JPH07161705A - 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法Info
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- JPH07161705A JPH07161705A JP30419693A JP30419693A JPH07161705A JP H07161705 A JPH07161705 A JP H07161705A JP 30419693 A JP30419693 A JP 30419693A JP 30419693 A JP30419693 A JP 30419693A JP H07161705 A JPH07161705 A JP H07161705A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】微細配線間隙に空洞が発生せず、平坦性に優
れ、かつ、残留水分量・吸湿量の少ない多層配線層間絶
縁膜の形成方法を提供する。 【構成】炭素数３以上のアルキル基を有するフルオロア
ルコキシシランをと酸化性ガスとを用いる化学気相成長
法を用いてフロー性の高いフッ素含有シリコン酸化膜４
０５を形成し、層間絶縁膜の１部に用いる。また、炭素
数１以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシラ
ンと酸化性ガスとを用いる化学気相成長法において、沸
点が９０℃以上の高沸点溶剤を添加せしめることによっ
てフロー性の高いフッ素含有シリコン酸化膜４０５を形
成し、層間絶縁膜の１部に用いる。
れ、かつ、残留水分量・吸湿量の少ない多層配線層間絶
縁膜の形成方法を提供する。 【構成】炭素数３以上のアルキル基を有するフルオロア
ルコキシシランをと酸化性ガスとを用いる化学気相成長
法を用いてフロー性の高いフッ素含有シリコン酸化膜４
０５を形成し、層間絶縁膜の１部に用いる。また、炭素
数１以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシラ
ンと酸化性ガスとを用いる化学気相成長法において、沸
点が９０℃以上の高沸点溶剤を添加せしめることによっ
てフロー性の高いフッ素含有シリコン酸化膜４０５を形
成し、層間絶縁膜の１部に用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に多層配線構造体の層間絶縁膜の形成方法に
関する。
に関し、特に多層配線構造体の層間絶縁膜の形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層配線用層間絶縁膜の形成方法
としては、ヘテロアルコキシシラン〔一般式：Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）n （ＯＲ′）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ，Ｒ′：炭
素数１〜３のアルキル基〕を原料としてシリコン酸化膜
を堆積する方法がある（特開平２−１５３０７２号公
報）。この第１の従来のシリコン酸化膜堆積は、ジメト
キシジエトキシシラン〔化学式：Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）2 〕を原料として用い、これを蒸発器
に入れ、その液温を４２℃に保ち、キャリアガスとして
Ｎ2 を３ｌ／ｍｉｎ．の流量で蒸発器に流し、ジメトキ
シジエキシシランを含んだＮ2 を反応室の分散器に供給
する。同時に、オゾナイザーにＯ2 を７．５ｌ／ｍｉ
ｎ．の流量で流し、オゾナイザーでＯ3 濃度９５００ｐ
ｐｍとしたＯ3 を反応質のガス分散器に供給し、上記の
ジメトキシジエトキシシランを含んだＮ2 と、ガス分散
器中で混合し、７６０Ｔｏｒｒの圧力で反応器に供給す
る。反応室内のサセプタに置いたシリコンウェハの温度
を４００℃、あるいは３００℃として、シリコン酸化膜
を堆積する。
としては、ヘテロアルコキシシラン〔一般式：Ｓｉ（Ｏ
Ｒ）n （ＯＲ′）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ，Ｒ′：炭
素数１〜３のアルキル基〕を原料としてシリコン酸化膜
を堆積する方法がある（特開平２−１５３０７２号公
報）。この第１の従来のシリコン酸化膜堆積は、ジメト
キシジエトキシシラン〔化学式：Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）
2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）2 〕を原料として用い、これを蒸発器
に入れ、その液温を４２℃に保ち、キャリアガスとして
Ｎ2 を３ｌ／ｍｉｎ．の流量で蒸発器に流し、ジメトキ
シジエキシシランを含んだＮ2 を反応室の分散器に供給
する。同時に、オゾナイザーにＯ2 を７．５ｌ／ｍｉ
ｎ．の流量で流し、オゾナイザーでＯ3 濃度９５００ｐ
ｐｍとしたＯ3 を反応質のガス分散器に供給し、上記の
ジメトキシジエトキシシランを含んだＮ2 と、ガス分散
器中で混合し、７６０Ｔｏｒｒの圧力で反応器に供給す
る。反応室内のサセプタに置いたシリコンウェハの温度
を４００℃、あるいは３００℃として、シリコン酸化膜
を堆積する。
【０００３】また、１９９１年のブイエルエスアイ マ
ルチレベル インターコネクションコンファレンス プ
ロシーディングス（１９９１ Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ
Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ）のＰ．４３５にあるよう
に、水蒸気とテトラエチルオルソシリケート〔Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）4 〕を用いて、より定温（１５０℃以下）で
シリコン酸化膜を形成する方法がある。この第２の従来
技術は、プラズマ化学気相成長法を用いており、高周波
電力を断続的に印加することによって流動性の高いシリ
コン酸化膜を形成し、層間絶縁膜の平坦化を行うもので
ある。図８に、本従来技術で用いられているプラズマ化
学気相成長装置の概略図を示す。同装置を用いて、テト
ラエチルオルソシリケートとＨ2 Ｏの流量のそれぞれ、
３０ｓｃｃｍ，１２０ｓｃｃｍ，またキャリアガスとし
て用いるＮ2 の流量を４００ｓｃｃｍにコントロール
し、圧力１０Ｔｏｒｒ、基板温度１２０℃なる条件でア
ルミニウム配線パターン上にシリコン酸化膜を形成して
いる。ここで、高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）
は３００Ｗとし、断続的に印加しており、デューティ
〔ＯＮ時間÷（ＯＮ時間＋ＯＦＦ時間）×１００％〕が
３０〜５０％なる条件で、流動性が高まり、平坦性が向
上するというものである。
ルチレベル インターコネクションコンファレンス プ
ロシーディングス（１９９１ Ｍｕｌｔｉｌｅｖｅｌ
Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ）のＰ．４３５にあるよう
に、水蒸気とテトラエチルオルソシリケート〔Ｓｉ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）4 〕を用いて、より定温（１５０℃以下）で
シリコン酸化膜を形成する方法がある。この第２の従来
技術は、プラズマ化学気相成長法を用いており、高周波
電力を断続的に印加することによって流動性の高いシリ
コン酸化膜を形成し、層間絶縁膜の平坦化を行うもので
ある。図８に、本従来技術で用いられているプラズマ化
学気相成長装置の概略図を示す。同装置を用いて、テト
ラエチルオルソシリケートとＨ2 Ｏの流量のそれぞれ、
３０ｓｃｃｍ，１２０ｓｃｃｍ，またキャリアガスとし
て用いるＮ2 の流量を４００ｓｃｃｍにコントロール
し、圧力１０Ｔｏｒｒ、基板温度１２０℃なる条件でア
ルミニウム配線パターン上にシリコン酸化膜を形成して
いる。ここで、高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）
は３００Ｗとし、断続的に印加しており、デューティ
〔ＯＮ時間÷（ＯＮ時間＋ＯＦＦ時間）×１００％〕が
３０〜５０％なる条件で、流動性が高まり、平坦性が向
上するというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術
は、以下の問題があった。すなわち、第１の従来技術に
おいては、成膜温度が３００〜４００℃と高いことか
ら、残留する引張応力が大きく、Ａｌ配線上に本方法で
シリコン酸化膜を形成した後にＡｌ配線にボイド等の欠
陥が発生し、配線抵抗が増加したり、断線したりすると
いう問題がある。また、本方法で配線段差を有する基板
上に形成したシリコン酸化膜は、流動性を有しないこと
から、基板表面の凹凸がそのまま反映されるために、表
面平坦化が難しいという欠点あるいは、微細な配線間隙
に空洞が発生するという問題を有している。さらに、本
方法で形成したシリコン酸化膜は水分が残留しやすく、
また、吸湿性が高いという欠点があり、デバイス特性を
劣化させてしまうという問題も有している。したがっ
て、第１の従来技術は実用に供することが難しいもので
ある。
は、以下の問題があった。すなわち、第１の従来技術に
おいては、成膜温度が３００〜４００℃と高いことか
ら、残留する引張応力が大きく、Ａｌ配線上に本方法で
シリコン酸化膜を形成した後にＡｌ配線にボイド等の欠
陥が発生し、配線抵抗が増加したり、断線したりすると
いう問題がある。また、本方法で配線段差を有する基板
上に形成したシリコン酸化膜は、流動性を有しないこと
から、基板表面の凹凸がそのまま反映されるために、表
面平坦化が難しいという欠点あるいは、微細な配線間隙
に空洞が発生するという問題を有している。さらに、本
方法で形成したシリコン酸化膜は水分が残留しやすく、
また、吸湿性が高いという欠点があり、デバイス特性を
劣化させてしまうという問題も有している。したがっ
て、第１の従来技術は実用に供することが難しいもので
ある。
【０００５】また、第２の従来技術では以下のような問
題がある。すなわち、１５０℃以下の低温で膜形成を行
うことから、形成したシリコン酸化膜中に水分や有機物
が多量に残留しており、この後の熱処理工程において、
この残留水分や有機物が放出されるためにシリコン酸化
膜が収縮し、結果として、シリコン酸化膜に亀裂が入っ
てしまうという欠点があり、厚膜化が難しいという問題
がある。さらに、第１の従来技術と同様に、残留水分が
デバイス特性を劣化させてしまうという致命的な欠点を
有している。したがって、第２の従来技術も実用に供す
ることは難しいものである。
題がある。すなわち、１５０℃以下の低温で膜形成を行
うことから、形成したシリコン酸化膜中に水分や有機物
が多量に残留しており、この後の熱処理工程において、
この残留水分や有機物が放出されるためにシリコン酸化
膜が収縮し、結果として、シリコン酸化膜に亀裂が入っ
てしまうという欠点があり、厚膜化が難しいという問題
がある。さらに、第１の従来技術と同様に、残留水分が
デバイス特性を劣化させてしまうという致命的な欠点を
有している。したがって、第２の従来技術も実用に供す
ることは難しいものである。
【０００６】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消した、すなわち、微細配線間隙に空洞が発生せ
ずまた、平坦性に優れ、かつ残留水分量、吸湿量の少な
い多層配線層間絶縁膜の形成方法を提供することにあ
る。
点を解消した、すなわち、微細配線間隙に空洞が発生せ
ずまた、平坦性に優れ、かつ残留水分量、吸湿量の少な
い多層配線層間絶縁膜の形成方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体装
置の多層配線層間絶縁膜の形成方法は、半導体基板上
に、絶縁膜を介して下層配線を形成する工程と、この下
層配線上を含む全面に酸化シリコンを主成分とする第１
の絶縁膜を形成する工程と、炭素数３以上のアルキル基
を有するフルオロアルコキシシラン〔化学式：ＦｎＳｉ
（ＯＲ）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ：炭素数３以上のア
ルキル基〕と酸化性ガスを用いる化学気相成長法によっ
て、フッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、続い
て酸化シリコンを主成分とする第２の絶縁膜を形成する
工程とを有するものである。
置の多層配線層間絶縁膜の形成方法は、半導体基板上
に、絶縁膜を介して下層配線を形成する工程と、この下
層配線上を含む全面に酸化シリコンを主成分とする第１
の絶縁膜を形成する工程と、炭素数３以上のアルキル基
を有するフルオロアルコキシシラン〔化学式：ＦｎＳｉ
（ＯＲ）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ：炭素数３以上のア
ルキル基〕と酸化性ガスを用いる化学気相成長法によっ
て、フッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、続い
て酸化シリコンを主成分とする第２の絶縁膜を形成する
工程とを有するものである。
【０００８】本発明の第２の半導体装置の多層配線層間
絶縁膜の形成方法は、半導体基板上に、絶縁膜を介して
下層配線を形成する工程と、この下層配線上を含む全面
に、酸化シリコンを主成分とする第１の絶縁膜を形成す
る工程と、炭素数１以上のアルキル基を有するフルオロ
アルコキシシラン〔化学式：ＦｎＳｉ（ＯＲ′）4-n，
ｎ＝１，２，３，Ｒ′：炭素数１以上のアルキル基〕と
酸化性ガスを用いる化学気相成長法において、沸点が９
０℃以上の高沸点溶剤の蒸気を添加せしめることによっ
てフッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、続いて
酸化シリコンを主成分とする第２の絶縁膜を形成する工
程とを有するものである。
絶縁膜の形成方法は、半導体基板上に、絶縁膜を介して
下層配線を形成する工程と、この下層配線上を含む全面
に、酸化シリコンを主成分とする第１の絶縁膜を形成す
る工程と、炭素数１以上のアルキル基を有するフルオロ
アルコキシシラン〔化学式：ＦｎＳｉ（ＯＲ′）4-n，
ｎ＝１，２，３，Ｒ′：炭素数１以上のアルキル基〕と
酸化性ガスを用いる化学気相成長法において、沸点が９
０℃以上の高沸点溶剤の蒸気を添加せしめることによっ
てフッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、続いて
酸化シリコンを主成分とする第２の絶縁膜を形成する工
程とを有するものである。
【０００９】また、本発明の第１，第２の半導体装置多
層配線層間絶縁膜の形成方法の、化学気相成長法におい
て、テトラアルコキシシラン〔化学式：Ｓｉ（ＯＲ″）
4 ，Ｒ″：アルキル基〕、アルキルアルコキシシラン
（化学式：Ｒ″′n Ｓｉ（ＯＲ″）4-n ，ｎ：１，２，
３，Ｒ″，Ｒ″′：独立にアルキル基〕，有機シロキサ
ン，有機シランのうちの少くとも１つを添加しても良
い。
層配線層間絶縁膜の形成方法の、化学気相成長法におい
て、テトラアルコキシシラン〔化学式：Ｓｉ（ＯＲ″）
4 ，Ｒ″：アルキル基〕、アルキルアルコキシシラン
（化学式：Ｒ″′n Ｓｉ（ＯＲ″）4-n ，ｎ：１，２，
３，Ｒ″，Ｒ″′：独立にアルキル基〕，有機シロキサ
ン，有機シランのうちの少くとも１つを添加しても良
い。
【００１０】さらに、本発明の第１，第２の半導体装置
の多層配線層間絶縁膜の形成方法において、フッ素含有
シリコン酸化膜を形成した後に、エッチバック法，研磨
法，塗布法のうち少くとも１つを用いる平坦化工程を併
用しても良い。
の多層配線層間絶縁膜の形成方法において、フッ素含有
シリコン酸化膜を形成した後に、エッチバック法，研磨
法，塗布法のうち少くとも１つを用いる平坦化工程を併
用しても良い。
【００１１】さらに本発明では、配線を含む表面上に絶
縁膜が形成される化学気相成長法において、該絶縁膜が
有機シラン・オゾン系にハロゲン化無機物を添加して形
成すること、上記有機シラン・オゾン系常圧ＣＶＤ法に
よる酸化シリコン膜（以下、新酸化膜という）を半導体
基板上に選択的に設けた配線上に有機シラン系プラズマ
ＣＶＤ法により形成している第１の酸化シリコン膜上に
形成し、上記の新酸化膜の上に有機シリカ膜をスピン塗
布した後、反応性イオンエッチングにより前記有機シリ
カ膜の全部と上記の新酸化膜の表面をエッチバックして
平坦化する工程と、上記の新酸化膜の上に有機シランプ
ラズマＣＶＤ法により第３の酸化シリコン膜を形成する
工程を含んでいる。
縁膜が形成される化学気相成長法において、該絶縁膜が
有機シラン・オゾン系にハロゲン化無機物を添加して形
成すること、上記有機シラン・オゾン系常圧ＣＶＤ法に
よる酸化シリコン膜（以下、新酸化膜という）を半導体
基板上に選択的に設けた配線上に有機シラン系プラズマ
ＣＶＤ法により形成している第１の酸化シリコン膜上に
形成し、上記の新酸化膜の上に有機シリカ膜をスピン塗
布した後、反応性イオンエッチングにより前記有機シリ
カ膜の全部と上記の新酸化膜の表面をエッチバックして
平坦化する工程と、上記の新酸化膜の上に有機シランプ
ラズマＣＶＤ法により第３の酸化シリコン膜を形成する
工程を含んでいる。
【００１２】また、上記記載の新酸化膜を半導体基板上
に選択的に設けた配線上に形成し、上記の新酸化膜の上
に有機シリカ膜をスピン塗布した後、反応性イオンエッ
チングにより前記有機シリカ膜の全部と上記の新酸化膜
の表面をエッチバックして平坦化する工程と、上記の新
酸化膜の上に有機シランプラズマＣＶＤ法により第２の
酸化シリコン膜を形成する工程を含んでいる。
に選択的に設けた配線上に形成し、上記の新酸化膜の上
に有機シリカ膜をスピン塗布した後、反応性イオンエッ
チングにより前記有機シリカ膜の全部と上記の新酸化膜
の表面をエッチバックして平坦化する工程と、上記の新
酸化膜の上に有機シランプラズマＣＶＤ法により第２の
酸化シリコン膜を形成する工程を含んでいる。
【００１３】さらに本発明では、配線を含む表面上に絶
縁膜が形成される化学気相成長法において、該絶縁膜が
有機シラン・オゾン系にハロゲン化有機シランをパルス
状に添加して形成されることと、上記の有機シラン・オ
ゾン系常圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜（以下、ハロ
ゲン・パルス添加酸化膜という）を半導体基板上に選択
的に設けた配線上に有機シラン系プラズマＣＶＤ法によ
り形成している第１の酸化シリコン膜上に形成し、上記
のハロゲン・パルス添加酸化膜の上に有機シリカ膜をス
ピン塗布した後、反応性イオンエッチングにより前記有
機シリカ膜の全部と上記のハロゲン・パルス添加酸化膜
の表面をエッチバックして平坦化する工程と、上記のハ
ロゲン・パルス添加酸化膜の上に有機シランプラズマＣ
ＶＤ法により第３の酸化シリコン膜を形成する工程を含
んでいる。
縁膜が形成される化学気相成長法において、該絶縁膜が
有機シラン・オゾン系にハロゲン化有機シランをパルス
状に添加して形成されることと、上記の有機シラン・オ
ゾン系常圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜（以下、ハロ
ゲン・パルス添加酸化膜という）を半導体基板上に選択
的に設けた配線上に有機シラン系プラズマＣＶＤ法によ
り形成している第１の酸化シリコン膜上に形成し、上記
のハロゲン・パルス添加酸化膜の上に有機シリカ膜をス
ピン塗布した後、反応性イオンエッチングにより前記有
機シリカ膜の全部と上記のハロゲン・パルス添加酸化膜
の表面をエッチバックして平坦化する工程と、上記のハ
ロゲン・パルス添加酸化膜の上に有機シランプラズマＣ
ＶＤ法により第３の酸化シリコン膜を形成する工程を含
んでいる。
【００１４】また、上記記載のハロゲン・パルス添加酸
化膜を半導体基板上に選択的に設けた配線上に形成し、
上記のハロゲン・パルス添加酸化膜の上に有機シリカ膜
をスピン塗布した後、反応性イオンエッチングにより前
記有機シリカ膜の全部と上記のハロゲン・パルス添加酸
化膜の表面をエッチバックして平坦化する工程と、上記
の酸化シリコン膜の上に有機シランプラズマＣＶＤ法に
より第２の酸化シリコン膜を形成する工程を含んでい
る。
化膜を半導体基板上に選択的に設けた配線上に形成し、
上記のハロゲン・パルス添加酸化膜の上に有機シリカ膜
をスピン塗布した後、反応性イオンエッチングにより前
記有機シリカ膜の全部と上記のハロゲン・パルス添加酸
化膜の表面をエッチバックして平坦化する工程と、上記
の酸化シリコン膜の上に有機シランプラズマＣＶＤ法に
より第２の酸化シリコン膜を形成する工程を含んでい
る。
【００１５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１６】図１は、本発明の第１及び第２の実施例で
ある半導体装置の多層配線層間絶縁膜形成のために用い
た化学気相成長装置の概略図である。同図において、Ｏ
2 ガスを流量コントローラー１０６で流量をコントロー
ルし、オゾン発生器１０５に導入しオゾンを発生させ、
ディスパージョンヘッド１０４から反応室に導入する。
同時にＮ2 ガスを流量コントローラー１０８，１０９，
１１０，１１１でコントロールし、パブラー１１２，１
１３，１１４，１１５に導入し、それぞれ一定の温度に
保たれたテトラエチルオルソシルケート〔Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5 ）4 〕、フツオロアルコキシシラン〔ＦｎＳｉ（Ｏ
Ｒ）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ：アルキル基〕，純水，
高沸点溶剤を気化させた後、ディスパージョンヘッド１
０４から反応室に導入する。これらのガスは、反応室内
で混合され、加熱用ヒータ１０２で一定の温度に保たれ
たサセプター１０３上の半導体基板１０１上で成膜され
る。フルオロアルコキシシランと純水を用いる化学気相
成長法については、フルオロトリエトキシシランを用い
る方法を特願平３−００６３１２，特願平３−１３６４
２６，特願平４−０９５１１７で述べている。
ある半導体装置の多層配線層間絶縁膜形成のために用い
た化学気相成長装置の概略図である。同図において、Ｏ
2 ガスを流量コントローラー１０６で流量をコントロー
ルし、オゾン発生器１０５に導入しオゾンを発生させ、
ディスパージョンヘッド１０４から反応室に導入する。
同時にＮ2 ガスを流量コントローラー１０８，１０９，
１１０，１１１でコントロールし、パブラー１１２，１
１３，１１４，１１５に導入し、それぞれ一定の温度に
保たれたテトラエチルオルソシルケート〔Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5 ）4 〕、フツオロアルコキシシラン〔ＦｎＳｉ（Ｏ
Ｒ）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ：アルキル基〕，純水，
高沸点溶剤を気化させた後、ディスパージョンヘッド１
０４から反応室に導入する。これらのガスは、反応室内
で混合され、加熱用ヒータ１０２で一定の温度に保たれ
たサセプター１０３上の半導体基板１０１上で成膜され
る。フルオロアルコキシシランと純水を用いる化学気相
成長法については、フルオロトリエトキシシランを用い
る方法を特願平３−００６３１２，特願平３−１３６４
２６，特願平４−０９５１１７で述べている。
【００１７】第１の実施例では、フルオロアルコキシシ
ランと、純水とを用いて成膜を行った。フルオロアルコ
キシシランと純水のバプラーの温度をそれぞれ４０℃に
保ち、バブリング用のＮ2 流量をそれぞれ１ＳＬＭ，４
ＳＬＭとした。また、Ｎ2 キャリアガスの流量を３ＳＬ
Ｍとし、反応室内圧力を約７６０Ｔｏｒｒとした。また
基板温度は２５℃とした。フルオロアルコキシシランと
して、フルオロトリメトキシシラン〔ＦＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）3 〕，フルオロトリエトキシシラン〔ＦＳｉ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕，フルオロトリノルマルプロポキシシラ
ン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ3 Ｈ7 ）3 〕，フルオロトリイソ
プロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｉ−ＯＣ3 Ｈ7）3 〕の４
種類を用いて、厚さ約１μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パ
ターンを有する半導体基板上に厚さ約０．５ｍｍのフッ
素含有シリコン酸化膜を形成した。図２は、フルオロト
リアルコキシシランのアルキル基を変えたときの厚さ約
１μｍ，幅約０．８μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パター
ンのスペース部分における、フッ系含有シリコン酸化膜
側壁の水平面に対する角度θｄと、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配
線側壁の水平面に対する角度θｍとその比θｄ／θｍを
示している。この角度比が大きいほど、フロー性が高
く、埋込性に優れていることを示すものである。同図か
ら、４種類のフルオロトリアルコキシシランのうち、ノ
ルマルプロポキシ基を用いたもの、すなわち、フルオロ
トリノルマルプロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ3 Ｈ
7 ）3 〕を用いた場合に、角度比が最も大きく、約１．
０２である。このことは、フルオロトリノルマルプロポ
キシシランを用いたときに高いフロー性が得られ、配線
スペースの埋設が良好に行われることを示している。こ
のフロー性については、以下の様に説明できるものであ
る。すなわち、フルオロトリアルコキシシラン〔ＦＳｉ
（ＯＲ）3 ，Ｒ：アルキル基〕と水蒸気の反応によっ
て、式（１），（２）にそれぞれ示す様に、フッ素ある
いは、フルオロアルコキシシランそのものが触媒となっ
て加水分解反応、縮重合反応が起こり、フッ系含有シリ
コン酸化膜が形成される。
ランと、純水とを用いて成膜を行った。フルオロアルコ
キシシランと純水のバプラーの温度をそれぞれ４０℃に
保ち、バブリング用のＮ2 流量をそれぞれ１ＳＬＭ，４
ＳＬＭとした。また、Ｎ2 キャリアガスの流量を３ＳＬ
Ｍとし、反応室内圧力を約７６０Ｔｏｒｒとした。また
基板温度は２５℃とした。フルオロアルコキシシランと
して、フルオロトリメトキシシラン〔ＦＳｉ（ＯＣ
Ｈ3 ）3 〕，フルオロトリエトキシシラン〔ＦＳｉ（Ｏ
Ｃ2 Ｈ5 ）3 〕，フルオロトリノルマルプロポキシシラ
ン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ3 Ｈ7 ）3 〕，フルオロトリイソ
プロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｉ−ＯＣ3 Ｈ7）3 〕の４
種類を用いて、厚さ約１μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パ
ターンを有する半導体基板上に厚さ約０．５ｍｍのフッ
素含有シリコン酸化膜を形成した。図２は、フルオロト
リアルコキシシランのアルキル基を変えたときの厚さ約
１μｍ，幅約０．８μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パター
ンのスペース部分における、フッ系含有シリコン酸化膜
側壁の水平面に対する角度θｄと、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配
線側壁の水平面に対する角度θｍとその比θｄ／θｍを
示している。この角度比が大きいほど、フロー性が高
く、埋込性に優れていることを示すものである。同図か
ら、４種類のフルオロトリアルコキシシランのうち、ノ
ルマルプロポキシ基を用いたもの、すなわち、フルオロ
トリノルマルプロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ3 Ｈ
7 ）3 〕を用いた場合に、角度比が最も大きく、約１．
０２である。このことは、フルオロトリノルマルプロポ
キシシランを用いたときに高いフロー性が得られ、配線
スペースの埋設が良好に行われることを示している。こ
のフロー性については、以下の様に説明できるものであ
る。すなわち、フルオロトリアルコキシシラン〔ＦＳｉ
（ＯＲ）3 ，Ｒ：アルキル基〕と水蒸気の反応によっ
て、式（１），（２）にそれぞれ示す様に、フッ素ある
いは、フルオロアルコキシシランそのものが触媒となっ
て加水分解反応、縮重合反応が起こり、フッ系含有シリ
コン酸化膜が形成される。
【００１８】 ＦＳｉ（ＯＲ）3 ＋３Ｈ2 Ｏ→ＦＳｉ（ＯＨ）3 ＋３Ｒ・ＯＨ （１） ｍＦＳｉ（ＯＨ）3 →〔ＦＳｉＯ3 ／２〕ｍ＋３／２ｍ・Ｈ2 Ｏ （２） （ｍ：正の整数）ここで、式（１）によって、反応副生
成物としてＲ・ＯＨすなわちアルコールが発生する。こ
のアルコールが、反応によって生成されたＳｉＯ2 の中
間体〔ＦＳｉＯ3/2 〕ｍに吸着した状態で基板表面に付
着し、表面反応によってフッ素含有シリコン酸化膜が形
成される。ここで、このアルコールが蒸発しにくけれ
ば、すなわち、蒸気圧が小さければ、ＳｉＯ2 の中間体
は流動しやすく、配線上部に吸着したものが、配線スペ
ース間に流入すると考えられ、したがって、フロー性が
高く、埋設性が高まると考えられる。
成物としてＲ・ＯＨすなわちアルコールが発生する。こ
のアルコールが、反応によって生成されたＳｉＯ2 の中
間体〔ＦＳｉＯ3/2 〕ｍに吸着した状態で基板表面に付
着し、表面反応によってフッ素含有シリコン酸化膜が形
成される。ここで、このアルコールが蒸発しにくけれ
ば、すなわち、蒸気圧が小さければ、ＳｉＯ2 の中間体
は流動しやすく、配線上部に吸着したものが、配線スペ
ース間に流入すると考えられ、したがって、フロー性が
高く、埋設性が高まると考えられる。
【００１９】フルオロトリメトキシシラン、フルオロト
リエトキシシラン、フルオロトリノルマルプロポキシシ
ラン、フルオロトリイソプロポキシシランを用いたとき
に生成されるアルコールは、それぞれメチルアルコー
ル、エチルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、
イソプロピルアルコールであると考えられ、これらの蒸
気圧は、２５℃（成膜温度）において、それぞれ１２５
Ｔｏｒｒ、５８Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ、４４Ｔｏｒｒ
であり、この中でノルマルプロピルアルコールの蒸気圧
が最も小さい。このことは、フルオロトリノルマルプロ
ポキシシランを用いた時に最も角度比θｄ／θｍが大き
くなることと一致している。
リエトキシシラン、フルオロトリノルマルプロポキシシ
ラン、フルオロトリイソプロポキシシランを用いたとき
に生成されるアルコールは、それぞれメチルアルコー
ル、エチルアルコール、ノルマルプロピルアルコール、
イソプロピルアルコールであると考えられ、これらの蒸
気圧は、２５℃（成膜温度）において、それぞれ１２５
Ｔｏｒｒ、５８Ｔｏｒｒ、２０Ｔｏｒｒ、４４Ｔｏｒｒ
であり、この中でノルマルプロピルアルコールの蒸気圧
が最も小さい。このことは、フルオロトリノルマルプロ
ポキシシランを用いた時に最も角度比θｄ／θｍが大き
くなることと一致している。
【００２０】さらに、同様にＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パタ
ーンを有する半導体基板上に、厚さ約１μｍのフッ系含
有シリコン酸化膜を形成したところ、配線間スペースが
０．４μｍのパターンにおいて、フルオロトリノルマル
プロポキシシランを用いた場合に限って配線スペース間
に空洞の発生が全く見られなかった。
ーンを有する半導体基板上に、厚さ約１μｍのフッ系含
有シリコン酸化膜を形成したところ、配線間スペースが
０．４μｍのパターンにおいて、フルオロトリノルマル
プロポキシシランを用いた場合に限って配線スペース間
に空洞の発生が全く見られなかった。
【００２１】また、Ｐ型シリコン基板上に、同様に厚さ
約０．４μｍのフッ系含有シリコン酸化膜を形成し、赤
外吸収スペクトル（ＦＦＩＲスペクトル）を測定した結
果を図３に示す。同図において、比較としてテトラエチ
ルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）とオゾンを用いて、常
圧下で３５０℃の温度で形成したシリコン酸化膜の赤外
吸収スペクトルを示す。同図において、ＴＥＯＳとオゾ
ンを用いたシリコン酸化膜の赤外吸収スペクトル（同図
（ｅ））には、波数約３４００ｃｍ-1にＯＨ基に起因す
る大きな吸収ピークが見られるが、同図（ａ）〜（ｄ）
に示す４つのフルオロトリアルコキシシランを用いて形
成したフッ素含有シリコン酸化膜の赤外吸収スペクトル
には、ＯＨ基に起因する吸収ピークはほとんど見られな
いことがわかる。このことは、フルオロトリアルコキシ
シランと純水とをガスソースとして用いて形成したフッ
素含有シリコン酸化膜は、残留水分がほとんどないこと
を示している。またさらに、形成したフッ系含有シリコ
ン酸化膜を、純水中に３０日間保管したときの重量増加
から求めた吸湿量は、４種類のフルオロトリアルコキシ
シランを用いた形成したものすべてが、約０．３〜０．
５％であり、これはＴＥＯＳとオゾンとを用いて形成し
たシリコン酸化膜の吸湿量（約２％）に比べて１／４以
下であった。また、ｎ型ＭＯＳトランジスタ上に、フッ
素含有シリコン酸化膜を形成し、ドレイン，ゲート電極
にそれぞれ６Ｖ，２Ｖの電圧を印加し、２時間のストレ
ス試験を行ったときのしきい値電圧の変化は約２％であ
り、ＴＥＯＳとオゾンを用いて形成したシリコン酸化膜
を有するｎ型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の変化
（約１０％）に比べて十分小さい値であった。
約０．４μｍのフッ系含有シリコン酸化膜を形成し、赤
外吸収スペクトル（ＦＦＩＲスペクトル）を測定した結
果を図３に示す。同図において、比較としてテトラエチ
ルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）とオゾンを用いて、常
圧下で３５０℃の温度で形成したシリコン酸化膜の赤外
吸収スペクトルを示す。同図において、ＴＥＯＳとオゾ
ンを用いたシリコン酸化膜の赤外吸収スペクトル（同図
（ｅ））には、波数約３４００ｃｍ-1にＯＨ基に起因す
る大きな吸収ピークが見られるが、同図（ａ）〜（ｄ）
に示す４つのフルオロトリアルコキシシランを用いて形
成したフッ素含有シリコン酸化膜の赤外吸収スペクトル
には、ＯＨ基に起因する吸収ピークはほとんど見られな
いことがわかる。このことは、フルオロトリアルコキシ
シランと純水とをガスソースとして用いて形成したフッ
素含有シリコン酸化膜は、残留水分がほとんどないこと
を示している。またさらに、形成したフッ系含有シリコ
ン酸化膜を、純水中に３０日間保管したときの重量増加
から求めた吸湿量は、４種類のフルオロトリアルコキシ
シランを用いた形成したものすべてが、約０．３〜０．
５％であり、これはＴＥＯＳとオゾンとを用いて形成し
たシリコン酸化膜の吸湿量（約２％）に比べて１／４以
下であった。また、ｎ型ＭＯＳトランジスタ上に、フッ
素含有シリコン酸化膜を形成し、ドレイン，ゲート電極
にそれぞれ６Ｖ，２Ｖの電圧を印加し、２時間のストレ
ス試験を行ったときのしきい値電圧の変化は約２％であ
り、ＴＥＯＳとオゾンを用いて形成したシリコン酸化膜
を有するｎ型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の変化
（約１０％）に比べて十分小さい値であった。
【００２２】次に、フロー性の高いフルオロトリノルマ
ルプロポキシシランと純水とをガスソースとして用い、
同条件でＡｌ配線の層間絶縁膜の１部の形成を行った。
ルプロポキシシランと純水とをガスソースとして用い、
同条件でＡｌ配線の層間絶縁膜の１部の形成を行った。
【００２３】図４は、本発明の半導体装置の多層配線層
間絶縁膜の形成方法を示す工程断面図である。図４
（ａ）に示す様に、厚さ約０．８μｍの絶縁膜（ＳｉＯ
2 膜）４０２を介して半導体基板４０１上に形成された
厚さ約１μｍのアルミニウム配線層４０３上にプラズマ
化学気相成長法によって厚さ約０．４μｍの第１のシリ
コン酸化膜４０４を形成した後、フルオロトリノルマル
プロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ3 Ｈ7 ）3 〕と純
水とをガスソースとして用いて、２５℃の温度で厚さ約
０．８μｍのフッ素含有シリコン酸化膜４０５を形成す
る。次に再びプラズマ化学気相成長法によって厚さ約
０．４μｍの第２のシリコン酸化膜４０６を形成する。
以上の工程により、平坦性の高い層間絶縁膜が形成でき
た。Ａｌ配線間スペースが０．４μｍのパターンにおい
て、空洞の発生は全くないものであり、かつ、層間絶縁
膜に亀裂は全く発生しなかった。
間絶縁膜の形成方法を示す工程断面図である。図４
（ａ）に示す様に、厚さ約０．８μｍの絶縁膜（ＳｉＯ
2 膜）４０２を介して半導体基板４０１上に形成された
厚さ約１μｍのアルミニウム配線層４０３上にプラズマ
化学気相成長法によって厚さ約０．４μｍの第１のシリ
コン酸化膜４０４を形成した後、フルオロトリノルマル
プロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ3 Ｈ7 ）3 〕と純
水とをガスソースとして用いて、２５℃の温度で厚さ約
０．８μｍのフッ素含有シリコン酸化膜４０５を形成す
る。次に再びプラズマ化学気相成長法によって厚さ約
０．４μｍの第２のシリコン酸化膜４０６を形成する。
以上の工程により、平坦性の高い層間絶縁膜が形成でき
た。Ａｌ配線間スペースが０．４μｍのパターンにおい
て、空洞の発生は全くないものであり、かつ、層間絶縁
膜に亀裂は全く発生しなかった。
【００２４】次に、さらに平坦性を向上せしめるため
に、研磨法を併用し、平坦化層間絶縁膜の形成を行っ
た。図５にその工程断面図を示す。図５（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すように、半導体基板５０１上に、
厚さ約０．８μｍの絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）５０２，厚さ
約１μｍのアルミニウム配線層５０３，厚さ約０．４μ
ｍの第１のプラズマ化学気相成長シリコン酸化膜５０
４，厚さ約２μｍのフッ素含有シリコン酸化膜５０５を
順次形成した後、同図（ｄ）に示すように、配線上での
フッ素含有シリコン酸化膜５０５の厚さが約０．４μｍ
になるまで研磨する。フッ素含有シリコン酸化膜の研磨
には、ＳｉＯ2 微粉末のアルカリ水溶液を連続的に流し
ながら、ポリウレタン性の研磨パッドを毎分約１００回
転の回転スピード、荷重を約３０ｐｓｉなる条件を用い
た。続いて、同図（ｅ）に示すように、プラズマ化学気
相成長法によって、厚さ約０．５μｍの第２のシリコン
酸化膜５０６を形成する。以上の工程で形成した層間絶
縁膜は、配線パターンによる膜厚の依存性が全くなく完
全に平坦な表面が得られた。また、層間絶縁膜には亀裂
の発生は全くないものであった。
に、研磨法を併用し、平坦化層間絶縁膜の形成を行っ
た。図５にその工程断面図を示す。図５（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すように、半導体基板５０１上に、
厚さ約０．８μｍの絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）５０２，厚さ
約１μｍのアルミニウム配線層５０３，厚さ約０．４μ
ｍの第１のプラズマ化学気相成長シリコン酸化膜５０
４，厚さ約２μｍのフッ素含有シリコン酸化膜５０５を
順次形成した後、同図（ｄ）に示すように、配線上での
フッ素含有シリコン酸化膜５０５の厚さが約０．４μｍ
になるまで研磨する。フッ素含有シリコン酸化膜の研磨
には、ＳｉＯ2 微粉末のアルカリ水溶液を連続的に流し
ながら、ポリウレタン性の研磨パッドを毎分約１００回
転の回転スピード、荷重を約３０ｐｓｉなる条件を用い
た。続いて、同図（ｅ）に示すように、プラズマ化学気
相成長法によって、厚さ約０．５μｍの第２のシリコン
酸化膜５０６を形成する。以上の工程で形成した層間絶
縁膜は、配線パターンによる膜厚の依存性が全くなく完
全に平坦な表面が得られた。また、層間絶縁膜には亀裂
の発生は全くないものであった。
【００２５】本実施例では、フルオロトリアルコキシシ
ランと純水とをガスソースとして用いた場合について述
べたが、これらにテトラエチルアルソシリケート（ＴＥ
ＯＳ）等のテトラアルコキシシラン，アルキルアルコキ
シシラン，有機シロキサン，有機シランのうちの少くと
も１つを添加しても同様な効果が得られる。
ランと純水とをガスソースとして用いた場合について述
べたが、これらにテトラエチルアルソシリケート（ＴＥ
ＯＳ）等のテトラアルコキシシラン，アルキルアルコキ
シシラン，有機シロキサン，有機シランのうちの少くと
も１つを添加しても同様な効果が得られる。
【００２６】さらに、酸化性ガスソースとして純水を用
いているが、これはオゾン，オゾンと純水，オゾンと酸
素，オゾンと二窒化酸素，純水と酸素，純水と二窒化酸
素を用いても同様な効果が得られる。成膜温度は３００
℃以下で良く、さらに好ましくは、１５０℃以下が良
い。本実施例において、フッ素含有シリコン酸化膜の形
成条件は１例であって、特にガス流量等は適宜変えるこ
とが可能である。
いているが、これはオゾン，オゾンと純水，オゾンと酸
素，オゾンと二窒化酸素，純水と酸素，純水と二窒化酸
素を用いても同様な効果が得られる。成膜温度は３００
℃以下で良く、さらに好ましくは、１５０℃以下が良
い。本実施例において、フッ素含有シリコン酸化膜の形
成条件は１例であって、特にガス流量等は適宜変えるこ
とが可能である。
【００２７】さらに本実施例では、配線材料としてアル
ミニウムを用いているが、これはポリシリコン，金属シ
リサイド，アルミニウム合金，チタン合金，タングステ
ン合金，金，銅，白金のうちの少くとも１つ、あるい
は、これらの積層構造から成る配線を用いても同様な効
果が得られる。
ミニウムを用いているが、これはポリシリコン，金属シ
リサイド，アルミニウム合金，チタン合金，タングステ
ン合金，金，銅，白金のうちの少くとも１つ、あるい
は、これらの積層構造から成る配線を用いても同様な効
果が得られる。
【００２８】次に、本発明の第２の実施例を図面を参照
して説明する。本実施例では、フルオロトリアルコキシ
シランと純水を用いるフッ素含有シリコン酸化膜形成時
に、高沸点溶剤蒸気を添加する方法について述べる。
して説明する。本実施例では、フルオロトリアルコキシ
シランと純水を用いるフッ素含有シリコン酸化膜形成時
に、高沸点溶剤蒸気を添加する方法について述べる。
【００２９】図１に示す成膜装置において、バブラー１
１３，バブラー１１５にそれぞれ、フルオロトリエトキ
シシラン〔ＦＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 〕とノルマルプロピ
ルアルコール〔ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ・ＯＨ〕を充填し、バブラ
ー温度をそれぞれ４０℃に固定し、バブリング用Ｎ2 ガ
ス流量をそれぞれ１ＳＬＭに固定した。さらに純水が充
填されたバブラー１１４の温度を４０℃に保ち、バブリ
ング用Ｎ2 ガス流量を４ＳＬＭとした。他の条件は実施
例１と同条件で成膜を行った。実施例１と同様にＡｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ配線パターンを有する半導体基板上に厚さ約
０．５μｍのフッ素含有シリコン酸化膜を形成した。図
２に示すように、本実施例では、アルキル基としてエト
キシ基を用いているが、成膜時にノルマルプロピルアル
コールを添加せしめることによって、フルオロトリノル
マルプロポキシシランを用いた時に近い角度比θｄ／θ
ｍ（約１．０１）が得られた。このことは、フルオロト
リエトキシシランと純水とをガスソースとして用いる化
学気相成長法においてノルマルプロピルアルコール蒸気
を添加することによって、フルオロトリノルマルプロポ
キシシランを用いた時と同等な効果を有することを示し
ている。
１３，バブラー１１５にそれぞれ、フルオロトリエトキ
シシラン〔ＦＳｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 〕とノルマルプロピ
ルアルコール〔ｎ−Ｃ3 Ｈ7 ・ＯＨ〕を充填し、バブラ
ー温度をそれぞれ４０℃に固定し、バブリング用Ｎ2 ガ
ス流量をそれぞれ１ＳＬＭに固定した。さらに純水が充
填されたバブラー１１４の温度を４０℃に保ち、バブリ
ング用Ｎ2 ガス流量を４ＳＬＭとした。他の条件は実施
例１と同条件で成膜を行った。実施例１と同様にＡｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ配線パターンを有する半導体基板上に厚さ約
０．５μｍのフッ素含有シリコン酸化膜を形成した。図
２に示すように、本実施例では、アルキル基としてエト
キシ基を用いているが、成膜時にノルマルプロピルアル
コールを添加せしめることによって、フルオロトリノル
マルプロポキシシランを用いた時に近い角度比θｄ／θ
ｍ（約１．０１）が得られた。このことは、フルオロト
リエトキシシランと純水とをガスソースとして用いる化
学気相成長法においてノルマルプロピルアルコール蒸気
を添加することによって、フルオロトリノルマルプロポ
キシシランを用いた時と同等な効果を有することを示し
ている。
【００３０】図６に、同条件でＰ型シリコン基板上に厚
さ約０．４μｍのフッ素含有シリコン酸化膜を形成し、
赤外吸収スペクトル（ＦＴ−ＩＲスペクトル）を測定し
た結果を示す。同図から、フルオロトリエトキシシラン
とノルマルプロピルアルコールを用いて形成したフッ素
含有シリコン酸化膜の赤外吸収スペクトルは、フルオロ
トリノルマルプロポキシシランを用いた時と同様なスペ
クトルが得られ、かつ、ＯＨ基に起因する吸収ピーク
（約３４００ｃｍ-1）の大きさは、ほぼ同等であり残留
ＯＨ基が少ないことを示している。
さ約０．４μｍのフッ素含有シリコン酸化膜を形成し、
赤外吸収スペクトル（ＦＴ−ＩＲスペクトル）を測定し
た結果を示す。同図から、フルオロトリエトキシシラン
とノルマルプロピルアルコールを用いて形成したフッ素
含有シリコン酸化膜の赤外吸収スペクトルは、フルオロ
トリノルマルプロポキシシランを用いた時と同様なスペ
クトルが得られ、かつ、ＯＨ基に起因する吸収ピーク
（約３４００ｃｍ-1）の大きさは、ほぼ同等であり残留
ＯＨ基が少ないことを示している。
【００３１】さらに、実施例１と同様に、Ａｌ配線の層
間絶縁膜の平坦化を行ったところ、実施例１と同様に配
線スペース間隔０．４μｍのパターンにおいて、空洞の
発生は全くなく、かつ、層間絶縁膜に亀裂の発生は全く
ないものであった。
間絶縁膜の平坦化を行ったところ、実施例１と同様に配
線スペース間隔０．４μｍのパターンにおいて、空洞の
発生は全くなく、かつ、層間絶縁膜に亀裂の発生は全く
ないものであった。
【００３２】本実施例では、フルオロアルコキシシラン
として、フルオロトリエトキシシランを用いているが、
これは、フルオロメトキシシラン，フルオロエトキシシ
ラン，フルオロプロポキシシラン，フルオロブトキシシ
ランのうちの少くとも１つで良い。また、高沸点溶剤と
して、ノルマルプロピルアルコール（沸点９７．４℃）
を用いているが、これは、沸点が９０℃以上の溶剤であ
れば良い。
として、フルオロトリエトキシシランを用いているが、
これは、フルオロメトキシシラン，フルオロエトキシシ
ラン，フルオロプロポキシシラン，フルオロブトキシシ
ランのうちの少くとも１つで良い。また、高沸点溶剤と
して、ノルマルプロピルアルコール（沸点９７．４℃）
を用いているが、これは、沸点が９０℃以上の溶剤であ
れば良い。
【００３３】また、本実施例では、フルオロトリアルコ
キシシラン，純水，高沸点溶剤の３つのガスソースを用
いた場合について述べたが、これらに、テトラエチルオ
ルソシリケート（ＴＥＯＳ）等のテトラアルコキシシラ
ン、アルキルアルコキシシラン、有機シロキサン、有機
シランのうちの少くとも１つを添加しても同様な結果が
得られる。
キシシラン，純水，高沸点溶剤の３つのガスソースを用
いた場合について述べたが、これらに、テトラエチルオ
ルソシリケート（ＴＥＯＳ）等のテトラアルコキシシラ
ン、アルキルアルコキシシラン、有機シロキサン、有機
シランのうちの少くとも１つを添加しても同様な結果が
得られる。
【００３４】さらに、酸化性ガスソースとして純水を用
いているが、これは、オゾン，オゾンと純水，オゾンと
酸素，オゾンと二窒化酸素，純水と酸素，純水と二窒化
酸素を用いても同様な効果が得られる。成膜温度は、３
００℃以下で良く、さらに好ましくは１５０℃以下が良
い。本実施例において、フッ素含有シリコン酸化膜の形
成条件は１例であって、特にガス流量等は適宜変えるこ
とが可能である。
いているが、これは、オゾン，オゾンと純水，オゾンと
酸素，オゾンと二窒化酸素，純水と酸素，純水と二窒化
酸素を用いても同様な効果が得られる。成膜温度は、３
００℃以下で良く、さらに好ましくは１５０℃以下が良
い。本実施例において、フッ素含有シリコン酸化膜の形
成条件は１例であって、特にガス流量等は適宜変えるこ
とが可能である。
【００３５】さらに、本実施例では、配線材料としてア
ルミニウムを用いているが、これは、ポリシリコン，金
属シリサイド，アルミニウム合金，チタン合金，タング
ステン合金，金，銅，白金のうちの少くとも１つ、ある
いは、これらの積層構造から成る配線を用いても同様な
効果が得られる。
ルミニウムを用いているが、これは、ポリシリコン，金
属シリサイド，アルミニウム合金，チタン合金，タング
ステン合金，金，銅，白金のうちの少くとも１つ、ある
いは、これらの積層構造から成る配線を用いても同様な
効果が得られる。
【００３６】次に本発明の第３の実施例について、図面
を参照して説明する。図７は本発明の第３及び第４の実
施例であるプラズマ化学気相成長法によるフッ素含有シ
リコン酸化膜形成のための成膜装置の概略図である。同
図において、反応室７０１は一定圧力になるように排気
されており、流量コントローラ７０８を介してオゾン発
生器７０７にＯ2 ガスが導入され、オゾン／Ｏ2 混合ガ
スが反応室内に供給される。また、バブラー７１４，７
１５，７１６，７１７には、それぞれテトラエチルオル
ソシリケート（ＴＥＯＳ），フルオロアルコキシシラ
ン，純水，高沸点溶剤が充填されている。これらのガス
ソース材料は、それぞれ流量コントローラ７１０，７１
１，７１２，７１３でコントロールされたＮ2 ガスによ
ってバブリングを行うことができる。反応室内のカソー
ド電極７０３には１３，５６ＭＨｚの周波数を有する高
周波電力が供給される。また、この高周波電力は、パル
ス発生器７０６によって変調が可能であり、パルス上の
高周波電力をカソード電極７０３に供給できる。
を参照して説明する。図７は本発明の第３及び第４の実
施例であるプラズマ化学気相成長法によるフッ素含有シ
リコン酸化膜形成のための成膜装置の概略図である。同
図において、反応室７０１は一定圧力になるように排気
されており、流量コントローラ７０８を介してオゾン発
生器７０７にＯ2 ガスが導入され、オゾン／Ｏ2 混合ガ
スが反応室内に供給される。また、バブラー７１４，７
１５，７１６，７１７には、それぞれテトラエチルオル
ソシリケート（ＴＥＯＳ），フルオロアルコキシシラ
ン，純水，高沸点溶剤が充填されている。これらのガス
ソース材料は、それぞれ流量コントローラ７１０，７１
１，７１２，７１３でコントロールされたＮ2 ガスによ
ってバブリングを行うことができる。反応室内のカソー
ド電極７０３には１３，５６ＭＨｚの周波数を有する高
周波電力が供給される。また、この高周波電力は、パル
ス発生器７０６によって変調が可能であり、パルス上の
高周波電力をカソード電極７０３に供給できる。
【００３７】また、アノード電極７０２は接地されてお
り、加熱用ヒータ７０４によって半導体基板７０５は一
定温度に保たれている。本実施例では、フルオロトリノ
ルマルプロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ
3 Ｈ7 ）3 〕とエトラエチルオルソシリケート〔ＴＥＯ
Ｓ，Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕と、純水とをガスソースと
して用いて、フッ素含有シリコン酸化膜を形成した。フ
ルオロトリノルマルプロポキシシラン，テトラエチルオ
ルソシリケート，純水のバブラーをそれぞれ４０℃，４
０℃，３５℃に固定し、バブリング用Ｎ2 ガス流量をそ
れぞれ１００ｓｃｃｍ，１００ｓｃｃｍ，３００ｓｃｃ
ｍとし、反応室内に導入し、反応室内圧力を１０Ｔｏｒ
ｒに固定した。高周波電力は３００Ｗとし、連続的に印
加した。また、基板温度は１００℃とした。これらの条
件を用いて、厚さ約１μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パタ
ーンを有する半導体基板上に、厚さ約０．５μｍのフッ
素含有シリコン酸化膜を形成したところ、配線スペース
間隔０．４μｍのパターンにおいて、実施例１と同様に
良好なフロー性が得られた。さらに、厚さ約１μｍのフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成したところ、配線スペー
ス間隔０．４μｍのパターンのスペース部に空洞は全く
発生しなかった。本実施例でも、実施例１と同様な工程
で層間絶縁膜を形成したところ、同様に良好な平坦性が
得られ、かつ配線間スペース部に空洞は全くなく、層間
絶縁膜に亀裂ば全くないものであった。また、フッ素の
触媒作用により、縮重合反応が促進されるため残留ＯＨ
基は少なく、またプラズマ中での活性種の基板表面への
衝突により、より緻密なフッ素含有シリコン酸化膜が形
成できた。
り、加熱用ヒータ７０４によって半導体基板７０５は一
定温度に保たれている。本実施例では、フルオロトリノ
ルマルプロポキシシラン〔ＦＳｉ（ｎ−ＯＣ
3 Ｈ7 ）3 〕とエトラエチルオルソシリケート〔ＴＥＯ
Ｓ，Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕と、純水とをガスソースと
して用いて、フッ素含有シリコン酸化膜を形成した。フ
ルオロトリノルマルプロポキシシラン，テトラエチルオ
ルソシリケート，純水のバブラーをそれぞれ４０℃，４
０℃，３５℃に固定し、バブリング用Ｎ2 ガス流量をそ
れぞれ１００ｓｃｃｍ，１００ｓｃｃｍ，３００ｓｃｃ
ｍとし、反応室内に導入し、反応室内圧力を１０Ｔｏｒ
ｒに固定した。高周波電力は３００Ｗとし、連続的に印
加した。また、基板温度は１００℃とした。これらの条
件を用いて、厚さ約１μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パタ
ーンを有する半導体基板上に、厚さ約０．５μｍのフッ
素含有シリコン酸化膜を形成したところ、配線スペース
間隔０．４μｍのパターンにおいて、実施例１と同様に
良好なフロー性が得られた。さらに、厚さ約１μｍのフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成したところ、配線スペー
ス間隔０．４μｍのパターンのスペース部に空洞は全く
発生しなかった。本実施例でも、実施例１と同様な工程
で層間絶縁膜を形成したところ、同様に良好な平坦性が
得られ、かつ配線間スペース部に空洞は全くなく、層間
絶縁膜に亀裂ば全くないものであった。また、フッ素の
触媒作用により、縮重合反応が促進されるため残留ＯＨ
基は少なく、またプラズマ中での活性種の基板表面への
衝突により、より緻密なフッ素含有シリコン酸化膜が形
成できた。
【００３８】本実施例において、フルオロアルコキシシ
ランとフルオロトリノルマルプロポキシシランを用いて
いるが、これは、成長温度を下げることによって、フル
オロメトキシシラン、フルオロエトキシシラン、フルオ
ロプロポキシシラン、フルオロブトキシシランのうちの
少くとも１つを用いることができる。また、本実施例で
は、酸化性ガスのソース材料として純水を用いている
が、これは、純水、酸素、オゾン、２窒化酸素のうちの
少なくとも１つを用いることができる。また、テトラエ
チルオルソシリケートの添加量としては、５〜９５体積
％の範囲が好ましい。本実施例では、テトラエチルオル
ソシリケート（ＴＥＯＳ）を添加しているが、ＴＥＯＳ
を添加しなくても同様な効果が得られる。さらにまた、
高沸点溶剤を添加することも可能であり、よりフロー性
が高まるものである。また、成膜温度は２５０℃以下で
良く、好ましくは、１００℃以下が良い。
ランとフルオロトリノルマルプロポキシシランを用いて
いるが、これは、成長温度を下げることによって、フル
オロメトキシシラン、フルオロエトキシシラン、フルオ
ロプロポキシシラン、フルオロブトキシシランのうちの
少くとも１つを用いることができる。また、本実施例で
は、酸化性ガスのソース材料として純水を用いている
が、これは、純水、酸素、オゾン、２窒化酸素のうちの
少なくとも１つを用いることができる。また、テトラエ
チルオルソシリケートの添加量としては、５〜９５体積
％の範囲が好ましい。本実施例では、テトラエチルオル
ソシリケート（ＴＥＯＳ）を添加しているが、ＴＥＯＳ
を添加しなくても同様な効果が得られる。さらにまた、
高沸点溶剤を添加することも可能であり、よりフロー性
が高まるものである。また、成膜温度は２５０℃以下で
良く、好ましくは、１００℃以下が良い。
【００３９】次に本発明の第４の実施例を図面を参照し
て説明する。本実施例では、フルオロアルコキシシラン
として、フルオロトリノルマルプロポキシシラン〔ＦＳ
ｉ（ｎ・ＯＣ3 Ｈ7 ）3 〕と、テトラエチルオルソシリ
ケート〔ＴＥＯＳ，Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕とオゾンと
をガスソースとして用い、図７に示すプラズマ化学気相
成長装置を用いて高周波電力を一定の周期で断続的に印
加し、フッ素含有シリコン酸化膜を形成した。フルオロ
トリノルマルプロポキシシラン，テトラエチルオルソシ
リケートを、それぞれバブラー７１５，７１４に充てん
し、それぞれの温度を４０℃として、バブリング用Ｎ2
ガス流量を、流量コントローラー７１１，７１０でそれ
ぞれ１００ｓｃｃｍに固定し、ソースガスを反応室内に
導入した。同時に、Ｏ2 ガスを流量コントローラー７０
８で、流量を５００ｓｃｃｍにコントロールし、オゾン
発生器７０７に導入し、約２体積％のオゾンを発生さ
せ、反応室内に導入した。反応室内圧力は約１５Ｔｏｒ
ｒとした。高周波電力を３００Ｗとし、パルス発生器７
０６によって、断続的に高周波電力を印加した。ここ
で、パルスのＯＮ，ＯＦＦ時間をそれぞれＴON＝６ｍｓ
ｅｃ，ＴOFF ＝９ｍｓｅｃとし、デューティ〔ＴON÷
（ＴON＋ＴOFF ）×１００％〕を４０％とした。また、
基板温度は１００℃とした。これらの条件を用いて厚さ
約１μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パターンを有する半導
体基板上に厚さ約０．５μｍのフッ素含有シリコン酸化
膜を形成したところ、配線スペース間隔０．４μｍのパ
ターンにおいて、実施例３よりもさらに良好なフロー性
が得られた。これは、断続的に高周波電力を加えること
によって、ＳｉＯ2 の中間体の基板表面での流動時間が
長くなるためと考えられる。さらに、同様に厚さ約１μ
ｍのフッ素含有シリコン酸化膜をＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線
パターンを有する半導体基板上に形成したところ、配線
スペース間隔０．４μｍのパターンのスペース部に空洞
の発生は全くないものであった。
て説明する。本実施例では、フルオロアルコキシシラン
として、フルオロトリノルマルプロポキシシラン〔ＦＳ
ｉ（ｎ・ＯＣ3 Ｈ7 ）3 〕と、テトラエチルオルソシリ
ケート〔ＴＥＯＳ，Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕とオゾンと
をガスソースとして用い、図７に示すプラズマ化学気相
成長装置を用いて高周波電力を一定の周期で断続的に印
加し、フッ素含有シリコン酸化膜を形成した。フルオロ
トリノルマルプロポキシシラン，テトラエチルオルソシ
リケートを、それぞれバブラー７１５，７１４に充てん
し、それぞれの温度を４０℃として、バブリング用Ｎ2
ガス流量を、流量コントローラー７１１，７１０でそれ
ぞれ１００ｓｃｃｍに固定し、ソースガスを反応室内に
導入した。同時に、Ｏ2 ガスを流量コントローラー７０
８で、流量を５００ｓｃｃｍにコントロールし、オゾン
発生器７０７に導入し、約２体積％のオゾンを発生さ
せ、反応室内に導入した。反応室内圧力は約１５Ｔｏｒ
ｒとした。高周波電力を３００Ｗとし、パルス発生器７
０６によって、断続的に高周波電力を印加した。ここ
で、パルスのＯＮ，ＯＦＦ時間をそれぞれＴON＝６ｍｓ
ｅｃ，ＴOFF ＝９ｍｓｅｃとし、デューティ〔ＴON÷
（ＴON＋ＴOFF ）×１００％〕を４０％とした。また、
基板温度は１００℃とした。これらの条件を用いて厚さ
約１μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線パターンを有する半導
体基板上に厚さ約０．５μｍのフッ素含有シリコン酸化
膜を形成したところ、配線スペース間隔０．４μｍのパ
ターンにおいて、実施例３よりもさらに良好なフロー性
が得られた。これは、断続的に高周波電力を加えること
によって、ＳｉＯ2 の中間体の基板表面での流動時間が
長くなるためと考えられる。さらに、同様に厚さ約１μ
ｍのフッ素含有シリコン酸化膜をＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線
パターンを有する半導体基板上に形成したところ、配線
スペース間隔０．４μｍのパターンのスペース部に空洞
の発生は全くないものであった。
【００４０】本方法を、実施例１と同様に、図４，５に
示す工程で、層間絶縁膜を形成したところ、同様に良好
な平坦性が得られ、かつ、配線間スペース部に空洞は全
くなく、層間絶縁膜に亀裂は全くないものであった。ま
た、実施例３と同様に残留ＯＨ基は少なく、緻密なフッ
素含有シリコン酸化膜が形成できた。
示す工程で、層間絶縁膜を形成したところ、同様に良好
な平坦性が得られ、かつ、配線間スペース部に空洞は全
くなく、層間絶縁膜に亀裂は全くないものであった。ま
た、実施例３と同様に残留ＯＨ基は少なく、緻密なフッ
素含有シリコン酸化膜が形成できた。
【００４１】本実施例においても、実施例３と同様に、
フルオロアルコキシシランとしてフルオロトリノルマル
プロポキシシランを用いているが、これは、成長温度を
下げることにより、フルオロメトキシシラン，フルオロ
エトキシシラン，フルオロプロポキシシラン，フルオロ
ブトキシシランのうちの少なくとも１つを用いることが
できる。また、酸化性ガスとしては、オゾン／酸素の混
合ガスを用いているが、これ以外にも、ガスソース材料
として、純水，酸素，２窒化酸素及びこれらの混合物を
用いることができる。また、テトラエチルオルソシリケ
ートの添加量としては５〜９５体積％の範囲が好まし
い。本実施例では、テトラエチルオルソシリケートを添
加しているが、これは、添加しなくても同様な効果が得
られる。さらに、テトラエチルオルソシリケート以外の
アルコキシシラン，アルキルアルコキシシラン，有機シ
ロキサン，有機シランを添加しても同様な効果が得られ
る。また高沸点溶剤を添加することも可能であり、より
フロー性が高まるものである。また、成膜温度は２５０
℃以下で良く、好ましくは１００℃以下が良い。さら
に、断続的に高周波電力を印加するためのパルスのデュ
ーティは、１０〜７０％の範囲が好ましい。
フルオロアルコキシシランとしてフルオロトリノルマル
プロポキシシランを用いているが、これは、成長温度を
下げることにより、フルオロメトキシシラン，フルオロ
エトキシシラン，フルオロプロポキシシラン，フルオロ
ブトキシシランのうちの少なくとも１つを用いることが
できる。また、酸化性ガスとしては、オゾン／酸素の混
合ガスを用いているが、これ以外にも、ガスソース材料
として、純水，酸素，２窒化酸素及びこれらの混合物を
用いることができる。また、テトラエチルオルソシリケ
ートの添加量としては５〜９５体積％の範囲が好まし
い。本実施例では、テトラエチルオルソシリケートを添
加しているが、これは、添加しなくても同様な効果が得
られる。さらに、テトラエチルオルソシリケート以外の
アルコキシシラン，アルキルアルコキシシラン，有機シ
ロキサン，有機シランを添加しても同様な効果が得られ
る。また高沸点溶剤を添加することも可能であり、より
フロー性が高まるものである。また、成膜温度は２５０
℃以下で良く、好ましくは１００℃以下が良い。さら
に、断続的に高周波電力を印加するためのパルスのデュ
ーティは、１０〜７０％の範囲が好ましい。
【００４２】第３，第４の実施例では、周波数１３．５
６ＭＨｚの高周波電力を用いる平行平板型のプラズマＣ
ＶＤ装置を用いてフッ素含有シリコン酸化膜を形成して
いるが、本発明は、これ以外でも、マイクロ波を用いる
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によるプラズマＣＶ
Ｄ法、あるいは、光化学気相成長法を用いることができ
る。
６ＭＨｚの高周波電力を用いる平行平板型のプラズマＣ
ＶＤ装置を用いてフッ素含有シリコン酸化膜を形成して
いるが、本発明は、これ以外でも、マイクロ波を用いる
電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によるプラズマＣＶ
Ｄ法、あるいは、光化学気相成長法を用いることができ
る。
【００４３】図９は、本発明のさらに他の実施例を説明
するための化学気相成長装置の概略図である。
するための化学気相成長装置の概略図である。
【００４４】同図において、Ｏ2 ガスを流量コントロー
ラー９０６で制御し、オゾン発生器９０５に導入し、オ
ゾンを発生させてディスパージョンヘッド９０４から反
応領域に導入する。同時に、Ｎ2 ガスを流量コントロー
ラー９０８で制御し、一定の温度に保たれたバブラー９
１０に導入し、ＴＥＯＳを気化させた後、ディスパージ
ョンヘッド９０４から、反応領域に導入する。本発明に
おいては、反応系に流量コントローラー９０９で制御し
たＳｉＦ4 ガスを混合する。このハロゲンガスはＳｉＦ
4 ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＳｉＯ2 ＋４ＨＦの化学反応を起こすの
で、酸化シリコン膜の反応系に添加することで、問題と
されている膜中水分量を従来の３分の１以下にまで減少
させることができる。同時に発生するＨＦはダクトで強
制的に排気されるので、反応が（ＳｉＦ4 ＋２Ｈ2 Ｏ）
系に戻るという問題はない。この新酸化膜の深さ方向の
元素分析を行ったところフッ素原子は検出されなかっ
た。これらのガスは反応領域で混合され、加熱用ヒータ
ー９０３で一定の温度に保たれたサセプター１０２上に
ある半導体基板９０１上で成膜される。
ラー９０６で制御し、オゾン発生器９０５に導入し、オ
ゾンを発生させてディスパージョンヘッド９０４から反
応領域に導入する。同時に、Ｎ2 ガスを流量コントロー
ラー９０８で制御し、一定の温度に保たれたバブラー９
１０に導入し、ＴＥＯＳを気化させた後、ディスパージ
ョンヘッド９０４から、反応領域に導入する。本発明に
おいては、反応系に流量コントローラー９０９で制御し
たＳｉＦ4 ガスを混合する。このハロゲンガスはＳｉＦ
4 ＋２Ｈ2 Ｏ＝ＳｉＯ2 ＋４ＨＦの化学反応を起こすの
で、酸化シリコン膜の反応系に添加することで、問題と
されている膜中水分量を従来の３分の１以下にまで減少
させることができる。同時に発生するＨＦはダクトで強
制的に排気されるので、反応が（ＳｉＦ4 ＋２Ｈ2 Ｏ）
系に戻るという問題はない。この新酸化膜の深さ方向の
元素分析を行ったところフッ素原子は検出されなかっ
た。これらのガスは反応領域で混合され、加熱用ヒータ
ー９０３で一定の温度に保たれたサセプター１０２上に
ある半導体基板９０１上で成膜される。
【００４５】この用に成膜された新酸化膜を半導体装置
に適用した図が以下に示す図１１，図１２である。図１
１（ａ）に示すように、半導体基板上１１０１の上に、
常圧気相成長法によりＢＰＳＧ膜を０．５μｍの厚さに
堆積した後、９００℃の窒素ガス雰囲気中で３０分間の
熱処理を行い配線下絶縁膜１１０２を形成する。次に、
配線下絶縁膜１１０２の上に銅及びシリコンを含有する
アルミニウム膜をスパッタリング法により１μｍの厚さ
で堆積して、パターニングし、配線１１０３を形成す
る。次に、配線１１０３を含む表面に平行平板型枚葉式
プラズマ化学気相成長装置を用いて、基板温度３７５
℃、圧力１，０Ｔｏｒｒ、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力２Ｗ／ｃｍ2 の条件で、ＴＥＯＳと酸素ガスを用い
て、０．４μｍのプラズマテオス膜１１０４を形成す
る。
に適用した図が以下に示す図１１，図１２である。図１
１（ａ）に示すように、半導体基板上１１０１の上に、
常圧気相成長法によりＢＰＳＧ膜を０．５μｍの厚さに
堆積した後、９００℃の窒素ガス雰囲気中で３０分間の
熱処理を行い配線下絶縁膜１１０２を形成する。次に、
配線下絶縁膜１１０２の上に銅及びシリコンを含有する
アルミニウム膜をスパッタリング法により１μｍの厚さ
で堆積して、パターニングし、配線１１０３を形成す
る。次に、配線１１０３を含む表面に平行平板型枚葉式
プラズマ化学気相成長装置を用いて、基板温度３７５
℃、圧力１，０Ｔｏｒｒ、１３．５６ＭＨｚの高周波電
力２Ｗ／ｃｍ2 の条件で、ＴＥＯＳと酸素ガスを用い
て、０．４μｍのプラズマテオス膜１１０４を形成す
る。
【００４６】上記の条件でプラズマテオス膜１１０４を
形成後、続いて、図１１（ｂ）に示すように、平行平板
型枚葉式常圧気相成長装置を用い、基板温度４００℃、
ＴＥＯＳ流量５０ｓｃｃｍ、ＳｉＦ4 流量５０ｓｃｃ
ｍ、オゾン流量４００ｓｃｃｍの条件で、厚さ０．８μ
ｍの新酸化膜１１０５を堆積する。
形成後、続いて、図１１（ｂ）に示すように、平行平板
型枚葉式常圧気相成長装置を用い、基板温度４００℃、
ＴＥＯＳ流量５０ｓｃｃｍ、ＳｉＦ4 流量５０ｓｃｃ
ｍ、オゾン流量４００ｓｃｃｍの条件で、厚さ０．８μ
ｍの新酸化膜１１０５を堆積する。
【００４７】さらに、図１１（ｃ）に示すように、新酸
化膜１１０５の上にスピン塗布法により有機シリカ膜１
１０６を約１μｍの厚さで形成する。
化膜１１０５の上にスピン塗布法により有機シリカ膜１
１０６を約１μｍの厚さで形成する。
【００４８】次に、図１１（ｄ）に示すように、平行平
板型バッチ式反応性イオンエッチング装置を用い、ＣＦ
4 ガス流量１００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス流量１５ｓｃｃ
ｍ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨｚ、な
らびに高周波電力０．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で、有機シリ
カ膜１１０６の全部及び新酸化膜１１０５の表面の一部
をエッチバックして新酸化膜１１０５の表面を平坦化す
る。ここで、新酸化膜１１０５のエッチングレートを有
機シリカ膜１１０６のエッチングレートとほぼ同じにす
るか、又はやや大きくする。
板型バッチ式反応性イオンエッチング装置を用い、ＣＦ
4 ガス流量１００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス流量１５ｓｃｃ
ｍ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨｚ、な
らびに高周波電力０．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で、有機シリ
カ膜１１０６の全部及び新酸化膜１１０５の表面の一部
をエッチバックして新酸化膜１１０５の表面を平坦化す
る。ここで、新酸化膜１１０５のエッチングレートを有
機シリカ膜１１０６のエッチングレートとほぼ同じにす
るか、又はやや大きくする。
【００４９】最後に、図１１（ｅ）に示すように、平坦
化された新酸化膜１１０７の上にプラズマテオス膜１１
０８を０．４μｍの厚さで堆積する。
化された新酸化膜１１０７の上にプラズマテオス膜１１
０８を０．４μｍの厚さで堆積する。
【００５０】一方、図１２においては、図１２（ａ）に
示すように半導体基板上１２０１の上に、常圧気相成長
法によりＢＰＳＧ膜を０．５μｍの厚さに堆積した後、
９００℃の窒素ガス雰囲気中で３０分間の熱処理を行い
配線下絶縁膜１２０２を形成する。次に、配線下絶縁膜
１２０２の上に銅及びシリコンを含有するアルミニウム
膜をスパッタリング法により１μｍの厚さで堆積して、
パターニングし、配線１２０３を形成する。続いて、平
行平板型枚葉式常圧気相成長装置を用い、基板温度４０
０℃、ＴＥＯＳ流量５０ｓｃｃｍ、ＳｉＦ4 流量５０ｓ
ｃｃｍ、オゾン流量４００ｓｃｃｍの条件で、厚さ０．
８μｍの新酸化膜１２０４を堆積する。さらに、図１２
（ｂ）に示すように、新酸化膜１２０４の上にスピン塗
布法により有機シリカ膜１２０５を約１μｍの厚さで形
成する。
示すように半導体基板上１２０１の上に、常圧気相成長
法によりＢＰＳＧ膜を０．５μｍの厚さに堆積した後、
９００℃の窒素ガス雰囲気中で３０分間の熱処理を行い
配線下絶縁膜１２０２を形成する。次に、配線下絶縁膜
１２０２の上に銅及びシリコンを含有するアルミニウム
膜をスパッタリング法により１μｍの厚さで堆積して、
パターニングし、配線１２０３を形成する。続いて、平
行平板型枚葉式常圧気相成長装置を用い、基板温度４０
０℃、ＴＥＯＳ流量５０ｓｃｃｍ、ＳｉＦ4 流量５０ｓ
ｃｃｍ、オゾン流量４００ｓｃｃｍの条件で、厚さ０．
８μｍの新酸化膜１２０４を堆積する。さらに、図１２
（ｂ）に示すように、新酸化膜１２０４の上にスピン塗
布法により有機シリカ膜１２０５を約１μｍの厚さで形
成する。
【００５１】次に、図１２（ｃ）に示すように、平行平
板型バッチ式反応性イオンエッチング装置を用い、ＣＦ
4 ガス流量１００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス流量１５ｓｃｃ
ｍ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨｚ、な
らびに高周波電力０．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で、有機シリ
カ膜１２０５の全部及び新酸化膜１２０４の表面の一部
をエッチバックして新酸化膜１２０４の表面を平坦化す
る。ここで、新酸化膜１２０４のエッチングレートを有
機シリカ膜１２０５のエッチングレートとほぼ同じにす
るか、又はやや大きくする。
板型バッチ式反応性イオンエッチング装置を用い、ＣＦ
4 ガス流量１００ｓｃｃｍ、Ｏ2 ガス流量１５ｓｃｃ
ｍ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、周波数１３．５６ＭＨｚ、な
らびに高周波電力０．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で、有機シリ
カ膜１２０５の全部及び新酸化膜１２０４の表面の一部
をエッチバックして新酸化膜１２０４の表面を平坦化す
る。ここで、新酸化膜１２０４のエッチングレートを有
機シリカ膜１２０５のエッチングレートとほぼ同じにす
るか、又はやや大きくする。
【００５２】最後に、図１２（ｄ）に示すように、平坦
化された新酸化膜１２０６の上にプラズマテオス膜１２
０７を０．４μｍの厚さで堆積する。
化された新酸化膜１２０６の上にプラズマテオス膜１２
０７を０．４μｍの厚さで堆積する。
【００５３】図１０は、本発明のさらに他の実施例を説
明するための化学気相成長装置の概略図である。
明するための化学気相成長装置の概略図である。
【００５４】同図において、Ｏ2 ガスを流量コントロー
ラー１００６で制御し、オゾン発生期１００５に導入
し、オゾンを発生させてディスパージョンヘッド１００
４から反応領域に導入する。同時に、Ｎ2 ガスを流量コ
ントローラー１００８で制御し、一定の温度に保たれた
バブラーを１０１０に導入し、ＴＥＯＳを気化させた
後、ディスパージョンヘッド１００４から、反応領域に
導入する。ここでＴＥＯＳを反応領域に導入する時に、
流量コントローラー１００９で制御されたＮ2 ガスを、
一定の温度に保たれたバブラー１０１１に導入してＴＥ
ＦＳを添加する。このＴＥＦＳはパルス状添加バルブ２
１２によって、１０秒間隔でディスパージョンヘッド１
００４から、反応領域に導入される。このＴＥＦＳパル
ス状添加によって、従来の化学気相成長法で含まれてい
るフッ素原子の酸化シリコン膜中の割合が従来の２分の
１まで減少される。これにより、従来、異原子であるフ
ッ素原子の含有で問題とされるリーク電流とエッチング
レートの増加の抑制が、段差被覆性を維持したまま達成
される。
ラー１００６で制御し、オゾン発生期１００５に導入
し、オゾンを発生させてディスパージョンヘッド１００
４から反応領域に導入する。同時に、Ｎ2 ガスを流量コ
ントローラー１００８で制御し、一定の温度に保たれた
バブラーを１０１０に導入し、ＴＥＯＳを気化させた
後、ディスパージョンヘッド１００４から、反応領域に
導入する。ここでＴＥＯＳを反応領域に導入する時に、
流量コントローラー１００９で制御されたＮ2 ガスを、
一定の温度に保たれたバブラー１０１１に導入してＴＥ
ＦＳを添加する。このＴＥＦＳはパルス状添加バルブ２
１２によって、１０秒間隔でディスパージョンヘッド１
００４から、反応領域に導入される。このＴＥＦＳパル
ス状添加によって、従来の化学気相成長法で含まれてい
るフッ素原子の酸化シリコン膜中の割合が従来の２分の
１まで減少される。これにより、従来、異原子であるフ
ッ素原子の含有で問題とされるリーク電流とエッチング
レートの増加の抑制が、段差被覆性を維持したまま達成
される。
【００５５】図１０の化学気相成長装置を用いても、実
施例５で述べた図１１，図１２の２種類の半導体装置を
同様に製造できることはいうまでもない。
施例５で述べた図１１，図１２の２種類の半導体装置を
同様に製造できることはいうまでもない。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、炭素数
３以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシラン
と酸化性ガスを用いる化学気相成長法によって、フロー
性が高い、すなわち微細配線スペース間の埋込性に優れ
た層間絶縁膜の形成が可能となる。さらに、本発明は、
炭素数１以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシ
シランと酸化性ガスを用いる化学気相成長法において、
沸点が９０℃以上の高沸点溶剤を添加せしめることによ
っても、同様なフロー性を付与せしめることが化膿とな
り、配線スペース間の埋込性に優れた層間絶縁膜の形成
が可能となる。また、形成したフッ素含有シリコン酸化
膜の残留水分量は十分少なく、かつ吸湿量も従来の１／
４以下となり、デバイス特性の劣化が２％以下におさえ
られるという効果を有している。さらにまた、本発明の
フルオロアルコキシシランと酸化性ガスとを用いる化学
気相成長法において、テトラエチルオルソシリケート等
のアルコキシシラン，アルキルアルコキシシラン，有機
シロキサン，有機シランのうちの少なくとも１つを添加
せしめても同様な効果が得られる。
３以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシシラン
と酸化性ガスを用いる化学気相成長法によって、フロー
性が高い、すなわち微細配線スペース間の埋込性に優れ
た層間絶縁膜の形成が可能となる。さらに、本発明は、
炭素数１以上のアルキル基を有するフルオロアルコキシ
シランと酸化性ガスを用いる化学気相成長法において、
沸点が９０℃以上の高沸点溶剤を添加せしめることによ
っても、同様なフロー性を付与せしめることが化膿とな
り、配線スペース間の埋込性に優れた層間絶縁膜の形成
が可能となる。また、形成したフッ素含有シリコン酸化
膜の残留水分量は十分少なく、かつ吸湿量も従来の１／
４以下となり、デバイス特性の劣化が２％以下におさえ
られるという効果を有している。さらにまた、本発明の
フルオロアルコキシシランと酸化性ガスとを用いる化学
気相成長法において、テトラエチルオルソシリケート等
のアルコキシシラン，アルキルアルコキシシラン，有機
シロキサン，有機シランのうちの少なくとも１つを添加
せしめても同様な効果が得られる。
【００５７】したがって、本発明は、ＶＬＳＩデバイス
の多層配線用の平坦化層間絶縁膜形成に有益である。
の多層配線用の平坦化層間絶縁膜形成に有益である。
【００５８】さらに、本発明は、配線を含む表面上に絶
縁膜が形成される化学気相成長法において、該絶縁膜が
有機シラン・オゾン系にハロゲン化無機物を添加し、副
生成ガスＨＦをダクトで強制的に排気して酸化シリコン
膜を形成する方法であるので、フッ素原子を全く含まず
に膜中の水分を完全に零に近い状態まで減少させること
ができる。また、もう一つの発明はハロゲンを含む有機
シランをパルス状に添加した酸化シリコン膜を形成する
化学気相成長方法であるので、従来技術に比べてフッ素
原子の割合が減少する。
縁膜が形成される化学気相成長法において、該絶縁膜が
有機シラン・オゾン系にハロゲン化無機物を添加し、副
生成ガスＨＦをダクトで強制的に排気して酸化シリコン
膜を形成する方法であるので、フッ素原子を全く含まず
に膜中の水分を完全に零に近い状態まで減少させること
ができる。また、もう一つの発明はハロゲンを含む有機
シランをパルス状に添加した酸化シリコン膜を形成する
化学気相成長方法であるので、従来技術に比べてフッ素
原子の割合が減少する。
【００５９】従って、ＴＥＯＳ膜及びＴＥＦＳ膜の良好
な段差被覆性を維持したままで、ボイドの発生なく、酸
化シリコン膜中の水分、並びにフッ素原子がリーク電流
とエッチングレートを増加させるという膜質の信頼性低
下の問題を抑制することができる。
な段差被覆性を維持したままで、ボイドの発生なく、酸
化シリコン膜中の水分、並びにフッ素原子がリーク電流
とエッチングレートを増加させるという膜質の信頼性低
下の問題を抑制することができる。
【図１】本発明の第１及び第２の実施例である多層配線
層間絶縁膜形成のために用いた化学気相成長装置の概略
図。
層間絶縁膜形成のために用いた化学気相成長装置の概略
図。
【図２】本発明の第１の実施例の効果を示す図であり、
フッ素含有シリコン酸化膜と水平面との角度θｄと、配
線側面と水平面との角度θｍの比θｄ／θｍを示す図。
フッ素含有シリコン酸化膜と水平面との角度θｄと、配
線側面と水平面との角度θｍの比θｄ／θｍを示す図。
【図３】本発明に基づいて形成したフッ素含有シリコン
酸化膜の赤外吸収スペクトル。
酸化膜の赤外吸収スペクトル。
【図４】本発明の半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形
成方法を示す工程断面図。
成方法を示す工程断面図。
【図５】本発明の実施例を示す工程断面図。
【図６】本発明の第２の実施例で形成したフッ素含有シ
リコン酸化膜の赤外吸収スペクトル。
リコン酸化膜の赤外吸収スペクトル。
【図７】本発明の第３及び第４の実施例である多層配線
層間絶縁膜形成のために用いた化学気相成長装置の概略
図。
層間絶縁膜形成のために用いた化学気相成長装置の概略
図。
【図８】従来技術で用いられているプラズマ化学気相成
長装置の概略図。
長装置の概略図。
【図９】本発明の実施例５による化学気相成長装置の概
略図。
略図。
【図１０】本発明の実施例６による化学気相成長装置の
概略図。
概略図。
【図１１】本発明の実施例５，６による半導体装置の一
製造方法を示す縦断面図。
製造方法を示す縦断面図。
【図１２】本発明の実施例５，６による半導体装置のも
う一つの製造方法を示す縦断面図。
う一つの製造方法を示す縦断面図。
１０１ 半導体基板 １０２ 加熱用ヒータ １０３ サセプター １０４ ディスパージョンヘッド １０５ オゾン発生器 １０６ 流量コントローラー（Ｏ2 ガス） １０７ 流量コントローラー（Ｎ2 ガス） １０８ 流量コントローラー（テトラエチルカレソシ
リケート） １０９ 流量コントローラー（フルオロアルコキシシ
ラン） １１０ 流量コントローラー（純水） １１１ 流量コントローラー（高融点溶剤） １１２ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） １１３ バブラー（フルオロアルコキシシラン） １１４ バブラー（純水） １１５ バブラー（高融点溶剤） ４０１，５０１ 半導体基板 ４０２，５０２ 絶縁膜（ＳｉＯ2 膜） ４０３，５０３ アルミニウム配線層 ４０４，５０４ 第１のプラズマＣＶＤシリコン酸化
膜 ４０５，５０５ フッ素含有シリコン酸化膜 ４０６，５０６ 第２のプラズマＣＶＤシリコン酸化
膜 ７０１ 反応室 ７０２ アノード電極 ７０３ カソード電極 ７０４ 加熱用ヒータ ７０５ 半導体基板 ７０６ パルス発生器 ７０７ オゾン発生器 ７０８ 流量コントローラー（Ｏ2 ガス） ７０９ 流量コントローラー（Ｎ2 ガス） ７１０ 流量コントローラー（テトラエチルオルソシ
リケート） ７１１ 流量コントローラー（フルオロアルコキシシ
ラン） ７１２ 流量コントローラー（純水） ７１３ 流量コントローラー（高沸点溶剤） ７１４ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） ７１５ バブラー（フルオロアルコキシシラン） ７１６ バブラー（純水） ７１７ バブラー（高沸点溶剤） ８０１ 反応室 ８０２ サセプター ８０３ ヒーターブロック ８０４ 半導体基板 ８０５ 分散盤 ８０６，８０６′ 絶縁物 ８０７，８０７′ 絶縁性配管 ８０８ インピーダンスマッチングチューナー ８０９ 高周波発振器
リケート） １０９ 流量コントローラー（フルオロアルコキシシ
ラン） １１０ 流量コントローラー（純水） １１１ 流量コントローラー（高融点溶剤） １１２ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） １１３ バブラー（フルオロアルコキシシラン） １１４ バブラー（純水） １１５ バブラー（高融点溶剤） ４０１，５０１ 半導体基板 ４０２，５０２ 絶縁膜（ＳｉＯ2 膜） ４０３，５０３ アルミニウム配線層 ４０４，５０４ 第１のプラズマＣＶＤシリコン酸化
膜 ４０５，５０５ フッ素含有シリコン酸化膜 ４０６，５０６ 第２のプラズマＣＶＤシリコン酸化
膜 ７０１ 反応室 ７０２ アノード電極 ７０３ カソード電極 ７０４ 加熱用ヒータ ７０５ 半導体基板 ７０６ パルス発生器 ７０７ オゾン発生器 ７０８ 流量コントローラー（Ｏ2 ガス） ７０９ 流量コントローラー（Ｎ2 ガス） ７１０ 流量コントローラー（テトラエチルオルソシ
リケート） ７１１ 流量コントローラー（フルオロアルコキシシ
ラン） ７１２ 流量コントローラー（純水） ７１３ 流量コントローラー（高沸点溶剤） ７１４ バブラー（テトラエチルオルソシリケート） ７１５ バブラー（フルオロアルコキシシラン） ７１６ バブラー（純水） ７１７ バブラー（高沸点溶剤） ８０１ 反応室 ８０２ サセプター ８０３ ヒーターブロック ８０４ 半導体基板 ８０５ 分散盤 ８０６，８０６′ 絶縁物 ８０７，８０７′ 絶縁性配管 ８０８ インピーダンスマッチングチューナー ８０９ 高周波発振器
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板上に、絶縁膜を介して下層配
線を形成する工程と、この下層配線上を含む全面に酸化
シリコンを主成分とする第１の絶縁膜を形成する工程
と、炭素数３以上のアルキル基を有するフルオロアルコ
キシシラン〔化学式：ＦｎＳｉ（ＯＲ）4-n ，ｎ：１，
２，３，Ｒ：炭素数３以上のアルキル基〕と酸化性ガス
を用いる化学気相成長法によって、フッ素含有シリコン
酸化膜を形成する工程と、続いて酸化シリコンを主成分
とする第２の絶縁膜を形成する工程とを有することを特
徴とする半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に、絶縁膜を介して下層配
線を形成する工程と、この下層配線上を含む全面に、酸
化シリコンを主成分とする第１の絶縁膜を形成する工程
と、炭素数１以上のアルキル基を有するフルオロアルコ
キシシラン〔化学式：ＦｎＳｉ（ＯＲ′）4-n ，ｎ＝
１，２，３，Ｒ′：炭素数１以上のアルキル基〕と酸化
性ガスを用いる化学気相成長法において、沸点が９０℃
以上の高沸点溶剤の蒸気を添加せしめることによってフ
ッ素含有シリコン酸化膜を形成する工程と、続いて酸化
シリコンを主成分とする第２の絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の多層配線層間絶
縁膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記フルオロアルコキシシランと酸化性
ガスを用いる化学気相成長法において、テトラアルコキ
シシラン〔化学式：Ｓｉ（ＯＲ″）4 ，Ｒ″：アルキル
基〕、アルキルアルコキシシラン（化学式：Ｒ″′n Ｓ
ｉ（ＯＲ″）4-n ，ｎ：１，２，３，Ｒ″，Ｒ″′：独
立にアルキル基〕，有機シロキサン，有機シランのうち
の少くとも１つを添加することを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項に記載の半導体装置の多層配線層
間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記フッ素含有シリコン酸化膜を形成し
た後に、エッチバック法，研磨法，塗布膜形成法のうち
の少くとも１つを用いる平坦化工程を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項，第２項又は第３項に記載
の半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記酸化性ガスは、水蒸気，オゾン，酸
素，２窒化酸素のうちの少くとも１つであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項，第２項又は第３項に記載
の半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記化学気相成長法は、熱化学気相成長
法，プラズマ化学気相成長法，光化学気相成長法のうち
の少くとも１つであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項，第２項，第３項又は第５項に記載の半導体装置
の多層配線層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項７】 前記プラズマ化学気相成長法は、高周波
電力を連続的、あるいは断続的に印加する方法、あるい
は、電子サイクロトロン共鳴を用いる方法のうちの１つ
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項，第２
項，第３項，第５項又は第６項に記載の半導体装置の多
層配線層間絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30419693A JPH07161705A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30419693A JPH07161705A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161705A true JPH07161705A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17930180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30419693A Pending JPH07161705A (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161705A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964029A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法 |
| JPH10173043A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体素子のコンタクトプラグ形成方法 |
| US6528410B1 (en) | 1996-06-03 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012028377A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2016178310A (ja) * | 2000-03-22 | 2016-10-06 | ジプトロニクス・インコーポレイテッド | 三次元デバイスの一体化方法および一体化されたデバイス |
| US10366962B2 (en) | 1999-10-01 | 2019-07-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| US11760059B2 (en) | 2003-05-19 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04360533A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Nec Corp | 化学気相成長法 |
| JPH0582451A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用気相反応装置 |
| JPH05163573A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Canon Inc | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| JPH05226480A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP30419693A patent/JPH07161705A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04360533A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Nec Corp | 化学気相成長法 |
| JPH0582451A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用気相反応装置 |
| JPH05226480A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05163573A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-06-29 | Canon Inc | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964029A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法 |
| US5800877A (en) * | 1995-08-18 | 1998-09-01 | Canon Sales Co., Inc. | Method for forming a fluorine containing silicon oxide film |
| KR100262053B1 (ko) * | 1995-08-18 | 2000-07-15 | 다케모토 히데하루 | 성막방법 |
| US6528410B1 (en) | 1996-06-03 | 2003-03-04 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| JPH10173043A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体素子のコンタクトプラグ形成方法 |
| US10366962B2 (en) | 1999-10-01 | 2019-07-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| JP2016178310A (ja) * | 2000-03-22 | 2016-10-06 | ジプトロニクス・インコーポレイテッド | 三次元デバイスの一体化方法および一体化されたデバイス |
| US11760059B2 (en) | 2003-05-19 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
| JP2012028377A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971216 |