JP2002503020A - 遅延引き出し付きタンデム飛行時間型質量分析計および使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 パルス化イオン発生器と、パルス化イオン発生器と連絡するタイミング制御イオンセレクタと、イオンセレクタと連絡するイオンフラグメント器と、フラグメンテーションチャンバと連絡する分析器とを有する、タンデム飛行時間型質量分析計である。フラグメンテーションチャンバはフラグメントイオンを生成するだけでなく、フラグメントイオンを飛行時間型質量分析で分析するための遅延抽出イオン源としても機能する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （関連出願） 本発明は、参考のため本明細書中に援用する、１９９８年２月６日付出願の米
国特許出願第０９／０２０，１４２号の一部継続出願である。

【０００２】 （発明の分野） 本発明は、概して質量分析計に関し、特にタンデム質量分析計に関する。

【０００３】 （発明の背景） 質量分析計は、サンプルを気化してイオン化し、得られたイオンの質量電荷比
を決定する。１つの形態の質量分析計は、電場の影響下において、与えられたイ
オン、すなわちイオン化され気化したサンプルがイオン源から検出器まで移動す
るために要する時間を測定することにより、イオンの質量電荷比を決定する。与
えられた強度の電場においてイオンが検出器に到達するために要する時間は、質
量の一次関数であり電荷の逆関数である。この形態の質量分析計は飛行時間型質
量分析計と呼ばれる。

【０００４】 最近、特に、比較的不揮発性の生物分子の分析、ならびに高速度、高感度およ
び／または広い質量範囲を必要とする他の適用分野において、飛行時間（ＴＯＦ
）型質量分析計が広く受け入れられるようになってきた。マトリクス支援レーザ
デソープション／イオン化（ＭＡＬＤＩ）および電子スプレー（ＥＳＩ）などの
新しいイオン化技術は、気相で完全な分子イオンを生成するようにされ得る、分
子の質量範囲を大幅に拡大し、ＴＯＦはこれらの適用分野において独自の利点を
有する。例えば米国特許第５，６２５，１８４号および第５，６２７，３６０号
に記載の遅延引き出しの最近の開発は、高分解能で精密な質量測定をＭＡＬＤＩ
−ＴＯＦで日常的に使用可能にし、パルス化引き出しによる直交注入は、ＥＳＩ
−ＴＯＦに対して同様の性能向上を提供している。

【０００５】 これらの技術は、サンプルの分子量に関して優れたデータを提供するが、分子
構造に関してはほとんど情報を提供しない。従来、タンデム質量分析計（ＭＳ−
ＭＳ）は、構造情報を提供するために用いられてきた。ＭＳ−ＭＳ装置において
、第１の質量分析器が、注目する一次イオン、例えば、特定のサンプルの分子イ
オンを選択するために用いられる。内部エネルギを増加させることにより、例え
ばイオンを中性分子と衝突させることにより、そのイオンがフラグメントされる
。その後フラグメントイオンのスペクトルが、第２の質量分析器によって分析さ
れ、一次イオンの構造はしばしば、フラグメンテーションパターンを解釈するこ
とにより決定され得る。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦにおいて、ポストソース分解（ＰＳ
Ｄ）として知られる技術が用いられ得るが、フラグメンテーションスペクトルは
しばしば弱く、解釈することが困難である。イオンが中性分子と高エネルギ衝突
する衝突セルを追加することは、低質量フラグメントイオンの生成を向上させ、
ある程度の追加のフラグメンテーションを引き起こす。しかし、そのスペクトル
は解釈が困難である。直交ＥＳＩ−ＴＯＦにおいて、フラグメンテーションは、
大気圧電子スプレーと排気された質量分析計との間の界面でエネルギ衝突を引き
起こすことにより起こるが、今のところ特定の一次イオンを選択する手段はない
。

【０００６】 タンデム質量分析法の最も一般的な形態は、一次イオンが第１の四重極により
選択され、フラグメントイオンスペクトルが第３の四重極を走査することにより
分析される、トリプル四重極である。第２の四重極は典型的には、複数の低エネ
ルギ衝突が起こるのに十分高い圧力および電圧に維持されている。得られたスペ
クトルは概して、解釈が容易であり、例えば、このようなスペクトルからペプチ
ドのアミノ酸配列を決定する技術が開発されている。最近、第３の四重極が飛行
時間型分析器に置きかえられたハイブリッド装置が記載されている。

【０００７】 一次イオンの選択とフラグメントイオンの分析および検出との両方に飛行時間
技術を用いるいくつかのアプローチが、これまでに記載されている。例えば、表
面誘起解離（ＳＩＤ）を用いた、２つの線形飛行時間型質量分析器を組み込んだ
タンデム装置が、生成品としてのイオンを生成するために用いられてきた。後に
開発されたバージョンにおいて、第２の質量分析器にイオンミラーが追加された
。米国特許第５，２０６，５０８号は、線形または反射型分析器を用いたタンデ
ム質量分析計を開示している。このタンデム質量分析計は、互いに異なる質量を
有する親イオンの分離を必要とすることなく、各親イオンに関してタンデム質量
スペクトルを得ることができる。米国特許第５，２０２，５６３号は、接地され
た真空ハウジングと、フラグメンテーションチャンバを介して連結された２つの
反射型質量分析器と、接地された真空ハウジングに対して電気的に浮遊している
飛行チャネルとを含むタンデム飛行時間型質量分析計を開示している。これらの
デバイスの適用は概して、比較的小さい分子に限られており、ペプチドまたはオ
リゴヌクレオチドの配列決定などの生物学的適用に必要な感度および分解能を提
供するものはないと考えられる。

【０００８】 タンデム質量分析法によるペプチドの配列決定および構造決定にとって、両方
の質量分析器は、注目する質量範囲に亘って、少なくとも単位質量分解能と良好
なイオン伝達とを有していなければならない。分子量１０００を超えると、この
要件は、高質量範囲を有する２つの二重焦点磁気偏向質量分析計からなるＭＳ−
ＭＳシステムによって最も良好に満たされる。これらの装置は最高の質量範囲と
質量精度とを提供するが、飛行時間に比べると感度に限度があり、ＭＡＬＤＩお
よび電子スプレーなどの最新のイオン化技術による使用には容易に適応可能でな
い。これらの装置はさらに、非常に複雑であり高価である。

【０００９】 （発明の要旨） 本発明は、（１）イオン生成器と、（２）イオン生成器と連絡するタイミング
制御イオンセレクタと、（３）イオンセレクタと連絡するイオンフラグメンテー
ションチャンバと、（４）フラグメンテーションチャンバと連絡する分析器とを
含むタンデム飛行時間型質量分析計に関する。一実施形態において、イオン生成
器は、イオンの速度が質量電荷比に依存するようにイオンが加速される、パルス
化イオン源を含む。パルス化イオン源は、レーザデソープションイオン化または
パルス化電子スプレー源を含む。別の実施形態において、イオン生成器は、連続
電子スプレー、電子インパクト、誘起結合プラズマ、または化学的イオン化源な
どの連続イオン化源を含む。この実施形態において、イオンは、ドリフト空間内
のイオンの移動方向に実質的に直交する方向で、パルス化イオン源に注入される
。イオンは、パルス化イオンビームに変換され、周期的に電圧パルスを印加する
ことによってドリフト空間方向に加速される。

【００１０】 一実施形態において、タイミング制御イオンセレクタは、一端にパルス化イオ
ン生成器に連結されたフィールドフリーのドリフト空間を含み、他端でパルス化
イオンデフレクタに連結されている。ドリフト空間は、イオン伝達を向上させる
ためにイオンビームをドリフト空間の中央近傍に閉じ込めるビームガイドを含み
得る。パルス化イオンデフレクタは、選択された質量電荷比範囲内のイオンのみ
が、イオンフラグメンテーションチャンバを介して伝達されることを可能にする
。一実施形態において、分析器が、飛行時間型質量分析計であり、フラグメンテ
ーションチャンバが、イオンのフラグメンテーションを引き起こし、かつ、引き
出しを遅延させるように設計された衝突セルである。別の実施形態において、分
析器がイオンミラーを含む。

【００１１】 本発明の特徴は、フラグメントイオンを生成するためだけでなく、飛行時間型
質量分析計によるフラグメントイオンの分析のための遅延引き出しイオン源とし
て作用するためにも、フラグメンテーションチャンバを用いることである。この
ことは、フラグメントイオンの高分解能飛行時間型質量スペクトルが、単一の収
集で質量範囲全体に亘って記録されることを可能にする。本発明の別の特徴は、
衝突セルと加速領域との間のフィールドフリーの領域を生成するグリッドの追加
である。フィールドフリーの領域は、衝突セル内での衝突によって励起されたイ
オンにフラグメンテーションを完了するための時間を与える。

【００１２】 本発明はさらに、高分解能、高精度、および高感度でフラグメント質量スペク
トルを測定することに関する。一実施形態において、方法は、（１）パルス化イ
オン源を生成する工程と、（２）特定の範囲の質量電荷比のイオンを選択する工
程と、（３）イオンをフラグメントする工程と、（４）遅延引き出し飛行時間型
質量分析法を用いてフラグメントイオンを分析する工程とを含む。一実施形態に
おいて、パルス化イオン源を生成する工程は、ＭＡＬＤＩによって行われる。一
実施形態において、イオンをフラグメントする工程は、イオンを気体の分子と衝
突させることによって行われる。一実施形態において、イオンをフラグメントす
る工程は、イオンを励起させ、その後励起したイオンをほぼフィールドフリーの
領域を通過させることにより、励起したイオンに、実質的にフラグメンテーショ
ンを完了するために十分な時間を与える工程を含む。

【００１３】 本発明による高性能タンデム質量分析法は、一次イオンの選択を含む。パルス
化イオン生成器を制御するパラメータは、注目する一次イオンがパルス化イオン
デフレクタにおいて最小ピーク幅に集束するように、調整される。デフレクタは
、選択されたイオンが伝達されることを可能にするが、すべての他のイオンは偏
向され従って伝達されない。選択されたイオンは所定量だけ減速され得る。選択
されたイオンは、衝突セルに入り、そこで中性分子との衝突により励起されて解
離する。フラグメントイオンおよび残りのすべての選択されたイオンは、衝突セ
ルを出て、セルと、セルとほぼ同一の電位に維持されているグリッドプレートと
の間のほぼフィールドフリーの領域に向かう。この時点でのイオンパケットは、
すべてのイオンが、速度および位置では多少のばらつきがあるが、ほぼ同一の平
均速度を有しているという点で、ＭＡＬＤＩによって最初に生成されたものに酷
似している。

【００１４】 イオンがグリッドプレート内のアパーチャを通過してから短い遅延期間の後に
、所定振幅の加速パルスが、グリッドプレートに印加される。生成品としてのイ
オンのスペクトルは記録され得、正確な質量が決定され得る。理論によると、伝
達効率の損失を最小限に抑えながら、一次イオン選択のための３０００に近い分
解能が達成可能である。フラグメントイオンの理論的分解能は、質量２０００ま
ではフラグメント質量の少なくとも１０倍である。

【００１５】 従って，本発明の目的は、高性能ＭＳ−ＭＳ装置、および一次イオン選択とフ
ラグメントイオン決定との両方のための飛行時間技術を用いた方法を提供するこ
とである。本発明は、ＭＡＬＤＩおよび電子スプレーなどのいずれのパルス化ま
たは連続イオン化源にも適用可能である。本発明は、ペプチド、オリゴヌクレオ
チドおよびオリゴ糖などの生物学的サンプルに関する配列および構造情報を提供
するために特に有用である。

【００１６】 （発明の詳細な説明） 本発明を特に添付の請求の範囲に照らして説明する。本発明の上記および他の
利点は、添付の図面と共に以下の記載を参照することにより、よりよく理解され
得る。

【００１７】 簡単な概略説明として、図１を参照して、本発明の遅延引き出しを用いるタン
デム飛行時間型質量分析計１０は、以下を含む。すなわち、（１）パルス化イオ
ン生成器１２、（２）パルス化イオン生成器１２と連絡するタイミング制御イオ
ンセレクタ１４、（３）タイミング制御イオンセレクタ１４と連絡するイオンフ
ラグメント器またはフラグメンテーションチャンバ１８、そして（４）イオン分
析器２４である。動作中、分析対象サンプルは、パルス化イオン生成器１２によ
りイオン化される。調査対象イオンは、タイミング制御イオンセレクタ１４によ
り選択され、フラグメンテーションチャンバ１８に渡される。ここで、選択され
たイオンはフラグメントされ、分析器２４に渡される。フラグメンテーションチ
ャンバ１８は、分析器２４の遅延引き出し源として機能するよう設計されている
。

【００１８】 さらに詳細に、図２Ａを参照して、遅延引き出しを用いるタンデム飛行時間型
質量分析計１０の１つの実施形態は、パルス化イオン生成器１２を含む。パルス
化イオン生成器は、レーザ２７およびソース引き出しグリッド３６を含む。タイ
ミング制御イオンセレクタ１４は、イオン生成器１２と連絡している。イオンセ
レクタ１４は、電場を有さないドリフト管１６およびパルス化イオンデフレクタ
５２を含む。電場を有さないドリフト管１６は、図７に関連して示されるように
イオンガイドを含んでもよい。

【００１９】 イオンフラグメンテーションチャンバ１８は、イオンセレクタ１４と連絡して
いる。図２Ａに示されるイオンフラグメンテーションチャンバは、衝突セル４４
を含む。しかしながら、フラグメンテーションチャンバ１８は、光解離チャンバ
または表面誘起解離チャンバのような、対象分野において公知の他のあらゆるタ
イプのフラグメンテーションチャンバであってもよい。パルス化イオンデフレク
タ５２への入口における小さなアパーチャ５４は、イオンビームをフラグメンテ
ーションチャンバ１８へ自由に通過させるが、中性ガスの流れは制限する。フラ
グメンテーションチャンバ１８は、イオン分析器２４と連絡している。フラグメ
ンテーションチャンバ１８の出口における小さなアパーチャ５８は、イオンビー
ムを自由に通過させるが、中性ガスの流れは制限する。

【００２０】 １つの実施形態において、グリッドプレート５３は、衝突セル４４に隣接して
配置され、電場を有さない領域５７を形成するようにバイアスされる。電場を有
さない領域５７は、図２Ａにおいて四角で示し、関連する図７においてさらに詳
細に説明するイオンガイド５７’を含んでもよい。フラグメント器引き出しグリ
ッド５６は、グリッドプレート５３および分析器２４への入口５８に隣接して配
置される。別の実施形態において、グリッドプレート５３が排除され、フラグメ
ント器引き出しグリッド５６は、出口アパーチャに直接隣接して配置される。こ
の実施形態は、フラグメンテーションが衝突セル４４内で実質的に完了する測定
において用いられる。分析器２４は、イオンミラー６４と連絡している第２の電
場を有さないドリフト管１６’を含む。第２の電場を有さないドリフト管１６’
は、図７に関連して示すようにイオンガイドを含んでもよい。反射イオンを受け
取るように検出器６８が配置される。

【００２１】 パルス化イオン生成器１２およびドリフト管１６は、ガス放出口２２を通じて
真空ポンプ（図示せず）に接続される真空ハウジング２０に封入されている。ま
た、フラグメンテーションチャンバ１８およびパルス化イオンデフレクタ５２も
、ガス放出口４８を介して真空ポンプ（図示せず）に接続される真空ハウジング
１９に封入されている。同様に、分析器２４は、ガス放出口２８を介して真空ポ
ンプ（図示せず）に接続される真空ハウジング２６に封入されている。真空ポン
プは、イオンと中性分子との衝突が起こり難くなるように、真空ハウジング２０
、１９および２６内の中性ガスのバックグランド圧力を十分に低く維持する。

【００２２】 動作中、分析対象サンプル３２は、イオンのパルスを生成するパルス化イオン
生成器１２によりイオン化される。１つの実施形態において、パルス化イオン生
成器１２は、マトリックス支援レーザデソープション／イオン化（ＭＡＬＤＩ）
を用いる。この実施形態において、レーザビーム２７’は、入射レーザビーム２
８の波長を選択的に吸収可能なマトリックスと混合されたサンプル３２を有する
サンプル板に衝突する。

【００２３】 イオン化から所定の時間後に、サンプル３２とソース引き出しグリッド３６と
の間、およびソース引き出しグリッド３６とドリフト管１６との間に放出電位を
印加することにより、イオンを加速する。１つの実施形態において、ドリフト管
１６は接地電位にある。この加速の後、イオンは、その電荷質量比の平方根にほ
ぼ比例した速度で、ドリフト管１６を移動する。すなわち、イオンは重いほどゆ
っくりと移動する。従って、質量の大きいイオンは、質量の小さいイオンよりも
よりゆっくりと移動するので、イオンは、ドリフト管１６内でその質量電荷比に
応じて分離する。

【００２４】 パルス化イオンデフレクタ５２は、イオン化から所定の時間後に、ある時間窓
だけ開く。これにより、パルス化イオンデフレクタ５２が衝突セル４４へのアク
セスを可能としている間の所定の時間窓内にパルス化イオンデフレクタ５２に達
する選択された質量電荷比のイオンのみが伝達される。従って、パルス化イオン
デフレクタ５２により、選択された質量電荷比を有する所定のイオンのみが、衝
突セル４４に入ることができる。質量がより大きいまたは小さいその他のイオン
は阻止される。

【００２５】 衝突セル４４に入る選択されたイオンは、吸入口４０を通じて流入する中性ガ
スと衝突する。これらの衝突が、イオンのフラグメントを引き起こす。衝突のエ
ネルギーは、サンプル３２と衝突セル４４との間の印加電位差に比例する。１つ
の実施形態において、衝突セル４４における中性ガスの圧力は約１０^-3Ｔｏｒｒ
に維持され、衝突セル４４の周囲の空間における圧力は約１０^-5Ｔｏｒｒに維持
されている。イオン入口アパーチャ４６およびイオン出口アパーチャ５０を介し
て衝突セル４４からのガス拡散は、ガス放出口４８に接続された真空ポンプ（図
示せず）により促進される。別の実施形態においては、ガス吸入口４０に高速パ
ルス化バルブ（図示せず）が配置され、これによりイオンがフラグメンテーショ
ンチャンバ１８に達する間は、中性ガスの高圧パルスを生成し、それ以外の間は
、フラグメンテーションチャンバ１８を真空状態に保つ。中性ガスは、ヘリウム
、空気、窒素、アルゴン、クリプトンまたはキセノンのような任意の中性ガスで
あり得る。

【００２６】 １つの実施形態において、フラグメントイオンがグリッドプレート５３内のア
パーチャ５０’を通過し、グリッドプレート５３とフラグメント器引き出しグリ
ッド５６との間のほぼ電場を有さないの領域５９に入るまで、グリッドプレート
５３およびフラグメント器引き出しグリッド５６は、衝突セル４４と実質的に同
じ電位にてバイアスされる。イオンがグリッドプレート５３を通過してから所定
の時間後に、グリッドプレート５３上の電位が高電圧へと急速に切り換えられ、
これによりイオンは加速される。加速されたイオンは、分析器２４への入口５８
を通過し、第２の電場を有さないドリフト管１６’に入り、イオンミラー６４に
入り、そして反射イオンを受け取るように配置された検出器６８へと進む。

【００２７】 グリッドプレート５３上の電位が切り換えられた時から、検出器６８によるイ
オンの検出までの、イオンフラグメントの飛行時間が測定される。測定された時
間から、イオンフラグメントの質量電荷比が、決定される。フラグメンテーショ
ンチャンバ１８がイオンフラグメントの遅延引き出しソースとして機能するよう
に動作パラメータを正しく選択することで、質量電荷比を非常に高い分解能にて
決定することができる。動作パラメータは、以下を含む。すなわち、（１）グリ
ッドプレート５３内のアパーチャ５０’を通じてのフラグメントイオンの通過と
、グリッドプレート５３への加速電位の印加との間における遅延、および（２）
グリッドプレート５３とフラグメント器引き出しグリッド５６との間における引
き出し電界の大きさ、である。

【００２８】 別の実施形態においては、グリッド５３は用いられないか、または存在しない
。この実施形態は、衝突セル４４内でフラグメンテーションが実質的に完了する
測定において用いられる。この実施形態において、フラグメント器引き出しグリ
ッド５６は、衝突セル４４と実質的に同じ電位にてバイアスされる。イオンが衝
突セル４４を出てから所定の時間後に、衝突セル４４への高電圧接続が、第２の
高電圧供給（図示せず）へと急速に切り換えられ、これにより、イオンは加速さ
れる。加速されたイオンは、分析器２４への入口５８を通過し、第２の電場を有
さないドリフト管１６’に入り、イオンミラー６４に入り、そして反射イオンを
受け取るように配置された検出器６８へと進む。

【００２９】 衝突セル４４上の電位が切り換えられた時から、検出器６８によるイオンの検
出までの、イオンフラグメントの飛行時間が測定される。イオンフラグメントの
質量電荷比は、測定された時間から決定される。フラグメンテーションチャンバ
１８がイオンフラグメントの遅延引き出しソースとして機能するように動作パラ
メータを正しく選択することで、質量電荷比を非常に高い分解能にて決定するこ
とができる。動作パラメータは、以下を含む。すなわち、（１）高電圧が第２の
高電圧に急速に切り換えられる前に、イオンが衝突セル４４を出てから所定の時
間後、および（２）衝突セル４４とフラグメント器引き出しグリッド５６との間
における引き出し電界の大きさ、である。

【００３０】 図２Ｂは、図２Ａに示すタンデム質量分析計の実施形態の各部分においてイオ
ンが経る電位を示す。電圧７０がサンプル３２に印加され、電圧７１が引き出し
グリッド３６に印加される。電圧７１は、電圧７２とほぼ等しい。レーザービー
ム２８がサンプル３２に衝突するのに応答して、イオンのパルスが形成され、サ
ンプル３２と引き出しグリッド３６との間にある実質的に電場を有さないの空間
６１内に放出される。イオンは、その質量電荷比とほぼ無関係な特徴的な速度分
布で、サンプル３２から放出される。イオンが、サンプル３２と引き出しグリッ
ド３６との間のほぼ電場を有さないの空間６１内をドリフトするに従い、イオン
は空間的に分布し、より速いイオンは引き出しグリッド３６に近くなり、そして
より遅いイオンはサンプル３２に近くなる。イオン化から所定の時間後に、サン
プル３２に印加された電圧は、より高い電圧７２へと急速に切り換えられ、これ
により、サンプル３２と引き出しグリッド３６との間に電界を確立する。サンプ
ル３２と引き出しグリッド３６との間の電界により、サンプル３２に最も近くて
初期的により遅いイオンが、初期的により速いイオンよりも大きな加速を受ける
。

【００３１】 ドリフト管１６が、引き出しグリッド３６よりも低い電位７３にあるため、引
き出しグリッドとドリフト管との間に第２の電界が確立される。１つの実施形態
において、電圧７３は、接地電位にある。これにより、イオンは、第２の電界に
よりさらに加速される。電圧７１および７２、ならびにイオンパルスの形成と引
き出し電圧７２のスイッチングとの間の時間遅延を適切に選択することにより、
８１の初期的により遅いイオンは、８２の初期的により速いイオンよりも加速さ
れるため、初期的により遅いイオンは、最終的に選択集束点８３にて、初期的に
より速いイオンを追い抜く。選択集束点８３としては、パルス化イオンデフレク
タ５２、衝突セル４４、またはイオン行路沿いのその他の任意の点が選ばれ得る
。

【００３２】 ＭＡＬＤＩによるイオン生成における典型的な速度分布の場合、ある特定の質
量電荷比のイオンが、選択集束点８３に到達する時間の総時間幅は、典型的には
約１ナノ秒以下である。選択集束点８３が、パルス化イオンデフレクタ５２と同
じ位置に選択された場合、パルス化イオンデフレクタ５２のゲートは、選択され
た質量電荷比のイオンの到達時間に対応する短い時間間隔で開けられ、これ以外
の時間は、他のすべてのイオンを阻止するために閉じられる。本発明の遅延引き
出しは、イオンパケットの時間幅を非常に小さくすることが可能なことから、イ
オン選択の分解能が、パルス化イオンデフレクタ５２の特性によってしか制限さ
れないため、有利である。従って、高分解能のイオン選択が可能である。対照的
に、継続的な引き出しを用いた場合には、すべてのイオンが電界から同一の加速
を受け、速度集束は起こらない。これにより、特定の質量電荷比のイオンパケッ
トの時間幅は、サンプルから行路沿いの任意の点へのイオンの移動時間に比例し
て拡大し、イオン選択の分解能は非常に高くはなり得ない。

【００３３】 動作中、パルス化イオンデフレクタ５２は、選択された質量電荷比のイオンが
到達するまでの間、質量の小さいイオンを偏向する横電界を確立する。選択され
た質量電荷比のイオンが到達すると、横電界は急速にゼロへと下げられため、選
択されたイオンは通過可能となる。選択されたイオンの通過後、横電界は元に戻
り、より質量の大きいあらゆるイオンは偏向される。選択されたイオンは、フラ
グメンテーションチャンバ１８内へ偏向されずに伝達される。

【００３４】 イオンが、入口アパーチャ４６を通って衝突セル４４に入る前に、イオンの運
動エネルギーを下げるために電圧７４が衝突セル４４に印加され得る。衝突セル
４４内のイオンのエネルギーは、電圧７４およびイオンの初速度と関連する運動
エネルギーに対する初期電位８１または８２により決定される。衝突セル４４内
でイオンが中性分子と衝突する際のエネルギーは、電圧７４を変えることで多様
にすることができる。

【００３５】 衝突セル４４内でイオンが中性分子と衝突する際、イオンの運動エネルギーの
一部は、イオンがフラグメントするのに十分な内部エネルギーに変換され得る。
衝突セル４４内における衝突により、エネルギーを与えられたイオンおよびフラ
グメントは、幾分遅い速度にて衝突セル４４内を移動し続け、依然短い時間間隔
内で、遅延引き出しおよび衝突により変更された初速度分布に対応する速度分布
にて、出口アパーチャ５０を通って最終的に出てくる。

【００３６】 １つの実施形態において、グリッドプレート５３に印加された電圧７４、およ
びフラグメント器引き出しグリッド５６に印加された電圧７５が等しくあるため
、衝突セル４４とフラグメント器引き出しグリッド５６との間に電場を有さない
領域を形成する。電場を有さない領域内をイオンがドリフトするに従い、イオン
は空間的に分布し、より速いイオンはフラグメント器引き出しグリッド５６に近
くなり、そしてより遅いイオンはグリッドプレート５３に近くなる。

【００３７】 所定の時間遅延の後、グリッドプレート５３に印加された電圧は、より高い電
圧７６へと急速に切り換えられ、これにより、グリッドプレート５３とフラグメ
ント器引き出しグリッド５６との間に電界が確立される。その結果、初期的によ
り遅いイオンは、初期的により速いイオンよりも大きな加速を受ける。１つの実
施形態において、グリッドプレート５３および衝突セル４４は、その両方が同時
に切り換えられるように電気的に接続されている。別の実施形態において、衝突
セル４４に印加される電圧は一定であり、グリッドプレート５３に印加される電
圧のみが切り換えられる。

【００３８】 別の実施形態において、グリッドプレート５３は用いられないか、または存在
しない。この実施形態は、フラグメンテーションが衝突セル４４内で実質的に完
了する測定において用いられる。この実施形態では、衝突セル４４とフラグメン
ト器引き出しグリッド５６との間に電場を有さない領域はない。所定の時間遅延
の後、衝突セル４４に印加された電圧は、より高い電圧７６へと急速に切り換え
られ、これにより、衝突セル４４とフラグメント器引き出しグリッド５６との間
に電界を確立する。その結果、初期的により遅いイオンは、初期的により速いイ
オンよりも大きな加速を受ける。

【００３９】 イオンは、フラグメント器引き出しグリッド５６とドリフト管１６’との間の
電界内でさらに加速される。１つの実施形態において、電圧７７は、接地電位に
あってもよい。電圧７６および７４、ならびに衝突セル４４の切り換え時間を適
切に選択することで、８４の初期的により遅いイオンは十分に加速され、８５の
初期的により速いイオンを選択集束点８９にて追い抜く。

【００４０】 １つの実施形態において、この集束点は、分析器２４への入口５８、あるいは
その付近に選択される。この実施形態において、イオンは、第２の電場を有さな
い領域１６’を移動し、イオンミラー６４に入る。イオンミラー６４内において
、イオンは、電圧７９で反射され、最終的に検出器６８に衝突する。ドリフト管
１６’の所定の長さおよびミラー６４の長さに対して、電圧７８は、検出器６８
にてイオンを時間的に再集束するように調整可能である。このように、フラグメ
ンテーションチャンバ１８は、分析器２４の遅延引き出し源としての役割を果た
し、フラグメントイオンの高分解能スペクトルが測定可能となる。

【００４１】 図３は、図２におけるフラグメンテーションチャンバ１８の１つの実施形態の
模式図である。衝突セル４４は、衝突セル４４内にガスを導入するガス吸入口４
０、および衝突セル４４から外へとガスを拡散する（矢印Ｄ）入口アパーチャ４
６および出口アパーチャ５０をそれぞれ含む。これらのアパーチャ４６および５
０は、衝突セル４４内に外部の電界が侵入するのを回避するために、透明度の高
いグリッド４７で覆われてもよい。外部に拡散するガスは、フラグメンテーショ
ンチャンバ１８のガス放出口４８（図２）に取り付けられた真空ポンプにより引
き出される。１つの実施形態において、均一な電界が、衝突セル４４とフラグメ
ンテーションチャンバ１８への入口アパーチャ５１との間、ならびにフラグメン
ト器引き出しグリッド５６と分析器２４への入口アパーチャ５８との間に確立さ
れる。

【００４２】 高電圧電源９２は、引き出しグリッド５６および抵抗型分圧器５３’に接続さ
れている。分圧器５３’は、電気的に絶縁した保護環５５に取り付けられている
。保護環５５は、引き出しグリッド５６と分析器２４への入口アパーチャ５８と
の間、ならびに衝突セル４４とフラグメンテーションチャンバ１８への入口アパ
ーチャ５１との間の空間に、均一間隔で置かれている。分圧器５３’は、これら
の空間にほぼ均一の電界を提供するように調整されている。高電圧電源９０は、
衝突セル４４に電気的に接続され、電圧７４（図２Ｂ）に設定されている。グリ
ッドプレート５３上の電圧は、スイッチ８０により設定される。スイッチ８０は
、電圧７４に設定された高電圧電源９０、および電圧７６に設定された高電圧電
源９１のそれぞれ（図２Ｂ）と電気的に連絡している。

【００４３】 スイッチ８０は、遅延発生器８７からの信号により制御される。遅延発生器８
７は、制御器（図示せず）から受け取ったスタート信号に応答して、制御信号を
スイッチ８０に供給する。制御器は、１つの実施形態においては、デジタルコン
ピュータである。スイッチ８０が、グリッドプレート５３への高電圧接続を高電
圧電源９０により生じる電圧７４から、高電圧電源９１により生じる電圧７６へ
と切り換えるために起動される直前に、選択された質量電荷比のイオンが、グリ
ッドプレート５３におけるアパーチャ５０’を通過できるように遅延が設定され
る。

【００４４】 同様に図４を参照して、１つの実施形態において、パルス化イオンデフレクタ
５２は、透明度の高いグリッドで覆われたアパーチャ５１と５４との間に配置さ
れる、２つの直列デフレクタ１００および１０２を含む。アパーチャ５４はまた
、ドリフト管１６の出口アパーチャとして機能し、アパーチャ５１もまた、フラ
グメンテーションチャンバ１８への入口アパーチャ５１として機能する。グリッ
ド状のアパーチャ５１および５４は、デフレクタ１００および１０２により形成
された電界が、パルス化イオンデフレクタ５２より先へと伝搬することを回避す
る。デフレクタ１００および１０２は、電気的破壊を引き起こすことなく、でき
る限りアパーチャ５１および５４上のグリッド面の近くに配置される。

【００４５】 １つの実施形態において、サンプル３２に最も近いデフレクタ１００は、デフ
レクタ１００の電極１０１Ａと１０１Ｂがこれらの電極間に電位差を有する、通
常閉（ＮＣ）または充電状態の構成で動作される。第２のデフレクタ１０２は、
電極１０５Ａと１０５Ｂとの間に電圧差がない、通常開（ＮＯ）または放電状態
の構成により動作される。イオンの生成と、デフレクタ１００における所望の質
量電荷比のイオンの到達時間との間の遅延を正しく選択することにより、入口電
極１０１Ａおよび１０１Ｂは、所望のイオンのみがデフレクタ１００に達するよ
うに開くため、非充電状態にされ得る。その一方で、第２のデフレクタ１０２の
電極１０５Ａおよび１０５Ｂは、対象イオンがデフレクタ１０２を通過する直後
に閉じられるように非充電状態される。この方法にて、質量の小さいイオンは、
第１のデフレクタ１００により阻止され、質量の大きいイオンは、第２のデフレ
クタ１０２により阻止される。イオンは、臨界アパーチャからそれるような、十
分に大きな角度で偏向されることにより、阻止される。様々な実施形態において
（例えば、図２）、臨界アパーチャは、衝突セル４４への入口アパーチャ４６、
分析器２４または検出器６８（最小の偏向角度を有する方）への入口アパーチャ
５８と一致し得る。

【００４６】 電界におけるイオンの運動方程式により、イオン行路沿いにおける任意の２つ
の点の間のあらゆるイオンの飛行時間を正確に計算することができる。図２Ａお
よび図２Ｂに示される１つの実施形態において用いられたような均一の電界の場
合、これらの方程式は、特に正確に計算することができ、電圧、距離、および初
速度が正確に知られている条件においては、２つの点の間のあらゆるイオンの飛
行時間を正確に計算することができる。具体的には、イオンが均一加速電界を横
断する時間は、以下の方程式で示される。

【００４７】 ｔ＝（ｖ₂−ｖ₁）／ａ 式中、ｖ₂は加速後の最終速度、ｖ₁は加速前の初速度、そしてｔはイオンが電界
内で過ごす時間を示す。加速度は、以下の方程式で示される。

【００４８】 ａ＝ｚ（Ｖ₁−Ｖ₂）／ｍｄ 式中、ｚはイオンの電荷、ｍはそのイオンの質量、Ｖ₁およびＶ₂は印加電圧、そ
してｄは電界の全長を示す。電場を有さない空間において、加速度はゼロであり
、以下の式で示される。 ｔ＝Ｄ／ｖ 式中、Ｄは、電場を有さない空間の全長、ｖはイオンの速度を示す。

【００４９】 保存系（すなわち、摩擦損失がない場合）において、運動エネルギーおよび位
置エネルギーの総和は一定である。電界における荷電粒子の運動は、以下の式で
示される。 Ｔ₂−Ｔ₁＝ｚ（Ｖ₁−Ｖ₂） 式中、運動エネルギーＴ＝ｍｖ²／２である。この式をＶについて解くことによ って、任意の点における荷電粒子の速度の明確な式を示し得る。

【００５０】 一連の均一な電界を移動するイオンに対して、上記の方程式は、イオンの質量
、電荷、電位、距離と、初期の位置および速度との関数として飛行時間を正確に
提供する。距離がメートルで、電位がボルトで、質量がｋｇで、電荷がクーロン
で、そして時間が秒で表されるＳＩ系が用いられる場合、さらなる定数は必要な
い。

【００５１】 場合によっては、すべてのパラメータは、先験的に十分な正確さで知られない
こともあり、そのような場合は、計算された飛行時間の補正を経験的に決定する
必要もあり得る。

【００５２】 いかなる場合においても、任意に選択された質量電荷比のイオンの飛行時間は
、十分な正確さで決定でき、これにより、パルス化イオン生成器１２におけるイ
オンの生成と、タイミング制御イオンセレクタ１４におけるイオンの選択、また
は衝突セル４４からのイオンのパルス引き出しとの間に必要とされる時間遅延を
正確に決定することが可能となる。

【００５３】 同様に図５を参照して、１つの実施形態において、４チャネル遅延発生器１６
２は、スタートパルス１５０により開始される。スタートパルス１５０は、パル
ス化イオン生成器１２におけるイオンの生成と同期している。１つの実施形態に
おいて、スタートパルスは、レーザビーム２８からの光のパルスを検出すること
により生成される。第１の遅延期間の後、パルス１５１が遅延発生器１６２によ
り生成される。遅延発生器１６２は、電圧７０および７２をそれぞれ供給する電
圧源と連絡しているスイッチ１５５をオンにする。

【００５４】 パルス１５１を受け取る前、スイッチ１５５は、電圧７０の供給源をサンプル
３２へと接続する位置１６０にある。パルス１５１を受け取ると、スイッチ１５
５は、電圧７２の電圧源をサンプル３２へと接続する位置１６１に急速に移動す
る。第１の遅延は、パルス化イオン生成器１２により生成された選択された質量
電荷比のイオンが、選択点（例えばパルス化イオンデフレクタ５２）において、
時間的に集束するように選択される。

【００５５】 第２の遅延期間の後、スイッチ１５６および１５７をトリガするパルス１５２
が生成される。パルス１５２を受け取る前、スイッチ１５６は電圧源１２０を偏
向板１０１Ａに接続し、スイッチ１５７は電圧源１２１を偏向板１０１Ｂに接続
する。パルス１５２を受け取ると、スイッチ１５６および１５７は、急速に動い
て偏向板１０１Ａおよび１０１Ｂの両方を接地に接続する。

【００５６】 同様に、スイッチ１５８および１５９は、初期的には電極１０５Ａおよび１０
Ｂを接地接続し、そして第３の遅延期間の後に起こる遅延パルス１５３に応答し
て、電極１０５Ａおよび１０５Ｂを電圧源１２２および１２３にそれぞれ接続す
る。１つの実施形態において、電圧源１２０および１２２は等しい電圧を供給し
、電圧源１２１および１２３は、電圧源１２０より供給される電圧と大きさが等
しく符号は反対である電圧源を供給する。第２の遅延期間は、パルスイオン偏向
器５２の入口アパーチャ５４、またはその付近に選択された質量電荷比のイオン
が到達することに対応するように選択される。そして、第３の遅延期間は、パル
スイオン偏向器５２の出口アパーチャ５１、またはその付近に選択された質量電
荷比のイオンが到達することに対応するように選択される。

【００５７】 第４の遅延期間の後、スイッチ７９をトリガするパルス１５４が生成される。
パルス１５４を受け取る前、スイッチ７９は、電圧源供給電圧７４をグリッド板
５３に接続する。そして、パルス１５４を受け取ると、スイッチ７９は、電圧源
供給電圧７６をグリッド板５３に接続するために急速に切り換える。第４の遅延
期間は、グリッド板５３のアパーチャ５０’、またはその付近に選択された質量
電荷比のイオンが到達することに対応するように選択される。第４の遅延期間を
適切に選択することで、フラグメンテーションチャンバ１８は、分析器２４の遅
延引き出し源として作用し、一次イオンおよびフラグメントイオンの両方が、時
間的に検出器６８に集束する。各スイッチ７９、１５５、１５６、１５７、１５
８および１５９は、次のスタートパルスが開始されるよりも前に、初期状態にリ
セットされなければならない。スイッチをリセットする時間および速度は重要で
はなく、各スイッチに組み込まれた固定遅延の後に実行してもよいし、あるいは
別の外部の遅延チャネル（図示せず）からの遅延パルスを用いてもよい。

【００５８】 図６を参照して、フラグメントイオンの分解能は、定められた距離、電圧およ
び遅延時間を有する、図２に示した実施形態のような、あらゆる機器構成（ｉｎ
ｓｔｒｕｍｅｎｔａｌ ｇｅｏｍｅｔｏｒｙ）に対して計算できる。図６に示す
プロットは、２０キロボルトのサンプル電圧７２および１９．８キロボルトの衝
突セル電圧７４（実験室基準系（ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ
ｆｒａｍｅ）における２００ボルトのイオン中性衝突エネルギーに対応）で、パ
ルス化イオン生成器１２において生じる質量電荷比（ｍ／ｚ）が２０００のイオ
ンについてのフラグメント質量の関数としての分解能の計算に対応する。（図２
Ａおよび図２Ｂ）。ｍ／ｚが２０００の一次イオンがアパーチャ５０’を通過す
ると計算された時点から８５８ナノ秒の遅延後に、グリッド板５３をより高い電
圧７６に切り換えた。この電圧７６は、この計算の目的においては２５キロボル
トであった。

【００５９】 １つの事例にて（図６の曲線１１１）、フラグメント器引き出しグリッド５６
に印加された電圧７５もまた、１９．８キロボルトであったため、引き出しグリ
ッド５６と衝突セル４４との間の領域は電場を有さなかった。別の事例にて（図
６の曲線１１２）、フラグメント器引き出しグリッド５６に印加された電圧７５
は１９．９キロボルトであったため、衝突セル４４の出口５０から出てくるイオ
ンは多少減速された。図６からもわかるように、後者の事例である１１２は、比
較的大きい質量の場合に理論的分解能が若干低くなるが、比較的低いフラグメン
ト質量においては幾分良好な分解能が得られる。

【００６０】 図７を参照して、本発明の実施形態によっては、イオンガイド９９が、１つ以
上のフィールドフリー領域に配置されることを含む。イオンガイドは、イオンの
伝達を増加させるため、ドリフト管１６または１６’のうちの少なくとも１つに
、あるいはフィールドフリー領域５７に配置され得る。ワイヤインシリンダ型（
ｗｉｒｅ−ｉｎ−ｃｙｌｉｎｄｅｒ ｔｙｐｅ）および４極、６極または８極か
ら成るＲＦ励起多極レンズを含む、いくつかの型のイオンガイドが、当該分野に
おいて公知である。イオンガイドの１つの実施形態において、スタックリング静
電イオンガイド（ｓｔａｃｋｅｄ ｒｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｉ
ｏｎ ｇｕｉｄｅ）が用いられる。スタックリングイオンガイドは、それぞれ中
央アパーチャ１１０を有し、各組のリング１０８の間に均一の間隔で重ねられた
同一の板またはリング１０８および１０８’の積層体を含む。リング１０８’は
１つおきに正の電圧電源１０９に接続され、その間のリング１０８は、それぞれ
、負の電圧電源１０７に接続される。

【００６１】 入口１０６および出口５４のアパーチャが配置されるドリフト管１６の端板は
、ガイドの隣接し合うリングの間の距離の半分に相当する距離だけ、スタックリ
ングイオンガイドの端部から離れている。イオンガイド９９を通過する際のイオ
ン飛行時間が不安定になるのを回避するため、正にバイアスされた電極の数を、
負にバイアスされた電極の数と等しくすることが重要である。入射イオンビーム
のエネルギーと比例する電圧電源１０７および１０９からの印加電圧の、適切な
大きさを選択することにより、イオンビームは、ガイドの軸付近で閉じ込められ
る。例えば、ワイヤインシリンダ型イオンガイドよりもスタックリングイオンガ
イドの方が優位である点は、イオンの飛行時間に著しい影響を与えることなく、
エネルギーおよび質量の広い範囲にわたり、効率的にイオンを伝達させることで
ある。

【００６２】 図８は本発明の別の実施形態である。図８を参照して、パルス化イオン生成器
１２へイオンを供給するために、連続またはパルス源のイオン１２８のいずれを
用いてもよい。この実施形態において、電気スプレー、化学イオン化、電子衝撃
、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）およびＭＡＬＤＩを含む、当該分野において公知
のあらゆるイオン化技術を用いることができる。この実施形態においては、イオ
ンのビーム１２９を、電極１３０と引き出しグリッド３６との間のフィールドフ
リー空間内に注入し、周期的に電圧パルスを電極１３０に印加し、これにより、
初期ビームの方向と直交する方向へイオンを加速させる。イオンは、引き出しグ
リッド３６とグリッド１３６との間に形成された第２の電界においてさらに加速
される。

【００６３】 保護板１３４は、分圧器（図示せず）に接続され、グリッド３６と１３６との
間に均一な電界を形成するための補助として用いられ得る。イオンは、フィール
ドフリー空間１６を通過し、フラグメンテーションチャンバ１８内に入る。フラ
グメンテーションチャンバ１８内において、イオンは衝突セル４４に入り、その
中で中性分子との衝突によりフラグメントされる。この実施形態において、以下
でさらに説明するように、パルスイオン偏向器は衝突セル４４内に配置され、フ
ラグメンテーションチャンバ１８は、分析器２４の遅延引き出し源として機能す
る。フラグメンテーションチャンバ１８から出ていくイオンは、フィールドフリ
ー空間１６’を通過し、イオンミラー６４により反射され、フィールドフリー空
間１６’に再び入り、検出器６８により検出される。

【００６４】 図２Ｂを参照して、この電位図は、多少の変更を加えれば、図８に示される１
つの実施形態にも適用される。サンプル３２（図２）は、電極１３０（図８）に
置き換えられ、パルスイオン偏向器５２は、衝突セル４４（図８）内に配置され
る。連続イオン源１２８内で生成されたイオンビーム１２９は、点８１と８２の
間にある、電極１３０と引き出しグリッド３６との間の空間に入る。電極１３０
における電圧７０は、初期的には引き出しグリッド３６上の電圧７１と等しく、
電極１３０を周期的に切り換えることにより、イオンを引き出す。７０と７２と
の間の電圧差は、ビーム内のイオンが、時間内に衝突セル４４からの出口、また
はその付近に集束するように選択される。１つの実施形態において、引き出しグ
リッド３６上の電圧７１は接地電位にあり、ドリフト管１６および１６’上の電
圧７３は、対象イオンとは反対符号の電圧である。

【００６５】 衝突セル４４内のイオンのエネルギーは、電圧７４にそれらの初速度に関連付
けられた運動エネルギーを足したものに対して、それらの初期電位８１または８
２により決定される。従って、衝突セル４４内でイオンが中性分子と衝突する際
のエネルギーは、電圧７４を変えることで変化させることができる。１つの実施
形態において、電圧７１および電圧７４は、接地電位にある。この実施形態にお
いて、衝突セル４４とフラグメント器引き出しグリッド５６との間の引き出し電
界は、初期的に接地の、または接地付近の電圧７５を、より低い電圧に切り換え
ることで形成される。

【００６６】 図９を参照して、１つの実施形態において、パルスイオン偏向器５２は、衝突
セル４４内に配置される。パルス化イオン生成器１２（図８）からのイオンは、
衝突セル４４の出口１０４、またはその付近に集束される。選択された質量電荷
比を有するイオンのパルスが、衝突セル４４への入口１０３、またはその付近に
到達したとき、パルスイオン偏向器１００を停止状態にし、これにより、選択さ
れたイオンを無偏向で通過させる。選択された質量電荷比を有するイオンのパル
スが、衝突セル４４への出口１０４、またはその付近に到達したとき、パルスイ
オン偏向器１０２を活性化し、これにより、パルス偏向器１０２に遅れて到達す
る、より大きい質量のイオンを偏向する。このように、質量電荷比のより低いイ
オンは、パルスイオン偏向器１００により偏向され、質量電荷比のより高いイオ
ンは、パルスイオン偏向器１０２により偏向され、そして選択された質量電荷比
の範囲内のイオンは、偏向されずに伝達される。パルスイオン偏向器１００およ
び１０２に印加された電圧は、偏向されたイオンおよび衝突セル内で生成された
あらゆるフラグメントが、臨界アパーチャを通過することがないように調整され
る。臨界アパーチャは、この実施形態において、分析器２４への入口アパーチャ
５８である。

【００６７】 図８に示される実施形態において、連続イオン源１２８からのビームは、断面
が円筒状であり、ビームの軸に垂直な方向における速度成分が非常に小さくなる
ように、十分に平行化されている。その結果、パルス化イオン生成器１２により
生成されたパルスビーム３９は、連続イオン源１２８からイオンが移動する方向
において比較的幅が広くなっているが、直交方向において狭くなっている。すな
わち、ビームの方向がｘ軸沿いの場合、これに直交するビームの幅は狭くなる。
アパーチャ３６、１３６、１３８、１０３、１０４、５６および１４２の幅は、
本質的にパルスビーム全体が透過されるように、連続ビーム１２９およびパルス
ビーム３２の方向により規定される平面において、十分に広くなければならない
。しかし、この平面に垂直の方向においては、狭くてもよい。これは、衝突セル
４４の断面図を示す図９Ａに示されている。この図において、出口アパーチャ１
０４の全長は、連続イオン源１２８からのビームに平行する方向において２５ｍ
ｍで、連続イオン源１２８からのビームおよびパルスビーム３９で規定される平
面に対して直交する方向においては１．５ｍｍである。その他のアパーチャ３６
、１３６、１３８、１０３、５６および１４２は、同様の寸法を有していてもよ
い。また、連続イオンビーム１２９の初速度は、パルス化イオン生成器１２内で
の加速により与えれた速度にベクトル的に加算される。その結果、パルスイオン
ビーム３９の行路は、加速の方向に対して小さな角度にあり、スリットは、その
長手方向沿いにオフセットされており、これにより、パルスイオンビーム３９の
中心が、各アパーチャの中心付近を通過する。

【００６８】 図１０を参照して、本発明の１つの実施形態は、フラグメンテーションチャン
バ１８内で、光解離セル１５２を用いる。１つに実施形態において、光解離セル
は、衝突セル４４に類似するが、中性ガスが吸入口４０を通じて流入するのでは
なく、パルスレーザビーム１５０がアパーチャまたは窓１６０を通じて流入し、
アパーチャまたは窓１６１を通じてセルから出ていく。レーザパルスは、選択さ
れた質量電荷比のイオンパルスと同時にレーザパルスが光解離セルの中心に到達
するように、スタートパルスおよび遅延発生器（図示せず）と同期している。

【００６９】 対象イオンがその波長にてエネルギーを吸収するようにレーザの波長は選択さ
れている。１つの実施形態において、２６６ｎｍのレーザ光線の波長を有する４
倍Ｎｄ：ＹＡＧレーザが用いられる。別の実施形態において、１９３ｎｍの波長
を有するエキシマレーザが用いられる。対象イオンにより吸収されることを条件
として、あらゆる波長の放射を用いることができる。対象イオンは、パルスレー
ザビーム１５０からの１つ以上の光子の吸収により励起され、フラグメント化さ
れる。フラグメントは、上記にて詳述したように、分析器２４の遅延引き出し源
として機能を果たすフラグメンテーションチャンバ１８で分析される。光解離セ
ル１５２はまた、パルスイオン偏向器１００および１０２を備え、選択されたイ
オンと異なる質量電荷比を有するイオンが分析器２４に伝達されるのを回避する
。

【００７０】 図１１を参照して、本発明の１つの実施形態は、フラグメンテーションチャン
バ１８内で表面誘起解離セル１５４を用いる。この実施形態において、対象イオ
ンは、パルスイオン偏向器５２により選択され、その他の質量電荷比のイオンは
、表面誘導誘起解離セル１５４に入らないように偏向される。選択されたイオン
が、入射のグレージング角度にて電極１５６の表面１５９と衝突するように選択
されたイオンを偏向するように、電極１５８と１５６との間に電位差が印加され
る。イオンは、表面１５９との衝突により励起され、フラグメントされる。１つ
の実施形態において、表面１５９は、フラグメンテーションを促進する、あるい
は、表面との電荷交換の可能性を低減するように、ペルフルオロ化等の高分子量
の比較的不揮発性である液体でコーティングされる。フラグメントイオンは、分
析器２４の遅延引き出し源として機能を果たすフラグメンテーションチャンバ１
８で分析される。

【００７１】 図１２を参照して、１つの実施形態において、タイミング制御イオン選択器１
４およびイオンフラグメンテーションチャンバ１８は、パルス化イオン生成器１
２と同じ真空ハウジング２０内に封入されている。グリッド板５３およびフラグ
メント器引き出しグリッド５６を含むパルスイオン引き出し器は、分析器２４を
封入する真空ハウジング２６に配置される。フラグメンテーションチャンバ１８
とグリッド板５３との間のほぼフィールドフリーの空間５７に配置される小さな
アパーチャ５８により、中性ガスの流れは制限されるが、イオンビームは自由に
通過できる。１つの実施形態において、アパーチャ５８を通過するイオンを集束
させるために、パルス化イオン生成器１２とタイミング制御イオン選択器１４と
の間にｅｉｎｚｅｌレンズが配置される。この実施形態において、真空ハウジン
グ１９（図２）およびこれに関連する真空ポンプは、必要とされない。１つの実
施形態において、フラグメンテーションチャンバ１８内の衝突セル４４は、フラ
グメント器引き出しグリッド５６と同様、接地電位に接続されている。グリッド
板５３も同様に、最初は接地されており、対象イオンが、グリッド板５３とフラ
グメント器引き出しグリッド５６との間のほぼフィールドフリーの空間５９に達
した後、高電圧に切り換えられる。

【００７２】 本発明の好適な実施形態を記載したが、これらの概念を取り入れた他の実施形
態も用いられ得ることが、当業者には明らかである。従って、これらの実施形態
は、開示された実施形態に限定されるものではなく、添付の請求項の趣旨と範囲
によってのみ限定されるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明の一実施形態のブロック図である。

【図２Ａ】 図２Ａは、本発明の、図１の実施形態の模式図である。

【図２Ｂ】 図２Ｂは、本発明の、図２Ａに示す実施形態の、各点に存在する電圧を示すグ
ラフである。

【図３】 図３は、図２のフラグメンテーションチャンバの一実施形態の模式図である。

【図４】 図４は、図２のパルス化イオンデフレクタおよび関連するゲーティング電位の
一実施形態の模式図である。

【図５】 図５は、図２に示すパルス化イオン生成器、タイミング制御イオンセレクタ、
およびタイミング制御引き出しにおいて用いられる電圧スイッチング回路の一実
施形態のブロック図である。

【図６】 図６は、本発明の、図２の実施形態のための、質量電荷比２０００を有する仮
定的イオンフラグメンテーションにより得られたフラグメントイオンの、分解能
と質量電荷比との関係を示すグラフである。

【図７】 図７は、本発明の、図１の実施形態の、様々なフィールドフリーの領域に位置
し得る積層プレートアレイを含むイオンガイドの実施形態の模式図である。

【図８】 図８は、図１の本発明の、別の実施形態の模式図である。

【図９】 図９は、本発明の、図８に示す実施形態のための、フラグメンテーションチャ
ンバとしての衝突セルの実施形態の模式図である。

【図９Ａ】 図９Ａは、図９の衝突セルの断面図である。

【図１０】 図１０は、本発明の、図８に示す実施形態のフラグメンテーションチャンバと
しての光解離セルの実施形態の模式図である。

【図１１】 図１１は、本発明の、図８に示す実施形態のフラグメンテーションチャンバ内
での、イオンと固体または液体表面との衝突を用いた実施形態の模式図である。

【図１２】 図１２は、本発明の、図１の実施形態の模式図であって、タイミング制御イオ
ンセレクタと、イオンフラグメンテーションチャンバと、パルス化イオン生成器
とが同一の真空ハウジング内に収容されている実施形態の模式図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ (71)出願人 500 Ｏｌｄ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ Ｐａｔｈ，Ｆｒａｍｉｎｇｈａｍ，Ｍａｓ ｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ 01701，Ｕｎｉｔ ｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃ ａ

Claims (37)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ａ）所定の質量電荷比範囲のイオンを焦点面上に集束させる、パルス化イオン
   源と； ｂ）該焦点面に位置され、該パルス化イオン源からの該集束されたイオンを受
   け取るタイミング制御イオンセレクタであって、該所定の質量電荷比範囲のイオ
   ンのみがイオンフラグメント器まで移動することを可能にする、タイミング制御
   イオンセレクタと； ｃ）該タイミング制御イオンセレクタと連絡するイオンフラグメント器と； ｄ）該イオンフラグメント器に結合されたタイミング制御パルス化引き出し器
   であって、該所定のイオンおよびそのフラグメントを加速する、タイミング制御
   パルス化引き出し器と； ｅ）該タイミング制御パルス化引き出し器と連絡する飛行時間分析器であって
   、該予め選択されたイオンおよびそのフラグメントの質量電荷比を決定する、飛
   行時間分析器と； を備える、タンデム飛行時間型質量分析計。
2. 【請求項２】 前記タイミング制御パルス化引き出し器は、実質的に電場を
   有さない領域によって前記イオンフラグメント器に結合されており、該電場を有
   さない領域は、該イオンフラグメント器中の衝突によって励起されたイオンがフ
   ラグメンテーションを実質的に完了することを可能にする、請求項１に記載の質
   量分析計。
3. 【請求項３】 前記実質的に電場を有さない領域内に位置されたイオンガイ
   ドをさらに備える、請求項２に記載の質量分析計。
4. 【請求項４】 前記イオンガイドはガイドワイヤを包含する、請求項３に記
   載の質量分析計。
5. 【請求項５】 前記イオンガイドは孔があけられた複数のプレートを包含し
   、該複数のプレートのうちの１つおきのプレートに正のＤＣ電位が印加され、該
   複数のプレートのうちの残りのプレートに負のＤＣ電位が印加される、請求項３
   に記載の質量分析計。
6. 【請求項６】 前記イオンガイドはＲＦ励起される多重極レンズを包含する
   、請求項３に記載の質量分析計。
7. 【請求項７】 前記イオンフラグメント器と前記タイミング制御パルス化引
   き出し器との間に位置されたグリッドをさらに備え、該グリッドは前記実質的に
   電場を有さない領域を生成するようにバイアスされている、請求項２に記載の質
   量分析計。
8. 【請求項８】 前記タイミング制御イオンセレクタは、ドリフト管およびタ
   イミング制御イオンデフレクタを包含する、請求項１に記載の質量分析計。
9. 【請求項９】 前記ドリフト管はイオンガイドを含む、請求項８に記載の質
   量分析計。
10. 【請求項１０】 前記イオンガイドはガイドワイヤを包含する、請求項９に
    記載の質量分析計。
11. 【請求項１１】 前記イオンガイドは孔があけられた複数のプレートを包含
    し、該複数のプレートのうちの１つおきのプレートに正のＤＣ電位が印加され、
    該複数のプレートのうちの残りのプレートに負のＤＣ電位が印加される、請求項
    ９に記載の質量分析計。
12. 【請求項１２】 前記イオンガイドはＲＦ励起される多重極レンズを包含す
    る、請求項９に記載の質量分析計。
13. 【請求項１３】 前記タイミング制御イオンデフレクタは、電位差が印加さ
    れる１対の偏向電極を包含し、該電位は、前記選択された質量電荷比範囲内のイ
    オンが該電極間を通過する時間区間中以外において、イオンが前記イオンフラグ
    メント器に到達することを防ぐ、請求項８に記載の質量分析計。
14. 【請求項１４】 前記タイミング制御イオンデフレクタは２対の偏向電極を
    包含し、低い質量電荷比のイオンが前記イオンフラグメント器に到達することを
    防ぐための電位差が第１の偏向電極対に印加され、高い質量電荷比のイオンが該
    イオンフラグメント器に到達することを防ぐための電位差が第２の偏向電極対に
    印加される、請求項８に記載の質量分析計。
15. 【請求項１５】 前記パルス化イオン源は、遅延引き出しマトリックス支援
    レーザデソープション／イオン化（ＭＡＬＤＩ）イオン源を包含する、請求項１
    に記載の質量分析計。
16. 【請求項１６】 前記パルス化イオン源は、電場を有さない領域中にイオン
    を注入するインジェクタおよび、注入方向に対して直交方向に該イオンを引き出
    すパルス化イオン引き出し器を包含する、請求項１に記載の質量分析計。
17. 【請求項１７】 前記イオンフラグメント器に入る前記イオンのエネルギー
    は、該イオンフラグメント器に電位を印加することにより制御される、請求項１
    に記載の質量分析計。
18. 【請求項１８】 前記イオンフラグメント器は、イオンが中性分子と衝突さ
    せられる衝突セルを包含する、請求項１に記載の質量分析計。
19. 【請求項１９】 前記イオンフラグメント器は、イオンに光子ビームが照射
    される光解離セルを包含する、請求項１に記載の質量分析計。
20. 【請求項２０】 前記イオンフラグメント器は、イオンが固体または液体表
    面に衝突する表面解離手段を包含する、請求項１に記載の質量分析計。
21. 【請求項２１】 前記質量分析器は、前記タイミング制御パルス化引き出し
    器をイオン検出器に結合するドリフト管を備えている、請求項１に記載の質量分
    析計。
22. 【請求項２２】 前記ドリフト管は、イオン伝達効率を増加させるためのイ
    オンガイドを含んでいる、請求項２１に記載の質量分析計。
23. 【請求項２３】 前記イオンガイドは孔があけられた複数のプレートを包含
    し、該複数のプレートのうちの１つおきのプレートに正のＤＣ電位が印加され、
    該複数のプレートのうちの残りのプレートに負のＤＣ電位が印加される、請求項
    ２２に記載の質量分析計。
24. 【請求項２４】 前記イオンガイドはＲＦ励起される多重極レンズを包含す
    る、請求項２２に記載の質量分析計。
25. 【請求項２５】 前記ドリフト管と前記検出器との間にイオンミラーが設け
    られた、請求項２１に記載の質量分析計。
26. 【請求項２６】 前記タイミング制御パルス化引き出し器は、前記質量分析
    器のための遅延引き出しイオン源を包含することにより、各質量電荷比のイオン
    が、前記イオンフラグメント器から出射したときの速度に関わらず、狭い時間間
    隔内で前記検出器に到達するように、イオンが時間的に集束される、請求項１に
    記載の質量分析計。
27. 【請求項２７】 前記パルス化源、前記タイミング制御イオンセレクタ、お
    よび前記イオンフラグメント器は、同じ真空ハウジング中に納められている、請
    求項１に記載の質量分析計。
28. 【請求項２８】 ａ）対象サンプルからイオンパルスを生成する工程と； ｂ）該パルスからの所定の質量電荷比範囲を有するイオンを、イオンセレクタ
    内に集束させる工程と； ｃ）該イオンセレクタを活性化することにより、該所定の質量電荷比範囲を有
    する該集束されたイオンを選択する工程と； ｄ）該選択されたイオンを励起することにより、該イオンをフラグメントする
    工程と； ｅ）飛行時間型質量分析を用いて該フラグメントイオンを分析する工程と； を包含する、高性能タンデム質量分析方法。
29. 【請求項２９】 前記飛行時間型質量分析を用いて前記フラグメントイオン
    を分析する工程は、遅延引き出し飛行時間型質量分析を用いて該フラグメントイ
    オンを分析する工程を包含する、請求項２８に記載の方法。
30. 【請求項３０】 ほぼ電場を有さない領域を通って前記励起されたイオンを
    通過させることにより、該励起されたイオンがそこにおいてフラグメンテーショ
    ンを実質的に完了することを可能にする工程をさらに包含する、請求項２８に記
    載の方法。
31. 【請求項３１】 前記選択されたイオンを励起する工程は、イオンを中性ガ
    ス分子に衝突させることを包含する、請求項２８に記載の方法。
32. 【請求項３２】 前記イオンパルスを生成する工程は、電子スプレー、気圧
    支援電子スプレー、化学的イオン化、ＭＡＬＤＩ、およびＩＣＰからなる群より
    選択された方法を包含する、請求項２８に記載の方法。
33. 【請求項３３】 ａ）パルス化イオン源と； ｂ）該パルス化イオン源からイオンを受け取るように位置されたタイミング制
    御イオンセレクタであって、所定の質量電荷比範囲のイオンのみがイオンフラグ
    メント器まで移動することを可能にする、タイミング制御イオンセレクタと； ｃ）該タイミング制御イオンセレクタと連絡するイオンフラグメント器と； ｄ）実質的に電場を有さない領域によって該イオンフラグメント器に結合され
    たタイミング制御パルス化引き出し器であって、該所定のイオンおよびそのフラ
    グメントを加速する、タイミング制御パルス化引き出し器と； ｅ）該タイミング制御パルス化引き出し器と連絡する飛行時間分析器であって
    、該予め選択されたイオンおよびそのフラグメントの質量電荷比を決定する、飛
    行時間分析器と； を備える、タンデム飛行時間型質量分析計。
34. 【請求項３４】 前記実質的に電場を有さない領域は、前記イオンフラグメ
    ント器中の衝突によって励起されたイオンがフラグメンテーションを実質的に完
    了することを可能にする、請求項３３に記載の質量分析計。
35. 【請求項３５】 前記イオンフラグメント器と前記タイミング制御パルス化
    引き出し器との間に位置されたグリッドをさらに備え、該グリッドは前記実質的
    に電場を有さない領域を生成するようにバイアスされている、請求項３３に記載
    の質量分析計。
36. 【請求項３６】 前記タイミング制御イオンセレクタは、ドリフト管および
    タイミング制御イオンデフレクタを包含する、請求項３３に記載の質量分析計。
37. 【請求項３７】 前記パルス化イオン源は、電場を有さない領域中にイオン
    を注入するインジェクタおよび、注入方向に対して直交方向に該イオンを引き出
    すパルス化イオン引き出し器を包含する、請求項３３に記載の質量分析計。