JP4361790B2 - オプトエレクトロニックディスプレイ - Google Patents
オプトエレクトロニックディスプレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4361790B2 JP4361790B2 JP2003525365A JP2003525365A JP4361790B2 JP 4361790 B2 JP4361790 B2 JP 4361790B2 JP 2003525365 A JP2003525365 A JP 2003525365A JP 2003525365 A JP2003525365 A JP 2003525365A JP 4361790 B2 JP4361790 B2 JP 4361790B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display
- photoluminescent
- photoluminescence
- electrode
- optoelectronic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 55
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 180
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 163
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 92
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 69
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 44
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 17
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 175
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- -1 poly (p-phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 5
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006196 drop Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- NQDSJQAAJLXSJL-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-2-hexoxybenzene Chemical group CCCCCCOC1=CC=CC=C1C#C NQDSJQAAJLXSJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003889 eye drop Substances 0.000 description 1
- 229940012356 eye drops Drugs 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/046—Pixel structures with an emissive area and a light-modulating area combined in one pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
こうして例えば、それぞれのディスプレイ素子に対して、個別のカソードとともに単一の共通アノードを用いるか又はx−yマトリクス型の電極を用いることができる。このような構成によってピクセル化されたディスプレイが可能となり、さらに、異なる色でフォトルミネセンス発光する2つ以上の異なるフォトルミネセント材料を用いる場合には、多色ディスプレイを得ることができる。例えば、ピクセル化されたOLED型のディスプレイ装置構造は、フォトルミネセンス消光型カラーディスプレイが得られるように逆バイアスをかけることができるとともに、照明可能である。必要であれば、と言うかその方が好ましいことであるが、各ピクセルは、それぞれ1個以上の付属のトランジスタ及び/又は1個以上のコンデンサを有し、これにより、一つのピクセルが、別のピクセルがアドレス指定されている間にフォトルミネセンス消光状態に維持できるようになっている。
スペクトル214は、デバイスにバイアスがかけられていないもの、スペクトル216は、順方向バイアスがかけられてエレクトロルミネセンスにより放射が増えたもの、そしてスペクトル212は、逆バイアスがかけられて略フォトルミネセンスが消光されたものを表している。図2bから分かるように、放射されるフォトルミネセンス/エレクトロルミネセンスが装置の色に寄与するだけで、フォトルミネセント層の固有色が図2aのように装置の色に寄与することはないので、スペクトル212,214および216のピークの位置は、概ね一定のままである。
照明装置501は、縦長の照明光源502と、光源502からの光を集めて、光が基板内を導波されるように基板102に上記光を指向させる円柱レンズ504とを備えている。プリズムないし回折格子といったような、基板の導波モードに光を結合させる従来の他の手段も用いることができる。
2つの典型的な装置による結果を示すことにする。2層のカルシウム/アルミニウム・カソードを用い、F8BT:TFBが80:20のポリマー混合物から第1の装置を構成した。フッ化リチウム/カルシウム/アルミニウムの3層カソードを用い、F8BT:TFB:poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-co-(2,5-thienylene-3,6-benzothiadiazole-2,5-thienylene)が79:20:1のポリマー混合物から第2の装置を構成した。いずれの装置も、黄色でフォトルミネセンス発光し、もともと黄色の色を有していた。
102・・・ガラス基板
104・・・アノード層
106・・・フォトルミネセント材料層
108・・・カソード層
112・・・接続ワイヤ
116・・・接続ワイヤ
125,128・・・正孔輸送層
118・・・照明光(照明)
302・・・照明
304・・・エキシトン
310・・・反射型のカソード層
322・・・透明なカソード層
324・・・光吸収層
400・・・ディスプレイ装置
402・・・バックライト
420・・・光学的構造
422・・・レンズ
500・・・フォトルミネセンス消光装置
501・・・照明手段
600・・・ピクセル化されたディスプレイ構造
602・・・ディスプレイ素子
612・・・カラーディスプレイ
614・・・ディスプレイドライバ回路
616・・・電源
624・・・ディスプレイ信号入力
Claims (27)
- フォトルミネセンス消光を用いた情報表示方法であって、
一対の電極の間のフォトルミネセント材料を備えたオプトエレクトロニックディスプレイを設け、前記フォトルミネセント材料は複数の個々のディスプレイ素子に分けられ、電極の一つは各自が固有の接続部を持った複数の個々の要素に分けられ、
前記フォトルミネセント材料にフォトルミネセンスを生じさせるために前記フォトルミネセント材料に対する照明光を供給し、
個々のディスプレイ素子から前記フォトルミネセンスを少なくとも部分的に消光するために前記電極にバイアスを加え、前記電極層を横切るバイアスがゼロの条件下でディスプレイのフォトルミネセント材料が常時オンのフォトルミネセンス放射状態を有することからなる情報表示方法。 - 請求項1に記載の情報表示方法において、
前記フォトルミネセント材料を有機フォトルミネセント材料から構成することを特徴とする情報表示方法。 - 請求項2に記載の情報表示方法において、
前記有機フォトルミネセント材料を半導体性のコンジュゲートされた有機ポリマーとすることを特徴とする情報表示方法。 - 請求項3に記載の方法において、
前記一対の電極をカソードおよびアノードから構成し、該アノードがカソードより高い仕事関数を持つようにし、前記フォトルミネセント材料を前記一対の電極の間に挟み、前記アノードが前記カソードよりも負の側になるように逆方向バイアスを加えることで前記バイアスを加えることを特徴とする方法。 - 請求項4に記載の方法において、
前記フォトルミネセント材料と前記アノードの間に正孔輸送材料をさらに設けることを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記電極間の電流の順方向バイアスが加えられたときの導電性が、逆方向バイアスが加えられたときのものよりも大きくなるように前記オプトエレクトロニックディスプレイを設け、前記電極に逆方向バイアスを加えることで前記バイアスを加えることを特徴とする方法。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法において、
電極のうち少なくとも一つを少なくとも部分的に透明とし、前記少なくとも部分的に透明な電極を通して、前記フォトルミネセンス材料を表示させることを特徴とする方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記少なくとも部分的に透明な電極を通して照明光を供給することを特徴とする方法。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法において、
前記照明光を供給するために、周囲光を用いることを特徴とする方法。 - 請求項2に記載の方法において、
異なるフォトルミネセンスの色を有する材料の混合物から前記フォトルミネセント材料を構成することを特徴とする方法。 - フォトルミネセント装置を動作させる方法であって、複数の個々のディスプレイ素子に分けられた有機フォトルミネセント材料の薄膜の形態とされた半導体層と、前記半導体層の第1表面に隣接し、各自が固有の接続部を持った複数の個々の要素に分けられた第1電極層と、前記半導体層の第2表面に隣接する第2電極層とから該装置を構成し、前記装置を照明するとともに、前記第2電極層が前記第1電極層に対して負になるように前記第1電極層と第2電極層との間に前記半導体層を横切る電場を加え、これにより、光学的に励起されたエキシトンを該エキシトンの構成ホールならびに構成電子に分離し、前記フォトルミネセント薄膜の外に前記ホールと前記電子を導くことで前記薄膜の個々のディスプレイ素子からのフォトルミネセンスを抑制し、前記電極層を横切るバイアスがゼロの条件下でフォトルミネセント材料が常時オンのフォトルミネセンス放射状態を有する方法。
- 請求項11に記載の方法において、
有機フォトルミネセント材料の前記薄膜を、正孔輸送層を介して前記第2の電極層に接続することを特徴とする方法。 - 複数の個々のディスプレイ素子に分けられた有機フォトルミネセント材料からなる薄膜の形態とされた半導体層と、前記半導体層の第1の表面に隣接し、各自が固有の接続部を持ち、それによって逆バイアスを各ディスプレイ素子に個々に印加することができる、複数の個々の要素に分けられた第1電極層と、前記半導体層の第2の表面に隣接する第2電極層と、
前記材料からのフォトルミネセンスを誘発させるよう前記フォトルミネセント材料を照明するための光源とからなり、前記電極層を横切るバイアスがゼロの条件下でディスプレイの有機フォトルミネセント材料が常時オンのフォトルミネセンス放射状態を有するオプトエレクトロニックディスプレイ装置。 - フォトルミネセントディスプレイ装置を備え、該フォトルミネセントディスプレイ装置は、該装置に電圧が印加されていない状態での光学的な照明のもとで該ディスプレイがフォトルミネセンスを放射するディスプレイ・オン状態と、前記フォトルミネセンスが少なくとも部分的に消光されるディスプレイ・オフ状態とを有し、さらに、
装置ドライバ回路を備え、該装置ドライバ回路は、ディスプレイ信号を受け取るための入力部と、前記ディスプレイ装置を駆動するための出力部とを有し、前記ディスプレイ信号は、該ディスプレイがオンであるべきことを示すオン状態を有するとともに、該ディスプレイがオフであるべきことを示すオフ状態を有し、
前記フォトルミネセントディスプレイ装置は、
複数の個々のディスプレイ素子に分けられた有機フォトルミネセント材料からなる薄膜の形態とされた半導体層と、前記半導体層の第1の表面に隣接し、各自が固有の接続部を持った複数の個々の要素に分けられた第1電極層と、前記半導体層の第2の表面に隣接する第2電極層とからなり、このとき、
前記装置ドライバ回路は、前記ディスプレイ信号が前記オフ状態を有していることに反応して、前記第2電極層が前記第1電極層に対して負になるように前記第1電極層の適当な要素と第2電極層との間に前記半導体層を横切る電場を加えるためのバイアス電圧を印加し、これにより、光学的に励起されたエキシトンをその構成ホールならびに構成電子に分離し、前記フォトルミネセント薄膜の個々のディスプレイ素子の外に前記ホールと電子を導くことで前記薄膜の個々のディスプレイ素子からのフォトルミネセンスを抑制するように構成され、前記ディスプレイ装置と装置ドライバとの組み合わせが主としてフォトルミネセンス消光により情報を表示するように動作する、前記電極層を横切るバイアスがゼロの条件下でディスプレイの有機フォトルミネセント材料が常時オンのフォトルミネセンス放射状態を有する、
オプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項13又は請求項14に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記有機フォトルミネセント材料の薄膜は、正孔輸送層を介して前記第2の電極層に接続されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項13から請求項15のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記有機フォトルミネセント材料は、少なくとも一つのコンジュゲート・ポリマーからなることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項16に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記有機材料の薄膜は、薄くて密なポリマー薄膜からなり、前記半導体層の前記ポリマー薄膜は、外来性の荷電キャリアの濃度が十分低く、前記第2の電極層が前記第1の電極層に対して正になるように前記第1の電極層と第2の電極層との間に前記半導体層を横切る電場を加えると、前記半導体層内に荷電キャリアが注入され、前記半導体層から放射が放出されるように構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項16に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記フォトルミネセンス材料は、前記フォトルミネセンスが略完全に抑制されるとき略無色であるように選択されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項13から請求項18のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記第1および第2の電極層の少なくとも一方は、前記フォトルミネセント材料が見えるように、少なくとも部分的に透明とされていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項19に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記少なくとも部分的に透明な電極を通して照明されるように構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項13に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記第1の電極層と第2の電極層の両方が少なくとも部分的に透明とされ、該ディスプレイが正面から見られる場合に、前記光源が前記フォトルミネセント材料の薄膜の後に置かれていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 消光されるフォトルミネセンスの原理で動作するオプトエレクトロニックディスプレイであって、
複数の個々の電極要素を含む第1の電極と、
第2の電極と、
前記第1の電極と第2の電極との間に配置された目視可能なディスプレイ素子とを備え、該ディスプレイ素子が複数の個々のディスプレイ素子に分けられたフォトルミネセント材料を含み、
該フォトルミネセント材料の個々のディスプレイ素子からのフォトルミネセンスを、前記第2の電極と前記第1の電極の適当な要素との間に電圧を印加することで少なくとも部分的に消光し、これにより、フォトルミネセント放射状態から放射率低減状態へとはっきり変化させて画像ディスプレイを実現するように構成され、前記電極層を横切るバイアスがゼロの条件下でディスプレイの有機フォトルミネセント材料が常時オンのフォトルミネセンス放射状態を有しているオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項22に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記第2の電極は、該ディスプレイの負の電極とされ、前記第1の電極は、該ディスプレイの正の電極とされ、
前記第1の電極、第2の電極、及び上記フォトルミネセント材料は、前記第1の電極が前記第2の電極に対して負とされているときに、前記電極間の導電性がより大きくなるように選ばれていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項14に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記フォトルミネセントディスプレイ装置は、有機フォトルミネセントダイオードからなり、前記バイアス電圧により前記ダイオードに逆バイアスが加わって、これにより前記フォトルミネセント放射が抑制されるように構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項14に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記バイアス電圧は可変とされ、これにより前記フォトルミネセント放射が可変に抑制されるように構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項14に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記複数の個々のディスプレイ素子が各々ディスプレイのピクセルと関連付けられ、前記ディスプレイは複数の異なる色を有したフォトルミネセント装置を備え、これにより、該ディスプレイの異なるピクセルが異なる色を表示できるように設けられていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。 - 請求項26に記載のオプトエレクトロニックディスプレイにおいて、
前記印加されるバイアス電圧は、可変のデューティサイクル波形を有し、前記装置ドライバ回路には、前記ピクセルの相対的な明るさを制御するためのディスプレイデータ入力があり、前記装置ドライバ回路は、さらに少なくとも一つの可変なデューティサイクル波形発生器を備え、該発生器が前記ディスプレイデータ入力に反応し、これにより前記ピクセルに加えられる前記バイアス電圧波形のデューティサイクルが変更されるように構成されていることを特徴とするオプトエレクトロニックディスプレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0121077A GB2379317A (en) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | Optoelectronic display operating by photoluminescence quenching |
PCT/GB2002/003935 WO2003021340A2 (en) | 2001-08-30 | 2002-08-29 | Optoelectronic displays |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005502086A JP2005502086A (ja) | 2005-01-20 |
JP2005502086A5 JP2005502086A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4361790B2 true JP4361790B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=9921260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003525365A Expired - Fee Related JP4361790B2 (ja) | 2001-08-30 | 2002-08-29 | オプトエレクトロニックディスプレイ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7537947B2 (ja) |
EP (1) | EP1421571A2 (ja) |
JP (1) | JP4361790B2 (ja) |
KR (2) | KR100967193B1 (ja) |
CN (1) | CN100573639C (ja) |
AU (1) | AU2002327939A1 (ja) |
GB (1) | GB2379317A (ja) |
HK (1) | HK1083145A1 (ja) |
WO (1) | WO2003021340A2 (ja) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2388236A (en) * | 2002-05-01 | 2003-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Display and driver circuits |
JP3946671B2 (ja) | 2002-07-23 | 2007-07-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 光子発光抑制素子基盤の画像表示装置及びこれを利用した画像表示方法 |
EP1391869B1 (en) * | 2002-08-23 | 2013-10-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Circuit for driving matrix display panel with photoluminescence quenching devices and matrix display apparatus incorporating the circuit |
US7699482B2 (en) * | 2002-09-25 | 2010-04-20 | Fujifilm Corporation | Light-emitting element |
JP4350996B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-10-28 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置 |
US7402343B2 (en) * | 2003-01-29 | 2008-07-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Molecular chemical compounds with structures allowing electron displacement and capable of emitting photoluminescent radiation, and photoluminescence quenching device employing the same |
GB0309803D0 (en) * | 2003-04-29 | 2003-06-04 | Cambridge Display Tech Ltd | Display driver methods and apparatus |
JP4188846B2 (ja) | 2003-05-15 | 2008-12-03 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光抑制素子及びこれに基づいた画像表示装置 |
JP4363319B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2009-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US8272758B2 (en) | 2005-06-07 | 2012-09-25 | Oree, Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
WO2006131924A2 (en) | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. | Illumination apparatus |
TR201802704T4 (tr) | 2005-10-11 | 2018-03-21 | Bt Imaging Pty Ltd | Dolaylı bant aralığı yarı iletken yapısının denetlenmesi için metot ve sistem. |
TWI356386B (en) * | 2006-08-04 | 2012-01-11 | Ritdisplay Corp | Active matrix organic electro-luminescence display |
WO2008074017A2 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | University Of Washington | Polymer charge transport material for optoelectronic devices |
US7808475B2 (en) * | 2007-04-12 | 2010-10-05 | Microsoft Corporation | Photo-luminescent backlight support for power saving |
US8743077B1 (en) * | 2007-08-01 | 2014-06-03 | Sipix Imaging, Inc. | Front light system for reflective displays |
JP5176522B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2013-04-03 | ソニー株式会社 | 自発光型表示装置およびその駆動方法 |
US8182128B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-05-22 | Oree, Inc. | Planar white illumination apparatus |
US7907804B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-03-15 | Oree, Inc. | Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area |
DE102007062040B8 (de) * | 2007-12-21 | 2021-11-18 | Osram Oled Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung |
JP5157467B2 (ja) | 2008-01-18 | 2013-03-06 | ソニー株式会社 | 自発光型表示装置およびその駆動方法 |
DE102008020816B4 (de) * | 2008-02-29 | 2019-10-10 | Osram Oled Gmbh | Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode |
WO2009109974A2 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-11 | Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
KR101493408B1 (ko) | 2008-03-11 | 2015-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 |
US8301002B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-10-30 | Oree, Inc. | Slim waveguide coupling apparatus and method |
US8297786B2 (en) | 2008-07-10 | 2012-10-30 | Oree, Inc. | Slim waveguide coupling apparatus and method |
JP2010145664A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 自発光型表示装置、半導体装置、電子機器及び電源線駆動方法 |
US20100214282A1 (en) | 2009-02-24 | 2010-08-26 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Apparatus for providing light source modulation in dual modulator displays |
US9109793B2 (en) * | 2009-07-20 | 2015-08-18 | Crayola, Llc | Illuminated display unit |
WO2011141779A1 (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. | Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same |
CN101859029A (zh) * | 2010-05-20 | 2010-10-13 | 友达光电股份有限公司 | 立体显示器 |
EP2612378B1 (en) * | 2010-09-01 | 2018-10-31 | Merck Patent GmbH | Quenching of photoluminescence in an organic device |
TWI550581B (zh) | 2010-12-17 | 2016-09-21 | 杜比實驗室特許公司 | 用於影像顯示之方法及設備、電腦可讀儲存媒體、及計算裝置 |
KR20130024040A (ko) | 2011-08-30 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치 |
US20130069552A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-21 | Deeder Aurongzeb | Organic electroluminescent device with space charge/voltage instability stabilization drive |
US8591072B2 (en) | 2011-11-16 | 2013-11-26 | Oree, Inc. | Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same |
WO2014006501A1 (en) | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Yosi Shani | Planar remote phosphor illumination apparatus |
KR102118309B1 (ko) | 2012-09-19 | 2020-06-03 | 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 | 양자점/리모트 인광 디스플레이 시스템 개선 |
KR102115146B1 (ko) | 2013-03-08 | 2020-05-26 | 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 | 광 변환을 갖는 이중 변조 디스플레이 기술들 |
JP6104112B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-03-29 | 株式会社アイテス | 太陽電池検査装置、及び太陽電池検査方法 |
KR101891701B1 (ko) * | 2013-10-18 | 2018-08-24 | 동우 화인켐 주식회사 | 광학 필름 |
WO2015148244A2 (en) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Global light compensation in a variety of displays |
US9552769B2 (en) | 2014-12-17 | 2017-01-24 | Apple Inc. | Display with a reduced refresh rate |
JP2017049336A (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
GB201604248D0 (en) | 2016-03-11 | 2016-04-27 | Augmented Optics Ltd | Electrically conducting hydrophilic co-polymers |
WO2018135525A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | パイオニア株式会社 | 光装置 |
CN107146806B (zh) * | 2017-05-12 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及oled显示装置 |
CN107731157A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-23 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及其亮度调节方法 |
CN107843956B (zh) * | 2017-11-10 | 2019-11-08 | 河海大学常州校区 | 基于压电金属包覆光波导的电-光n倍频信号发生器 |
KR102421769B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 |
US10868213B2 (en) * | 2018-06-26 | 2020-12-15 | Lumileds Llc | LED utilizing internal color conversion with light extraction enhancements |
KR102568713B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화소 및 이를 구비한 표시 장치 |
JP2020085952A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロled表示装置及びマイクロled表示装置の配線方法 |
CN111244304A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | Tcl集团股份有限公司 | 发光器件、显示装置及显示装置的制造方法 |
CN111244303A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | Tcl集团股份有限公司 | 发光器件、显示装置及显示装置的制造方法和发电装置 |
CN111244305A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | Tcl集团股份有限公司 | 发光器件、显示装置及显示装置的制造方法 |
CN111244200A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | Tcl集团股份有限公司 | 发光器件、显示装置及显示装置的制造方法和发电装置 |
CN111384304B (zh) | 2018-12-29 | 2021-06-29 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管的后处理方法 |
JP7438509B2 (ja) | 2019-08-02 | 2024-02-27 | 国立大学法人九州大学 | 発光装置、発光方法及び有機発光素子 |
US11925046B2 (en) | 2019-08-02 | 2024-03-05 | Kyushu University, National University Corporation | Light-emitting device, light-emitting method, and organic light-emitting element |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3649867A (en) * | 1969-06-06 | 1972-03-14 | Bell Telephone Labor Inc | Image display device utilizing a target composed of discrete phosphors |
US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
JP2784615B2 (ja) | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
JPH078453A (ja) | 1993-06-22 | 1995-01-13 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡用光源装置 |
GB9317932D0 (en) | 1993-08-26 | 1993-10-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JP3303470B2 (ja) | 1993-09-10 | 2002-07-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 蛍光方法、蛍光装置、表示装置、スイッチング装置、蛍光記録方法、蛍光記録媒体、蛍光記録読み出し方法、蛍光記録読み出し装置及び蛍光記録消去方法 |
US5424560A (en) * | 1994-05-31 | 1995-06-13 | Motorola, Inc. | Integrated multicolor organic led array |
US5684365A (en) | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
WO1996033594A1 (en) | 1995-04-18 | 1996-10-24 | Cambridge Display Technology Limited | Electroluminescent device |
US6091382A (en) * | 1995-12-30 | 2000-07-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device for performing display operation in accordance with signal light and driving method therefor |
EP0947123B1 (en) | 1996-07-29 | 2002-02-27 | Cambridge Display Technology Limited | Electroluminescent devices with electrode protection |
EP0845812B1 (en) * | 1996-11-28 | 2009-10-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
GB9624706D0 (en) | 1996-11-28 | 1997-01-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Light emitting polymer device |
WO1998041065A1 (en) | 1997-03-11 | 1998-09-17 | The Ohio State University Research Foundation | Color variable bipolar/ac light-emitting devices |
US5903246A (en) | 1997-04-04 | 1999-05-11 | Sarnoff Corporation | Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display |
GB9713074D0 (en) | 1997-06-21 | 1997-08-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Electrically-conducting colour filters for use in organic light-emitting displays |
GB2328212B (en) | 1997-08-12 | 2000-11-29 | Samsung Display Devices Co Ltd | Organic electroluminescent polymer for light emitting diode |
JP2993475B2 (ja) | 1997-09-16 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el表示装置の駆動方法 |
GB9803441D0 (en) | 1998-02-18 | 1998-04-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
GB9805476D0 (en) | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JP2000321994A (ja) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Fujitsu Ltd | 蛍光方法及び蛍光素子、及びそれを用いた表示装置 |
WO2001042331A1 (en) | 1999-12-09 | 2001-06-14 | Cambridge Display Technology Limited | Fluorene-perylene copolymers and uses thereof |
WO2001055927A1 (en) | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Network Associates, Inc. | Method closing sales over an open network using an automated haggling system |
DE10042974B4 (de) * | 2000-09-01 | 2008-04-30 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zum elektrischen Adressieren von Fluoreszenz-Anzeigeelementen und Anzeige |
-
2001
- 2001-08-30 GB GB0121077A patent/GB2379317A/en not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-08-29 AU AU2002327939A patent/AU2002327939A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-29 EP EP02762550A patent/EP1421571A2/en not_active Withdrawn
- 2002-08-29 WO PCT/GB2002/003935 patent/WO2003021340A2/en active Application Filing
- 2002-08-29 KR KR1020047003091A patent/KR100967193B1/ko active IP Right Grant
- 2002-08-29 JP JP2003525365A patent/JP4361790B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-29 KR KR1020107006776A patent/KR20100039910A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-08-29 CN CNB028214129A patent/CN100573639C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-29 US US10/488,419 patent/US7537947B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-05-10 HK HK06105453.3A patent/HK1083145A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100967193B1 (ko) | 2010-07-05 |
HK1083145A1 (en) | 2006-06-23 |
GB2379317A (en) | 2003-03-05 |
WO2003021340A2 (en) | 2003-03-13 |
JP2005502086A (ja) | 2005-01-20 |
GB0121077D0 (en) | 2001-10-24 |
WO2003021340A3 (en) | 2003-05-08 |
AU2002327939A1 (en) | 2003-03-18 |
CN100573639C (zh) | 2009-12-23 |
KR20100039910A (ko) | 2010-04-16 |
KR20040039319A (ko) | 2004-05-10 |
EP1421571A2 (en) | 2004-05-26 |
CN1698088A (zh) | 2005-11-16 |
US7537947B2 (en) | 2009-05-26 |
US20040263045A1 (en) | 2004-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4361790B2 (ja) | オプトエレクトロニックディスプレイ | |
KR100979791B1 (ko) | 광루미네선스를 감소시키기 위한 전기루미네선스디스플레이 및 드라이버 회로 | |
EP1114473B1 (en) | Display devices | |
US8614545B2 (en) | Organic EL display device having a bank formed to fill spaces between pixel electrodes | |
US6429601B1 (en) | Electroluminescent devices | |
US8786177B2 (en) | Single-photon type organic electroluminescent element | |
US6013982A (en) | Multicolor display devices | |
TWI293011B (ja) | ||
US20050067950A1 (en) | Organic electroluminescent device | |
Parker et al. | Polymer Light‐Emitting Diode Displays—Device Performance and Applications | |
CN115565485A (zh) | 减小oled瞬态响应的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050829 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4361790 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130821 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |