JPH0964029A - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法

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JPH0964029A JP7210896A JP21089695A JPH0964029A JP H0964029 A JPH0964029 A JP H0964029A JP 7210896 A JP7210896 A JP 7210896A JP 21089695 A JP21089695 A JP 21089695A JP H0964029 A JPH0964029 A JP H0964029A
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徳 徳増
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芳章 湯山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】熱ＣＶＤ法によるフッ素含有シリコン酸化膜の
成膜方法に関し、カバレージに優れ、比誘電率が小さ
く、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す
る。 【解決手段】基板６を加熱した状態でＳｉ−Ｆ結合を有
する有機シランとＳｉ−Ｆ結合を有しない有機シランと
酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて基板６上にフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法に関し、
より詳しくは、熱ＣＶＤ法によるフッ素含有シリコン酸
化膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイスに用いられている
層間絶縁膜は殆どSiO2又はこれをベースとしたものであ
る。このSiO2系の絶縁膜はおよそ４．０（測定周波数1M
Hz）の比誘電率を有し、それによって層間絶縁膜を挟む
上下の導電体層間の容量及び層間絶縁膜を挟む隣接する
導電体層間の容量Ｃが決められる。即ち、 Ｃ＝ε0 ・ε・Ａ／ｔ 但し、ε0 ：真空中の誘電率（＝１） ε：層間絶縁膜の比誘電率 Ａ：計算の都合上、上下の配線層の重なり面積又は隣接
する配線層の対向面積とするが、実際には上記重なり領
域以外の領域の配線層間の寄与、或いは対向領域以外の
領域の配線層間の寄与も考える必要がある。
【０００３】ｔ：上下の配線層間の層間絶縁膜の膜厚又
は層間絶縁膜を挟む隣接する配線層間のスペース このような寄生容量はどの様な半導体デバイスにも必ず
存在するが、その値が大きい場合、配線層間のクロスト
ークの発生や信号伝播時間の遅れを生じさせる。特に、
半導体装置を高密度化するため、多層配線構造が用いら
れた場合には、配線層間の重なりや対向領域が増えるた
め、寄生容量が増加する。また、パターンの寸法が微細
化された場合には、隣接する配線層間のスペースが狭く
なるため、隣接する配線層間のスペースは上下の配線層
間のスペースよりも小さくなる場合がある。このため、
寄生容量が増加する。従って、デバイス特性に与える影
響は無視できない。
【０００４】寄生容量を低減するアプローチの一つとし
て、層間絶縁膜の比誘電率（ε）を低くするアプローチ
があり、現在、以下の対策が採られている。 （１）有機樹脂膜を使用する。ε＝3.0 以下のものが報
告されている。 （２）テフロン系の絶縁膜を使用する。ε＝3.0 以下の
ものが報告されている。
【０００５】（３）SiBN膜又はSiOBN 膜を使用する。ス
パッタにより形成する例が報告されている。ε＝3.5 程
度のものが報告されている。 （４）Si-F結合を有するSiO2膜又はＦを含むSiO2膜を使
用する。 しかしながら、（１）及び（２）の場合はSiO2とは全く
異なる物質からなる絶縁膜であり、膜としての信頼性や
安定性が十分ではなく、またデバイスに適用するための
評価が進んでおらず、実用性が疑わしい。
【０００６】また、（３）の場合は吸湿性が高く、半導
体装置への適用には適していない。また、SiOBソース
（SiOB結合を有する有機化合物、例えばトリストリメチ
ルシリルボレート）をオゾンと反応させてＢＳＧ膜を形
成する方法であり、研究開発途上にある。更に、（４）
のフッ素（Ｆ）含有シリコン酸化膜は、様々な方法で形
成され、比誘電率（ε）の値として、３．４〜３．６程
度が得られる技術として開発・検討がなされている。い
ずれにしても、安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成
することが重要である。
【０００７】フッ素含有シリコン酸化膜の成膜方法とし
て、従来以下に示すような例がある。 フルオロトリエトキシシラン（SiF(OC2H5)3 ）の加水
分解 トリエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とC2F6と酸素
（Ｏ2 ）を用いたプラズマＣＶＤ法 SiF4と酸素（Ｏ2 ）を用いたプラズマＣＶＤ法又はＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ法 SiF(OC2H5)3 と酸素（Ｏ2 ）を用いたプラズマＣＶＤ
法 を除き、いずれもプラズマＣＶＤ法による成膜方法で
ある。これらの方法により、ε＝３．４〜３．６程度の
値が得られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
も水分を吸収しやすく、それによって膜の比誘電率は上
昇してしまう。即ち、耐水性が劣っている。特に、プラ
ズマＣＶＤ法では、ステップカバレージが悪く、微細な
スペースへの埋め込みに不適当である。種々のプラズマ
ＣＶＤ法のうちＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、最も安定し
ているが、装置が大がかりで、量産にも不向きである。
更に、SiF(OC2H5)3 はソース材料としてもともとＳｉ−
Ｆ結合を有しているが、プラズマ中でその結合をそのま
ま保持することは難しく、フッ素濃度を制御してフッ素
を適正に含有させたシリコン酸化膜を得ることが困難で
ある。
【０００９】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、カバレージに優れ、比誘電率が小
さく、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す
ることが可能な成膜方法の提供を目的とするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、基
板を加熱した状態でＳｉ−Ｆ結合を有する有機シランと
Ｓｉ−Ｆ結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含
む混合ガスを反応させて前記基板上にフッ素含有シリコ
ン酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法によって
達成され、第２に、基板を加熱した状態でＳｉ−Ｆ結合
を有する有機シランとＳｉ−Ｆ結合を有しない有機シラ
ンと酸化性ガスを含む混合ガスを反応させて前記基板上
にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、前記基
板を加熱した状態で少なくとも酸素又は窒素のいずれか
を含むプラズマに前記フッ素含有シリコン酸化膜を曝す
工程とを有することを特徴とする成膜方法によって達成
され、第３に、前記フッ素含有シリコン酸化膜の形成方
法は、常圧ＣＶＤ法であることを特徴とする第１又は第
２の発明に記載の成膜方法によって達成され、第４に、
前記Ｓｉ−Ｆ結合を有する有機シランは、フルオロアル
コキシシラン（SiF n (OR)4-n ，ｎ＝１〜３，Ｒはアル
キル基，アリール基又はその誘導体），フルオロアルキ
ルシラン（SiF n R4-n，ｎ＝１〜３，Ｒはアルキル基，
アリール基又はその誘導体），鎖状フルオロシロキサン
（R n F3-n SiO(Rk F2-kSiO)mSiF3-n R n，ｎ＝１，
２，ｋ＝０〜２，ｍ≧０，Ｒはアルキル基，アリール基
又はその誘導体）又は環状フルオロシロキサン（(Rk F
2-k SiO) m ，ｋ＝１，ｍ≧２，Ｒはアルキル基，アリ
ール基又はその誘導体）のうちいずれかであることを特
徴とする第１乃至第３の発明のいずれかに記載の成膜方
法によって達成され、第５に、前記Ｓｉ−Ｆ結合を有し
ない有機シランは、アルコキシシラン（SiH n (O
R)4-n ，ｎ＝１〜３，Ｒはアルキル基，アリール基又は
その誘導体），アルキルシラン（SiH n R4-n，ｎ＝１〜
３，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導体），鎖
状シロキサン（R n H3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n
R n，ｎ＝１，２，ｋ＝０〜２，ｍ≧０，Ｒはアルキル
基，アリール基又はその誘導体）又は環状シロキサン
（(Rk H2-k SiO) m ，ｋ＝１，ｍ≧２，Ｒはアルキル
基，アリール基又はその誘導体）のうちいずれかである
ことを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに記載
の成膜方法によって達成され、第６に、前記酸化性ガス
はオゾン（Ｏ3 ）を含有する酸素（Ｏ2 ）であることを
特徴とする第１乃至第５の発明のいずれかに記載の成膜
方法によって達成され、第７に、前記酸素又は窒素のい
ずれかを含むプラズマは、Ｏ2 ，ＮＯ，ＮＯ2又はＮ2
Ｏのプラズマであることを特徴とする第１乃至第６の発
明のいずれかに記載の成膜方法によって達成される。
【００１１】本願発明者は、ソースとしてＳｉ−Ｆ結合
を有する有機シランを用いた。このソースガスは極めて
分解し易く、常温で加水分解や酸化反応を起こしてしま
う。そのような分解を抑制するため、Ｓｉ−Ｆ結合を有
しない有機シランを適量加えることが必要となる。そし
て、基板を加熱した状態で、これらのソースガスとオゾ
ンとを反応させてフッ素含有シリコン酸化膜を形成し
た。このとき、適正な成長レートや良質な膜を得るため
に、基板温度は３００〜４００℃が好ましい。
【００１２】このようにして作成されるフッ素含有シリ
コン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御で
き、一般にフッ素含有量を高くするほど比誘電率を低く
することができる。また、熱ＣＶＤ法により成膜される
ので、フッ素含有シリコン酸化膜のステップカバレージ
は良好であった。更に、上記のフッ素含有シリコン酸化
膜を酸素又は窒素のプラズマに曝す改質処理により、膜
中の水分が除去されて、比誘電率を一層低くすることが
できた。また、プラズマ処理により膜が緻密化して耐水
性が向上し、比誘電率の経時的な変動を抑制して低い比
誘電率を維持することができた。
【００１３】
【発明の実施の形態】まず、第１の形態に係るフッ素含
有シリコン酸化膜を形成するための成膜装置について図
１を参照しながら説明する。図１は反応ガスの供給部と
成膜部とを示す熱ＣＶＤ装置の構成図である。図１に示
すように、成膜チャンバ１内にヒータが内蔵されたウエ
ハ載置台２とガス放出具３が備えられている。成膜チャ
ンバ１は排気口４とガス導入口５を有し、ガス導入口５
から配管７により反応ガスを成膜チャンバ１内に導入す
るとともに、排気口４から排気して不要な反応ガスを成
膜チャンバ１の外に排出する。
【００１４】また、配管７には反応ガスの供給部から混
合された反応ガスが送られる。反応ガスの供給部には使
用するガスに対応して複数の分岐配管が備えられ、各ソ
ースに接続されている。第１の形態では窒素ガスを送る
第１の分岐配管と、オゾン（Ｏ3 ）含有酸素ガスを送る
第２の分岐配管と、Ｓｉ−Ｆ結合を有する有機シラン、
例えばフルオロトリエトキシシラン（Ｆ−ＴＥＳ）を供
給する第３の分岐配管と、Ｓｉ−Ｆ結合を有しない有機
シラン、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を供
給する第４の分岐配管とからなる。
【００１５】第１の分岐配管には窒素ガスの導入口と流
量調整具（ＭＦＣ）８ａとガスの流れを遮断／導通させ
るバルブ９が介在している。第２の分岐配管には酸素ガ
スの導入口と流量調整具（ＭＦＣ）８ａとオゾン生成装
置１０とガスの流れを遮断／導通させる開閉バルブ９が
介在している。オゾン生成装置１０により酸素ガス（Ｏ
2 ）の適量をオゾンに変え、酸素中のオゾン濃度を調整
する。
【００１６】第３の分岐配管には、キャリアガス（窒素
ガス）導入口とＦ−ＴＥＳ溶液１３を入れた容器１１と
Ｆ−ＴＥＳ溶液１３を加熱するヒータ１２が設けられて
いる。キャリアガス（窒素ガス）のバブリングによりＦ
−ＴＥＳを含む窒素ガスが配管７に供給される。第４の
分岐配管には、キャリアガス（窒素ガス）導入口とＴＥ
ＯＳ溶液１６を入れた容器１４とＴＥＯＳ溶液１６を加
熱するヒータ１５が設けられている。キャリアガス（窒
素ガス）のバブリングによりＴＥＯＳを含む窒素ガスが
配管７に供給される。
【００１７】次に、第１の形態に係る、常圧ＣＶＤ法に
よるフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法について図１
を参照しながら説明する。まず、成膜チャンバ１内のウ
エハ載置台２にウエハ６を載せ、加熱する。実験のた
め、ウエハ６の温度は１００〜３５０℃の範囲で成膜毎
に変化させる。次いで、Ｆ−ＴＥＳ溶液１３を加熱し、
温度４０℃に保持するとともに、ＴＥＯＳ溶液１６を加
熱し、温度６５℃に保持する。
【００１８】次いで、全ての分岐配管の開閉バルブ９を
開ける。続いて、第１の分岐配管に流量１８ＳＬＭの窒
素ガスを配管７に送り、第２の分岐配管からオゾンを
２．４％含む流量７．５ＳＬＭの酸素ガスを配管７に送
り、第３の分岐配管からＦ−ＴＥＳを含む窒素ガスを配
管７に送り、第４の分岐配管からＴＥＯＳを含む流量
２．０ＳＬＭの窒素ガスを配管７に送る。これらのガス
は混合されて成膜チャンバ１に送られる。実験のため、
Ｆ−ＴＥＳを含む窒素ガスの流量を０．５〜３．０ＳＬ
Ｍの範囲で変化させた。
【００１９】成膜チャンバ１内のガス放出具３からウエ
ハ６上に混合ガスが放出され、成膜が始まる。この状態
を所定時間保持することにより、ウエハ上に所定の膜厚
のフッ素含有シリコン酸化膜が形成される。図３に成膜
温度に対する成長レートの相関関係を示す。縦軸は線形
目盛りで表した成長レート（Å／ｍｉｎ）を示し、横軸
は線形目盛りで表した成膜温度（℃）を示す。Ｆ−ＴＥ
Ｓ流量を２．０ＳＬＭ一定とした。図３に示すように、
凡そ２５０℃で成長レートは最大となり、約2500Å/min
となった。
【００２０】図５に、形成されたフッ素含有シリコン酸
化膜の屈折率と成膜温度との相関関係を示す。縦軸は線
形目盛りで表した屈折率を示し、横軸は線形目盛りで表
した成膜温度（℃）を示す。Ｆ−ＴＥＳ流量を２．０Ｓ
ＬＭ一定とした。図５に示すように、成膜温度１８０℃
で約1.385 であり、成膜温度の上昇とともに屈折率は単
調に増加し、基板温度３５０℃で約1.425 となった。こ
のことから成膜温度が高くなるほどフッ素が膜中に取り
込まれ難くなることが分かる。即ち、比誘電率は成膜温
度が低くなるほど小さくなる。
【００２１】また、図４にＦ−ＴＥＳ流量と成長レート
の相関関係を示す。縦軸は線形目盛りで表した成長レー
ト（Å／ｍｉｎ）を示し、横軸は線形目盛りで表したＦ
−ＴＥＳ流量（ＳＬＭ）を示す。基板温度を２８０℃一
定とした。図４に示すように、Ｆ−ＴＥＳ流量とともに
成長レートは単調に増大し、Ｆ−ＴＥＳ流量３．０ＳＬ
Ｍで成長レートは約2300Å/minとなった。
【００２２】図６に、形成されたフッ素含有シリコン酸
化膜の屈折率とＦ−ＴＥＳ流量との相関関係を示す。縦
軸は線形目盛りで表した屈折率を示し、横軸は線形目盛
りで表したＦ−ＴＥＳ流量（ＳＬＭ）を示す。基板温度
を２８０℃一定とした。図６に示すように、Ｆ−ＴＥＳ
流量０．５ＳＬＭで約1.42であり、Ｆ−ＴＥＳ流量の増
大とともに屈折率は漸次減少し、Ｆ−ＴＥＳ流量３．０
ＳＬＭで約1.36となった。このことからＦ−ＴＥＳ流量
が増大するほどフッ素が膜中に取り込まれ易くなること
が分かる。即ち、比誘電率はＦ−ＴＥＳ流量が増大する
ほど小さくなる。
【００２３】このようにして作成されるフッ素含有シリ
コン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御で
き、一般にフッ素含有量を高くするほど比誘電率を低く
することができる。また、熱ＣＶＤ法により成膜される
ので、フッ素含有シリコン酸化膜のステップカバレージ
は良好であった。間隔０．２５ミクロンメータのアスペ
クト比の高い溝を埋めることができた。
【００２４】次に、成膜後にプラズマ処理装置によりプ
ラズマ処理を行う。成膜後のウエハ６をプラズマ処理装
置のウエハ載置台１８に載せる。続いて、ウエハ６を加
熱し、３７０℃に保持する。
【００２５】次いで、チャンバ１７内を排気して減圧す
る。所定の圧力に達してから、ガス導入口２０からチャ
ンバ１７内にガスを導入する。なお、実験のため、導入
されるガスとして酸素（Ｏ2 ）及び窒素（Ｎ2 ）をそれ
ぞれ用いて効果を比較した。次に、電源２２により上部
電極１９に周波数13.56MHzの電力４００Ｗを印加すると
ともに、電源２３により下部電極１８に周波数１００kH
z の電力４００Ｗを印加する。これにより、ガスがプラ
ズマ化するとともに、ウエハ６が負にバイアスされて、
ウエハ６上のフッ素含有シリコン酸化膜がプラズマ２４
の照射を受ける。約３００秒後、プラズマ照射を止め、
ウエハをチャンバ１７から取り出す。
【００２６】次に、プラズマ照射後の赤外吸収特性を測
定した結果について図７に示す。縦軸に任意単位の吸収
強度を示し、横軸に線形目盛りで表した波数（ｃｍ-1）
を示す。成膜直後、プラズマ照射時間１８０秒、３００
秒の３種類について測定結果を比較した。図に示すよう
に、成膜直後にＳｉ−ＯＨを示すピークが存在している
が、プラズマ照射を行うことにより、Ｓｉ−ＯＨを示す
ピークが小さくなり、照射時間３００秒で完全に消失し
た。このことは成膜直後にフッ素含有シリコン酸化膜中
に含まれる水分がプラズマ照射により除去されたことが
分かる。また、プラズマ処理により膜が緻密化して耐水
性が向上するため、比誘電率の経時的な変動を抑制して
低い比誘電率を維持することができる。
【００２７】次に、プラズマ照射による改質効果を表１
に示す。ここでは、フッ素を含有しない有機シランとし
て、トリエトキシシラン（ＴＥＳ）を用いている。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示すように、プラズマ処理のフッ素
を含む有機シランとフッ素を含まない有機シランの混合
比を高めることにより、εは低下し、３．２〜３．４程
度を示した。プラズマ照射しないものは比誘電率が大き
い。また、上記のプラズマ処理により、処理ガスとして
酸素ガスを用いたものの方が窒素ガスを用いたものより
も比誘電率を低下させるのにより効果があった。
【００３０】以上より、成膜後にプラズマ照射処理を行
うことにより、比誘電率をより低下させることができ、
フッ素を含有させた効果を一層高めることができること
がわかった。なお、実施例では、Ｓｉ−Ｆ結合を有する
有機シランとして、フルオロアルコキシシランのフルオ
ロトリエトキシシラン（Ｆ−ＴＥＳ）を用いているが、
他のフルオロアルコキシシラン（SiF n (OR)4-n ，ｎ＝
１〜３，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導体）
や、フルオロアルキルシラン（SiF n R4-n，ｎ＝１〜
３，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導体），鎖
状フルオロシロキサン（R n F3-n SiO(Rk F2-kSiO)m Si
F3-n R n，ｎ＝１，２，ｋ＝０〜２，ｍ≧０，Ｒはアル
キル基，アリール基又はその誘導体）又は環状フルオロ
シロキサン（(RkF2-k SiO) m ，ｋ＝１，ｍ≧２，Ｒは
アルキル基，アリール基又はその誘導体）を用いてもよ
い。
【００３１】更に、Ｓｉ−Ｆ結合を有しない有機シラン
として、アルコキシシランのＴＥＯＳやＴＥＳを用いて
いるが、他のアルコキシシラン（SiH n (OR)4-n ，ｎ＝
１〜３，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導
体），アルキルシラン（SiH n R4 -n，ｎ＝１〜３，Ｒは
アルキル基，アリール基又はその誘導体），鎖状シロキ
サン（R n H3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n R n，ｎ＝
１，２，ｋ＝０〜２，ｍ≧０，Ｒはアルキル基，アリー
ル基又はその誘導体）又は環状シロキサン（(Rk H2-kSi
O) m ，ｋ＝１，ｍ≧２，Ｒはアルキル基，アリール基
又はその誘導体）を用いてもよい。
【００３２】またプラズマ処理温度を摂氏３７０度にし
ているが、これに限るものではなく、反応の促進の程度
に応じて変えてもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上のように、本発明の成膜方法によれ
ば、ソースとしてＳｉ−Ｆ結合を有する有機シランを用
いて熱ＣＶＤ法によりフッ素含有シリコン酸化膜を形成
している。このようにして作成されるフッ素含有シリコ
ン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御でき、
フッ素含有量を高くするほど比誘電率を低くすることが
できる。また、熱ＣＶＤ法により成膜されるので、フッ
素含有シリコン酸化膜のステップカバレージは良好であ
る。
【００３４】更に、上記のフッ素含有シリコン酸化膜を
酸素又は窒素のプラズマに曝す改質処理を行うことによ
り、膜中の水分が除去され、プラズマ処理により膜が緻
密化して耐水性が向上する。これにより、比誘電率を一
層低くすることができるとともに、比誘電率の経時的な
変動を抑制して低い比誘電率を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るフッ素含有シリコン
酸化膜を形成する成膜装置の構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るフッ素含有シリコン
酸化膜のプラズマ処理に用いられるプラズマ処理装置に
ついて示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る成膜方法によるフッ
素含有シリコン酸化膜の成長レートと成膜温度との関係
を示す特性図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る成膜方法によるフッ
素含有シリコン酸化膜の成長レートとＦ−ＴＥＳ流量と
の関係を示す特性図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る成膜方法により形成
されたフッ素含有シリコン酸化膜の屈折率と成膜温度と
の関係を示す特性図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る成膜方法により形成
されたフッ素含有シリコン酸化膜の屈折率とＦ−ＴＥＳ
流量との関係を示す特性図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る成膜方法により形成
されたフッ素含有シリコン酸化膜のプラズマ照射処理後
の赤外吸収結果を示す特性図である。
【符号の説明】
１ 成膜チャンバ、 ２，１８ ウエハ載置台、 ３ ガス放出具、 ４，２１ 排気口、 ５，２０ ガス導入口、 ６ ウエハ、 ７ 配管、 ８ａ〜８ｄ 流量調節具、 ９ 開閉バルブ、 １０ オゾン生成装置、 １１，１４ 容器、 １２，１５ ヒータ、 １３ Ｆ−ＴＥＳ溶液、 １６ ＴＥＯＳ溶液、 １７ チャンバ、 １９ 上部電極、 ２２，２３ 電源、 ２４ プラズマ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯山 芳章 東京都港区港南２−13−29 株式会社半導 体プロセス研究所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を加熱した状態でＳｉ−Ｆ結合を有
    する有機シランとＳｉ−Ｆ結合を有しない有機シランと
    酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて前記基板上に
    フッ素含有シリコン酸化膜を形成することを特徴とする
    成膜方法。
  2. 【請求項２】 基板を加熱した状態でＳｉ−Ｆ結合を有
    する有機シランとＳｉ−Ｆ結合を有しない有機シランと
    酸化性ガスを含む混合ガスを反応させて前記基板上にフ
    ッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、 前記基板を加熱した状態で少なくとも酸素又は窒素のい
    ずれかを含むプラズマに前記フッ素含有シリコン酸化膜
    を曝す工程とを有することを特徴とする成膜方法。
  3. 【請求項３】 前記フッ素含有シリコン酸化膜の形成方
    法は、常圧ＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１又
    は請求項２記載の成膜方法。
  4. 【請求項４】 前記Ｓｉ−Ｆ結合を有する有機シラン
    は、フルオロアルコキシシラン（SiF n (OR)4-n ，ｎ＝
    １〜３，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導
    体），フルオロアルキルシラン（SiF n R4-n，ｎ＝１〜
    ３，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導体），鎖
    状フルオロシロキサン（R n F3-n SiO(Rk F2 -kSiO)m Si
    F3-n R n，ｎ＝１，２，ｋ＝０〜２，ｍ≧０，Ｒはアル
    キル基，アリール基又はその誘導体）又は環状フルオロ
    シロキサン（(Rk F2-k SiO) m ，ｋ＝１，ｍ≧２，Ｒは
    アルキル基，アリール基又はその誘導体）のうちいずれ
    かであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
    れかに記載の成膜方法。
  5. 【請求項５】 前記Ｓｉ−Ｆ結合を有しない有機シラン
    は、アルコキシシラン（SiH n (OR)4-n ，ｎ＝１〜３，
    Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導体），アルキ
    ルシラン（SiH n R4-n，ｎ＝１〜３，Ｒはアルキル基，
    アリール基又はその誘導体），鎖状シロキサン（R n H
    3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n R n，ｎ＝１，２，ｋ＝
    ０〜２，ｍ≧０，Ｒはアルキル基，アリール基又はその
    誘導体）又は環状シロキサン（(Rk H2-k SiO) m ，ｋ＝
    １，ｍ≧２，Ｒはアルキル基，アリール基又はその誘導
    体）のうちいずれかであることを特徴とする請求項１乃
    至請求項４のいずれかに記載の成膜方法。
  6. 【請求項６】 前記酸化性ガスはオゾン（Ｏ3 ）を含有
    する酸素（Ｏ2 ）であることを特徴とする請求項１乃至
    請求項５のいずれかに記載の成膜方法。
  7. 【請求項７】 前記酸素又は窒素のいずれかを含むプラ
    ズマは、Ｏ2 ，ＮＯ，ＮＯ2 又はＮ2 Ｏのプラズマであ
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに
    記載の成膜方法。
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