JP2007158250A5 - - Google Patents
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- 遷移金属元素を含むゲート電極材料層および高誘電率ゲート絶縁層からなるＭＯＳトランジスタを備えた試料を真空処理容器内に設置した下部電極上に配置し、前記真空処理容器内に処理ガスを導入し、前記真空処理容器内に高周波電力を供給して前記導入した処理ガスをプラズマ化して前記試料表面にエッチング処理を施すプラズマエッチング処理方法において、前記ゲート電極材料層をエッチングする際、処理ガスとしてＨＣｌ混合ガス使用し、前記工誘電率ゲート絶縁層の露出に合わせて、前記下部電極に供給する高周波電力をゲート電極材料層エッチング時より低下させること特徴とするプラズマエッチング方法。
- 請求項１記載のプラズマエッチング方法において、前記下部電極に供給する低下されたイオン引き込み用の電力は３０ｍＷ／ｃｍ２以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
- 請求項１記載のプラズマエッチング方法において、
前記下部電極表面の試料表面に入射するイオンエネルギーの時間平均は５０Ｖ以下であることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項１記載のプラズマエッチング方法において、
遷移金属元素を含むゲート電極材料層はＴｉ，Ｔａ，Ｒｕ、Ｍｏの何れかを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項１記載のプラズマエッチング方法において、
高誘電率絶縁体からなる絶縁材料層はＨｆまたはＳｉを含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。
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| US6821907B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc | Etching methods for a magnetic memory cell stack |
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