KR20150077122A - 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 - Google Patents

플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150077122A
KR20150077122A KR1020130166022A KR20130166022A KR20150077122A KR 20150077122 A KR20150077122 A KR 20150077122A KR 1020130166022 A KR1020130166022 A KR 1020130166022A KR 20130166022 A KR20130166022 A KR 20130166022A KR 20150077122 A KR20150077122 A KR 20150077122A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
flexible substrate
substrate
roll
electrodes
Prior art date
Application number
KR1020130166022A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101581770B1 (ko
Inventor
손형규
Original Assignee
엘아이지인베니아 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지인베니아 주식회사 filed Critical 엘아이지인베니아 주식회사
Priority to KR1020130166022A priority Critical patent/KR101581770B1/ko
Publication of KR20150077122A publication Critical patent/KR20150077122A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101581770B1 publication Critical patent/KR101581770B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 플렉시블 기판의 이송과 플렉시블 기판을 처리하기 위한 공정영역을 분리하여 독립된 공간에서 롤투롤 방식으로 플렉시블 기판이 처리되도록 하는 플렉시블 기판 처리 장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법을 제공하기 위하여, 복수의 공정영역이 형성되는 챔버 및 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 복수의 공정영역으로 플렉시블 기판을 공급하는 기판 공급롤 및 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판 공급롤로부터 상기 플렉시블 기판을 인출하고 상기 플렉시블 기판을 회수하는 기판 회수롤 및 상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤 사이에서 상기 플렉시블 기판을 곡면에 지지하여 상기 플렉시블 기판을 회전 이송하는 회전 스테이지 및 상기 복수의 공정영역에 각각 배치되는 전극을 포함하고, 상기 복수의 공정영역에는 상기 전극에 인가되는 RF파워에 의해 플라즈마가 각각 발생된다. 이에, 본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법은 롤투롤 방식을 사용하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법{APPARATUS FOR PROCESSING FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD OF PROCESSING FLEXIBLE SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플렉시블 기판을 롤투롤(Roll To Roll)방식으로 처리하는 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 플렉시블 디스플레이는 플라스틱 등과 같은 플렉시블 소재의 기판으로 만들어진 디스플레이다. 이러한, 플렉시블 디스플레이는 우수한 표시특성을 그대로 가지면서 접거나 구부리거나 두루마리 형태로 변형이 가능하기 때문에 현재의 디스플레이 시장의 차세대 기술로 평가되고 있다.
또한, 플렉시블 디스플레이는 종래의 유리 기판을 사용하여 클러스터 방식으로 제조되는 디스플레이에 비해 롤투롤 방식을 사용한 연속제조가 가능하므로, 플렉시블 디스프레이는 제조단가를 절감할 수 있으며 대량생산으로 인해 생산성이 향상될 수 있다는 점에서 시장의 기대를 모으고 있다.
이러한, 종래의 플렉시블 디스플레이의 롤투롤방식의 제조방법에 대해서는 이미 "대한민국 공개특허 제2009-0068670호; 롤루롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및 회로 기판 제조 장치(2009.06.29)"에 의해 개시된 바 있다.
상기 공개 발명은 복수 개의 롤러를 포함하여, 기판에 대한 연속제조가 가능토록 한다. 그러나 상기 공개 발명은 식각공정이 수행되는 영역에 배치되는 롤러가 식각가스 또는 플라즈마에 직접적으로 노출될 수 있어 기판에 대한 식각공정 중 롤러가 훼손될 수 있는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허 제2009-0068670호; 롤루롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및 회로 기판 제조 장치(2009.06.29)
본 발명의 목적은 기판을 이송하는 롤러가 플라즈마에 직접적으로 노출되지 않는 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 복수의 공정영역이 형성되는 챔버 및 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 복수의 공정영역으로 플렉시블 기판을 공급하는 기판 공급롤 및 상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판 공급롤로부터 상기 플렉시블 기판을 인출하고 상기 플렉시블 기판을 회수하는 기판 회수롤 및 상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤 사이에서 상기 플렉시블 기판을 곡면에 지지하여 상기 플렉시블 기판을 회전 이송하는 회전 스테이지 및 상기 복수의 공정영역에 각각 배치되는 전극을 포함하고, 상기 복수의 공정영역에는 상기 전극에 인가되는 RF파워에 의해 플라즈마가 각각 발생된다.
상기 기판 공급롤 및 상기 기판 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 기판 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 기판 회수롤을 향해 수평으로 회수될 수 있다.
상기 기판 공급롤 및 상기 기판 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 기판 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 기판 회수롤을 향해 수직으로 회수될 수 있다.
상기 회전 스테이지는 드럼으로 마련되고, 상기 플렉시블 기판은 상기 드럼의 곡면에 지지될 수 있다.
상기 복수 개의 전극은 상기 회전 스테이지의 접선에 평행하게 배치되어 개별 제어가 가능할 수 있다.
상기 플렉시블 기판 처리장치는 상기 복수 개의 전극과 상기 회전 스테이지 사이에 배치되어, 상기 플라즈마의 발생시점과 소멸시점을 센싱하는 플라즈마 센싱부를 더 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 전극은 상기 회전 스테이지에 대한 이격거리 조절이 가능할 수 있다.
상기 회전 스테이지에는 상기 플렉시블 기판과 상기 회전 스테이지의 사이에서 발생되는 마찰력을 완화시키는 슬립부가 형성되고, 상기 슬립부는 상기 플렉시블 기판의 진행방향에 대하여 사선 방향으로 형성되는 제 1그루브와, 상기 플렉시블 기판의 진행방향에 대하여 사선 방향으로 형성되어 상기 제 1그루브에 교차되는 제 2그루브로 마련될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2그루브의 내측에는 비활성 가스가 유입될 수 있다.
상기 챔버는 상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤이 내측에 배치되는 제 1챔버 및 상기 회전 스테이지와 상기 복수 개의 전극이 내측에 배치되는 제 2챔버를 포함할 수 있다.
상기 제 2챔버는 상기 제 1챔버보다 저압 상태로 유지될 수 있다.
상기 챔버는 상기 제 1챔버와 상기 제 2챔버 사이에 배치되어 상기 제 2챔버보다 고압상태로 유지되는 버퍼챔버를 포함하고, 상기 버퍼챔버는 상기 제 2챔버로부터 유입될 수 있는 파티클을 외측으로 배출할 수 있다.
상기 공정가스는 식각 가스 또는 증착 가스일 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리방법은 (a) 플렉시블 기판이 챔버 내부에 배치된 기판 공급롤로부터 풀려나오는 단계 및 (b) 상기 플렉시블 기판이 상기 챔버의 내부에 배치되는 회전 스테이지의 곡면에 지지되어 회전 이송되는 단계 및 (c) 상기 챔버 내부에 형성된 복수의 공정영역에 각각 배치되는 전극이 상기 복수의 공정영역으로 각각 제공되는 공정가스를 기반으로 상기 플렉시블 기판에 대하여 플라즈마를 각각 발생시키는 단계 및 (d) 상기 플렉시블 기판이 상기 챔버 내부에 배치된 기판 회수롤로 회수되는 단계를 포함한다.
상기 (c)단계는 상기 회전 스테이지의 접선에 평행하게 배치된 상기 복수 개의 전극이 개별 제어되며 상기 플렉시블 기판에 대하여 순차적으로 플라즈마가 발생되도록 할 수 있다.
상기 (c)단계는 상기 복수의 공정영역의 각각에서 상기 플라즈마의 발생시점과 소멸시점이 센싱될 수 있다.
상기 챔버는 상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤이 내측에 배치되는 제 1챔버 및 상기 회전 스테이지와 상기 복수 개의 전극이 내측에 배치되는 제 2챔버를 포함하고, 상기 (a)단계 이전에, 상기 제 2챔버가 상기 제 1챔버보다 저압상태로 유지되는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 챔버는 상기 제 1챔버와 상기 제 2챔버 사이에 배치되어 상기 제 2챔버보다 고압상태로 유지되는 버퍼챔버를 더 포함하고, 상기 버퍼챔버는 상기 제 2챔버로부터 유입될 수 있는 파티클을 상기 버퍼챔버 외측으로 배출할 수 있다.
상기 (c)단계는 상기 플렉시블 기판에 대한 에칭 공정 또는 증착 공정이 수행될 수 있다.
상기 (c)단계는 상기 플렉시블 기판에 대한 전처리, 주처리 및 후처리 공정이 순차적으로 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법은 롤투롤 방식을 사용하여 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 기판을 이송하는 롤러가 플라즈마에 직접적으로 노출되지 않는 바, 롤러의 훼손을 방지하여 유지보수가 용이해지는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 구성도이고,
도 2는 본 실시예에 따른 버퍼챔버를 간략하게 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치의 회전 스테이지를 나타낸 단면 사시도이고,
도 4는 다른 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 구성도이고,
도 5는 또 다른 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 구성이고,
도 6은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리방법을 나타낸 순서도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
더불어, 이하에서 설명되는 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치에 의해 처리되는 플렉시블 기판은 높은 공정온도에서 잘 견뎌내고 낮은 열팽창계수(CTE;Coefficient of Thermal Expantion), 우수한 내화학성, 낮은 제조원가를 가질 수 있는 소재로, FRP(Fiber Reinforced Plastic), PET, PEN, PC, PES, AryLite, COC 등이 사용될 수 있다. 그리고 이러한 플렉시블 기판에는 박막트랜지스터의 형성을 위해 이미 소정의 패턴이 형성된 상태로, 플렉시블 기판은 롤(Roll) 형태로 감겨져 제공될 수 있다. 이때, 롤 형태의 기판에는 기판 표면에 형성된 패턴을 보호하기 위한 배리어 필름(Barrier Film)이 점착된 상태로 제공될 수 있다.
또한, 본 실시예서는 용량 결합 플라즈마(CCP: Capacitive Coupled Plasma)를 발생시키는 플렉시블 기판 처리장치에 대하여 설명하도록 하나, 본 발명에 따른 플렉시블 기판 처리장치는 플라즈마를 발생시켜 플렉시블 기판에 대한 처리를 수행하는 다른 플렉시블 기판 처리장치에 적용 실시될 수 있음을 사전에 알려둔다.
도 1은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치를 간략하게 나타낸 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치(100, 이하, 처리장치라 칭한다.)는 기판 공급부(110), 기판 회수부(130), 제 1챔버(150), 제 2챔버(170) 및 버퍼챔버(190)를 포함한다.
먼저, 기판 공급부(110)는 플렉시블 기판(S)을 공급한다. 기판 공급부(110)는 기판 공급롤(111) 및 배리어 배출롤(113)을 포함할 수 있다.
기판 공급롤(111)에는 롤 형태로 제공되는 플렉시블 기판(S)이 지지될 수 있다. 그리고 배리어 배출롤(113)은 기판 공급롤(111)의 일측방에 배치된다. 배리어 배출롤(113)은 플렉시블 기판(S)으로부터 박리되는 배리어 필름(B1)이 감긴다.
그리고 기판 공급롤(111)과 배리어 배출롤(113) 사이에는 립롤(LR)이 배치될 수 있다. 립롤(LR)은 플렉시블 기판(S)으로부터 박리된 배리어 필름(B1)이 다시 플렉시블 기판(S)에 합착될 경우, 플렉시블 기판(S)과 배리어 필름(B1) 사이에 기포가 발생되는 것이 방지되도록 한다.
보다 구체적으로, 최초 장비의 셋팅 과정에서 공정에서의 플렉시블 기판(S)의 장력 등을 사전에 확인하기 위해, 플렉시블 기판(S)은 기판 공급롤(111)로부터 권출되며 배리어 필름(B1)이 박리될 수 있다. 그리고 배리어 필름(B1)이 박리된 플렉시블 기판(S)은 실제 공정을 위하여 다시 배리어 필름(B1)이 합착되며 기판 공급롤(111)에 회수될 수 있다. 이때, 립롤(LR)은 다시 합착되는 플렉시블 기판(S)과 배리어 필름(B1) 사이에서 기포가 발생되는 것이 방지되도록 할 수 있다.
한편, 기판 회수부(130)는 기판 공급롤(111)에서 권출되는 플렉시블 기판(S)을 권취한다. 기판 회수부(130)는 기판 회수롤(131) 및 배리어 공급롤(133)을 포함할 수 있다.
기판 회수롤(131)에는 플렉시블 기판(S)이 기판 회수롤(131)에 감기도록 동력을 제공하는 구동모터(미도시)가 설치될 수 있다. 따라서 기판 공급롤(111)에 롤 형태로 지지되는 플렉시블 기판(S)은 기판 회수롤(131)의 회전에 따라 기판 공급롤(111)로부터 인출되고 기판 회수롤(131)에 회수될 수 있다. 그리고 배리어 공급롤(133)은 기판 회수롤(131)의 일측방에 배치된다. 배리어 공급롤(133)은 플렉시블 기판(S)의 표면을 보호하기 위한 배리어 필름(B2)을 공급한다. 이에, 기판 회수롤(131)에 회수되는 플렉시블 기판(S)의 표면에는 배리어 필름(B2)이 부착되어 플렉시블 기판(S)의 표면이 보호될 수 있다.
그리고 기판 회수롤(131)과 배리어 공급롤(133) 사이에는 립롤(LR)이 배치될 수 있다. 립롤(LR)은 플렉시블 기판(S)과 배리어 필름(B2)의 합착과정에서 플렉시블 기판(S)과 배리어 필름(B2) 사이에 기포가 발생되는 것이 방지되도록 한다.
한편, 이러한 기판 공급부(110)와 기판 회수부(130)는 제 1챔버(150)의 내부에 배치된다. 여기서, 제 1챔버(150)는 플렉시블 기판(S)이 이송되는 공간을 외부로부터 차단하여 청정 환경을 제공한다. 그리고 제 1챔버(150)에는 챔버 내부를 배기하는 제 1배기펌프(미도시)가 연결되어, 제 1챔버(150)의 내부가 소정 압력(예를 들어, 10-2 Torr)으로 유지될 수 있다.
그리고 제 2챔버(170)의 내부에서는 플렉시블 기판(S)에 대한 일련의 처리 공정이 수행된다. 여기서, 제 2챔버(170)는 버퍼챔버(190)에 의해 제 1챔버(150)와 연통되는 구조를 가지기 때문에 제 2챔버(170) 내측으로 제공되는 가스나 파티클이 제 1챔버(150)로 유입될 수 있다.
그러나 본 실시예서는 제 2챔버(170)가 일측에 연결된 제 2배기펌프(미도시)에 의해 내부 압력이 제 1챔버(150)의 내부 압력보다 저압으로 유지된다. 이에, 제 2챔버(170) 내부의 가스 또는 파티클이 제 1챔버(150)로 유출되지 않을 수 있다. 이러한, 제 2챔버(170)의 상세한 구성에 대해서는 이하 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
그리고 버퍼챔버(190)는 제 1챔버(150)와 제 2챔버(170) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 버퍼챔버(190)는 제 1챔버(150)의 출구(150a)와 제 2챔버(170)의 입구(170a) 사이에 배치되는 제 1버퍼챔버(191), 제 2챔버(170)의 출구(170c)와 제 1챔버(150)의 입구(150c) 사이에 배치되는 제 2버퍼챔버(193)로 이루어질 수 있다. 여기서, 제 1 및 제 2버퍼챔버(191, 193)는 동일한 구성으로 구비될 수 있는 바, 이하에서는 단일의 버퍼챔버(190)에 대하여 설명하도록 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 버퍼 챔버를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 버퍼챔버(190)는 제 1챔버(150)와 제 2챔버(170)의 게이트 밸브(G) 사이에 배치될 수 있다. 여기서, 각각의 버퍼챔버(190)에는 챔버 내부를 배기하는 제 3배기펌프(미도시)가 연결된다. 이때, 버퍼챔버(190)의 내부 압력은 제 2챔버(170)의 내부 압력보다 고압으로 유지되고, 제 1챔버(150)의 내부압력보다는 저압으로 유지될 수 있다. 이에, 버퍼챔버(190)에는 제 2챔버(170)로부터의 가스 또는 파티클의 유입이 방지될 수 있다.
그리고 버퍼챔버(190)의 내부로는 제 2챔버(170)로부터 유입된 가스 또는 파티클을 저지할 수 있는 비활성가스가 공급될 수 있다. 여기서, 비활성가스는 도 2에 도시된 바와 같이 질소(N2)가스로 마련될 수 있으며, 버퍼챔버(190)의 내측에는 적어도 하나 이상의 확산판(190a)이 배치될 수 있다.
확산판(190a)은 버퍼챔버(190) 내측으로 유입되는 비활성가스를 버퍼챔버(190) 내부에서 확산시키며, 이를 위해 확산판(190a)에는 복수 개의 확산공(190b)이 형성될 수 있다. 이러한 확산판(190a)은 한 쌍으로 구비되어 버퍼챔버(190) 내부에서 마주하도록 배치될 수 있으며, 한 쌍으로 구비된 확산판(190a)의 사이 영역은 플렉시블 기판(S)이 이송되는 이송경로를 형성할 수 있다. 또한, 버퍼챔버(190)의 내부에는 플렉시블 기판(S)을 가이드하며 지지하기 위한 아이들롤러(181)가 배치될 수 있다.
이에, 버퍼챔버(190)는 제 2챔버(170)로부터 가스 또는 파티클이 유입되더라도 비활성 가스와, 제 2챔버(170)로부터 유입된 가스 또는 파티클을 함께 제 3배기펌프를 통해 챔버 외측으로 배출할 수 있다. 이에, 버퍼챔버(190)는 가스 또는 파티클이 제 1챔버(150)로 유입되는 것을 저지하여, 제 1챔버(150) 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
다만, 본 실시예서는 버퍼챔버(190)의 내부압력이 제 2챔버(170)의 내부압력보다는 고압으로 유지되고, 제 1챔버(150)의 내부압력보다는 저압으로 유지되는 것을 설명하고 있으나, 버퍼챔버(190)는 제 1챔버(150)의 내부를 배기하고 있는 제 1배기펌프에 연결되어 내부압력이 제 1챔버(150)의 내부압력과 동일한 압력을 유지하도록 구성될 수 있다.
한편, 제 2챔버(170)에는 회전 스테이지(171), 플라즈마 발생부(173), 격벽(175) 및 플라즈마 센싱부(177)가 설치된다.
먼저, 제 2챔버(170)의 입구(170a)와 출구(170c) 측에는 게이트(G1, G2)가 배치된다. 게이트(G1, G2)는 플렉시블 기판(S)의 입출 경로를 형성하기 위해 제 2챔버(170)를 개폐시킬 수 있다.
한편, 도 3은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치의 회전 스테이지를 나타낸 단면 사시도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 회전 스테이지(171)는 제 2챔버(170) 내부에 배치된다. 회전 스테이지(171)는 플렉시블 기판(S)을 지지하여, 기판 공급부(110, 도 1참조)로부터 기판 회수부(130, 도 1참조)까지 플렉시블 기판(S)을 회전 이송할 수 있다. 여기서, 회전 스테이지(171)는 드럼으로 마련되어 플렉시블 기판(S)이 플라즈마 발생부(173)에 대하여 연속적으로 이송되도록 한다.
이러한, 회전 스테이지(171)는 제 2챔버(170)의 내부로 반입되는 플렉시블 기판(S)을 곡면에 지지한 상태로, 제 2챔버(170)의 입구(170a) 측으로부터 출구(170c) 측으로 이송시킬 수 있다. 여기서, 회전 스테이지(171)는 회전 가능하게 마련될 수 있다. 이를 위해, 회전 스테이지(171)의 회전축은 제 2챔버(170)의 측벽을 관통하도록 배치된다. 이때, 회전축과 제 2챔버(170)의 측벽 사이에는 실링부재(170e)가 배치된다. 실링부재(170e)는 제 2챔버(170) 내부의 압력이 유지되며 회전 스테이지(171)가 회전 가능하게 한다. 여기서, 실링부재(170e)로는 자성 유체 씰이 마련될 수 있다.
또한, 회전 스테이지(171)는 공정에 따라 대략 25~50℃로 히팅되거나 냉각될 수 있다. 이에, 회전 스테이지(171)에는 히팅부(171a)와 냉각부(171c)가 설치될 수 있다.
먼저, 히팅부(171a)는 회전 스테이지(171)의 내측 공간에 배치된다. 여기서, 히팅부(171a)는 회전 스테이지(171)의 내측공간을 히팅하여 복사열에 의해 플렉시블 기판(S)이 가열되도록 할 수 있다. 이때, 히팅부(171a)는 히팅 케이블 또는 히팅 코일로 마련될 수 있다.
그리고 냉각부(171c)는 회전 스테이지(171)의 곡면을 형성하는 회전 스테이지(171)의 외벽에 마련되어 플렉시블 기판(S)이 냉각되도록 할 수 있다. 여기서, 냉각부(171c)는 회전 스테이지(171)의 외벽에 냉각유로로 형성될 수 있다. 그리고 냉각부(171c)는 냉매 입출부(171ca)를 포함할 수 있다. 냉매 입출부(171ca)는 회전 스테이지(171)의 회전축에 배치되어 냉각부(171c)에 냉매(Cooling fluid)가 공급 및 배출되도록 할 수 있다. 여기서, 냉매 입출부(171ca)로는 슬립링이 마련될 수 있다.
그리고 회전 스테이지(171)의 곡면에는 회전 스테이지(171)의 곡면과 플렉시블 기판(S) 사이에서의 마찰력을 완화시키는 슬립부(171g)가 형성될 수 있다.
즉, 슬립부(171g)는 플렉시블 기판(S)의 진행방향에 대하여 사선방향으로 형성되는 제 1그루브(171ga)와, 플렉시블 기판(S)의 진행방향에 대하여 사선 방향으로 형성되어 제 1그루브(171ga)와 교차되도록 형성된 제 2그루브(171gc)로 마련될 수 있다. 그리고 제 1 및 제 2그루브(171ga, 171gc)는 각각 복수로 형성될 수 있다. 이에, 슬립부(171g)는 플렉시블 기판(S)의 전체면적과 회전 스테이지(171)가 면 접촉되는 것을 방지하여, 회전 스테이지(171)의 곡면과 플렉시블 기판(S) 사이에서의 마찰력을 완화시킬 수 있다.
또한, 제 1 및 제 2그루브(171ga, 171gc)가 교차하는 영역에는 가스 유입홀(미도시)이 구비되어 비활성 가스가 제 1 및 제 2그루브(171ga, 171gc) 내측으로 유입되도록 할 수 있다. 이에, 플렉시블 기판(S)은 회전 스테이지(171)의 곡면으로부터 슬립되며 이송될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상술한 바와 같이 본 실시예서는 용량 결합 플라즈마(CCP: Capacitive Coupled Plasma)를 발생시키는 처리장치에 대해 설명하고 있는 바, 플라즈마 발생부(173)는 제 1 및 제 2전극(173a, 173c)으로 마련될 수 있다.
먼저, 제 1전극(173a)은 회전 스테이지(171)에 마련될 수 있다. 이때, 도시되지 않았지만 제 1전극(173a)은 회전 스테이지(171)에 별도의 전극으로 구비되거나 회전 스테이지(171) 자체가 전극으로 구비될 수 있다. 그리고 회전 스테이지(171)가 회전 가능하게 구비될 수 있는 바, 회전 스테이지(171)의 회전축에는 슬립링(173)이 배치될 수 있다. 여기서, 슬립링(173)은 용량 결합 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파파워를 제 1전극(173a)으로 전달하거나 제 1전극(173a)을 접지시키며, 회전 스테이지(171)가 회전 가능하게 할 수 있다.
그리고 제 2전극(173c)은 회전 스테이지(171)에 마주하는 일면이 회전 스테이지(171)의 접선 즉, 제 1전극(173a)의 접선에 대하여 평행하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2전극(173c)은 회전 스테이지(171)의 곡면으로부터 이격 배치된다. 여기서, 제 2전극(173c)은 제 1전극(173a)에 대면되도록 제 2챔버(170)의 내부에 설치될 수 있다. 그리고 이러한, 제 2전극(173c)은 제 1 및 제 2전극(173a, 173c) 사이에 용량 결합 플라즈마 발생에 기여하는 공정가스를 유입하기 위해 샤워헤드 형태로 마련될 수 있다. 여기서, 공정가스는 플렉시블 기판(S)에 대한 에칭공정 또는 증착공정을 수행하는 기반이 되는 식각가스 또는 증착가스일 수 있다.
그리고 제 1 및 제 2전극(173a, 173c)에 의해 발생되는 용량 결합 플라즈마의 발생 원리는 13.56Mhz 또는 12.56Mhz 등과 같이 공정가스가 유입된 공간에 용량 결합 플라즈마에 기여하는 용량 결합 플라즈마 소스를 인가하는 공지된 기술로 이해 가능하므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.
또한, 제 2전극(173c)은 이송 중인 플렉시블 기판(S)에 복수의 처리가 가능하도록 복수 개로 마련될 수 있다. 그리고 복수 개의 제 2전극(173c)은 개별 제어가 가능하도록 마련될 수 있다. 이에, 처리장치(100)는 복수 개의 제 2전극(173c)에 의해 유지보수 및 기판 처리 공정이 용이해질 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 제 2전극(173c) 중 하나의 제 2전극의 작동이 정지될 경우, 다른 제 2전극을 이용하여 플렉시블 기판(S)에 대한 계속된 공정이 가능할 수 있다.
이러한, 제 1전극(173a)과 복수 개의 제 2전극(173c)은 플렉시블 기판(S)의 일영역에 대하여 연속적으로 용량 결합 플라즈마 발생이 가능하게 한다. 이에, 처리장치(100)에서는 플렉시블 기판(S)이 이송되며 연속적으로 처리 가능하다. 그리고 제 1전극(173a)과 복수 개의 제 2전극(173c)은 플렉시블 기판(S)을 영역별로 구획하여 각각의 영역에 별도의 플라즈마를 발생시키고 제어할 수 있다. 이에, 제 1전극(173a) 및 복수 개의 제 2전극(173c)은 플렉시블 기판(S)의 이송 정지없이 플렉시블 기판(S)에 대한 연속된 공정이 수행되도록 하는 바, 플렉시블 기판(S)에 대한 공정 시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 복수 개의 제 2전극(173c)은 제 1전극(173a)에 대한 이격 거리 조절이 가능하게 배치될 수 있다. 이를 위해, 각각의 제 2전극(173c)은 제 2챔버(170) 외측에 배치되는 구동유닛(180)에 축 연결될 수 있다. 더불어, 구동유닛(180)과 제 2전극(173c)의 연결영역를 통해 제 2챔버(170) 내부 압력이 변화되는 것을 방지하기 위하여 구동유닛(180)과 제 2챔버(170) 사이에는 벨로우즈(181)가 배치되어 제 2챔버(170)의 내부 압력이 유지되도록 할 수 있다.
한편, 격벽(175)은 제 1전극(173a)과 복수 개의 제 2전극(173c)에 의해 발생되는 용량결합 플라즈마의 발생영역을 구획할 수 있다. 즉, 격벽(175)은 제 2챔버(170) 내부에 복수의 공정영역이 형성되도록 한다. 여기서, 격벽(175)은 복수 개의 제 2전극(173c)의 사이에서 제 2챔버(170)의 측벽으로부터 회전 스테이지(171)의 곡면을 향해 연장 형성될 수 있다. 이때, 격벽(175)은 회전 스테이지(171)에 마주하는 일단이 플렉시블 기판(S)이 통과될 수 있는 공간만큼 회전 스테이지(171)의 곡면으로부터 이격되도록 배치될 있다.
그리고 플라즈마 센싱부(177)는 격벽(175)에 의해 구획된 영역에 각각 배치될 수 있다. 플라즈마 센싱부(177)는 플라즈마 상태를 확인할 수 있다. 여기서, 플라즈마 센싱부(177)는 각각이 배치된 영역에서의, 용량결합 플라즈마의 발생시점과 소멸시점을 센싱한다. 따라서 플라즈마 센싱부(177)는 이송중인 플렉시블 기판(S)에 대한 식각 또는 증착 처리 공정의 진행률이 감지되도록 할 수 있다. 이에, 처리장치(100)에서는 구획된 영역을 통과하는 플렉시블 기판(S)의 구획별 이송시간 및 구획된 영역 전체를 통과하는 플렉시블 기판(S)의 전체 이송시간이 제어될 수 있는 바, 기판에 대한 보다 정밀한 공정이 가능해지는 이점이 있다.
한편, 제 1챔버(150)의 내부에는 기판 공급부(110)로부터 기판 회수부(130)에 이르기까지 플렉시블 기판(S)을 원활하게 이송하기 위한 아이들롤러(181), 로드셀(183) 및 장력조절롤러(185)가 배치될 수 있다.
먼저, 아이들롤러(181)는 기판 공급부(110)로부터 기판 회수부(130)의 사이에 적어도 하나로 마련되어 플렉시블 기판(S)의 이송경로를 형성한다. 그리고 로드셀(183)은 아이들롤러(181)의 회전축에 설치되어, 아이들롤러(181)의 회전축에 전달되는 압력 및 플렉시블 기판(S)의 장력을 감지할 수 있다.
또한, 장력조절롤러(185)는 기판 공급부(110)로부터 기판 회수부(130)에 이르기까지 적어도 하나로 마련될 수 있다. 예를 들어, 장력조절롤러(185)는 제 1챔버(150)의 입구 측과, 제 1챔버(150)의 출구 측에 각각 마련될 수 있다. 이러한, 장력조절롤러(185)는 로드셀(183)에 감지되는 플렉시블 기판(S)의 장력을 기반으로, 제 2챔버(170)로 출입되는 플렉시블 기판(S)의 공급 및 회수가 평행하게 이루어지도록 할 수 있다. 여기서, 장력조절롤러(185)는 플렉시블 기판(S)이 접촉되는 표면이 실리콘 처리되어 회전수 조절에 따라 플렉시블 기판(S)의 장력이 조절되도록 할 수 있다.
한편, 도 1에서 아이들롤러(181)는 기판 공급롤(111)과 버퍼챔버(190)의 사이에 2개, 버퍼챔버(190)와 기판 회수부(130)의 사이에 1개 배치되고, 장력조절롤러(185)는 제 1챔버(150)의 입구(150a)와 출구(150c) 측에 각각 배치되는 것으로 도시하고 있지만, 아이들롤러(181) 및 장력조절롤러(185)의 개수가 본 발명의 권리범위를 한정하는 것으로 이해되어서는 안될 것이다.
한편, 상술된 바와 같이 플렉시블 기판(S)의 표면에는 이미 소정의 패턴이 형성되고, 플렉시블 기판(S)은 배리어 필름(B1)이 점착된 롤 형태로 제공되기 때문에 플렉시블 기판(S)에는 습기가 잔류할 수 있다.
따라서 기판 공급롤(111)과 제 1버퍼챔버(191) 사이에는 플렉시블 기판(S)에 잔류하는 습기를 제거하기 위해 플렉시블 기판(S)을 건조시키는 건조유닛(187)이 배치될 수 있다. 그리고 건조유닛(187)과 제 1버퍼챔버(191) 사이에는 건조유닛(187)을 거친 플렉시블 기판(S)을 히팅시켜 플렉시블 기판(S)의 온도를 안정화시키는 히팅유닛(189)이 설치될 수 있다.
다만, 도 1에서 건조유닛(187)과 히팅유닛(189)은 기판 공급롤(111)과 제 1버퍼챔버(191)의 사이에 각각 단수로 마련되는 것으로 도시하고 있지만, 건조유닛(187)과 히팅유닛(189)은 기판 공급롤(111)과 제 1버퍼챔버(191)의 사이, 제 2버퍼챔버(193)와 기판 회수롤(131)의 사이에서 플렉시블 기판(S)의 온도 및 표면 상태에 따라 얼마든지 추가로 설치될 수 있을 것이다.
그리고 기판 공급롤(111)로부터 플렉시블 기판(S)이 권출되는 측과, 기판 회수롤(131)을 향해 플렉시블 기판(S)이 권취되는 측에는 엔드 포지션 컨트롤러(120)가 설치될 수 있다. 여기서, 엔드 포지션 컨트롤러(120)는 플렉시블 기판(S)의 장력이 유지된 상태에서 기판 공급롤(111)로부터 풀려나오게 하고, 장력조절롤러(185)에 의해 조절된 플렉시블 기판(S)의 장력이 유지되는 상태로 기판 회수롤(131)에 감기도록 할 수 있다.
한편, 본 실시예서는 도 1에 도시된 바와 같이, 처리장치(100)가 제 1챔버(150), 제 2챔버(170) 및 버퍼챔버(190)을 포함하고 있는 것을 설명하고 있으나, 본 발명에 따른 처리장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 단일의 챔버(C)로 이루어질 수 있다.
더불어, 본 실시예서는 제 1챔버(150), 제 2챔버(170) 및 버퍼챔버(190)가 횡방향으로 연결되어 플렉시블 기판(S)이 제 2챔버(170)를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 플렉시블 기판(S)이 제 2챔버(170)로부터 제 1챔버(150)를 향해 수평방향으로 회수되는 것을 설명하고 있으나, 처리장치는 도 5에 도시된 바와 같이 제 1챔버(150), 제 2챔버(170) 및 버퍼챔버(190)가 종방향으로 연결되어 플렉시블 기판(S)이 제 2챔버(170)를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 플렉시블 기판(S)이 제 2챔버(170)로부터 제 1챔버(150)를 향해 수직방향으로 회수될 수 있다.
이하, 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다.
도 6은 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리방법을 나타낸 순서도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 플렉시블 기판(S)은 롤 형태로 제공되어 기판 공급롤(111)에 지지된다. 이후, 기판 회수롤(131)이 회전되면서 공정이 개시된다. 물론, 공정이 개시되기 이전에는 제 1배기펌프에 의해 제 1챔버(150)가 배기되고, 제 2배기펌프에 의해 제 2챔버(170)가 배기되고, 제 3배기펌프에 의해 버퍼챔버(190)가 배기된다. 이에 따라, 제 2챔버(170)에는 제 1챔버(150) 및 버퍼챔버(190)에 비해 저압이 유지되는 공정환경이 조성될 수 있다(단계; S11).
이후, 기판 공급롤(111)로부터 권출되는 플렉시블 기판(S)에 점착된 배리어 필름은 배리어 배출롤(113)에 감기며 배출된다. 그리고 배리어 필름(B1)이 박리된 플렉시블 기판(S)은 건조유닛(187)을 통과하며 습기가 제거된다. 건조유닛(187)을 거친 플렉시블 기판(S)은 히팅유닛(171c)에 의해 히팅되며 온도가 안정화될 수 있다. 그리고 플렉시블 기판(S)은 제 1버퍼챔버(191)를 거쳐 제 2챔버(170)로 반입된다(단계;S13). 이때, 슬립부(171g)의 내측으로는 비활성 가스가 유입될 수 있다.
이후, 제 2챔버(170)로 반입된 플렉시블 기판(S)은 회전 스테이지(171)의 곡면에 지지되어 이송된다. 그리고 제 2챔버(170)의 내부에서는 플라즈마 발생부(173)에 인가되는 고주파파워에 의해 용량결합 플라즈마가 발생된다. 여기서, 제 1전극(173a)과 복수의 공정영역에 각각 배치된 복수 개의 제 2전극(173c)는 이송 중인 플렉시블 기판(S)의 일영역에 대하여 용량결합 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이에, 플렉시블 기판(S)은 회전 스테이지(171) 즉, 제 1전극(173a)와 복수 개의 제 2전극(173c)의 사이를 통과하며 식각, 또는 증착공정이 이루어질 수 있다(단계;S15). 이때, 격벽(175)은 복수 개의 제 2전극(173c)이 배치되는 영역을 구획하여 플라즈마 간의 간섭을 방지할 수 있다. 또한, 여기서 히팅부(171a)와 냉각부(171c)는 플렉시블 기판(S)을 히팅 또는 냉각하여 플렉시블 기판(S)의 온도를 안정화시킬 수 있고, 플라즈마 센싱부(177)는 구획된 영역의 각각에서 용량결합 플라즈마의 발생시점과 소멸시점이 센싱되도록 할 수 있다.
더불어, 복수의 공정영역에서는 이송중인 플렉시블 기판(S)에 대한 일련의 공정이 전처리, 주처리 및 후처리 공정으로 분리되어 순차적으로 이루어질 수 있기 때문에 플렉시블 기판(S)의 이송 정지없이 이송중인 플렉시블 기판(S)에 대한 처리가 가능한 이점이 있다.
계속하여, 공정이 완료된 플렉시블 기판(S)은 제 2버퍼챔버(193)를 통해 제 1챔버(150)로 배출된다. 이후, 플렉시블 기판(S)은 기판 회수롤(131)에 권취된다. 여기서, 배리어 공급롤(133)은 플렉시블 기판(S)으로 배리어 필름(B2)을 공급한다. 이에, 플렉시블 기판(S)은 배리어 필름(B2)에 의해 그 표면에 보호되며 기판 회수롤(131)에 권취된다(단계;S17).
이에, 본 실시예에 따른 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법은 롤투롤 방식을 사용하여 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 플렉시블 기판의 이송을 위한 이송공간과, 플렉시블 기판에 대한 처리가 수행되는 공정영역이 분리되므로 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 실시예서는 플렉시블 기판이 제 2챔버 내측으로 연속적으로 공급되며 연속적인 공정이 수행되는 것을 설명하고 있으나, 처리장치에서는 플렉시블 기판의 이송을 제어하며 기판에 대한 공정이 스텝 바이 스텝(Step by Step) 방식으로 이루어지도록 할 수 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100 : 플렉시블 기판 처리장치
110 : 기판 공급부
130 : 기판 회수부
150 : 제 1챔버
170 : 제 2챔버
190 : 버퍼챔버

Claims (20)

  1. 복수의 공정영역이 형성되는 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되어 상기 복수의 공정영역으로 플렉시블 기판을 공급하는 기판 공급롤;
    상기 챔버 내부에 배치되어 상기 기판 공급롤로부터 상기 플렉시블 기판을 인출하고 상기 플렉시블 기판을 회수하는 기판 회수롤;
    상기 챔버의 내부에 배치되고 상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤 사이에서 상기 플렉시블 기판을 곡면에 지지하여 상기 플렉시블 기판을 회전 이송하는 회전 스테이지; 및
    상기 복수의 공정영역에 각각 배치되는 전극을 포함하고,
    상기 복수의 공정영역에는 상기 전극에 인가되는 RF파워에 의해 플라즈마가 각각 발생되는 플렉시블 기판 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 공급롤 및 상기 기판 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 기판 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수평방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 기판 회수롤을 향해 수평으로 회수되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 공급롤 및 상기 기판 회수롤은 상기 회전 스테이지 일측에 구비되며, 상기 플렉시블 기판은 상기 기판 공급롤로부터 상기 회전 스테이지를 향해 수직방향으로 공급되고, 처리된 상기 플렉시블 기판은 상기 회전 스테이지로부터 상기 기판 회수롤을 향해 수직으로 회수되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 회전 스테이지는 드럼으로 마련되고,
    상기 플렉시블 기판은 상기 드럼의 곡면에 지지되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 전극은 상기 회전 스테이지의 접선에 평행하게 배치되어 개별 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 전극과 상기 회전 스테이지 사이에 배치되어, 상기 플라즈마의 발생시점과 소멸시점을 센싱하는 플라즈마 센싱부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 복수 개의 전극은 상기 회전 스테이지에 대한 이격거리 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 회전 스테이지에는 상기 플렉시블 기판과 상기 회전 스테이지의 사이에서 발생되는 마찰력을 완화시키는 슬립부가 형성되고,
    상기 슬립부는 상기 플렉시블 기판의 진행방향에 대하여 사선 방향으로 형성되는 제 1그루브와, 상기 플렉시블 기판의 진행방향에 대하여 사선 방향으로 형성되어 상기 제 1그루브에 교차되는 제 2그루브로 마련되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2그루브의 내측에는 비활성 가스가 유입되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버는
    상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤이 내측에 배치되는 제 1챔버 및
    상기 회전 스테이지와 상기 복수 개의 전극이 내측에 배치되는 제 2챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제 2챔버는 상기 제 1챔버보다 저압 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제 1챔버와 상기 제 2챔버 사이에 배치되어 상기 제 2챔버보다 고압상태로 유지되는 버퍼챔버를 포함하고,
    상기 버퍼챔버는 상기 제 2챔버로부터 유입될 수 있는 파티클을 외측으로 배출하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 공정가스는 식각 가스 또는 증착 가스인 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리장치.
  14. (a) 플렉시블 기판이 챔버 내부에 배치된 기판 공급롤로부터 풀려나오는 단계;
    (b) 상기 플렉시블 기판이 상기 챔버의 내부에 배치되는 회전 스테이지의 곡면에 지지되어 회전 이송되는 단계;
    (c) 상기 챔버 내부에 형성된 복수의 공정영역에 각각 배치되는 전극이 상기 복수의 공정영역으로 각각 제공되는 공정가스를 기반으로 상기 플렉시블 기판에 대하여 플라즈마를 각각 발생시키는 단계; 및
    (d) 상기 플렉시블 기판이 상기 챔버 내부에 배치된 기판 회수롤로 회수되는 단계를 포함하는 플렉시블 기판 처리방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 (c)단계는 상기 회전 스테이지의 접선에 평행하게 배치된 상기 복수 개의 전극이 개별 제어되며 상기 플렉시블 기판에 대하여 순차적으로 플라즈마가 발생되도록 하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 (c)단계는 상기 복수의 공정영역의 각각에서 상기 플라즈마의 발생시점과 소멸시점이 센싱되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 기판 공급롤과 상기 기판 회수롤이 내측에 배치되는 제 1챔버 및 상기 회전 스테이지와 상기 복수 개의 전극이 내측에 배치되는 제 2챔버를 포함하고,
    상기 (a)단계 이전에, 상기 제 2챔버가 상기 제 1챔버보다 저압상태로 유지되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제 1챔버와 상기 제 2챔버 사이에 배치되어 상기 제 2챔버보다 고압상태로 유지되는 버퍼챔버를 더 포함하고,
    상기 버퍼챔버는 상기 제 2챔버로부터 유입될 수 있는 파티클을 상기 버퍼챔버 외측으로 배출하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
  19. 제 14항에 있어서,
    상기 (c)단계는
    상기 플렉시블 기판에 대한 에칭 공정 또는 증착 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
  20. 제 14항에 있어서,
    상기 (c)단계는
    상기 플렉시블 기판에 대한 전처리, 주처리 및 후처리 공정이 순차적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉시블 기판 처리방법.
KR1020130166022A 2013-12-27 2013-12-27 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법 KR101581770B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130166022A KR101581770B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130166022A KR101581770B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150077122A true KR20150077122A (ko) 2015-07-07
KR101581770B1 KR101581770B1 (ko) 2015-12-31

Family

ID=53789947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130166022A KR101581770B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101581770B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180062104A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 기판건조장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101686058B1 (ko) * 2014-03-26 2016-12-13 (주)브이앤아이솔루션 웹기판처리시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006152416A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Sharp Corp プラズマcvd装置
KR20090068670A (ko) 2007-12-24 2009-06-29 삼성테크윈 주식회사 롤투롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및회로 기판 제조 장치
KR20110020745A (ko) * 2009-08-24 2011-03-03 후지필름 가부시키가이샤 성막 장치
KR20120022072A (ko) * 2010-08-31 2012-03-09 후지필름 가부시키가이샤 성막 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006152416A (ja) * 2004-12-01 2006-06-15 Sharp Corp プラズマcvd装置
KR20090068670A (ko) 2007-12-24 2009-06-29 삼성테크윈 주식회사 롤투롤 기판 이송 장치, 이를 포함하는 습식 식각 장치 및회로 기판 제조 장치
KR20110020745A (ko) * 2009-08-24 2011-03-03 후지필름 가부시키가이샤 성막 장치
KR20120022072A (ko) * 2010-08-31 2012-03-09 후지필름 가부시키가이샤 성막 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180062104A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 기판건조장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101581770B1 (ko) 2015-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6360882B2 (ja) フレキシブル基板のための堆積プラットフォーム及びその操作方法
EP2883980B1 (en) Vacuum processing apparatus with substrate spreading device and method for operating same
JP5665290B2 (ja) 成膜装置
KR101844068B1 (ko) 성막 장치
JP5486249B2 (ja) 成膜方法
KR101581770B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
EP2827359B1 (en) Cleaning method for thin-film processing applications and apparatus for use therein
KR101581090B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR101593073B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR101568272B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
WO2012121040A1 (ja) 機能性フィルムの製造方法
KR20150077123A (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR20150077119A (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR101545913B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR101600433B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
TW202028514A (zh) 成膜裝置
KR101580968B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR20150077130A (ko) 플렉시블 기판 스테이지 및 이를 포함하는 플렉시블 기판 처리장치.
KR101568821B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR101556287B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
KR101575817B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
JP5481206B2 (ja) エッチング装置
JP6633487B2 (ja) 成膜装置
KR20150077131A (ko) 플렉서블 기판 처리장치 및 이의 제어 방법
KR101561991B1 (ko) 게이트 밸브 및 이를 포함하는 플렉시블 기판 처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee