JPH0964029A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
- Publication number
- JPH0964029A JPH0964029A JP7210896A JP21089695A JPH0964029A JP H0964029 A JPH0964029 A JP H0964029A JP 7210896 A JP7210896 A JP 7210896A JP 21089695 A JP21089695 A JP 21089695A JP H0964029 A JPH0964029 A JP H0964029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- fluorine
- bond
- silicon oxide
- derivative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 52
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 23
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 claims description 6
- -1 cyclic siloxane Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical compound CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910003697 SiBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02131—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31629—Deposition of halogen doped silicon oxide, e.g. fluorine doped silicon oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱CVD法によるフッ素含有シリコン酸化膜の
成膜方法に関し、カバレージに優れ、比誘電率が小さ
く、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す
る。 【解決手段】基板6を加熱した状態でSi−F結合を有
する有機シランとSi−F結合を有しない有機シランと
酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて基板6上にフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成する。
成膜方法に関し、カバレージに優れ、比誘電率が小さ
く、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す
る。 【解決手段】基板6を加熱した状態でSi−F結合を有
する有機シランとSi−F結合を有しない有機シランと
酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて基板6上にフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法に関し、
より詳しくは、熱CVD法によるフッ素含有シリコン酸
化膜の成膜方法に関する。
より詳しくは、熱CVD法によるフッ素含有シリコン酸
化膜の成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体デバイスに用いられている
層間絶縁膜は殆どSiO2又はこれをベースとしたものであ
る。このSiO2系の絶縁膜はおよそ4.0(測定周波数1M
Hz)の比誘電率を有し、それによって層間絶縁膜を挟む
上下の導電体層間の容量及び層間絶縁膜を挟む隣接する
導電体層間の容量Cが決められる。即ち、 C=ε0 ・ε・A/t 但し、ε0 :真空中の誘電率(=1) ε:層間絶縁膜の比誘電率 A:計算の都合上、上下の配線層の重なり面積又は隣接
する配線層の対向面積とするが、実際には上記重なり領
域以外の領域の配線層間の寄与、或いは対向領域以外の
領域の配線層間の寄与も考える必要がある。
層間絶縁膜は殆どSiO2又はこれをベースとしたものであ
る。このSiO2系の絶縁膜はおよそ4.0(測定周波数1M
Hz)の比誘電率を有し、それによって層間絶縁膜を挟む
上下の導電体層間の容量及び層間絶縁膜を挟む隣接する
導電体層間の容量Cが決められる。即ち、 C=ε0 ・ε・A/t 但し、ε0 :真空中の誘電率(=1) ε:層間絶縁膜の比誘電率 A:計算の都合上、上下の配線層の重なり面積又は隣接
する配線層の対向面積とするが、実際には上記重なり領
域以外の領域の配線層間の寄与、或いは対向領域以外の
領域の配線層間の寄与も考える必要がある。
【0003】t:上下の配線層間の層間絶縁膜の膜厚又
は層間絶縁膜を挟む隣接する配線層間のスペース このような寄生容量はどの様な半導体デバイスにも必ず
存在するが、その値が大きい場合、配線層間のクロスト
ークの発生や信号伝播時間の遅れを生じさせる。特に、
半導体装置を高密度化するため、多層配線構造が用いら
れた場合には、配線層間の重なりや対向領域が増えるた
め、寄生容量が増加する。また、パターンの寸法が微細
化された場合には、隣接する配線層間のスペースが狭く
なるため、隣接する配線層間のスペースは上下の配線層
間のスペースよりも小さくなる場合がある。このため、
寄生容量が増加する。従って、デバイス特性に与える影
響は無視できない。
は層間絶縁膜を挟む隣接する配線層間のスペース このような寄生容量はどの様な半導体デバイスにも必ず
存在するが、その値が大きい場合、配線層間のクロスト
ークの発生や信号伝播時間の遅れを生じさせる。特に、
半導体装置を高密度化するため、多層配線構造が用いら
れた場合には、配線層間の重なりや対向領域が増えるた
め、寄生容量が増加する。また、パターンの寸法が微細
化された場合には、隣接する配線層間のスペースが狭く
なるため、隣接する配線層間のスペースは上下の配線層
間のスペースよりも小さくなる場合がある。このため、
寄生容量が増加する。従って、デバイス特性に与える影
響は無視できない。
【0004】寄生容量を低減するアプローチの一つとし
て、層間絶縁膜の比誘電率(ε)を低くするアプローチ
があり、現在、以下の対策が採られている。 (1)有機樹脂膜を使用する。ε=3.0 以下のものが報
告されている。 (2)テフロン系の絶縁膜を使用する。ε=3.0 以下の
ものが報告されている。
て、層間絶縁膜の比誘電率(ε)を低くするアプローチ
があり、現在、以下の対策が採られている。 (1)有機樹脂膜を使用する。ε=3.0 以下のものが報
告されている。 (2)テフロン系の絶縁膜を使用する。ε=3.0 以下の
ものが報告されている。
【0005】(3)SiBN膜又はSiOBN 膜を使用する。ス
パッタにより形成する例が報告されている。ε=3.5 程
度のものが報告されている。 (4)Si-F結合を有するSiO2膜又はFを含むSiO2膜を使
用する。 しかしながら、(1)及び(2)の場合はSiO2とは全く
異なる物質からなる絶縁膜であり、膜としての信頼性や
安定性が十分ではなく、またデバイスに適用するための
評価が進んでおらず、実用性が疑わしい。
パッタにより形成する例が報告されている。ε=3.5 程
度のものが報告されている。 (4)Si-F結合を有するSiO2膜又はFを含むSiO2膜を使
用する。 しかしながら、(1)及び(2)の場合はSiO2とは全く
異なる物質からなる絶縁膜であり、膜としての信頼性や
安定性が十分ではなく、またデバイスに適用するための
評価が進んでおらず、実用性が疑わしい。
【0006】また、(3)の場合は吸湿性が高く、半導
体装置への適用には適していない。また、SiOBソース
(SiOB結合を有する有機化合物、例えばトリストリメチ
ルシリルボレート)をオゾンと反応させてBSG膜を形
成する方法であり、研究開発途上にある。更に、(4)
のフッ素(F)含有シリコン酸化膜は、様々な方法で形
成され、比誘電率(ε)の値として、3.4〜3.6程
度が得られる技術として開発・検討がなされている。い
ずれにしても、安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成
することが重要である。
体装置への適用には適していない。また、SiOBソース
(SiOB結合を有する有機化合物、例えばトリストリメチ
ルシリルボレート)をオゾンと反応させてBSG膜を形
成する方法であり、研究開発途上にある。更に、(4)
のフッ素(F)含有シリコン酸化膜は、様々な方法で形
成され、比誘電率(ε)の値として、3.4〜3.6程
度が得られる技術として開発・検討がなされている。い
ずれにしても、安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成
することが重要である。
【0007】フッ素含有シリコン酸化膜の成膜方法とし
て、従来以下に示すような例がある。 フルオロトリエトキシシラン(SiF(OC2H5)3 )の加水
分解 トリエトキシシラン(TEOS)とC2F6と酸素
(O2 )を用いたプラズマCVD法 SiF4と酸素(O2 )を用いたプラズマCVD法又はE
CRプラズマCVD法 SiF(OC2H5)3 と酸素(O2 )を用いたプラズマCVD
法 を除き、いずれもプラズマCVD法による成膜方法で
ある。これらの方法により、ε=3.4〜3.6程度の
値が得られている。
て、従来以下に示すような例がある。 フルオロトリエトキシシラン(SiF(OC2H5)3 )の加水
分解 トリエトキシシラン(TEOS)とC2F6と酸素
(O2 )を用いたプラズマCVD法 SiF4と酸素(O2 )を用いたプラズマCVD法又はE
CRプラズマCVD法 SiF(OC2H5)3 と酸素(O2 )を用いたプラズマCVD
法 を除き、いずれもプラズマCVD法による成膜方法で
ある。これらの方法により、ε=3.4〜3.6程度の
値が得られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
も水分を吸収しやすく、それによって膜の比誘電率は上
昇してしまう。即ち、耐水性が劣っている。特に、プラ
ズマCVD法では、ステップカバレージが悪く、微細な
スペースへの埋め込みに不適当である。種々のプラズマ
CVD法のうちECRプラズマCVD法は、最も安定し
ているが、装置が大がかりで、量産にも不向きである。
更に、SiF(OC2H5)3 はソース材料としてもともとSi−
F結合を有しているが、プラズマ中でその結合をそのま
ま保持することは難しく、フッ素濃度を制御してフッ素
を適正に含有させたシリコン酸化膜を得ることが困難で
ある。
も水分を吸収しやすく、それによって膜の比誘電率は上
昇してしまう。即ち、耐水性が劣っている。特に、プラ
ズマCVD法では、ステップカバレージが悪く、微細な
スペースへの埋め込みに不適当である。種々のプラズマ
CVD法のうちECRプラズマCVD法は、最も安定し
ているが、装置が大がかりで、量産にも不向きである。
更に、SiF(OC2H5)3 はソース材料としてもともとSi−
F結合を有しているが、プラズマ中でその結合をそのま
ま保持することは難しく、フッ素濃度を制御してフッ素
を適正に含有させたシリコン酸化膜を得ることが困難で
ある。
【0009】本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、カバレージに優れ、比誘電率が小
さく、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す
ることが可能な成膜方法の提供を目的とするものであ
る。
作されたものであり、カバレージに優れ、比誘電率が小
さく、膜質の安定なフッ素含有シリコン酸化膜を形成す
ることが可能な成膜方法の提供を目的とするものであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第1に、基
板を加熱した状態でSi−F結合を有する有機シランと
Si−F結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含
む混合ガスを反応させて前記基板上にフッ素含有シリコ
ン酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法によって
達成され、第2に、基板を加熱した状態でSi−F結合
を有する有機シランとSi−F結合を有しない有機シラ
ンと酸化性ガスを含む混合ガスを反応させて前記基板上
にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、前記基
板を加熱した状態で少なくとも酸素又は窒素のいずれか
を含むプラズマに前記フッ素含有シリコン酸化膜を曝す
工程とを有することを特徴とする成膜方法によって達成
され、第3に、前記フッ素含有シリコン酸化膜の形成方
法は、常圧CVD法であることを特徴とする第1又は第
2の発明に記載の成膜方法によって達成され、第4に、
前記Si−F結合を有する有機シランは、フルオロアル
コキシシラン(SiF n (OR)4-n ,n=1〜3,Rはアル
キル基,アリール基又はその誘導体),フルオロアルキ
ルシラン(SiF n R4-n,n=1〜3,Rはアルキル基,
アリール基又はその誘導体),鎖状フルオロシロキサン
(R n F3-n SiO(Rk F2-kSiO)mSiF3-n R n,n=1,
2,k=0〜2,m≧0,Rはアルキル基,アリール基
又はその誘導体)又は環状フルオロシロキサン((Rk F
2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rはアルキル基,アリ
ール基又はその誘導体)のうちいずれかであることを特
徴とする第1乃至第3の発明のいずれかに記載の成膜方
法によって達成され、第5に、前記Si−F結合を有し
ない有機シランは、アルコキシシラン(SiH n (O
R)4-n ,n=1〜3,Rはアルキル基,アリール基又は
その誘導体),アルキルシラン(SiH n R4-n,n=1〜
3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖
状シロキサン(R n H3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n
R n,n=1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアルキル
基,アリール基又はその誘導体)又は環状シロキサン
((Rk H2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rはアルキル
基,アリール基又はその誘導体)のうちいずれかである
ことを特徴とする第1乃至第4の発明のいずれかに記載
の成膜方法によって達成され、第6に、前記酸化性ガス
はオゾン(O3 )を含有する酸素(O2 )であることを
特徴とする第1乃至第5の発明のいずれかに記載の成膜
方法によって達成され、第7に、前記酸素又は窒素のい
ずれかを含むプラズマは、O2 ,NO,NO2又はN2
Oのプラズマであることを特徴とする第1乃至第6の発
明のいずれかに記載の成膜方法によって達成される。
板を加熱した状態でSi−F結合を有する有機シランと
Si−F結合を有しない有機シランと酸化性ガスとを含
む混合ガスを反応させて前記基板上にフッ素含有シリコ
ン酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法によって
達成され、第2に、基板を加熱した状態でSi−F結合
を有する有機シランとSi−F結合を有しない有機シラ
ンと酸化性ガスを含む混合ガスを反応させて前記基板上
にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、前記基
板を加熱した状態で少なくとも酸素又は窒素のいずれか
を含むプラズマに前記フッ素含有シリコン酸化膜を曝す
工程とを有することを特徴とする成膜方法によって達成
され、第3に、前記フッ素含有シリコン酸化膜の形成方
法は、常圧CVD法であることを特徴とする第1又は第
2の発明に記載の成膜方法によって達成され、第4に、
前記Si−F結合を有する有機シランは、フルオロアル
コキシシラン(SiF n (OR)4-n ,n=1〜3,Rはアル
キル基,アリール基又はその誘導体),フルオロアルキ
ルシラン(SiF n R4-n,n=1〜3,Rはアルキル基,
アリール基又はその誘導体),鎖状フルオロシロキサン
(R n F3-n SiO(Rk F2-kSiO)mSiF3-n R n,n=1,
2,k=0〜2,m≧0,Rはアルキル基,アリール基
又はその誘導体)又は環状フルオロシロキサン((Rk F
2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rはアルキル基,アリ
ール基又はその誘導体)のうちいずれかであることを特
徴とする第1乃至第3の発明のいずれかに記載の成膜方
法によって達成され、第5に、前記Si−F結合を有し
ない有機シランは、アルコキシシラン(SiH n (O
R)4-n ,n=1〜3,Rはアルキル基,アリール基又は
その誘導体),アルキルシラン(SiH n R4-n,n=1〜
3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖
状シロキサン(R n H3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n
R n,n=1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアルキル
基,アリール基又はその誘導体)又は環状シロキサン
((Rk H2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rはアルキル
基,アリール基又はその誘導体)のうちいずれかである
ことを特徴とする第1乃至第4の発明のいずれかに記載
の成膜方法によって達成され、第6に、前記酸化性ガス
はオゾン(O3 )を含有する酸素(O2 )であることを
特徴とする第1乃至第5の発明のいずれかに記載の成膜
方法によって達成され、第7に、前記酸素又は窒素のい
ずれかを含むプラズマは、O2 ,NO,NO2又はN2
Oのプラズマであることを特徴とする第1乃至第6の発
明のいずれかに記載の成膜方法によって達成される。
【0011】本願発明者は、ソースとしてSi−F結合
を有する有機シランを用いた。このソースガスは極めて
分解し易く、常温で加水分解や酸化反応を起こしてしま
う。そのような分解を抑制するため、Si−F結合を有
しない有機シランを適量加えることが必要となる。そし
て、基板を加熱した状態で、これらのソースガスとオゾ
ンとを反応させてフッ素含有シリコン酸化膜を形成し
た。このとき、適正な成長レートや良質な膜を得るため
に、基板温度は300〜400℃が好ましい。
を有する有機シランを用いた。このソースガスは極めて
分解し易く、常温で加水分解や酸化反応を起こしてしま
う。そのような分解を抑制するため、Si−F結合を有
しない有機シランを適量加えることが必要となる。そし
て、基板を加熱した状態で、これらのソースガスとオゾ
ンとを反応させてフッ素含有シリコン酸化膜を形成し
た。このとき、適正な成長レートや良質な膜を得るため
に、基板温度は300〜400℃が好ましい。
【0012】このようにして作成されるフッ素含有シリ
コン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御で
き、一般にフッ素含有量を高くするほど比誘電率を低く
することができる。また、熱CVD法により成膜される
ので、フッ素含有シリコン酸化膜のステップカバレージ
は良好であった。更に、上記のフッ素含有シリコン酸化
膜を酸素又は窒素のプラズマに曝す改質処理により、膜
中の水分が除去されて、比誘電率を一層低くすることが
できた。また、プラズマ処理により膜が緻密化して耐水
性が向上し、比誘電率の経時的な変動を抑制して低い比
誘電率を維持することができた。
コン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御で
き、一般にフッ素含有量を高くするほど比誘電率を低く
することができる。また、熱CVD法により成膜される
ので、フッ素含有シリコン酸化膜のステップカバレージ
は良好であった。更に、上記のフッ素含有シリコン酸化
膜を酸素又は窒素のプラズマに曝す改質処理により、膜
中の水分が除去されて、比誘電率を一層低くすることが
できた。また、プラズマ処理により膜が緻密化して耐水
性が向上し、比誘電率の経時的な変動を抑制して低い比
誘電率を維持することができた。
【0013】
【発明の実施の形態】まず、第1の形態に係るフッ素含
有シリコン酸化膜を形成するための成膜装置について図
1を参照しながら説明する。図1は反応ガスの供給部と
成膜部とを示す熱CVD装置の構成図である。図1に示
すように、成膜チャンバ1内にヒータが内蔵されたウエ
ハ載置台2とガス放出具3が備えられている。成膜チャ
ンバ1は排気口4とガス導入口5を有し、ガス導入口5
から配管7により反応ガスを成膜チャンバ1内に導入す
るとともに、排気口4から排気して不要な反応ガスを成
膜チャンバ1の外に排出する。
有シリコン酸化膜を形成するための成膜装置について図
1を参照しながら説明する。図1は反応ガスの供給部と
成膜部とを示す熱CVD装置の構成図である。図1に示
すように、成膜チャンバ1内にヒータが内蔵されたウエ
ハ載置台2とガス放出具3が備えられている。成膜チャ
ンバ1は排気口4とガス導入口5を有し、ガス導入口5
から配管7により反応ガスを成膜チャンバ1内に導入す
るとともに、排気口4から排気して不要な反応ガスを成
膜チャンバ1の外に排出する。
【0014】また、配管7には反応ガスの供給部から混
合された反応ガスが送られる。反応ガスの供給部には使
用するガスに対応して複数の分岐配管が備えられ、各ソ
ースに接続されている。第1の形態では窒素ガスを送る
第1の分岐配管と、オゾン(O3 )含有酸素ガスを送る
第2の分岐配管と、Si−F結合を有する有機シラン、
例えばフルオロトリエトキシシラン(F−TES)を供
給する第3の分岐配管と、Si−F結合を有しない有機
シラン、例えばテトラエトキシシラン(TEOS)を供
給する第4の分岐配管とからなる。
合された反応ガスが送られる。反応ガスの供給部には使
用するガスに対応して複数の分岐配管が備えられ、各ソ
ースに接続されている。第1の形態では窒素ガスを送る
第1の分岐配管と、オゾン(O3 )含有酸素ガスを送る
第2の分岐配管と、Si−F結合を有する有機シラン、
例えばフルオロトリエトキシシラン(F−TES)を供
給する第3の分岐配管と、Si−F結合を有しない有機
シラン、例えばテトラエトキシシラン(TEOS)を供
給する第4の分岐配管とからなる。
【0015】第1の分岐配管には窒素ガスの導入口と流
量調整具(MFC)8aとガスの流れを遮断/導通させ
るバルブ9が介在している。第2の分岐配管には酸素ガ
スの導入口と流量調整具(MFC)8aとオゾン生成装
置10とガスの流れを遮断/導通させる開閉バルブ9が
介在している。オゾン生成装置10により酸素ガス(O
2 )の適量をオゾンに変え、酸素中のオゾン濃度を調整
する。
量調整具(MFC)8aとガスの流れを遮断/導通させ
るバルブ9が介在している。第2の分岐配管には酸素ガ
スの導入口と流量調整具(MFC)8aとオゾン生成装
置10とガスの流れを遮断/導通させる開閉バルブ9が
介在している。オゾン生成装置10により酸素ガス(O
2 )の適量をオゾンに変え、酸素中のオゾン濃度を調整
する。
【0016】第3の分岐配管には、キャリアガス(窒素
ガス)導入口とF−TES溶液13を入れた容器11と
F−TES溶液13を加熱するヒータ12が設けられて
いる。キャリアガス(窒素ガス)のバブリングによりF
−TESを含む窒素ガスが配管7に供給される。第4の
分岐配管には、キャリアガス(窒素ガス)導入口とTE
OS溶液16を入れた容器14とTEOS溶液16を加
熱するヒータ15が設けられている。キャリアガス(窒
素ガス)のバブリングによりTEOSを含む窒素ガスが
配管7に供給される。
ガス)導入口とF−TES溶液13を入れた容器11と
F−TES溶液13を加熱するヒータ12が設けられて
いる。キャリアガス(窒素ガス)のバブリングによりF
−TESを含む窒素ガスが配管7に供給される。第4の
分岐配管には、キャリアガス(窒素ガス)導入口とTE
OS溶液16を入れた容器14とTEOS溶液16を加
熱するヒータ15が設けられている。キャリアガス(窒
素ガス)のバブリングによりTEOSを含む窒素ガスが
配管7に供給される。
【0017】次に、第1の形態に係る、常圧CVD法に
よるフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法について図1
を参照しながら説明する。まず、成膜チャンバ1内のウ
エハ載置台2にウエハ6を載せ、加熱する。実験のた
め、ウエハ6の温度は100〜350℃の範囲で成膜毎
に変化させる。次いで、F−TES溶液13を加熱し、
温度40℃に保持するとともに、TEOS溶液16を加
熱し、温度65℃に保持する。
よるフッ素含有シリコン酸化膜の形成方法について図1
を参照しながら説明する。まず、成膜チャンバ1内のウ
エハ載置台2にウエハ6を載せ、加熱する。実験のた
め、ウエハ6の温度は100〜350℃の範囲で成膜毎
に変化させる。次いで、F−TES溶液13を加熱し、
温度40℃に保持するとともに、TEOS溶液16を加
熱し、温度65℃に保持する。
【0018】次いで、全ての分岐配管の開閉バルブ9を
開ける。続いて、第1の分岐配管に流量18SLMの窒
素ガスを配管7に送り、第2の分岐配管からオゾンを
2.4%含む流量7.5SLMの酸素ガスを配管7に送
り、第3の分岐配管からF−TESを含む窒素ガスを配
管7に送り、第4の分岐配管からTEOSを含む流量
2.0SLMの窒素ガスを配管7に送る。これらのガス
は混合されて成膜チャンバ1に送られる。実験のため、
F−TESを含む窒素ガスの流量を0.5〜3.0SL
Mの範囲で変化させた。
開ける。続いて、第1の分岐配管に流量18SLMの窒
素ガスを配管7に送り、第2の分岐配管からオゾンを
2.4%含む流量7.5SLMの酸素ガスを配管7に送
り、第3の分岐配管からF−TESを含む窒素ガスを配
管7に送り、第4の分岐配管からTEOSを含む流量
2.0SLMの窒素ガスを配管7に送る。これらのガス
は混合されて成膜チャンバ1に送られる。実験のため、
F−TESを含む窒素ガスの流量を0.5〜3.0SL
Mの範囲で変化させた。
【0019】成膜チャンバ1内のガス放出具3からウエ
ハ6上に混合ガスが放出され、成膜が始まる。この状態
を所定時間保持することにより、ウエハ上に所定の膜厚
のフッ素含有シリコン酸化膜が形成される。図3に成膜
温度に対する成長レートの相関関係を示す。縦軸は線形
目盛りで表した成長レート(Å/min)を示し、横軸
は線形目盛りで表した成膜温度(℃)を示す。F−TE
S流量を2.0SLM一定とした。図3に示すように、
凡そ250℃で成長レートは最大となり、約2500Å/min
となった。
ハ6上に混合ガスが放出され、成膜が始まる。この状態
を所定時間保持することにより、ウエハ上に所定の膜厚
のフッ素含有シリコン酸化膜が形成される。図3に成膜
温度に対する成長レートの相関関係を示す。縦軸は線形
目盛りで表した成長レート(Å/min)を示し、横軸
は線形目盛りで表した成膜温度(℃)を示す。F−TE
S流量を2.0SLM一定とした。図3に示すように、
凡そ250℃で成長レートは最大となり、約2500Å/min
となった。
【0020】図5に、形成されたフッ素含有シリコン酸
化膜の屈折率と成膜温度との相関関係を示す。縦軸は線
形目盛りで表した屈折率を示し、横軸は線形目盛りで表
した成膜温度(℃)を示す。F−TES流量を2.0S
LM一定とした。図5に示すように、成膜温度180℃
で約1.385 であり、成膜温度の上昇とともに屈折率は単
調に増加し、基板温度350℃で約1.425 となった。こ
のことから成膜温度が高くなるほどフッ素が膜中に取り
込まれ難くなることが分かる。即ち、比誘電率は成膜温
度が低くなるほど小さくなる。
化膜の屈折率と成膜温度との相関関係を示す。縦軸は線
形目盛りで表した屈折率を示し、横軸は線形目盛りで表
した成膜温度(℃)を示す。F−TES流量を2.0S
LM一定とした。図5に示すように、成膜温度180℃
で約1.385 であり、成膜温度の上昇とともに屈折率は単
調に増加し、基板温度350℃で約1.425 となった。こ
のことから成膜温度が高くなるほどフッ素が膜中に取り
込まれ難くなることが分かる。即ち、比誘電率は成膜温
度が低くなるほど小さくなる。
【0021】また、図4にF−TES流量と成長レート
の相関関係を示す。縦軸は線形目盛りで表した成長レー
ト(Å/min)を示し、横軸は線形目盛りで表したF
−TES流量(SLM)を示す。基板温度を280℃一
定とした。図4に示すように、F−TES流量とともに
成長レートは単調に増大し、F−TES流量3.0SL
Mで成長レートは約2300Å/minとなった。
の相関関係を示す。縦軸は線形目盛りで表した成長レー
ト(Å/min)を示し、横軸は線形目盛りで表したF
−TES流量(SLM)を示す。基板温度を280℃一
定とした。図4に示すように、F−TES流量とともに
成長レートは単調に増大し、F−TES流量3.0SL
Mで成長レートは約2300Å/minとなった。
【0022】図6に、形成されたフッ素含有シリコン酸
化膜の屈折率とF−TES流量との相関関係を示す。縦
軸は線形目盛りで表した屈折率を示し、横軸は線形目盛
りで表したF−TES流量(SLM)を示す。基板温度
を280℃一定とした。図6に示すように、F−TES
流量0.5SLMで約1.42であり、F−TES流量の増
大とともに屈折率は漸次減少し、F−TES流量3.0
SLMで約1.36となった。このことからF−TES流量
が増大するほどフッ素が膜中に取り込まれ易くなること
が分かる。即ち、比誘電率はF−TES流量が増大する
ほど小さくなる。
化膜の屈折率とF−TES流量との相関関係を示す。縦
軸は線形目盛りで表した屈折率を示し、横軸は線形目盛
りで表したF−TES流量(SLM)を示す。基板温度
を280℃一定とした。図6に示すように、F−TES
流量0.5SLMで約1.42であり、F−TES流量の増
大とともに屈折率は漸次減少し、F−TES流量3.0
SLMで約1.36となった。このことからF−TES流量
が増大するほどフッ素が膜中に取り込まれ易くなること
が分かる。即ち、比誘電率はF−TES流量が増大する
ほど小さくなる。
【0023】このようにして作成されるフッ素含有シリ
コン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御で
き、一般にフッ素含有量を高くするほど比誘電率を低く
することができる。また、熱CVD法により成膜される
ので、フッ素含有シリコン酸化膜のステップカバレージ
は良好であった。間隔0.25ミクロンメータのアスペ
クト比の高い溝を埋めることができた。
コン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御で
き、一般にフッ素含有量を高くするほど比誘電率を低く
することができる。また、熱CVD法により成膜される
ので、フッ素含有シリコン酸化膜のステップカバレージ
は良好であった。間隔0.25ミクロンメータのアスペ
クト比の高い溝を埋めることができた。
【0024】次に、成膜後にプラズマ処理装置によりプ
ラズマ処理を行う。成膜後のウエハ6をプラズマ処理装
置のウエハ載置台18に載せる。続いて、ウエハ6を加
熱し、370℃に保持する。
ラズマ処理を行う。成膜後のウエハ6をプラズマ処理装
置のウエハ載置台18に載せる。続いて、ウエハ6を加
熱し、370℃に保持する。
【0025】次いで、チャンバ17内を排気して減圧す
る。所定の圧力に達してから、ガス導入口20からチャ
ンバ17内にガスを導入する。なお、実験のため、導入
されるガスとして酸素(O2 )及び窒素(N2 )をそれ
ぞれ用いて効果を比較した。次に、電源22により上部
電極19に周波数13.56MHzの電力400Wを印加すると
ともに、電源23により下部電極18に周波数100kH
z の電力400Wを印加する。これにより、ガスがプラ
ズマ化するとともに、ウエハ6が負にバイアスされて、
ウエハ6上のフッ素含有シリコン酸化膜がプラズマ24
の照射を受ける。約300秒後、プラズマ照射を止め、
ウエハをチャンバ17から取り出す。
る。所定の圧力に達してから、ガス導入口20からチャ
ンバ17内にガスを導入する。なお、実験のため、導入
されるガスとして酸素(O2 )及び窒素(N2 )をそれ
ぞれ用いて効果を比較した。次に、電源22により上部
電極19に周波数13.56MHzの電力400Wを印加すると
ともに、電源23により下部電極18に周波数100kH
z の電力400Wを印加する。これにより、ガスがプラ
ズマ化するとともに、ウエハ6が負にバイアスされて、
ウエハ6上のフッ素含有シリコン酸化膜がプラズマ24
の照射を受ける。約300秒後、プラズマ照射を止め、
ウエハをチャンバ17から取り出す。
【0026】次に、プラズマ照射後の赤外吸収特性を測
定した結果について図7に示す。縦軸に任意単位の吸収
強度を示し、横軸に線形目盛りで表した波数(cm-1)
を示す。成膜直後、プラズマ照射時間180秒、300
秒の3種類について測定結果を比較した。図に示すよう
に、成膜直後にSi−OHを示すピークが存在している
が、プラズマ照射を行うことにより、Si−OHを示す
ピークが小さくなり、照射時間300秒で完全に消失し
た。このことは成膜直後にフッ素含有シリコン酸化膜中
に含まれる水分がプラズマ照射により除去されたことが
分かる。また、プラズマ処理により膜が緻密化して耐水
性が向上するため、比誘電率の経時的な変動を抑制して
低い比誘電率を維持することができる。
定した結果について図7に示す。縦軸に任意単位の吸収
強度を示し、横軸に線形目盛りで表した波数(cm-1)
を示す。成膜直後、プラズマ照射時間180秒、300
秒の3種類について測定結果を比較した。図に示すよう
に、成膜直後にSi−OHを示すピークが存在している
が、プラズマ照射を行うことにより、Si−OHを示す
ピークが小さくなり、照射時間300秒で完全に消失し
た。このことは成膜直後にフッ素含有シリコン酸化膜中
に含まれる水分がプラズマ照射により除去されたことが
分かる。また、プラズマ処理により膜が緻密化して耐水
性が向上するため、比誘電率の経時的な変動を抑制して
低い比誘電率を維持することができる。
【0027】次に、プラズマ照射による改質効果を表1
に示す。ここでは、フッ素を含有しない有機シランとし
て、トリエトキシシラン(TES)を用いている。
に示す。ここでは、フッ素を含有しない有機シランとし
て、トリエトキシシラン(TES)を用いている。
【0028】
【表1】
【0029】表1に示すように、プラズマ処理のフッ素
を含む有機シランとフッ素を含まない有機シランの混合
比を高めることにより、εは低下し、3.2〜3.4程
度を示した。プラズマ照射しないものは比誘電率が大き
い。また、上記のプラズマ処理により、処理ガスとして
酸素ガスを用いたものの方が窒素ガスを用いたものより
も比誘電率を低下させるのにより効果があった。
を含む有機シランとフッ素を含まない有機シランの混合
比を高めることにより、εは低下し、3.2〜3.4程
度を示した。プラズマ照射しないものは比誘電率が大き
い。また、上記のプラズマ処理により、処理ガスとして
酸素ガスを用いたものの方が窒素ガスを用いたものより
も比誘電率を低下させるのにより効果があった。
【0030】以上より、成膜後にプラズマ照射処理を行
うことにより、比誘電率をより低下させることができ、
フッ素を含有させた効果を一層高めることができること
がわかった。なお、実施例では、Si−F結合を有する
有機シランとして、フルオロアルコキシシランのフルオ
ロトリエトキシシラン(F−TES)を用いているが、
他のフルオロアルコキシシラン(SiF n (OR)4-n ,n=
1〜3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体)
や、フルオロアルキルシラン(SiF n R4-n,n=1〜
3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖
状フルオロシロキサン(R n F3-n SiO(Rk F2-kSiO)m Si
F3-n R n,n=1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアル
キル基,アリール基又はその誘導体)又は環状フルオロ
シロキサン((RkF2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rは
アルキル基,アリール基又はその誘導体)を用いてもよ
い。
うことにより、比誘電率をより低下させることができ、
フッ素を含有させた効果を一層高めることができること
がわかった。なお、実施例では、Si−F結合を有する
有機シランとして、フルオロアルコキシシランのフルオ
ロトリエトキシシラン(F−TES)を用いているが、
他のフルオロアルコキシシラン(SiF n (OR)4-n ,n=
1〜3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体)
や、フルオロアルキルシラン(SiF n R4-n,n=1〜
3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖
状フルオロシロキサン(R n F3-n SiO(Rk F2-kSiO)m Si
F3-n R n,n=1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアル
キル基,アリール基又はその誘導体)又は環状フルオロ
シロキサン((RkF2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rは
アルキル基,アリール基又はその誘導体)を用いてもよ
い。
【0031】更に、Si−F結合を有しない有機シラン
として、アルコキシシランのTEOSやTESを用いて
いるが、他のアルコキシシラン(SiH n (OR)4-n ,n=
1〜3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導
体),アルキルシラン(SiH n R4 -n,n=1〜3,Rは
アルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖状シロキ
サン(R n H3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n R n,n=
1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアルキル基,アリー
ル基又はその誘導体)又は環状シロキサン((Rk H2-kSi
O) m ,k=1,m≧2,Rはアルキル基,アリール基
又はその誘導体)を用いてもよい。
として、アルコキシシランのTEOSやTESを用いて
いるが、他のアルコキシシラン(SiH n (OR)4-n ,n=
1〜3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導
体),アルキルシラン(SiH n R4 -n,n=1〜3,Rは
アルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖状シロキ
サン(R n H3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n R n,n=
1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアルキル基,アリー
ル基又はその誘導体)又は環状シロキサン((Rk H2-kSi
O) m ,k=1,m≧2,Rはアルキル基,アリール基
又はその誘導体)を用いてもよい。
【0032】またプラズマ処理温度を摂氏370度にし
ているが、これに限るものではなく、反応の促進の程度
に応じて変えてもよい。
ているが、これに限るものではなく、反応の促進の程度
に応じて変えてもよい。
【0033】
【発明の効果】以上のように、本発明の成膜方法によれ
ば、ソースとしてSi−F結合を有する有機シランを用
いて熱CVD法によりフッ素含有シリコン酸化膜を形成
している。このようにして作成されるフッ素含有シリコ
ン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御でき、
フッ素含有量を高くするほど比誘電率を低くすることが
できる。また、熱CVD法により成膜されるので、フッ
素含有シリコン酸化膜のステップカバレージは良好であ
る。
ば、ソースとしてSi−F結合を有する有機シランを用
いて熱CVD法によりフッ素含有シリコン酸化膜を形成
している。このようにして作成されるフッ素含有シリコ
ン酸化膜はフッ素の含有量により比誘電率を制御でき、
フッ素含有量を高くするほど比誘電率を低くすることが
できる。また、熱CVD法により成膜されるので、フッ
素含有シリコン酸化膜のステップカバレージは良好であ
る。
【0034】更に、上記のフッ素含有シリコン酸化膜を
酸素又は窒素のプラズマに曝す改質処理を行うことによ
り、膜中の水分が除去され、プラズマ処理により膜が緻
密化して耐水性が向上する。これにより、比誘電率を一
層低くすることができるとともに、比誘電率の経時的な
変動を抑制して低い比誘電率を維持することができる。
酸素又は窒素のプラズマに曝す改質処理を行うことによ
り、膜中の水分が除去され、プラズマ処理により膜が緻
密化して耐水性が向上する。これにより、比誘電率を一
層低くすることができるとともに、比誘電率の経時的な
変動を抑制して低い比誘電率を維持することができる。
【図1】本発明の実施の形態に係るフッ素含有シリコン
酸化膜を形成する成膜装置の構成図である。
酸化膜を形成する成膜装置の構成図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るフッ素含有シリコン
酸化膜のプラズマ処理に用いられるプラズマ処理装置に
ついて示す断面図である。
酸化膜のプラズマ処理に用いられるプラズマ処理装置に
ついて示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態に係る成膜方法によるフッ
素含有シリコン酸化膜の成長レートと成膜温度との関係
を示す特性図である。
素含有シリコン酸化膜の成長レートと成膜温度との関係
を示す特性図である。
【図4】本発明の実施の形態に係る成膜方法によるフッ
素含有シリコン酸化膜の成長レートとF−TES流量と
の関係を示す特性図である。
素含有シリコン酸化膜の成長レートとF−TES流量と
の関係を示す特性図である。
【図5】本発明の実施の形態に係る成膜方法により形成
されたフッ素含有シリコン酸化膜の屈折率と成膜温度と
の関係を示す特性図である。
されたフッ素含有シリコン酸化膜の屈折率と成膜温度と
の関係を示す特性図である。
【図6】本発明の実施の形態に係る成膜方法により形成
されたフッ素含有シリコン酸化膜の屈折率とF−TES
流量との関係を示す特性図である。
されたフッ素含有シリコン酸化膜の屈折率とF−TES
流量との関係を示す特性図である。
【図7】本発明の実施の形態に係る成膜方法により形成
されたフッ素含有シリコン酸化膜のプラズマ照射処理後
の赤外吸収結果を示す特性図である。
されたフッ素含有シリコン酸化膜のプラズマ照射処理後
の赤外吸収結果を示す特性図である。
1 成膜チャンバ、 2,18 ウエハ載置台、 3 ガス放出具、 4,21 排気口、 5,20 ガス導入口、 6 ウエハ、 7 配管、 8a〜8d 流量調節具、 9 開閉バルブ、 10 オゾン生成装置、 11,14 容器、 12,15 ヒータ、 13 F−TES溶液、 16 TEOS溶液、 17 チャンバ、 19 上部電極、 22,23 電源、 24 プラズマ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯山 芳章 東京都港区港南2−13−29 株式会社半導 体プロセス研究所内
Claims (7)
- 【請求項1】 基板を加熱した状態でSi−F結合を有
する有機シランとSi−F結合を有しない有機シランと
酸化性ガスとを含む混合ガスを反応させて前記基板上に
フッ素含有シリコン酸化膜を形成することを特徴とする
成膜方法。 - 【請求項2】 基板を加熱した状態でSi−F結合を有
する有機シランとSi−F結合を有しない有機シランと
酸化性ガスを含む混合ガスを反応させて前記基板上にフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、 前記基板を加熱した状態で少なくとも酸素又は窒素のい
ずれかを含むプラズマに前記フッ素含有シリコン酸化膜
を曝す工程とを有することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項3】 前記フッ素含有シリコン酸化膜の形成方
法は、常圧CVD法であることを特徴とする請求項1又
は請求項2記載の成膜方法。 - 【請求項4】 前記Si−F結合を有する有機シラン
は、フルオロアルコキシシラン(SiF n (OR)4-n ,n=
1〜3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導
体),フルオロアルキルシラン(SiF n R4-n,n=1〜
3,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体),鎖
状フルオロシロキサン(R n F3-n SiO(Rk F2 -kSiO)m Si
F3-n R n,n=1,2,k=0〜2,m≧0,Rはアル
キル基,アリール基又はその誘導体)又は環状フルオロ
シロキサン((Rk F2-k SiO) m ,k=1,m≧2,Rは
アルキル基,アリール基又はその誘導体)のうちいずれ
かであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいず
れかに記載の成膜方法。 - 【請求項5】 前記Si−F結合を有しない有機シラン
は、アルコキシシラン(SiH n (OR)4-n ,n=1〜3,
Rはアルキル基,アリール基又はその誘導体),アルキ
ルシラン(SiH n R4-n,n=1〜3,Rはアルキル基,
アリール基又はその誘導体),鎖状シロキサン(R n H
3-n SiO(Rk H2-kSiO)m SiH3-n R n,n=1,2,k=
0〜2,m≧0,Rはアルキル基,アリール基又はその
誘導体)又は環状シロキサン((Rk H2-k SiO) m ,k=
1,m≧2,Rはアルキル基,アリール基又はその誘導
体)のうちいずれかであることを特徴とする請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載の成膜方法。 - 【請求項6】 前記酸化性ガスはオゾン(O3 )を含有
する酸素(O2 )であることを特徴とする請求項1乃至
請求項5のいずれかに記載の成膜方法。 - 【請求項7】 前記酸素又は窒素のいずれかを含むプラ
ズマは、O2 ,NO,NO2 又はN2 Oのプラズマであ
ることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに
記載の成膜方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7210896A JP3061255B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 成膜方法 |
EP96112891A EP0761841B1 (en) | 1995-08-18 | 1996-08-09 | Method for forming film |
DE69621723T DE69621723T2 (de) | 1995-08-18 | 1996-08-09 | Verfahren zur Herstellung einer Schicht |
US08/694,660 US5800877A (en) | 1995-08-18 | 1996-08-09 | Method for forming a fluorine containing silicon oxide film |
KR1019960033147A KR100262053B1 (ko) | 1995-08-18 | 1996-08-09 | 성막방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7210896A JP3061255B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964029A true JPH0964029A (ja) | 1997-03-07 |
JP3061255B2 JP3061255B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=16596880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7210896A Expired - Lifetime JP3061255B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 成膜方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5800877A (ja) |
EP (1) | EP0761841B1 (ja) |
JP (1) | JP3061255B2 (ja) |
KR (1) | KR100262053B1 (ja) |
DE (1) | DE69621723T2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6159871A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
KR20020051456A (ko) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 황 철 주 | 저온환경의 화학기상증착 방법 |
JP2002538604A (ja) * | 1999-02-26 | 2002-11-12 | トリコン ホールディングス リミティド | ポリマー層の処理方法 |
US6531398B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing organosillicate layers |
US6727190B2 (en) * | 1998-09-03 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming fluorine doped boron-phosphorous silicate glass (F-BPSG) insulating materials |
US6815373B2 (en) | 2002-04-16 | 2004-11-09 | Applied Materials Inc. | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films |
KR100489758B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2005-05-16 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 낮은 유전 상수 물질 및 cvd에 의한 처리 방법 |
US6936309B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Hardness improvement of silicon carboxy films |
US6943127B2 (en) | 2001-06-18 | 2005-09-13 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant SICOH film |
JP2008277707A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6042901A (en) * | 1996-02-20 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method for depositing fluorine doped silicon dioxide films |
JP3178375B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
US5908672A (en) * | 1997-10-15 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer |
US6337102B1 (en) | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6593247B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
US7804115B2 (en) | 1998-02-25 | 2010-09-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions having antireflective portions |
US6274292B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-08-14 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
US6153509A (en) * | 1998-07-01 | 2000-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6281100B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
US6323101B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods, methods of forming silicon dioxide methods of forming trench isolation regions, and methods of forming interlevel dielectric layers |
US6383951B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication |
US6268282B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks |
US6828683B2 (en) | 1998-12-23 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices, and semiconductor processing methods |
US7235499B1 (en) | 1999-01-20 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods |
JP4515550B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-08-04 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 薄膜形成方法 |
US7309662B1 (en) | 1999-06-26 | 2007-12-18 | Aviza Europe Limited | Method and apparatus for forming a film on a substrate |
US7067414B1 (en) | 1999-09-01 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Low k interlevel dielectric layer fabrication methods |
DE19960092A1 (de) * | 1999-12-14 | 2001-07-12 | Bosch Gmbh Robert | Beschichtungsverfahren |
US6440860B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride |
JP3934343B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2007-06-20 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
US6732551B2 (en) | 2001-05-04 | 2004-05-11 | Corning Incorporated | Method and feedstock for making silica |
US7074489B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
KR20030001959A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US20030211244A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-11-13 | Applied Materials, Inc. | Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric |
US20030194495A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric |
US20030194496A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing dielectric material |
US20030206337A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Eastman Kodak Company | Exposure apparatus for irradiating a sensitized substrate |
US6927178B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
US7105460B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-09-12 | Applied Materials | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
US6897163B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a low dielectric constant film |
US7288205B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications |
US7425350B2 (en) * | 2005-04-29 | 2008-09-16 | Asm Japan K.K. | Apparatus, precursors and deposition methods for silicon-containing materials |
US8323753B2 (en) * | 2006-05-30 | 2012-12-04 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
US8338307B2 (en) * | 2007-02-13 | 2012-12-25 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
US8702999B2 (en) * | 2008-02-01 | 2014-04-22 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
CN101661962B (zh) * | 2008-08-29 | 2012-05-09 | 苏州中来光伏新材股份有限公司 | 一种具有高粘结性的太阳能电池背膜及加工工艺 |
US8703625B2 (en) | 2010-02-04 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods to prepare silicon-containing films |
JP5890709B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2016-03-22 | 株式会社東芝 | テンプレート用基板及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04167431A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造方法 |
JPH0750295A (ja) * | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07161705A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 |
JPH07211712A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4737379A (en) * | 1982-09-24 | 1988-04-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Plasma deposited coatings, and low temperature plasma method of making same |
US5314724A (en) * | 1991-01-08 | 1994-05-24 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
JP2699695B2 (ja) * | 1991-06-07 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法 |
JPH05226480A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2773530B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
EP0572704B1 (en) * | 1992-06-05 | 2000-04-19 | Semiconductor Process Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including method of reforming an insulating film formed by low temperature CVD |
JP3688726B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH06132276A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-13 | Kawasaki Steel Corp | 半導体膜形成方法 |
JPH07193004A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Applied Materials Inc | 半導体装置の薄膜形成方法 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP7210896A patent/JP3061255B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-08-09 KR KR1019960033147A patent/KR100262053B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 DE DE69621723T patent/DE69621723T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 EP EP96112891A patent/EP0761841B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 US US08/694,660 patent/US5800877A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04167431A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造方法 |
JPH0750295A (ja) * | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH07161705A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 |
JPH07211712A (ja) * | 1994-01-25 | 1995-08-11 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6159871A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
US6593655B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-07-15 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
US6727190B2 (en) * | 1998-09-03 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming fluorine doped boron-phosphorous silicate glass (F-BPSG) insulating materials |
US7642204B2 (en) | 1998-09-03 | 2010-01-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming fluorine doped insulating materials |
JP2002538604A (ja) * | 1999-02-26 | 2002-11-12 | トリコン ホールディングス リミティド | ポリマー層の処理方法 |
US6531398B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing organosillicate layers |
KR20020051456A (ko) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 황 철 주 | 저온환경의 화학기상증착 방법 |
KR100489758B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2005-05-16 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 낮은 유전 상수 물질 및 cvd에 의한 처리 방법 |
US6943127B2 (en) | 2001-06-18 | 2005-09-13 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant SICOH film |
US7153787B2 (en) | 2001-06-18 | 2006-12-26 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant SICOH film |
US6936309B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Hardness improvement of silicon carboxy films |
US6815373B2 (en) | 2002-04-16 | 2004-11-09 | Applied Materials Inc. | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films |
JP2008277707A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3061255B2 (ja) | 2000-07-10 |
DE69621723T2 (de) | 2002-11-28 |
DE69621723D1 (de) | 2002-07-18 |
EP0761841B1 (en) | 2002-06-12 |
US5800877A (en) | 1998-09-01 |
EP0761841A1 (en) | 1997-03-12 |
KR100262053B1 (ko) | 2000-07-15 |
KR970013003A (ko) | 1997-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0964029A (ja) | 成膜方法 | |
JP2699695B2 (ja) | 化学気相成長法 | |
US6514880B2 (en) | Siloxan polymer film on semiconductor substrate and method for forming same | |
US5869149A (en) | Method for preparing nitrogen surface treated fluorine doped silicon dioxide films | |
US5376591A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR100627098B1 (ko) | 저유전율 절연막의 형성 방법 | |
JP3701626B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20050034566A (ko) | 실리콘 탄화물막을 제조하는 방법 | |
JPH11251308A (ja) | 低誘電率フッ素化アモルファス炭素誘電体およびその形成方法 | |
JP2002083810A (ja) | 成膜方法及び半導体装置 | |
EP0934433A1 (en) | Method for depositing fluorine doped silicon dioxide films | |
EP1432843B1 (en) | Method for making carbon doped oxide film | |
JPH098032A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
WO2001001472A1 (en) | Method and apparatus for forming a film on a substrate | |
JP2001332550A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3934343B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3749162B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5569499A (en) | Method for reforming insulating film | |
JP3440714B2 (ja) | シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法 | |
JPH07161705A (ja) | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 | |
JP3017627B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
US20010036754A1 (en) | Film forming method and manufacturing method of semiconductor device | |
JPH04167431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11330070A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
JPH06283519A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980310 |