JP2006152416A - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマCVD装置Sは、反応室1と、反応室1の内部に反応ガスを導入するガス導入口2と、反応室1の内部に設けられ、互いの間でプラズマ放電を発生させるアノード電極6及びカソード電極3と、アノード電極6とカソード電極3との間でフレキシブル基板14を搬送する搬送機構19とを備え、フレキシブル基板14にプラズマCVD処理を施すように構成されている。そして、アノード電極6は湾曲した第1放電面24を有する一方、カソード電極3は第1放電面24に沿って湾曲した第2放電面25を有している。
【選択図】図1
Description
次に、本発明の作用について説明する。
図1は、本発明に係るプラズマCVD装置の実施形態1を示している。図1は、プラズマCVD装置Sの断面図である。
次に、本実施形態のプラズマCVD装置Sにより、ポリイミドにより形成されたフレキシブル基板14に対し、LSIや薄膜トランジスタ等によく用いられる窒化シリコン膜(SiNx)を成膜する方法について説明する。
したがって、この実施形態1によると、アノード電極6の第1放電面24と、カソード電極3の第2放電面25とをそれぞれ湾曲して形成すると共に、第2放電面25を第1放電面24に沿って形成したので、アノード電極6とカソード電極3との距離を一定に維持することができる。さらに、フレキシブル基板14を湾曲した第1放電面24に巻き付けることにより、その第1放電面24に密着させることができるため、温度上昇に伴うフレキシブル基板14のうねりや反りを防止することができる。その結果、成膜パラメータを一定に維持することが可能となるため、成膜された膜の質を高めて均一化することができる。
図2は、本発明に係るプラズマCVD装置Sの実施形態2を示している。尚、以下の各実施形態では、図1と同じ部分については、同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
したがって、この実施形態2によると、フレキシブル基板14を、加熱ローラ65により素早く昇温できると共に、冷却ローラ66により素早く温度を低下させることができる。その結果、全体として成膜処理に要する時間を低減し、生産効率を高めることができる。また、成膜されたフレキシブル基板14を確実に冷却して巻き取りローラ42に巻き取ることができるため、巻き取られたフレキシブル基板14の不要な変形を防止できる。さらに、巻き出しローラ41及び巻き取りローラ42を水平方向に並べて配置したので、装置全体の高さを抑えることができる。
図3は、本発明に係るプラズマCVD装置Sの実施形態3を示している。本実施形態は、上記実施形態2に対し、巻き取りローラ41、加熱ローラ65、冷却ローラ66及び巻き取りローラ42の配置が異なっている。
したがって、本実施形態によると、加熱ローラ65及び冷却ローラ66がフレキシブル基板14の裏面を支持するようにして、プラズマCVD処理が施された敏感な成膜表面を支持しないようにしたので、その成膜表面が上記各ローラ65,66によって傷ついたり静電気が生じたりするのを防止できる。
図4〜図6は、本発明に係るプラズマCVD装置Sの実施形態4を示している。
したがって、この実施形態4によると、電極間距離調節機構45を設けることにより、成膜する膜の特性に応じて、アノード電極6とカソード電極3との距離を調整することができる。さらにこのとき、曲率調整機構46により、カソード電極3の第2放電面25の曲率を微小調整できるため、第1放電面24と第2放電面25との間隔を一定に維持することができる。したがって、電極間距離を成膜パラメータとして利用することができ、湾曲したカソード電極3及び湾曲したアノード電極6を有するプラズマCVD装置においても、重要なパラメータである電極間距離を制御することが可能となる。その結果、カソード電極3の曲率を微小調整して、第2放電面25の全面において電極間距離を一定に維持できるため、第2放電面25の全面において、均一で良質なCVD膜を成膜することができる。
図7及び図8は、本発明に係るプラズマCVD装置Sの実施形態5を示している。本実施形態は、カソード電極3の構造に特徴を有している。
したがって、この実施形態5によると、カソード電極3を複数の単位部材48により構成すると共に、第2平面部50に平行な第1平面部49にガス導入口2が形成されているので、カソード電極3の表面が曲面である場合に比べて、容易且つ高精度にガス導入口2を形成することができ、製造コストを低減することが可能となる。
図9及び図10は、本発明に係るプラズマCVD装置Sの実施形態6を示している。
次に、本実施形態のプラズマCVD装置Sによる成膜方法について、液晶ディスプレイ等の薄膜トランジスタに一般に用いられるSiNx膜、a−Si膜、n+−Si膜(n型ドープa−Si)を3層連続して成膜する場合を例に挙げて説明する。この3層の連続成膜は、一般に各膜間の界面が薄膜トランジスタの特性に大きな影響を与えることが知られているため、真空中で行われる。
したがって、この実施形態6によると、3つのカソード電極11,12,13をアノード電極6の第1放電面24に沿って配置することにより、ローラツウローラ方式のメリットを生かして、3種類の膜を連続して成膜することができる。そのことに加え、上記各処理空間75,76,77を仕切部材81,82,83,84により仕切ると共に、上記仕切部材81,82,83,84に対し、アノード電極6の第1放電面24に沿って湾曲する湾曲面85,86,87を、その第1放電面24に対向するように形成したので、各処理空間75,76,77同士の間の気密性を向上させることができる。すなわち、隣接する処理空間75,76,77同士の間における反応ガス等の異物の移動を抑制できるため、成膜された膜の質を高めることができる。その結果、薄膜トランジスタの特性の劣化を防止して高品位のデバイスを製造することができる。
上記各実施形態では、アノード電極6の第1放電面24を凸面状に湾曲して形成する一方、カソード電極3,…の第2放電面25を凹面状に湾曲して形成したが、本発明はこれに限定されず、その逆の構成とし、アノード電極6の第1放電面24を凹面状に形成する一方、カソード電極3,…の第2放電面25を凸面状に形成するようにしてもよい。
1 反応室
2 ガス導入口(ガス導入部)
3 カソード電極(第2電極)
5 抵抗ヒータ(加熱機構)
6 アノード電極(第1電極、搬送機構)
11 第1カソード電極
12 第2カソード電極
13 第3カソード電極
14 フレキシブル基板
19 搬送機構
24 第1放電面
25 第2放電面
41 巻き出しローラ(搬送機構)
42 巻き取りローラ(搬送機構)
45 電極間距離調節機構
46 曲率調整機構
48 単位部材
49 第1平面部
65 加熱ローラ(加熱機構、搬送機構)
66 冷却ローラ(冷却機構、搬送機構)
81,82,83,84 仕切部材
85,86,87,88 湾曲面
Claims (17)
- 反応室と、
上記反応室の内部に反応ガスを導入するガス導入部と、
上記反応室の内部に設けられ、互いの間でプラズマ放電を発生させる第1電極及び第2電極と、
上記第1電極と上記第2電極との間でフレキシブル基板を搬送する搬送機構とを備え、上記フレキシブル基板にプラズマCVD処理を施すプラズマCVD装置であって、
上記第1電極は湾曲した第1放電面を有する一方、上記第2電極は上記第1放電面に沿って湾曲した第2放電面を有している
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記搬送機構は、上記第1電極を有し、上記フレキシブル基板を該第1電極の第1放電面に巻き付けた状態で搬送するように構成されている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記第1電極と上記第2電極との距離を調節する電極間距離調節機構と、
上記電極間距離調節機構により調節された上記第1電極と第2電極との距離に基づいて、上記第1放電面又は第2放電面の曲率を調整する曲率調整機構とを備えている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項3において、
上記曲率調整機構は、圧電素子により構成されている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記第1電極の第1放電面は凸面状に形成される一方、上記第2電極の第2放電面は凹面状に形成されている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記ガス導入部は、上記第2電極に形成された複数のガス導入口により構成され、
上記第2電極は、複数の単位部材の集合体として構成され、
上記各単位部材は、第2放電面を構成すると共に上記ガス導入口が形成された平面部を有している
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記反応室には、プラズマCVD処理されたフレキシブル基板を冷却する冷却機構が設けられている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項7において、
上記冷却機構は、上記搬送機構の一部を構成する冷却ローラを有している
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項8において、
上記冷却ローラは、上記フレキシブル基板におけるプラズマCVD処理が施されない側の裏面を支持するように構成されている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記反応室には、プラズマCVD処理されるフレキシブル基板を加熱する加熱機構が設けられている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項10において、
上記加熱機構は、上記搬送機構の一部を構成する加熱ローラを有している
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項11において、
上記加熱ローラは、上記フレキシブル基板におけるプラズマCVD処理が施されない側の裏面を支持する
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記搬送機構は、上記フレキシブル基板を巻き出す巻き出しローラと、該巻き出しローラから巻き出されたフレキシブル基板を加熱して搬送する加熱ローラと、プラズマCVD処理が施されたフレキシブル基板を冷却して搬送する冷却ローラと、該冷却ローラにより冷却されたフレキシブル基板を巻き取る巻き取りローラとを備え、
上記巻き出しローラ、上記加熱ローラ、上記冷却ローラ、及び上記巻き取りローラは、各回転軸が平行となるように配置され、
上記巻き出しローラは、上記加熱ローラよりも上記冷却ローラ側に配置され、
上記巻き取りローラは、上記冷却ローラよりも上記加熱ローラ側に配置されている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項13において、
上記巻き出しローラ及び上記巻き取りローラは、上下に段違いに配置されている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記第2電極は、上記第1電極の第1放電面に沿って複数設けられている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項15において、
上記各第2電極と上記第1電極との間に形成されると共にプラズマCVD処理が行われる各処理空間は、上記第1電極の第1放電面に対し所定の隙間を設けた状態で配置された仕切部材により仕切られており、
上記仕切部材は、上記第1放電面に沿って湾曲する湾曲面を有している
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 請求項1において、
上記第1電極はアノード電極である一方、上記第2電極はカソード電極である
ことを特徴とするプラズマCVD装置。
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009120881A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマcvd装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
JP2009120880A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
JP2009209380A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
JP2009249738A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Konica Minolta Holdings Inc | プラズマ放電処理装置及び薄膜形成方法 |
JP2010121159A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Utec:Kk | ローラ式プラズマcvd装置及びローラ式プラズマ装置 |
CN102191488A (zh) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | 富士胶片株式会社 | 成膜设备 |
JP2011184703A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルム、成膜方法、および成膜装置 |
JP2011228329A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | ガス供給電極の製造方法 |
JP2013044017A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
JP2013204053A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
JP2014065932A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Toray Eng Co Ltd | 薄膜形成装置 |
US8999062B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-04-07 | Fujifilm Corporation | Film depositing apparatus |
KR20150077122A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077120A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077112A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077114A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077121A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101545913B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-08-20 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101556287B1 (ko) | 2013-12-27 | 2015-10-01 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150114527A (ko) * | 2013-01-31 | 2015-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공통 증착 플랫폼, 프로세싱 스테이션, 및 그 동작 방법 |
KR101568821B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2015-11-12 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101568272B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101575817B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2015-12-08 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101610783B1 (ko) * | 2014-06-26 | 2016-04-08 | 주식회사 아르케 | 플렉서블 기판의 처리 장치 |
WO2019130159A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜製造装置、およびニューラルネットワークを用いた薄膜製造装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353698A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Okura Ind Co Ltd | 連続プラズマ表面処理方法及び装置 |
JP2002076394A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜半導体の製造装置 |
JP2002339075A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Konica Corp | 長尺基材の表面処理方法及びその方法により製造された光学フィルム |
-
2004
- 2004-12-01 JP JP2004348339A patent/JP4646609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353698A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Okura Ind Co Ltd | 連続プラズマ表面処理方法及び装置 |
JP2002076394A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-03-15 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜半導体の製造装置 |
JP2002339075A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Konica Corp | 長尺基材の表面処理方法及びその方法により製造された光学フィルム |
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009120881A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマcvd装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
JP2009120880A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラスチック表面保護膜の形成方法 |
JP2009209380A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
JP4558810B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2010-10-06 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
US8999062B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-04-07 | Fujifilm Corporation | Film depositing apparatus |
JP2009249738A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Konica Minolta Holdings Inc | プラズマ放電処理装置及び薄膜形成方法 |
JP2010121159A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Utec:Kk | ローラ式プラズマcvd装置及びローラ式プラズマ装置 |
JP2011184703A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルム、成膜方法、および成膜装置 |
EP2369039A1 (en) | 2010-03-18 | 2011-09-28 | Fujifilm Corporation | Film formation apparatus |
JP2011195873A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
CN102191488A (zh) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | 富士胶片株式会社 | 成膜设备 |
JP2011228329A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | ガス供給電極の製造方法 |
JP2013044017A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Fujifilm Corp | 成膜装置 |
JP2013204053A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
JP2014065932A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Toray Eng Co Ltd | 薄膜形成装置 |
KR102219696B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2021-02-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공통 증착 플랫폼, 프로세싱 스테이션, 및 그 동작 방법 |
JP2016514196A (ja) * | 2013-01-31 | 2016-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 共通の堆積プラットフォーム、処理ステーション、およびその動作方法 |
KR20150114527A (ko) * | 2013-01-31 | 2015-10-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 공통 증착 플랫폼, 프로세싱 스테이션, 및 그 동작 방법 |
KR20150077114A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077121A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101545913B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-08-20 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101556287B1 (ko) | 2013-12-27 | 2015-10-01 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077112A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077122A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101568272B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR20150077120A (ko) * | 2013-12-27 | 2015-07-07 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101580968B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-12-30 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
KR101581090B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2015-12-30 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 |
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