JP2002538604A5

JP2002538604A5 -

Info

Publication number: JP2002538604A5
Application number: JP2000601683A
Authority: JP
Filing date: 2000-02-24
Publication date: 2007-04-05

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】Ｓｉ−Ｃ結合を含むポリマー層の処理方法であって、上記層を加熱して、水分を脱着させ、上記層を硬化させる工程、および上記加熱工程の間に上記層をプラズマに曝す工程を含む方法。
【請求項２】上記プラズマが水素プラズマである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】上記プラズマが上記加熱工程を通じて存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】上記層が電極上に支持されており、上記プラズマが、上記電極に接続された高周波電源によって少なくとも部分的に維持されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】上記電源が 400〜 750Ｗのものである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】上記プラズマが、上記層から間隔を空けられた電極に給電している高周波電源によって少なくとも部分的に維持されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】上記電力が 400〜 750Ｗで供給されている、請求項６に記載の方法。
【請求項８】上記プラズマが、誘導結合電源によって少なくとも部分的に維持されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】上記供給電力が 400〜 750Ｗである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】上記加熱工程が２〜４分間持続する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】上記加熱工程が３分間持続する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】上記層が、 350℃〜 500℃に加熱されるプラテン上に支持されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】（１）上記プラズマが、上記層を支持しているプラテンに接続された高周波電源によって維持され、上記電源が実質的に 600Ｗを提供し、
（２）上記プラズマが水素プラズマであり、
（３）上記プラテンが 400℃〜 500℃に加熱され、そして
（４）上記加熱工程が実質的に３分間持続する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】上記処理される層の誘電率が3.00未満である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】上記層が、上記プラズマによって、 300nm（ 3,000Å）を超える深さまで処理される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】上記層が、上記プラズマによって、60nm（ 600Å）未満の深さまで処理される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】上記層が、半導体ウェーハ上の絶縁層である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】上記処理方法により上記層における亀裂を低減する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】上記処理方法により上記層の湿式エッチング速度を改良する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。

ｋ値が低い材料の表面を上述のように処理する場合、少なくとも特定の場合には、今日まで使用されてきたキャッピング層を省くことが可能となり、そして、それにより、英国特許出願第 9904427.3号において述べられているかなり長いサイクルタイムを補償できる。