JP3484860B2 - パターン露光方法および露光装置 - Google Patents
パターン露光方法および露光装置Info
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- JP3484860B2 JP3484860B2 JP04582096A JP4582096A JP3484860B2 JP 3484860 B2 JP3484860 B2 JP 3484860B2 JP 04582096 A JP04582096 A JP 04582096A JP 4582096 A JP4582096 A JP 4582096A JP 3484860 B2 JP3484860 B2 JP 3484860B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子のパター
ン露光方法に係り、特に光投影露光装置と電子ビーム露
光装置のミックスアンドマッチで素子を形成する際に、
信頼性が高く、高精度な合わせを実現する露光方法に関
する。
ン露光方法に係り、特に光投影露光装置と電子ビーム露
光装置のミックスアンドマッチで素子を形成する際に、
信頼性が高く、高精度な合わせを実現する露光方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の形成過程において、すでに
試料上に形成されたパターンの位置に合わせて、別の新
たなパターンを露光することが多い。これらのパターン
を露光する技術には、g線やi線を用いた光投影露光装置
や、さらに微細なパターンの加工が可能な電子ビーム露
光装置が用いられる。
試料上に形成されたパターンの位置に合わせて、別の新
たなパターンを露光することが多い。これらのパターン
を露光する技術には、g線やi線を用いた光投影露光装置
や、さらに微細なパターンの加工が可能な電子ビーム露
光装置が用いられる。
【０００３】近年、この電子ビーム露光装置の用途が先
端デバイスの研究からメモリ、ASIC生産に移行しつつあ
る。これらのデバイスの量産におけるリソグラフィー技
術に関しては、例えばジャパンジャーナルオブアプライ
ドフィジックスJJAP Series4,Proc.of 1990 Intern. Mi
croProcess Conference P.58-63に述べられているよう
に、解像性の要求される層は電子ビーム露光装置を用
い、その他の層は例えばi線ステッパーのような他のリ
ソグラフィー装置を用いる、いわゆるミックスアンドマ
ッチでの使用が主流となりつつある。
端デバイスの研究からメモリ、ASIC生産に移行しつつあ
る。これらのデバイスの量産におけるリソグラフィー技
術に関しては、例えばジャパンジャーナルオブアプライ
ドフィジックスJJAP Series4,Proc.of 1990 Intern. Mi
croProcess Conference P.58-63に述べられているよう
に、解像性の要求される層は電子ビーム露光装置を用
い、その他の層は例えばi線ステッパーのような他のリ
ソグラフィー装置を用いる、いわゆるミックスアンドマ
ッチでの使用が主流となりつつある。
【０００４】図２に光投影露光装置で露光した下地のパ
ターンに対して電子ビーム露光装置で合わせ露光を行う
方法の一例を示す。ウエハ１上には下地となる光投影露
光装置で露光された層が形成されている。この層にはあ
らかじめ次の層の露光の合わせに用いる合わせマーク２
が下地の層と共に露光されている。このマークはチップ
３の４隅に配置される。これら４つのマーク位置を電子
ビーム走査あるいは光学的手段を用いて検出し、ウエハ
上の位置を確認して１チップのパターンAを電子ビーム
露光する。この動作を各チップに対して繰り返し、すべ
てのチップに対して合わせ露光を行う。
ターンに対して電子ビーム露光装置で合わせ露光を行う
方法の一例を示す。ウエハ１上には下地となる光投影露
光装置で露光された層が形成されている。この層にはあ
らかじめ次の層の露光の合わせに用いる合わせマーク２
が下地の層と共に露光されている。このマークはチップ
３の４隅に配置される。これら４つのマーク位置を電子
ビーム走査あるいは光学的手段を用いて検出し、ウエハ
上の位置を確認して１チップのパターンAを電子ビーム
露光する。この動作を各チップに対して繰り返し、すべ
てのチップに対して合わせ露光を行う。
【０００５】光投影露光装置の露光方法を図３(a)を用
いて説明する。光源４からの光はレンズ５を通してマス
ク６上に照射される。マスク６にはウエハ１上に転写さ
れるべきマスクパターンが形成されており、マスク６を
透過した光は縮小レンズ７を介してウエハ１上に露光さ
れる。ステージ８を逐次動かして露光し、ウエハ上に複
数同じパターンを露光していく。光投影露光装置におい
てマスクパターンはウエハ上に露光されると図３に拡大
して示すように設計に対して歪んだ形となる特徴をも
つ。図中の点線が設計値を示し、実線が実際に露光され
る位置を示している。この歪は主に縮小レンズ７の収差
に起因するものであり、例えば22mm□のパターンを１回
で露光したときには最大で0.1μｍ程度の歪を持つ。合
わせ露光では下地パターンとの相対位置を合わせること
が重要であるため、光投影露光装置で露光された下地の
歪に合わせてパターンを歪ませて電子ビーム露光する必
要がある。
いて説明する。光源４からの光はレンズ５を通してマス
ク６上に照射される。マスク６にはウエハ１上に転写さ
れるべきマスクパターンが形成されており、マスク６を
透過した光は縮小レンズ７を介してウエハ１上に露光さ
れる。ステージ８を逐次動かして露光し、ウエハ上に複
数同じパターンを露光していく。光投影露光装置におい
てマスクパターンはウエハ上に露光されると図３に拡大
して示すように設計に対して歪んだ形となる特徴をも
つ。図中の点線が設計値を示し、実線が実際に露光され
る位置を示している。この歪は主に縮小レンズ７の収差
に起因するものであり、例えば22mm□のパターンを１回
で露光したときには最大で0.1μｍ程度の歪を持つ。合
わせ露光では下地パターンとの相対位置を合わせること
が重要であるため、光投影露光装置で露光された下地の
歪に合わせてパターンを歪ませて電子ビーム露光する必
要がある。
【０００６】この歪の形状は光投影露光装置ごとに傾向
は異なるが、ほぼ一定に再現するため、例えば特開昭57
-186331で記述されている方法で補正することが可能で
ある。この方法では光投影露光装置の持つ歪をあらかじ
め測定し、これに基づいて露光するチップの補正を行な
う。
は異なるが、ほぼ一定に再現するため、例えば特開昭57
-186331で記述されている方法で補正することが可能で
ある。この方法では光投影露光装置の持つ歪をあらかじ
め測定し、これに基づいて露光するチップの補正を行な
う。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これまでの光投影露光
装置は１回に露光できる領域が小さく、１回の露光で１
つのチップしか転写できなかったため、マスクパターン
は図４(a)に示すように中心に１つのチップが配置され
ていた。このマスクを用いて光投影露光装置で露光した
場合、各チップの歪は図４(b)に示すように各チップで
一定である。したがって前記露光パターンに対して電子
ビームで歪に合わせて露光するときには各チップに対し
同じ補正が適用できた。しかし最近の光投影露光装置の
進歩に従って、１回に露光できる面積が増す傾向にあ
る。これに合わせてスループット向上を目的として１回
の露光につき２つあるいは３つのチップを組み合わせて
転写することが多くなってきた。この時のマスクパター
ンは図５(a)に示すように２つ以上のチップが組み込ま
れたものとなる。このような組み合わせで露光されたチ
ップは図５(b)に示すように左右のチップで歪量が異な
る。したがってマスク上に配置された位置に応じてそれ
ぞれの歪を補正する必要がある。しかし従来の電子ビー
ム露光装置においてはこの下地の露光パターン内の配置
情報を格納し、異なる歪をもつチップを判定して合わせ
露光に反映する機能を持っていなかった。このため下地
が複数チップを組み合わせた露光パターンでは下地の歪
に合わせた露光が不可能であった。
装置は１回に露光できる領域が小さく、１回の露光で１
つのチップしか転写できなかったため、マスクパターン
は図４(a)に示すように中心に１つのチップが配置され
ていた。このマスクを用いて光投影露光装置で露光した
場合、各チップの歪は図４(b)に示すように各チップで
一定である。したがって前記露光パターンに対して電子
ビームで歪に合わせて露光するときには各チップに対し
同じ補正が適用できた。しかし最近の光投影露光装置の
進歩に従って、１回に露光できる面積が増す傾向にあ
る。これに合わせてスループット向上を目的として１回
の露光につき２つあるいは３つのチップを組み合わせて
転写することが多くなってきた。この時のマスクパター
ンは図５(a)に示すように２つ以上のチップが組み込ま
れたものとなる。このような組み合わせで露光されたチ
ップは図５(b)に示すように左右のチップで歪量が異な
る。したがってマスク上に配置された位置に応じてそれ
ぞれの歪を補正する必要がある。しかし従来の電子ビー
ム露光装置においてはこの下地の露光パターン内の配置
情報を格納し、異なる歪をもつチップを判定して合わせ
露光に反映する機能を持っていなかった。このため下地
が複数チップを組み合わせた露光パターンでは下地の歪
に合わせた露光が不可能であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における露光方法
では、光露光時に使用したマスクパターンのチップの配
列情報を格納し、これらの情報をもとに下地パターンの
各チップにおける光投影露光装置の歪を補正して露光す
ることを特徴とする。
では、光露光時に使用したマスクパターンのチップの配
列情報を格納し、これらの情報をもとに下地パターンの
各チップにおける光投影露光装置の歪を補正して露光す
ることを特徴とする。
【０００９】図１に本発明に基づく合わせ露光のシーケ
ンスを示す。まず下地を露光した時に用いたマスクパタ
ーン内のチップの配列情報を入力する。次に下地に合わ
せて露光するパターンの配置情報を入力する。入力した
これらの情報を用いて電子ビーム露光する各チップそれ
ぞれに対して下地に合わせた露光位置補正量を計算す
る。この後合わせマークを検出し、露光位置を確認し
て、計算した補正量をもとに合わせ露光を行う。
ンスを示す。まず下地を露光した時に用いたマスクパタ
ーン内のチップの配列情報を入力する。次に下地に合わ
せて露光するパターンの配置情報を入力する。入力した
これらの情報を用いて電子ビーム露光する各チップそれ
ぞれに対して下地に合わせた露光位置補正量を計算す
る。この後合わせマークを検出し、露光位置を確認し
て、計算した補正量をもとに合わせ露光を行う。
【００１０】図６に本発明に基づく電子ビーム露光装置
のシステム構成の一部を示す。メモリ４には下地のパタ
ーンの露光時の配列情報と、下地のパターンの露光に用
いた露光装置固有の歪情報と、これから露光するパター
ンの情報が格納されている。これらの情報は制御計算機
によって分析され、露光位置補正回路６に転送される。
露光位置補正回路６では下地の歪に合うように露光パタ
ーンを補正する量を電子ビームの偏向量として演算す
る。これに基づいて偏向制御回路７では偏向器８を制御
し、電子ビーム９を偏向してウエハ１上に照射し露光を
行う。
のシステム構成の一部を示す。メモリ４には下地のパタ
ーンの露光時の配列情報と、下地のパターンの露光に用
いた露光装置固有の歪情報と、これから露光するパター
ンの情報が格納されている。これらの情報は制御計算機
によって分析され、露光位置補正回路６に転送される。
露光位置補正回路６では下地の歪に合うように露光パタ
ーンを補正する量を電子ビームの偏向量として演算す
る。これに基づいて偏向制御回路７では偏向器８を制御
し、電子ビーム９を偏向してウエハ１上に照射し露光を
行う。
【００１１】図７は本発明に基づく合わせ露光に用いる
露光情報の特徴的な部分を示している。通常の露光情報
の他に、合わせの対象となる下地の露光で使用した光投
影露光装置の種類、露光パターン内のチップの配列情報
等を含んでいる。この情報をメモリに格納しておき、露
光に使用する。
露光情報の特徴的な部分を示している。通常の露光情報
の他に、合わせの対象となる下地の露光で使用した光投
影露光装置の種類、露光パターン内のチップの配列情報
等を含んでいる。この情報をメモリに格納しておき、露
光に使用する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１３】光投影露光装置で露光して形成したゲート
層に合わせて電子ビーム露光装置でコンタクトホール層
を形成した。
層に合わせて電子ビーム露光装置でコンタクトホール層
を形成した。
【００１４】まず光投影露光装置の持つ歪を調べるた
め、図７のような歪測定用のマークを含むマスクを作
り、露光した。歪測定用マークは設計ではウエハ上に露
光される寸法で4mm間隔で均等に並んでおり、このとき
の露光に用いたマスクのパターンには0.02μｍ以下の十
分な位置精度があった。このマスクを用いてウエハ内数
ケ所に露光し、それぞれのパターンのマーク位置を測定
したところ、図３に示すような歪が常に再現し、最大で
設計値から0.15μｍの誤差があった。そこでこれらの測
定データの平均値を歪データとして取得し、電子ビーム
露光システムのメモリに格納した。
め、図７のような歪測定用のマークを含むマスクを作
り、露光した。歪測定用マークは設計ではウエハ上に露
光される寸法で4mm間隔で均等に並んでおり、このとき
の露光に用いたマスクのパターンには0.02μｍ以下の十
分な位置精度があった。このマスクを用いてウエハ内数
ケ所に露光し、それぞれのパターンのマーク位置を測定
したところ、図３に示すような歪が常に再現し、最大で
設計値から0.15μｍの誤差があった。そこでこれらの測
定データの平均値を歪データとして取得し、電子ビーム
露光システムのメモリに格納した。
【００１５】次に歪を測定した光投影露光装置を用いて
ゲート層のパターンを露光し、形成した。この時の１回
の露光に用いたチップの露光パターン内の配置も電子ビ
ーム露光システムのメモリ９に格納した。
ゲート層のパターンを露光し、形成した。この時の１回
の露光に用いたチップの露光パターン内の配置も電子ビ
ーム露光システムのメモリ９に格納した。
【００１６】形成されたゲート層の下地に対しコンタク
トホール層のパターンを電子ビームによって合わせ露光
した。コンタクトホール層の露光情報をすでに格納され
ている下地の情報を図６に示すように入力し、メモリに
格納した。これらの情報をもとに露光するパターンの偏
向量を歪に合わせて補正し合わせ露光を行った。この結
果下地のチップの歪に合わせないで露光したときはゲー
ト層とコンタクトホール層の層間合わせ精度は0.15μｍ
だったのに対し、下地のチップの歪情報を反映した露光
では層間合わせ精度0.05μｍが得られ、高精度なミック
スアンドマッチの合わせ露光が可能となった。
トホール層のパターンを電子ビームによって合わせ露光
した。コンタクトホール層の露光情報をすでに格納され
ている下地の情報を図６に示すように入力し、メモリに
格納した。これらの情報をもとに露光するパターンの偏
向量を歪に合わせて補正し合わせ露光を行った。この結
果下地のチップの歪に合わせないで露光したときはゲー
ト層とコンタクトホール層の層間合わせ精度は0.15μｍ
だったのに対し、下地のチップの歪情報を反映した露光
では層間合わせ精度0.05μｍが得られ、高精度なミック
スアンドマッチの合わせ露光が可能となった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば光投影露光装置の持つ歪
を正しく補正して合わせ露光が可能となり、光投影露光
装置の電子ビーム露光装置のミックスアンドマッチでの
使用において高精度な合わせ露光が可能となる。
を正しく補正して合わせ露光が可能となり、光投影露光
装置の電子ビーム露光装置のミックスアンドマッチでの
使用において高精度な合わせ露光が可能となる。
【図１】本発明に基づく合わせ露光のシーケンスを示す
図
図
【図２】合わせ露光を行う方法の一例を示す図
【図３】光投影露光装置を用いた露光方法と露光される
パターンの特徴を説明する図
パターンの特徴を説明する図
【図４】従来の光投影露光に用いていたマスクと露光さ
れたパターンの一例を説明する図
れたパターンの一例を説明する図
【図５】本発明の課題となる光投影露光に用いるマスク
と露光されたパターンの一例を説明する図
と露光されたパターンの一例を説明する図
【図６】本発明に基づく電子ビーム露光装置のシステム
構成の一部を示す図
構成の一部を示す図
【図７】本発明に基づく合わせ露光に用いる露光情報の
特徴的な部分を示す図
特徴的な部分を示す図
【図８】光投影露光装置の歪を測定するパターンを説明
する図
する図
1……ウエハ 2……合わせマーク
3……チップ 4……光源
5……レンズ 6……マスク
7……縮小レンズ 8……ステージ
9……メモリ 10……制御計算機
11……露光位置補正回路 12……偏向制御回路
13……偏向器 14……電子ビーム
15……ステージ 16……ステージ制御回路
17……歪測定用マーク。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 吉村 俊之
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 永田 浩司
東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(56)参考文献 特開 平１−191416（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−75360（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−88166（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−58621（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−149127（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−229830（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−51634（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】二以上のチップが配置された第一のパター
ンの投影マスクを用いて、露光試料上に光投影露光法で
該第一のパターンを露光するステップと、 上記第一のパターンの投影マスク内での上記チップの配
列情報を取得するステップと、 上記光投影露光法に用いた露光装置固有の歪情報を取得
するステップと、 上記第一のパターンを露光された露光試料上に上記光投
影露光法とは異なる露光法で第二のパターンを露光する
際に、上記取得した配列情報及び歪情報を用いて、該第
二のパターンの露光位置の補正を行うステップとを有す
るパターン露光方法。 - 【請求項２】 上記第二のパターンの露光に用いた露光法
は電子ビーム露光方法であることを特徴とする請求項１
記載のパターン露光方法。 - 【請求項３】 二以上のチップを組み合わせた第一のパタ
ーンを光投影露光法によって露光された試料に対して第
二のパターンを露光する露光装置であって、 上記光投影露光法に用いた投影マスク上での上記チップ
の配列情報と、上記光投影露光法に用いた露光装置固有
の歪情報を記憶するメモリと、 上記記憶された配列情報と歪情報を用いて、上記第二の
パターンの露光位置の補正を行う制御部を備えた露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04582096A JP3484860B2 (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | パターン露光方法および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04582096A JP3484860B2 (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | パターン露光方法および露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246147A JPH09246147A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3484860B2 true JP3484860B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=12729896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04582096A Expired - Fee Related JP3484860B2 (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | パターン露光方法および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3484860B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424879B1 (en) * | 1999-04-13 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate |
-
1996
- 1996-03-04 JP JP04582096A patent/JP3484860B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09246147A (ja) | 1997-09-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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