JP2008300687A5 - - Google Patents

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Claims (4)

  1. 真空引き可能になされた処理容器内で載置台上に載置された被処理体の表面に対してプラズマを用いてドープガス中に含まれる不純物元素をドープするようにしたプラズマドーピング方法において、
    前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加すると共に、前記処理容器内にマイクロ波を導入し、前記処理容器内に前記ドープガスを供給して前記マイクロ波によりプラズマを発生させ、前記ドープガス中の前記不純物元素を前記バイアス用の高周波電力により引き込むことにより前記被処理体の表面に前記不純物元素をドープさせ、前記不純物元素のドープされる深さが前記被処理体の表面から１０ｎｍ以下となるようにしたことを特徴とするプラズマドーピング方法。
  2. 前記被処理体の直上でのプラズマ電位は、８ボルト以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマドーピング方法。
  3. 前記マイクロ波は、ＲＬＳＡ方式の平面アンテナ部材より導入されることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマドーピング方法。
  4. 前記高周波電力は、０．２９Ｗ／ｃｍ ２ （＝２００／（３．１４×１５ ２ ））以下の大きさで印加されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプラズマドーピング方法。
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