JP5481206B2 - エッチング装置 - Google Patents
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Description
図1には、帯状基板のプラズマ加工に適用した本発明の一実施形態による巻取り式エッチング装置を示し、図示装置は、真空処理室1と、仕切り壁部材2と、移送室3とを有している。4は処理ローラであり、加熱又は冷却できるように構成されている。図示したように、この処理ローラ4の一部は真空処理室1内に位置し、残りの部分は移送室3内に位置している。真空処理室1は図示していない真空排気系に接続され、内部を所望の高真空例えば30ミリトールから400ミリトールに設定できるようにされている。また真空処理室1にはプラズマ生成用のガスを導入するガス導入口1aが設けられており、このガス導入口1aは図示していない適当なガス供給源に接続されている。そして処理ローラ4はRF電源5に接続されている。これにより真空処理室1内にエッチング処理に必要なプラズマを発生する。真空処理室1は仕切り壁部材2によって及び移送室3と分離され、そして真空処理室1は移送室3より高い真空度に維持される。
図3の実験について説明すると、フィルム基板は20μm厚さのSUS製基板をベースにし両面に20μmのポリイミドを塗布したカプトンフィルムにさらにマグネトロンスパッタでIZOを300nm製膜して0.1〜60mm/分の速度で巻取り、実験では1m/分で行った。またIZOの代わりに、SiO2、Si3N4もそれぞれP−CVD法で300nmの厚さに成膜した。図2のデータの取得時と同様に、HIガス400sccmをベースとしてAr、HeガスをSiO2、SiNの場合にそれぞれHe、Arをガス中に流した。その結果、図3に示すようなデータが得られた。但し処理ローラ4の温度は60℃であった。RFパワーは1KWを印加した。また本実験中は空間すなわち移送室3や巻出軸7におけるロールも巻取軸8に巻かれたロールも損傷を受けなかった。
2:仕切り壁部材
3:移送室
4:処理ローラ
5:RF電源
6:ウエブ基板
7:巻出軸
8:巻取軸
9:ガイド及びテンションローラ
10:ガイド及びテンションローラ
11:N2カーテン
11:N2カーテン
1a:ガス導入口
Claims (4)
- 処理すべきウエブ基板が接触して通過する処理ローラの一部を受けるように設けられ、高真空に排気される処理室と、処理すべき基板を案内しかつ移送する移送室と、処理室と移送室とを分離する仕切り壁部材とを有し、処理ローラをRF電源に接続し、処理室にプラズマ生成用のガスを導入して処理室内にプラズマを発生させ、移送室が処理ローラの一部を受ける中央領域と巻出軸及び巻取軸の設けられる側部領域とを備え、移送室の中央領域と側部領域とをN2ガスカーテンで仕切り、移送室の中央領域を低真空に設定し、移送室の側部領域を大気圧に設定したことを特徴とするエッチング装置。
- N2ガスカーテンが、処理すべき基板に平行に流れる複数条から成ることを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
- 移送室の中央領域が低真空に設定され、また処理室が30ミリトールから400ミリトールの高真空に設定されることを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
- 処理すべきウエブ基板がメタル層であることを特徴とする請求項1記載のエッチング装置。
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