JP2002338516A - 2−ハロゲン化安息香酸類の製造方法 - Google Patents
2−ハロゲン化安息香酸類の製造方法Info
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Abstract
供。 【解決手段】 式(II)の安息香酸類とハロゲン化剤とを
Pd触媒の存在下の反応させることを特徴とする式(I)
の2−ハロゲン化安息香酸類の製造方法。 【化1】 (式中、Aは−OH、−OM(式中、Mはアルカリ金
属)、−N(R6 )R7(式中、R6 、R7 はH、 C1-C
6アルキル、(置換)フェニル等)、RはH、 C 1-C6ア
ルキル、 C1-C6アルキルカルボニル、カルボキシル、C1
-C12アルコキシカルボニル、(置換)フェニルカルボニ
ル等、nは0〜4、XはCl、Br、I。又、(R)n
はベンゼン環上の隣接するC上に置換して C3-C4アルキ
レン、 C3-C4アルケニレンからなる縮合環を形成するこ
ともできる。)
Description
原料として有用な2−ハロゲン化安息香酸類の製造方法
に関するものである。
農薬の重要な製造原料であり、従来、2−アミノ安息香
酸類からのザンドマイヤー反応による製造方法(.
J.Am.Chem.Soc.,1923,51,19
71)、アルキルリチウム類を用いた安息香酸類のリチ
オ化反応を利用する製造方法(.J.Org.Che
m.,1989,54,4372)、ヨウ素−発煙硫酸
を用いる製造方法(.Org.Synth.,III ,
796,(1955))又はタリウム(III) トリフルオ
ロ酢酸を用いる製造方法(.J.Am.Chem.S
oc.,2176(1970))等が知られている。
又、パラジウム触媒を用いてベンゼン環にハロゲンを導
入する方法も知られているが、基質が窒素原子等のヘテ
ロ原子が直接ベンゼン環に置換した官能基が必要であっ
たり(.J.Chem.Soc.Commun.,1
970,417)、ベンジル位にヘテロ原子の置換した
官能基が必要であり(.J.Organometa
l.Chem.,262,C11(1984))、その
大部分はパラジウムを化学量論量必要としている。パラ
ジウムを触媒量使用している例においても触媒量として
は、基質に対して5〜20%程度のレベルにとどまって
いる。安息香酸類を基質としてパラジウム触媒を用いて
ベンゼン環に炭素置換基を導入する方法も知られている
が(.J.Org.Chem.,1998,63,5
211)、ハロゲン化の報告例は無く、触媒サイクルを
成立させるには銅塩及び酸素を組み合わせる必要があ
る。
発の危険性を伴ったり、多量の酸性廃液を生じ、の方
法では0℃以下の低温を必要とし、の方法は多量の硫
酸廃液を生じ、位置選択性も不充分であり、の方法は
毒性の強い金属を原料に対して当量以上必要とし、及
びの方法は安息香酸類には適用できないか、又は高価
なパラジウム触媒を多量に必要とし、の方法は触媒的
ハロゲン化には適用できない。従来法ではコスト、危険
性、廃液等の問題から工業化に課題があったり、安息香
酸の特定の位置にハロゲン化を実現できないものであっ
た。本発明は触媒量の金属を使用し、温和な条件下で進
行する位置選択的なハロゲン化反応の確立を課題とする
ものである。
を解決するために鋭意検討した結果、一般式(II)で表さ
れる安息香酸類とハロゲン化剤とを触媒量のパラジウム
触媒の存在下、適当な不活性溶媒の存在下又は不存在下
に反応させることにより、位置選択的なハロゲン化を達
成し、本発明を完成するに至った。
原子を示す。)又は−N(R6 )R7 (式中、R6 及び
R7 は同一又は異なっても良く、水素原子、 C 1-C6アル
キル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-
C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アルキル基、ハロ C1-C6ア
ルコキシ基、 C1-C6アルキルスルフィニル基又は C1-C6
アルキルスルホニル基から選択される一以上の置換基を
有するフェニル基、
も良く、水素原子又はC1-C6アルキル基を示し、R5 は
C1-C6アルキル基を示し、mは0乃至1の整数を示し、
kは1乃至2の整数を示す。)、
く、水素原子又は C1-C6アルキル基を示す。)又は
又は異なっても良く、水素原子又は C1-C6アルキル基を
示す。)を示す。) を示す。Rは同一又は異なっても良
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C
1-C6アルキル基、 C1-C6アルキルカルボニル基、カルボ
キシル基、C1-C12アルコキシカルボニル基、フェニルカ
ルボニル基, 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコ
キシ基、ハロC1-C6アルキル基又はハロ C1-C6アルコキ
シ基から選択される一以上の置換基を有する置換フェニ
ルカルボニル基、ベンジルカルボニル基、
シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコ
キシ基、ハロ C1-C6アルキル基又はハロ C1-C6アルコキ
シ基から選択される一以上の置換基を環上に有する置換
ベンジルカルボニル基、−CON(R17)R18(式中、
R17及びR18は同一又は異なっても良く、水素原子、 C
1-C6アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良
く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキ
ル基、 C1-C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アルキル基又は
ハロ C1-C6アルコキシ基から選択される一以上の置換基
を有する置換フェニル基、ピリジル基、同一又は異なっ
ても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、 C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ基、ハロ C1-
C6アルキル基又はハロ C1-C6アルコキシ基から選択され
る一以上の置換基を有する置換ピリジル基、ベンジル基
又は同一若しくは異なっても良く、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ
基、ハロ C1-C6アルキル基又はハロ C1-C6アルコキシ基
から選択される一以上の置換基を環上に有する置換ベン
ジル基を示し、lは1乃至2の整数を示す。)、フェニ
ル基、
シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、ハロ C1-C6ア
ルキル基、 C1-C6アルコキシ基又はハロ C1-C6アルコキ
シ基から選択される一以上の置換基を有する置換フェニ
ル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、ハロ
C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ基又はハロ C1-C6
アルコキシ基から選択される一以上の置換基を有する置
換フェノキシ基、ヘテロアリールオキシ基又は同一若し
くは異なっても良く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、 C1-C6アルキル基、ハロ C1-C6アルキル基、 C1-C6
アルコキシ基又はハロ C1-C6アルコキシ基から選択され
る一以上の置換基を有する置換ヘテロアリールオキシ基
を示し、nは0〜4の整数を示す。(R)nはベンゼン
環上の隣接する炭素原子上に置換して C3-C4アルキレン
基又は C3-C4アルケニレン基からなる縮合環を形成する
こともできる。又、該アルキレン又はアルケニレン鎖上
に同一又は異なっても良く、1以上の置換基R(Rは前
記に同じ。)を有することもできる。)で表される安息
香酸類とハロゲン化剤とをパラジウム触媒の存在下に反
応することを特徴とする一般式(I):
し、A、R及びnは前記に同じ。)で表される2−ハロ
ゲン化安息香酸類の製造方法に関するものである。
ハロゲン化安息香酸類の定義において、「ハロゲン原
子」とは塩素原子、臭素原子、沃素原子又はフッ素原子
を示し、「 C 1-C6アルキル」とは、例えばメチル、エチ
ル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブ
チル、s−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、n−ヘ
キシル等の直鎖又は分枝状の炭素原子数1〜6個のアル
キル基を示し、「ハロ C1-C6アルキル」とは、同一又は
異なっても良い1以上のハロゲン原子により置換された
直鎖又は分枝状の炭素原子数1〜6個のアルキル基を示
し、「 C3-C4アルキレン」はプロピレン、トリメチレ
ン、メチルプロピレン、テトラメチレン等の直鎖又は分
枝状の炭素原子数3〜4個のアルキレン基を示し、「 C
3-C4アルケニレン」とは、直鎖又は分枝状の分子中に二
重結合を有する炭素原子数3〜4個のアルケニレン基を
示す。
ウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属原子を示
す。「ヘテロアリールオキシ基」とは、窒素原子を1〜
3個環上に有する6員複素環リールオキシ基を示し、例
えば2−ピリジルオキシ基、3−ピリジルオキシ基、4
−ピリジルオキシ基、3−ピリダジニルオキシ基、4−
ピリダジニルオキシ基、2−ピリミジニルオキシ基、4
−ピリミジニルオキシ基、5−ピリミジニルオキシ基、
2−ピラジニルオキシ基、2−トリアジニルオキシ基等
を例示することができる。
方法を図式的に示すと、以下の通り示される。
パラジウム触媒の存在下、一般式(II)で表される安息香
酸類を適当な不活性溶媒の存在下又は不存在下に、種々
のハロゲン化剤と反応させることにより製造することが
できる。パラジウム触媒としては、例えば酢酸パラジウ
ム、塩化パラジウム、硝酸パラジウム等の2価のパラジ
ウム及びそれらとの配位子として、例えばアセトニトリ
ル、トリフェニルフォスフィン、ベンゾニトリル等の配
位したパラジウム錯体を用いることができ、これらのパ
ラジウム触媒は単独で使用しても二種以上を混合して使
用しても良い。
表される安息香酸類に対して触媒量で良く、通常1/1
00000当量〜1/2当量程度を用いることができ、
好ましくは1/100000当量〜1/10当量程度を
用いることができ、より好ましくは1/10000当量
〜1/100当量程度を用いることができる。本反応で
用いるハロゲン化剤としては、I2 、Cl2 、Br2 、
ICl等の分子状ハロゲン、N−クロロコハク酸イミ
ド、N−ヨードコハク酸イミド、1,3−ジヨードヒダ
ントイン、1,3−ジヨード−5,5−ジメチルヒダン
トイン等の周期律表15族の元素と結合したハロゲン原
子を有する化合物を使用することができる。ハロゲン化
剤の使用量は一般式(II)で表される安息香酸類に対して
1/2当量から過剰量を使用することができるが、好ま
しくは1当量程度〜3当量程度、 より好ましくは1当量
程度〜1.5当量程度である。
反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、特に
制限はないが、酢酸等の有機酸系溶媒、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン(THF)、ジエチルエーテル等のエ
ーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメ
チルアセトアミド(DMA)、N−メチルピロリドン等
のアミド系溶媒、トルエン等の芳香族系溶媒、酢酸エチ
ル等のエステル系溶媒、メチルエチルケトン等のケトン
系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化
炭化水素系溶媒、水等が使用できる。これらの溶媒は単
独で又は二種以上を混合して使用することもできる。
範囲で実施することができるが、好ましくは約40℃〜
約200℃、より好ましくは約50℃〜約120℃の間
である。本反応においては、必要に応じて乾燥剤、溶解
助剤、補助触媒、配位化合物、金属塩類等を用いること
もでき、例えば酢酸ナトリウム、酢酸銅、ベンゾニトリ
ル、トリフェニルフォスフィン、過ヨウ素酸、モレキュ
ラーシーブス等の添加剤を使用することができる。
発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。 実施例1.50mlガラス製反応器に酢酸パラジウム5
0mgを加え、次にo−トルイル酸0.3gとN−ヨー
ドコハク酸イミド0.5g及びDMF11mlを加え
た。その後、100℃で6時間加熱攪拌した。反応終了
後、反応液を室温まで冷却し、次いで水中に注ぎ込み、
目的物を酢酸エチルで抽出した。抽出液を分液後、有機
層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄し
た。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下で留
去することにより粗生成物を得た。得られた粗生成物の
一部を重DMSOに溶解し、400MHz−NMRで測
定した結果、原料は全て消費されており、その反応率は
100%であった。又、目的の2−ヨード−6−メチル
安息香酸の純度は92%であった。2位へのヨウ素化の
位置選択性は100%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値):2.27(3H.s), 7.03(1H.
t), 7.26(1H.d),7.65(1H.d), 11.8(1H.s).
パラジウム50mgを加え、次にo−トルイル酸0.3
g、ICl 0.36g、酢酸ナトリウム0.36g、
酢酸1ml及びDMF11mlを加えた。その後60℃
で4時間加熱攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、
実施例1と同様の操作をすることにより粗生成物を得
た。実施例1と同様に400MHz−NMRで分析した
結果、目的の2−ヨード−6−メチル安息香酸の生成率
は50%であった。2位へのヨウ素化の位置選択性は1
00%であった。
PdCl4 0.07g、o−トルイル酸ナトリウム0.
35g、ICl 0.36g、水6ml及びジオキサン
6mlを加え、100℃で6時間、加熱攪拌した。反応
終了後、反応液を室温まで冷却し、次いで水中に注ぎ込
んだ後、希塩酸で反応液を酸性にし、酢酸エチルで目的
物を抽出し、分液後有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶
液、食塩水で順次洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を減圧下で留去することにより粗生成物を得
た。実施例1と同様に400MHz−NMRで分析した
結果、目的の2−ヨード−6−メチル安息香酸の生成率
は40%であった。2位へのヨウ素化の位置選択性は1
00%であった。
パラジウム5mg、フタル酸モノn−ブチル0.5g、
N−ヨードコハク酸イミド0.51g及びDMF11m
lを加え、100℃で6時間、加熱攪拌した。反応終了
後、反応液を室温まで冷却し、 実施例1と同様の操作を
することにより粗生成物を得た。実施例1と同様に40
0MHz−NMRで分析した結果、目的の6−ヨードフ
タル酸モノブチルの生成率は45%であった。ヨウ素化
の6位への位置選択性は100%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値):0.88(3H.t), 1.35(2H.
q), 1.62(2H.q),4.18(2H.q), 7.24(1H.t), 7.90(1H.d),
8.05(1H.d), 10.70(1H.s),12.51(1H.s).
パラジウム50mg、o−トルイル酸0.3g、ヨウ素
0.28g、過ヨウ素酸0.13g、酢酸10ml及び
水1mlを加え、70℃で4時間、加熱攪拌した。反応
終了後、反応液を冷却し、水中に注ぎ込み、目的物を酢
酸エチルで抽出した。分液後有機層をチオ硫酸ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去することによ
り目的物の粗生成物を得た。実施例1と同様に400M
Hz−NMRで分析した結果、目的の2−ヨード−6−
メチル安息香酸の生成率は50%であった。2位へのヨ
ウ素化の位置選択性は100%であった。
パラジウム50mgとo−トルイル酸0.3g、酢酸ナ
トリウム3g、ICl0.36g及び酢酸11mlを加
え、100℃で10時間、加熱攪拌した。反応終了後、
酢酸を減圧下で留去し、残渣を酢酸エチルで抽出した。
有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次
洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
減圧下で留去することにより目的物の粗生成物を得た。
実施例1と同様に400MHz−NMRで分析した結
果、目的の2−ヨード−6−メチル安息香酸の生成率は
60%であった。2位へのヨウ素化の位置選択性は10
0%であった。
パラジウム82mg、o−トルイル酸0.5g、N−ク
ロロコハク酸イミド0.49gg及びDMF18mlを
加え、100℃で5時間、加熱攪拌した。反応終了後、
反応液を冷却し、水中に注ぎ込み、目的物を酢酸エチル
で抽出した。分液後、有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去することにより目的
物の粗生成物を得た。実施例1と同様に400MHz−
NMRで分析した結果、目的の2−クロロ−6−メチル
安息香酸の生成率は83%であった。2位への塩素化の
位置選択性は100%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値): 2.43(3H.s), 7.13(1H.
m), 7.24(2H.m),9.15(1H.s).
パラジウム17mg、1−3−ジヨード−5,5−ジメ
チルヒダントイン154mg、2−(1,1−ジメチル
−2−メチルチオエチルアミノカルボニル) −4’−ヘ
プタフルオロイソプロピル−2’−メチルベンズアニリ
ド0.4g及びTHF15mlを加え70℃で2.5時
間、加熱攪拌した。反応終了後、反応液を冷却し、次い
で水中に注ぎ込み、目的物を酢酸エチルで抽出した。分
液後、有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水
で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒を減圧下で留去することにより目的物の粗生成物を
得た。実施例1と同様に400MHz−NMRで分析し
た結果、目的の2−(1,1−ジメチル−2−メチルチ
オエチルアミノカルボニル) −3−ヨード−4’−ヘプ
タフルオロイソプロピル−2’−メチルベンズアニリド
の生成率は88%であった。ヨウ素化の3位への位置選
択性は100%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値):1.42(6H.s), 1.90(3H.
s), 2.39(3H.s),2.82(2H.s), 6.10(1H.s), 7.21(1H.t),
7.40(1H.s), 7.45(1H.d),7.77(1H.d), 7.98(1H.d), 8.
43(1H.d), 8.56(1H.s).
パラジウム10mgとN−クロロコハク酸イミド0.2
7g、2−( 4−フルオロフェニルカルボニル) 安息香
酸0.5g及びびDMF20mlを加え70℃で3時
間、加熱撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却
し、次いで水中に注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。有
機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗
浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減
圧下で留去することにより目的物の粗生成物を得た。実
施例1と同様に400MHz−NMRで分析した結果、
目的の2−クロロ−6−( 4−フルオロフェニルカルボ
ニル) 安息香酸の生成率は80%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値):7.09(1H.t), 7.38(1H.
d), 7.50(1H.t),7.59(1H.m), 7.75(1H.m), 8.09(1H.d),
10.72(1H.s). 塩素化の2位への位置選択性は100%であった。
酸パラジウム23mg、N−ヨードコハク酸イミド0.
23g、2−(3−(1,1−ジメチル−2−メチルチ
オエチルアミノカルボニル)−4’−ヘプタフルオロイ
ソプロピル−2’−メチル)ナフトアニリド0.57g
及びDMF20mlを加え70℃で2時間、加熱撹拌し
た。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、次いで水中
に注ぎ込み、酢酸エチルで目的物を抽出した。有機層を
チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で
留去し粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/n−ヘキサン
=1/8)で精製し、1−ヨード−2−(1,1−ジメ
チル−2−メチルチオエチルアミノカルボニル) −4’
−ヘプタフルオロイソプロピル−2’−メチル−3−ナ
フトアニリド0.57g(収率70%、融点228〜2
30℃)を得た。1位へのヨウ素化の位置選択性は10
0%であった。
酸パラジウム14mg、N−ヨードコハク酸イミド0.
23g、2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチ
ルアミノカルボニル) −4−クロロ−4' −ヘプタフル
オロイソプロピル−2' −メチルベンズアニリド0.3
4g及びDMF10mlを加え70℃で2時間、加熱撹
拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、次いで
水中に注ぎ込み、目的物を酢酸エチルで抽出した。有機
層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄
した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧
下で留去することにより粗生成物を得た。得られた粗生
成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチ
ル/n−ヘキサン=1/8)で精製し、2−(1,1−
ジメチル−2−メチルチオエチルアミノカルボニル) −
3−ヨード−4−クロロ−4' −ヘプタフルオロイソプ
ロピル−2' −メチルベンズアニリド0.32g(収率
78%、融点225℃)を得た。3位へのヨウ素化の位
置選択性は100%であった。
酸パラジウム2mg、1,3−ジヨード−5,5−ジメ
チルヒダントイン1.72g、2−(1,1−ジメチル
−2−メチルスルフィニルエチルアミノカルボニル) −
4’−ヘプタフルオロイソプロピル−2’−メチルベン
ズアニリド4.8g及びTHF90mlを加えて70℃
で5時間、加熱撹拌した。反応終了後、反応液を室温ま
で冷却し、次いで水中に注ぎ込み、目的物を酢酸エチル
で抽出した。有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和
食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を減圧下で留去することにより粗生成物を得
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(酢酸エチル/n−ヘキサン=1/3)で精製
し、3−ヨード−2−(1,1−ジメチル‐2−メチル
スルフィニルエチルアミノカルボニル) −4’−ヘプタ
フルオロイソプロピル−2’−メチルベンズアニリド
5.5g(収率92%)を得た。3位へのヨウ素化の位
置選択性は100%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値):1.60(6H.d), 2.21(3H.
s), 2.38(3H.s),2.85(1H.d), 3.10(1H.d), 6.68(1H.s),
7.22(1H.t), 7.42(1H.s),7.48(1H.d), 7.78(1H.d), 8.
00(1H.d), 8.43(1H.d), 8.45(1H.s).
酸パラジウム1.5mg、1,3−ジヨード−5,5−
ジメチルヒダントイン0.83g、2−(1,1−ジメ
チル−2−メチルスルフィニルエチルアミノカルボニ
ル) 安息香酸メチル1.0g及びN−メチルピロリドン
5mlを加え90℃で2時間、加熱撹拌した。反応終了
後、反応液を室温まで冷却し、次いで水中に注ぎ込み、
目的物を酢酸エチルで抽出した。有機層をチオ硫酸ナト
リウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下で留去するによ
り粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(酢酸エチル/N−ヘキサン=1
/3)で精製し、3−ヨード−2−(1,1−ジメチル
‐2−メチルスルフィニルエチルアミノカルボニル) 安
息香酸メチル1.27g(収率89.1%、融点15
0.7〜151.8℃)を得た。3位へのヨウ素化の位
置選択性は100%であった。
酸パラジウム5mgを加え、次にo−トルイル酸0.3
gとN−ヨードコハク酸イミド0.5g及びDMF11
mlを加えた。その後、100℃で6時間、加熱攪拌し
た。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、次いで水中
に注ぎ込み、目的物を酢酸エチルで抽出した。分液後、
有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、食塩水で順次洗浄
した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下で
留去することにより粗生成物を得た。この粗生成物の一
部を重DMSOに溶解し400MHz−NMRで測定し
た結果、目的の2−ヨード−6−メチル安息香酸の生成
率は79%であった。2位へのヨウ素化の位置選択性は
100%であった。
酢酸パラジウム0.10g、2−メチル−2’−メチル
スルフィニルベンズアニリド0.40g、1,3−ジヨ
ード−5,5−ジメチルヒダントイン0.33g及び
N,N−ジメチルアセトアミド5mlを加え、90℃で
2時間攪拌した。放冷後、反応液をセライト濾過し、濾
液を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液に注ぎ、酢酸エチル
で抽出した。有機層を0.1N−塩酸水で洗浄後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。得
られた濃縮物をシリカゲルドライカラムクロマトグラフ
ィー(ヘキサン/酢酸エチル=1/2)で精製すること
により、2−ヨード−6−メチル−2’−メチルスルフ
ィニルベンズアニリド0.43g(収率72%)を得
た。2位へのヨウ素化の位置選択性は100%であっ
た。1 H-NMR(CDCl3,ppm、δ値) :2.45(3H.s), 3.00(3H.s),
6.99(1H.dd),7.18-7.25(2H.m), 7.33(1H.dd),7.57(1H.d
d), 7.66(1H.d), 8.72(1H.d),10.62(1H.bs).
2−メチル−2’−ニトロベンズアニリドから2−ヨー
ド−6−メチル−2’−ニトロベンズアニリド(収率3
9%、融点114.8℃)を得た。2位へのヨウ素化の
位置選択性は100%であった。 実施例17.実施例15と同様の方法で、2,4−ジメ
チルベンズアニリドから2−ヨード−4,6−ジメチル
ベンズアニリド(収率17%)を得た。2位へのヨウ素
化の位置選択性は100%であった。1 H-NMR(CDCl3,ppm、δ値) :2.29(3H.s), 2.40(3H.s),
7.03(1H.s),7.18(1H.ddd), 7.28(1H.bs),7.39(2H.dd),
7.52(1H.s), 7.63(2H.dd). 実施例18.実施例15と同様の方法で、2,4−ジメ
チル−2’−メチルスルホニルベンズアニリドから2−
ヨード−4,6−ジメチル−2’−メチルスルホニルベ
ンズアニリド(収率14%)を得た。2位へのヨウ素化
の位置選択性は100%であった。1 H-NMR(CDCl3,ppm、δ値) :2.29(3H.s), 2.39(3H.s),
3.16(s),7.02(1H.ss), 7.26(1H.dd), 7.51(1H.s),7.71
(1H.ddd), 7.95(1H.dd),8.70(1H.dd), 9.56(1H.bs).
に減らした以外は実施例15と同様の方法で、2,4−
ジメチル−2’−メチルスルフィニルベンズアニリドか
ら2−ヨード−4,6−ジメチル−2’−メチルスルフ
ィニルベンズアニリド(収率36%、融点113.6
℃)を得た。2位へのヨウ素化の位置選択性は100%
であった。 実施例20.ヨウ素化剤にN−ヨードコハク酸イミドを
用いた以外は実施例19と同様の方法で、N−(1,1
−ジメチル−2−メチルチオエチル)−2−ニトロベン
ズアミドからN−(1,1−ジメチル−2−メチルチオ
エチル)−2−ヨード−6−ニトロベンズアミド(収率
43%、融点114〜115℃)を得た。2位へのヨウ
素化の位置選択性は100%であった。
2−(1,1−ジメチル−2−メチルスルフィニルエチ
ルアミノカルボニル)−N−(6−(1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−イルオキシ)−
2−メチルピリジン−3−イル)ベンズアミドから2−
(1,1−ジメチル−2−メチルスルフィニルエチルア
ミノカルボニル)−N−(6−(1,1,1,3,3,
3−ヘキサフルオロプロパン−2−イルオキシ)−2−
メチルピリジン−3−イル)−3−ヨードベンズアミド
(収率98%)を得た。3位へのヨウ素化の位置選択性
は100%であった。1 H-NMR(CDCl3,ppm、δ値) :1.61(3H.s), 1.64(3H.s),
2.36(3H.s),2.44(3H.s), 2.98(1H.d), 3.13(1H.d),6.53
(1H.m), 6.82(2H.m),7.16(1H.t), 7.73(1H.d), 7.95(1
H.d), 8.27(1H.d), 8.44(1H.s).
し、反応温度を70℃にした以外は実施例20と同様の
方法で、2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチ
ルアミノカルボニル)−4−フルオロ−4’−ヘプタフ
ルオロイソプロピル−2’−メチルベンズアニリドから
2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノ
カルボニル)−4−フルオロ−4’−ヘプタフルオロイ
ソプロピル−3−ヨード−2’−メチルベンズアニリド
(収率79%、融点218〜220℃)を得た。3位へ
のヨウ素化の位置選択性は100%であった。 実施例23.実施例22と同様の方法で、5−クロロ−
2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノ
カルボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−
2’−メチルベンズアニリドから5−クロロ−2−
(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノカル
ボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−3−ヨ
ード−2’−メチルベンズアニリド(収率80%、融点
227℃)を得た。3位へのヨウ素化の位置選択性は1
00%であった。
5−ブロモ−2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオ
エチルアミノカルボニル)−4’−ヘプタフルオロイソ
プロピル−2’−メチルベンズアニリドから5−ブロモ
−2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミ
ノカルボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−
3−ヨード−2’−メチルベンズアニリド(収率75
%、融点205〜207℃)を得た。3位へのヨウ素化
の位置選択性は100%であった。 実施例25.実施例22と同様の方法で、2−(1,1
−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノカルボニル)
−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−2’,5−ジメ
チルベンズアニリドから2−(1,1−ジメチル−2−
メチルチオエチルアミノカルボニル)−4’−ヘプタフ
ルオロイソプロピル−3−ヨード−2’5−ジメチルベ
ンズアニリド(収率48%、融点234〜235℃)を
得た。3位へのヨウ素化の位置選択性は100%であっ
た。
2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノ
カルボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−4
−メトキシ−2’−メチルベンズアニリドから2−
(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノカル
ボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−3−ヨ
ード−4−メトキシ−2’−メチルベンズアニリド(収
率84%、融点153〜155℃)を得た。3位へのヨ
ウ素化の位置選択性は100%であった。 実施例27.実施例22と同様の方法で、2−(1,1
−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノカルボニル)
−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−2’−メチル−
4−トリフルオロメトキシベンズアニリドから2−
(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノカル
ボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−3−ヨ
ード−2’−メチル−4−トリフルオロメトキシベンズ
アニリド(収率86%、融点213〜214℃)を得
た。3位へのヨウ素化の位置選択性は100%であっ
た。
3−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノ
カルボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−
2’−メチル−2−ナフタレンカルボン酸アニリドから
2−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチルアミノ
カルボニル)−4’−ヘプタフルオロイソプロピル−1
−ヨード−2’−メチル−3−ナフタレンカルボン酸ア
ニリド(収率70%、融点228〜230℃)を得た。
1位へのヨウ素化の位置選択性は100%であった。 実施例29.実施例22と同様の方法で、2’−メチル
−8−(1−メチル−2−メチルチオエチルアミノカル
ボニル)−4’−トリフルオロメトキシ−1−ナフタレ
ンカルボン酸アニリドから7−ヨード−2’−メチル−
8−(1−メチル−2−メチルチオエチルアミノカルボ
ニル)−4’−トリフルオロメトキシ−1−ナフタレン
カルボン酸アニリド(収率75%、融点176〜178
℃)を得た。1位へのヨウ素化の位置選択性は100%
であった。
2−(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)−N−
(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチル)ベンズア
ミドから2−(4−クロロ−2−メチルフェノキシ)−
N−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチル)−6
−ヨードベンズアミド(収率85%、融点128〜13
0℃)を得た。6位へのヨウ素化の位置選択性は100
%であった。 実施例31.実施例22と同様の方法で、2−(3−ク
ロロ−5−トリフルオロメチルピリジン−2−イルオキ
シ)−N−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチ
ル)ベンズアミドから2−(3−クロロ−5−トリフル
オロメチルピリジン−2−イルオキシ)−N−(1,1
−ジメチル−2−メチルチオエチル)−6−ヨードベン
ズアミド(収率81%、融点83〜85℃)を得た。6
位へのヨウ素化の位置選択性は100%であった。
2−(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イルオキ
シ)−N−(1,1−ジメチル−2−メチルチオエチ
ル)ベンズアミドから2−(4,6−ジメトキシピリミ
ジン−2−イルオキシ)−N−(1,1−ジメチル−2
−メチルチオエチル)−6−ヨードベンズアミド(収率
89%、屈折率1.5765(21.0℃))を得た。
6位へのヨウ素化の位置選択性は100%であった。 実施例33.実施例22と同様の方法で、N−(1,1
−ジメチル−2−メチルチオエチル)−2−(4−トリ
フルオロメチルフェニル)ベンズアミドからN−(1,
1−ジメチル−2−メチルチオエチル)−6−ヨード−
2−(4−トリフルオロメチルフェニル)ベンズアミド
(収率61%、融点194−196℃)を得た。6位へ
のヨウ素化の位置選択性は100%であった。 実施例34.酢酸パラジウムを3.3mgに減らした以
外は実施例22と同様の方法で、N−(1,1−ジメチ
ル−2−メチルスルフィニルエチル)−2−(4−トリ
フルオロメチルフェニル)ベンズアミドからN−(1,
1−ジメチル−2−メチルスルフィニルエチル)−6−
ヨード−2−(4−トリフルオロメチルフェニル)ベン
ズアミド(収率64%、融点155−158℃)を得
た。6位へのヨウ素化の位置選択性は100%であっ
た。
し、反応温度を90℃にした以外は実施例22と同様の
方法で、2−(1,1−ジメチル−2−(N−メトキシ
イミノ)エチルアミノカルボニル)−4’−(1,1,
2,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−1−イルオ
キシ)−2’−メチルベンズアニリドから2−(1,1
−ジメチル−2−(N−メトキシイミノ)エチルアミノ
カルボニル)−4’−(1,1,2,3,3,3−ヘキ
サフルオロプロパン−1−イルオキシ)−3−ヨード−
2’−メチルベンズアニリド(収率78%、融点188
℃)を得た。3位へのヨウ素化の位置選択性は100%
であった。 実施例36.実施例1と同様の反応容器に酢酸パラジウ
ム0.17g、2−(1,1−ジメチル−2−(N−メ
トキシイミノ)エチルアミノカルボニル)−4’−ヘプ
タフルオロイソプロピル−2’−メチルベンズアニリド
0.40g、N−ブロモコハク酸イミド0.15g及び
テトラヒドロフラン5mlを加え、還流下2時間攪拌し
た。放冷後、減圧下に溶媒を留去し、得られた濃縮物を
シリカゲルドライカラムクロマトグラフィー(ヘキサン
/酢酸エチル=1/1)で精製することにより、3−ブ
ロモ−2−(1,1−ジメチル−2−(N−メトキシイ
ミノ)エチルアミノカルボニル)−4’−ヘプタフルオ
ロイソプロピル−2’−メチルベンズアニリド0.31
g(収率67%、融点242.5℃)を得た。3位への
ヨウ素化の位置選択性は100%であった。
代えてN−クロロコハク酸イミドを用いた以外は実施例
36と同様の方法で、2−(1,1−ジメチル−2−
(N−メトキシイミノ)エチルアミノカルボニル)−
2’−メチル−4’−トリフルオロメトキシベンズアニ
リドから3−クロロ−2−(1,1−ジメチル−2−
(N−メトキシイミノ)エチルアミノカルボニル)−
2’−メチル−4’−トリフルオロメトキシベンズアニ
リド(収率63%、融点197℃)を得た。3位への塩
素化の位置選択性は100%であった。 実施例38.N−ブロモコハク酸イミドに代えてN−ヨ
ードコハク酸イミドを用い、室温で終夜反応させた以外
は実施例36と同様の方法で、2−(2−(N−メトキ
シイミノ)エチルアミノカルボニル)−2’−メチル−
4’−ペンタフルオロエチルベンズアニリドから3−ヨ
ード−2−(2−(N−メトキシイミノ)エチルアミノ
カルボニル)−2’−メチル−4’−ペンタフルオロエ
チルベンズアニリド(収率53%、融点110℃)を得
た。3位へのヨウ素化の位置選択性は100%であっ
た。
代えてN−ヨードコハク酸イミドを用いた以外は実施例
36と同様の方法で、2−(1,1−ジメチル−2−
(N−メトキシイミノ)エチルアミノカルボニル)−N
−(6−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロ
パン−2−イルオキシ)−2−メチルピリジン−3−イ
ル)ベンズアミドから2−(1,1−ジメチル−2−
(N−メトキシイミノ)エチルアミノカルボニル)−N
−(6−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロ
パン−2−イルオキシ)−2−メチルピリジン−3−イ
ル)−3−ヨードベンズアミド(収率83%、融点22
0℃)を得た。3位へのヨウ素化の位置選択性は100
%であった。 実施例40.実施例39と同様の方法で、2−(2−
(N,N−ジメチルアミノカルボニル)−1−メチルエ
チルアミノカルボニル)−2’−メチル−4’−トリフ
ルオロメトキシベンズアニリドから2−(2−(N,N
−ジメチルアミノカルボニル)−1−メチルエチルアミ
ノカルボニル)−3−ヨード−2’−メチル−4’−ト
リフルオロメトキシベンズアニリド(収率40%、融点
104℃)を得た。3位へのヨウ素化の位置選択性は1
00%であった。
酢酸パラジウム1.32g、1,3−ジヨード−5,5
−ジメチルヒダントイン0.78g、2−(1,1−ジ
メチル−2−メチルスルフィニルエチルアミノカルボニ
ル)安息香酸n−ブチル及びN,N−ジメチルアセトア
ミド5mlを加え、90℃で30分攪拌し、更に1,3
−ジヨード−5,5−ジメチルヒダントイン0.56g
を加え、90℃で3.5時間攪拌した。反応終了後、7
0℃で溶媒を減圧下に留去し、チオ硫酸ナトリウム水溶
液を加えトルエンで2回抽出した。有機層を0.5N塩
酸水、重炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次
洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
後、減圧下に溶媒を留去した。得られた粗結晶をヘキサ
ン−エーテルで洗浄することにより2−(1,1−ジメ
チル−2−メチルスルフィニルエチルアミノカルボニ
ル)−3−ヨード安息香酸n−ブチル2.26g(収率
82%、融点57.5〜66.3℃)を得た。3位への
ヨウ素化の位置選択性は100%であった。
酸パラジウム22mgと安息香酸0.12g、酢酸銅2
0mg、モレキュラーシブス4A0.4g及びDMF5
mlそしてスチレンに代えてヨウ素0.75gを加え1
00℃で8時間、加熱攪拌した。反応終了後、反応液を
冷却し、次いで水中に注ぎ込み、目的物を酢酸エチルで
抽出した。分液後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した後、溶媒を減圧下で留去することにより目的物の
粗生成物を得た。実施例1と同様に400MHz−NM
Rで分析した結果、目的の2−ヨード安息香酸の生成率
は10%であった。1 H-NMRケミカルシフト(δ値):7.35(1H.t), 7.49(1H.
t), 7.72(1H.d),7.99(1H.d), 10.32(1H.s).
献に記載の反応条件に従い、反応を実施した。酢酸パ
ラジウム5mgとo−トルイル酸0.3g、酢酸銅4.
4mg、N−ヨードコハク酸イミド0.5g及びモレキ
ュラーシブス4A0.4g、DMF11mlを加え10
0℃で6時間、加熱攪拌した。反応終了後、反応液を冷
却し、次いで水中に注ぎ込み、酢酸エチルで目的物を抽
出した。分液後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
した後、溶媒を減圧下で留去することにより粗生成物を
得た。実施例1と同様に400MHz−NMRで分析し
た結果、目的の2−ヨード安息香酸の生成は認められ
ず、10%の構造不明物と90%の原料回収であった。
比較例1及び2に示した通り、文献記載の方法ではヨ
ウ素化(ハロゲン化)は全く進行しないか又は極めて低
収率であり、本発明がハロゲン化の方法として明らかに
優れている。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式(II): 【化1】 (式中、Aは−OH、−OM(式中、Mはアルカリ金属
原子を示す。)又は−N(R6 )R7 (式中、R6 及び
R7 は同一又は異なっても良く、水素原子、 C 1-C6アル
キル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-
C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アルキル基、ハロ C1-C6ア
ルコキシ基、 C1-C6アルキルスルフィニル基又は C1-C6
アルキルスルホニル基から選択される一以上の置換基を
有するフェニル基、 【化2】 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は同一又は異なって
も良く、水素原子又はC1-C6アルキル基を示し、R5 は
C1-C6アルキル基を示し、mは0乃至1の整数を示し、
kは1乃至2の整数を示す。)、 【化3】 (式中、R8 、R9 及びR10は同一又は異なっても良
く、水素原子又は C1-C6アルキル基を示す。)又は 【化4】 (式中、R11、R12、R13、R14、R15及びR16は同一
又は異なっても良く、水素原子又は C1-C6アルキル基を
示す。)を示す。) を示す。Rは同一又は異なっても良
く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C
1-C6アルキル基、 C1-C6アルキルカルボニル基、カルボ
キシル基、C1-C12アルコキシカルボニル基、フェニルカ
ルボニル基, 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、
シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコ
キシ基、ハロC1-C6アルキル基又はハロ C1-C6アルコキ
シ基から選択される一以上の置換基を有する置換フェニ
ルカルボニル基、ベンジルカルボニル基、同一又は異な
っても良く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-
C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アルキ
ル基又はハロ C1-C6アルコキシ基から選択される一以上
の置換基を環上に有する置換ベンジルカルボニル基、−
CON(R17)R18(式中、R17及びR18は同一又は異
なっても良く、水素原子、 C1-C6アルキル基、フェニル
基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ
基、ハロ C1-C6アルキル基又はハロ C1-C6アルコキシ基
から選択される一以上の置換基を有する置換フェニル
基、ピリジル基、同一又は異なっても良く、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル
基、 C1-C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アルキル基又はハ
ロ C1-C6アルコキシ基から選択される一以上の置換基を
有する置換ピリジル基、ベンジル基又は同一若しくは異
なっても良く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C
1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アル
キル基又はハロ C1-C6アルコキシ基から選択される一以
上の置換基を環上に有する置換ベンジル基を示し、lは
1乃至2の整数を示す。)、フェニル基、同一又は異な
っても良く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-
C6アルキル基、ハロ C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキ
シ基又はハロ C1-C6アルコキシ基から選択される一以上
の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一
又は異なっても良く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、 C1-C6アルキル基、ハロ C1-C6アルキル基、 C1-C6
アルコキシ基又はハロ C1-C6アルコキシ基から選択され
る一以上の置換基を有する置換フェノキシ基、ヘテロア
リールオキシ基又は同一若しくは異なっても良く、ハロ
ゲン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、ハ
ロ C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ基又はハロ C1-
C6アルコキシ基から選択される一以上の置換基を有する
置換ヘテロアリールオキシ基を示し、nは0〜4の整数
を示す。(R)nはベンゼン環上の隣接する炭素原子上
に置換して C3-C4アルキレン基又は C3-C4アルケニレン
基からなる縮合環を形成することもできる。又、該アル
キレン又はアルケニレン鎖上に同一又は異なっても良
く、1以上の置換基R(Rは前記に同じ。)を有するこ
ともできる。)で表される安息香酸類とハロゲン化剤と
をパラジウム触媒の存在下に反応することを特徴とする
一般式(I): 【化5】 (式中、Xは塩素原子、 臭素原子又はヨウ素原子を示
し、A、R及びnは前記に同じ。)で表される2−ハロ
ゲン化安息香酸類の製造方法。 - 【請求項2】 Aが−OH又は−OM(式中、Mはアル
カリ金属原子を示す。)を示す請求項1記載の製造方
法。 - 【請求項3】 Aが−N(R6 )R7 (式中、R6 及び
R7 は同一又は異なっても良く、水素原子、 C1-C6アル
キル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、シアノ基、ニトロ基、 C1-C6アルキル基、 C1-
C6アルコキシ基、ハロ C1-C6アルキル基、ハロ C1-C6ア
ルコキシ基、 C1-C6アルキルスルフィニル基又は C1-C6
アルキルスルホニル基から選択される一以上の置換基を
有するフェニル基又は 【化6】 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は同一又は異なって
も良く、水素原子、 C 1-C6アルキル基を示し、R5 は C
1-C6アルキル基を示し、mは0乃至1の整数を示し、k
は1乃至2の整数を示す。)を示す。)を示す請求項1
記載の製造方法。 - 【請求項4】 R6 及びR7 が同一又は異なっても良
く、水素原子又は 【化7】 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 は同一又は異なって
も良く、水素原子又はC1-C6アルキル基を示し、R5 は
C1-C6アルキル基を示し、mは0乃至1の整数を示し、
kは1乃至2の整数を示す。)を示す請求項3記載の製
造方法。 - 【請求項5】 R6 及びR7 が同一又は異なっても良
く、水素原子、フェニル基、又は同一若しくは異なって
も良く、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、C1-C6ア
ルキル基、ハロ C1-C6アルキル基、 C1-C6アルコキシ
基、ハロ C1-C6アルコキシ基、 C1-C6アルキルスルフィ
ニル基又は C1-C6アルキルスルホニル基から選択される
一以上の置換基を有するフェニル基である請求項3記載
の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2001134049A JP4853752B2 (ja) | 2000-04-28 | 2001-05-01 | 2−ハロゲン化安息香酸類の製造方法 |
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---|---|---|---|
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JP2000131032 | 2000-04-28 | ||
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