JP2002339075A

JP2002339075A - 長尺基材の表面処理方法及びその方法により製造された光学フィルム

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Publication number: JP2002339075A
Application number: JP2001147732A
Authority: JP
Inventors: Takashi Murakami; 隆村上; Kazuhiro Fukuda; 和浩福田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2001-05-17
Filing date: 2001-05-17
Publication date: 2002-11-27
Anticipated expiration: 2021-05-17
Also published as: JP5050299B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、大気圧または大気圧近傍の
圧力下での放電プラズマ処理により、長尺基材の表面に
均一な薄膜を形成する方法及びそれにより製造された光
学フィルムを提供することであり、又表示装置用の各種
光学フィルムを提供することである。【解決手段】長尺基材が対向する電極間に配置され、
電極間に設けられた長尺基材の幅手方向に沿ってスリッ
ト状に配置されたガス導入口から大気圧又は大気圧近傍
の圧力下で反応ガスを送り込みながら、前記電極間に高
周波電圧を印加して放電させて、前記基材表面に薄膜を
形成することを特徴とする長尺基材の表面処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、長尺基材上に均一
な薄膜を形成するための表面処理方法及びその方法によ
り形成された長尺フィルムに関し、特に太陽電池、液晶
画像表示装置、各種ディスプレイ装置、有機ＥＬディス
プレイ、無機ＥＬディスプレイ、ＣＲＴ、プラズマディ
スプレイ等に使用される光学フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】光学レンズ、ＣＲＴ、コンピュータやワ
ープロに用いられる液晶画像表示装置等の分野を中心
に、透過率、コントラストの向上や、映り込み低減のた
めに表面反射を減少させる反射防止技術が従来より提案
されている。反射防止技術には、光学干渉層として積層
する各層の屈折率と光学膜厚を適当な値に調整すること
により、積層体と空気界面における光の反射を減少させ
ることが有効であることが知られている。このような多
層の積層体は、高屈折率層としてＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｔ
ａ₂Ｏ₅等を、また低屈折率材料としては、ＳｉＯ₂、Ｍ
ｇＦ₂等を積層して製作されており、これらはスパッタ
リング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真
空を用いた乾式製膜法によって、製作されている。しか
し、このような真空装置は処理基材が大きくなると、製
膜装置が非常に大型化するため、装置が非常に高額にな
る他、真空排気にも非常に時間を費やし、生産性が上げ
られないという欠点があった。

【０００３】このような真空装置を用いることによる低
生産性のデメリットを克服する方法として、大気圧条件
下または大気圧近傍の圧力下でプラズマ放電を発生さ
せ、薄膜を製膜する方法が特開平１１−１３３２０５
号、同１１−６１４０６号、特開２０００−１８５３６
２号、同２０００−１４７２０９号、同２０００−１２
１８０４号等に記載されている。

【０００４】しかしながら、上記記載の方法を適用して
も微少面積への製膜は可能であるが、巾３００ｍｍ以上
の広巾基材への均一製膜は困難であり、特に屈折率及び
光学膜厚を一定に保つ必要のある反射防止機能膜の連続
製膜は非常に困難であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、大気
圧または大気圧近傍の圧力下での放電プラズマ処理によ
り、長尺基材の表面に均一な薄膜を形成する方法及びそ
れにより製造された光学フィルムを提供することであ
り、又表示装置用の各種光学フィルムを提供することで
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記の手段により達成された。

【０００７】１．長尺基材が対向する電極間に配置さ
れ、電極間に設けられた長尺基材の幅手方向に沿ってス
リット状に配置されたガス導入口から大気圧又は大気圧
近傍の圧力下で反応ガスを送り込みながら、前記電極間
に高周波電圧を印加して放電させて、基材表面に薄膜を
形成することを特徴とする長尺基材の表面処理方法。

【０００８】２．回転電極及びこれに巻き回された長尺
基材とそれらに対向して配置された対向電極に設けられ
た長尺基材の幅手方向に沿ってスリット状に配置された
ガス導入口から大気圧又は大気圧近傍の圧力下で希ガス
を有する反応ガスを送り込みながら、電極間に高周波電
圧を印加して放電させて、基材表面に薄膜を形成するこ
とを特徴とする長尺基材の表面処理方法。

【０００９】３．対向する電極の一方の電極が、基材の
搬送方向に沿って複数設けられており、該複数の電極間
または該複数の電極自身に前記ガス導入口又はガス排出
口を設けたことを特徴とする前記１に記載の長尺基材の
表面処理方法。

【００１０】４．回転電極に対して対向して配置された
対向電極が、基材の搬送方向に沿って複数設けられてお
り、該複数の対向電極間または対向電極自身に前記ガス
導入口又はガス排出口を設けたことを特徴とする前記２
に記載の長尺基材の表面処理方法。

【００１１】５．前記ガス導入口とガス排出口が交互に
配置されたことを特徴とする前記３に記載の長尺基材の
表面処理方法。

【００１２】６．前記ガス導入口とガス排出口が交互に
配置されたことを特徴とする前記４に記載の長尺基材の
表面処理方法。

【００１３】７．前記ガス導入口近傍での放電抑制手段
を設けたことを特徴とする前記１又は２に記載の長尺基
材の表面処理方法。

【００１４】８．前記ガス導入口近傍での放電抑制手段
を設けたことを特徴とする前記３又は５に記載の長尺基
材の表面処理方法。

【００１５】９．前記ガス導入口近傍での放電抑制手段
を設けたことを特徴とする前記４又は６に記載の長尺基
材の表面処理方法。

【００１６】１０．回転電極に長尺基材を吸引固定して
搬送し、放電処理することを特徴とする前記４、６又は
９に記載の長尺基材の表面処理方法。

【００１７】１１．回転電極が導電性のベルトであるこ
とを特徴とする前記４、６、９又は１０に記載の長尺基
材の表面処理方法。

【００１８】１２．長尺基材の幅方向に沿ってスリット
状に配置された、搬送方向に沿って複数設けられたガス
導入口より同一組成のガスを導入して、厚み方向で層の
組成が等しい薄膜を形成することを特徴とする前記３、
４、５、６、８、９、１０又は１１に記載の長尺基材の
表面処理方法。

【００１９】１３．長尺基材の幅方向に沿ってスリット
状のガス導入口が長尺方向に沿って複数設けられ、該複
数のガス導入口より異なる組成のガスを導入して、厚み
方向で層の組成が連続的若しくは段階的に変化する薄膜
を形成することを特徴とする前記３、４、５、６、８、
９、１０又は１１に記載の長尺基材の表面処理方法。

【００２０】１４．反応ガスがヘリウム、アルゴン、ネ
オンから選択される希ガスを９０〜９９．９９％含有
し、有機金属化合物を０．０１〜１０％含有することを
特徴とする前記２〜１３のいずれか１項に記載の長尺基
材の表面処理方法。

【００２１】１５．放電のために電極間に印加される高
周波電圧の周波数が１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚである
ことを特徴とする前記２〜１４のいずれか１項に記載の
長尺基材の表面処理方法。

【００２２】１６．前記１〜１５のいずれか１項に記載
の方法で表面処理されたことを特徴とする光学フィル
ム。

【００２３】１７．前記１６に記載の光学フィルムを保
護フィルムとして用いたことを特徴とする偏光板。

【００２４】１８．前記１６に記載の光学フィルムを用
いたことを特徴とする表示装置。以下、本発明を詳細に
説明する。

【００２５】先ず、本発明の長尺基材表面に薄膜を形成
する表面処理方法を、図１に示す。本発明の表面処理方
法により光学フィルムを製造する方法、また、その製造
方法に用いられる製造装置について、以下にその実施の
形態を図面を用いて説明するが、本発明はこれらに限定
されない。図１は、本発明の長尺基材表面に薄膜を形成
する表面処理方法において用いられるプラズマ放電処理
装置の一例を示す概略図である。図１においては、ロー
ル状に巻かれた基材Ｆは温湿度調整部９０に送られ搬送
ロール１１により搬送された後、希ガス、反応ガス又は
その混合ガスを導入された予備室６０Ａ内に設けられた
ニップロール１２Ａ及び１２Ｂ間を通過させて同伴空気
を遮断されて、放電処理装置７０内に導かれる。外部の
空気が放電処理装置７０に混入すると目的のプラズマ処
理の妨げとなるため、できるだけ外気の同伴を防止する
ことが望まれる。そのためには、予備室を多数設けた
り、ニップロールの数を増やすことが有効である。

【００２６】又、放電処理装置７０内から外部の空気を
除いておくために希ガス、反応ガス又はその混合ガスを
導入するため、それぞれ予備室６０Ａ、放電処理装置７
０、又後述する予備室６０Ｂにはガス導入口３４が設け
られている。又放電処理装置７０にはガスの排出口４４
が設けられている。

【００２７】このようにして、放電処理装置７０内に導
かれた基材Ｆはガイドロール２１により回転電極２５に
接しながら搬送される。回転電極２５は基材Ｆの搬送と
同期して回転することができる。基材Ｆは回転電極２５
に密着した状態で放電部へと搬送される。放電部は回転
電極２５とこれに対向して配置された複数の対向電極２
４の間隙に形成される。回転電極２５と複数の対向電極
２４の間には、電源８０より電圧供給手段８１及び８２
を介して高周波電圧が印加される。回転電極２５と対向
電極２４の間隙は通常０．５〜５０ｍｍであることが安
定な放電を起こさせるために好ましく、特に１〜２０ｍ
ｍであることが望ましい。回転電極２５と対向電極２４
との電極の間隙は幅手方向で一定であることが、均一な
薄膜を形成するためには好ましい。放電部の前方そして
複数の対向電極の間に基材の幅手方向に沿ってスリット
状に配置した複数のガス導入口３０ａ〜３０ｋ（図１に
は、基材搬送上、最も上流側のガス導入口３０ａを示
し、３０ｂ以降最も下流側に配置したガス導入口３０ｋ
までは省略されており、導入口を示す代わりにガスの流
れを示す矢印で示した）から放電部（回転電極２５とこ
れに対向して配置された複数の対向電極２４の間隙に形
成された）に向けて反応性ガスが導入される。ガス導入
口のスリットの幅は０．１〜２０ｍｍが好ましく、より
好ましくは１〜１０ｍｍである。ガス導入口から基材Ｆ
へのガス導入角度は直角であってもよいが好ましくは搬
送方向に対して±５〜８５°傾けるとよい（＋は搬送の
上流方向、−は下流方向に傾いていることを示す）。

【００２８】図２に最下流側の放電部の拡大図を示し
た。ガス導入口３０ｊ、３０ｋが、対向電極２４間に配
置されている様子を示した。反応ガスは反応ガス生成器
（図示されていないが）において生成した後、配管を通
してガス導入口から放電部に供給され使用された後、排
ガスとして排出口４０より装置外に排出される。

【００２９】電極のガス導入口近傍には、反応性ガスに
よる蓄積物などの汚れが付着しやすいため、放電が抑制
されるような手段が設けられることが好ましい。放電を
抑制する手段としては特に制限はないが、例えばガス導
入口を非金属物質にて製作する又はその部分のみ電極を
被覆する固体誘電体膜厚を厚くする、電極を絶縁体で被
覆する又電極間距離を長めにするなどの手段があげられ
る。絶縁体としてはテフロン（Ｒ）等のフッ素樹脂が好
ましく用いられるが特に限定されるものではない。

【００３０】反応ガスがこのガス導入口３０ａ〜３０ｋ
から対向電極２４側より回転電極２５に密着した基材Ｆ
に向かって放電部に供給され、回転電極２５とこれに対
向する対向電極２４の間に高周波電圧が印加されること
で、対向電極２４及び回転電極２５間の放電部において
プラズマ放電がおこり、供給された反応ガスがイオン化
あるいはラジカル化するなどし、これにより基材上に薄
膜が形成される。

【００３１】放電空間に導入された反応性ガスは短時間
で放電処理されるため、上記のように基材Ｆの搬送方向
に沿って、複数のガス導入口が設けられていることが好
ましい。

【００３２】これらのガス導入口を設ける間隔は５〜２
００ｍｍであることが好ましく、特に１０〜１００ｍｍ
であることが好ましい。導入されたガスは基材Ｆの搬送
に伴って基材Ｆと対向電極２４の間隙へと送られる。処
理に使用されたガスは幅手方向の両端部に設けられたガ
ス排出口（図示していない）より排出してもよいし、放
電部の前方あるいは図１に示すように後方にガス排出口
４０を設け、排出してもよい。

【００３３】この様にして、放電部で薄膜が形成された
基材Ｆはガイドロール２２及び予備室６０Ｂのニップロ
ール１２Ｃ及び１２Ｄ間を通り、搬送ロール１１により
搬送されて、巻き取られるか次工程へと送られる。尚、
仕切板５４は前記ニップロール１２Ａ、１２Ｂに近接し
て配置され、基材Ｆに同伴する空気がプラズマ放電処理
装置７０内に進入するのを抑制する。又、外気の侵入を
防ぐため、予備室に設けられたニップロール１２Ｃ、１
２Ｄに近接して仕切板５４が同様に設けられている。

【００３４】本発明に係わる別のプラズマ放電処理装置
の一例を示す概略図を図３に示す。図３においても図１
と同様に、放電処理部の最前方に設けられたガス導入口
３０ａ及びガス排出口４０ａ、そして放電処理部の最後
方に設けられたガス排出口４０ｆのみを示すが、この間
に設けられた複数の対向する対向電極間に交互にガス導
入口３０ｂ〜３０ｆとガス排出口４０ｂ〜４０ｆを設け
ている。図においては、回転電極２５と対向電極２４の
間の放電部に設けられたこれらのガス導入口とガス排出
口は省略してあり、単にガスの流れを示す矢印を示し
た。電極間にガス導入口とガス排出口が交互に設けられ
た様子を、最下流側の放電部の拡大図である図４を用い
て示した。

【００３５】これらのガス導入口３０ａ〜３０ｆとガス
排出口４０ａ〜４０ｆはいずれも長尺基材の幅方向に沿
ってスリット状に設けられており、これが交互に設けら
れていることによって各ガス導入口より供給されて、回
転電極２５と対向電極２４間の放電部において放電処理
に使用された後の排ガスは主に隣接するガス排出口から
排出することができる構造となっている。これによっ
て、広い放電部でより均一な処理が可能となり、形成さ
れる薄膜の膜厚方向の物性や組成をより均一にすること
ができる。あるいは基材Ｆの搬送方向に従って、反応ガ
スの濃度あるいは組成や成分を変化させることによっ
て、形成される薄膜の膜厚方向の物性あるいは組成を意
図的に変化させることも可能であり、これによって様々
な機能を有する薄膜を形成させることが可能となる。

【００３６】ガス導入口とガス排出口は厳密に交互に設
けられている必要はなく、前記のような効果が得られる
配置になっていればよい。又、各電極間にすべてガス導
入口とガス排出口が配置されている必要もなく、1つ以
上の間隔をおいて配置されてもよい。

【００３７】図５は本発明に係わる更に別のプラズマ放
電処理装置の一例であり、放電処理部の前方及び後方に
設けられたガス導入口３０及びガス排出口４０の他、回
転電極及びこれと対向する固定電極間に設けられたガス
導入口及びガス排出口として、対向電極２４自身にスリ
ット状のガス導入口３１及びガス排出口４１を交互に設
けた例を示している。幅手方向にきられたスリット状の
ガス導入口３１に均一にガスを供給するためにバッファ
ー部となるバッファー空間３２が設けられている。又、
ガス排出口も同様の構造を有しており同じくバッファー
空間４２を介し排出される。

【００３８】図６に、上記のプラズマ放電処理装置の斜
視図を示す。バッファー空間３２に反応ガスを送り込む
ガス導入管３３及びバッファー空間４２を通してガスを
排出するガス排出管４３、対向電極に基材の幅手方向に
沿ってスリット状に設けられたガス導入口３１及びガス
排出口４１におけるガスの流れをそれぞれ矢印で示して
いる。

【００３９】図７には電極自身が反応ガス導入部を有す
る対向電極の幾つかの例を示す。（ａ）は、それぞれ基
材搬送時の幅手方向に沿って電極にスリット状にきられ
た溝中に、複数のガス導入口が配列したタイプについて
斜め前方からみた図である。（ｂ）はこれを斜め後方か
らみたものであり、ガス導入管は省略してある。（ｃ）
はこれを導入口に沿って縦に切った断面図を示したもの
である。（ｄ）はガス導入口自身がスリット状にきられ
ているものの例を示した。これら電極表面（内面も含
む）には固体誘電体が被覆されていることが望ましい。

【００４０】又、（ｅ）にはガス導入口が傾けて設けら
れたもので、（ｆ）はその断面を示している。

【００４１】図８にこれら対向電極がガス供給部を備え
たプラズマ放電処理装置の放電処理部の一例を示す。

【００４２】図８においては、前記図７の（ｂ）のタイ
プの対向電極を用いたもので、回転電極として後述する
例えばベルト電極と組み合わせた例を示している。対向
電極に設けられたガス導入口３０から反応ガスが導入さ
れると共に、各対向電極間に設けられたガス排出口４０
から使用されたガスが排出する（反応ガスの流れを矢印
で示した）。

【００４３】ガス導入口の周辺の、或いはガス導入部を
有する対向電極には反応ガスの分解物が蓄積することが
ある。そのため、好ましくはガス導入口周辺の電極或い
は電極のガス導入部周辺は放電を抑制するように電極を
被覆している固体誘電体の厚みを厚くするか、絶縁体で
被覆する或いは回転電極との極間をやや大きくすること
が好ましい。これによって長期間連続的に長尺基材上に
薄膜を形成することができる。

【００４４】長尺基材上に均一な薄膜を形成するために
は、基材Ｆを回転電極上に密着した状態で放電部を搬送
することが必要である。そのため、基材には、皺などが
入らないように適切な搬送張力で搬送されることが望ま
れる。又、回転電極に基材を吸引固定して搬送し放電処
理することも有効であり、特に基材の幅手両端部を吸引
固定することが好ましい。

【００４５】本発明の長尺基材の表面処理方法による薄
膜形成方法では、長尺基材の幅よりも搬送方向において
長い区間、回転電極上で放電処理されることが好まし
く、そのため回転電極の直径は長尺基材の幅手長さの１
／３以上であることが好ましく、１／２〜１０倍である
ことが望ましい。

【００４６】図９に回転電極を導電性ベルトとしたプラ
ズマ放電処理装置の一例を示す。回転電極を導電性ベル
トとした場合、より広い放電空間を確保できるため好ま
しい。ベルトは裏面よりサポートロール等によってたわ
みを抑えることが有効であり、対向電極との電極間隙が
略一定となるようにすることが好ましい。図９におい
て、１３Ａは導電性ベルト電極を示し、１４Ｃ及び１４
Ｄは該導電性ベルト電極のサポートロールであり、７０
は放電処理装置である。導電性ベルト電極に対向して複
数の対向電極２４が備えられてあり、各電極間にガス導
入口３０とガス排出口４０が交互に設けられている。こ
こで、複数設けられたスリット状ガス導入口３０より略
同一組成のガスを導入して、厚み方向の層の組成が等し
い薄膜を形成することができる。ガスの組成が等しいと
は、厳密に同一でなくともよく、例えば±５％程度の変
動はあってもよいということであり、層の組成が等しい
というのも同様の程度に異なっていてもよいということ
であり、化学的、物理的に大きな違いのない程度の変動
は許容するということである。

【００４７】又、この複数設けられたスリット状ガス導
入口３０より、それぞれ異なる組成のガスを供給するこ
とにより、厚み方向での薄膜の組成あるいは物性が段階
的にあるいは連続的に変化する薄膜を形成することもで
きる。これによって様々な特性を有する薄膜を形成する
ことができる。あるいは多層の薄膜が積層された積層体
において、隣接層との密着性を改善することもできる。

【００４８】薄膜を形成するために用いられる反応ガス
は、好ましくはヘリウム、アルゴン、ネオンから選択さ
れる希ガスを９０．００〜９９．９９％含有することが
好ましい。ここに反応性成分として、有機金属化合物あ
るいは各種有機化合物あるいは含フッ素化合物を０．０
１〜１０％含有するガスが用いられる。

【００４９】プラズマ放電処理のために電極間に印加さ
れる高周波電圧は周波数１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚで
あることが特に望ましい。プラズマ放電処理のために印
加される周波数が１００ｋＨｚ未満では形成される膜が
多孔質となりやすく、膜が弱くなり好ましくない。１５
０ＭＨｚを越えると安定した放電空間を得ることが難し
く、特に５０ＭＨｚ以下であることが好ましい。これに
よって、より均一で強固な膜を均一に形成することが可
能となる。

【００５０】図１０（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係
る例えば図１に示されるプラズマ放電処理に用いられる
円筒型の回転電極の一例を示す概略図、図１１（ａ）、
（ｂ）は各々、円筒型の対向電極の一例を示す概略図、
図１２（ａ）、（ｂ）は各々、角柱型の対向電極の一例
を示す概略図である。

【００５１】図１０（ａ）においては、回転電極２５は
金属等の導電性母材２５ａにライニングにより無機材料
を設けたライニング処理誘電体２５ｂを被覆した組み合
わせで構成され、図１０（ｂ）においては、回転電極２
５は、金属等の導電性母材２５Ａに対しセラミックスを
溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆
処理誘電体２５Ｂを被覆する等の組み合わせで構成され
ている。図１１（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示す対向電極
２４、図１２（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示す対向電極２
４についても、上記図１０の（ａ）、（ｂ）に示す回転
電極２５と同様な組み合わせで構成される。

【００５２】ここで、金属等の導電性母材２５ａ、２５
Ａ、又２４ａ、２４Ａとしては、銀、白金、ステンレ
ス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工
の観点からステンレスが好ましい。また、ライニング材
としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン
酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガ
ラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好
ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加
工し易いので、更に好ましく用いられる。

【００５３】この他、固体誘電体としては、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプ
ラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム
（Ａｌ ₂Ｏ₃）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化チ
タン（ＴｉＯ₂）等の金属酸化物、チタン酸バリウム等
の複酸化物等が挙げられる。

【００５４】対向電極又は回転電極は基材の温度を制御
できるようにするため、温度制御機能を有していること
が望まれる。制御する温度範囲は目的や使用する基材に
よって変わるが、例えば０℃〜５００℃といった温度と
なるように制御できる機能があることが望ましい。熱に
弱い基材を使用する場合は、特に室温〜２００℃更に室
温〜１２０℃の範囲で±１℃以内の精度で制御できるこ
とが望ましい。温度制御方法としては、温度制御された
気体或いは液体を回転電極内に循環させる方法などが好
ましい。用いる液体としては蒸留水、油等の絶縁性材料
が好ましく用いられる。上記の温度範囲に調整する為、
必要に応じて電極、基材は電極冷却ユニットにより冷却
しながら放電プラズマ処理される。

【００５５】本発明の表面処理をおこなうプラズマ放電
処理装置にこれら回転電極及び対向電極（図１０、１
１、１２等に示した）を組み込む場合、対向する電極間
のギャップは、例えば１ｍｍ程度に設定される。

【００５６】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て決定される。上記電極の一方に固体誘電体を設置した
場合の固体誘電体と電極の最短距離、上記電極の双方に
固体誘電体を設置した場合の固体誘電体同士の距離とし
ては、いずれの場合も均一な放電プラズマを発生させる
という観点から０．５ｍｍ〜２０ｍｍが好ましく、特に
好ましくは１ｍｍ±０．５ｍｍである。

【００５７】前記プラズマ放電処理装置７０内に回転電
極２５、これに対向する対向電極２４を所定位置に配置
し、反応ガス生成装置で発生させた混合ガスを流量制御
して、ガス導入口３０より放電部にプラズマ処理に用い
る混合ガスを供給する。供給されたガスは処理後ガス排
出口４０より排気する。次に電源８０により電極間に電
圧を印加し、回転電極２５はアースに接地し、放電プラ
ズマを発生させる。ここでロール状の元巻き基材より搬
送ロール１１を介し基材Ｆを供給し、ニップロール１２
Ａ、１２Ｂを介しガイドロール２１によって、放電部を
電極間を片面接触（回転電極２５に接触している）した
状態で搬送された基材Ｆは搬送中に放電プラズマにより
表面が放電処理され、その後にガイドロール２２を介し
て、ニップロール１２Ｃ、１２Ｄを介して次工程に搬送
される。ここで、基材Ｆは回転電極に接触していない面
のみ放電処理がなされる。

【００５８】電源８０より対向電極２４に印加される電
圧の値は適宜決定されるが、電源周波数は１ｋＨｚ〜１
５０ＭＨｚに調整される。プラズマ放電処理装置にはパ
イレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器等が好ましく用い
られるが、電極との絶縁がとれれば金属製を用いること
も可能である。例えは、アルミまたは、ステンレスのフ
レームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、
該金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっ
ても良い。

【００５９】本発明においては、上記の放電プラズマ処
理が大気圧または大気圧近傍で行われるが、ここで大気
圧近傍とは、２０ｋＰａ〜２００ｋＰａの圧力を表す
が、本発明に記載の効果を好ましく得るためには、９３
ｋＰａ〜１１０ｋＰａが好ましい。

【００６０】また、本発明の表面処理方法に係るプラズ
マ放電処理装置においては、互いに対向する電極の中、
基材と接する側の電極、特に上記に記載の回転電極にお
いてはＪＩＳＢ０６０１で規定される表面粗さの最
大高さ（Ｒｍａｘ）が１０μｍ以下になるように調整さ
れることが好ましいが、更に好ましくは、表面粗さの最
大値が８μｍ以下であり、特に好ましくは、７μｍ以下
に調整することである。

【００６１】また、ＪＩＳＢ０６０１で規定される
中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以下が好まし
く、更に好ましくは０．１μｍ以下である。

【００６２】次に、本発明の表面処理方法に係る混合ガ
スについて説明する。本発明により薄膜を形成するため
希ガスに有機金属化合物或いは有機物を含有する混合ガ
スが好ましく用いられる。反応ガスを変更することで光
学干渉層（反射防止層）、導電層、帯電防止層、耐透気
性層、防汚層などの様々な機能を有する薄膜（層）を形
成することができる。

【００６３】本発明の表面処理方法により低反射積層体
を作製する（反射率を小さくする）ためには、基材上に
形成される薄膜の屈折率や膜厚等を所望の値に調整する
ことが好ましく、その観点から、本発明に係る混合ガス
は、希ガスと、有機フッ素化合物、珪素化合物またはチ
タン化合物、特に有機珪素或いはチタン化合物等の有機
金属化合物を含有する有機ガスを少なくとも含有したも
のが用いられる。ここで、混合ガスは、その他の成分と
して前記記載以外の化合物を含んでいてもよい。

【００６４】上記の表面処理方法によって得られるの薄
膜の膜厚としては、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の薄膜
が得られる。

【００６５】上記記載の希ガスとは、周期表の第１８属
元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリ
プトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に
記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴン、ネオ
ンが好ましく用いられる。

【００６６】上記記載の有機フッ素化合物としては、フ
ッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いら
れる。例えば、４フッ化メタン（ＣＦ₄）、６フッ化エ
タン（Ｃ₂Ｆ₆）、４フッ化エチレン（ＣＦ₂ＣＦ₂）、６
フッ化プロピレン（ＣＦ₃ＣＦＣＦ₂）、８フッ化シクロ
ブタン（Ｃ₄Ｆ₈）等のフッ化炭素化合物；２フッ化メタ
ン（ＣＨ₂Ｆ₂）、４フッ化エタン（ＣＦＨ₂ＣＦ₃）、４
フッ化プロピレン（ＣＦ₃ＣＨ₂ＣＨ₂Ｆ）、３フッ化プ
ロピレン（ＣＨ₂ＣＨＣＦ₃）等のフッ化炭化水素化合
物、更に、１塩化３フッ化メタン（ＣＣｌＦ₃）、１塩
化２フッ化メタン（ＣＨＣｌＦ₂）、２塩化４フッ化シ
クロブタン（Ｃ₄Ｈ₂Ｃｌ₂Ｆ₄）等のフッ化炭化水素化合
物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化
合物のフッ素置換体が挙げられる。これらは単独でも混
合して用いてもよい。

【００６７】上記記載のフッ化炭化水素ガスとしては、
２フッ化メタン、４フッ化エタン、４フッ化プロピレ
ン、３フッ化プロピレン等が挙げられる。

【００６８】更に、１塩化３フッ化メタン、１塩化２フ
ッ化メタン、２塩化４フッ化シクロブタン等のフッ化炭
化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン
等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るが
これらに限定されない。また、これらの化合物が分子内
にエチレン性不飽和基を有していても良い。

【００６９】上記の化合物は単独でも混合して用いても
良い。混合ガス中に上記記載の有機フッ素化合物を用い
る場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を
形成する観点から、混合ガス中の有機フッ素化合物の含
有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましい
が、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。

【００７０】また、有機フッ素化合物が常温、常圧で気
体である場合は、混合ガスの構成成分として、そのまま
使用できるので最も容易に本発明の方法を遂行すること
ができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧で液
体又は固体である場合には、加熱、減圧等の方法により
気化又は昇華させて使用すればよく、又、適切な溶剤に
溶解して用いてもよい。

【００７１】上記記載の珪素化合物としては、例えば、
ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化
合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二
塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、テトライソプロポキシシランなど
のアルコキシシラン、オルガノシランなどの有機珪素化
合物があげられ、特に有機珪素化合物を用いることが好
ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組
み合わせて用いることが出来る。

【００７２】混合ガス中に上記記載の珪素化合物を用い
る場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を
形成する観点から、混合ガス中の珪素化合物の含有率
は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に
好ましくは、０．１〜５体積％である。

【００７３】上記記載の有機金属化合物としてチタン化
合物を用いる場合は、テトラジメチルアミノチタンなど
の有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水
素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタン
などの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テ
トライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなど
の金属アルコキシド等の有機チタン化合物を用いること
が好ましいがこれらに限定されない。

【００７４】混合ガス中に上記記載のチタン化合物を用
いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜
を形成する観点から、混合ガス中のチタン化合物の含有
率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更
に好ましくは、０．１〜５体積％である。

【００７５】上記記載の珪素化合物、チタン化合物など
の有機金属化合物としては、取り扱い上の観点から金属
アルコキシド等の有機金属化合物が好ましく、腐食性、
有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないこと
から、好ましく用いられる。

【００７６】又、反応性ガスが、インジウム、亜鉛、ス
ズからなる群から選択された金属を含む化合物を含有す
る有機物をもちいて、これらの金属からなる導電性層或
いは帯電防止層等を形成することも出来る。

【００７７】また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを
０．１〜１０体積％含有させることにより薄膜の硬度を
著しく向上させることが出来る。

【００７８】更に酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸
化窒素、二酸化窒素、過酸化水素及びオゾンからなる群
から選ばれた非金属ガスを含有することも出来る。

【００７９】上記記載の珪素化合物、チタン化合物など
の有機金属化合物を放電空間へ導入するには、両者は常
温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構
わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できる
が、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の
手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン
化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキ
シシラン、テトライソプロポキシチタンなどの、常温で
液体の沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが低
反射積層体などの製造方法に好適に用いられる。上記金
属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても
良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン
などの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。
尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中におい
て、分子状、原子状に分解される為、基材上への薄膜の
形成、薄膜の組成などに対する影響は無視出来る。

【００８０】本発明に係わる表面処理方法においては、
ヘリウム、アルゴン、ネオンから選択される希ガスとア
ルコキシシラン等の有機珪素化合物或いはアルコキシチ
タン等の有機チタン化合物等、有機金属化合物を含有す
る混合（反応）ガスを用いる事が好ましく、前記希ガス
が９０〜９９．９９％、有機金属化合物を０．０１〜１
０％含有するものが好ましい。これを用いて、薄膜が酸
化珪素や酸化チタンを主成分として有する薄膜を形成す
ることが好ましい。ここで、『主成分として有する』と
は形成された薄膜中の含有量が５０質量％以上の場合を
表す。

【００８１】次に、本発明に係る基材について説明す
る。本発明に係る基材としては、セルローストリアセテ
ート等のセルロースエステル支持体、ポリエステル支持
体、ポリカーボネート支持体、ポリスチレン支持体、更
にこれら支持体の上層にゼラチン、ポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セル
ロース系樹脂等を塗設した支持体等を使用することが出
来る。また、本発明に係る基材は、上記の支持体単独で
基材として用いても良く、上記の支持体上に防眩層やク
リアハードコート層を塗設したり、バックコート層、帯
電防止層を塗設したものを基材として用いることが出来
る。

【００８２】上記の支持体（基材としても用いられる）
としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、
ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロ
ファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロース
アセテートブチレートフィルム、セルロースアセテート
プロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレ
ートフィルム、セルローストリアセテート、セルロース
ナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの
誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィル
ム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルア
ルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン
系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン
樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエ
ーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエー
テルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリ
エーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、
フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメ
タクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリ
アリレート系フィルム等を挙げることができる。

【００８３】これらの素材は単独であるいは適宜混合さ
れて使用することもできる。中でもゼオネックス（日本
ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）
製）などの市販品を使用することができる。更に、ポリ
カーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォン及びポ
リエーテルスルフォンなどの固有複屈折率の大きい素材
であっても、溶液流延、溶融押し出し等の条件、更には
縦、横方向に延伸条件等を適宜設定することにより、得
ることが出来る。また、本発明に係る支持体は、上記の
記載に限定されない。膜厚としては１０μｍ〜１０００
μｍのフィルムが好ましく用いられる。

【００８４】本発明に係る支持体としては、中でもセル
ロースエステルフィルムを用いることが低反射率の積層
体が得られる為、好ましく用いられる。本発明に記載の
効果を好ましく得る観点から、セルロースエステルとし
てはセルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、セルロースアセテートプロピオネートが好まし
く、中でもセルロースアセテートブチレート、セルロー
スアセテートプロピオネートが好ましく用いられる。な
お、ブチレートを形成するブチリル基としては、直鎖状
でも、分岐していてもよい。

【００８５】プロピオネート基を置換基として含むセル
ロースアセテートプロピオネートは耐水性に優れ、液晶
画像表示装置用のフィルムとして有用である。

【００８６】本発明に係る基材としてセルロースエステ
ルを用いる場合、セルロースエステルの原料のセルロー
スとしては、特に限定はないが、綿花リンター、木材パ
ルプ（針葉樹由来、広葉樹由来）、ケナフなどを挙げる
ことが出来る。またそれらから得られたセルロースエス
テルはそれぞれ任意の割合で混合使用することが出来
る。これらのセルロースエステルは、セルロース原料を
アシル化剤が酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、
無水酪酸）である場合には、酢酸のような有機酸やメチ
レンクロライド等の有機溶媒を用い、硫酸のようなプロ
トン性触媒を用いて反応させて得ることができる。

【００８７】アシル化剤が酸クロライド（ＣＨ₃ＣＯＣ
ｌ、Ｃ₂Ｈ₅ＣＯＣｌ、Ｃ₃Ｈ₇ＣＯＣｌ）の場合には、触
媒としてアミンのような塩基性化合物を用いて反応が行
われる。具体的には、特開平１０−４５８０４号に記載
の方法等を参考にして合成出来る。また、本発明に係る
セルロースエステルは各置換度に合わせて上記アシル化
剤量を調製混合して反応させたものであり、セルロース
エステルはこれらアシル基がセルロース分子の水酸基に
反応する。セルロース分子はグルコースユニットが多数
連結したものからなっており、グルコースユニットに３
個の水酸基がある。この３個の水酸基にアシル基が誘導
された数を置換度（モル％）という。例えば、セルロー
ストリアセテートはグルコースユニットの３個の水酸基
全てにアセチル基が結合している（実際には２．６〜
３．０）。

【００８８】アシル基の置換度の測定方法はＡＳＴＭ−
８１７−９６の規定に準じて測定することが出来る。

【００８９】セルロースエステルの数平均分子量は、７
０，０００〜２５０，０００が、成型した場合の機械的
強度が強く、且つ、適度なドープ粘度となり好ましく、
更に好ましくは、８０，０００〜１５０，０００であ
る。

【００９０】ここで、上記記載のセルロースエステルの
数平均分子量は下記のようにして求められる。

【００９１】《セルロースエステルの数平均分子量の測
定》高速液体クロマトグラフィにより下記条件で測定す
る。

【００９２】溶媒：アセトンカラム：ＭＰＷ×１（東ソー（株）製）試料濃度：０．２質量／ｖ％流量：１．０ｍｌ／分試料注入量：３００μｌ標準試料：ポリメタクリル酸メチル（Ｍｗ＝１８８，
２００）温度：２３℃ これらセルロースエステルは後述するように一般的に流
延法と呼ばれるセルロースエステル溶解液（ドープ）を
例えば、無限に移送する無端の金属ベルトあるいは回転
する金属ドラムの流延用支持体（以降、単に支持体とい
うこともある）上に加圧ダイからドープを流延（キャス
ティング）し製膜する方法で製造されるが、これらドー
プの調製に用いられる有機溶媒としては、セルロースエ
ステルを溶解でき、かつ、適度な沸点であることが好ま
しく、例えばメチレンクロライド、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸アミル、アセトン、テトラヒドロフラン、
１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、シクロヘ
キサノン、ギ酸エチル、２，２，２−トリフルオロエタ
ノール、２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１−プロパ
ノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２
−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロ−２−プロパノール、２，２，３，３，３−ペンタ
フルオロ−１−プロパノール、ニトロエタン、１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン等を挙げることが出来
るが、メチレンクロライド等の有機ハロゲン化合物、ジ
オキソラン誘導体、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン
等が好ましい有機溶媒（即ち、良溶媒）として挙げられ
る。

【００９３】また、下記の製膜工程に示すように、溶媒
蒸発工程において支持体上に形成されたウェブ（ドープ
膜）から溶媒を乾燥させるときに、ウェブ中の発泡を防
止する観点から、用いられる有機溶媒の沸点としては、
３０〜８０℃が好ましく、例えば、上記記載の良溶媒の
沸点は、メチレンクロライド（沸点４０．４℃）、酢酸
メチル（沸点５６．３２℃）、アセトン（５６．３
℃）、酢酸エチル（７６．８２℃）等である。

【００９４】上記記載の良溶媒の中でも溶解性に優れる
メチレンクロライド、酢酸メチルが好ましく用いられ、
特にメチレンクロライドが全有機溶媒に対して５０質量
％以上含まれていることが好ましい。

【００９５】上記有機溶媒の他に、０．１〜３０質量％
の炭素原子数１〜４のアルコールを含有させることが好
ましい。特に好ましくは１０〜３０質量％で前記アルコ
ールが含まれることが好ましい。これらは上記記載のド
ープを流延用支持体に流延後、溶媒が蒸発を始めアルコ
ールの比率が多くなるとウェブ（ドープ膜）がゲル化
し、ウェブを丈夫にし流延用支持体から剥離することを
容易にするゲル化溶媒として用いられたり、これらが割
合が少ない時は非塩素系有機溶媒のセルロースエステル
の溶解を促進する役割もある。

【００９６】炭素原子数１〜４のアルコールとしては、
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−
プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、
ｔｅｒｔ−ブタノール等を挙げることが出来る。

【００９７】これらのうちドープの安定性、沸点も比較
的低く、乾燥性も良く、且つ毒性がないこと等からエタ
ノールが好ましい。好ましくはメチレンクロライド７０
〜９０質量％に対してエタノール１０〜３０質量％を含
む溶媒を用いることが好ましい。良溶媒としてメチレン
クロライドの代わりに酢酸メチルを用いることもでき
る。この場合、−１００℃〜−１０℃に冷却して溶解す
る冷却溶解法を用いてセルロースエステル溶液を調製す
ることが出来る。

【００９８】本発明の表面処理方法において基材フィル
ムにセルロースエステルフィルムを用いる場合、このセ
ルロースエステルフィルムには可塑剤を含有するのが好
ましい。

【００９９】可塑剤としては特に限定はないが、リン酸
エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメ
リット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、
グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、な
どを好ましく用いることが出来る。リン酸エステル系で
は、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェ
ート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフ
ェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェー
ト、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェー
ト等、フタル酸エステル系では、ジエチルフタレート、
ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジ
オクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エ
チルヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート
等、トリメリット酸系可塑剤として、トリブチルトリメ
リテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルト
リメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤とし
て、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロ
メリテート、テトラエチルピロメリテート等、グリコー
ル酸エステル系では、トリアセチン、トリブチリン、エ
チルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチ
ルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート
等、クエン酸エステル系可塑剤として、トリエチルシト
レート、トリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリエ
チルシトレート、アセチルトリ−ｎ−ブチルシトレー
ト、アセチルトリ−ｎ−（２−エチルヘキシル）シトレ
ート等を好ましく用いることができる。

【０１００】これらの可塑剤を単独あるいは併用するの
が好ましい。これらの可塑剤の使用量は、フィルム性
能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜
２０質量％であることが好ましい。

【０１０１】本発明で用いられる支持体に係る紫外線吸
収剤について説明する。本発明の光学フィルムとして
は、液晶等の劣化防止の観点から、紫外線吸収剤が好ま
しく用いられる。

【０１０２】紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以
下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観
点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないも
のが好ましく用いられる。本発明に好ましく用いられる
紫外線吸収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフ
ェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチ
ル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シア
ノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが
挙げられるが、これらに限定されない。

【０１０３】以下に本発明に係る紫外線吸収剤の具体例
を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

【０１０４】ＵＶ−１：２−（２′−ヒドロキシ−５′
−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−２：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−３：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−
ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−４：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾールＵＶ−５：２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，
４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）
−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールＵＶ−６：２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，
３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−２−イル）フェノール）ＵＶ−７：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−
ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾト
リアゾールＵＶ−８：２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イ
ル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェ
ノール（ＴＩＮＵＶＩＮ１７１、Ｃｉｂａ製）ＵＶ−９：オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４
−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチル
ヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２
−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物（ＴＩＮＵ
ＶＩＮ１０９、Ｃｉｂａ製）更に、以下にベンゾフェノン系化合物の具体例を示す
が、本発明はこれらに限定されない。

【０１０５】ＵＶ−１０：２，４−ジヒドロキシベンゾ
フェノンＵＶ−１１：２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベ
ンゾフェノンＵＶ−１２：２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スル
ホベンゾフェノンＵＶ−１３：ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５
−ベンゾイルフェニルメタン）本発明で好ましく用いられる上記記載の紫外線吸収剤
は、透明性が高く、偏光板や液晶の劣化を防ぐ効果に優
れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェノ
ン系紫外線吸収剤が好ましく、不要な着色がより少ない
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が特に好ましく用い
られる。

【０１０６】本発明に係る基材の光学特性としては、面
内リターデーションＲ₀は０〜１０００ｎｍのものが好
ましく用いられ、厚味方向のリターデーションＲ_tは０
〜３００ｎｍのものが用途に応じて好ましく用いられ
る。

【０１０７】本発明の表面処理方法は基材の表面に直接
薄膜を形成することも可能であるが、基材上に設けられ
た塗布層の上に本発明の方法で薄膜を形成することも出
来る。塗布層の種類については特に限度はなく、例えば
塗布で設けた帯電防止層、導電層、ハードコート層、防
眩層、光学干渉層、屈折率層、バックコート層等があげ
られる。なかでも特にエチレン性不飽和モノマーを含む
成分を重合させて形成した樹脂層上に薄膜を形成する為
に好ましく用いることが出来る。

【０１０８】エチレン性不飽和モノマーを含む成分を重
合させて形成した樹脂層としては、活性線硬化樹脂ある
いは熱硬化樹脂を構成成分として含有する層が好ましく
用いられるが、特に好ましく用いられるのは活性線硬化
樹脂層である。

【０１０９】ここで、活性線硬化樹脂層とは紫外線や電
子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化
する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂
としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代
表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の
活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化
性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタ
ン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹
脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線
硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬
化型エポキシ樹脂等を挙げることが出来る。

【０１１０】紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、
一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマ
ー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物
に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロ
キシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタ
クリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表
示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水
酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させるこ
とによって容易に得ることが出来る（例えば、特開昭５
９−１５１１１０号等を参照）。

【０１１１】紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系
樹脂は、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系
のモノマーを反応させることによって容易に得ることが
出来る（例えば、特開昭５９−１５１１１２号を参
照）。

【０１１２】紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂
の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマー
とし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反
応させたものを挙げることが出来る（例えば、特開平１
−１０５７３８号）。この光反応開始剤としては、ベン
ゾイン誘導体、オキシムケトン誘導体、ベンゾフェノン
誘導体、チオキサントン誘導体等のうちから、１種もし
くは２種以上を選択して使用することが出来る。

【０１１３】また、紫外線硬化型ポリオールアクリレー
ト系樹脂の具体例としては、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタ
エリスリトールペンタアクリレート等を挙げることが出
来る。

【０１１４】これらの樹脂は通常公知の光増感剤と共に
使用される。また上記光反応開始剤も光増感剤としても
使用出来る。具体的には、アセトフェノン、ベンゾフェ
ノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、
α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれ
らの誘導体を挙げることが出来る。また、エポキシアク
リレート系の光反応剤の使用の際、ｎ−ブチルアミン、
トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増
感剤を用いることが出来る。塗布乾燥後に揮発する溶媒
成分を除いた紫外線硬化性樹脂組成物に含まれる光反応
開始剤又光増感剤は該組成物の２．５〜６質量％である
ことが好ましい。

【０１１５】樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二
重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、
エチルアクリレート、ブチルアクリレート、酢酸ビニ
ル、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることが出来
る。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとし
て、エチレングリコールジアクリレート、プロピレング
リコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４−
シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシ
ルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリルエステル等を挙げることができる。

【０１１６】例えば、紫外線硬化樹脂としては、アデカ
オプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−
４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、
ＢＹ−３２０Ｂ（以上、旭電化工業株式会社製）、ある
いはコーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−Ｗ
Ｓ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１
０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１
０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−
１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（以上、広栄化学工業株式会社
製）、あるいはセイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、Ｐ
ＨＣＸ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１
０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１０
０、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５０
０、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（以上、大日精化工業株
式会社製）、あるいはＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３
９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ
２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（以上、ダイセ
ル・ユーシービー株式会社）、あるいはＲＣ−５０１
５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３
１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２
０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７
１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（以上、大日本イ
ンキ化学工業株式会社製）、あるいはオーレックスＮ
ｏ．３４０クリヤ（中国塗料株式会社製）、あるいはサ
ンラッドＨ−６０１（三洋化成工業株式会社製）、ある
いはＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子株式
会社製）、あるいはＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパ
ン株式会社製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０
３０、Ｍ−８０６０（以上、東亞合成株式会社製）ある
いはこの他の市販のものから適宜選択して利用できる。

【０１１７】本発明に用いられる活性線硬化樹脂層は公
知の方法で塗設することができる。活性線硬化性樹脂を
光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源とし
ては、紫外線を発生する光源であればいずれでも使用出
来る。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、
超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドラン
プ、キセノンランプ等を用いることが出来る。照射条件
はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０
〜１００００ｍＪ／ｃｍ²程度あればよく、好ましく
は、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ²である。近紫外線領域
〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増
感剤を用いることによって使用出来る。

【０１１８】活性線硬化樹脂層を塗設する際の溶媒とし
て前述のバックコート層や導電性微粒子を含有する樹脂
層を塗設する溶媒、例えば、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類、そ
の他の溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合
し利用できる。好ましくは、プロピレングリコールモノ
（炭素数１〜４のアルキル基）アルキルエーテルまたは
プロピレングリコールモノ（炭素数１〜４のアルキル
基）アルキルエーテルエステルを５質量％以上、さらに
好ましくは５〜８０質量％以上含有する溶媒が用いられ
る。

【０１１９】紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法
としては、グラビアコーター、スピナーコーター、ワイ
ヤーバーコーター、ロールコーター、リバースコータ
ー、押し出しコーター、エアードクターコーター等公知
の方法を用いることが出来る。塗布量はウェット膜厚で
０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１５
μｍである。塗布速度は例えば１０〜１００ｍ／分で行
われる。

【０１２０】紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥された
後、紫外線を光源より照射するが、照射時間は０．５秒
〜５分がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率、作業効率
とから３秒〜２分がより好ましい。

【０１２１】こうして得た硬化皮膜層に、ブロッキング
を防止するため、また対擦り傷性等を高めるために無機
あるいは有機の微粒子を加えることが好ましい。例え
ば、無機微粒子としては酸化ケイ素、酸化チタン、酸化
アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫
酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウム等を挙
げることができ、また有機微粒子としては、ポリメタア
クリル酸メチルアクリレート樹脂粉末、アクリルスチレ
ン系樹脂粉末、ポリメチルメタクリレート樹脂粉末、シ
リコン系樹脂粉末、ポリスチレン系樹脂粉末、ポリカー
ボネート樹脂粉末、ベンゾグアナミン系樹脂粉末、メラ
ミン系樹脂粉末、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエス
テル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系
樹脂粉末、あるいはポリ弗化エチレン系樹脂粉末等を挙
げることができ、紫外線硬化性樹脂組成物に加えること
が出来る。これらの微粒子粉末の平均粒径としては、
０．００５μｍ〜１μｍが好ましく０．０１〜０．１μ
ｍであることが特に好ましい。

【０１２２】紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割
合は、樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０
質量部となるように配合することが望ましい。

【０１２３】このようにして形成された紫外線硬化樹脂
を硬化させた層は中心線平均表面粗さＲａが１〜５０ｎ
ｍのクリアハードコート層であっても、Ｒａが０．１〜
１μｍ程度の防眩層であってもよい。本発明の表面処理
方法をもちいて、これらの層の上にプラズマ処理するこ
とができる。特に本発明の表面処理方法によれば、表面
の凹凸のある基材上に均一な低屈折率層あるいは高屈折
率層等の光学干渉層等を設けることが出来る。特に、Ｊ
ＩＳＢ０６０１で規定される中心線平均表面粗さ
（Ｒａ）が０．１〜０．５μｍの防眩層上に均一にプラ
ズマ処理できるために好ましい。

【０１２４】本発明においては、上記記載のような基材
面に対して本発明に係わる薄膜を設ける場合、平均膜厚
に対する膜厚偏差を±１０％になるように設けることが
好ましく、更に好ましくは±５％以内であり、特に好ま
しくは±１％以内になるように設けることが好ましい。

【０１２５】本発明の表面処理方法を用いて光学フィル
ムを作製する場合、プラズマ処理する前にプラズマ処理
面に紫外線を照射することが、形成される皮膜の密着性
に優れるため好ましい。紫外線照射光量としては５０〜
２０００ｍＪ／ｃｍ²であることが好ましい。５０ｍＪ
／ｃｍ²未満では、効果が十分ではなく、２０００ｍＪ
／ｃｍ²を越えると基材の変形等が生じる恐れがあり好
ましくない。

【０１２６】本発明の光学フィルムを作製する場合、プ
ラズマ処理を行った後に紫外線照射することも、形成さ
れた皮膜を早期に安定化させるために有効である。

【０１２７】このため、紫外線照射光量として５０〜２
０００ｍＪ／ｃｍ²をプラズマ処理後にプラズマ処理面
に照射することが好ましい。これらの処理はプラズマ処
理の後、巻き取り工程までの間に行うことが好ましい。
また、プラズマ処理後の基材は５０〜１３０℃に調整さ
れた加熱ゾーンにおいて１〜３０分処理されることが好
ましい。

【０１２８】本発明の表面処理方法を用いて、支持体上
に直接又は他の層を介して、光学干渉層（低、中、光屈
折率層）、防汚層、導電性層、帯電防止層、耐透気性層
等のような様々な機能を有する均一な薄膜を形成するこ
とができ、これらの層を有する各種の光学フィルム、即
ち、反射防止フィルム、低反射防眩フィルム、帯電防止
フィルム、位相差フィルム、光学補償フィルム、光拡散
フィルム等を提供することができる。

【０１２９】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。

【０１３０】実施例１以下に示す方法に従って、基材であるセルロースエステ
ルフィルムを作製した。

【０１３１】（ドープの調製）メチレンクロライド４４０ｋｇエタノール３５ｋｇトリアセチルセルロース（アセチル置換度：２．６５）１００ｋｇアエロジル２００Ｖ（日本アエロジル（株）製）１ｋｇトリフェニルフォスフェート８ｋｇエチルフタリルエチルグリコレート３ｋｇチヌビン３２６（チバスペシャルティケミカルズ社製）０．４ｋｇチヌビン１０９（チバスペシャルティケミカルズ社製）０．９ｋｇチヌビン１７１（チバスペシャルティケミカルズ社製）０．９ｋｇ溶剤を密閉容器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、
加熱、撹拌しながら、完全に溶解・混合した。ドープを
流延する温度まで下げて静置し、脱泡操作を施した後、
溶液を安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用
して濾過しドープを調製した。

【０１３２】《セルロースエステルの置換度の測定》Ａ
ＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に規定の方法に準じて行った。

【０１３３】《セルロースエステルフィルムの作製》上
記で調製したドープを用いて下記のようにしてセルロー
スエステルフィルム１を作製した。

【０１３４】（セルロースエステルフィルム１の作製）
ドープ液を濾過した後、ベルト流延装置を用い、ドープ
温度３５℃で３０℃のステンレスバンド支持体上に均一
に流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾燥させた
後、ステンレスバンド支持体上からウェブを剥離した。
このときのウェブの残留溶媒量は３５％であった。

【０１３５】ステンレスバンド支持体から剥離した後、
テンターにて端部を把持しながら１１５℃で乾燥させた
後、幅把持を解放して、ロール搬送しながら１２０℃の
乾燥ゾーンで乾燥を終了させ、フィルム両端に幅１０ｍ
ｍ、高さ５μｍのナーリング加工を施して、膜厚８０μ
ｍのセルロースエステルフィルム１を作製した。フィル
ム幅は１３００ｍｍ、巻き取り長は１５００ｍとした。

【０１３６】《基材フィルムの作製》上記で得られたセ
ルロースエステルフィルムを用いて、下記のように基材
フィルムを作製した。

【０１３７】〈基材フィルム１の作製〉前述の方法で作
製したセルロースエステルフィルム１をそのまま基材フ
ィルム１として用いた。

【０１３８】〈基材フィルム２、３の作製〉下記の塗布
組成物（１）を前述の方法で作製したセルロースエステ
ルフィルム１のａ面（流延製膜の際にベルト支持体に接
していた側（ｂ面）の反対側の面）に、ウエット膜厚１
３μｍとなるように押し出しコートし、乾燥温度８０℃
にて乾燥させ、バックコート層を塗設した。これを基材
フィルム２とする。更に、このｂ面に下記の塗布組成物
（２）をウエット膜厚で１３μｍとなるようにグラビア
コートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した
後、１２０ｍＪ／ｃｍ ²で紫外線照射し、乾燥膜厚で４
μｍの中心線表面粗さ（Ｒａ）１５ｎｍのクリアハード
コート層を設けた。これを基材フィルム３とする。

【０１３９】〈基材フィルム４の作製〉下記の塗布組成
物（１）を前述の方法で作製したセルロースエステルフ
ィルム１のａ面（流延製膜の際にベルト支持体に接して
いた側（ｂ面）の反対側の面）に、ウエット膜厚１３μ
ｍとなるように押し出しコートし、乾燥温度８０℃にて
乾燥させ、バックコート層を塗設した。次に、ｂ面に下
記の塗布組成物（３）をウエット膜厚で１３μｍとなる
ようにグラビアコートし、次いで８０℃に設定された乾
燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ²で紫外線照射
し、乾燥膜厚で５μｍの防眩層（中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）０．３μｍ）を設けた。これを基材フィルム４とす
る。

【０１４０】以下に上記記載の基材フィルムの作製に用
いた塗布組成物（１）、（２）の組成及び塗布組成物
（３）の調製方法を示す。

【０１４１】塗布組成物（１）（バックコート層塗布組成物）アセトン３０質量部酢酸エチル４５質量部イソプロピルアルコール１０質量部ジアセチルセルロース０．５質量部超微粒子シリカ２％アセトン分散液（アエロジル２００Ｖ：日本アエロジル（株）製）０．１質量部塗布組成物（２）（クリアハードコート層塗布組成物）ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体６０質量部ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体２０質量部ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分２０質量部ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤４質量部酢酸エチル５０質量部メチルエチルケトン５０質量部イソプロピルアルコール５０質量部〈塗布組成物（３）（防眩層作製用）の調製〉酢酸エチル５０質量部メチルエチルケトン５０質量部イソプロピルアルコール５０質量部サイリシア４３１（平均粒径２．５μｍ（富士シリシア化学（株）製））２．５質量部アエロジルＲ９７２Ｖ（平均粒径１６ｎｍ（日本アエロジル（株）製））２質量部以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業
（株）製）で攪拌し、その後衝突型分散機（マントンゴ
ーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の成分
を添加し、塗布組成物（３）を調製した。

【０１４２】ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体６０質量部ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体２０質量部ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分２０質量部ジメトキシベンゾフェノン光反応開始剤４質量部得られた基材フィルム１〜４を下記の表１に示す。

【０１４３】

【表１】

【０１４４】《低反射積層体の作製》表１に記載の基材
フィルム１〜４を用いて、図２に示したプラズマ放電処
理装置を用いて、基材フィルム１〜４のｂ面側に連続的
に大気圧プラズマ処理を行った。

【０１４５】即ち、反応ガスを以下に示すようにかえ
て、順に高屈折率層（屈折率１．９０、膜厚２２ｎ
ｍ）、低屈折率層（屈折率１．４６、膜厚２６ｎｍ）、
高屈折率層（屈折率１．９０、膜厚９６ｎｍ）、低屈折
率層（屈折率１．４６、膜厚８７ｎｍ）の４層を設け
た。

【０１４６】ここで回転電極２５として、冷却水による
冷却機能を有するステンレス製ジャケットロール母材
（冷却機能は図２には図示していない）に、セラミック
溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テトラメト
キシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、
紫外線照射により硬化させて封孔処理を行い誘電体を有
する回転電極を製作しアース（接地）した。一方、対向
電極２４としては、中空のステンレスロッドに対し、上
記同様の誘電体を同条件にて被覆し、対向する電極群と
した。回転電極２５と対向する対向電極２４との電極間
隙は１ｍｍとした。又、放電プラズマ発生に用いる使用
電源は、日本電子（株）製高周波電源ＪＲＦ−１０００
０で周波数は１３．５６ＭＨｚである。放電密度は３０
０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²としてプラズマ放電処理を行った。
但し回転電極は、ドライブを用いて回転させた。

【０１４７】プラズマ処理に用いた混合ガス（反応ガ
ス）の組成を以下に記す。（低屈折率層形成用）不活性ガス：アルゴン９８．２％反応ガス：水素ガス１．５％反応ガス：テトラメトキシシラン０．３％（高屈折率層形成用）不活性ガス：アルゴン９８．７％反応ガス１：水素ガス１％反応ガス：テトライソプロポキシチタン０．３％得られた低反射積層体について、目視評価を行った結
果、ムラは認められず◎の評価結果が得られた。又、下
記のように反射率を測定して評価を行ったところ、４５
０〜６５０ｎｍの波長範囲で低い反射率が得られた。幅
手方向に略均等間隔で１０点測定したが、いずれの測定
結果も４５０〜６５０ｎｍの波長範囲で低い反射率であ
った。図１３に得られた光学フィルム３の反射スペクト
ル測定結果を示した。光学フィルム１、２及び４も同様
の結果が得られた。

【０１４８】《反射率の測定》低反射積層体の分光反射
率は分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用い
て、５度正反射の条件にて反射率の測定を行った。測定
は、観察側の裏面を粗面化処理した後、黒色のスプレー
を用いて光吸収処理を行い、フィルム裏面での光の反射
を防止して、反射率（４００〜７００ｎｍの波長につい
て）の測定を行った。

【０１４９】《目視評価》幅手全幅×５００ｃｍの試料
を裏面に黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、表
面から蛍光灯の反射を観察して反射光のムラについて評
価したものである。

【０１５０】 ◎ ムラがわからない ○ わずかにムラが認められる △ ムラが気になる比較例１基材フィルム３を用いて、図２の装置を使用してプラズ
マ処理を行った。但し、反応ガスの供給は放電処理部の
最前方に設けられたガス導入口３０からのみ行い、他の
ガス導入口からの供給は行わなかった。その結果得られ
た比較の光学フィルムはムラが認められ、目視評価の基
準で△であった。

【０１５１】又、ガス導入口近傍の対向電極への析出物
が多く、連続的に長時間安定した処理を行うことができ
なかった。

【０１５２】実施例２基材フィルム３のｂ面に基材側から屈折率が減少する薄
膜を形成した。図１で示したプラズマ放電処理装置を使
用した。ここで回転電極２５として、冷却水による冷却
機能を有するステンレス製ジャケットロール母材（冷却
機能は図１には図示していない）に、セラミック溶射に
よりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テトラメトキシシ
ランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線
照射により硬化させて封孔処理を行い誘電体を有する回
転電極を製作しアース（接地）した。一方、ステンレス
ロッドに対して、上記同様の誘電体を同条件にて被覆し
作製したものを対向する対向電極群２４とした。

【０１５３】回転電極２５と対向電極２４との電極間距
離は１ｍｍとした。又、放電プラズマ発生に用いる使用
電源は日本電子（株）製、高周波電源ＪＲＦ−１０００
０で、周波数は１３．５６ＭＨｚである。放電密度は、
３００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ²としてプラズマ放電処理を行っ
た。但し回転電極は、ドライブを用いて回転させた。

【０１５４】プラズマ処理に用いた混合ガスは下記の２
種類のガス（ガスＬ及びガスＨ）の混合比を以下のよう
に変更し、基材搬送上流側ガス導入口３０ａ（最上流側
の放電部に反応ガスを供給する）から基材搬送下流側ガ
ス導入口３０ｋ（最下流側の放電部に反応ガスを供給す
る）まで変化させて供給した。その結果、得られた薄膜
は基材に近い部分の屈折率が２．０で表面が１．４６の
屈折率を有していた。

【０１５５】

【表２】

【０１５６】目視評価を行った結果、ムラは認められず
◎の評価が得られた。膜の成分は基材に近い部分は酸化
チタンが主であり、徐々に酸化珪素成分が増加し、表面
は主に酸化珪素からなるという組成勾配を有していた。
本発明によればこのような特性を有する薄膜を容易に得
られることが確認された。

【０１５７】プラズマ処理に用いた反応ガスを以下に記
す。〈低屈折率側反応ガス；ガスＬ〉不活性ガス：アルゴン９８．７％反応ガス：水素ガス１％反応ガス：テトラメトキシシラン０．３％〈高屈折率層側反応ガス；ガスＨ〉不活性ガス：アルゴン９８．７％反応ガス：水素ガス１％反応ガス：テトライソプロポキシチタン０．３％実施例３実施例１で作製した光学フィルム１〜４を用いて、以下
に述べる方法に従って、偏光板を作製し評価を行った。

【０１５８】下記の方法に従って、光学フィルム１を偏
光板用保護フィルムとして用いた偏光板１を作製した。

【０１５９】（偏光膜の作製）厚さ１２０μｍのポリビ
ニルアルコールフィルムを、一軸延伸（温度１１０℃、
延伸倍率５倍）した。これをヨウ素０．０７５ｇ、ヨウ
化カリウム５ｇ、水１００ｇからなる水溶液に６０秒間
浸漬し、次いで沃化カリウム５ｇ、ホウ酸７．５ｇ、水
１００ｇからなる６８℃の水溶液に浸漬した。これを水
洗、乾燥し偏光膜を得た。

【０１６０】（偏光板の作製）次いで、下記工程１〜５
に従って、偏光膜と偏光板用保護フィルムとを貼り合わ
せて偏光板を作製した。

【０１６１】工程１：実施例１で作製した光学フィルム
１及びセルロースエステルフィルム１を、長手方向３０
ｃｍ、幅手方向１８ｃｍのサイズで各１枚切り取り、２
ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム溶液に４５℃で９０秒間
浸漬し、次いで水洗、乾燥させた。低屈折率層側には剥
離性の保護フィルムを貼りつけて表面をアルカリから保
護した。

【０１６２】工程２：長手方向３０ｃｍ、幅手方向１８
ｃｍのサイズに断裁した前記偏光膜を固形分％で２質量
％のポリビニルアルコール接着剤槽中に１〜２秒間浸漬
した。

【０１６３】工程３：工程２で偏光膜に付着した過剰の
接着剤を軽く取り除き、それを工程１で処理した光学フ
ィルム１の上に積層し、更に同一の光学フィルム１を接
着剤と接するように積層し配置した。

【０１６４】工程４：ハンドローラにて工程３で積層し
た偏光膜と保護フィルム試料１との積層物の端部から過
剰の接着剤及び気泡を取り除き貼り合わせた。ハンドロ
ーラの圧力は３０〜４０Ｎ／ｃｍ²、ローラスピードは
２ｍ／ｍｉｎとした。

【０１６５】工程５：８０℃の乾燥機中にて工程４で作
製した試料を３分間乾燥処理し、本発明の偏光板１を作
製した。

【０１６６】光学フィルム２〜４をそれぞれ用いた以外
は同様にしてそれぞれ偏光板２〜４を作製した。又、比
較例１の光学フィルムを用いて比較の偏光板を作製し
た。

【０１６７】市販の液晶表示パネル（ＮＥＣ製、カラー
液晶ディスプレイＭｕｌｔｉＳｙｎｃＬＣＤ１５２
５Ｊ型名ＬＡ−１５２９ＨＭ）の最表面の偏光板を注
意深く剥離し、ここに偏光方向をあわせた本発明の偏光
板１〜４又は比較の偏光板１を貼りつけた。それぞれの
液晶表示パネルは、比較例の偏光板を用いた液晶表示パ
ネルに対し反射光のムラもなく、表示性能に優れている
ことが確認された。これに対して、比較の偏光板１を用
いた液晶表示パネルは反射光にムラが認められた。

【０１６８】

【発明の効果】本発明のプラズマ放電を用いた表面処理
法によって基材フィルムの表面に均一な薄膜を形成でき
光学特性に優れた光学フィルムが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わるプラズマ放電処理装置の一例を
示す概略図である。

【図２】本発明に係わるプラズマ放電処理装置（図１）
の最下流側放電部の拡大図である。

【図３】本発明に係わる別のプラズマ放電処理装置の一
例を示す概略図である。

【図４】本発明に係わる別のプラズマ放電処理装置の一
例（図３）における最下流側放電部の拡大図である。

【図５】本発明に係わる更に別のプラズマ放電処理装置
の一例を示す概略図である。

【図６】プラズマ放電処理装置を斜め上から見た斜視図
である。

【図７】反応ガス導入部を有する対向電極の幾つかの例
を示す概略図である。

【図８】対向電極がガス供給部を備えたプラズマ放電処
理装置の一例を示す概略図である。

【図９】回転電極を導電性ベルトとしたプラズマ放電処
理装置の一例を示す概略図である。

【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラズ
マ放電処理に用いられる円筒型の回転電極の一例を示す
概略図である。

【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラズ
マ放電処理に用いられる円筒型の対向電極の一例を示す
概略図である。

【図１２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明に係るプラズ
マ放電処理に用いられる角柱型の対向電極の一例を示す
概略図である。

【図１３】反射スペクトル測定結果を示す図である。

【符号の説明】

Ｆ基材１１搬送ロール１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄニップロール１３Ａベルト電極１４Ｃ，１４Ｄサポートロール２１，２２ガイドロール２４対向電極２５回転電極２５ａ，２５Ａ，２４ａ，２４Ａ金属等の導電性母材２５ｂ，２４ｂライニング処理誘電体２５Ｂ，２４Ｂセラミック被覆処理誘電体３０ａ〜３０ｋガス導入口３１対向電極のガス導入口３２，４２バッファー空間３３ガス導入管３４ガス導入口４０，４０ａ〜４０ｆガス排出口４１対向電極のガス排出口４３ガス排出管４４ガス排出口５４仕切板６０Ａ，６０Ｂ予備室７０プラズマ放電処理装置８０電源９０温湿度調整部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G075 AA24 BC01 BD01 CA15 CA25 CA47 CA51 CA63 DA02 DA12 EA02 EC21 ED04 ED06 ED09 4K030 AA06 AA11 BA18 BA29 BB12 CA07 CA12 FA01 GA14 JA06 JA18 LA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】長尺基材が対向する電極間に配置され、
電極間に設けられた長尺基材の幅手方向に沿ってスリッ
ト状に配置されたガス導入口から大気圧又は大気圧近傍
の圧力下で反応ガスを送り込みながら、前記電極間に高
周波電圧を印加して放電させて、基材表面に薄膜を形成
することを特徴とする長尺基材の表面処理方法。
【請求項２】回転電極及びこれに巻き回された長尺基
材とそれらに対向して配置された対向電極に設けられた
長尺基材の幅手方向に沿ってスリット状に配置されたガ
ス導入口から大気圧又は大気圧近傍の圧力下で希ガスを
有する反応ガスを送り込みながら、電極間に高周波電圧
を印加して放電させて、基材表面に薄膜を形成すること
を特徴とする長尺基材の表面処理方法。
【請求項３】対向する電極の一方の電極が、基材の搬
送方向に沿って複数設けられており、該複数の電極間ま
たは該複数の電極自身に前記ガス導入口又はガス排出口
を設けたことを特徴とする請求項１に記載の長尺基材の
表面処理方法。
【請求項４】回転電極に対して対向して配置された対
向電極が、基材の搬送方向に沿って複数設けられてお
り、該複数の対向電極間または対向電極自身に前記ガス
導入口又はガス排出口を設けたことを特徴とする請求項
２に記載の長尺基材の表面処理方法。
【請求項５】前記ガス導入口とガス排出口が交互に配
置されたことを特徴とする請求項３に記載の長尺基材の
表面処理方法。
【請求項６】前記ガス導入口とガス排出口が交互に配
置されたことを特徴とする請求項４に記載の長尺基材の
表面処理方法。
【請求項７】前記ガス導入口近傍での放電抑制手段を
設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の長尺基
材の表面処理方法。
【請求項８】前記ガス導入口近傍での放電抑制手段を
設けたことを特徴とする請求項３又は５に記載の長尺基
材の表面処理方法。
【請求項９】前記ガス導入口近傍での放電抑制手段を
設けたことを特徴とする請求項４又は６に記載の長尺基
材の表面処理方法。
【請求項１０】回転電極に長尺基材を吸引固定して搬
送し、放電処理することを特徴とする請求項４、６又は
９に記載の長尺基材の表面処理方法。
【請求項１１】回転電極が導電性のベルトであること
を特徴とする請求項４、６、９又は１０に記載の長尺基
材の表面処理方法。
【請求項１２】長尺基材の幅方向に沿ってスリット状
に配置された、搬送方向に沿って複数設けられたガス導
入口より同一組成のガスを導入して、厚み方向で層の組
成が等しい薄膜を形成することを特徴とする請求項３、
４、５、６、８、９、１０又は１１に記載の長尺基材の
表面処理方法。
【請求項１３】長尺基材の幅方向に沿ってスリット状
のガス導入口が長尺方向に沿って複数設けられ、該複数
のガス導入口より異なる組成のガスを導入して、厚み方
向で層の組成が連続的若しくは段階的に変化する薄膜を
形成することを特徴とする請求項３、４、５、６、８、
９、１０又は１１に記載の長尺基材の表面処理方法。
【請求項１４】反応ガスがヘリウム、アルゴン、ネオ
ンから選択される希ガスを９０〜９９．９９％含有し、
有機金属化合物を０．０１〜１０％含有することを特徴
とする請求項２〜１３のいずれか１項に記載の長尺基材
の表面処理方法。
【請求項１５】放電のために電極間に印加される高周
波電圧の周波数が１００ｋＨｚ〜１５０ＭＨｚであるこ
とを特徴とする請求項２〜１４のいずれか１項に記載の
長尺基材の表面処理方法。
【請求項１６】請求項１〜１５のいずれか１項に記載
の方法で表面処理されたことを特徴とする光学フィル
ム。
【請求項１７】請求項１６に記載の光学フィルムを保
護フィルムとして用いたことを特徴とする偏光板。
【請求項１８】請求項１６に記載の光学フィルムを用
いたことを特徴とする表示装置。