JP2002538604A - ポリマー層の処理方法 - Google Patents

ポリマー層の処理方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、ポリマー層（例えば低誘電率フィルム）の処理方法に関し、当該層を加熱して、水分を脱着させ、当該層を硬化させる工程、および当該加熱工程の間に当該層をプラズマに曝す工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、Ｓｉ−Ｃ結合を含むポリマー層（例えば短鎖ポリマー層）の処理方
法、特に、例えば、半導体ウェーハ上の絶縁層として使用されるタイプの低誘電
率フィルムを処理するための方法に関する。
【０００２】 高い素子密度および高い速度で半導体ウェーハを製造しようとする圧力から、
半導体素子における絶縁層として使用するための低誘電率フィルムが探究されて
きた。このような層は、スピンコーティングされるか、または、例えば、化学蒸
着法を使用して付着させられるかのいずれも可能である。次に、通常は、当該層
は、それを硬化させるために加熱される。最近の研究は、Ｓｉ−Ｃ結合を含むポ
リマー層を含んでなるフィルムに特に向けられてきており、一例としては、本出
願人の国際特許出願公開明細書第WO98/08249号に、このようなフィルムを蒸着す
るためのこのような方法が記載されている。
【０００３】 このようなフィルムにおける誘電率の低減は、恐らく、フィルム中に存在する
炭素原子による結晶格子の乱れに起因するフィルムの密度の低下に由来するもの
と思われる。
【０００４】 上記誘電体は、ウェーハ上に、短鎖ポリマーとして形成または付着させられ、
概して約 4.0Pa〜約 2.7 kPa（30 mTorr〜20Torr）の窒素雰囲気中で、より一般
的にはいずれかの好都合な圧力において、酸素の無い状態で、 400℃〜 500℃に
加熱することによってさらに重合および硬化させられる。
【０００５】 しかしながら、この種のフィルムの少なくとも数種は、特にウェーハの端部に
おいて亀裂を生じやすく、このことの図解を図１に示す。概して、このような亀
裂は、約 500〜 600nm（ 5,000〜 6,000Å）の公称フィルム厚において起こり始
める。この原因は、部分的には、ウェーハ端部から１mm以内のところでのフィル
ム厚の劇的な増大に起因するものと思われる。図２は、この点におけるプロフィ
ールを示すものである。この亀裂は、大気暴露の後にのみ起こり、約24時間の期
間にわたって中心に向かって強力に進行するように思われる。ウェーハを減圧中
に保持することによって亀裂の速度を遅らせることができるけれども、大気に曝
すと、それらは結局は亀裂を生ずる。
【０００６】 本発明は、Ｓｉ−Ｃ結合を含むポリマー層の処理方法であって、当該層を加熱
して、水分を脱着させ、当該層を硬化させる工程、および当該加熱工程の間に当
該層をプラズマに曝す工程を含む方法に存する。
【０００７】 通常は、上記付着させられるポリマー層は短鎖ポリマーを含んでなり、この層
は上記加熱によってさらに重合させられる。
【０００８】 上記プラズマは水素プラズマであることが特に好ましいけれども、酸素ゲッタ
ーをベースとするプラズマが特に適切である場合もあると信じられている。上記
プラズマが上記加熱工程を通じて存在することが好ましい。
【０００９】 上記プラズマは、例えば半導体ウェーハ反応体電極上に間接的に上記層が支持
されているウェーハ支持体高周波励振電極によって（時として、たとえエッチン
グがまったく起こらなくてもリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードと
して知られている）、ウェーハから間隔を空けられた容量結合高周波電極によっ
て（「ダイオードコンフィギュレーション」と称されることが多い）、または誘
導結合構成によって（概して誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）として知られている）
、維持することができる。さらに、ＩＣＰとＲＩＥとを組み合わせて行うことも
できる。これらの場合のいずれにおいても、本発明の目的のためには、上記プラ
ズマに供給される電力は 400〜 750Ｗ程度であってもよく、必要とされる高周波
電力は、上記層の処理が行われる温度に部分的に依存する。従って、通常は、 3
50℃〜 500℃程度の温度に加熱されるプラテン上にウェーハが支持されるであろ
う。
【００１０】 特に好ましい構成において、上記方法は以下の特徴を有する。 （１）上記プラズマが、上記ウェーハを支持しているプラテンに接続された高
周波電源によって維持され、上記電源が実質的に 600Ｗを提供し、 （２）上記プラズマが水素プラズマであり、 （３）上記プラテンが 400℃〜 500℃に加熱され、そして （４）上記加熱工程が実質的に３分間持続する。
【００１１】 上記方法のいずれにおいても、上記処理される層の誘電率は３未満であるのが
好ましい。
【００１２】 上記層は、概して、半導体ウェーハ上の絶縁層であることができる。
【００１３】 この手法によってｋ値が低いフィルムを処理すると、さらに驚くべき恩恵が得
られることが今ここに確認された。これらについて以下に示す。
【００１４】 上記において本発明を規定してきたけれども、本発明には、上記または以下の
記載に示される特徴の如何なる発明的な組み合わせも含まれることが理解される
べきである。
【００１５】 本発明は種々の方法で実施することができ、添付図面に関して今ここに説明す
る特定の態様は、例を示すためのものである。
【００１６】 亀裂およびｋ（誘電率）値の両方をモニターするために実験を行った。各々の
性質の経時変化についても調査した。ｋ値は低抵抗率のシリコンＭＯＳ構造にお
いて測定し、亀裂は、暗視野照明下での光学顕微鏡検査によってモニターした。
【００１７】 ｋ値が低いフィルムのシリコンウェーハ上への付着は、以下の特徴を有する化
学蒸着法によって行った。
【００１８】
【表１】
【００１９】 第１工程として、上記のように付着させた短鎖ポリマー層を、次に、標準的な
熱処理に付したけれども、このとき、同時にプラズマを伴った。水素、アルゴン
、窒素、亜酸化窒素および酸素を含む種々のプラズマ処理を行った。亀裂に対す
る若干の効果が認められたので、より高い熱処理温度と種々のコンフィギュレー
ションのプラズマ供給電力とを組み合わせて、さらなる実験を行った。
【００２０】 上記に考察したように、これらのプラズマモードには、以下のものが含まれる
。 （１）ＲＩＥ （２）ダイオード （３）ＩＣＰ （４）ＩＣＰとＲＩＥとの組み合わせ
【００２１】 最初に、ＲＩＥおよびＩＣＰを、それぞれ別個に、および両方を組み合わせて
、水素プラズマを、 400℃、 450℃および 500℃において３分間行い、これらを
、 400℃においてダイオードモードで行ったアルゴンプラズマと比較した。
【００２２】 これらの実験の結果により、亀裂の低減を達成することができることが示され
たので、ダイオードモードで、より高い温度において、さらなる試験を行った。
【００２３】 これらのさらなる実験では、 13.56 MHzの電源を使用する公称プラテン温度が 500℃の水素プラズマを使用したけれども、上記プラズマが存在しない状態では
、圧力が低くおよびウェーハの締付けが無い状態での不良な熱的結合のために、
ウェーハ温度はおよそ 375℃にしか達しないと見積もられる。プラズマを行って
いる間のウェーハ温度は、より高いと予想される。熱電対に対する高周波干渉の
ために、真のウェーハ温度の意味のある実験的測定値を得ることは困難であった
。
【００２４】 水素プラズマを使用する典型的な処理条件は以下の通りである。
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】 好ましい処理は、 350℃または 400℃において３分間行った。アルゴンも使用
したけれども、水素の方が好ましかった。水素が 475Ｖの直流バイアスレベルを
生じたのに対して、アルゴンでは 260Ｖであった。
【００２８】 さらに、典型的な熱のみの処理を使用して対照実験を行った。使用した２種の
条件を以下に示す。
【００２９】
【表４】
【００３０】 これらの実験の多くの結果を図３に図解する。この図は、種々の処理温度、励
起モードおよび時間において得られたｋ値を示している。 500℃でのＩＣＰとＲ
ＩＥとの組み合わせにおけるｋ値は測定エラーを示しているかもしれないけれど
も、あるいは、フィルムが臨界温度を超える場合に、何等かの不可逆変化が起こ
ることを示唆するものであるのかもしれない。
【００３１】 各々の結果は単一の実験およびその後のｋ値測定を表す。
【００３２】 亀裂試験は、およそ 700nm（ 7,000Å）のフィルムについて行った。ＲＩＥの
みの処理では亀裂は示されなかったけれども、対照標準（熱処理のみ）では、ウ
ェーハの端から25mmまで亀裂が生じた。ＩＣＰ処理およびＩＣＰとＲＩＥとの組
み合わせによる処理では、端からおよそ0.25mmまでに最小の亀裂が存在していた
けれども、 400℃〜 500℃の範囲のプラテン温度では、有意な傾向は見られなか
った。ＲＩＥ単独処理でも特に望ましいｋ値が達成され、現在のところ行われて
いる研究から、これは、多くのウェーハコンフィギュレーションにおいて、より
高いｋ値でも許容可能である場合があるけれども、好ましい方法であるものと思
われる。
【００３３】 図４は、時間と温度との組み合わせを変化させたけれども、主に水素プラズマ
についてのＲＩＥモードの処理を使用するさらなる実験を示している。右から３
番目の点の対は、アルゴンプラズマを用いて得られたものである。対照標準は、
前述のように調製した。ｋ値についての測定値のバーは、処理の直後に得られた
測定値および処理の48時間後に得られた測定値を示す。
【００３４】 亀裂の程度は、アルゴンの場合および 350℃／60秒の場合に、より不良であっ
た。これらの実験により、およそ 700mn（ 7,000Å）のフィルムにおいて、亀裂
がウェーハの端からおよそ0.33mmまで広がっていることが示されたけれども、こ
れらの結果でさえも、熱処理単独の場合よりも顕著に良好であることが認識され
るであろう。亀裂を示す他の結果は、ほぼ 900nm（ 9,000Å）のフィルム厚とな
るまで認められず、 800〜 900nm（ 8,000〜 9,000Å）のフィルムのための最良
の方法であると思われる。これらはウェーハの大部分にわたる公称層厚であるこ
とに注目されたい。亀裂は、層の、この公称厚みよりもはるかに厚い部分（例え
ば、図２において図解されているウェーハの端部）において起こる。
【００３５】 ＲＩＥに匹敵する恩恵を得ることができるさらにいくつかの実験がダイオード
モードにおいて行われたけれども、これらのプラズマは、はるかに高い圧力（約
500Pa（４Torr））およびはるかに高い電力（ 1,000Ｗ）において行われた。こ
れはウェーハ温度にかなりの影響を及ぼし、熱収支の問題が考慮されなければな
らない場合がある。
【００３６】 図５は対照標準処理を用いて得られたＦＴＩＲデータを示し、図６は水素プラ
ズマダイオードモードからの同様のデータを示す。熱のみの処理では、最終的な
ウェーハ温度がおよそ 460℃となった。水素プラズマ処理されたウェーハのウェ
ーハ温度は明確にはわからないけれども、（他のすべての処理条件を同じにして
）プラズマを用いないで達成されるウェーハ温度は 375℃であるので、 375℃よ
りも高いに違いない。従って、上記水素プラズマ処理により、対照標準の従来技
術の方法のウェーハ温度とは異なるウェーハ温度となり、このことが層の処理に
影響を及ぼすことは明白である。また、プラズマは、層に対して、単に熱源とし
てのみ作用する訳ではないと信じられている。水素プラズマ処理に起因する明ら
かな違いが存在する。図６は、Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−ＣＨ3 およびＳｉ−Ｏ
（Ｓｉ2 Ｏ3 ）のピークが小さくなったことを示している。本出願人は、これま
での経験から、このような変形により、より高いｋ値が得られるものと予想した
けれども、これら２つの例において示されたｋ値は、それぞれ2.84および2.77で
ある。
【００３７】 以下の表は、上記に示したダイオードモードのプラズマ処理についてのｋ値お
よび亀裂の距離の結果を示す。
【００３８】
【表５】
【００３９】 従って、ＦＴＩＲによって示されているように、水素プラズマ処理により、フ
ィルム構造が大きく変化する。これらの変化と、ｋ値が低いままであるという事
実とを一致させるのは困難であるけれども、この、炭素および水素の含有率の低
下により、これらのフィルムを、半導体の製造における使用により好都合なもの
とすることができる。従って、上記処理は、単に、Ｓｉ−Ｃ結合を含有している
厚い（ 700nm（ 7,000Å）を超える）ポリマー層の亀裂を防止するのに有益であ
るだけではない。
【００４０】 熱とプラズマとの組み合わせへの暴露時間が、達成されるｋ値に影響を及ぼし
、例えば、 350℃における３分間のプラズマ暴露または 400℃における２分間の
暴露が特に有効であると思われることが、図７および８からもわかるであろう。
【００４１】 処理されたフィルムの恩恵を考察すると、概して、20℃における10：１のＢＯ
Ｅ（緩衝酸化物エッチング）を使用する水素処理されたフィルムの湿式エッチン
グ速度は、熱酸化物のエッチング速度と同等またはそれ未満である（すなわち、
およそ55nm／分（ 550Å／分））。未処理フィルムのエッチング速度は 1,000nm
／分（10,000Å／分）を超える。従って、水素プラズマ処理により、湿式エッチ
ング速度が20倍以上遅くなる。一般に、湿式エッチング速度は、熱酸化物が高品
質であるとみなされる二酸化ケイ素層における長所の指標として使用される。
【００４２】 水素プラズマ処理は、処理の時間およびフィルムの組成に応じて深さを変更す
るのに有効であることが確かめられた。一般に、ｋ値が低いほど、処理の深さが
深くなる。従って、ｋ値が 2.7のフィルムの場合には 300nm（ 3,000Å）の深さ
まで処理が到達したけれども、ｋ値が 2.4のフィルムでは処理の深さは 570nm（ 5,700Å）であった。これらの試験は両方共、以下の条件下で行った。
【００４３】
【表６】
【００４４】 電力レベルを増大させたり、または電極間隔を変更したりしても、上記プラズ
マ処理の有効深さは有意には増大しないけれども、処理時間を 600秒に延長する
と、ｋ値が 2.7のフィルムにおける処理の深さが 300nm（ 3,000Å）から 600nm
（ 6,000Å）に増大することが見出された（すなわち、時間を２倍にすれば、深
さも２倍になる）。
【００４５】 本出願人の以前の出願から、上記水素処理がｋ値をも改良する（すなわち低下
させる）ことが注目されたであろう。表面での処理のみが行われた場合でも、こ
のｋ値の改良が材料のバルクにおいて達成できるかどうかを確認するのが望まし
いと思われた。従って、第１に、 300nm（ 3,000Å）の層を２層付着させること
によってｋ値が 2.7の 600nm（ 6,000Å）のフィルムを形成させ、これらの各々
を水素プラズマで 300秒処理した。第２に、 600nm（ 6,000Å）の層を付着させ
、 300秒間または 600秒間のいずれかにわたって処理した。ｋ値の変動は測定さ
れなかった。このことは、その深さの半分までしか処理されなかったフィルムで
さえ、これまでの最良の既知の方法である減圧熱処理の改良されたｋ値を生ずる
ことを示すものと思われ、このことから、バルク効果が生ずるものと推定される
。従って、上記水素プラズマは、加えられた熱が、付着させられたままの層から
のバルク水分の脱着を行うバルク効果となると同時に、恐らく、水の再吸着の可
能性を低減することによって、たとえ表面での処理としてでも、ｋ値の低減にお
いて有効であると仮定される。上記水素プラズマは、上記ＦＴＩＲデータによっ
て証明されたように、結合組成を明らかに変化させ、処理されたままの層のエッ
チング速度を遅くし、その後のプラズマエッチング処理および恐らくは水の再吸
着から層の下にある部分を保護する処理層を提供する。従って、上記水素プラズ
マは、加熱される層について、その層の少なくとも表面を改良して層全体の恩恵
とすることにおいて有効であり、この改良は、半導体素子におけるｋ値が低い誘
電体としての層の有用性の改良となる。
【００４６】 標準的な方法を使用する減法(subtractive) スキームおよび食刻(damascene)
スキームにｋ値が低いフィルムを組み込もうとする場合に必要な酸素系レジスト
ストリップ処理にｋ値が低いフィルムを付す場合には、フィルムから炭素がスト
リップされ、恐らく、水によって置き換えられて、ｋ値の実質的な増大を伴うこ
とがこれまでに見出されていた。
【００４７】 図５および６は、上記水素プラズマによってＣ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｈ結合が
減少することを示しているけれども、得られる構造は、ストリップ処理下で安定
であると思われる。
【００４８】 従って、図９〜１２を見ると、示されている種々の結合についてのピークの積
分面積比は、酸素系ストリップ処理によっては、実質的に変化しない。同様に、
水素プラズマ処理されたフィルムの屈折率に対する酸素および水素（還元性）に
よるレジストストリップの影響を図１１および１２に示す。屈折率は、ｋ値の間
接的な指標である。
【００４９】 従って、上記水素プラズマ処理は、その後の酸素系プラズマ処理に対する有効
なバリヤーを提供することが示されている。
【００５０】 ｋ値の安定性を確かめるために、ウェーハを、ｋ値が 2.7のＳｉ−Ｃポリマー
中でブランケット塗布し、次に、標準的なフッ素系誘電エッチング処理に付し、
続いて、水素プラズマ（還元性）レジストストリップ処理に付して、パターンエ
ッチングされた誘電体構造の露出部分における条件をシミュレートした。この誘
電率は、これらのエッチング処理およびストリップ処理の後でも 2.7のままであ
り、時間を経ても安定であることが示された（図１３を参照されたい）。48時間
後、ｋ値は僅かに増大していた。 450℃のアニールにより、このｋ値は 2.7に戻
り、さらに48時間後、ｋ値はほんの僅かだけ増大していた。
【００５１】 湿式エッチング速度が熱酸化物のエッチング速度に匹敵するという、ｋ値が低
い誘電体の表面層における改良は、化学的機械研磨に関連して、特に好都合であ
る場合がある。微孔質の種類および／または炭素を含有している種類のｋ値が低
い誘電体の機械的／化学的研磨は、それらが概して低密度であり、かつ機械的強
度に乏しいために問題を呈する。このような層を化学的機械研磨に付そうとする
と、金属化領域間の誘電体のディッシング(dishing) が生ずる傾向がある。この
傾向は、本発明に従って処理された、ｋ値が低いフィルムでは、あまり明らかで
はない。
【００５２】 また、加熱されたウェーハに対して水素プラズマを使用することの利点は、本
出願人の同時係属中の英国特許出願第 9904427.3号（現ＰＣＴ出願第PCT/GB00/0
0651号）（引用により本明細書に取り入れられる）においても認められる。これ
は、特に、エッチングガスと混合された水素により、ｋ値が低い構造を、エッチ
ングの間に維持または向上させることができることを示すものである。ゆえに、
この方法は、本発明に従って調製された材料をエッチングする際に使用するのが
特に好都合である。
【００５３】 ｋ値が低い材料の表面を上述のように処理する場合、少なくとも特定の場合に
は、日付を付け、そして、それにより、英国特許出願第 9904427.3号において述
べられているかなり長いサイクルタイムを補償するのに使用されてきたキャッピ
ング層を省くことが可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 光学顕微鏡によって撮影したウェーハの端部の顕微鏡写真であり、大気への暴
露後の、従来技術の手法によって処理された層の亀裂を示している。
【図２】 ｋ値が低いフィルムの厚みプロフィールを示すグラフである。
【図３】 種々の実験から得られるｋ値の図解である。
【図４】 さらなる処理条件についての図３と同様の図解である。
【図５】 中央の試料から得られたフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）データを示すものであ
る。
【図６】 本発明の態様に従って調製された試料についてのＦＴＩＲデータを示すもので
ある。
【図７】 種々の温度におけるプラズマ加熱時間に対して誘電率をプロットしたものであ
り、概して図４に対応するものである。
【図８】 種々の温度におけるプラズマ加熱時間に対して誘電率をプロットしたものであ
り、概して図４に対応するものである。
【図９】 ストリップ処理のｋ値に対する効果を図解したものである。
【図１０】 ストリップ処理のｋ値に対する効果を図解したものである。
【図１１】 ストリップ処理のｋ値に対する効果を図解したものである。
【図１２】 ストリップ処理のｋ値に対する効果を図解したものである。
【図１３】 ｋ値の安定性を示すものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ００００７８０．７ (32)優先日 平成12年１月14日(2000．1．14) (33)優先権主張国 イギリス（ＧＢ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｒ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ， ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，Ｋ Ｚ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ウィルビー，アンソニー ポール イギリス国，ブリストル ビーエス37 ７ ワイジェイ，イエイト，ヘイ リーゼ 55 Ｆターム(参考） 4F073 AA32 BA33 BB01 CA01 CA72 GA01 HA04 HA09 HA12 5F058 AA02 AA10 AC03 AC10 AF04 AG01 AG07 AG10 AH02

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｓｉ−Ｃ結合を含むポリマー層の処理方法であって、上記層
    を加熱して、水分を脱着させ、上記層を硬化させる工程、および上記加熱工程の
    間に上記層をプラズマに曝す工程を含む方法。
  2. 【請求項２】 上記プラズマが水素プラズマである、請求項１に記載の方法
    。
  3. 【請求項３】 上記プラズマが上記加熱工程を通じて存在する、請求項１に
    記載の方法。
  4. 【請求項４】 上記層が電極上に支持されており、上記プラズマが、上記電
    極に接続された高周波電源によって少なくとも部分的に維持されている、請求項
    １〜３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 【請求項５】 上記電源が 400〜 750Ｗのものである、請求項４に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 上記プラズマが、上記層から間隔を空けられた電極に給電し
    ている高周波電源によって少なくとも部分的に維持されている、請求項１〜３の
    いずれか１項に記載の方法。
  7. 【請求項７】 上記電力が 400〜 750Ｗで供給されている、請求項６に記載
    の方法。
  8. 【請求項８】 上記プラズマが、誘導結合電源によって少なくとも部分的に
    維持されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
  9. 【請求項９】 上記供給電力が 400〜 750Ｗである、請求項８に記載の方法
    。
  10. 【請求項１０】 上記加熱工程が２〜４分間持続する、請求項１〜９のいず
    れか１項に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 上記加熱工程が３分間持続する、請求項１０のいずれか１
    項に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 上記層が、 350℃〜 500℃に加熱されるプラテンとして支
    持されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 （１）上記プラズマが、上記層を支持しているプラテンに
    接続された高周波電源によって維持され、上記電源が実質的に 600Ｗを提供し、 （２）上記プラズマが水素プラズマであり、 （３）上記プラテンが 400℃〜 500℃に加熱され、そして （４）上記加熱工程が実質的に３分間持続する、 請求項１に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 上記処理される層の誘電率が3.00未満である、請求項１〜
    １３のいずれか１項に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 上記層が、上記プラズマによって、 300nm（ 3,000Å）を
    超える深さまで処理される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 上記層が、上記プラズマによって、60nm（ 600Å）未満の
    深さまで処理される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 上記層が、半導体ウェーハ上の絶縁層である、請求項１〜
    １６のいずれか１項に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 上記処理方法により上記層における亀裂を低減する、請求
    項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 上記処理方法により上記層の湿式エッチング速度を改良す
    る、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
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