JP2002504717A - エレクトロルミネッセントデバイス - Google Patents

エレクトロルミネッセントデバイス

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JP2002504717A JP2000532839A JP2000532839A JP2002504717A JP 2002504717 A JP2002504717 A JP 2002504717A JP 2000532839 A JP2000532839 A JP 2000532839A JP 2000532839 A JP2000532839 A JP 2000532839A JP 2002504717 A JP2002504717 A JP 2002504717A
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バローズ・ジェレミー・ヘンリー
睦 木村
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Abstract

(57)【要約】 有機発光デバイスは、複数の有機発光ピクセルを含む有機発光領域と、各々が個々のピクセルに関連付けされ、該ピクセルへの電力を切り換えるスイッチ手段と、関連付けされたピクセルからの発光が実質的に連続的に見えるようにするのに十分な周波数で第１の低電力モードと第２の高電力モードを繰り返すように各スイッチ手段を駆動する駆動手段とを備え、低電力モードに対する高電力モードの期間を可変としてピクセルの平均輝度を変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセントデバイスに関し、特に発光のために有機
材料を使用し、スイッチ回路に薄膜トランジスタを有するエレクトロルミネッセ
ントデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
１つの型式のエレクトロルミネッセントデバイスがPCT/WO90/13148に記載され
ており、その内容をここに参考に援用する。このデバイスの基本的構造は２つの
電極間に挟まれた発光ポリマーフィルム（例えば、ポリ（フェニレンビニレン）
−「PPV」）であり、２つの電極の一方は電子を注入し、他方は正孔を注入する 。電子および正孔はポリマーフィルムを励起し、光子を放出する。これらのデバ
イスはフラットパネルディスプレイとしての発展性がある。
【０００３】 別の型式の有機発光デバイスは小分子（ｓｍａｌｌ ｍｏｌｅｃｕｌｅ）デバ
イスであり、その詳細は米国特許第4,539,507号に記載されており、その内容を ここに参考に援用する。これらは発光層を有し、それは少なくとも２つの電極間
に挟まれたトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム「Alq3」などの小分
子（ｓｍａｌｌ ｍｏｌｅｃｕｌｅ）物質を含む。
【０００４】 有機発光デバイスにおいては、有機発光層は一般的に個々のピクセルに分割さ
れ、それらを流れる電流を変化させることにより発光状態と非発光状態を切り換
えることができる。ピクセルは一般的に直行する行と列に配列される。一般的に
はピクセルの制御のために２つの代替的な構成が使用される。それはパッシブマ
トリクスとアクティブマトリクスである。パッシブマトリクスデバイスでは、電
極の一方が行にパターン化され、他方が列にパターン化される。行と列の電極に
適当な電圧を印加することにより、その交差点にある各ピクセルが発光するよう
になる。アクティブマトリクスディスプレイでは、他のピクセルがアドレスされ
ている間に各ピクセルを発光状態にしておくことができる回路が設けられる。
【０００５】 図１は薄膜トランジスタ（「TFT」）アクティブマトリクスディスプレイ中の １つのピクセルを駆動するための回路を示す。その回路は、ダイオード１として
示されるピクセルそのものを有し、そのピクセルは電極２と３の間に接続される
。電極２と３はそのデバイスの全てのピクセルに接続され、ピクセルからの発光
に十分な電圧が電極２と３の間に常に印加される。実際には薄膜トランジスタと
して実現されるスイッチ回路４の少なくとも一部が電極３とピクセル１の間にあ
る。スイッチ回路は行電極５および列電極６により制御される。ピクセル１を発
光させるために、電極６に電圧が印加されてスイッチングトランジスタ７をオン
にし、電極５に電圧が印加されて記憶キャパシタ８をチャージする。次に、電極
６をオフにする。キャパシタ８がチャージされているので、電流トランジスタ９
はオンされ、電極３に印加される電圧がピクセルに印加され、ピクセルを発光さ
せる。この構成はパッシブマトリクスデバイスよりは複雑な回路を必要とするけ
れども、キャパシタ８によってピクセルを発光状態に維持したまま別の行および
列の他のピクセルをその行および列の電極でアドレスすることができるという長
所を有する。薄膜トランジスタと金属ラインのために背面領域全体を使用するこ
とは、透明および反射ＬＣＤディスプレイでは周知である。
【０００６】 よりクリアな画像を表示するために、各ピクセルの輝度を個別に制御できるよ
うにし、グレースケールを提供することが重要である。図１のアクティブマトリ
クスデバイスでは、これは電極５に印加される電圧と電極６に印加されるパルス
幅を選択してキャパシタ８に印加される電荷を固定することにより行われる。キ
ャパシタ８の電荷はトランジスタ９の状態を決定するので、電流は電極３からピ
クセルへ流れる。ピクセルを流れる電流はその発光の輝度を決定する。図２は、
トランジスタ９のゲート電圧（Ｖ）に対するトランジスタ９を流れる電流（Ｉ）
のグラフを示す。電流と電圧が低くピクセル１が発光しない平坦な「オフ」領域
１００と、ピクセル１から中間レベルの輝度を提供する傾斜遷移領域１１０と、
トランジスタが完全にオン状態となりピクセルが完全にオン状態となる平坦な「
オン」領域とがある。トランジスタ９が遷移領域内の望ましい点に来るようにキ
ャパシタ８の電荷を固定することにより、ピクセルの望ましい中間レベル輝度が
実現できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図２の曲線の形状は回路要素、特に電流トランジスタ９の特性により決定され
る。スイッチ回路４はディスプレイのピクセル毎に設けなければならない。要求
される小型化と低コスト化を実現するために、回路はディスプレイと統合される
。しかし、この構成は一般的にディスプレイの各ピクセルの電流トランジスタ間
における大きな性能の可変性につながる。オフ領域およびオン領域の電流は電流
トランジスタ間でかなり一致しているが（オフ電流はほぼゼロであり、オン電流
はダイオード１の抵抗に大きく依存して決定されるので）、電流トランジスタの
閾値電圧は大きく異なる場合がある。ディスプレイの発光材料が有機発光材料で
ある場合には、有機発光ピクセルからの発光量はデバイスを流れる電流に高感度
で依存するので、これは特に問題となる。したがって、同一の入力ライン電流に
ついて、異なる有機発光ピクセルは大きく異なる中間輝度を作る。これは、グレ
ースケール有機発光ディスプレイデバイスのためのこの駆動スキームの使用を制
限する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、複数の有機発光ピクセルを含む有機発光領域と
、各々が個々のピクセルに関連付けされ、該ピクセルへの電力を切り換えるスイ
ッチ手段と、関連付けされたピクセルからの発光が実質的に連続的に見えるよう
にするのに十分な周波数で第１の低電力モードと第２の高電力モードを繰り返す
ように各スイッチ手段を駆動する駆動手段とを備え、低電力モードに対する高電
力モードの期間を可変としてピクセルの平均輝度を変化させる有機発光デバイス
が提供される。
【０００９】 各スイッチ手段は適切には少なくとも１つのトランジスタを含む。そのトラン
ジスタは好ましくはゲート電圧により制御されてそのトランジスタへの電力およ
びピクセルへの電力を切り換える。第１のモードでは、トランジスタは好ましく
は関連するピクセルへの電流を遮断するのでピクセルは実質的に非発光となる。
第２のモードでは、トランジスタは好ましくは関連するピクセルへ電流が流れる
ようにするので、ピクセルは実質的に完全な発光状態となる。第２のモードでは
トランジスタは好ましくは完全にオン状態となる。第１のモードではトランジス
タは好ましくは完全にオフ状態となる。
【００１０】 好ましくは第１および第２のモードの一方または双方において、ピクセルの輝
度はトランジスタの特性、例えばゲート電圧に対して実質的に不感応であるので
、ゲート電圧の小さな変化がピクセルへ流れる電流に影響を与えることはない。
トランジスタは好ましくは薄膜トランジスタである。
【００１１】 スイッチ手段は好ましくは、上述のトランジスタのゲートに適切に接続され、
第１のモードまたは第２のモードでトランジスタを保持する電荷蓄積手段（例え
ばキャパシタ）を含む。電荷蓄積手段は、適当には第２のトランジスタによりチ
ャージされ、好ましくは薄膜トランジスタによりチャージされる。スイッチ手段
は好ましくは薄膜トランジスタのスイッチ手段である。
【００１２】 このディスプレイは好ましくはアクティブマトリクスディスプレイであり、最
適にはＴＦＴアクティブマトリクスディスプレイである。
【００１３】 第１のモードと第２のモードの間のスイッチング周波数は３０Ｈｚより大きい
のがよく、好ましくは５０Ｈｚより大きく、最適には６０Ｈｚ前後またはそれよ
り大きい。
【００１４】 駆動手段は好ましくは低電力モードに対して高電力モードの期間を変化するよ
うに制御可能である。駆動スキームのデューティサイクル（総サイクル時間の一
部として第２のモードの期間により測定される）は、ゼロ（ピクセルがオフの時
）から１００％（最大輝度）までの間で可変である。
【００１５】 各サイクルにおいて、高電力モードは１つ以上の離散的高電力パルスとして提
供することができる。
【００１６】 各ピクセルは、少なくとも２つの独立発光領域と、発光領域の各々と関連し駆
動手段の制御下でその発光手段への電力を独立に切り換える切り換え手段とを含
むのがよい。
【００１７】 有機発光デバイスは、各々が少なくとも２つの独立発光領域を有する複数の有
機発光ピクセルを含む有機発光領域と、各ピクセルに関連付けされ、各々がその
ピクセルの個別の発光領域に関連付けされ当該領域への電力を切り換えるスイッ
チ手段を有するスイッチ構成と、その関連付けされたスイッチ構成により各ピク
セルをアドレスし、１つ以上の対応するスイッチ手段を選択的に駆動することに
より各ピクセルの輝度を制御して、当該ピクセルの発光領域の選択された１つを
発光させる制御手段とを備えることができる。
【００１８】 各ピクセルが個別の発光領域に分割される場合、各ピクセルの発光領域は適当
には異なるサイズであり、好ましくは異なる面積である。好ましくは、各ピクセ
ルにおいて、各発光領域（最小のものを除く）はそのピクセルの次に大きい発光
領域のサイズの２倍（または実質的に２倍）である。
【００１９】 駆動手段は好ましくは、各ピクセルまたは各発光領域を駆動し、中間電圧で非
瞬間的に動作し、ピクセルの輝度のさらなる制御を可能とすることができる。し
たがって、駆動手段は適当にはスイッチ手段を非瞬間的に部分的オン状態に駆動
することができる。部分的オン状態は第３の中間電力モードである。他の中間電
力モードを設けることもできる。
【００２０】 ピクセルおよび／または発光領域の好ましい厚さは、２０〜２００ｎｍの範囲
内であり、最適には１００ｎｍ程度である。
【００２１】 有機発光ピクセルおよび／または領域は適当には発光ポリマー材料により形成
され、好ましくは共役材料により形成される。適当な材料はＰＰＶなどの半導体
共役ポリマーまたはその誘導体である。ピクセルおよび／または発光領域を形成
する発光材料は適当には、ＰＰＶ、ポリ（２−メトキシ−５（２’−エチル）ヘ
キシルオキシフェニレン−ビニレン）（「MEH-PPV」）、ＰＰＶ誘導体（例えば ジ−アルコキシまたはジ−アルキル誘導体）、ポリフルオレン、および／または
、ポリフルオレンセグメント、ＰＰＶを含むコポリマーおよび／または関連する
コポリマーであるか、それを含む。それは、スピンコーティング、浸せきコーテ
ィング、ブレードコーティング、メニスカスコーティング、セルフアセンブリ、
その他により蒸着することができる。発光領域および／またはその前駆体の構成
要素は水ベースとすることができ、その例は前駆体ベースＰＰＶである。代替的
材料は有機分子発光材料、例えばAlq3、または従来から既知の他のあらゆる小さ
な（ｓｍａｌｌ）昇華分子または共役ポリマーエレクトロルミネッセント材料で
ある。
【００２２】 有機発光ピクセルおよび／または領域は適当にはインクジェットプリンティン
グにより蒸着される。
【００２３】 デバイスの性能を改善するために、導電性ポリマー層を発光領域の近傍に設け
ることができる。導電性ポリマー層は好ましくは、ポリエチレンジオキシチオフ
ェン（「PEDT」）、ポリスチレンスルフォン酸をドープしたポリエチレンジオキ
シチオフェン（「PEDT-PSS」）、ドープしたポリアニリン、ドープしたアルキル
チオフェンおよび／またはドープしたポリピロールを含む。層の厚さは適当には
２００nm未満であり、好ましくは１００nm未満であり、最適には約５０nmまたは
それ未満である。層の面積抵抗は適当には１０6または１０7オーム／スクエア、
好ましくは１０8オーム／スクエア、最適には約１０10オーム／スクエアまたは それ以上である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図３ないし図５は有機発光ディスプレイデバイスのピクセル１６に関連するＴ
ＦＴ回路を示す。ピクセルの発光材料は４つの発光領域１９ａ〜１９ｄに分割さ
れる。ＴＦＴ回路は共通ライン１２（図１の電極３に対応する）と走査ライン１
０（電極６に対応する）を有し、それらは発光領域１９ａ〜１９ｄおよび各領域
に独立に設けられた他の回路により共用される。各発光領域は、信号ライン１１
ａ〜１１ｄ（図１の電極５に対応する）、スイッチングトランジスタ１３ａ〜１
３ｄ（図１のトランジスタ７に対応する）、記憶キャパシタ１４ａ〜１４ｄ（図
１のキャパシタ８に対応する）、および電流トランジスタ１５ａ〜１５ｄ（図１
のトランジスタ９に対応する）を有する。図４に示すSiO2の絶縁領域は回路の構
成部品を分離し、回路はガラス基板１７上に蒸着される。トランジスタ１５ａ〜
１５ｄの出力には、透明なインジウム−錫酸化物（「ITO」）の電極パッド１８ ａ〜１８ｄがあり（図４の１８ａ参照）、発光デバイスのアノードを形成する。
ピクセルの有機発光材料は４つの分離したセクション（図４の１９ａ〜１９ｄ参
照）でパッド上に蒸着され、共通のカソード２０（図１の電極２に対応する）が
それらセクションの頂部に蒸着される。ピクセルから見る人への発光は一般的に
図３の紙面向かうの方向および図４に矢印Ｂで示す方向である。
【００２５】 走査ライン、信号ラインおよび共通ラインは制御ユニット３１、３４（図５）
により制御される。代りの実施形態では、各発光領域１９ａ〜１９ｄは共通ライ
ン１２と等価な個別ラインを有することができ、各個別ラインは制御ユニットに
より独立に制御される。
【００２６】 図３ないし図５のピクセルは、数千個のそのようなピクセルが直交する行およ
び列に配置されたより大きな発光デバイスの一部を形成する。例えば、１つの典
型的なサイズは６００行の８００列であり、合計４８０，０００ピクセルとなる
。そのデバイスは、等しい数の赤、緑、青のピクセルを有するカラーディスプレ
イデバイスとすることも可能である。図５の付加的なユニット５０は別のピクセ
ルを制御するためのものである。
【００２７】 デバイスを製造するためには、まずＴＦＴ回路が通常の方法でガラス基板１７
上に蒸着される。次に、有機発光材料がＩＴＯパッド１８ｄなどの上に蒸着され
る。本例の有機発光材料はＰＰＶである。ＰＰＶはデバイス全体の上に層として
蒸着することができ（例えば前駆体ポリマーのスピンコーティングにより）、次
に個別のピクセルまたはピクセル領域を形成するようにパターン付けし、もしく
は、特に各々が異なる色の光を発光するピクセルを有するマルチカラー（例えば
赤／緑／青）デバイスを形成する場合には、ピクセル／領域を個別に蒸着するこ
とができる（例えば、インクジェットプリンティングにより）。結果として得ら
れるピクセルは約１０００Ａ（オングストローム）の厚さである。
【００２８】 インクジェットプリンティングにより発光材料を蒸着するために、その材料を
インクジェットプリンタの噴射ヘッドにより噴射する。適当な噴射サイクルは３
０plの滴下量で毎秒１４，４００滴である。
【００２９】 図６は、行および列に配置された多数のピクセル２２、２３などを有する完成
デバイス２１の実施例を概略的に示し、各々は図３ないし図５に示した多数の独
立して制御可能な発光領域に区分される。制御ユニット２４は走査ライン２５お
よび信号ライン２６に接続され、各々の電圧を制御可能である。制御ユニットは
２７で（すなわち、パーソナルコンピュータから）ディスプレイ信号を受信し、
それら信号をディスプレイの各ピクセルについてのリアルタイム輝度信号に復号
化するためのプロセッサ２８を有する。プロセッサ２８は、各ピクセルを識別す
るアドレス信号をライン２９上に順に出力し、そのピクセルの輝度情報をライン
３０上に出力する。輝度情報は、典型的にはゼロから例えば１６または６４の数
であり、ピクセルの望ましい輝度を与える。制御ユニットはアドレッシングスイ
ッチユニット３１を含み、それは、ピクセルを識別するアドレス情報を３２で受
信すると共に輝度情報を３３で受信し、その交差点にピクセルが存在する走査お
よび信号ラインを選択することにより識別されたピクセルをアドレスし、各々が
そのピクセルの記憶キャパシタ上にライン３３上に示すように望ましい輝度まで
そのピクセルをオンするために必要な電荷を記憶させる走査ラインおよび信号ラ
インに適当な電圧を印加する。制御ユニットまたはそのいずれかの部分をディス
プレイ自身の背面上に形成することができる。
【００３０】 ピクセルがその電流トランジスタの遷移領域内で駆動される図１の従来のデバ
イスでは、アドレッシングスイッチ３１はプロセッサ２８から直接にアドレッシ
ング情報および輝度情報を受信することができる。しかし、本発明のこの例示的
実施形態では、プロセッサ２８とスイッチユニット３１との間に中間プロセッサ
３４がある。中間プロセッサはライン２９および３０によりプロセッサ２８から
各ピクセルの輝度情報を受信し、各ピクセルの望ましい輝度をメモリ３５に記憶
する。次に、中間プロセッサはアドレッシングスイッチユニットを制御して２つ
の方法の一方または両方でピクセルの輝度を固定する。
【００３１】 輝度を固定する第１の方法は、時間を平均した時に（サイクルの期間について
）、各ピクセルからの望ましい輝度を実現するデューティサイクルでピクセルを
迅速にオンおよびオフに切り換えることによる方法である。例えば、半分の輝度
が望ましければ（例えば上述の６４グレースケールスキーム中の３２の輝度）、
その時間の半分は完全にオンであり、その時間の半分は完全にオフであるように
ピクセルを切り換える。ピクセルをそのオン状態とオフ状態の間で迅速に切換え
ることにより、ちらつき感を防止することができる。デバイスから一定の光が出
力されている印象を見る人に与えるための適当なスイッチング周波数は３０〜５
０Ｈｚまたはそれ以上である。中間プロセッサ３４によりライン３３上に出力さ
れる輝度値は、完全にオンか完全にオフかのいずれかを示す。中間値を使用する
必要はない。したがって、そのデバイスのピクセルの電流トランジスタは、常に
（オンおよびオフへの過渡時を除いて）図２に示す予測可能な平坦なオン領域お
よびオフ領域内で動作し、ピクセルの輝度はより容易に一致させることができる
。
【００３２】 各ピクセルの望ましい輝度を実現するために、多数の詳細な駆動スキームが使
用可能である。例えば、必要なデューティサイクル（図７参照）を実現するため
に選択されたオンおよびオフのスイッチング間の時間で、各サイクルでピクセル
を一度オンとし、一度オフとするか、もしくは一度以上（図８参照）オン、オフ
することができる。図８は、単一のピクセルについての印加電流の時間に対する
プロットを示す。ライン３６は駆動スキームのサイクルを分割する。図８に示す
３サイクルの間、ピクセルの輝度は約１０％から約４０％へ増加される。ピクセ
ルのオン時間は同一の長さｔpのパルス列として印加され、そのパルス列は加算 されて必要なデューティサイクルを実現するために必要なサイクル毎の総オン時
間を与える。サイクル毎の総オン時間を同一とすれば、オン時間とオフ時間の間
の電流パターンを変更して他の要求、例えばちらつきやクロストークの減少に適
合するようにすることができる。
【００３３】 輝度を固定する２つ目の方法は、各ピクセルの別個の発光領域を個別に制御で
きるという事実を利用することである。ピクセルの輝度は１つ以上の発光領域を
スイッチングすることにより制御可能である。先に述べたのと同様に、輝度は制
御ユニット２４により制御される。アドレッシングスイッチ３１はここでも各ピ
クセルを識別するアドレス情報をライン３２上で順に受信し、そのピクセルの輝
度情報をライン３３上で受信する。今回は、輝度情報は０〜１６の値を有し、望
ましい輝度を示す。アドレッシングスイッチ３１はマルチエリアプロセッサ４５
を有し、それは例えば図３〜図５に示すピクセルについてのアドレス情報を受信
し、そのピクセルの個別発光領域をアドレスするために必要な走査ラインおよび
信号ラインを識別し、３３で受信した輝度値に基づいて適切な電圧をそれらのラ
インに印加して、そのピクセルの発光領域の０個、１個、２個、３個または全て
を完全にオンにして望ましい輝度を実現する。それら選択された領域はピクセル
の輝度を変更させるまで完全にオンにしておくことができる。
【００３４】 各ピクセルが分割される発光領域は、同一のサイズまたは異なるサイズとする
ことができる。ピクセルをｎ個の発光領域に分割すべき場合に、１つの有用な分
割はそれらの領域のサイズをピクセルのフルサイズの１／（２n−１）、２／（ ２n−１）、４／（２n−１），．．．，（２(n-1)）／（２n−１）とすることで
ある。この構成は、それらｎ個のピクセルから２n個のグレースケール値を提供 する。例えば、図３において、発光領域１９ｄの面積は１９ｃの面積の２倍であ
り、それは領域１９ｂの２倍であり、それは領域１９ａの２倍である。
【００３５】 発光領域は、図３のように、または他の方法で、ピクセルに交差して走る平行
ストリップとして規定することができる。
【００３６】 より多数のグレースケールを実現するために、上述の２つの輝度制御方法を組
み合わせて、図３〜図５に示すタイプの２次分割されたピクセルを有する装置を
図７または図８を参照して説明したパルス駆動スキームにより駆動することがで
きる。各発光領域へ印加される電圧が完全にオンまたはオフではないレベルに変
化可能である場合に、これら２つの輝度制御方法のいずれかまたは両方を、図１
を参照して説明した電圧制御と組み合わせてより多くの使用可能なグレーレベル
を与えることができる。例えば、ピーク電圧が１６レベルの１つから選択される
場合、図３に示すように各ピクセルが４つの領域に分割され、図７に示すような
１６の使用可能な駆動スキームの１つで駆動されるデバイスでは、４０９６のグ
レーレベルが使用可能である。
【００３７】 パルス駆動スキームを、図３〜図５のデバイスの２次分割されたピクセルでは
なく、単一のピクセルを有するデバイスに適用することができる。
【００３８】 現在の請求の範囲の発明に関するか否かにかかわらず、本発明は暗示的または
明示的にここに記載されたあらゆる形態または形態の組み合わせ、もしくはその
あらゆる一般化を含む。上記の説明により、本発明の視野の範囲内で種々の変形
が可能であることは当業者に明確であろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 薄膜トランジスタ「TFT」アクティブマトリクスディスプレイ中の１つのピク セルを駆動する回路を示す。
【図２】 トランジスタのゲート電圧に対するトランジスタを流れる電流を示すグラフで
ある。
【図３】 有機発光デバイスのピクセルに関連するスイッチング回路の平面図である。
【図４】 図３に示す回路のラインａ−ａ’での断面を示す。
【図５】 図３および図４のデバイスの回路図を示す。
【図６】 マルチピクセルデバイスとその制御装置の概略図である。
【図７】 ピクセルを流れる電流の時間に対するプロットを示す。
【図８】 ピクセルを流れる電流の時間に対するプロットを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１０月１３日（２０００．１０．１３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｓ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 バローズ・ジェレミー・ヘンリー イギリス ケンブリッジ シービー１ ３ キュウティー ラスタット ロード 36 (72)発明者 木村 睦 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 ヒークス・スティーヴン・カール イギリス ケンブリッジ シービー４ ４ ジェイジェイ コテナム ランプトン ロ ード 127 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB04 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 GA04 5C080 AA06 BB05 DD05 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の有機発光ピクセルを含む有機発光領域と、 各々が個々のピクセルに関連付けされ、該ピクセルへの電力を切り換えるスイ
    ッチ手段と、 関連付けされたピクセルからの発光が実質的に連続的に見えるようにするのに
    十分な周波数で第１の低電力モードと第２の高電力モードを繰り返すように各ス
    イッチ手段を駆動する駆動手段と、 を備え、低電力モードに対する高電力モードの期間を可変としてピクセルの平均
    輝度を変化させる有機発光デバイス。
  2. 【請求項２】 前記ピクセルは第１のモードにおいて実質的に非発光である
    請求項１に記載の有機発光デバイス。
  3. 【請求項３】 前記スイッチ手段は、ピクセルに供給される電力を切り換え
    るためのトランジスタスイッチを含む請求項１または２に記載の有機発光デバイ
    ス。
  4. 【請求項４】 第２のモードにおいてトランジスタは完全にオン状態である
    請求項３に記載の有機発光デバイス。
  5. 【請求項５】 前記トランジスタは第２のモードにおいて完全にオフ状態で
    ある請求項３に記載の有機発光デバイス。
  6. 【請求項６】 前記駆動手段はスイッチ手段を駆動して非瞬間的に部分的オ
    ン状態にさせることが可能である請求項３ないし５のいずれかに記載の有機発光
    デバイス。
  7. 【請求項７】 前記スイッチ手段は薄膜トランジスタスイッチを含む請求項
    １ないし６のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  8. 【請求項８】 前記駆動手段は各スイッチ手段を駆動して少なくとも３０Ｈ
    ｚの周波数で前記第１のモードと前記第２のモードを繰り返す請求項１ないし至
    ７のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  9. 【請求項９】 各ピクセルは少なくとも２つの独立した発光領域を有し、各
    々が発光領域の個々の１つと関連付けされて駆動手段の制御下で独立的にその発
    光領域への電力を切り換えるスイッチ手段を有する請求項１ないし８のいずれか
    に記載の有機発光デバイス。
  10. 【請求項１０】 各ピクセルの発光領域が異なる領域である請求項９に記載
    の有機発光デバイス。
  11. 【請求項１１】 有機発光ピクセルは発光ポリマー材料により形成される請
    求項１ないし９のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  12. 【請求項１２】 有機発光ピクセルは発光共役材料により形成される請求項
    １ないし１１のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  13. 【請求項１３】 有機発光ピクセルは、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）ま
    たはその派生物である請求項１ないし１２のいずれかに記載の有機発光デバイス
    。
  14. 【請求項１４】 各ピクセルはインクジェットプリンティングにより蒸着さ
    れる請求項１ないし１３のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  15. 【請求項１５】 各々が少なくとも２つの独立発光領域を有する複数の有機
    発光ピクセルを含む有機発光領域と、 各ピクセルに関連付けされ、各々がそのピクセルの個別の発光領域に関連付け
    され該領域への電力を切り換えるスイッチ手段を有するスイッチ構成と、 各ピクセルをその関連付けされたスイッチ構成によりアドレスし、１つ以上の
    対応するスイッチ手段を選択的に駆動することにより各ピクセルの輝度を制御し
    て、該ピクセルの発光領域の選択された１つを発光させる制御手段とを備える有
    機発光デバイス。
  16. 【請求項１６】 各ピクセルの発光領域が異なるサイズである請求項１５に
    記載の有機発光デバイス。
  17. 【請求項１７】 各ピクセルの発光領域が異なる面積である請求項１６に記
    載の有機発光デバイス。
  18. 【請求項１８】 有機発光領域は発光ポリマー材料により形成される請求項
    １５ないし１７のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  19. 【請求項１９】 有機発光領域は発光共役材料により形成される請求項１５
    ないし１８のいずれかに記載の有機発光デバイス。
  20. 【請求項２０】 有機発光領域はポリ（ｐ−フェニレンビニレン）またはそ
    の誘導体から形成される請求項１５ないし１９のいずれかに記載の有機発光デバ
    イス。
  21. 【請求項２１】 各有機発光領域はインクジェットプリンティングにより蒸
    着される請求項１５ないし２０のいずれかに記載の有機発光デバイス。
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