含み基板１表面と実質的に平行な平面と、アノー
ド電極２２との間に配置される（図２参照）。
は、ゲート電極２上での散乱を抑制するために、電子放
出部材４の表面を含み基板１表面と実質的に平行な平面
が、ゲート電極２表面の一部を含み基板１表面と実質的
に平行な平面よりも、基板表面よりも離れた位置に配置
される（図２参照）。換言すると、本発明の電子放出装
置においては、電子放出部材４の表面の一部を含み基板
１表面と実質的に平行な平面が、ゲート電極２の表面の
一部を含み基板１表面と実質的に平行な平面と、アノー
ド電極２２との間に配置される（図２参照）。
【００４９】また、さらには、本発明の電子放出素子に
おいては、ゲート電極２上での散乱を実質的に生じな
い、高さｓ（ゲート電極２表面の一部を含み、基板１表
面と実質的に平行な平面と、電子放出部材４の表面を含
み、基板１表面と実質的に平行な平面との距離で定義さ
れる（図２参照））に電子放出部材４が配置される。
おいては、ゲート電極２上での散乱を実質的に生じな
い、高さｓ（ゲート電極２表面の一部を含み、基板１表
面と実質的に平行な平面と、電子放出部材４の表面を含
み、基板１表面と実質的に平行な平面との距離で定義さ
れる（図２参照））に電子放出部材４が配置される。
【００５０】上記ｓは、縦方向電界と横方向電界の比
（縦方向電界／横方向電界）に依存し、この比が大きい
ほどその高さが低く、この比が小さいほどその高さが必
要である。実用的な範囲として、その高さｓは１０ｎｍ
以上１０μｍ以下である。
（縦方向電界／横方向電界）に依存し、この比が大きい
ほどその高さが低く、この比が小さいほどその高さが必
要である。実用的な範囲として、その高さｓは１０ｎｍ
以上１０μｍ以下である。
【００５１】尚、本発明で言う「横方向電界」は、「基
板１の表面と実質的に平行な方向における電界」と言う
ことができる。あるいは、また、「ゲート電極２とカソ
ード電極３とが対向する方向における電界」とも言うこ
とができる。
板１の表面と実質的に平行な方向における電界」と言う
ことができる。あるいは、また、「ゲート電極２とカソ
ード電極３とが対向する方向における電界」とも言うこ
とができる。
【００５２】また、本発明で言う「縦方向電界」とは、
「基板１の表面と実質的に垂直な方向における電界」、
あるいは「基板１とアノード電極２２とが対向する方向
における電界」と言うこともできる。
「基板１の表面と実質的に垂直な方向における電界」、
あるいは「基板１とアノード電極２２とが対向する方向
における電界」と言うこともできる。
【００５３】また、本発明の電子放出装置においては、
図２などに示したように、陰極電極３とゲート電極２と
の間隙の距離をｄ、電子放出素子を駆動したときの電位
差（陰極電極３とゲート電極２間の電圧）をＶｆ、アノ
ード電極２２と素子が配置された基板１表面との距離を
Ｈ、アノード電極２２と陰極電極３との電位差をＶａと
した時、駆動時の電界（横方向電界）：Ｅ１＝Ｖｆ／ｄ
は、アノード−カソード間の電界（縦方向電界）：Ｅ２
＝Ｖａ／Ｈの１倍以上５０倍以下に設定される。
図２などに示したように、陰極電極３とゲート電極２と
の間隙の距離をｄ、電子放出素子を駆動したときの電位
差（陰極電極３とゲート電極２間の電圧）をＶｆ、アノ
ード電極２２と素子が配置された基板１表面との距離を
Ｈ、アノード電極２２と陰極電極３との電位差をＶａと
した時、駆動時の電界（横方向電界）：Ｅ１＝Ｖｆ／ｄ
は、アノード−カソード間の電界（縦方向電界）：Ｅ２
＝Ｖａ／Ｈの１倍以上５０倍以下に設定される。
【００５４】このようにすることにより、陰極電極３側
から放出された電子がゲート電極２に衝突する割合を低
減できる。その結果、放出された電子ビームの広がりが
少なく、高効率な、電子放出素子が得られる。
から放出された電子がゲート電極２に衝突する割合を低
減できる。その結果、放出された電子ビームの広がりが
少なく、高効率な、電子放出素子が得られる。
【００５５】次に、異なる電子放出閾値を有する電子放
出部材を備える本発明の電子放出素子の駆動について図
３を用いて説明する。尚、図３と図２の同一符号のもの
は同一部材である。
出部材を備える本発明の電子放出素子の駆動について図
３を用いて説明する。尚、図３と図２の同一符号のもの
は同一部材である。
【００５６】図３ではまず、素子を真空容器２０内に配
置し、排気装置２５を用いて真空を形成し、図２とは逆
の電位、すなわちゲート電極２に高電位が印加され、電
子放出部材４が低電位になるように素子に電圧を印加す
る。この時、図３に示したような等電位線２３が形成さ
れる。
置し、排気装置２５を用いて真空を形成し、図２とは逆
の電位、すなわちゲート電極２に高電位が印加され、電
子放出部材４が低電位になるように素子に電圧を印加す
る。この時、図３に示したような等電位線２３が形成さ
れる。
【００５７】図３から明らかなように、電子放出部材４
の表面にある特定の電位を持った等電位線２３が形成さ
れ、ゲート電極２に一番近い領域では電子放出部材４に
近づき、ゲート電極２から遠くなるにつれて電子放出部
材４から離れるように形成される。すなわち、電子放出
部材４の表面では、ゲート電極２に近い領域は電界が高
く、ゲート電極２から遠い領域は電界が低くなる状態と
なる。
の表面にある特定の電位を持った等電位線２３が形成さ
れ、ゲート電極２に一番近い領域では電子放出部材４に
近づき、ゲート電極２から遠くなるにつれて電子放出部
材４から離れるように形成される。すなわち、電子放出
部材４の表面では、ゲート電極２に近い領域は電界が高
く、ゲート電極２から遠い領域は電界が低くなる状態と
なる。
【００５８】このため、２４で示す位置からのみ電子を
放出させることが可能である。すなわち、実際の駆動に
必要な電界以上の電界を印加した状態で前述の電子放出
閾値を電子放出部材４の表面で不均一になる工程を入れ
ることで、電子放出がゲート電極２に近い領域の電子放
出部材４からのみ電子が出るようになり、ゲート電極２
から遠い電子放出部材領域からは電子が放出しないよう
にすることが可能となる。
放出させることが可能である。すなわち、実際の駆動に
必要な電界以上の電界を印加した状態で前述の電子放出
閾値を電子放出部材４の表面で不均一になる工程を入れ
ることで、電子放出がゲート電極２に近い領域の電子放
出部材４からのみ電子が出るようになり、ゲート電極２
から遠い電子放出部材領域からは電子が放出しないよう
にすることが可能となる。
【００５９】このため、画像形成装置では課題であっ
た、いわゆるゲート電極に電位をかけなくても電子が放
出される異常点燈などの現象を防止することが可能とな
る。
た、いわゆるゲート電極に電位をかけなくても電子が放
出される異常点燈などの現象を防止することが可能とな
る。
【００６０】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００６１】［実施例１］図１（ａ）に本実施例により
作製した電子放出素子を素子上部から見た様子を示し、
図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ−Ａ’間断面図を示す。
作製した電子放出素子を素子上部から見た様子を示し、
図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ−Ａ’間断面図を示す。
【００６２】図１において、１は絶縁性の基板、２は引
き出し電極、３は陰極電極、４は電子放出部材（エミッ
タ材料）、５は繊維状カーボン成長可能な導電層を示し
ている。
き出し電極、３は陰極電極、４は電子放出部材（エミッ
タ材料）、５は繊維状カーボン成長可能な導電層を示し
ている。
【００６３】以下に、図４を用いて本実施例の電子放出
素子の製造工程を詳細に説明する。
素子の製造工程を詳細に説明する。
【００６４】（工程１）基板１に石英基板を用い、十分
洗浄を行った後、ゲート電極２及び陰極（エミッター）
電極３としてスパッタ法により厚さ５ｎｍ（不図示）の
Ｔｉ及び厚さ３０ｎｍのＰｔを連続的に蒸着を行った。
洗浄を行った後、ゲート電極２及び陰極（エミッター）
電極３としてスパッタ法により厚さ５ｎｍ（不図示）の
Ｔｉ及び厚さ３０ｎｍのＰｔを連続的に蒸着を行った。
【００６５】次に、フォトリソグラフィー工程で、ポジ
型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリアント社製）
を用いてレジストパターンを形成した。
型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリアント社製）
を用いてレジストパターンを形成した。
【００６６】次に、パターニングした前記フォトレジス
トをマスクとしてＰｔ層、Ｔｉ層はＡｒガスを用いてド
ライエッチングを行い、電極ギャップｄが５μｍからな
る引き出し電極（ゲート電極）２、および陰極電極３を
形成した（図４（ａ））。
トをマスクとしてＰｔ層、Ｔｉ層はＡｒガスを用いてド
ライエッチングを行い、電極ギャップｄが５μｍからな
る引き出し電極（ゲート電極）２、および陰極電極３を
形成した（図４（ａ））。
【００６７】（工程２）次に、基板温度を３００℃に保
ちＡｒ中に窒素を混合させたエッチングガスでＴｉをス
ッパタする反応性スパッタ法にてＴｉＮを厚さ５００ｎ
ｍの厚さに蒸着を行い、ＴｉＮ層５’を形成した（図４
（ｂ））。
ちＡｒ中に窒素を混合させたエッチングガスでＴｉをス
ッパタする反応性スパッタ法にてＴｉＮを厚さ５００ｎ
ｍの厚さに蒸着を行い、ＴｉＮ層５’を形成した（図４
（ｂ））。
【００６８】（工程３）次に、基板を十分に室温に冷却
した後、工程２と同一の真空装置を用いてＡｒガスを用
いたスパッタ法にてＰｄを島状になる程度の量だけ蒸着
し、島状Ｐｄ層４１を形成した（図４（ｃ））。
した後、工程２と同一の真空装置を用いてＡｒガスを用
いたスパッタ法にてＰｄを島状になる程度の量だけ蒸着
し、島状Ｐｄ層４１を形成した（図４（ｃ））。
【００６９】（工程４）次に、フォトリソグラフィー工
程で、ポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリア
ント社製）を用いてレジストパターンを形成した。
程で、ポジ型フォトレジスト（ＡＺ１５００／クラリア
ント社製）を用いてレジストパターンを形成した。
【００７０】パターニングした前記フォトレジストをマ
スクとして島状Ｐｄ層４１、ＴｉＮ層５’はＣＦ4ガス
を用いてドライエッチングを行い、一方の電極上（即
ち、陰極電極３上）にのみ金属触媒（島状Ｐｄ層４１）
が形成されるようにした（図４（ｄ））。
スクとして島状Ｐｄ層４１、ＴｉＮ層５’はＣＦ4ガス
を用いてドライエッチングを行い、一方の電極上（即
ち、陰極電極３上）にのみ金属触媒（島状Ｐｄ層４１）
が形成されるようにした（図４（ｄ））。
【００７１】（工程５）続いて、大気圧の窒素希釈した
１％水素と窒素希釈した０．１％アセチレンをおよそ
１：１で混合した気流中で５００℃、１０分間加熱処理
をした。これを走査電子顕微鏡で観察すると、Ｐｄ形成
領域に直径５ｎｍ〜２５０ｎｍ程度で、屈曲しながら繊
維状に伸びた多数の繊維状カーボン（電子放出部材４）
が形成されているのがわかった（図４（ｅ））。このと
き繊維状カーボンの厚さは約５μｍとなっていた。
１％水素と窒素希釈した０．１％アセチレンをおよそ
１：１で混合した気流中で５００℃、１０分間加熱処理
をした。これを走査電子顕微鏡で観察すると、Ｐｄ形成
領域に直径５ｎｍ〜２５０ｎｍ程度で、屈曲しながら繊
維状に伸びた多数の繊維状カーボン（電子放出部材４）
が形成されているのがわかった（図４（ｅ））。このと
き繊維状カーボンの厚さは約５μｍとなっていた。
【００７２】本素子を図２に示すような真空容器２０内
に設置し、真空排気装置２５によって２×１０-5Ｐａに
到達するまで十分に排気した後、真空容器２０内にＨ2
Ｏからなるエッチングガス２６のバルブを開け、真空度
が１×１０-4Ｐａになるように設定した。
に設置し、真空排気装置２５によって２×１０-5Ｐａに
到達するまで十分に排気した後、真空容器２０内にＨ2
Ｏからなるエッチングガス２６のバルブを開け、真空度
が１×１０-4Ｐａになるように設定した。
【００７３】次に、素子からＨ＝０．１ｍｍ離れた陽極
（アノード電極）２２に、陽極（アノード）電圧として
Ｖａ＝２ｋＶ印加した。このとき陰極電極３をアース電
位とし、ゲート電極２にはＶｆ＝−１０Ｖから−１００
Ｖの範囲でＤＣ電圧を印加した。
（アノード電極）２２に、陽極（アノード）電圧として
Ｖａ＝２ｋＶ印加した。このとき陰極電極３をアース電
位とし、ゲート電極２にはＶｆ＝−１０Ｖから−１００
Ｖの範囲でＤＣ電圧を印加した。
【００７４】この工程の初期では電子放出部材４のゲー
ト電極２から離れた領域から電子が放出し、約５０μＡ
の電子電流が観測されていたが、この電流は次第に減少
しついには１ｎＡとなった。
ト電極２から離れた領域から電子が放出し、約５０μＡ
の電子電流が観測されていたが、この電流は次第に減少
しついには１ｎＡとなった。
【００７５】この状態で素子の形態を観察したところ、
繊維状カーボン（電子放出部材４）のゲート電極２から
離れた領域において、形成された繊維状カーボンの平均
厚さよりも特異的に長い繊維が減少していた。また、ア
ノード電圧Ｖａ、距離Ｈ、印加電圧Ｖｆの条件により初
期の繊維状カーボンの平均厚さがゲート電極２から離れ
るに従って減少する傾向が見られた（図４（ｆ）参
照）。
繊維状カーボン（電子放出部材４）のゲート電極２から
離れた領域において、形成された繊維状カーボンの平均
厚さよりも特異的に長い繊維が減少していた。また、ア
ノード電圧Ｖａ、距離Ｈ、印加電圧Ｖｆの条件により初
期の繊維状カーボンの平均厚さがゲート電極２から離れ
るに従って減少する傾向が見られた（図４（ｆ）参
照）。
【００７６】続いて、本素子を図３に示すような真空容
器２０内に設置し、真空排気装置２５によって２×１０
-5Ｐａに到達するまで十分に排気した。
器２０内に設置し、真空排気装置２５によって２×１０
-5Ｐａに到達するまで十分に排気した。
【００７７】次に、素子からＨ＝２ｍｍ離れた陽極（ア
ノード電極）２２に、陽極（アノード）電圧としてＶａ
＝１０ｋＶ印加した。このとき陰極電極３をアース電位
とし、ゲート電極２にはＶｆ＝＋２０Ｖから＋１００Ｖ
の範囲でパルス電圧を印加した。このとき素子長（図１
中のＷ）が３００μｍの時に３０Ｖでおよそ１０μＡの
電子放出電流を観測した。
ノード電極）２２に、陽極（アノード）電圧としてＶａ
＝１０ｋＶ印加した。このとき陰極電極３をアース電位
とし、ゲート電極２にはＶｆ＝＋２０Ｖから＋１００Ｖ
の範囲でパルス電圧を印加した。このとき素子長（図１
中のＷ）が３００μｍの時に３０Ｖでおよそ１０μＡの
電子放出電流を観測した。
【００７８】また、電子は図３の２４で示す部分からの
放出に限定され、アノード側に蛍光体を設置したときビ
ームスポットが一つだけ確認された。
放出に限定され、アノード側に蛍光体を設置したときビ
ームスポットが一つだけ確認された。
【００７９】［実施例２］図５は本実施例の電子放出素
子をあらわす図である。図５において１は基板、２は下
電極（ゲート電極）、３は上電極（陰極電極）、５は繊
維状カーボン成長可能な導電層、４は炭素材料からなる
電子放出部材、５１はアノード基板、５２はアノード電
極、５３は層間絶縁層を示す。本素子の製造方法を以下
に述べる。
子をあらわす図である。図５において１は基板、２は下
電極（ゲート電極）、３は上電極（陰極電極）、５は繊
維状カーボン成長可能な導電層、４は炭素材料からなる
電子放出部材、５１はアノード基板、５２はアノード電
極、５３は層間絶縁層を示す。本素子の製造方法を以下
に述べる。
【００８０】本実施例では、基板１としてソーダライム
系のＰＤＰ用高歪点ガラス基板を用いた。
系のＰＤＰ用高歪点ガラス基板を用いた。
【００８１】まず最初に、基板１上に、スクリーン印刷
を用いて厚さ約３μｍ幅約３５０μｍの銀系配線からな
る下電極２を形成した。
を用いて厚さ約３μｍ幅約３５０μｍの銀系配線からな
る下電極２を形成した。
【００８２】次にスパッタ蒸着法を用いて基板全面に層
間絶縁層材料としてＳｉＯ2を厚さ約１μｍになるよう
に形成し、連続して、ＳｉＯ2の密着層としてＴｉを５
ｎｍ（薄いため図中では不図示）をスパッタ法にて蒸着
し、さらに上電極材料としてＰｔを約１００ｎｍの厚さ
に蒸着した。
間絶縁層材料としてＳｉＯ2を厚さ約１μｍになるよう
に形成し、連続して、ＳｉＯ2の密着層としてＴｉを５
ｎｍ（薄いため図中では不図示）をスパッタ法にて蒸着
し、さらに上電極材料としてＰｔを約１００ｎｍの厚さ
に蒸着した。
【００８３】次に繊維状カーボン成長可能な導電層５と
してＴｉを５ｎｍの厚さになるようにスパッタ蒸着を行
ってから、触媒層となるＰｄを５ｎｍ以下（薄いため図
中では不図示）の厚さの島状膜になるようにスパッタ蒸
着を行なった。
してＴｉを５ｎｍの厚さになるようにスパッタ蒸着を行
ってから、触媒層となるＰｄを５ｎｍ以下（薄いため図
中では不図示）の厚さの島状膜になるようにスパッタ蒸
着を行なった。
【００８４】次に上電極３となる形状をホトリソによる
レジストを用いてパターンを形成した。
レジストを用いてパターンを形成した。
【００８５】本基板をドライエッチング装置に入れ、レ
ジストパターンをマスクとして触媒層のＰｄ、及び、繊
維状カーボン成長可能な導電層５のＴｉはＳＦ6ガスを
用いてドライエッチングを行い除去し、上電極材料のＰ
ｔはＡｒガスを用いてドライエッチングを行い除去し、
続いてＳｉＯ2の密着層のＴｉはＨＢｒガスを用いて取
り除いた。
ジストパターンをマスクとして触媒層のＰｄ、及び、繊
維状カーボン成長可能な導電層５のＴｉはＳＦ6ガスを
用いてドライエッチングを行い除去し、上電極材料のＰ
ｔはＡｒガスを用いてドライエッチングを行い除去し、
続いてＳｉＯ2の密着層のＴｉはＨＢｒガスを用いて取
り除いた。
【００８６】層間絶縁層材料のＳｉＯ2はＣＦ4とＨ2を
適当量混合したガスを用いて、ドライエッチングを行い
除去し、最後にマスクとして用いたレジストを除去する
ことで、所望のパターン形状を有する層間絶縁層５３と
上電極３を形成した。
適当量混合したガスを用いて、ドライエッチングを行い
除去し、最後にマスクとして用いたレジストを除去する
ことで、所望のパターン形状を有する層間絶縁層５３と
上電極３を形成した。
【００８７】本基板を炉に入れ、炉内のガスを十分に排
気した後、窒素希釈した１％水素と窒素希釈した１％エ
チレンをおよそ１：１の割合で炉内に大気圧になるまで
入れた。
気した後、窒素希釈した１％水素と窒素希釈した１％エ
チレンをおよそ１：１の割合で炉内に大気圧になるまで
入れた。
【００８８】次に、前述の炉を６００℃まで加熱し３０
分ほど保持したところ、上電極全体に黒い繊維状炭素
（電子放出部材）４が成長した。
分ほど保持したところ、上電極全体に黒い繊維状炭素
（電子放出部材）４が成長した。
【００８９】成長した繊維状炭素を透過電子顕微鏡で観
察したところ、図９の一番右側の図にあるように、グラ
フェンが何層にも重なる構造が含まれていた。
察したところ、図９の一番右側の図にあるように、グラ
フェンが何層にも重なる構造が含まれていた。
【００９０】以下、電子放出部材の電子放出閾値を異な
る値にする工程は実施例１と同じである。
る値にする工程は実施例１と同じである。
【００９１】但し、本実施例では、ゲート電極２に低電
位を与える際に、パルス電圧を用いた。これにより、パ
ルスが切れたときには、ゲート電極２から離れた場所に
位置している電子放出部材４からの電子放出閾値が変化
するだけでなくゲート電極２の近傍に位置している電子
放出部材４からの電子放出閾値も上昇する。このため、
本実施例のようにパルスの手法を用いると、素子間の電
子放出閾値を所望の値に設定することが可能になった。
また、その上昇の時間変化率は、パルスのデュティーを
変えることで制御することが出来た。
位を与える際に、パルス電圧を用いた。これにより、パ
ルスが切れたときには、ゲート電極２から離れた場所に
位置している電子放出部材４からの電子放出閾値が変化
するだけでなくゲート電極２の近傍に位置している電子
放出部材４からの電子放出閾値も上昇する。このため、
本実施例のようにパルスの手法を用いると、素子間の電
子放出閾値を所望の値に設定することが可能になった。
また、その上昇の時間変化率は、パルスのデュティーを
変えることで制御することが出来た。
【００９２】［実施例３］本実施例は、本発明の電子放
出素子を複数配して得られる電子源を用いて構成した画
像形成装置の例であり、図６を用いて説明する。
出素子を複数配して得られる電子源を用いて構成した画
像形成装置の例であり、図６を用いて説明する。
【００９３】図６において、６１は電子源基体、６２は
Ｘ方向配線、６３はＹ方向配線である。６４は本発明の
電子放出素子、６５は結線である。
Ｘ方向配線、６３はＹ方向配線である。６４は本発明の
電子放出素子、６５は結線である。
【００９４】複数配置したことに伴う素子の容量が増大
すると、図６に示すマトリクス配線においては、パルス
幅変調に伴う短いパルスを加えても容量成分により波形
がなまり、期待した階調が取れないなどの問題が生じ
る。このため本実施例では層間絶縁層を配し、電子放出
部以外での容量成分の増加を低減する構造を採用した。
すると、図６に示すマトリクス配線においては、パルス
幅変調に伴う短いパルスを加えても容量成分により波形
がなまり、期待した階調が取れないなどの問題が生じ
る。このため本実施例では層間絶縁層を配し、電子放出
部以外での容量成分の増加を低減する構造を採用した。
【００９５】図６においてｍ本のＸ方向配線６２はＤｘ
１，Ｄｘ２，…，Ｄｘｍからなり、蒸着法にて形成され
た厚さ約１μｍ、幅３００μｍのアルミニウム系配線材
料で構成されている。配線の材料、膜厚、巾は、適宜設
計される。Ｙ方向配線６３は厚さ０．５μｍ、幅１００
μｍ，Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄｙｎのｎ本の配線よりな
り，Ｘ方向配線６２と同様に形成される。これらｍ本の
Ｘ方向配線６２とｎ本のＹ方向配線６３との間には、不
図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分
離している。また、Ｘ方向配線６２とＹ方向配線６３
は、それぞれ外部端子として引き出されている。尚、上
記のｍ，ｎは、共に正の整数である。
１，Ｄｘ２，…，Ｄｘｍからなり、蒸着法にて形成され
た厚さ約１μｍ、幅３００μｍのアルミニウム系配線材
料で構成されている。配線の材料、膜厚、巾は、適宜設
計される。Ｙ方向配線６３は厚さ０．５μｍ、幅１００
μｍ，Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄｙｎのｎ本の配線よりな
り，Ｘ方向配線６２と同様に形成される。これらｍ本の
Ｘ方向配線６２とｎ本のＹ方向配線６３との間には、不
図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分
離している。また、Ｘ方向配線６２とＹ方向配線６３
は、それぞれ外部端子として引き出されている。尚、上
記のｍ，ｎは、共に正の整数である。
【００９６】不図示の層間絶縁層は、スパッタ法等を用
いて厚さ約５μｍのＳｉＯ2で構成された。Ｘ方向配線
６２を形成した基体６１の全面或は一部に所望の形状で
形成され、特に、Ｘ方向配線６２とＹ方向配線６３の交
差部の電位差に耐え得るように、本実施例では１素子当
たりの素子容量が１ｐＦ以下、素子耐圧３０Ｖになるよ
うに層間絶縁層の厚さが決められた。
いて厚さ約５μｍのＳｉＯ2で構成された。Ｘ方向配線
６２を形成した基体６１の全面或は一部に所望の形状で
形成され、特に、Ｘ方向配線６２とＹ方向配線６３の交
差部の電位差に耐え得るように、本実施例では１素子当
たりの素子容量が１ｐＦ以下、素子耐圧３０Ｖになるよ
うに層間絶縁層の厚さが決められた。
【００９７】本発明の電子放出素子６４を構成する一対
の電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線６２とｎ本のＹ
方向配線６３と導電性金属等からなる結線６５によって
電気的に接続されている。
の電極（不図示）は、ｍ本のＸ方向配線６２とｎ本のＹ
方向配線６３と導電性金属等からなる結線６５によって
電気的に接続されている。
【００９８】Ｘ方向配線６２には、Ｘ方向に配列した本
発明の電子放出素子６４の行を選択するための走査信号
を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一
方、Ｙ方向配線６３には、Ｙ方向に配列した本発明の電
子放出素子６４の各列を入力信号に応じて変調するため
の不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出
素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走
査信号と変調信号の差電圧として供給される。
発明の電子放出素子６４の行を選択するための走査信号
を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一
方、Ｙ方向配線６３には、Ｙ方向に配列した本発明の電
子放出素子６４の各列を入力信号に応じて変調するため
の不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出
素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走
査信号と変調信号の差電圧として供給される。
【００９９】図６のような単純マトリクスにおいて、Ｘ
方向行およびＹ方向列が多くなると、マトリクス上の電
子放出素子を全選択して一括して閾値制御工程を行う際
に電圧降下による各素子への印加電圧に分布が生じる場
合がある。そこで、例えば線順次に閾値制御工程を行う
事や、点順次に閾値制御工程を行う事が好ましい。
方向行およびＹ方向列が多くなると、マトリクス上の電
子放出素子を全選択して一括して閾値制御工程を行う際
に電圧降下による各素子への印加電圧に分布が生じる場
合がある。そこで、例えば線順次に閾値制御工程を行う
事や、点順次に閾値制御工程を行う事が好ましい。
【０１００】線順次閾値制御工程について述べる。例え
ば、Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄｙｎのｎ本のＹ方向配線を
共通として、Ｄｘ１にはＹ方向配線に対して正の電圧を
印加してＤｘ１行の電子放出素子を選択して閾値制御処
理を行う。続いてＤｘ２に同様な電圧を印加してＤｘ２
行の電子放出素子を選択して閾値制御処理を行う。同様
にして、Ｄｘ３，Ｄｘ４，…，Ｄｘｍ行を選択してＸ方
向線順次に閾値制御処理を行う。このようにする事で、
電圧降下の影響を少なくする事ができる。
ば、Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄｙｎのｎ本のＹ方向配線を
共通として、Ｄｘ１にはＹ方向配線に対して正の電圧を
印加してＤｘ１行の電子放出素子を選択して閾値制御処
理を行う。続いてＤｘ２に同様な電圧を印加してＤｘ２
行の電子放出素子を選択して閾値制御処理を行う。同様
にして、Ｄｘ３，Ｄｘ４，…，Ｄｘｍ行を選択してＸ方
向線順次に閾値制御処理を行う。このようにする事で、
電圧降下の影響を少なくする事ができる。
【０１０１】次に点順次閾値制御工程は、上記マトリク
ス配線を用いて、個別の素子を選択し独立に駆動可能し
て、電子放出素子を一個づつ順に閾値制御工程していく
方法である。この方法では、電圧降下の影響がまったく
ないが、処理にかかる時間が素子の数に比例するので、
電子源の大きさや使用用途により、線順次処理、点順次
処理、または一括処理を使い分ければよい。
ス配線を用いて、個別の素子を選択し独立に駆動可能し
て、電子放出素子を一個づつ順に閾値制御工程していく
方法である。この方法では、電圧降下の影響がまったく
ないが、処理にかかる時間が素子の数に比例するので、
電子源の大きさや使用用途により、線順次処理、点順次
処理、または一括処理を使い分ければよい。
【０１０２】本実施例においては、本マトリクス基板に
Ｈ＝０．３ｍｍの高さに基板全面がＩＴＯ膜（インジウ
ム錫酸化化合物）に覆われているアノードを設置し、ア
ノード電圧Ｖａを６ｋＶに設定した。
Ｈ＝０．３ｍｍの高さに基板全面がＩＴＯ膜（インジウ
ム錫酸化化合物）に覆われているアノードを設置し、ア
ノード電圧Ｖａを６ｋＶに設定した。
【０１０３】次に、真空容器内に１×１０-4Ｐａになる
ようにＯ2を導入した。次に、Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄ
ｙｎのｎ本のＹ方向配線を共通としてアースに落とし、
Ｄｘ１にＶｆ＝−５０Ｖから−１００Ｖのパルス電圧
（パルス電圧幅１ｍｓｅｃ、パルス間隔１０ｍｓｅｃ）
を印加してＤｘ１行の電子放出素子を選択して閾値制御
処理を行った。続いてＤｘ２に同様な電圧を印加してＤ
ｘ２行の電子放出素子を選択して閾値制御処理を行っ
た。同様にして、Ｄｘ３，Ｄｘ４，…，Ｄｘｍ行を選択
してＸ方向線順次に閾値制御処理を行った。
ようにＯ2を導入した。次に、Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄ
ｙｎのｎ本のＹ方向配線を共通としてアースに落とし、
Ｄｘ１にＶｆ＝−５０Ｖから−１００Ｖのパルス電圧
（パルス電圧幅１ｍｓｅｃ、パルス間隔１０ｍｓｅｃ）
を印加してＤｘ１行の電子放出素子を選択して閾値制御
処理を行った。続いてＤｘ２に同様な電圧を印加してＤ
ｘ２行の電子放出素子を選択して閾値制御処理を行っ
た。同様にして、Ｄｘ３，Ｄｘ４，…，Ｄｘｍ行を選択
してＸ方向線順次に閾値制御処理を行った。
【０１０４】この結果、全ての素子において、単ビット
の素子と同様な閾値制御を行うことが出来た。
の素子と同様な閾値制御を行うことが出来た。
【０１０５】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の電子放出素
子及び電子源によれば、電子放出部材のうち引き出し電
極近傍の領域からのみ電子を放出させることが可能であ
る。
子及び電子源によれば、電子放出部材のうち引き出し電
極近傍の領域からのみ電子を放出させることが可能であ
る。
【０１０６】そして、本発明の電子源を用いて構成した
画像形成装置においては、輝度ムラ、異常点燈が低減し
た良質な画像を形成することができ、高品位な画像形成
装置、例えばカラーフラットテレビが実現できる。
画像形成装置においては、輝度ムラ、異常点燈が低減し
た良質な画像を形成することができ、高品位な画像形成
装置、例えばカラーフラットテレビが実現できる。
【図１】本発明による基本的な電子放出素子の一例を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明の電子放出素子の製造方法における閾値
制御工程を説明するための図である。
制御工程を説明するための図である。
【図３】本発明による電子放出素子を動作させる時の構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図４】第１の実施例に係る電子放出素子の製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図５】第２の実施例に係る電子放出素子を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明による複数の電子放出素子を用いた単純
マトリクス回路の構成例を示す図である。
マトリクス回路の構成例を示す図である。
【図７】積層型ＦＥの従来例を示す図である。
【図８】繊維状カーボンの一形態例を示す図である。
【図９】繊維状カーボンの別の形態例を示す図である。
１ 基板
２ ゲート電極
３ 陰極電極
４ 電子放出部材
５ 導電層
２０ 真空容器
２１ アノード基板
２２ アノード電極
２３ 等電位線
２４ ゲート電極からの高さｓで規定される電子放出部
材の最上位面 ２５ 真空排気装置 ２６ 電子放出部材と化学的に反応する物質が含まれる
容器 ５１ アノード基板 ５２ アノード電極 ５３ 層間絶縁層 ６１ 電子源基体 ６２ Ｘ方向配線 ６３ Ｙ方向配線 ６４ 電子放出素子 ６５ 結線 ７１ 基板 ７２ 下電極（ゲート電極） ７３ 絶縁層 ７４ 上電極（陰極） ７５ 電子放出体 ７６ 陽極（蛍光体）
材の最上位面 ２５ 真空排気装置 ２６ 電子放出部材と化学的に反応する物質が含まれる
容器 ５１ アノード基板 ５２ アノード電極 ５３ 層間絶縁層 ６１ 電子源基体 ６２ Ｘ方向配線 ６３ Ｙ方向配線 ６４ 電子放出素子 ６５ 結線 ７１ 基板 ７２ 下電極（ゲート電極） ７３ 絶縁層 ７４ 上電極（陰極） ７５ 電子放出体 ７６ 陽極（蛍光体）
Claims (17)
- 【請求項１】 炭素を主成分とする電子放出部材と、該
電子放出部材の近傍に配置された引き出し電極を有する
電子放出素子であって、 前記電子放出部材の電子放出閾値が、前記引き出し電極
からの距離により異なることを特徴とする電子放出素
子。 - 【請求項２】 前記電子放出部材の電子放出閾値が、前
記引き出し電極に近いところでは低く、前記引き出し電
極から遠いところでは高いことを特徴とする請求項１に
記載の電子放出素子。 - 【請求項３】 前記引き出し電極からの距離により異な
る電子放出閾値を有する前記電子放出部材は、前記電子
放出部材と化学的に反応しうる物質の雰囲気下におい
て、前記電子放出部材を部分的にエッチングして形成さ
れることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子放出
素子。 - 【請求項４】 前記電子放出部材は、ｓｐ2結合を有す
るグラファイトナノファイバー、カーボンナノチュー
ブ、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる繊維状カーボン、またはｓｐ3
結合を有するダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボ
ン、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる薄膜であることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子放出素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
電子放出素子を複数個並列に配置し、結線してなる前記
電子放出素子の列を少なくとも１列以上有することを特
徴とする電子源。 - 【請求項６】 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の
電子放出素子を複数個配列してなる前記電子放出素子の
列を少なくとも１列以上有し、前記電子放出素子を駆動
する低電位供給用配線と高電位供給用配線がマトリクス
配置されていることを特徴とする電子源。 - 【請求項７】 請求項５又は６に記載の電子源と、該電
子源から放出された電子によって画像を形成する画像形
成部材とを備え、情報信号により前記電子源の各電子放
出素子の電子放出量を制御することを特徴とする画像形
成装置。 - 【請求項８】 炭素を主成分とする電子放出部材と、該
電子放出部材の近傍に配置された引き出し電極を有する
電子放出素子の製造方法であって、 前記電子放出部材の電子放出閾値が、前記引き出し電極
からの距離により異なる値を持つように処理する閾値制
御工程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方
法。 - 【請求項９】 前記電子放出部材は、ｓｐ2結合を有す
るグラファイトナノファイバー、カーボンナノチュー
ブ、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる繊維状カーボン、またはｓｐ3
結合を有するダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボ
ン、アモルファスカーボン、もしくはこれらのうち２種
類以上の混合物からなる薄膜であることを特徴とする請
求項８に記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記閾値制御工程は、前記電子放出部
材と化学的に反応しうる物質の雰囲気下において、前記
電子放出部材を部分的にエッチングする工程であること
を特徴とする請求項８又は９に記載の電子放出素子の製
造方法。 - 【請求項１１】 前記電子放出部材と化学的に反応しう
る物質が、水または酸素または二酸化炭素であることを
特徴とする請求項１０に記載の電子放出素子の製造方
法。 - 【請求項１２】 前記閾値制御工程において、前記電子
放出部材から電子を放出させることを特徴とする請求項
１０又は１１に記載の電子放出素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記閾値制御工程において、前記引き
出し電極に前記電子放出部材からみて負の電位を与え、
真空を介して前記電子放出部材に対向して配置された陽
極に前記電子放出部材からみて正の電位を与えることを
特徴とする請求項１２に記載の電子放出素子の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記閾値制御工程において、前記引き
出し電極に前記電子放出部材からみて正の電位を与え、
真空を介して前記電子放出部材に対向して配置された陽
極に前記電子放出部材からみて負の電位を与えることを
特徴とする請求項１２に記載の電子放出素子の製造方
法。 - 【請求項１５】 絶縁性基板上に、電子放出素子を複数
個配列した列を少なくとも１列以上有し、該電子放出素
子を駆動する低電位供給配線と高電位供給配線がマトリ
クス配置された電子源の製造方法であって、 前記電子放出素子を、請求項８乃至１４のいずれか一項
に記載の製造方法により製造することを特徴とする電子
源の製造方法。 - 【請求項１６】 前記閾値制御工程は、前記電子放出素
子の列を選択して１列毎に駆動させて、線順次に行われ
ることを特徴とする請求項１５に記載の電子源の製造方
法。 - 【請求項１７】 前記閾値制御工程は、前記電子放出素
子を選択して１素子毎に駆動させて、点順次に行われる
ことを特徴とする請求項１５に記載の電子源の製造方
法。
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