JPH0873403A - ハロゲン置換安息香酸類の製造方法 - Google Patents

ハロゲン置換安息香酸類の製造方法

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JPH0873403A
JPH0873403A JP7184913A JP18491395A JPH0873403A JP H0873403 A JPH0873403 A JP H0873403A JP 7184913 A JP7184913 A JP 7184913A JP 18491395 A JP18491395 A JP 18491395A JP H0873403 A JPH0873403 A JP H0873403A
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JP
Japan
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palladium
halogen
benzoic acid
compound
substituted benzoic
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JP7184913A
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English (en)
Inventor
Koji Fujiwara
浩次 藤原
Masaaki Kudo
正昭 工藤
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Nihon Nohyaku Co Ltd
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Nihon Nohyaku Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記式で示されるハロゲン置換安息香酸類の
製造方法。 【化1】 (式中、RはC1-6アルキル基、XはCl又はF、nは3
〜5の数を示す。) 【効果】 ハロゲン置換安息香酸類が収率良く得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般式(I)
【化9】 (式中、Xは同一又は異なっても良い塩素原子又はフッ
素原子を示し、nは3〜5の整数を示す。)で表される
ハロゲン置換安息香酸類の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】ハロゲン置換安息香酸、例えば2−クロ
ロ−4,5−ジフルオロ安息香酸は医薬の中間体として
有用な化合物であり、従来その製造方法は4,5−ジフ
ルオロ安息香酸のハロゲン化(特開平5−51348
号)、2−クロロ−4,4−ジフルオロアセトフェノン
からのカルボニル化(特開平3−27647号)、2−
クロロ−4,4−ジフルオロベンゾトリフルオライドの
加水分解(特開昭62−108839号)等の方法が知
られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は2−クロ
ロ−4,5−ジフルオロ安息香酸に代表されるハロゲン
置換安息香酸類の新規な製造方法に関して鋭意研究を重
ねた結果、本発明を完成させたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、例
えば図式的に示すと以下の通りに例示することができ
る。
【化10】 (式中、RはC1-6アルキル基を示し、X及びnは前記
に同じ。)
【0005】一般式(III) で表される芳香族臭素化物、
一般式(IV)で表されるアルコール類及び一酸化炭素と
を、不活性溶媒の存在下又は不存在下にパラジウム化合
物、リン化合物及び塩基の存在下に反応させることによ
り一般式(II)で表されるハロゲン置換安息香酸エステル
類とし、該エステル類を単離し又は単離せずして加水分
解することにより一般式(I) で表されるハロゲン置換安
息香酸類を製造することができる。又、一般式(III) で
表される芳香族臭素化物及び一酸化炭素とを、不活性溶
媒の存在下又は不存在下にパラジウム化合物、リン化合
物及び塩基の存在下に反応させることにより一般式(I)
で表されるハロゲン置換安息香酸類を製造することがで
きる。
【0006】製造方法1. (1). 一般式(III) → 一般式(II) 本製造方法で触媒として使用するパラジウム化合物はリ
ン化合物と組み合わせて使用すれば良く、パラジウム化
合物としては、例えば金属パラジウム、パラジウムカー
ボン、パラジウムアルミナ、塩化パラジウム、臭化パラ
ジウム、酢酸パラジウム、ジクロロビスシアノフェニル
パラジウム、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラ
ジウム、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウ
ム、ジクロロビスベンゾニトリルパラジウム、ジクロロ
ビスアセトニトリルパラジウム等を使用することができ
る。
【0007】本製造方法でパラジウム化合物と組み合わ
せて使用できるリン化合物としては、例えばトリメチル
ホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフ
ィン等のトリアルキルホスフィン、トリシクロヘキシル
ホスフィン等のトリシクロアルキルホスフィン類、トリ
フェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン類、一
般式(V) で表されるリン化合物としては、例えば1,1
−ビス(ジメチルホスフィノ)メタン、1,1−ビス
(ジエチルホスフィノ)メタン、1,2−ビス(ジメチ
ルホスフィノ)エタン、1,2−ビス(ジエチルホスフ
ィノ)エタン、1,3−ビス(ジメチルホスフィノ)プ
ロパン、1,4−ビス(ジメチルホスフィノ)ブタン等
のビス( ジアルキルホスフィノ) アルカン類、1,1−
ビス(ジフェニルホスフィノ)メタン、1,2−ビス
(ジフェニルホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)プロパン、1,4−ビス(ジフェニ
ルホスフィノ)ブタン等のビス(ジアリールホスフィ
ノ)アルカン類を例示することができる。
【0008】リン化合物の使用量はパラジウム化合物に
対して0.01〜10000倍モルの範囲で使用すれば
良く、好ましくは0.1〜100倍モルの範囲で使用す
れば良い。本製造方法はパラジウム化合物とトリアルキ
ルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリアルキル
ホスファイト、トリアリールホスファイト又は一般式
(V)で表されるリン化合物を組み合わせて使用すれば良
く、反応系にそれぞれ単独で使用しても良く、予め錯体
の形に調製して使用することもできる。添加量は特に限
定されるものではないが、パラジウム化合物及びリン化
合物を反応系に添加する量として、一般式(III) で表さ
れる芳香族臭素化物1モルに対して0.0001〜0.
5倍モル使用すれば良く、好ましくは0.0005〜
0.1倍モルの範囲から選択して使用すれば良い。
【0009】本製造方法で使用できる塩基としては、例
えば炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウ
ム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、酢酸ナトリウム等の塩基を例示することができ、
好ましくは炭酸ナトリウム又は酢酸ナトリウムを使用す
るのが良い。使用する塩基の量としては、生成する塩化
水素を中和するのに必要な量を使用するのが好ましい
が、これより多くても少なくても良い。本製造方法で使
用する不活性溶媒としては本反応の進行を著しく阻害し
ないものであれば良く、例えばヘキサン、ベンゼン、エ
ーテル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、塩化メチレ
ン、ヘキサメチルホスホトリアミド、アセトン、酢酸エ
チル、クロロベンゼン、フルオロベンゼン、トルエン、
ジオキサン等の不活性溶媒の他に、一般式(IV)で表され
るアルコール類又は反応基質を反応溶媒として使用する
こともできる。
【0010】本製造方法は常圧〜加圧下に反応すること
ができ、一酸化炭素の圧力は1〜100気圧の範囲で適
宜選択され、好ましくは5〜50気圧の範囲で行われ
る。反応温度は通常室温〜250℃の範囲で行うことが
でき、好ましくは室温〜200℃の範囲である。本製造
方法で使用される反応容器としては通常用いられるもの
であれば良く、加圧反応の場合は反応圧力に耐え得るも
のであれば良く、通常金属製又はガラス製反応器を使用
することができる。反応時間は反応規模、反応温度によ
り一定しないが、数分乃至48時間の範囲から選択すれ
ば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法によ
り単離し、必要に応じて精製等の操作を行うことにより
一般式(II)で表されるハロゲン置換安息香酸エステル類
を製造することができる。又、目的物を含む反応系から
目的物を単離せずして、次いで加水分解反応に供するこ
ともできる。
【0011】(2). 一般式(II)→ 一般式(I) 本製造方法はエステル類の加水分解反応であり、溶媒と
してはメタノール、エタノール、プロパノール等のアル
コール類、水等を使用することができ、これらの溶媒は
単独で又は混合して使用することができる。塩基として
は無機塩基を使用することができ、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土
類金属の水酸化物を使用することができ、その使用量は
一般式(II)で表されるハロゲン置換安息香酸エステル類
に対して等モル乃至過剰モルの範囲から適宜選択して使
用すれば良い。反応温度は室温乃至使用する溶媒の沸点
域の範囲であり、反応時間は反応温度、反応規模等によ
り一定しないが1時間乃至24時間の範囲である。反応
終了後、目的物を含む反応系を酸性とし、溶媒抽出等の
方法により単離し、必要に応じて精製操作をすることに
より目的物を製造することができる。
【0012】製造方法2.一般式(III) → 一般式(I) 本製造方法は製造方法1での一般式(IV)で表されるアル
コール類を使用しない以外は同様の条件で反応を行うこ
とにより一般式(I) で表されるハロゲン置換安息香酸類
を製造することができる。本製造方法で塩基は無機塩基
の使用が好ましく、更には炭酸ナトリウムを使用するの
が良い。
【0013】
【実施例】以下に本発明の代表的な実施例を例示する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1. 1−1−1.2−クロロ−4,5−ジフルオロ安息香酸
エチルエステルの製造
【化11】 ステンレス製100mlオートクレーブに2−クロロ−
4,5−ジフルオロブロモベンゼン4.55g(20ミ
リモル)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム0.0140g(0.02ミリモル)、1,4
−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン0.171g
(0.4ミリモル)、炭酸ナトリウム1.17g(11
ミリモル)及びエタノール15mlを入れ、一酸化炭素1
0kg/cm2 で3回置換した後、一酸化炭素20kg
/cm2 に充填して190℃の油浴中で3時間反応を行
った。反応終了後、反応系を冷却してガスを除去した
後、反応液を濾過して不溶物を除去し、酢酸エチルによ
り目的物を抽出し、抽出液を水洗、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧下の濃縮することにより目的物
4.7gを得た。 物性 沸点(b.p.) 150℃/10mmHg nD 1.4962(17.1℃)1 H-NMR(CDCl3/TMS δ値、ppm) 1.40(t.3H), 4.40(q.2H), 7.30(d.d.1H), 7.74(d.d.1
H). 収率 43.8%
【0014】同様にして一般式(II)で表される以下の化
合物を製造した。
【化12】
【表1】 注:b.p.(mmHg)は沸点(℃)/圧力(mmHg)を示す。
【0015】第1表の化合物の 1H-NMR データを第2表
に示す。
【表2】
【0016】1−1−1と同様にして第3表に示す条件
で反応を行って目的物を得た。
【表3】
【0017】
【表4】
【0018】
【表5】 注:PdCl2(tpp)2 ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム 5%-Pd-C 5%−パラジウム−カーボン dppb 1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン tpp トリフェニルホスフィン 収率は上段がガスクロマトグラフィーの面積百分率を示
し、下段の括弧内は単離収率を示す。実施例1-1-14は反
応時間5時間、1-1-15は8時間。
【0019】1−2. 2−クロロ−4,5−ジフルオ
ロ安息香酸の製造
【化13】 1−1で得られた2−クロロ−4,5−ジフルオロ安息
香酸エチルエステル2.87g(13ミリモル)、85
%水酸化カリウム1.03g(16ミリモル)、エタノ
ール3.3ml及び水6.5mlとを50℃で1時間反応を
行った。反応終了後、濃塩酸2.7g(26ミリモル)
を加えて目的物を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗・
乾燥後濃縮することにより目的物2.27gを得た。 物性 融点(m.p.) 105℃1 H-NMR(CDCl3/TMS δ値、ppm): 7.36(d.d.1H), 7.93(d.
d.1H). 収率 90.6%
【0020】実施例2. 2−1. 2−クロロ−4,5−ジフルオロ安息香酸の
製造
【化14】 ステンレス製100mlオートクレーブに2−クロロ−
4,5−ジフルオロブロモベンゼン3.41g(15ミ
リモル)、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム0.0105g(0.015ミリモル)、1,
4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン0.032g
(0.075ミリモル)、炭酸ナトリウム3.18g
(30ミリモル)及びトルエン11.3mlを入れ、一酸
化炭素10kg/cm2 で3回置換した後、一酸化炭素
20kg/cm2 に充填して190℃の油浴中で3時間
反応を行った。反応終了後、反応系を冷却してガスを除
去した後、反応液に水50mlを加えて濾過して不溶物を
除去し、濾液を分液して水層に塩酸を加えて酸性とした
後、酢酸エチルで目的物を抽出し、抽出液を水洗及び無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮することに
より目的物1.1gを得た。 物性 b.p.105℃/10mmHg1 H-NMR(CDCl3/TMS δ値、ppm) 7.36(d.d.1H), 7.93(d.d.1H). 収率 38.1% 2−1と同様にして第3表に示す条件で反応を行って目
的物を得た。
【0021】
【表6】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 51/09 51/10 // C07B 61/00 300

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(III) 【化1】 (式中、Xは同一又は異なっても良い塩素原子又はフッ
    素原子を示し、nは3〜5の整数を示す。)で表される
    芳香族臭素化物、一般式(IV) 【化2】R-OH (IV) (式中、RはC1-6アルキル基を示す。)で表されるアル
    コール類及び一酸化炭素をパラジウム化合物、リン化合
    物及び塩基の存在下に一酸化炭素と反応させて一般式(I
    I) 【化3】 (式中、R、X及びnは前記に同じ。)で表されるハロ
    ゲン置換安息香酸エステル類とし、該エステル類を単離
    し又は単離せずして加水分解することを特徴とする一般
    式(I) 【化4】 (式中、X及びnは前記に同じ。)で表されるハロゲン
    置換安息香酸類の製造方法。
  2. 【請求項2】 一般式(I) で表される安息香酸が2−ク
    ロロ−4,5−ジフルオロ安息香酸である請求項第1項
    記載のハロゲン置換安息香酸類の製造方法。
  3. 【請求項3】 パラジウム化合物がパラジウム金属、固
    体に担持されたパラジウム金属、0価若しくは2価の錯
    体である請求項第1項記載のハロゲン置換安息香酸類の
    製造方法。
  4. 【請求項4】 パラジウム化合物がパラジウム−カーボ
    ン、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、テトラキス(ト
    リフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(ベ
    ンゾニトリル)パラジウム、ジクロロビス(アセトニト
    リル)パラジウム又はジクロロビス(トリフェニルホス
    フィン)パラジウムである請求項第3項記載のハロゲン
    置換安息香酸類の製造方法。
  5. 【請求項5】 リン化合物がトリアルキルホスフィン、
    トリアリールホスフィン、トリアルキルホスファイト、
    トリアリールホスファイト、下記一般式(V)で表される
    化合物から選択される化合物一種以上である請求項第1
    項記載のハロゲン置換安息香酸類の製造方法。 一般式(V): 【化5】 (R')2-P-Y-P-(R')2 (V) (式中、R'はC1-6アルキル基、フェニル基又はハロゲン
    原子、C1-6アルキル基、ハロC1-6アルキル基、C1-6アル
    コキシ基、ハロC1-6アルコキシ基、C1-6アルキルチオ基
    又はハロC1-6アルキルチオ基から選択される1以上の置
    換基を有するフェニル基を示し、Y はC1-6のアルキレン
    基を示す。)
  6. 【請求項6】 リン化合物がビス(ジフェニルホスフィ
    ノ)アルカンである請求項第5項記載のハロゲン置換安
    息香酸の製造方法。
  7. 【請求項7】 一般式(III) 【化6】 (式中、Xは同一又は異なっても良い塩素原子又はフッ
    素原子を示し、nは3〜5の整数を示す。)で表される
    芳香族臭素化物及び一酸化炭素をパラジウム化合物、有
    機リン系化合物及び塩基の存在下に一酸化炭素と反応さ
    せることを特徴とする一般式(I) 【化7】 (式中、X及びnは前記に同じ。)で表されるハロゲン
    置換安息香酸類の製造方法。
  8. 【請求項8】 一般式(I) で表される安息香酸が2−ク
    ロロ−4,5−ジフルオロ安息香酸である請求項第7項
    記載のハロゲン置換安息香酸類の製造方法。
  9. 【請求項9】 パラジウム化合物がパラジウム金属、固
    体に担持された金属パラジウム、0価若しくは2価の錯
    体である請求項第7項記載のハロゲン置換安息香酸類の
    製造方法。
  10. 【請求項10】 パラジウム化合物がパラジウム−カー
    ボン、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、テトラキス
    (トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス
    (ベンゾニトリル)パラジウム、ジクロロビス(アセト
    ニトリル)パラジウム又はジクロロビス(トリフェニル
    ホスフィン)パラジウムである請求項第9項記載のハロ
    ゲン置換安息香酸類の製造方法。
  11. 【請求項11】 リン化合物がトリアルキルホスフィ
    ン、トリアリールホスフィン、トリアルキルホスファイ
    ト、トリアリールホスファイト、下記一般式(V) で表さ
    れる化合物から選択される化合物一種以上である請求項
    第7項記載のハロゲン置換安息香酸類の製造方法。 一般式(V): 【化8】 (R')2-P-Y-P-(R')2 (V) (式中、R'はC1-6アルキル基、フェニル基又はハロゲン
    原子、C1-6アルキル基、ハロC1-6アルキル基、C1-6アル
    コキシ基、ハロC1-6アルコキシ基、C1-6アルキルチオ基
    又はハロC1-6アルキルチオ基から選択される1以上の置
    換基を有するフェニル基を示し、Y はC1-6のアルキレン
    基を示す。)
  12. 【請求項12】 リン化合物がビス(ジフェニルホスフ
    ィノ)アルカンである請求項第11項記載のハロゲン置
    換安息香酸の製造方法。
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