JP2004536463A - タンタル膜の堆積 - Google Patents
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- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 210000003491 skin Anatomy 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 210000002615 epidermis Anatomy 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/2855—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76876—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for deposition from the gas phase, e.g. CVD
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【0001】
本発明は、α−Taに基づくTa膜を堆積させる方法、及びタンタル膜を利用する銅の電気メッキ方法に関する。
【背景技術】
【0002】
不活性ガス雰囲気における絶縁体へのタンタル薄膜のスパッタリング堆積は一般に、β−Taの形成をもたらす。正方晶構造を有するこの相は、高抵抗率のTa相であり、その抵抗率は180〜200μΩcmである。
【0003】
第2の相は、bcc構造を有し且つ約20〜50μΩcmのかなり小さい抵抗率を有するα−Taである。第3に、これらの両方の相の混合物が、Ta薄膜で見出され、この混合物は、上記純粋な相の間の抵抗率を有する。
【0004】
α−Taは抵抗率が低いので、エレクトロニクス産業における多くの用途においてβ−Taを超える好ましい候補である。α−Taは、バルク金属の状態では熱力学的に安定な相であるが、300nmまでの典型的な厚さのスパッタリングされた薄膜中ではこの低誘電率層を再現可能にもたらすことは困難である。従って、高抵抗率のβ−相が支配的になる。
【0005】
スパッタリングによって純粋なα−Ta薄膜を製造するために使用できる3つの方法が、従来技術で既知である。
【0006】
第1に、600℃を超える基材温度は、α−Taの形成をもたらすことができる。しかしながらこの手法は、エレクトロニクスの用途で使用することが現実的ではない。これは、エレクトロニクスの用途では、基材の温度をできるだけ低くして、熱の影響を受ける材料への損傷を避けることが一般的だからである。
【0007】
第2の方法は、スパッタリングプロセスの間に、又は堆積後の追加のプラズマ処理において、Ta格子に気体不純物/他の原子を導入することを含む。これらの不純物としては、窒素、水素、又は酸素を挙げることができる。しかしながら、気体不純物の量による抵抗率の変化は非常に迅速なことがあり、一般に制御が難しい。
【0008】
第3の最も新しい手法は、追加のベース層の導入である。この追加のベース層は、続くTa膜の堆積において、低抵抗率のα−相の形成のための「シード(種)」として機能する。このベース層としては、TaN、Nb、又はWを挙げることができる。
【0009】
これらの材料は、現実的ではなく、又は追加の工程/材料の導入を伴う。更に、最期の場合における第2の層の追加は、完成した積層体(ベース層とTa)の抵抗率をかなり増加させることがある。
【0010】
タンタルは、マイクロエレクトロニクスの用途のためのサブミクロンダマシン構造における銅金属被覆において特に重要である。典型的に、第1にタンタルと次の窒化タンタルとからなるバリアー層が存在し、それに続いて銅のシード層が存在する。その後、これは、銅によってダマシン構造が満たされるまでメッキされる。タンタルは本質的に付着層である。従って、α相のタンタルを形成するための低温の方法が必要とされている。
【0011】
PCT国際公開WO00/17414号は、約325℃〜約550℃の高い基材温度において、低抵抗率のタンタルと窒化タンタルの層を堆積させることを開示している。特にこの文献の第14頁においては、400℃の基材プラテン温度において、低抵抗率のタンタル膜を堆積させることを開示している。この基材プラテン温度は、325℃〜350℃又はそれよりも高い基材温度に相当する。比較的低い温度において堆積させたタンタルは、大きい抵抗率を有し、約400℃又はそれよりも高温の続くアニール処理によって低抵抗率の膜にされることが示されている。従ってこの開示は、ウェハーを400℃の温度にしたときにのみ、低抵抗率のタンタルが得られることを示している。
【0012】
ここでは低抵抗率のタンタルがα相であるとしているが、これは、タンタル及び窒化タンタルを堆積させる基材の表面にも、堆積させるタンタル膜の厚さにも言及していない。αタンタル膜の形成においては、膜を堆積させる表面及び膜厚さが重要な要素であることはすでに知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
以下では、抵抗率が比較的大きいタンタルが、この開示において示唆されているようなタンタルのα相の損失を必ずしも意味しないことを示す。
【0014】
温度の問題に戻ると、関連する基準は熱収支であるので、室温で堆積させ、続いて高温でアニール処理することは、初めからこの比較的高い温度で堆積させる場合と比較してほとんど現実的な利益がない。
【課題を解決するための手段】
【0015】
本発明は、300nm未満、特に30nm(300Å)未満の厚さを有する、α−Taに基づくTa膜を堆積させる方法に関する。この方法は、有機物質含有低誘電率絶縁性層のシード層を堆積させること、及び600℃未満の温度においてこのシード層上にタンタルをスパッタリングすることを含む。
【0016】
好ましくは温度は250℃未満であり、温度の上限が100℃であることが特に好ましい。
【0017】
好ましくはシード層は、炭素でドープされた水素化二酸化ケイ素、例えばメチルでドープされた酸化ケイ素、特に便利には、本願出願人のPCT国際公開WO01/01472号の教示に従って堆積させた膜である。ここでこの文献の記載を参照して本明細書の記載に含める。従ってシード層は、ケイ素を含有する1又は複数の有機化合物と酸化剤を、プラズマの存在下で反応させ、そして得られた膜を硬化させ、それによって炭素を有する基が膜に含有されるようにする。この膜は、膜を水素含有プラズマに露出させることによって硬化させることができる。
【0018】
特に好ましい態様では、スパッタリングの前に、シード層の表面をエッチングによって除去することができる。付随的に又は代替的に、例えば基材にバイアスを提供して及び/又はイオン化スパッタリングを行って、スパッタリングされた材料が比較的大きいエネルギーを伴ってシード層の表面に到達するようにすることができる。ターゲットと基材との距離が少なくとも200mm、好ましくは240mm超であるロングスロー(長距離)(long throw)スパッタリングが好ましい。シード層として示されている材料は実際に、非常に効果的な低k誘電体材料であり、従って例えば半導体デバイスの製造において半導体デバイス中にすでに存在していてもよい。この場合、特に例えば10〜50nmの表皮層を、例えば30秒間にわたるC3F8のプラズマエッチングによって除去した後で、この層が低k層としても、またTaのための効果的なシード層としても機能する。このような表面層は、構造的に及び/又は化学的に、バルクのシード層を代表していないことがある。
【0019】
本願出願人は、これらの膜が、凹凸を有する表面、例えばデュアルダマシンプロセスのようなプロセスを使用する半導体チップの製造の間の半導体ウェハーの凹凸を有する表面に、特に適していることを見出した。
【0020】
このようなプロセスにおいて銅を使用すること、及び電気メッキによってこの銅を堆積させることが多くなっている。良好で均一なメッキプロセスを達成するために、その上に銅を電気メッキする導電性層が、低く且つ好ましく均一な電気抵抗を有することが好ましい。これは、ウェハーの前面との電気的な接触が、ウェハーの縁のクリップによって行われることによる。ウェハーの大きさは300mmにまでなっており、ウェハーの前面は凹部を有する構造にされているので、ウェハーにわたる電気抵抗は様々であり、メッキ厚さの不均一性をもたらすのに十分に大きい。
【0021】
典型的なタンタルバリアーは一般にβ相タンタルなので、高抵抗性である。この相の抵抗率は一般に、約170〜200μΩ・cmである。従って良好な電気メッキを達成するためには、一般に低抵抗率の銅シード層をスパッタリングしてから、銅を電気メッキして凹部を充填している。この追加の工程は、銅シード層のための追加の容器又は更に追加のスパッタリング設備を必要とするので、明らかに処理効率を低下させ、また費用を増加させる。
【0022】
従って、他の面では、本発明は、半導体ウェハー等の凹凸を有する表面に、銅を電気メッキする方法からなる。この方法は、凹凸を有する表面に、タンタル層(典型的に銅の拡散防止層として必要とされる)を堆積させること、及びこのタンタル層に直接に、銅を電気メッキすることを含み、ここでこのタンタル層の抵抗率は50μΩ・cm未満である。
【0023】
好ましいタンタルバリアー層は、少なくとも実質的にα相タンタルである。
【0024】
この薄膜層(典型的に3000Å未満の厚さであり、通常は50Å超の厚さ)の抵抗率は、20〜40μΩ・cmであり、最も特に約25μΩ・cmである。但し、この抵抗率は小さければ小さいほど好ましい。バルクα相タンタルの抵抗率は、13μΩ・cmである。
【0025】
このタンタル層は、上述の又は下記の方法を使用して堆積させることができる。
【0026】
本発明は、上記で説明するようなものであるが、上記の又は下記の特徴の任意の発明的組み合わせを包含することを理解すべきである。
【0027】
本発明は様々な様式で実施することができるが、特定の態様を、添付の図面を参照して以下で例示する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0028】
上述のように、PCT国際公開WO01/01472号は、低k絶縁性膜を堆積させる方法を説明している。
【0029】
このような膜のSIMS図である図3から理解されるように、化学的に多様で且つ膜のバルク部分とは異なっている約0〜800Åの上側部分が存在する。下記の実験では、この絶縁性材料を対応する基材上に堆積させ、そしてこの材料のうちのいくつかについて、C3F8を使用する反応性プラズマエッチングによって、約30nmの上側層をエッチングして、試料を調製した。比較のために、この低k膜の代わりに熱二酸化ケイ素の層を提供することによって、更なる試料を調製した。
【0030】
Taをその後、様々な処理条件において試料上に堆積させ、そして得られたTa膜を、x線回折解析(XRD)によって分析して、Taの何相が堆積したかを調べた。
【0031】
実験条件を、下記のポイントに従って、図1に示す多数の様式で変更した。
【0032】
AHF:供給源と基材との距離が245mm、タンタルターゲットには5〜25kWの直流電力を供給、アルゴンスパッタリングガスの圧力が5mTorr又はそれ未満。このプロセスにおいては、有意のターゲット材料のイオン化を行わせ、それによって磁場封じ込め移動式マグネトロンを使用する。この設備は、図4に関してより詳細に説明する。
【0033】
HF:有意のターゲット材料をイオン化しないことを除いて、同じ処理条件。実験を行うと(図示せず)、供給源と基材との間のこれらの比較的長い距離(標準のマグネトロンスパッタリングでは約45mm)が、結果を改良することが示された。
【0034】
バイアス:13.56MHzを、ウェハーのプラテンに印加して、直流電圧をもたらした。
【0035】
ULK:PCT国際公開WO01/01472の膜。
【0036】
表皮あり:低k膜の最も上側の500Å(50nm)が存在し、基材表面を形成している。この上に、タンタルをマグネトロンスパッタリングした。
【0037】
表皮なし:上記の最も上側の表面を、例えばC3F8又はCF4を用いて、反応性プラズマエッチングによって除去した。
【0038】
スパッタリング前に、多くの場合にウェハーを200℃まで加熱して、ガスの放出を促進していたことに注意すべきである。
【0039】
図1のチャートは、下記の条件を使用して行った実験を要約している:
【0040】
[AHF+バイアス]
13kWの直流ターゲット電力
100sccmのアルゴン
300W、13.56MHzの高周波バイアス電力をプラテンに供給し、約75Vの負の電圧を印加
ターゲットマグネトロン封じ込め磁気コイルに、1360アンペア・回数の電力を供給
150nmの堆積に対して、46秒間の処理時間
プラテンコイルに320アンペア・回数の電力を供給して、均一性を改良
【0041】
[HF]
13kWの直流ターゲット電力
100sccmのアルゴン
基材プラテンへの電力供給なし、ターゲットマグネトロンの磁場封じ込めなし
140nmの堆積に対して、29秒間の処理時間
【0042】
[HF+バイアス]
HFと同様であるが、100W、13.56MHzの高周波バイアス電力をプラテンに供給し、約78Vの負の電圧を印加
150nmの堆積に対して、33秒間の処理時間
【0043】
図1から、全ての条件において、ULK膜の表皮を反応性エッチングによって除去したときに、α相が、β相と組合わさって又は単独で支配的になることが分かる。全ての場合において、有意に比較的低い抵抗率が達成される。この予想外のスパッタリング選択性は、下側の層の化学的性質の結果であると考えられる。これは、図4から、及び下記の表で見出すことができるラザフォード後方散乱分光(RBS)によって示される化学組成から、理解することができる。
【0044】
ラザフォード後方散乱分光(RBS)による化学組成
【表1】
【0045】
従って表皮の少なくとも一部をエッチングによって除去した場合、表面に有意に比較的多くの水素が存在し、及び/又は密な上側層の少なくとも部分的な除去によって、表面への拡散がより可能になる。これは、膜の成長の初期段階において、水素が基材から脱着し、成長しているTa膜に組み込まれることを示していると考えられる。これによってα相の優先的な堆積をもたらすことができると考えられる。これによれば更に、絶縁層を加熱したときにα−Ta相が優先的に堆積する理由を説明できる。これは、プロセスが熱的に活性であれば、表皮中の比較的低い水素レベルを熱によって補えることによる。
【0046】
堆積パラメータを慎重に調節することによって、チャートに示すように、中間の抵抗率を有する両方の相の混合物を形成できる。
【0047】
図1に関しては、200℃の堆積温度においては、AHF+バイアスのプロセスを使用する場合、低抵抗率のα相タンタルが表皮上に堆積することを認識すべきである。
【0048】
AHFプロセスとHFプロセスとの重要な違いは、堆積の間のタンタル膜におけるエネルギーレベルである。コイル10の使用によるマグネトロンでの不均衡効果は、プラズマイオンの流束(スパッタリングガス及び金属)を、イオン密度で約5mAcm2から約20mAcm2に増加させ、プラズマの有意の部分が基材表面まで達することを可能にする。この増加したエネルギーレベルは、従来技術による比較的高い基材温度に効果的に代替し、また比較的高い基材温度の必要性をなくす。しかしながら、200℃の温度は、バリアーの堆積プロセスのための好ましい温度としては高すぎると考えられる。従って下記の実験の主目的は、信頼可能にα相タンタルをもたらすことができる100℃未満のプロセスである。
【0049】
図2(a)は、PCT国際公開WO01/01472号の記載に従って製造した低k絶縁層上に堆積させた厚さ100nmのTa膜の製造を示している。ここでは、β−Taではなく、有意のα−Taの堆積が行われることが示されている。図2(b)は、Ta膜を熱二酸化ケイ素上に堆積させた対応する結果を示している。図2(c)は、堆積パラメータを調節して低k誘電体上に両方の相が堆積するようにした場合の結果を示している。
【0050】
図1の表からは、AHF装置の成長しているスパッタリング膜において存在する比較的大きいエネルギーが、「HF」として示される非イオン化装置でよりも上手く機能していることも認識される。これは、成長しているスパッタリング膜内の高エネルギーが、高温の使用なしで、シード層からシーディング剤を遊離させることができることを示唆している。
【0051】
抵抗率の低下の他に、続いて堆積させる銅シード層において(111)組織を促進させる点においても、α−Taの使用は有利である。銅シード層の(111)組織は、電気メッキされる銅においても(111)組織を促進させ、この(111)組織は、電気的なマイグレーションに対してより抵抗性である。従って、(111)組織は銅のシード層に関して好ましい配向である。{200}のピーク強度に対する{111}のピーク強度の比として表される(111)組織の強度を比較すると、下記の結果が得られる:
【0052】
αタンタルに堆積させた銅シード層={111}/{200}=368
βタンタルに堆積させた銅シード層={111}/{200}=61
【0053】
AHFの配置については、本願出願人の国際出願PCT/GB01/03229号でより詳細に説明されている。この文献の記載はここで参照して本明細書の記載に含める。簡便さのために、この文献の図1を、図4として本明細書に添付している。簡単に説明すると、移動式マグネトロン1をターゲット2の上側に配置し、このターゲット2をプラテン12に向け、このプラテン12上に基材3を配置する。外部コイル10を、ターゲット2の周囲の付近に提供して、移動式マグネトロン1によって提供される通常の磁場を変更している。このコイル10を使用して、マグネトロンを不均衡にすることができ、従って成長している膜に達するイオン流束の制御を直接に行うことができ、また別個の高周波ウェハーバイアス装置11を使用して、衝突するイオンのエネルギーを制御することができる。
【0054】
HF設備においては、コイル10が存在しなくてもよく、又はコイル10にエネルギーを供給しなくてもよい。
【0055】
これらは2つのスパッタリングの設備であり、ここではこれらの装置で実験を行ったが、これらは本発明の一般性を制限するものではない。単一ウェハーのスパッタリング装置を用いて、堆積の間にウェハーを横方向に移動させないことが特に好ましい。タンタル膜及び/又はタンタル膜をその上に成長させる表面に高レベルのエネルギーを提供する任意の設備が、本発明の範囲に包含される。ここではこのエネルギーが、バルクウェハーの温度を約250℃超、最も好ましくは約100℃超までは上昇させない。
【0056】
図1の表において報告されている更なる解析は、不均衡なマグネトロン様式で操作されるAHF配置であるか、均衡様式で操作されるHF配置であるかが、堆積する膜のタイプに影響を与える場合があるという事実を示唆している。更に又はあるいは、AHF設備ロングスロータイプであることが、堆積する膜のタイプに影響を与える場合もあるという事実を示唆している。望ましいことは、堆積を行う表面において高い活性レベルが得られるということである。
【0057】
図5及び6において示す続く実験は、供給源と基材との距離を245mmにし、且つウェハーのプラテン温度を75℃にして、上述のAHF実験にほぼ従って行った。
【0058】
これらの実験は、既知の「薄膜」効果(特に薄膜バリアーに関して重要)及びタンタルをスパッタリングする表面における化学組成変化の効果を調べるように設計した。低k層は、図3に示すように組成が変化すること、及びこの層をエッチバックすると(図6に示すように)、得られる表面粗さが図7で示すように増加することが知られている。
【0059】
図5及び6で示す全ての実験は、この堆積装置から得られたままの誘電体材料で行った
。この装置は一般に、30秒間にわたるC3F8プラズマエッチングによって表面層を除去し、それによって図3で示されるように異なる化学組成を有する誘電体の上側層の少なくともいくらかであって必ずしも全てではない部分を除去する。従って図5の「アルゴンエッチングの前の堆積させたままの誘電体」は、除去される表面の表皮層の少なくともいくらかを伴う誘電体層に言及している。
【0060】
図5においては、「薄膜」効果が観察されることと並んで、低k誘電体の不活性アルゴンエッチングが、タンタルの抵抗率を増加させ且つこれを常にα相からα相とβ相との混合物にするという予想外の結果が観察されることが示されている。これが起こる理由はまだ不明であるが、しかしながらおそらくこれは、粗さのような表面効果、又は誘電体層の成分の選択的な除去(スパッタリングエッチングによる)によってもたらされている。しかしながら、誘電体層をエッチバックしたときに、タンタルの抵抗率は大きくは変化しないことに注意すべきである。
【0061】
比較のために、低k誘電体の反応性プラズマエッチングを、CF4+CH2F2で行った。この結果は図6に示している。図3を参照すると、これが、様々な化学組成の領域を通って「バルク」材料にまで達するエッチングであること、図7を参照すると、タンタルを堆積させる表面の表面粗さが増加していることが注目される。図6からは、アルゴンスパッタリングエッチングと違って、反応性のCF4+CH2F2エッチングが、βタンタルを促進しないことが理解される。更に、α相タンタルが常に存在し、68nmの最も厚い膜については、抵抗率がバルクの値に近い。またここでは、誘電体層をエッチングすると、続いて堆積させるタンタルの抵抗率が増加することが示されている。このことは特に、比較的薄い膜について言うことができ、ここでは抵抗率の増加が30%〜50%程度である。28nm以上の厚さに関しては、この効果はかなり減少しており、最も厚い68nmの厚さではわずかである。低k誘電体層の構造は均一ではないことが知られており、これは非常に薄い膜に関しては(特に)、タンタルをスパッタリングして堆積させる表面層の構造が、その形態に関して重要であることを示している。
【0062】
スパッタリングされるタンタル膜の形態に関して基材の表面が重要な役割を担うことは明らかであるが、(相対的に)どの部分が構造的又は化学的に機能するのかはまだ知られていない。低k誘電体膜は、SiCO:Hタイプであり、これは水素化炭素を含有する二酸化ケイ素であると考えることができる。炭素及び/又は水素がα相形成のためのシードであってもよく、及び/又はこのシーディングが、誘電体表面の微細構造の結果であってもよい。更に、エッチングプロセスに起因するフッ素が存在していてもよく、これが何らかの役割を果たしてもよい。
【0063】
従って、本発明は、300nm未満の厚さの、αタンタルに基づくTa膜を堆積させる方法を含む。この方法は、表面領域近くに炭素及び/又は水素を有する低誘電率絶縁層であるシード層、又は表面領域に適当な微細構造を有する低誘電率絶縁層であるシード層を堆積させること、並びに250℃未満の温度において、シード層の表面に、タンタルを物理気相堆積させることを含む。
【0064】
好ましくはタンタル膜は、30nm以下の厚さであり、堆積を100℃又はそれ未満の温度において行う。
【0065】
α相タンタルに関する低抵抗率を達成するためには、続くアニール処理が必要とされない。
【0066】
更に好ましい特徴においては、物理気相堆積プロセスが、スパッタリング、最も好ましくは堆積プロセスの間にウェハーの横方向の移動がない単一ウェハースパッタリングである。好ましくはこのプロセスは、不均衡マグネトロンを有するスパッタリング容器を利用する。基材へのイオン流束の直接制御を達成できる電磁コイルを使用して、特に堆積表面における高衝撃を達成するために、この「不均衡(unbalance)」を達成することが特に好ましい。このような直接制御を達成するための他の機構も等しく適用可能である。
【0067】
これらの実験のために不均衡マグネトロンタイプのイオン化スパッタリング装置を使用してきたが、ここで示されている結果を達成するのに必要な条件を達成する任意のイオン化金属スパッタリング装置を使用することができる。このような装置としては、「イオン金属プラズマ」、「中空カソードマグネトロン」、及びイオン化PVDを挙げることができる。ここでは全ての場合において、標準的なスパッタリング装置と比較して、多くのスパッタリングされた金属がイオン化されている。
【0068】
明確にするためにあえて言うと、本発明のシード層は別個の層である必要はないことを理解すべきである。本発明のために必要なシーディング特性は、他の有益な目的のためにも使用される層、例えばダマシン構造中の誘電体層、バリアー層、エッチング停止層によって提供することもできる。
【0069】
更に、「絶縁性基材」は、本発明に関する特徴に言及しているのであって、タンタルを堆積させる絶縁性表面であることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【0070】
【図1】図1は、実験の詳細をまとめたものである。
【図2】図2の(a)、(b)及び(c)は、説明される例によって得られる特定の膜の、対応するx線回折(XRD)パターンである。
【図3】図3は、TMS+O2によって堆積させ、5分間にわたる水素プラズマで硬化させた膜に関する、二次イオン質量分析(SIMS)のプロットである。
【図4】図4は、AHF堆積容器設備の概略図である。
【図5】図5は、タンタル層の抵抗率に対する誘電体厚さのグラフであり、不活性スパッタリングエッチングの効果を示している。
【図6】図6は、誘電体層を反応性のエッチングによってエッチバックしたときの、図5に対応するグラフである。
【図7】図7は、図6のエッチングによる表面粗さの結果を示している。
Claims (18)
- 有機物質含有低誘電率絶縁材料のシード層を堆積させること、及び250℃未満の温度においてこのシード層上にタンタルをスパッタリングすることを含む、300nm未満の厚さで、α−Taに基づくTa膜を堆積させる方法。
- 前記シード層がメチルでドープされた酸化ケイ素である、請求項1に記載の方法。
- ケイ素含有有機化合物と酸化剤を、プラズマの存在下で反応させ、そして炭素を有する基がこの膜に含有されるようにして得られた膜を硬化させることによって、前記シード層を形成する、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記シード層を、水素含有プラズマに露出させることによって硬化させる、請求項3に記載の方法。
- 前記シード層の表面をエッチングによって除去した後でタンタルの堆積を行う、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記シード層を加熱した後でタンタルを堆積させる、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記タンタルの供給源と基材との距離が少なくとも200mmである、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記タンタルの供給源と基材との距離が少なくとも200mm〜250mmである、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 前記タンタルの堆積を不均衡マグネトロンによって行う、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記基材がバイアスされている、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記タンタル膜上に銅を堆積させる、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
- 前記シード層が金属間誘電体層である、請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- タンタル材料の有意の部分が、イオン状態で前記シード層に達する、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
- 半導体ウェハー等の凹凸を有する表面にタンタル層を堆積させること、及びこのバリアー層に直接に銅層を電気メッキすることを含み、前記タンタル層の抵抗率が50μΩ・cm未満である、半導体ウェハー等の凹凸を有する表面に銅を電気メッキする方法。
- 前記タンタル層が、少なくとも実質的にα相タンタルである、請求項14に記載の方法。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の方法を使用して、前記タンタル層を堆積させる、請求項14に記載の方法。
- 前記タンタル層の抵抗率が20〜40μΩ・cmである、請求項14〜16のいずれかに記載の方法。
- 前記抵抗率が約25μΩ・cmである、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0117599A GB0117599D0 (en) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | Depositing a tantalum film |
GB0201590A GB0201590D0 (en) | 2002-01-24 | 2002-01-24 | Depositing a tantalum film |
GB0206116A GB0206116D0 (en) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | Depositing a tantalum file |
PCT/GB2002/003238 WO2003008660A1 (en) | 2001-07-19 | 2002-07-15 | Depositing a tantalum film |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004536463A true JP2004536463A (ja) | 2004-12-02 |
JP2004536463A5 JP2004536463A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4181035B2 JP4181035B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=27256224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003514971A Expired - Fee Related JP4181035B2 (ja) | 2001-07-19 | 2002-07-15 | タンタル膜の堆積 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7129161B2 (ja) |
JP (1) | JP4181035B2 (ja) |
KR (1) | KR20040015670A (ja) |
GB (1) | GB2393189B (ja) |
TW (1) | TWI294918B (ja) |
WO (1) | WO2003008660A1 (ja) |
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- 2002-07-15 US US10/483,805 patent/US7129161B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-15 KR KR1020027017672A patent/KR20040015670A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-07-15 WO PCT/GB2002/003238 patent/WO2003008660A1/en active Application Filing
- 2002-07-15 JP JP2003514971A patent/JP4181035B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-15 GB GB0400103A patent/GB2393189B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-18 TW TW091116048A patent/TWI294918B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2393189A (en) | 2004-03-24 |
US7129161B2 (en) | 2006-10-31 |
GB2393189B (en) | 2005-06-15 |
TWI294918B (en) | 2008-03-21 |
WO2003008660A1 (en) | 2003-01-30 |
US20050048775A1 (en) | 2005-03-03 |
KR20040015670A (ko) | 2004-02-19 |
GB0400103D0 (en) | 2004-02-04 |
JP4181035B2 (ja) | 2008-11-12 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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