JP2002541676A - バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 - Google Patents
バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法Info
- Publication number
- JP2002541676A JP2002541676A JP2000611302A JP2000611302A JP2002541676A JP 2002541676 A JP2002541676 A JP 2002541676A JP 2000611302 A JP2000611302 A JP 2000611302A JP 2000611302 A JP2000611302 A JP 2000611302A JP 2002541676 A JP2002541676 A JP 2002541676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- distortion
- substrate
- pattern
- computer control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30455—Correction during exposure
- H01J2237/30461—Correction during exposure pre-calculated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
電子ビーム描画システムは、基板上にパターンを形成するために、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置を備えている。電子ビームパターニング装置と結合したコンピュータ制御システムが、複数の事前に算出された歪みマップを備えている。各歪みマップは、電子ビームへの露光から生じるバルク加熱によって発生が予想される基板（１２）の歪みを示す。コンピュータ制御システムは、予想された歪みを調整するために、歪みマップを用いて電子ビームパターニング装置を制御する。
Description
【０００１】 （技術分野） 本発明は一般に、半導体基板上にパターンを形成するために用いられるシステ
ムおよび方法に関するものであり、また、バルク加熱により基板に生じた歪みを
修正するシステムおよび方法に関するものである。
ムおよび方法に関するものであり、また、バルク加熱により基板に生じた歪みを
修正するシステムおよび方法に関するものである。
【０００２】 （背景技術） 本明細書は、本発明の譲渡人に譲渡された米国特許第５，８４７，９５９号の
“Method And Apparatus For Run-Time Correction of Proximity Effects And
Pattern Generation”で開示された内容に関連するものであり、本明細書中では
該明細書を全体として援用している。
“Method And Apparatus For Run-Time Correction of Proximity Effects And
Pattern Generation”で開示された内容に関連するものであり、本明細書中では
該明細書を全体として援用している。
【０００３】 集積回路の製造では、半導体基板上に回路パターンを形成するために電子ビー
ム（またはＥビーム）リソグラフィー処理を用いる。特に、感放射線材料（例え
ば、電子ビームレジスト）を露光し、材料にパターンまたはマスクを「描画」す
るために、収束した電子ビームが基板上に正確に配置され、容易に走査される。
この描画マスク処理は、描画が終了すると基板内に熱を導入する。このような熱
によって不規則な基板の熱膨張が発生し、これにより描画しているパターンの位
置に誤差が生じてしまう。つまり、フォトマスクのバルク（またはグローバル）
加熱（パターニング中に電子ビームエネルギー付加によって生じる）が生じた結
果、マスク基板の熱膨張が起こり、パターン位置に誤差が生じる。
ム（またはＥビーム）リソグラフィー処理を用いる。特に、感放射線材料（例え
ば、電子ビームレジスト）を露光し、材料にパターンまたはマスクを「描画」す
るために、収束した電子ビームが基板上に正確に配置され、容易に走査される。
この描画マスク処理は、描画が終了すると基板内に熱を導入する。このような熱
によって不規則な基板の熱膨張が発生し、これにより描画しているパターンの位
置に誤差が生じてしまう。つまり、フォトマスクのバルク（またはグローバル）
加熱（パターニング中に電子ビームエネルギー付加によって生じる）が生じた結
果、マスク基板の熱膨張が起こり、パターン位置に誤差が生じる。
【０００４】 （発明の開示） 本発明は、電子ビームリソグラフィーの描画処理中に基板の熱膨張を修正し、
熱膨張によって生じる可能性のある誤差を回避するためのシステムおよび方法を
提供する。このシステムと方法を用いれば、基板上に描画するパターン、電子ビ
ームの電力レベル、電子ビームの露光時間、等を示すパターン描画データから、
基板中に導入される熱の量を計算することができる。パターン描画データは、基
板の熱反応および／または歪みを、描画時にシミュレーションまたはモデリング
する有限要素モデルから、１つまたはそれ以上の事前に算出された歪みマップを
操作するために使用される。ある実施形態では、歪みを推測するために、有限要
素モデルと共に線形重ね合わせ（linear superposition)技術を採用している。
パターン描画データで操作しながら有限要素モデルを使用することにより、電子
ビームリソグラフィーの最中に、露光した各々の歪みに、描画した図形の配置の
等しいオフセットを導入することができ、これにより、基板を冷却した際に（つ
まり、歪みがない状態になった際に）、描画した図形が基板上の正しい位置に現
れる。
熱膨張によって生じる可能性のある誤差を回避するためのシステムおよび方法を
提供する。このシステムと方法を用いれば、基板上に描画するパターン、電子ビ
ームの電力レベル、電子ビームの露光時間、等を示すパターン描画データから、
基板中に導入される熱の量を計算することができる。パターン描画データは、基
板の熱反応および／または歪みを、描画時にシミュレーションまたはモデリング
する有限要素モデルから、１つまたはそれ以上の事前に算出された歪みマップを
操作するために使用される。ある実施形態では、歪みを推測するために、有限要
素モデルと共に線形重ね合わせ（linear superposition)技術を採用している。
パターン描画データで操作しながら有限要素モデルを使用することにより、電子
ビームリソグラフィーの最中に、露光した各々の歪みに、描画した図形の配置の
等しいオフセットを導入することができ、これにより、基板を冷却した際に（つ
まり、歪みがない状態になった際に）、描画した図形が基板上の正しい位置に現
れる。
【０００５】 本発明のある実施形態によれば、電子ビーム描画システムは、基板上にパター
ンを形成するために電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニン
グ装置を備えている。コンピュータ制御システムが、電子ビームパターニング装
置と結合しており、複数の事前に計算された歪みマップを備えている。歪みマッ
プの各々は 電子ビームへの露光によるバルク加熱から発生が予想される基板の
歪みを示している。コンピュータ制御システムは、予測された歪みを調整するた
めに、歪みマップを用いて電子ビームパターニング装置を制御するべく動作可能
である。
ンを形成するために電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニン
グ装置を備えている。コンピュータ制御システムが、電子ビームパターニング装
置と結合しており、複数の事前に計算された歪みマップを備えている。歪みマッ
プの各々は 電子ビームへの露光によるバルク加熱から発生が予想される基板の
歪みを示している。コンピュータ制御システムは、予測された歪みを調整するた
めに、歪みマップを用いて電子ビームパターニング装置を制御するべく動作可能
である。
【０００６】 本発明の別の実施形態によれば、方法は、基板上にパターンを形成するために
、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置からパター
ン描画データを受信し、パターン描画データと、事前に算出した歪みマップを用
いた電子ビームへの露光の結果、バルク加熱によって生じる基板の予想歪みを決
定し、予想された歪み調整するべく、電子ビームパターニング装置を制御する。
、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置からパター
ン描画データを受信し、パターン描画データと、事前に算出した歪みマップを用
いた電子ビームへの露光の結果、バルク加熱によって生じる基板の予想歪みを決
定し、予想された歪み調整するべく、電子ビームパターニング装置を制御する。
【０００７】 本発明のさらに別の実施形態によれば、記憶媒体は、基板上にパターンを形成
するために、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置
と共に使用するための基準表を備えている。基準表は、複数の事前に算出された
歪みマップを備えている。歪みマップの各々は、電子ビームへの露光の結果生じ
た、予想される基板の歪みを示している。
するために、電子ビームを放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置
と共に使用するための基準表を備えている。基準表は、複数の事前に算出された
歪みマップを備えている。歪みマップの各々は、電子ビームへの露光の結果生じ
た、予想される基板の歪みを示している。
【０００８】 本発明のさらに別の実施形態によれば、基板上にパターンを形成するために、
放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置を制御するためのコンピュ
ータ制御システムが設けられている。コンピュータ制御システムは、複数の事前
に算出された歪みマップを記憶するメモリを有し、歪みマップの各々は、電子ビ
ームへの露光によって発生が予想される基板の歪みを示す。メモリと結合したプ
ロセッサが、電子ビームパターニング装置からパターン描画データを受信する。
またプロセッサは、パターン描画データと歪みマップを用いて制御信号を生成す
る。これらの制御信号は、予想された歪みを調整するために電子ビームパターニ
ング装置を制御する。
放射するべく動作可能な電子ビームパターニング装置を制御するためのコンピュ
ータ制御システムが設けられている。コンピュータ制御システムは、複数の事前
に算出された歪みマップを記憶するメモリを有し、歪みマップの各々は、電子ビ
ームへの露光によって発生が予想される基板の歪みを示す。メモリと結合したプ
ロセッサが、電子ビームパターニング装置からパターン描画データを受信する。
またプロセッサは、パターン描画データと歪みマップを用いて制御信号を生成す
る。これらの制御信号は、予想された歪みを調整するために電子ビームパターニ
ング装置を制御する。
【０００９】 本発明の技術的利点には、線形重ね合わせ理論に基づいた電子ビームパターニ
ングの最中に、フォトマスクのバルク加熱歪みを推測するための有限要素モデル
を使用することが含まれる。これらの推測から、歪みを補正するための調整を行
い、不適切な配置による誤差の発生を回避することが可能である。
ングの最中に、フォトマスクのバルク加熱歪みを推測するための有限要素モデル
を使用することが含まれる。これらの推測から、歪みを補正するための調整を行
い、不適切な配置による誤差の発生を回避することが可能である。
【００１０】 本発明の別の技術的利点には、基板の電子ビームパターニングに対する熱およ
び／または機械反応を示す、１つまたはそれ以上の算出された歪みマップを提供
ことが含まれる。歪みマップは、パターン描画データと共に、パターニング処理
中に予想される歪みを決定するために使用され、これによって、今ひずみを調整
することができる。歪みマップは事前に算出されているため、熱歪みを計算する
ために必要な時間が著しく短縮される。
び／または機械反応を示す、１つまたはそれ以上の算出された歪みマップを提供
ことが含まれる。歪みマップは、パターン描画データと共に、パターニング処理
中に予想される歪みを決定するために使用され、これによって、今ひずみを調整
することができる。歪みマップは事前に算出されているため、熱歪みを計算する
ために必要な時間が著しく短縮される。
【００１１】 さらに別の技術的利点には、バルク加熱によって基板に生じたひずみを修正す
るために採用される線形重ね合わせ技術が含まれる。このような線形重ね合わせ
技術は、いかなる特定のマスク描画方法またはパターン密度配分にも限定される
ことはないため、幅広い用途に使用することができる。
るために採用される線形重ね合わせ技術が含まれる。このような線形重ね合わせ
技術は、いかなる特定のマスク描画方法またはパターン密度配分にも限定される
ことはないため、幅広い用途に使用することができる。
【００１２】 本発明の別の形態と利点は、以下の説明と添付の図面によってより明白になる
。
。
【００１３】 （発明を実施するための最良の形態） 本発明とさらなる特徴および利点をより完全に理解するために、添付の図面と
共に以下の説明を参照する。
共に以下の説明を参照する。
【００１４】 図１から図１２Ｂに示す方法と構造を参照しながら本発明の実施形態を説明す
る。複数の図中で、同様の部分は同様の参照番号で示している。これらの図は、
理解と説明を容易にするためのみの理由で簡素化されている。当業者には、説明
が進むにつれて本発明の様々な変形、応用、改作が明らかになるであろう。本発
明の示唆に依存し、また、これらによって本発明の示唆が技術を進展されるこの
ような変形、応用、改作は全て、本発明の精神と範囲内に入るものと考慮される
。
る。複数の図中で、同様の部分は同様の参照番号で示している。これらの図は、
理解と説明を容易にするためのみの理由で簡素化されている。当業者には、説明
が進むにつれて本発明の様々な変形、応用、改作が明らかになるであろう。本発
明の示唆に依存し、また、これらによって本発明の示唆が技術を進展されるこの
ような変形、応用、改作は全て、本発明の精神と範囲内に入るものと考慮される
。
【００１５】 電子ビーム描画処理 図１は、基板１２上で電子ビーム１０が走査される電子ビーム描画処理を示す
簡素化した図である。基板１２は、可能ステージ（図示せず）上に取り付けるこ
ともできる。基板１２の表面は、グリッドとして配置された複数の画素１４に分
割されている。図１では、明瞭化の目的から、１つの画素１４のみに参照番号を
付している。各画素１４の直径は、直径約０．０５から０．２μｍの範囲である
。円形または楕円形をした電子ビーム１０は、第１方向１６において定期的に走
査され、その一方で、基板１２を取り付けたステージが第２の直行方向１８に向
かって移動する。ビーム１０の走査の各々によって１つまたはそれ以上の画素の
ロウを露光し、これにより、例えば０．２から２．０μｍの範囲のサイズの図形
を描画する。
簡素化した図である。基板１２は、可能ステージ（図示せず）上に取り付けるこ
ともできる。基板１２の表面は、グリッドとして配置された複数の画素１４に分
割されている。図１では、明瞭化の目的から、１つの画素１４のみに参照番号を
付している。各画素１４の直径は、直径約０．０５から０．２μｍの範囲である
。円形または楕円形をした電子ビーム１０は、第１方向１６において定期的に走
査され、その一方で、基板１２を取り付けたステージが第２の直行方向１８に向
かって移動する。ビーム１０の走査の各々によって１つまたはそれ以上の画素の
ロウを露光し、これにより、例えば０．２から２．０μｍの範囲のサイズの図形
を描画する。
【００１６】 この描画方法を支持するために、電子ビーム１０、および／または基板１２が
取り付けられたステージの動きを導き、また、ビーム１０の露光（エネルギー）
レベルを制御するパターン描画データを使用する。例えば、パターン描画データ
は、電子ビーム１０のパワーを画定する１つまたはそれ以上のビームパターンを
特定することができる。
取り付けられたステージの動きを導き、また、ビーム１０の露光（エネルギー）
レベルを制御するパターン描画データを使用する。例えば、パターン描画データ
は、電子ビーム１０のパワーを画定する１つまたはそれ以上のビームパターンを
特定することができる。
【００１７】 グローバル熱膨張により生じる歪み 図２は、電子ビーム処理中に生じる基板１２上のグローバル熱膨張の効果を示
す。基板１２を、固定点２０周囲で弾性的に拡張できる形で３点サスペンション
（図示せず）上に取り付けてもよい。点線で示すパターングリッド２２が基板１
２のオリジナル形状である。さらに、基板１２上に描画する図形の例証的な原点
２４も点線で示す。
す。基板１２を、固定点２０周囲で弾性的に拡張できる形で３点サスペンション
（図示せず）上に取り付けてもよい。点線で示すパターングリッド２２が基板１
２のオリジナル形状である。さらに、基板１２上に描画する図形の例証的な原点
２４も点線で示す。
【００１８】 当業者にはよく知られているように、基板１２の所定の範囲を電子ビーム（図
示せず）で露光することにより、その範囲に吸収される熱が生じる。このような
バッルク加熱により、露光範囲の形状および位置が固定点２０に関連して変わる
。つまり、一般には、実践で示すパターングリッド２６のように、基板１２の形
状が膨張または歪んでしまう。従って、その範囲が露光される際に、図形原型２
４が（固定点２０に関連して）置換位置２８へとシフトする。このシフト（グロ
ーバル熱膨張効果と呼ばれる）が生じると、基板上１２の間違った場所にパター
ン図形が描かれてしまう。
示せず）で露光することにより、その範囲に吸収される熱が生じる。このような
バッルク加熱により、露光範囲の形状および位置が固定点２０に関連して変わる
。つまり、一般には、実践で示すパターングリッド２６のように、基板１２の形
状が膨張または歪んでしまう。従って、その範囲が露光される際に、図形原型２
４が（固定点２０に関連して）置換位置２８へとシフトする。このシフト（グロ
ーバル熱膨張効果と呼ばれる）が生じると、基板上１２の間違った場所にパター
ン図形が描かれてしまう。
【００１９】 有限要素熱モデル 本発明は、基板のバルク加熱によって生じた歪みを調整または修正することに
より描画の誤配置を防止することができるシステムおよび方法を提供する。これ
を達成するには、例えば経験的データや、多数ある熱膨張動作を計算するための
有限要素分析プログラム(Swanson Analysis Systems,Inc.より市販されているＡ
ＮＳＹＳ（商標）等）の１つを使って、１つまたはそれ以上の有限要素（ＦＥ）
熱モデルを作成する。有限要素モデルは、基板の別々の場所においてバルク加熱
される特性による歪みをシミュレーションまたはモデリングする。すなわち、有
限要素モデルの各々と共に、仮説上の基板が多数の個別ユニットまたは「有限要
素」に分割され、これらの有限要素の各々について、例えば電子ビームパワーの
レベルと時間に従ってバルク加熱歪みがモデリングされる。従って、有限要素モ
デルは、電子ビームパターニング中に誘発される基板のバルク加熱歪みを予想す
ることができる。
より描画の誤配置を防止することができるシステムおよび方法を提供する。これ
を達成するには、例えば経験的データや、多数ある熱膨張動作を計算するための
有限要素分析プログラム(Swanson Analysis Systems,Inc.より市販されているＡ
ＮＳＹＳ（商標）等）の１つを使って、１つまたはそれ以上の有限要素（ＦＥ）
熱モデルを作成する。有限要素モデルは、基板の別々の場所においてバルク加熱
される特性による歪みをシミュレーションまたはモデリングする。すなわち、有
限要素モデルの各々と共に、仮説上の基板が多数の個別ユニットまたは「有限要
素」に分割され、これらの有限要素の各々について、例えば電子ビームパワーの
レベルと時間に従ってバルク加熱歪みがモデリングされる。従って、有限要素モ
デルは、電子ビームパターニング中に誘発される基板のバルク加熱歪みを予想す
ることができる。
【００２０】 ある実施形態では、１つまたはそれ以上の歪みマップに、またはこれを導出す
るために有限要素モデルを使用している。このような歪みマップは、基準表にま
とめることができ、また、歪みを修正するために、描画中に電子ビームの位置を
制御または調整するべく、パターン描画データ（例えばビームパターナー）と共
に使用することができる。この方法を用いれば、基板上の正しい位置にパターン
図形が描かれる。
るために有限要素モデルを使用している。このような歪みマップは、基準表にま
とめることができ、また、歪みを修正するために、描画中に電子ビームの位置を
制御または調整するべく、パターン描画データ（例えばビームパターナー）と共
に使用することができる。この方法を用いれば、基板上の正しい位置にパターン
図形が描かれる。
【００２１】 次に、様々な例証的な有限要素モデルと、これに対応する歪みマップについて
説明する。
説明する。
【００２２】 ある有限要素モデルは、リアルタイム計算モデルと呼ぶことができる。このモ
デルを作成するには、時間間隔Δｔ（例えば、約１分間）を選択する。パターン
が描かれると、各々の間隔中に放出するエネルギーの量が計算される。各々の時
間間隔中に、新規の有限要素熱モデルが算出される。新規の時間間隔について計
算された熱量を用いて、この処理が繰り返される。各々の時間間隔計算からの出
力データ（すなわち、温度分配）が、次の計算の初期条件として使用される。特
に、このような熱分析から得た結果は、置換または歪みを決定するために、基板
の構築モデルに適用される。
デルを作成するには、時間間隔Δｔ（例えば、約１分間）を選択する。パターン
が描かれると、各々の間隔中に放出するエネルギーの量が計算される。各々の時
間間隔中に、新規の有限要素熱モデルが算出される。新規の時間間隔について計
算された熱量を用いて、この処理が繰り返される。各々の時間間隔計算からの出
力データ（すなわち、温度分配）が、次の計算の初期条件として使用される。特
に、このような熱分析から得た結果は、置換または歪みを決定するために、基板
の構築モデルに適用される。
【００２３】 別の有限要素（エネルギー・歪み比例モデルと呼ばれる）は、従来のパターン
密度配分の、予め算出した歪みマップを用いた所定のパターン密度配分のための
基板の歪みマップを生成する。これは、基板に露光された電子ビームの累積エネ
ルギーに基づいて予め算出した歪みマップの歪みベクトルを線形的にスケーリン
グして行う。このエネルギー・歪み比例モデルには、マスク描画スタイルの上級
知識が必要となる。
密度配分の、予め算出した歪みマップを用いた所定のパターン密度配分のための
基板の歪みマップを生成する。これは、基板に露光された電子ビームの累積エネ
ルギーに基づいて予め算出した歪みマップの歪みベクトルを線形的にスケーリン
グして行う。このエネルギー・歪み比例モデルには、マスク描画スタイルの上級
知識が必要となる。
【００２４】 さらに別の有限要素モデル（線形重ね合わせモデルと呼ばれる）は、基板の歪
みを予想するために線形重ね合わせの概念を採用している。線形重ね合わせモデ
ルを用いれば、電子ビームエネルギー露光の最も一般的な場合の歪みデータを予
め計算し、基準表データベースに記憶することができる。次に、リアルタイム描
画の最中にこの基準表にアクセスし、特定の電子ビームエネルギー露光の場合の
バルク加熱歪みを予想することができる。
みを予想するために線形重ね合わせの概念を採用している。線形重ね合わせモデ
ルを用いれば、電子ビームエネルギー露光の最も一般的な場合の歪みデータを予
め計算し、基準表データベースに記憶することができる。次に、リアルタイム描
画の最中にこの基準表にアクセスし、特定の電子ビームエネルギー露光の場合の
バルク加熱歪みを予想することができる。
【００２５】 歪み修正を備えた電子ビームシステム 図３は、本発明の１実施形態による電子ビーム描画システム３０を示す。電子
ビーム描画システム３０では、電子ビームを調整して、バルク加熱によってフォ
トマスク基板に生じた歪みを修正する。図に示すように、電子ビーム描画システ
ム３０は、電子ビームパターニング（描画）装置と結合したコンピュータ制御シ
ステム３２を備えている。ここで使用するように、「結合した」「接続した」と
いう用語、またはこれに関連した用語は、２つまたはそれ以上の要素間の、直接
または間接のあらゆる結合、接続を意味するものであり、結合や接続は物理的あ
るいは論理的なものであってよい。別の実施形態では、コンピュータ制御システ
ム３２は、電子ビームパターニング装置３４に一体に設けられるか、または内臓
されていてもよい。
ビーム描画システム３０では、電子ビームを調整して、バルク加熱によってフォ
トマスク基板に生じた歪みを修正する。図に示すように、電子ビーム描画システ
ム３０は、電子ビームパターニング（描画）装置と結合したコンピュータ制御シ
ステム３２を備えている。ここで使用するように、「結合した」「接続した」と
いう用語、またはこれに関連した用語は、２つまたはそれ以上の要素間の、直接
または間接のあらゆる結合、接続を意味するものであり、結合や接続は物理的あ
るいは論理的なものであってよい。別の実施形態では、コンピュータ制御システ
ム３２は、電子ビームパターニング装置３４に一体に設けられるか、または内臓
されていてもよい。
【００２６】 一般に、電子ビームパターニング装置３４は、電子ビームセンシティブ材料（
例えば電子ビームレジスト）を露光し、基板上にパターンを描くために、基板１
２上に電子ビームを生成および走査（放射）するものとして機能する（図１、図
２を参照）。電子ビームパターニング装置３４は、例えばＭＥＢＥＳTM装置のよ
うな適切な装置をいくつも用いて実行することができる。基板上へのパターンの
描画は、パターン描画データに示されたパターン、露光時間、パワーレベルに従
って行われる。
例えば電子ビームレジスト）を露光し、基板上にパターンを描くために、基板１
２上に電子ビームを生成および走査（放射）するものとして機能する（図１、図
２を参照）。電子ビームパターニング装置３４は、例えばＭＥＢＥＳTM装置のよ
うな適切な装置をいくつも用いて実行することができる。基板上へのパターンの
描画は、パターン描画データに示されたパターン、露光時間、パワーレベルに従
って行われる。
【００２７】 コンピュータ制御システム３２は、電子ビームパターニング装置３４のオペレ
ーティングシステムと連絡している。コンピュータ制御システム３２は、電子ビ
ームパターニング装置３４によって基板上へのパターンの描画を誘導、制御する
ものとして機能する。コンピュータ制御システム３２には、基板のバルク加熱を
シミュレーションする様々な有限要素モデル（ここで説明しているもの）を１つ
またはそれ以上採用することが可能である。これらの有限要素モデルの各々は、
電子ビームパターニング中にマスク基板の熱反応と機械反応を決定するために開
発された熱および構造サブモデルを備えることができる。コンピュータ制御シス
テム３２は、電子ビームパターニング中にマスク関連の歪みを識別するため、ま
た、配置における電位誤差を計算するために有限要素モデルを使用する。次に、
コンピュータ制御システム３２は、電位配置誤差を補正するために、電子ビーム
パターニング装置３４のビームを制御または誘導する。コンピュータ制御システ
ム３２は、例えば、支持用のメモリを備え、あらゆる適切なオペレーティングシ
ステムを実行するプロセッサＰＣ互換性コンピュータのような任意の適切なコン
ピュータと共に実現することが可能である。
ーティングシステムと連絡している。コンピュータ制御システム３２は、電子ビ
ームパターニング装置３４によって基板上へのパターンの描画を誘導、制御する
ものとして機能する。コンピュータ制御システム３２には、基板のバルク加熱を
シミュレーションする様々な有限要素モデル（ここで説明しているもの）を１つ
またはそれ以上採用することが可能である。これらの有限要素モデルの各々は、
電子ビームパターニング中にマスク基板の熱反応と機械反応を決定するために開
発された熱および構造サブモデルを備えることができる。コンピュータ制御シス
テム３２は、電子ビームパターニング中にマスク関連の歪みを識別するため、ま
た、配置における電位誤差を計算するために有限要素モデルを使用する。次に、
コンピュータ制御システム３２は、電位配置誤差を補正するために、電子ビーム
パターニング装置３４のビームを制御または誘導する。コンピュータ制御システ
ム３２は、例えば、支持用のメモリを備え、あらゆる適切なオペレーティングシ
ステムを実行するプロセッサＰＣ互換性コンピュータのような任意の適切なコン
ピュータと共に実現することが可能である。
【００２８】 コンピュータ制御システム 図４は、本発明の１実施形態によるコンピュータ制御システム３２のブロック
線図である。コンピュータ制御システム３２は、コンピュータ制御システム３２
が結合または統合されている電子ビームパターニング装置３４（図３）によって
電子ビーム出力の走査を誘導または制御する。図に示すように、コンピュータ制
御システム３２はプロセッサ３６とメモリ３８を備えている。
線図である。コンピュータ制御システム３２は、コンピュータ制御システム３２
が結合または統合されている電子ビームパターニング装置３４（図３）によって
電子ビーム出力の走査を誘導または制御する。図に示すように、コンピュータ制
御システム３２はプロセッサ３６とメモリ３８を備えている。
【００２９】 プロセッサ３６は、電子ビームパターニング装置３４からの入力を受信する。
この入力は、他のものと共に、基板上に描かれるパターンを特定するパターン描
画データ、描画処理中に供給される電子ビーム用の１つまたはそれ以上の電力／
エネルギーレベル、各々の電子ビームの、各電力／エネルギーレベルにおける露
光時間を含んでいてもよい。プロセッサ３６は、入力情報を様々な方法で処理す
る。この処理は、電子ビームパターニング中の、マスク関連の歪みのバルク加熱
への属性の決定または識別、これを補正するための電子ビームの走査の計算調整
が含まれる。各歪みを、基板が冷却された時に（つまり、歪みがない状態）、描
かれた図形が基板上の正しい位置にくるようにするために、描画された図形の配
置において等しいまたは逆のオフセットの形で調整することができる。プロセッ
サ３６は、算出された調整等を電子ビームパターニング装置３４に伝搬する制御
信号を出力または生成する。プロセッサ３６の機能は、メインフレーム、ファイ
ルサーバ、ワークステーション、その他適切なソフトウェアを実行するデータ処
理設備のような適切なプロセッサによって実行するこごができる。
この入力は、他のものと共に、基板上に描かれるパターンを特定するパターン描
画データ、描画処理中に供給される電子ビーム用の１つまたはそれ以上の電力／
エネルギーレベル、各々の電子ビームの、各電力／エネルギーレベルにおける露
光時間を含んでいてもよい。プロセッサ３６は、入力情報を様々な方法で処理す
る。この処理は、電子ビームパターニング中の、マスク関連の歪みのバルク加熱
への属性の決定または識別、これを補正するための電子ビームの走査の計算調整
が含まれる。各歪みを、基板が冷却された時に（つまり、歪みがない状態）、描
かれた図形が基板上の正しい位置にくるようにするために、描画された図形の配
置において等しいまたは逆のオフセットの形で調整することができる。プロセッ
サ３６は、算出された調整等を電子ビームパターニング装置３４に伝搬する制御
信号を出力または生成する。プロセッサ３６の機能は、メインフレーム、ファイ
ルサーバ、ワークステーション、その他適切なソフトウェアを実行するデータ処
理設備のような適切なプロセッサによって実行するこごができる。
【００３０】 メモリ３８は、プロセッサ３６と接続しており、主に、コンピュータ制御シス
テム３２で利用できる様々な情報を受信、記憶、転送する。メモリ３８は、ラン
ダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ディスク、テ
ープ記憶、またはその他の揮発性および／または火揮発性のデータ記憶システム
のような任意の適切な記憶媒体内に常駐することができる。ある実施形態では、
メモリ３８はリレーショナルデータベースを含む。
テム３２で利用できる様々な情報を受信、記憶、転送する。メモリ３８は、ラン
ダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ディスク、テ
ープ記憶、またはその他の揮発性および／または火揮発性のデータ記憶システム
のような任意の適切な記憶媒体内に常駐することができる。ある実施形態では、
メモリ３８はリレーショナルデータベースを含む。
【００３１】 図に示すように、メモリ３８は基準表４０を備えることができる。基準表４０
は、有限要素（ＦＥ）分析に基づいて基板のバルク加熱をシミュレーションする
１つまたはそれ以上の熱モデルに関する、またはここから導出した情報を含んで
いる。ある実施形態では、規準表４０は１つまたはそれ以上の歪みマップを備え
ている。プロセッサ３６が、補正目的で制御信号を生成できるよう基板のバルク
加熱歪みを決定または算出するために、プロセッサ３６はこのような歪みマップ
の各々を使用することができる。
は、有限要素（ＦＥ）分析に基づいて基板のバルク加熱をシミュレーションする
１つまたはそれ以上の熱モデルに関する、またはここから導出した情報を含んで
いる。ある実施形態では、規準表４０は１つまたはそれ以上の歪みマップを備え
ている。プロセッサ３６が、補正目的で制御信号を生成できるよう基板のバルク
加熱歪みを決定または算出するために、プロセッサ３６はこのような歪みマップ
の各々を使用することができる。
【００３２】 基準表の作成 図５Ａ、図５Ｂは、本発明の１実施形態による例証的な基準表４０の作成を示
すものである。一般に、基準表４０は、バルク加熱に起因する基板の歪みを修正
または調整するために使用することができる情報を含んでいる。本明細書中で説
明しているように、基準表４０は、電子ビームパターニング装置３４のオペレー
ションシステムと連絡しているコンピュータ制御システム３２のメモリ３８内に
保存することができる。
すものである。一般に、基準表４０は、バルク加熱に起因する基板の歪みを修正
または調整するために使用することができる情報を含んでいる。本明細書中で説
明しているように、基準表４０は、電子ビームパターニング装置３４のオペレー
ションシステムと連絡しているコンピュータ制御システム３２のメモリ３８内に
保存することができる。
【００３３】 図５Ａは、基板のパターン範囲４２のｎセル４４への分割を示す。明瞭性のた
めに、１つのセル４４のみに参照符号を付している。各セル４４のサイズまたは
範囲は、パターン配置誤差を修正に要される正確性と、基準表４０の記憶および
基準表４０へのダイナミックアクセスが可能なコンピュータメモリとに基づいて
選択することができる。ある実施形態では、各セル４４が約１ｃｍ2の表面範囲
を占めている。
めに、１つのセル４４のみに参照符号を付している。各セル４４のサイズまたは
範囲は、パターン配置誤差を修正に要される正確性と、基準表４０の記憶および
基準表４０へのダイナミックアクセスが可能なコンピュータメモリとに基づいて
選択することができる。ある実施形態では、各セル４４が約１ｃｍ2の表面範囲
を占めている。
【００３４】 有限要素モデルシミュレーション分析では、各セル４４が１つまたはそれ以上
の「有限要素」を構成する。実際に基板上に描画を行う前に、これらの有限要素
を用いて、１つまたはそれ以上の熱および／または構造有限要素モデルが計算あ
るいは生成される。一般に、これを達成するには、各々のセル４４について、１
ユニットのエネルギーがこのセル４４内に導入され、次に、全体のマスクの正確
な歪みマップが、規則的な時間間隔（例えば、１分間）において計算される。
の「有限要素」を構成する。実際に基板上に描画を行う前に、これらの有限要素
を用いて、１つまたはそれ以上の熱および／または構造有限要素モデルが計算あ
るいは生成される。一般に、これを達成するには、各々のセル４４について、１
ユニットのエネルギーがこのセル４４内に導入され、次に、全体のマスクの正確
な歪みマップが、規則的な時間間隔（例えば、１分間）において計算される。
【００３５】 より詳細には、熱モデルシミュレーション分析では、パターン範囲４２におけ
る各セル４４に、Δｔの時間において熱量が付加される。各セル４４についての
熱量は、一般に、セルが受ける電子ビーム露光の量に関連する。この露光は、セ
ル４４上を走査する電子ビームの電力／エネルギーレベルと、セルがビームにさ
らされている時間とを考慮する。電子ビームの電力／エネルギーレベルは、パタ
ーン描画データに記されているビームパラメータから求める。時間Δｔは、実際
の描画の最中に基板の同等な範囲を露光するために要する実時間に関連する。
る各セル４４に、Δｔの時間において熱量が付加される。各セル４４についての
熱量は、一般に、セルが受ける電子ビーム露光の量に関連する。この露光は、セ
ル４４上を走査する電子ビームの電力／エネルギーレベルと、セルがビームにさ
らされている時間とを考慮する。電子ビームの電力／エネルギーレベルは、パタ
ーン描画データに記されているビームパラメータから求める。時間Δｔは、実際
の描画の最中に基板の同等な範囲を露光するために要する実時間に関連する。
【００３６】 ある実施形態では、熱モデルシミュレーション分析は、真空状態において生じ
る、伝導性および放射性熱伝導機構を考慮するものである。基板に蓄積された熱
エネルギーをシミュレーションするために、同等な表面熱フラックスが使用され
、また、放射性熱境界条件が用いられる。
る、伝導性および放射性熱伝導機構を考慮するものである。基板に蓄積された熱
エネルギーをシミュレーションするために、同等な表面熱フラックスが使用され
、また、放射性熱境界条件が用いられる。
【００３７】 例証的構造モデルシミュレーション分析では、基板は、基板の中心から５９．
４ｍｍの放射距離で配置された“２−２−２”キネマティックマウントによって
支持されていると考えられる。このような取り付け状態は、ＭＥＢＥＳTM電子ビ
ーム装置では一般的である。
４ｍｍの放射距離で配置された“２−２−２”キネマティックマウントによって
支持されていると考えられる。このような取り付け状態は、ＭＥＢＥＳTM電子ビ
ーム装置では一般的である。
【００３８】 基板のバルク加熱は、描画中の所定の瞬間における任意のセル４４の歪みが、
セルが露光されるエネルギーだけでなく、付近のセルが露光されるエネルギーに
も依存するダイナミック処理である。従って、特定の位置にある、描画中の特定
の時間における基板の歪みを予想するためには、先に基板全体に施したパターニ
ングの知識が必要である。これを達成するには、個別の時間Δｔについて１つま
たはそれ以上の歪みマップを予め計算する。
セルが露光されるエネルギーだけでなく、付近のセルが露光されるエネルギーに
も依存するダイナミック処理である。従って、特定の位置にある、描画中の特定
の時間における基板の歪みを予想するためには、先に基板全体に施したパターニ
ングの知識が必要である。これを達成するには、個別の時間Δｔについて１つま
たはそれ以上の歪みマップを予め計算する。
【００３９】 図５Ｂは、図５Ａに示した基板パターン範囲４２の有限要素モデルシミュレー
ション分析で生成することができる複数の歪みマップ４８を備えた基準表４０を
示す。
ション分析で生成することができる複数の歪みマップ４８を備えた基準表４０を
示す。
【００４０】 歪みマップ４８には、個別に参照符号４８（ａ）から４８（ｉ）を付している
。歪みマップ４８はセットにグループ分けしてもよく、この場合、１セット内の
全てのマップ４８が基板パターン範囲４２の特定のセル４４に関連する。図に示
すように、例えば、歪みマップ４８（ａ）から４８（ｃ）を含むセットは基板パ
ターン範囲４２の第１セル４４に関連し、また、マップ４８（ｄ）から４８（ｆ
）を含むセットは第２セル４４に関連し、マップ４８（ｇ）から４８（ｉ）を含
むセットは基板パターン範囲４２の第ｎセル４４に関連している。各セット内で
、各々の歪みマップ４８は異なる時間またはフレームに関連している（例えば、
ｔ＝Δｔ、ｔ＝２Δｔ、ｔ＝３Δｔ、ｔ＝４Δｔ）。基準表４０中の各々の歪み
マップ４８は、パターン範囲４２内の各セル４４をパターニングした結果の、そ
れぞれの時間フレームにおける基板の熱機構反応を示している。ある実施形態で
は、例えば、各歪みマップ４８は、特定の電力レベル、特定の瞬間において電子
ビームで露光した結果、各々のセル４４で予想される歪みの量に関連したベクト
ルを示している。そのため、例証的なベクトルは、第３時間フレームにおけるパ
ターン範囲内の１０番目のセルについて、第１（ｘ）、第２（ｙ）寸法ではそれ
ぞれ０．５ｎｍと０．３ｎｍの歪みが予想されることを示す。各歪みマップ４８
は、全てのセル４４が電子ビームで露光されると仮定してもよい（つまり、基板
上の関連する範囲が１００％パターン被覆される）。
。歪みマップ４８はセットにグループ分けしてもよく、この場合、１セット内の
全てのマップ４８が基板パターン範囲４２の特定のセル４４に関連する。図に示
すように、例えば、歪みマップ４８（ａ）から４８（ｃ）を含むセットは基板パ
ターン範囲４２の第１セル４４に関連し、また、マップ４８（ｄ）から４８（ｆ
）を含むセットは第２セル４４に関連し、マップ４８（ｇ）から４８（ｉ）を含
むセットは基板パターン範囲４２の第ｎセル４４に関連している。各セット内で
、各々の歪みマップ４８は異なる時間またはフレームに関連している（例えば、
ｔ＝Δｔ、ｔ＝２Δｔ、ｔ＝３Δｔ、ｔ＝４Δｔ）。基準表４０中の各々の歪み
マップ４８は、パターン範囲４２内の各セル４４をパターニングした結果の、そ
れぞれの時間フレームにおける基板の熱機構反応を示している。ある実施形態で
は、例えば、各歪みマップ４８は、特定の電力レベル、特定の瞬間において電子
ビームで露光した結果、各々のセル４４で予想される歪みの量に関連したベクト
ルを示している。そのため、例証的なベクトルは、第３時間フレームにおけるパ
ターン範囲内の１０番目のセルについて、第１（ｘ）、第２（ｙ）寸法ではそれ
ぞれ０．５ｎｍと０．３ｎｍの歪みが予想されることを示す。各歪みマップ４８
は、全てのセル４４が電子ビームで露光されると仮定してもよい（つまり、基板
上の関連する範囲が１００％パターン被覆される）。
【００４１】 以下に説明するように、基準表４０の歪みマップ４８内のデータは、基板の実
際の描画処理中のバルク加熱への歪み属性を予想するために使用することができ
る。
際の描画処理中のバルク加熱への歪み属性を予想するために使用することができ
る。
【００４２】 ある実施形態において、基板の単一の有限要素歪みモデルが、描画に基づいて
、固定したパターン密度で所定の順番において生成される。基板上の所定の任意
の点が次に描かれた際に、コンピュータ制御システム３２が、その時間までに基
板内に導入された総エネルギーとモデル内の関連値との間の比率を計算する。次
に、修正を生じるために、算出されたモデル内の歪みにこの比率が乗算される。
別の実施形態では、基板の歪みを正確に計算するために、線形重ね合わせ技術が
使用される。正確であることに加えて、この線形重ね合わせ技術により、基板に
任意の順番で描画またはパターニングが施されてもよい。
、固定したパターン密度で所定の順番において生成される。基板上の所定の任意
の点が次に描かれた際に、コンピュータ制御システム３２が、その時間までに基
板内に導入された総エネルギーとモデル内の関連値との間の比率を計算する。次
に、修正を生じるために、算出されたモデル内の歪みにこの比率が乗算される。
別の実施形態では、基板の歪みを正確に計算するために、線形重ね合わせ技術が
使用される。正確であることに加えて、この線形重ね合わせ技術により、基板に
任意の順番で描画またはパターニングが施されてもよい。
【００４３】 電子ビーム描画システムの動作 例証的な電子ビーム描画システム３０（図３）の走査において、複数の歪みマ
ップ４８が、電子ビームパターニング装置３４と結合したコンピュータ制御シス
テム３２のメモリ内に記憶される。基板に図形が描画されると、コンピュータ制
御システム３２が、任意の所定の時間増加において、各セル４４（図５Ａ）に導
入されるエネルギーの量を監視する。これは、電子ビームパターニング装置３４
からコンピュータ制御システム３２にパターン描画データを通信することで達成
される。パターン描画データは、一連のパターニング段階、各段階において基板
パターン範囲４２の様々な場所に描かれるパターン、各段階についての電子ビー
ムの電力レベル、露光時間、等を示してよい。
ップ４８が、電子ビームパターニング装置３４と結合したコンピュータ制御シス
テム３２のメモリ内に記憶される。基板に図形が描画されると、コンピュータ制
御システム３２が、任意の所定の時間増加において、各セル４４（図５Ａ）に導
入されるエネルギーの量を監視する。これは、電子ビームパターニング装置３４
からコンピュータ制御システム３２にパターン描画データを通信することで達成
される。パターン描画データは、一連のパターニング段階、各段階において基板
パターン範囲４２の様々な場所に描かれるパターン、各段階についての電子ビー
ムの電力レベル、露光時間、等を示してよい。
【００４４】 所定の時間増加において、パターン範囲４２に費やされたエネルギーに基づい
て、コンピュータ制御システム３２が予想されるバルク加熱への歪み属性を計算
する。ある実施形態では、これは、コンピュータ制御システム３２が、適切な歪
みマップ４８から、基板全体にかけての歪みベクトルを引き出し、これを線形ス
ケーリングすることによって達成される。
て、コンピュータ制御システム３２が予想されるバルク加熱への歪み属性を計算
する。ある実施形態では、これは、コンピュータ制御システム３２が、適切な歪
みマップ４８から、基板全体にかけての歪みベクトルを引き出し、これを線形ス
ケーリングすることによって達成される。
【００４５】 次に、コンピュータ制御システム３２が、各々の計算された歪みについて、パ
ターン配置における同等のまたは逆のオフセットを案内する制御信号を生成する
。制御信号が、電子ビームパターニング装置３４による電子ビームの走査を誘導
する。特に、電子ビームの走査は各々のオフセットに従って調整されることによ
り、各々の歪みが、基板が冷却された際に、所望のパターン図形が基板上の適切
な位置に現れるようにオフセットまたは補正される。
ターン配置における同等のまたは逆のオフセットを案内する制御信号を生成する
。制御信号が、電子ビームパターニング装置３４による電子ビームの走査を誘導
する。特に、電子ビームの走査は各々のオフセットに従って調整されることによ
り、各々の歪みが、基板が冷却された際に、所望のパターン図形が基板上の適切
な位置に現れるようにオフセットまたは補正される。
【００４６】 本発明の１実施形態による方法は、ここで説明した電子ビーム描画システム３
０の操作に関連する。
０の操作に関連する。
【００４７】 線形重ね合わせ 本発明の１実施形態による線形重ね合わせ技術は、基板の最大温度上昇が数度
のみであるといった特定の条件下での電子ビームパターニング中の、基板の熱お
よび機械反応を予想するために用いることができる。
のみであるといった特定の条件下での電子ビームパターニング中の、基板の熱お
よび機械反応を予想するために用いることができる。
【００４８】 特に、電子ビームパターニング中の基板の熱反応を表す熱伝搬方程式の一般的
な形は次の通りである。
な形は次の通りである。
【００４９】
【数１】 ここで、ＴとＴsurは基板とその周囲の温度をそれぞれ示し、ｋ、ε、ｐ、ｃは
、熱伝導性、放射率、密度、基板材料の熱容量をそれぞれ示し、ＡとＶは、基板
の表面範囲と体積をそれぞれ示し、σはシュテファン＝ボルツマン定数を示す。
、熱伝導性、放射率、密度、基板材料の熱容量をそれぞれ示し、ＡとＶは、基板
の表面範囲と体積をそれぞれ示し、σはシュテファン＝ボルツマン定数を示す。
【００５０】 フォトマスクパターニング中の所定の電子ビームパラメータについて、また、
バルク加熱の最も厳しい条件下において、基板の最大温度上昇は１または２度で
ある。これは、上述の方程式での放射条件が以下の通り近似させ、描画すること
が可能である。
バルク加熱の最も厳しい条件下において、基板の最大温度上昇は１または２度で
ある。これは、上述の方程式での放射条件が以下の通り近似させ、描画すること
が可能である。
【００５１】
【数２】 この近似を用いることで方程式（１）が線形になり、これにより、描画中の基板
の熱反応を予想するために線形重ね合わせ技術を使用することが可能になる。
の熱反応を予想するために線形重ね合わせ技術を使用することが可能になる。
【００５２】 ある実施形態において、線形重ね合わせ技術は以下の方法で実現することがで
きる。
きる。
【００５３】 （１）基板が（既に説明したように）セルの列に分割され、セルの各々が約１
ｃｍ2である。各セルについて、関連するタイムステップの開始時において１ユ
ニットのエネルギーをセル内に導入したことによって生じる歪みを、時間の関数
として予想する有限要素計算が実施される。この方法では、複数のタイムステッ
プにかけて、各セルについて歪みマップの基準表が作成される。
ｃｍ2である。各セルについて、関連するタイムステップの開始時において１ユ
ニットのエネルギーをセル内に導入したことによって生じる歪みを、時間の関数
として予想する有限要素計算が実施される。この方法では、複数のタイムステッ
プにかけて、各セルについて歪みマップの基準表が作成される。
【００５４】 （２）一連のタイムステップにかけてマスクが描かれる際に、電子ビーム描画
システム３０が、所定のタイムステップにおいて各セル内に導入されるエネルギ
ーの量を監視する。次に、このタイムステップ中にエネルギー導入によって生じ
た歪みが、線形サメーション（summation）から形成される。このサメーション
は、各セルに導入されたエネルギーの、基準表で使用されるユニットのエネルギ
ーに対する比率をとる。関連する歪みマップをこの比率で割る。これは、このタ
イムステップに描かれた全てのセルについて行われる。比率で表されたマップの
各セルを（ベクトル的に）合計する歪みマップが作成される。
システム３０が、所定のタイムステップにおいて各セル内に導入されるエネルギ
ーの量を監視する。次に、このタイムステップ中にエネルギー導入によって生じ
た歪みが、線形サメーション（summation）から形成される。このサメーション
は、各セルに導入されたエネルギーの、基準表で使用されるユニットのエネルギ
ーに対する比率をとる。関連する歪みマップをこの比率で割る。これは、このタ
イムステップに描かれた全てのセルについて行われる。比率で表されたマップの
各セルを（ベクトル的に）合計する歪みマップが作成される。
【００５５】 （３）次のタイムステップでは、直前に説明した処理が繰り返され、これによ
り、この次のタイムステップのみによって生じた歪みのマップが作成される。こ
の歪みが、１つ前のタイムステップについて算出された歪みの再計算に加算され
るが、今回は、１タイムステップ進んだ歪みマップの比率から算出される。
り、この次のタイムステップのみによって生じた歪みのマップが作成される。こ
の歪みが、１つ前のタイムステップについて算出された歪みの再計算に加算され
るが、今回は、１タイムステップ進んだ歪みマップの比率から算出される。
【００５６】 （４）一連のタイムステップの各々について、最後のタイムステップについて
の歪みが計算されるまで、上述した処理が繰り返される。
の歪みが計算されるまで、上述した処理が繰り返される。
【００５７】 線形重ね合わせが正確にバルク加熱を概算することをデモンストレーションす
るために、次のテストケース（図６、図７Ａ，図７Ｂを参照して説明する）を考
慮する。図６は、パターン範囲４２（ａ）への電子ビーム露光による、２つのセ
ル４４（ａ）、４４（ｂ）の例証的パターニングを示す。セル４４（ａ）、４４
（ｂ）は、線形重ね合わせ技術を使用した際の最悪の場合における隣接セルとし
て特別に選択された。つまり、互いに隣接するセル４４（ａ）と４４（ｂ）を用
いて、最大温度上昇を推測することができる。これにより、放射条件による方程
式（１）の非線形性が最も顕著になるため、最大誤差が生じる。
るために、次のテストケース（図６、図７Ａ，図７Ｂを参照して説明する）を考
慮する。図６は、パターン範囲４２（ａ）への電子ビーム露光による、２つのセ
ル４４（ａ）、４４（ｂ）の例証的パターニングを示す。セル４４（ａ）、４４
（ｂ）は、線形重ね合わせ技術を使用した際の最悪の場合における隣接セルとし
て特別に選択された。つまり、互いに隣接するセル４４（ａ）と４４（ｂ）を用
いて、最大温度上昇を推測することができる。これにより、放射条件による方程
式（１）の非線形性が最も顕著になるため、最大誤差が生じる。
【００５８】 各セル４４（ａ）、４４（ｂ）をパターニングするのに要する時間はΔｔであ
り、セルが連続してパターニングされると仮定する。従って、セル４４（ａ）は
時間ｔ＝Δｔでパターニングされ、セル４４（ｂ）は時間ｔ＝２Δｔでパターニ
ングされると考えることができる。線形重ね合わせ技術を用いて、セル４４（ａ
）、４４（ｂ）の両方のパターニングの最後（つまりｔ＝２Δｔ）における基板
全体の歪みは、セル４４（ａ）のパターニングによって生じた歪みをセル４４（
ｂ）のパターニングによって生じた歪みにベクトル的に追加することによって得
ることができる。
り、セルが連続してパターニングされると仮定する。従って、セル４４（ａ）は
時間ｔ＝Δｔでパターニングされ、セル４４（ｂ）は時間ｔ＝２Δｔでパターニ
ングされると考えることができる。線形重ね合わせ技術を用いて、セル４４（ａ
）、４４（ｂ）の両方のパターニングの最後（つまりｔ＝２Δｔ）における基板
全体の歪みは、セル４４（ａ）のパターニングによって生じた歪みをセル４４（
ｂ）のパターニングによって生じた歪みにベクトル的に追加することによって得
ることができる。
【００５９】 図７Ａ、図７Ｂは、進歩した技術（つまり、簡単な有限要素計算）と線形重ね
合わせ技術を各々用いて得た、図６に関連して示し、説明したケースについての
インプレーン歪みを示すグラフを示す。図７Ａと図７Ｂを比較することで、進歩
した技術によって得た歪みと線形重ね合わせ技術によって得た歪との間に約１０
％の最大差（誤差）が生じる。提案された線形重ね合わせ技術において生じた誤
差は、有限要素モデル内のシミュレートしたセル４４のサイズを最良化すること
でさらに最小限に抑えることができる。従って、線形重ね合わせ技術は、基板内
のバルク加熱への歪み属性の比較的正確な数値を算出する。
合わせ技術を各々用いて得た、図６に関連して示し、説明したケースについての
インプレーン歪みを示すグラフを示す。図７Ａと図７Ｂを比較することで、進歩
した技術によって得た歪みと線形重ね合わせ技術によって得た歪との間に約１０
％の最大差（誤差）が生じる。提案された線形重ね合わせ技術において生じた誤
差は、有限要素モデル内のシミュレートしたセル４４のサイズを最良化すること
でさらに最小限に抑えることができる。従って、線形重ね合わせ技術は、基板内
のバルク加熱への歪み属性の比較的正確な数値を算出する。
【００６０】 線形重ね合わせ技術を実証するために、さらなるテストケースを考慮した。本
発明の別の実施形態に関連したこれらのテストケースは、線形重ね合わせ技術を
用いて推測した歪みの正確性における異なる変数の効果を試験したものである。
これらの変数は、基板のパターン密度（または被覆）と、有限要素モデル内のセ
ルの形状を含むと考えられた。例証的なテストケースについて以下に説明する。
発明の別の実施形態に関連したこれらのテストケースは、線形重ね合わせ技術を
用いて推測した歪みの正確性における異なる変数の効果を試験したものである。
これらの変数は、基板のパターン密度（または被覆）と、有限要素モデル内のセ
ルの形状を含むと考えられた。例証的なテストケースについて以下に説明する。
【００６１】 パターン密度（被覆） あるテストケースは、バルク加熱への歪み属性が、基板のパターン密度または
被覆に線形比例することを示した。従って、本発明の１実施形態によれば、基板
の全てにパターニングが施された（つまり、被覆率が１００％である）参照ケー
スから得た歪みデータを、任意の所定のパターン密度について基板の歪みを推測
するために線形スケーリングすることができる。このテストケースについて図８
Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂを参照しながら説明する。
被覆に線形比例することを示した。従って、本発明の１実施形態によれば、基板
の全てにパターニングが施された（つまり、被覆率が１００％である）参照ケー
スから得た歪みデータを、任意の所定のパターン密度について基板の歪みを推測
するために線形スケーリングすることができる。このテストケースについて図８
Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂを参照しながら説明する。
【００６２】 図８Ａ、図８Ｂは、それぞれの基板パターン範囲４２（ｃ）、４２（ｄ）での
、異なる被覆量における、２つのセル４４（ｃ）、４４（ｄ）の電子ビーム露光
による例証的なパターニングを示す。一般に、セル４４についての被覆量はパタ
ーン描画データから導出できる。
、異なる被覆量における、２つのセル４４（ｃ）、４４（ｄ）の電子ビーム露光
による例証的なパターニングを示す。一般に、セル４４についての被覆量はパタ
ーン描画データから導出できる。
【００６３】 セル４４（ｃ）は５０％のパターン密度にさらされ（露光され）、一方で、セ
ル４４（ｄ）は１００％のパターン密度にさらされた。基板バターン範囲４２（
ｃ）、４２（ｄ）上で、中央から右上の角へのびる各々の対角線に沿って選択し
た点に多数の歪みが得られた（算出された）。
ル４４（ｄ）は１００％のパターン密度にさらされた。基板バターン範囲４２（
ｃ）、４２（ｄ）上で、中央から右上の角へのびる各々の対角線に沿って選択し
た点に多数の歪みが得られた（算出された）。
【００６４】 図９Ａは、図８Ａ、図８Ｂの異なる割合の被覆を用いたパターニングの有限要
素シミュレーションから得られた歪みを示すグラフである。線５０は、被覆率１
００％のセル４４（ｄ）を含んだパターン範囲４２（ｄ）の対角線に沿った様々
な選択点における歪みと関連し、線５２は、被覆率５０％のセル４４（ｃ）を含
んだパターン範囲４２（ｃ）の対角線に沿った様々な選択点における歪みに関連
する。図９Ｂは、図９Ａに示した１００％の被覆率に関連する歪みを２で割った
結果を示すグラフである。図９Ｂ中の線５４がこれらの結果を表している。
素シミュレーションから得られた歪みを示すグラフである。線５０は、被覆率１
００％のセル４４（ｄ）を含んだパターン範囲４２（ｄ）の対角線に沿った様々
な選択点における歪みと関連し、線５２は、被覆率５０％のセル４４（ｃ）を含
んだパターン範囲４２（ｃ）の対角線に沿った様々な選択点における歪みに関連
する。図９Ｂは、図９Ａに示した１００％の被覆率に関連する歪みを２で割った
結果を示すグラフである。図９Ｂ中の線５４がこれらの結果を表している。
【００６５】 図９Ａと図９Ｂ−−−特に、線５２（５０％の被覆率に関連する）と線５４（
１００％の被覆率を２で掛けることに関連する）−−−を比較することで、歪み
とパターン密度の間の線形関係が実証される。
１００％の被覆率を２で掛けることに関連する）−−−を比較することで、歪み
とパターン密度の間の線形関係が実証される。
【００６６】 セルの幾何学配列 別のテストケースは、異なる形状（例えば矩形）のセル上で行われる実際のパ
ターニング処理による生じる歪みを決定する上で、セル４４のある種の幾何学配
列または形状（例えば四角形）に基づいた有限要素モデルシミュレーションがこ
こでも有用であることを示した。従って、本発明の１実施形態によれば、セル４
４のある種の形状に基づいて有限要素モデルから導出した歪みデータを、別の形
状のセルに行う実際のパターニング処理で生じる歪みを求めるために、線形重ね
合わせ技術に使用することができる。このテストケースを図１０Ａ、図１０Ｂ、
図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂを参照しながら説明する。
ターニング処理による生じる歪みを決定する上で、セル４４のある種の幾何学配
列または形状（例えば四角形）に基づいた有限要素モデルシミュレーションがこ
こでも有用であることを示した。従って、本発明の１実施形態によれば、セル４
４のある種の形状に基づいて有限要素モデルから導出した歪みデータを、別の形
状のセルに行う実際のパターニング処理で生じる歪みを求めるために、線形重ね
合わせ技術に使用することができる。このテストケースを図１０Ａ、図１０Ｂ、
図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂを参照しながら説明する。
【００６７】 図１０Ａ、図１０Ｂは、パターン範囲４２（ｅ）、４２（ｆ）内に各々含まれ
る、形状の異なる２つのセル４４（ｅ）、４４（ｆ）の電子ビーム露光による例
証的なパターニングを示す。図にあるように、セル４４（ｅ）は、１３．２×１
３．２大きさの四角形であり、セル４４（ｆ）は２６．４×６．６の大きさの矩
形である。従って、セル４４（ｅ）と４４（ｆ）は同じ表面範囲を共有している
。両セル４４（ｅ）と４４（ｆ）について、パターニング被覆は１００％であり
、パターニング時間は同じであると仮定する。
る、形状の異なる２つのセル４４（ｅ）、４４（ｆ）の電子ビーム露光による例
証的なパターニングを示す。図にあるように、セル４４（ｅ）は、１３．２×１
３．２大きさの四角形であり、セル４４（ｆ）は２６．４×６．６の大きさの矩
形である。従って、セル４４（ｅ）と４４（ｆ）は同じ表面範囲を共有している
。両セル４４（ｅ）と４４（ｆ）について、パターニング被覆は１００％であり
、パターニング時間は同じであると仮定する。
【００６８】 基板パターン範囲４２（ｅ）、４２（ｆ）の、中央から右上角にのびる各々の
対角線上にとった選択点について、多数の熱反応と機械反応（例えば、歪み）が
得られた／算出された。２つの時間フレームｔ＝Δｔ、ｔ＝２Δｔについて反応
が計算された。
対角線上にとった選択点について、多数の熱反応と機械反応（例えば、歪み）が
得られた／算出された。２つの時間フレームｔ＝Δｔ、ｔ＝２Δｔについて反応
が計算された。
【００６９】 図１１Ａ、図１１Ｂは、時間フレームｔ＝Δｔにおいて、図１０Ａと図１０Ｂ
で示した基板について得た熱反応と歪みを各々示すグラフである。詳細には、図
１１Ａ中で、線５６は、四角形のセル４４（ｅ）を含んでいるパターン範囲４２
（ｅ）の対角線に沿ってとった様々な選択点での熱反応に関連し、線５８は、矩
形のセル４４（ｆ）を含んでいるパターン範囲４２（ｆ）の対角線に沿ってとっ
た様々な選択点での熱反応に関連する。図１１Ｂ中で、線６０は、四角形のセル
４４（ｅ）を含んでいるパターン範囲４２（ｅ）の対角線に沿ってとった様々な
選択点での歪みに関連し、線６２は、矩形のセル４４（ｆ）を含んでいるパター
ン範囲４２（ｆ）の対角線に沿ってとった様々な選択点での歪みに関連する。線
６０と線６２を比較することで、時間フレームｔ＝Δｔにおける、四角形セルと
矩形セルとの間の結果的な歪みに約１０％の最大差が生じる。
で示した基板について得た熱反応と歪みを各々示すグラフである。詳細には、図
１１Ａ中で、線５６は、四角形のセル４４（ｅ）を含んでいるパターン範囲４２
（ｅ）の対角線に沿ってとった様々な選択点での熱反応に関連し、線５８は、矩
形のセル４４（ｆ）を含んでいるパターン範囲４２（ｆ）の対角線に沿ってとっ
た様々な選択点での熱反応に関連する。図１１Ｂ中で、線６０は、四角形のセル
４４（ｅ）を含んでいるパターン範囲４２（ｅ）の対角線に沿ってとった様々な
選択点での歪みに関連し、線６２は、矩形のセル４４（ｆ）を含んでいるパター
ン範囲４２（ｆ）の対角線に沿ってとった様々な選択点での歪みに関連する。線
６０と線６２を比較することで、時間フレームｔ＝Δｔにおける、四角形セルと
矩形セルとの間の結果的な歪みに約１０％の最大差が生じる。
【００７０】 しかし、各基板が擬似平衡状態に向かって移動すると、歪みの差の量が時間に
かけて減じられる。これは、時間フレームｔ＝２Δｔにおける同一の選択点の熱
反応と歪みを記す図１２Ａ、図１２Ｂに明瞭に示されている。
かけて減じられる。これは、時間フレームｔ＝２Δｔにおける同一の選択点の熱
反応と歪みを記す図１２Ａ、図１２Ｂに明瞭に示されている。
【００７１】 つまり、図１２Ａ、図１２Ｂは、時間フレームｔ＝２Δｔにおいて、図１０Ａ
、図１０Ｂの基板について得た熱反応と歪みを各々示すグラフである。図１２Ａ
で、線６４は、四角形のセル４４（ｅ）を含んでいるパターン範囲４２（ｅ）の
対角線に沿ってとった様々な選択点での熱反応に関連し、線６６は、矩形のセル
４４（ｆ）を含んでいるパターン範囲４２（ｆ）の対角線に沿ってとった様々な
選択点での熱反応に関連する。図１２Ｂで、線６８は、四角形のセル４４（ｅ）
を持ったパターン範囲４２（ｅ）の対角線に沿ってとった多数の選択点での歪み
に関連し、線７０は、矩形のセル４４（ｆ）を持ったパターン範囲４２（ｆ）の
対角線に沿ってとった多くの選択点での歪みに関連する。線６８と線７０を比較
することで、時間フレームｔ＝２Δｔにおいて、四角形のセルと矩形のセルの間
の結果的な歪みに３％未満の最大差が生じる。
、図１０Ｂの基板について得た熱反応と歪みを各々示すグラフである。図１２Ａ
で、線６４は、四角形のセル４４（ｅ）を含んでいるパターン範囲４２（ｅ）の
対角線に沿ってとった様々な選択点での熱反応に関連し、線６６は、矩形のセル
４４（ｆ）を含んでいるパターン範囲４２（ｆ）の対角線に沿ってとった様々な
選択点での熱反応に関連する。図１２Ｂで、線６８は、四角形のセル４４（ｅ）
を持ったパターン範囲４２（ｅ）の対角線に沿ってとった多数の選択点での歪み
に関連し、線７０は、矩形のセル４４（ｆ）を持ったパターン範囲４２（ｆ）の
対角線に沿ってとった多くの選択点での歪みに関連する。線６８と線７０を比較
することで、時間フレームｔ＝２Δｔにおいて、四角形のセルと矩形のセルの間
の結果的な歪みに３％未満の最大差が生じる。
【００７２】 上述の結果は、実際の行が処理にあるセルの形状が、有限要素モデルシミュレ
ーションセルから異なっていても、十分な時間（例えば、露光後数時間フレーム
）が経過していれば、実際の描画中に生じるバルク加熱への歪み属性を推測する
ために、やはりこのようなシミュレーションを使用することができる。
ーションセルから異なっていても、十分な時間（例えば、露光後数時間フレーム
）が経過していれば、実際の描画中に生じるバルク加熱への歪み属性を推測する
ために、やはりこのようなシミュレーションを使用することができる。
【００７３】 従って、本発明は、電子ビーム描画処理中に基板の熱膨張を修正し、バルク加
熱によって生じる誤差を回避するシステムおよび方法を提供する。ある実施形態
では、パターニング中に電子ビームバルク加熱によって生じる歪みを推測するた
めに線形重ね合わせ技術を採用することができる。多くのテストケースにおいて
有限要素分析を用いて評価されるこの技術は、電子ビーム描画中のバルク加熱が
原因で基板に生じることが予測されるほとんどの歪みを修正するために使用する
ことができる。
熱によって生じる誤差を回避するシステムおよび方法を提供する。ある実施形態
では、パターニング中に電子ビームバルク加熱によって生じる歪みを推測するた
めに線形重ね合わせ技術を採用することができる。多くのテストケースにおいて
有限要素分析を用いて評価されるこの技術は、電子ビーム描画中のバルク加熱が
原因で基板に生じることが予測されるほとんどの歪みを修正するために使用する
ことができる。
【００７４】 本発明の特定の実施形態と利点を図示および説明した。付属の請求項により定
義される本発明の精神および範囲を逸脱しない限り、様々な変更、代替、交換を
行えることが理解されるべきである。
義される本発明の精神および範囲を逸脱しない限り、様々な変更、代替、交換を
行えることが理解されるべきである。
【図１】 電子ビーム描画処理を示す簡素化した図であり、ここで、基板上で電子ビーム
が走査されている。
が走査されている。
【図２】 電子ビーム描画処理中の、基板上のグローバル熱膨張の効果を示す。
【図３】 本発明の１実施形態による例証的な電子ビーム描画システムを示す。
【図４】 本発明の１実施形態によるコンピュータ制御システムのブロック線図を示す。
【図５Ａ】 本発明の１実施形態による例証的な基準表の構造を示す。
【図５Ｂ】 本発明の１実施形態による例証的な基準表の構造を示す。
【図６】 近接した２つのセルの例証的パターニングを示す。
【図７Ａ】 図６に示したパターニング用の基板のインプレーン歪みを示すグラフである。
【図７Ｂ】 図６に示したパターニング用の基板のインプレーン歪みを示すグラフである。
【図８Ａ】 パターン範囲内にある、被覆量の異なる２つのセルの例証的なパターニングを
示す。
示す。
【図８Ｂ】 パターン範囲内にある、被覆量の異なる２つのセルの例証的なパターニングを
示す。
示す。
【図９Ａ】 図８Ａ、８Ｂに示したパターニング用の基板のインプレーン歪みを示すグラフ
である。
である。
【図９Ｂ】 図８Ａ、８Ｂに示したパターニング用の基板のインプレーン歪みを示すグラフ
である。
である。
【図１０Ａ】 同じ表面範囲を持つが、形状が異なる２つのセルの例証的パターニングを示す
。
。
【図１０Ｂ】 同じ表面範囲を持つが、形状が異なる２つのセルの例証的パターニングを示す
。
。
【図１１Ａ】 第１時間フレームにおける、図１０Ａ、１０Ｂに示したパターニング用の基板
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
【図１１Ｂ】 第１時間フレームにおける、図１０Ａ、１０Ｂに示したパターニング用の基板
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
【図１２Ａ】 第２時間フレームにおける、図１０Ａ、１０Ｂに示したパターニング用の基板
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
【図１２Ｂ】 第２時間フレームにおける、図１０Ａ、１０Ｂに示したパターニング用の基板
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
の熱反応とインプレーン歪みをそれぞれ示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 シャモン， バッサム アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， ランチョー アローヨ パークウェイ 405 ナンバー92 (72)発明者 トロスト， デイヴィッド アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， カリフォルニア ストリート 1201 ナンバー701 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 CA16 LA10 5C033 GG03 5C034 BB04 5F056 BA08 BB10 CB11 CC03
Claims (23)
- 【請求項１】 電子ビーム描画システムであって、 基板上にパターンを形成するために電子ビームを放射するべく動作可能な電子
ビームパターニング装置を有し、 前記電子ビームパターニング装置と結合しており、複数の事前に計算された歪
みマップを有するコンピュータ制御システムをさらに有し、前記歪みマップの各
々は 前記電子ビームへの露光によるバルク加熱から発生が予想される基板の歪
みを示し、前記コンピュータ制御システムは、予測された歪みを調整するために
、前記歪みマップを用いて電子ビームパターニング装置を制御するべく動作可能
である電子ビーム描画システム。 - 【請求項２】 前記基板が、論理的に複数のセルに分割可能な表面を有し、
前記セルの各々に少なくとも１つの歪みマップが設けられている請求項１に記載
の電子ビーム描画システム。 - 【請求項３】 多数の時間フレームの各々について、個別の歪みマップが１
つずつ設けられている請求項１に記載の電子ビーム描画システム。 - 【請求項４】 前記歪みマップの各々が、予想された歪みの少なくとも１つ
に関連した複数のベクトルを有する請求項１に記載の電子ビーム描画システム。 - 【請求項５】 前記コンピュータ制御システムが、前記基板上に形成される
パターンに従ってベクトルを線形スケーリングするために、線形重ね合わせ技術
を採用する請求項４に記載の電子ビーム描画システム。 - 【請求項６】 前記コンピュータ制御システムが、予想された歪みの各々に
ついてオフセットを導出するために動作可能である請求項１に記載の電子ビーム
描画システム。 - 【請求項７】 前記電子ビームパターニング装置が、前記コンピュータ制御
システムにパターン描画データを出力するために動作可能である請求項１に記載
の電子ビーム描画システム。 - 【請求項８】 前記コンピュータ制御システムが、前記パターン描画データ
を用いて前記歪みマップを操作する請求項７に記載の電子ビーム描画システム。 - 【請求項９】 前記歪みマップが、基準表にまとめられている請求項１に記
載の電子ビーム描画システム。 - 【請求項１０】 基板上にパターンを形成するために、電子ビームを放射す
るべく動作可能な電子ビームパターニング装置からパターン描画データを受信し
、 前記パターン描画データと、事前に算出した歪みマップを用いた前記電子ビー
ムへの露光の結果、バルク加熱によって生じる前記基板の予想された歪みを決定
し、 前記予想された歪み調整するべく、前記電子ビームパターニング装置を制御す
る方法。 - 【請求項１１】 前記決定が、 前記歪みマップから、前記予想された歪みの少なくとも１部分に関連したベク
トルを抽出し、 前記基板上に形成する前記パターンに従って、前記抽出されたベクトルに線形
スケーリングを行う請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 決定が、前記歪みを予測するために線形重ね合わせ技術の
採用を有する請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１３】 制御が、前記予想された歪みの各々についてオフセットの
導出を有する請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１４】 制御が、前記オフセットの各々に従った前記電子ビームの
操作の調整を有する請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記基板が、論理的に複数のセルに分割可能な表面を有し
、前記セルの各々に前記歪みマップが少なくとも１つ設けられている請求項１０
に記載の方法。 - 【請求項１６】 基板上にパターンを形成するために、電子ビームを放射す
るべく動作可能な電子ビームパターニング装置と共に使用するための基準表を有
し、前記基準表が複数の事前に算出された歪みマップを有し、前記歪みマップの
各々が、前記電子ビームへの露光の結果生じた、予想される基板の歪みを示す記
憶媒体。 - 【請求項１７】 前記基板が、論理的に複数のセルに分割可能な表面を有し
、前記セルの各々に少なくとも１つの歪みマップが設けられている請求項１６に
記載の記憶媒体。 - 【請求項１８】 前記歪みマップの各々が、前記予想された歪みの少なくと
も１部分に関連した複数のベクトルを有する請求項１６に記載の記憶媒体。 - 【請求項１９】 基板上にパターンを形成するために、放射するべく動作可
能な電子ビームパターニング装置を制御するためのコンピュータ制御システムで
あって、前記コンピュータ制御システムが、 複数の事前に算出された歪みマップを記憶するメモリを有し、前記歪みマップ
の各々が、前記電子ビームへの露光によって発生が予想される前記基板の歪みを
示し、 前記メモリと結合したプロセッサをさらに有し、前記プロセッサが、前記電子
ビームパターニング装置からパターン描画データを受信するべく動作可能であり
、また、前記予想された歪みを調整するべく、前記プロセッサが、前記パターン
描画データと前記歪みマップと、前記電子ビームパターニング装置を制御するた
めの前記制御信号とを用いて制御信号を生成するべく動作可能であるコンピュー
タ制御システム。 - 【請求項２０】 前記基板が、論理的に複数のセルに分割可能な表面を有し
、また、前記セルの各々に少なくとも１つの歪みマップが設けられている請求項
１９に記載のコンピュータ制御システム。 - 【請求項２１】 多数の時間フレームの各々に個別の歪みマップが設けられ
ている請求項１９に記載のコンピュータ制御システム。 - 【請求項２２】 前記歪みマップの各々が、前記予想された歪みの少なくと
も１つに関連した複数のベクトルを有する請求項１９に記載のコンピュータ制御
システム。 - 【請求項２３】 前記プロセッサが、前記基板上に形成されたパターンに従
って、前記ベクトルに線形スケーリングを行うために線形重ね合わせ技術を採用
する請求項２２に記載のコンピュータ制御システム。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/291,167 US6424879B1 (en) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate |
| US09/291,167 | 1999-04-13 | ||
| PCT/US2000/010038 WO2000062324A2 (en) | 1999-04-13 | 2000-04-12 | System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004152437A Division JP4511242B2 (ja) | 1999-04-13 | 2004-05-21 | バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002541676A true JP2002541676A (ja) | 2002-12-03 |
| JP3615149B2 JP3615149B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=23119160
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000611302A Expired - Fee Related JP3615149B2 (ja) | 1999-04-13 | 2000-04-12 | バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 |
| JP2004152437A Expired - Fee Related JP4511242B2 (ja) | 1999-04-13 | 2004-05-21 | バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004152437A Expired - Fee Related JP4511242B2 (ja) | 1999-04-13 | 2004-05-21 | バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6424879B1 (ja) |
| EP (1) | EP1095393B1 (ja) |
| JP (2) | JP3615149B2 (ja) |
| KR (1) | KR100446054B1 (ja) |
| AU (1) | AU4349200A (ja) |
| CA (1) | CA2334388A1 (ja) |
| DE (1) | DE60039952D1 (ja) |
| IL (1) | IL139869A0 (ja) |
| WO (1) | WO2000062324A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424879B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate |
| US7444616B2 (en) * | 1999-05-20 | 2008-10-28 | Micronic Laser Systems Ab | Method for error reduction in lithography |
| AU5261200A (en) * | 1999-05-20 | 2000-12-12 | Micronic Laser Systems Ab | A method for error reduction in lithography |
| US7082338B1 (en) | 1999-10-20 | 2006-07-25 | Caterpillar Inc. | Method for providing a process model for a material in a manufacturing process |
| US6789051B1 (en) * | 1999-10-27 | 2004-09-07 | Caterpillar Inc | Method and apparatus for providing a simulation of a welding process using integrated models |
| US7098468B2 (en) * | 2002-11-07 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Raster frame beam system for electron beam lithography |
| WO2005047955A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for correcting slm stamp image imperfections |
| US7025280B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-04-11 | Tokyo Electron Limited | Adaptive real time control of a reticle/mask system |
| US7561251B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP5134767B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2013-01-30 | 株式会社オーク製作所 | 描画データ補正機能を有する描画装置 |
| US7625679B2 (en) | 2005-09-23 | 2009-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method of aligning a particle-beam-generated pattern to a pattern on a pre-patterned substrate |
| US7388213B2 (en) * | 2005-09-23 | 2008-06-17 | Applied Materials, Inc. | Method of registering a blank substrate to a pattern generating particle beam apparatus and of correcting alignment during pattern generation |
| US7830493B2 (en) * | 2005-10-04 | 2010-11-09 | Asml Netherlands B.V. | System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system |
| US7462429B2 (en) | 2005-10-12 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Method and arrangement for correcting thermally-induced field deformations of a lithographically exposed substrate |
| KR101407754B1 (ko) | 2005-10-26 | 2014-06-16 | 마이크로닉 마이데이터 아베 | 라이팅 장치 및 방법 |
| US8122846B2 (en) | 2005-10-26 | 2012-02-28 | Micronic Mydata AB | Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates |
| WO2007098935A2 (en) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Micronic Laser Systems Ab | Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates |
| US8104951B2 (en) * | 2006-07-31 | 2012-01-31 | Applied Materials, Inc. | Temperature uniformity measurements during rapid thermal processing |
| US8482732B2 (en) * | 2007-10-01 | 2013-07-09 | Maskless Lithography, Inc. | Alignment system for various materials and material flows |
| JP5420942B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-02-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | パターン描画装置およびパターン描画方法 |
| JP5894856B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-03-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| WO2014140047A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Micronic Mydata AB | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors |
| JP6453780B2 (ja) | 2013-03-12 | 2019-01-16 | マイクロニック アーベーＭｙｃｒｏｎｉｃ Ａｂ | 機械的に形成されるアライメント基準体の方法及び装置 |
| JP2015032613A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 凸版印刷株式会社 | 荷電ビーム描画装置用の照射位置補正装置、荷電ビーム照射位置の補正方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置 |
| JP2016184605A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法 |
| KR102395198B1 (ko) * | 2015-09-22 | 2022-05-06 | 삼성전자주식회사 | 마스크 패턴의 보정 방법 및 이를 이용하는 레티클의 제조 방법 |
| US11637043B2 (en) * | 2020-11-03 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Analyzing in-plane distortion |
| US11829077B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-11-28 | Kla Corporation | System and method for determining post bonding overlay |
| US11782411B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-10-10 | Kla Corporation | System and method for mitigating overlay distortion patterns caused by a wafer bonding tool |
| JP2023138912A (ja) | 2022-03-21 | 2023-10-03 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | リソグラフィ描画法における熱膨張の補正 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353513A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム直接描画装置 |
| JP2744833B2 (ja) * | 1990-01-24 | 1998-04-28 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP3047461B2 (ja) * | 1990-11-26 | 2000-05-29 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、及び半導体集積回路製造方法 |
| JP3391409B2 (ja) * | 1993-07-14 | 2003-03-31 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
| US5424548A (en) | 1993-09-21 | 1995-06-13 | International Business Machines Corp. | Pattern specific calibration for E-beam lithography |
| US5757015A (en) * | 1995-06-08 | 1998-05-26 | Fujitsu Limited | Charged-particle-beam exposure device and charged-particle-beam exposure method |
| JP3274791B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2002-04-15 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
| JPH09232213A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| JP3484860B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | パターン露光方法および露光装置 |
| JP2871627B2 (ja) * | 1996-10-17 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 電子線露光方法及びその装置 |
| JPH10161296A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | レーザレチクル描画装置の座標歪み補正方法 |
| US5742065A (en) | 1997-01-22 | 1998-04-21 | International Business Machines Corporation | Heater for membrane mask in an electron-beam lithography system |
| US5847959A (en) | 1997-01-28 | 1998-12-08 | Etec Systems, Inc. | Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation |
| JP2964978B2 (ja) * | 1997-03-03 | 1999-10-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造方法と半導体製造システムおよびそれらにより製造された半導体デバイス |
| US5834785A (en) | 1997-06-06 | 1998-11-10 | Nikon Corporation | Method and apparatus to compensate for thermal expansion in a lithographic process |
| JPH11121354A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Canon Inc | 歪み補正方法および荷電ビーム露光装置 |
| US6424879B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate |
-
1999
- 1999-04-13 US US09/291,167 patent/US6424879B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-12 WO PCT/US2000/010038 patent/WO2000062324A2/en active IP Right Grant
- 2000-04-12 JP JP2000611302A patent/JP3615149B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-12 AU AU43492/00A patent/AU4349200A/en not_active Abandoned
- 2000-04-12 IL IL13986900A patent/IL139869A0/xx unknown
- 2000-04-12 EP EP00923351A patent/EP1095393B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-12 KR KR10-2000-7014144A patent/KR100446054B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-04-12 CA CA002334388A patent/CA2334388A1/en not_active Abandoned
- 2000-04-12 DE DE60039952T patent/DE60039952D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-21 JP JP2004152437A patent/JP4511242B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1095393B1 (en) | 2008-08-20 |
| JP2004312030A (ja) | 2004-11-04 |
| JP3615149B2 (ja) | 2005-01-26 |
| DE60039952D1 (de) | 2008-10-02 |
| KR100446054B1 (ko) | 2004-08-30 |
| IL139869A0 (en) | 2002-02-10 |
| WO2000062324A3 (en) | 2001-02-15 |
| KR20010052821A (ko) | 2001-06-25 |
| US6424879B1 (en) | 2002-07-23 |
| JP4511242B2 (ja) | 2010-07-28 |
| CA2334388A1 (en) | 2000-10-19 |
| WO2000062324A2 (en) | 2000-10-19 |
| EP1095393A2 (en) | 2001-05-02 |
| AU4349200A (en) | 2000-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002541676A (ja) | バルク加熱により基板に生じた歪みを修正するためのシステムおよび方法 | |
| US6499003B2 (en) | Method and apparatus for application of proximity correction with unitary segmentation | |
| US20020058187A1 (en) | Method of correcting mask patterns | |
| US20030046653A1 (en) | Microloading effect correction | |
| US7139996B2 (en) | Mask pattern correction apparatus and mask pattern correction method and mask preparation method and method of production of a semiconductor device | |
| US7313781B2 (en) | Image data correction method, lithography simulation method, image data correction system, program, mask and method of manufacturing a semiconductor device | |
| US7648809B2 (en) | Electron beam exposure method, hot spot detecting apparatus, semiconductor device manufacturing method, and computer program product | |
| EP1246010A2 (en) | Photomask manufacturing method, photomask manufactured by said manufacturing method, and semiconductor device method using said photomask | |
| US6503671B1 (en) | Electron beam writing method | |
| US6174630B1 (en) | Method of proximity correction with relative segmentation | |
| US6175953B1 (en) | Method and apparatus for general systematic application of proximity correction | |
| US5717612A (en) | Post-exposure bake simulator for chemically amplified photoresists | |
| JPH11176749A (ja) | 露光方法およびデバイス製造方法 | |
| JPH10135111A (ja) | 露光用マスク、露光方法、露光データ作成方法、マスク作成データ作成方法、及び、記憶媒体 | |
| JP2001265012A (ja) | 微細パタン形成方法 | |
| US7974457B2 (en) | Method and program for correcting and testing mask pattern for optical proximity effect | |
| JP3461305B2 (ja) | マスク描画データ作成方法、作成装置および記録媒体 | |
| JPS6234134B2 (ja) | ||
| JP4416931B2 (ja) | Ｅｂマスクの設計方法及び装置 | |
| US6766507B2 (en) | Mask/wafer control structure and algorithm for placement | |
| JPS61284921A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| Stapper | Fault-simulation programs for integrated-circuit yield estimations | |
| JPH10284385A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JPH05121303A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 | |
| Butsch et al. | Performance enhancements on IBM’s EL‐4 electron‐beam lithography system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040301 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040521 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040702 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040810 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041019 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041028 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |