JP2000357683A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. 電磁波を第１板に供給し、第１板とこれに対向して配置した第２板との間の真空雰囲気にプラズマを生成させ、前記第２板の上に設置した基板を処理するプラズマ処理装置において、
   前記第１板の外周部に電磁波を伝播させる誘電体の窓を設け、この窓の中に、前記第１板と離して電気的導体もしくは誘電体製の電磁波分布補正体を、該電磁波分布補正体の少なくとも側面及び下面が前記真空雰囲気に露出しないようにして埋設したことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 真空を保持する真空チャンバと、該チャンバに所定の流量のガスを導入して所定の圧力を保持する機構と、導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する機構と、前記真空チャンバ内に前記電磁波を導入させる窓と、前記真空チャンバ内に磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置において、
   前記第１板の外周部に電磁波を伝播させる誘電体の窓を設け、この窓の中に、前記第１板と離して電気的導体もしくは誘電体製の電磁波分布補正体を、該電磁波分布補正体の少なくとも側面及び下面が前記真空チャンバに露出しないようにして埋設したことを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 電磁波を第１板に供給し、第１板とこれに対向して配置した第２板との間の真空雰囲気にプラズマを生成させ、前記第２板の上に設置した基板を処理するプラズマ処理方法において、
   前記第２板の上に基板が載置された雰囲気を真空雰囲気にするステップと、
   前記真空雰囲気にガスを導入するステップと、
   前記第１板の外周部に設けられ内部に前記第１板と離して電気的導体もしくは誘電体製の電磁波分布補正体が設けられた誘電体の窓を通して、前記真空雰囲気に、１００〜９００MHzの電磁波を導入し、プラズマを生成するステップと、
   該プラズマを利用して前記第２板の上に設置した前記基板をエッチングするステップと、
   前記基板を前記真空雰囲気から取り出すステップを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
4. 真空を保持する真空チャンバと、該真空チャンバに導入されたガスをプラズマ化するための電磁波を導入する機構と、前記真空チャンバ内に前記電磁波を導入させる誘電体の窓と、前記真空チャンバ内に磁場を生成する磁場発生機構とを備えたプラズマ処理装置による基板のプラズマ処理方法において、
   前記第２板の上に基板が載置された前記真空チャンバを真空排気するステップと、
   前記真空チャンバにガスを導入するステップと、
   前記第１板の外周部に設けられ内部に前記第１板と離して電気的導体もしくは誘電体製の電磁波分布補正体が設けられた前記窓を通して、前記真空雰囲気に、１００〜９００MHzの電磁波を導入し、プラズマを生成するステップと、
   該プラズマを利用して、前記第２板の上に設置した前記基板をエッチングするステップと、
   前記基板を前記真空チャンバから取り出すステップを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。