JP4790163B2 - 半導体素子の金属配線形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子の金属配線形成方法に係り、特に化学的強化剤層を形成し、銅前駆体を用いた選択的蒸着法でダマシンパターンに銅を埋め込んで銅配線を形成する半導体素子の金属配線形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
次世代半導体素子の急激な高性能化趨勢によってコンタクトサイズが減少し且つアスペクト比が増加するにつれて、現在適用されているアルミニウムを用いた金属配線は高い電流密度によって寿命が短くなるEM特性に問題が発生する。これを克服するために、更に低い抵抗を有する配線材料に対して研究が行われている。最近は銅を配線材料とする研究が多く行われており、コスト及び蒸着速度を考慮した電気メッキ法が商用化のために研究されている。しかし、電気メッキ法も、超微細構造においては埋込みに限界が発生するため、CVD法を用いた銅配線埋込みに対する関心が高まっている。CVD法は電気メッキ法による配線埋込みと比較するとき、低い蒸着速度及びコストによって効率は低いが、新しい工程方法を導入してこれを克服しようとする努力が行われている。その一環がCECVD法を用いた銅配線埋込みである。前記CECVD法はCVD銅の問題点である遅い蒸着速度や、銅が蒸着されにくく銅結晶が円滑に形成されない、完璧ではない(111)構造(Texture)の問題を越える新しい工程方法である。ところが、このようなCECVD法も化学的強化剤を均一に噴射することや、化学的強化剤を特定の所望するところに分布して選択的(Selective)銅埋込み工程を行うようにする方法などが課題とされている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカル(Radical)プラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面のみに化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法は、トレンチ及びビアからなるダマシンパターンを有する絶縁膜が形成された半導体基板を提供する段階と、前記絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、銅の蒸着速度を加速化するためにCH 3 I、C 2 H 5 I、CD 3 I、CH 2 I 2 の何れか1つのヨード含有液体化合物、純粋I 2 、ヨード(I)含有ガス、液状のF、Cl、Br、I、At、ガス状態のF、Cl、Br、I、Atのうちの何れか1つを触媒として、前記拡散防止膜上に化学的強化剤層を形成する段階と、前記化学的強化剤層が前記ダマシンパターンの前記ビアの側面及び底面にのみ残るようにプラズマ処理する段階と、MOCVD法により銅層を形成する段階と、水素還元熱処理及び化学的機械的研磨(CMP)工程を行って銅金属配線を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、添付図に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
【0006】
図1(a)乃至図1(e)は本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法を説明するために順次示した断面図である。
【0007】
図1(a)を参照すると、半導体素子を形成するための各種要素が形成された半導体基板10上に第1絶縁膜11、下部金属層12及び第2絶縁膜13を順次形成した後、第2絶縁膜13にトレンチ及びビアからなるダマシンパターンを形成し、洗浄工程を行ってダマシンパターンによって露出した下部金属層12の表面に残留する酸化物層を除去する。その後、ダマシンパターンを含む第2絶縁膜13上に拡散防止膜14を形成する。拡散防止膜14の表面には後続の化学的強化剤層の形成を容易にするためプラズマ処理を行うか、銅を用いて50〜500Åの厚さにシード層を蒸着する。
【0008】
前述において、第2絶縁膜13は低誘電定数値を有する絶縁物質を用いて形成し、第2絶縁膜13に形成されたトレンチ及びビアは二重ダマシン方式で形成される。洗浄工程は、下部金属層12がW及びAlなどの金属の場合にはRFプラズマを利用し、第1金属層12がCuの場合にはリアクティブ・クリーニング(reactive cleaning)法を適用して行う。拡散防止膜14はイオン化されたPVD TiN、CVD TiN、MOCVD TiN、イオン化されたPVD Ta、イオン化されたPVD TaN、 CVD Ta、CVD TaN、CVD WN、CVD TiAlN、CVD TiSiN、CVD TaSiNの少なくとも何れか1つで形成する。
【0009】
図1(b)を参照すると、拡散防止膜14上に化学的強化剤層15aを形成する。前記化学的強化剤層15aはCH3I、C2H5I、CD3I、CH2I2などのヨード含有液体化合物、純粋I2、ヨード(I)含有ガスのうちいずれかを触媒として、−20〜300℃の温度範囲で1〜600秒間処理して形成する。また、周期律表上の7族元素である液状のF、Cl、Br、I、At、ガス状態のF、Cl、Br、I、Atも触媒として用いることが出来る。
【0010】
図1(c)を参照すると、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理により化学的強化剤層15aの一部を除去して、ビア領域の拡散防止膜14の側壁及び底面にのみ選択的分布を有する化学的強化剤層15を残留させる。ラジカルプラズマ処理は、リモートプラズマ(Remote Plasma)法を使用する。プラズマ処理は半導体基板を10〜350℃の温度範囲として0.3〜10Torrのチャンバ圧力範囲で行うが、水素、アルゴン、酸素、オゾン、NH3、窒素、水素+アルゴン、水素+NH3の何れか1種のガス雰囲気で、ガスの流量を50〜500sccmの範囲とし、50〜7000Wのプラズマ生成電力にて10〜600秒間実施する。
【0011】
化学的強化剤層の除去方法は前記プラズマ処理及びパージ(purge)段階を少なくとも1回以上繰り返し行う多段階による除去も可能である。
【0012】
図1(d)を参照すると、ダマシンパターンを含む第2絶縁膜13上に(hfac)CuVTMOS系列、(hfac)CuDMB系列及び(hfac)CuTMVS系列などのhfacを用いた全ての前駆体のうち何れか1つを用いたMOCVD法により銅層16aを蒸着してダマシンパターンを銅で埋め込む。ダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層15が形成されているから、他の部分よりこの部分における銅の蒸着速度が一層加速化され、ダマシンパターン内部への選択的銅蒸着が可能である。選択的蒸着工程はダイレクト・リキッド・インジェクション(DLI)、コントロール・エバポレイション・ミキサ(CEM)、オリフィス方式又はスプレー方式のベイパライザを有する銅蒸着装備で実施する。
【0013】
前述において、銅層16aは選択的工程をダマシンパターンが十分埋め込まれるまで行なうか、ダマシンパターンのビア領域にのみ十分埋め込まれるように選択的蒸着工程を行った後、電気メッキ法でダマシンパターンを完全に埋め込ませて形成することが出来る。
【0014】
図1(e)を参照すると、水素還元熱処理工程を行い、化学的機械的研磨(CMP)工程でダマシンパターンの内部を除いた第2絶縁膜13上に蒸着された銅層16a及び拡散防止膜14を除去して銅配線16を形成する。第2絶縁膜13上に銅層が形成されるが、化学的強化剤層15によって加速され、蒸着された銅層の厚さに比べれば極めて薄い厚さであるから、化学的機械的研磨工程により容易に除去することが出来る。
【0015】
前記本発明の実施例において適用した銅の代わりにアルミニウムやタングステンなどのような金属を用いて配線を形成することも出来る。
【0016】
【発明の効果】
上述したように、本発明は化学的強化剤層をビア領域の拡散防止膜の側壁及び底面にのみ残留させ、銅の選択的蒸着を可能にすることにより、後続の化学的機械的研磨工程及び超微細構造における銅配線形成のための銅埋込みを容易に行うことが出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1(a)乃至図1(e)は、本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法を説明するために順次示した断面図である。
【符号の説明】
10 半導体基板
11 第1絶縁膜
12 下部金属層
13 第2絶縁膜
14 拡散防止膜
15 化学的強化剤層
16a 銅層
16 銅配線
Claims (13)
- トレンチ及びビアからなるダマシンパターンを有する絶縁膜が形成された半導体基板を提供する段階と、
前記絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、
銅の蒸着速度を加速化するためにCH 3 I、C 2 H 5 I、CD 3 I、CH 2 I 2 の何れか1つのヨード含有液体化合物、純粋I 2 、ヨード(I)含有ガス、液状のF、Cl、Br、I、At、ガス状態のF、Cl、Br、I、Atのうちの何れか1つを触媒として、前記拡散防止膜上に化学的強化剤層を形成する段階と、
前記化学的強化剤層が前記ダマシンパターンの前記ビアの側面及び底面にのみ残るようにプラズマ処理する段階と、
MOCVD法により銅層を形成する段階と、
水素還元熱処理及び化学的機械的研磨工程を行って銅金属配線を形成する段階と、
を含んでなることを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。 - 前記ダマシンパターン形成後の洗浄は、前記下部金属層がW及びAlの何れかの場合にはRFプラズマを用いて行い、前記下部金属層が銅の場合にはリアクティブ・クリーニング工程を用いて行うことを特徴とする請求項1記載の半導体素子の銅金属配線形成方法。
- 前記拡散防止膜はイオン化されたPVD TiN、CVD TiN 、MOCVD TiN、イオン化されたPVD Ta、イオン化された PVD TaN、CVD Ta、CVD TaN、CVD WN、CVD TiAlN、CVD TiSiN、CVD TaSiNの少なくとも何れか1つで形成することを特徴とする請求項1記載の半導体素子の銅金属配線形成方法。
- 前記拡散防止膜の形成後、表面をプラズマ処理することを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記拡散防止膜の形成後、50〜500Åの厚さにシード層を形成することを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記化学的強化剤層は、−20〜300℃の温度範囲で1〜600秒間処理して50〜500Åの厚さに形成することを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記プラズマ処理はリモートプラズマ法を用いたラジカルプラズマ処理で行い、単一周波数エッチング及びデュアル周波数エッチングの何れか1つを用いて行うことを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記ラジカルプラズマ処理は化学的強化剤層の除去段階及びパージ段階を少なくとも1回以上繰り返して行うことを特徴とする請求項7記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記プラズマ処理は、水素、アルゴン、酸素、オゾン、NH3、窒素、水素+アルゴン、水素+NH3の少なくとも何れか1種を50〜500sccmの範囲で混合したガス雰囲気下に行うことを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記プラズマ処理は50〜7000Wのプラズマ生成電力で10〜600秒間実施することを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記プラズマ処理は0.3〜10Torrのチャンバ圧力範囲で前記半導体基板を10〜350℃の温度範囲として行うことを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記銅層は(hfac)CuVTMOS系列、(hfac)CuDMB系列及び(Hfac)CuTMVS系列などのhfacを用いた全ての前駆体のうち何れか1つを用いて銅蒸着装備で前記MOCVD法によって形成することを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
- 前記銅層は前記MOCVD法により銅を一定の厚さに蒸着した後、電気メッキ法で前記ダマシンパターンを埋め込ませて形成することを特徴とする請求項1記載の半導体素子の金属配線形成方法。
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