JP2007186775A - 成膜方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板1をチャンバ2に通すと共に、各差動排気ポンプ及び排気用ポンプを駆動し、各小室4、処理室6及び成膜室7内を所定の真空度に減圧し、フレキシブル基板1を連続走行させながら表面処理器9及び各成膜部10を作動させる。これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。
【選択図】図1
【解決手段】フレキシブル基板1をチャンバ2に通すと共に、各差動排気ポンプ及び排気用ポンプを駆動し、各小室4、処理室6及び成膜室7内を所定の真空度に減圧し、フレキシブル基板1を連続走行させながら表面処理器9及び各成膜部10を作動させる。これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は膜をガスフロースパッタリング法により成膜する方法及び装置に関する。
ディスプレー装置の反射防止膜などの膜は、プレーナー型マグネトロンスパッタ法等の通常のスパッタ法により形成されている。
なお、本発明で採用するガスフロースパッタリング法自体は公知の成膜手法であり、本出願人は先に、ガスフロースパッタリング法を、固体高分子型燃料電池用電極の触媒層や、色素増感型太陽電池用半導体電極層の形成に応用する技術を提案している(特許文献1〜3)。
図3(a)は、従来のガスフロースパッタ装置の概略的な構成を示す模式図であり、図3(b)は、図3(a)のターゲット及びバックプレート構成を示す斜視図である。
ガスフロースパッタ装置では、スパッタガス導入口11からチャンバー20内にアルゴン等の希ガス等を導入し、DC電源等の電源12に接続されたアノード13及びカソードとなるターゲット15間での放電で発生したプラズマによりターゲット15をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基板16まで輸送し堆積させる。14はバッキングプレートである。なお、図示例において、基板16は、ホルダー17に支持されており、基板16の近傍には、反応性ガスの導入口18が配置されており、反応性スパッタリングを行うことが可能である。
特願2004−319592号
特願2004−319548号
特願2004−319598号
従来、光学薄膜等の成膜に用いられている通常のスパッタ法は、均一成膜が可能である反面、成膜速度が遅く、真空チャンバー内を高真空状態に排気するために大掛かりな排気装置が不可欠であるため、高額な設備を必要とするという欠点がある。
また、通常のスパッタ法では、ターゲットの下部に磁石を設けるため、Niのような強磁性体がターゲットの場合、薄いターゲットしか用いることができず、ターゲットに制約を受けるという不具合もあった。
従来のガスフロースパッタリング法では、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく膜を成膜することはできなかった。
本発明は、ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供することを目的とする。
請求項1の成膜方法は、フレキシブル基板上に、ガスフロースパッタリング法によって膜を成膜する成膜方法において、フレキシブル基板を大気雰囲気から徐々に減圧されていく差動排気付チャンバ内に、一方向に連続的に通過させ、該チャンバ内の途中に、該フレキシブル基板に対峙してガスフロースパッタリング法による成膜部を配置しておき、該成膜部からスパッタ粒子を発生させてフィルム上に膜を成膜し、その後徐々に雰囲気圧力が増大する差動排気付チャンバ内を通過して、大気雰囲気に基材が搬送されることを特徴とするものである。
請求項2の成膜方法は、請求項1において、該成膜部の前段側においてフレキシブル基板の表面処理を行うことを特徴とするものである。
請求項3の成膜方法は、請求項1又は2において、該成膜部がフレキシブル基板の走行方向に複数個配置されていることを特徴とするものである。
請求項4の成膜方法は、請求項3において、少なくとも一部の成膜部のターゲットが他の成膜部のターゲットと異なることを特徴とするものである。
請求項5の成膜方法は、請求項1ないし4のいずれか1項において、該フレキシブル基板が高分子フィルムであることを特徴とするものである。
請求項6の成膜方法は、請求項1ないし4のいずれか1項において、該フレキシブル基板が金属箔であることを特徴とするものである。
請求項7の成膜方法は、請求項1ないし4のいずれか1項において、該フレキシブル基板が織布、不織布又は紙であることを特徴とするものである。
請求項8の成膜装置は、一方向に延在し、フレキシブル基板が長手方向の一端側から内部に導入され、他端側から送り出されるチャンバと、該チャンバの該一端側に設けられた導入側シール機構と、該チャンバの該他端側に設けられた送出側シール機構と、該導入側シール機構と送出側シール機構との間に配置された、ガスフロースパッタリング法によるスパッタ粒子の成膜部と、を備えてなるものである。
請求項9の成膜装置は、請求項8において、前記シール機構が差動排気シールであることを特徴とするものである。
請求項10の成膜装置は、請求項9において、該差動排気シールが多段に配置されていることを特徴とするものである。
請求項11の成膜装置は、請求項8ないし10のいずれか1項において、前記成膜部が多段に設けられていることを特徴とするものである。
請求項12の成膜装置は、請求項11において、少なくとも一部の成膜部のターゲットが他の成膜部のターゲットと異なることを特徴とするものである。
請求項13の成膜装置は、請求項11又は12において、成膜部と導入側シール機構との間にフレキシブル基板の表面処理部が設けられていることを特徴とするものである。
請求項14の成膜装置は、請求項8ないし13のいずれか1項において、該フレキシブル基板が高分子フィルムであることを特徴とするものである。
請求項15の成膜装置は、請求項8ないし13のいずれか1項において、該フレキシブル基板が金属箔であることを特徴とするものである。
請求項16の成膜装置は、請求項8ないし13のいずれか1項において、該フレキシブル基板が織布、不織布又は紙であることを特徴とするものである。
なお、高分子フィルムとしてはPET、PEN、PES、TAC、PCなど様々なものが例示され、金属箔としてはSUSフォイル、銅フォイル、アルミフォイルなどが例示されるが、、特に限定されるものではない。
ガスフロースパッタリング法は、比較的高い圧力下でスパッタリングを行い、スパッタ粒子をガスの強制流により成膜対象基板まで輸送して堆積させる方法である。このガスフロースパッタリング法は、高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタ法のような大掛かりな排気装置を用いることなく、メカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って、安価な設備で実施できる。しかも、ガスフロースパッタリング法は、通常のスパッタ法の10〜1000倍の高速成膜が可能である。従って、本発明によれば、ガスフロースパッタリング法を採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮により、金属薄膜、金属化合物薄膜あるいはそれらの多層膜を安価に製造することが可能となる。
また、ターゲット下部に磁石を設けるものではないため、Niのような強磁性体をターゲットとする場合でも、その厚さに制約を受けることがない。
本発明によれば、フレキシブル基板を連続的に走行させながら成膜処理することにより、フレキシブル基板の表面に均一に成膜することができる。
本ガスフロー法は最適成膜条件を設定することで、従来法のように高真空に排気する必要がない。そのため、従来法でも本方式で大気中からシール機構を通じて徐々に真空排気する方法は考案されていたが、排気ポンプも大型のものが必要で高真空を得るために、差動排気の段数も多段設ける必要があった。
本方式は成膜圧力が数十Paであり、多量のガスを導入するため、高真空排気が必要ないため、機械的な排気ポンプ(メカニカルブースターポンプ)のみの排気で構わない。シール機構も、対面するロールでシールする方式、狭いギャップを設けるなどの方法が用いることができる。
従って本発明のガスフロースパッタリング装置では差動排気の数も少なく、チャンバーサイズを小さくすることができ経済的である。また、ガスフロースパッタの高圧下でのスパッタにより、従来のロードロック室のような圧力調整ゾーンが不必要であり、完全に基板が連続搬送される装置となり、スループットが向上する。
本装置では金属多層膜を連続的に成膜することは容易にできるが、隣り合う成膜部同士を仕切り板で区画し、それぞれの成膜部に個別に排気ポンプを設置することにより、金属化合物(酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物など)の多層膜、金属薄膜/金属化合物膜との積層も可能となる。
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1を参照して、本発明の実施の形態に係るガスフロースパッタリング法による成膜装置及び方法について説明する。
図1は成膜装置の縦断面図である。
フレキシブル基板(この実施の形態ではフィルム)1がチャンバ2の一端側から導入され、その内部を長手方向に走行され、他端側から送り出される。なお、この実施の形態では、フレキシブル基板1の表面にハードコート層が形成されている。
このチャンバ2の導入側及び送出側には、それぞれシール機構として、フレキシブル基板1を挟持可能な1対のローラ3aを有した真空シール機構3がフレキシブル基板1の走行方向に間隔をおいて多段に設けられている。各シール機構3の間は小室4となっており、各排気口4aが差動排気用ポンプ(図示略)に接続されている。
導入側のシール機構と送出側のシール機構との間にスリット状のギャップ5aを有した仕切板5が複数個、板面をフレキシブル基板1の走行方向と直交方向として配設されている。最も上流側の仕切板5と導入側シール機構3との間の小室4の排気口4aも差動排気用ポンプ(図示略)に接続されている。最上流の仕切板5と、それに隣接する2番目の仕切板5との間が表面処理室6となっており、それよりも下流側の各仕切板5同士の間は成膜室7となっている。図では2個の成膜室7が示されているが、1又は3個以上の成膜室が配置されてもよい。
各室6,7は、それぞれ開口6a,7aを介して排気用ポンプ(図示略)に接続されている。
最下流の仕切板5と送出側シール機構3との小室8の排気口8aは差動排気用ポンプ(図示略)に接続されている。
表面処理室6には、プラズマ発生器などの表面処理器9が設けられ、該表面処理室6内を通過するフレキシブル基板1の表面を清浄化処理するよう構成されている。
該成膜室7に、それぞれ成膜部10が設けられている。この成膜部10の構成は、前記図3と同一(ただし、図3から基板16及びホルダー17を取り除いたもの)である。なお、この実施の形態では成膜部10は各成膜室7に1個ずつ設けられているが、2個又は3個以上設けられてもよい。
このように構成された成膜装置を用いて成膜を行うには、フレキシブル基板1をチャンバ2に通すと共に、各差動排気ポンプ及び排気用ポンプを駆動し、各小室4、処理室6及び成膜室7内を所定の真空度に減圧し、フレキシブル基板1を連続走行させながら表面処理器9及び各成膜部10を作動させる。これにより、フレキシブル基板の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。
なお、各成膜部10のターゲットは同一であっても異なっていてもよい。第1層と第3層をTiO2とし、第2層と第4層をSiO2とした反射防止膜を成膜する場合、4個の成膜室7を設置し、第1番目と第3番目の成膜室7の成膜部のターゲットをTiとし、第2番目と第4番目の成膜室7の成膜部のターゲットをSiとする。
合成樹脂フィルムの表面に第1層TiO2(厚さ約15nm)、第2層SiO2(厚さ約30nm)、第3層TiO2(厚さ約120nm)、第4層SiO2(厚さ約90nm)の4層膜よりなる反射防止膜を形成する場合、TiO2膜形成用のターゲットとしてTiを用い、SiO2膜形成用のターゲットとしてSiを用い、次のような条件で成膜することができる。
フィルム走行速度:1.25m/sec
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力:1〜25W/cm2
強制流 ガス種:アルゴン
流量:0.5〜30SLM
反応性ガス ガス種:酸素
流量:5〜120sccm
基板温度:室温
フィルム走行速度:1.25m/sec
スパッタ圧力:10〜100Pa
スパッタ電力:1〜25W/cm2
強制流 ガス種:アルゴン
流量:0.5〜30SLM
反応性ガス ガス種:酸素
流量:5〜120sccm
基板温度:室温
上記装置でガスフロースパッタリングすることにより、30〜150nm・m/minの動的成膜速度の高速成膜を行うことができる。
なお、図1の装置においてはシール機構3がローラを採用しているが、図2のシール機構3’のように、スリット状のギャップ3bを有したものを用いてもよい。図2のその他の構成は図1と同一であり、同一符号は同一部分を示している。
1 フレキシブル基板
2 チャンバ
3,3’ シール機構
9 表面処理器
10 成膜部
12 DC電源
13 アノード
14 バッキングプレート
15 ターゲット
16 基板
20 チャンバー
2 チャンバ
3,3’ シール機構
9 表面処理器
10 成膜部
12 DC電源
13 アノード
14 バッキングプレート
15 ターゲット
16 基板
20 チャンバー
Claims (16)
- フレキシブル基板上に、ガスフロースパッタリング法によって膜を成膜する成膜方法において、
フレキシブル基板を大気雰囲気から徐々に減圧されていく差動排気付チャンバ内に、一方向に連続的に通過させ、該チャンバ内の途中に、該フレキシブル基板に対峙してガスフロースパッタリング法による成膜部を配置しておき、該成膜部からスパッタ粒子を発生させてフィルム上に膜を成膜し、その後徐々に雰囲気圧力が増大する差動排気付チャンバ内を通過して、大気雰囲気に基材が搬送されることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1において、該成膜部の前段側においてフレキシブル基板の表面処理を行うことを特徴とする成膜方法。
- 請求項1又は2において、該成膜部がフレキシブル基板の走行方向に複数個配置されていることを特徴とする成膜方法。
- 請求項3において、少なくとも一部の成膜部のターゲットが他の成膜部のターゲットと異なることを特徴とする成膜方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、該フレキシブル基板が高分子フィルムであることを特徴とする成膜方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、該フレキシブル基板が金属箔であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、該フレキシブル基板が織布、不織布又は紙であることを特徴とする成膜方法。
- 一方向に延在し、フレキシブル基板が長手方向の一端側から内部に導入され、他端側から送り出されるチャンバと、
該チャンバの該一端側に設けられた導入側シール機構と、
該チャンバの該他端側に設けられた送出側シール機構と、
該導入側シール機構と送出側シール機構との間に配置された、ガスフロースパッタリング法によるスパッタ粒子の成膜部と、
を備えてなる成膜装置。 - 請求項8において、前記シール機構が差動排気シールであることを特徴とする成膜装置。
- 請求項9において、該差動排気シールが多段に配置されていることを特徴とする成膜装置。
- 請求項8ないし10のいずれか1項において、前記成膜部が多段に設けられていることを特徴とする成膜装置。
- 請求項11において、少なくとも一部の成膜部のターゲットが他の成膜部のターゲットと異なることを特徴とする成膜装置。
- 請求項11又は12において、成膜部と導入側シール機構との間にフレキシブル基板の表面処理部が設けられていることを特徴とする成膜装置。
- 請求項8ないし13のいずれか1項において、該フレキシブル基板が高分子フィルムであることを特徴とする成膜方法。
- 請求項8ないし13のいずれか1項において、該フレキシブル基板が金属箔であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項8ないし13のいずれか1項において、該フレキシブル基板が織布、不織布又は紙であることを特徴とする成膜方法。
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