JP4165858B2 - ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とその製法およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物とその製法、並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物の製法 - Google Patents
ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とその製法およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物とその製法、並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物の製法 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、医薬、農薬、染料、電子材料、液晶材料などの中間体として有用なシアノヒドロキシビフェニル化合物の製造前駆体となる、新規なｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
シアノヒドロキシビフェニル化合物の製造方法については、従来よりいくつかの製造方法が知られている。
【０００３】
▲１▼４−アセトキシビフェニルをヨード化して４−アセトキシ−４’−ヨードビフェニルを調製し、さらにヨード基をシアノ化し、アセトキシ基を加水分解して４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法（特開平８−１６９８６８号公報）。この方法では、シアン化銅を使用するため、取り扱いに問題がある。
▲２▼水素化ナトリウム、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ニッケル（ＩＩ）ジアセテート、２，２’−ビピリジン、ヨウ化カリウムから調製したニッケル錯体を用いて、ハロゲン化アリールのクロスカップリング反応により、４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法［ジャーナル オブ オルガニック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第５４巻，第４８４４頁、１９８９年］。この方法では、ニッケル錯体の調製が困難であり、また副生成物（ホモカップリング体）も多い。
▲３▼４−クロロベンゾニトリルと２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを、光反応によりカップリングさせ、さらに、芳香環から脱ｔｅｒｔ−ブチル化を行い、４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法［ジャーナル オブオルガニック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第５９巻，第４４８２頁、１９９４年］。光反応の装置が必要で、しかも位置異性体が多い。
▲４▼４−メトキシフェニルボロン酸と、３−ブロモベンゾニトリルとを、パラジウム触媒および塩基の存在下でカップリング反応を行ない、さらにメトキシ基の脱保護を塩化メチレン中、−７８℃で、三臭化ホウ素を用いて行ない、３−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを得る方法（国際公開特許ＷＯ９７／２０８１５号公報）がある。しかしながら、この方法では、−７８℃の低温で、特殊な試薬である三臭化ホウ素を用いて脱保護を行うので特殊な装置を必要とし、しかも取り扱いが困難でかつ高価な三臭化ホウ素を使用しなければならないという問題点がある。
▲５▼同様のメトキシ基の脱保護反応には、濃臭化水素、酢酸中で還流する方法［ジャーナル オブ オルガニック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第６巻，第８５２頁、１９４１年］もある。しかし、この方法では、シアノ基が加水分解し、カルボン酸になってしまうという問題点がある。一方、ｎ−アルコキシ基が脱保護しにくいことを利用し、４’−ｎ−アミルオキシ−４−カルボン酸ビフェニルに、五塩化リン、ｐ−トルエンスルホン酸アミドを加え加熱し４’−ｎ−アミルオキシ−４−シアノビフェニルを合成する例もある（特開昭５１−７５０５０号公報）。
▲６▼アルデヒドを保護した４−ブロモベンズアルデヒドと、ｐ−アルコキシフェニルマグネシウムハライドとのカップリング反応を経て、アルデヒドの脱保護、ホルミル基のシアノ化および加水分解を行い４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニル化合物を合成する方法（国際公開特許ＷＯ９８／３７０５９号公報）。４−フェニルフェノールを出発物質としてカルボン酸を経由し５段階で、シアノヒドロキシビフェニル化合物を合成する方法（国際公開特許ＷＯ９８／３７０６０号公報）。しかしながら、これら文献は、どちらも反応工程が長いなど工業的に行うには問題点があった。
▲７▼ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル金属化合物と４−ハロゲノベンゾニトリル化合物のクロスカップリング反応から４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルを合成し、酸触媒の存在下で脱イソブテン反応させて４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法（特開２０００−３４４７２７号報）。しかしながら、この方法では、フェノール性水酸基の保護反応（ｔ−ブトキシ化）にイソブチレンガス（気体）を使用するため、取扱いが煩雑である。さらに、脱イソブテン反応（脱保護反応）の加水分解条件が厳しいという欠点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のシアノヒドロキシビフェニル化合物の合成法は、前記したような様々な問題点があり、そのためこれらに代る工業的に有利な製法の開発が望まれている。したがって、本発明は、これらの従来の方法に代わり、シアノヒドロキシビフェニル化合物の工業的に有利な製法の新規な前駆体であるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討を続けた。その結果、シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）を工業的に製造する上で、前駆体として新規化合物である、ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン（６）およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を使用して反応させることが極めて有用であることを見出した。
【０００６】
つまり、ハロゲノフェノール化合物（５）と２−メチル−２−ブテンから新規前駆体であるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）を製造し、このｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）から合成されるｔｅｒｔ−アミロキシフェニルホウ素化合物（２）（第１工程）と、ハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とを、遷移金属触媒および塩基の存在下に反応（第２工程）させることにより、シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の前駆体であるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を簡便に、かつ高収率、高純度で製造することができることを見出した。さらに、ｔｅｒｔ-アミロキシフェニルホウ素化合物（２）を単離精製することなく、上記第１工程と第２工程を連続して行い、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物をより簡便に、かつ高収率、高純度で製造できることを見出した。そして、このｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を穏やかな酸性条件下で加水分解（第３工程）することにより、シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）を効率よく、高収率かつ高純度に得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
なお、化合物名の（ ）内番号は、以下に示す一般式等の番号を示す。以下でも同様である。
【０００８】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
（１）下記一般式（１）
【化１８】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示す。）
で表されるハロゲノベンゾニトリル化合物と、下記一般式（２）
【化１９】
（式中、ｎは０、１、２の整数を示す。）
で表されるホウ素化合物とを、遷移金属触媒および塩基の存在下で反応させることを特徴とする、下記一般式（３）
【化２０】
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物の製法。
【０００９】
（２）下記一般式（３）
【化２１】
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を酸性条件下で加水分解することを特徴とする、下記一般式（４）
【化２２】
で表されるシアノヒドロキシビフェニル化合物の製法。
【００１０】
（３）下記一般式（５）
【化２３】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示す。）
で表されるハロゲノフェノール化合物と、２−メチル−２−ブテンとを酸触媒の存在下で反応させることを特徴とする、下記一般式（６）
【化２４】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示す。）
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物の製法。
【００１１】
（４）下記一般式（６）
【化２５】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示す。）
と金属マグネシウムとから合成される下記一般式（７）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシフェニルマグネシウムハライド化合物
【化２６】
（式中、Ｘは、塩素原子、臭素原子または沃素原子を示す。以下「グリニャール試薬」ということがある。）と、下記一般式（８）
【化２７】
（式中、Ｒは炭素数が１〜６のアルキル基を示す。）
で表されるホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとを反応させ、加水分解することによって得ることができる、下記一般式（２）
【化２８】
（式中、ｎは０、１、２の整数を示す。）
で表されるホウ素化合物を単離することなく、反応溶液のままで下記一般式（１）
【化２９】
で表されるハロゲノベンゾニトリルと一工程で反応させることを特徴とする、下記一般式（３）
【化３０】
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の製法。
【００１２】
（５）下記一般式（３）
【化３１】
（式中、ｔｅｒｔ−アミロキシ基はフェニル基の２’位、３’位、４’位のいずれかに結合し、シアノ基はフェニル基の３位または４位のいずれかに結合している。）
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物。
【００１３】
（６）前記一般式（３）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物が、下記式（９）
【化３２】
で表される４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル。
【００１４】
（７）下記一般式（６）
【化３３】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示し、ｔｅｒｔ−アミロキシ基は２’位、３’位、４’位のいずれかに結合している。）
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物。
【００１５】
（８）前記一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物が次式（１０）
【化３４】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子を示す。）
で表されることを特徴とする、４−ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）およびその製法並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の製法を詳細に説明する。
【００１７】
［１］ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）の製造
本発明に係るｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）は、下記一般式（５）で表されるハロゲノフェノール化合物と、２−メチル−２−ブテンとを、硫酸などの酸触媒存在下で反応させることにより製造することができる。
【００１８】
【化３５】
（式中、Ｘは前記と同じ。）
【００１９】
このｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）は、ホウ素化合物（２）の製造に重要な化合物である。
【００２０】
上記ハロゲノフェノール化合物（５）と２−メチル−２−ブテンの反応は、特に溶媒を加えずに行うこともできるが、有機溶媒中で行うこともできる。そのような有機溶媒としては、たとえば、トルエン、ベンゼンなどの炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルなどのエーテル類、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素類が挙げられる。
【００２１】
有機溶媒の使用量は、化合物（５）に対して、重量比で０．５〜２倍量の範囲であることが好ましく、特に等量であることが好ましい。
【００２２】
反応に用いられる酸触媒は、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、三フッ化ホウ素などが挙げられる。これらの酸触媒中、硫酸が特に好ましい。
【００２３】
酸触媒の使用量は、化合物（５）に対して０．５モル％〜２モル％が好ましく、特に１モル％であることが好ましい。
【００２４】
２−メチル−２−ブテンの使用量は、化合物（５）に対して、１〜５モル倍量が好ましく、特に２モル倍量であることが好ましい。
【００２５】
反応温度は−１５℃〜２５℃の範囲で実施できるが、特に０℃〜１０℃の範囲で反応させることが好ましい。
【００２６】
一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物の具体例として、
▲１▼２−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼン、
▲２▼３−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼン、
▲３▼４−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼン、
▲４▼２−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼン、
▲５▼３−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼン、
▲６▼４−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼン、
などが挙げられるが、本発明はこれらの例示に限定されるものではない。
【００２７】
［２］ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の製造
本発明におけるｔｅｒｔ−アミロキシビフェニル化合物の製造経路は以下に示すとおりである。
【００２８】
（第１工程）
【化３６】
（式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を示す。）
【００２９】
（第２工程）
【化３７】
（式中、Ｘは塩素原子、臭素原子または沃素原子であり、ｎは０、１、２の整数である）
【００３０】
（第１工程）
前記一般式（２）で表されるホウ素化合物（２）は、一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物から合成される一般式（７）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシフェニルマグネシウムハライド化合物と、（ＲＯ）３Ｂで表されるホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル（８）とを反応させて得られる生成物を加水分解することによって得ることができる。
【００３１】
上記のグリニャール試薬（７）は、通常のグリニャール試薬の調製法により調製でき、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエンなどを単独または２種類以上組み合わせた溶媒中で、上記ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とマグネシウムと反応させることで合成できる。ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物のハロゲンとしては、臭素原子または塩素原子が好ましい。このハロゲン化合物中のｔｅｒｔ−アミロキシ基の位置は、２位、３位、４位のいずれでもよい。
【００３２】
また、式（ＲＯ）３Ｂ で表されるホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル（８）は、炭素数が１〜６のものが使用できるが、なかでも炭素数が４〜６であるものが好ましい。
【００３３】
なお、これらのホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルは、たとえば、アルコールまたはナトリウムアルコキシドと、ホウ酸、無水ホウ酸または塩化ホウ酸との反応により合成することができる。
【００３４】
ホウ素化合物（２）の合成に係るグリニャール試薬と、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル（８）との反応は、有機溶媒中で行なうことが好ましく、このような有機溶媒としては、たとえば、ペンタン、ヘキサンなどの飽和炭化水素、トルエンなどの芳香族炭化水素、エーテル類などが挙げられる。
【００３５】
このようなグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとの反応は、上記溶媒中で、−５０〜４０℃の温度で行なうのが好ましい。このグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとの反応により、ホウ素化合物（２）を得る場合の、好ましい反応温度は、上記ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランを得る場合は、反応温度は−１０〜４０℃であることが好ましい。ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を得る場合は、反応温度は−１０〜４０℃であることが好ましく、ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸を得る場合は、反応温度は−５０〜−３０℃であることが好ましい。
【００３６】
上記ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボラン、ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸、ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸をそれぞれ合成するには、反応させるグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルの使用の割合を調製することにより、所望のホウ素化合物（２）を得ることができる。具体的には、上記ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランを得るには、グリニャール試薬１モルに対して、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル０．２〜０．４モル、好ましくは０．２５〜０．３５モルを使用することが望ましく、ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を得るには、グリニャール試薬１モルに対して、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル０．４５〜０．７モル、好ましくは０．５〜０．７モルを使用することが望ましく、ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸を得るには、グリニャール試薬１モルに対して、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル０．８〜３モル、好ましくは０．９〜２モルを使用することが望ましい。
【００３７】
上記のようにしてグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとの反応で得られた化合物は、酸性条件下で加水分解することにより、ホウ素化合物（２）を得ることができる。このような加水分解で使用する酸は特に限定されず、各種の酸の存在下で行うことができ、たとえば、塩酸、希硫酸などを使用することができる。
【００３８】
（第２工程）ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の製造
第１工程で得られるホウ素化合物（２）は、単離精製してハロゲノベンゾニトリル化合物（１）との反応に用いてもよいし、上記のような方法で得られたホウ素化合物（２）の含有液を単離精製せずに、該含有液をそのままあるいは濃縮した含有液をそのままハロゲノベンゾニトリル化合物（１）との反応に使用することもできる。
【００３９】
なお、上記ホウ素化合物（２）の代りに、これらホウ素化合物から誘導される塩、エステル類、もしくはモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸の脱水体であるトリス（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボロキシンなどのホウ酸無水物もハロゲノベンゾニトリル化合物（１）との反応に用いることができる。
【００４０】
本発明においては、上記のようにして合成したホウ素化合物（２）とハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とを、遷移金属触媒、塩基の存在下に反応させて、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を得る。これらの触媒、塩基、原料であるハロゲノベンゾニトリル化合物（１）およびホウ素化合物（２）は同時に仕込んで反応させてもよいし、必要に応じてこれらの触媒、塩基、ハロゲノベンゾニトリル化合物（１）およびホウ素化合物（２）のうち１種または２種以上の混合物を滴下して反応させてもよい。
【００４１】
本発明に係るハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とホウ素化合物（２）との反応では、溶媒を特に加えずに行うこともできるし、溶媒中で行うこともできる。たとえば、水、トルエン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンなどのエーテル類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールなどの炭素数が１〜６のアルコール類からなる群から選ばれる１または２種類以上の溶媒が挙げられる。
【００４２】
本発明に係る遷移金属触媒としては、各種遷移金属触媒を使用することができるが、このうち下記に例示するようなパラジウム触媒またはニッケル触媒を用いることが好ましい。
【００４３】
パラジウム触媒としては、
▲１▼ テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、
▲２▼ ビス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲３▼ １，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲４▼ １，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンパラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲５▼ １，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンパラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲６▼ １，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンパラジウム（ＩＩ）クロライド
などが挙げられる。このうち、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を使用することが特に好ましい。
【００４４】
ニッケル触媒としては、
▲１▼ １，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド、
▲２▼ １，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンニッケル（ＩＩ）クロライド、
▲３▼ １，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンニッケル（ＩＩ）クロライド、
▲４▼ １，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケル（ＩＩ）クロライド
などが挙げられる。このうち、１,４-ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライドを使用することが特に好ましい。
【００４５】
本発明において、パラジウム触媒を使用する場合は、水と水以外の溶媒を併用するのが好ましく、特にテトラヒドロフランと水の混合溶媒を使用することが更に好ましい。また、ニッケル触媒の場合は、非水系で使用することが好ましい。
【００４６】
これら遷移金属触媒は、単独に使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。これら遷移金属触媒の使用量は、ハロゲノベンゾニトリル化合物 １モルに対し、０．１〜１０モル％であることが好ましく、０．２〜２モル％であることが更に好ましい。
【００４７】
本発明において塩基としては、具体的には、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、リン酸塩などが挙げられ、より具体的には、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸三カリウムなどの水溶性の塩基性化合物が挙げられる。これらは単独に使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。これら塩基の使用量は、ハロゲノベンゾニトリル化合物 １モルに対し、０．５〜５モル倍であることが好ましく、１〜３モル倍であることが更に好ましい。
【００４８】
このような、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を得る反応では、ホウ素化合物（２）のホウ素一原子に結合するｔｅｒｔ−アミロキシフェニル基の数により、ハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とホウ素化合物（２）の使用割合が変わる。
【００４９】
ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランを用いる場合は、トリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランの使用量は、使用するハロゲノベンゾニトリル化合物１モルに対し、０．１〜０．５モルが好ましく、更に好ましくは０．３〜０．４である。ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を用いる場合は、ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸の使用量は、使用するハロゲノベンゾニトリル化合物１モルに対し、０．５〜１．０モルが好ましく、更に好ましくは０．５〜０．８である。ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸を用いる場合は、モノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸の使用量は、使用するハロゲノベンゾニトリル化合物１モルに対し、０．８〜１．５モルが好ましく、更に好ましくは１．０〜１．５である。
【００５０】
本発明においては、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）のうち、出発原料であるハロゲノベンゾニトリル化合物（１）のハロゲン原子とシアノ基とがメタ位またはパラ位に結合した場合に得られる、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物のｔｅｒｔ−アミロキシ基がフェニル基の２’位、３’位または４’位のいずれかに結合し、シアノ基がフェニル基の３位または４位のいずれかに結合するｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物が好ましい。具体例として、
▲１▼２’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−３−シアノビフェニル、
▲２▼２’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル、
▲３▼３’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−３−シアノビフェニル、
▲４▼３’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル、
▲５▼４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−３−シアノビフェニル、
▲６▼４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル、
などが挙げられるが、本発明はこれらの例示のみに限定されるものではない。このうち特に、４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル化合物が好ましい。
【００５１】
［３］シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の製造
本発明におけるシアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の製造経路は以下に示すとおりである。
【００５２】
（第３工程）
【化３８】
【００５３】
ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）に対して、酸性条件下で加水分解することにより、ｔｅｒｔ−アミロキシ基の保護基であるｔｅｒｔ−アミル基を脱保護させてシアノヒドロキシビフェニル化合物を得ることができる。
【００５４】
この反応で用いるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）は、前記（第２工程）で得られるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を含有した反応液をそのままかあるいは適度に濃縮等をしてそのまま用いてもよいし、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を精製してもよい。
【００５５】
本発明において、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）のうち、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物のｔｅｒｔ−アミロキシ基がフェニル基の２’位、３’位または４’位のいずれかに結合し、シアノ基がフェニル基の３位または４位のいずれかに結合するシアノビフェニル化合物を使用することが好ましい。
【００５６】
ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物からのｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護は、酸性条件下で行う。このような脱保護反応に使用する酸としては、硫酸、塩酸、トリフルオロ酢酸、トリフロロメタンスルホン酸トリメチルシラン、ヨウ化トリメチルシランなどが挙げられる。このうち、工業的には安価で取り扱いの容易な希硫酸が好ましい。
【００５７】
このようなｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護反応は、たとえば酸触媒として硫酸水を使用する場合、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）に、室温条件下で、硫酸水の濃度が３０〜９０％であることが好ましく、更に好ましくは６０〜８０％、特に好ましくは６５〜７０％の硫酸水を添加して行う。
【００５８】
このようなｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護反応は、有機溶媒中で行なうのが好ましく、たとえば、トルエン、テトラヒドロフランなどの有機溶媒が好ましく、特にテトラヒドロフランが好ましい。この溶媒の使用量は、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の重量の０．５〜２．０倍の量で、好ましくは０．８〜１．５倍の量である。
【００５９】
このようにしてｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護反応を経て得られる、シアノヒドロキシビフェニル化合物を含有した反応液を水洗した後、たとえばシアノヒドロキシビフェニル化合物のＮａ塩として取り出したり、あるいは溶媒を留去しシリカゲルクロマトグラフィーや再結晶法などにより精製して、目的物であるシアノヒドロキシビフェニル化合物（４）を得ることができる。
【００６０】
従来の保護基であるｎ−ブトキシ基のようなｎ−アルコキシ基の脱保護反応では、特殊な試薬あるいは濃臭化水素などの強酸を必要とし、しかも還流下という厳しい反応条件で行う必要があり、反応途中で副反応を伴うなどの問題点があったのに比べ、本発明に係るｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の脱保護反応は、室温下に希硫酸などを添加することにより容易に行うことができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明に係るｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物の製造方法によれば、効率的な製造工程によりｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を高収率かつ高純度に得ることができる。また、本発明に係るシアノヒドロキシビフェニル化合物の製造方法によれば、温和な条件下で効率よくシアノヒドロキシビフェニル化合物を高収率かつ高純度に得ることができる。
【００６２】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、これらの実施例により本発明は限定されるものではない。
【００６３】
実施例１ [４−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼンの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、４−ブロモフェノール１７．３ｇ（０．１モル）、ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物０．１９ｇ（０．００１モル）、２−メチル−２−ブテン１４．０ｇ（０．２モル）およびトルエン２０ｍｌを加え、この混合溶液を１０〜１５℃で約2時間攪拌した。反応終了後に反応液に１０％ＮａＯＨ水溶液を加え、未反応の４−ブロモフェノールを除去し、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物１７．３ｇを得た。これを蒸留（１０５℃／４ｍｍＨｇ）により精製し、精製品１４．５ｇを得た。収率５９．９％であった。得られた精製品を以下に示したごとくの１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定（以下の実施例でも同様）し、この精製品が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼンであることを確認した。精製品の純度は９９．９％[ガスクロマトグラフィー（以下「ＧＣ」と略す。）より]であった。
【００６４】
【００６５】
実施例２ [４−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼンの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、４−クロロフェノール１２．９ｇ（０．１モル）、ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物０．１９ｇ（０．００１モル）、２−メチル−２−ブテン１４．０ｇ（０．２モル）およびトルエン２０ｍｌを加え、この混合溶液を１０〜１５℃で約2時間攪拌した。反応終了後に反応液に１０％ＮａＯＨ水溶液を加え、未反応の４−クロロフェノールを除去し、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物１４．３ｇを得た。これを蒸留（９６℃／５ｍｍＨｇ）により精製し、精製品１０．９ｇを得た。収率５４．９％であった。得られた精製品を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製品が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼンであることを確認した。精製品の純度は９９．９％（ＧＣより）であった。
【００６６】
【００６７】
実施例３ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸２．１ｇ（０．００６モル）、４−クロロベンゾニトリル１．５ｇ（０．０１１モル）、リン酸三カリウム６．９ｇ（０．０３３モル）およびテトラヒドロフラン１０ｍｌを加え、これに１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．０６１ｇ（０．１１ミリモル）を加えた後、この混合溶液を還流温度で約2時間攪拌した。反応終了後に反応液を室温まで冷却した後、トルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを反応液に加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物３．３ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、２．８８ｇの精製結晶を得た。収率９８．７％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００６８】
【００６９】
実施例４ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸２．０８ｇ（０．０１０モル）、４−ブロモベンゾニトリル１．６４ｇ（０．００９モル）、テトラヒドロフラン１０ｍｌ，水酸化ナトリウム０．７２ｇ（０．０１８モル）および水１ｇを導入した。これにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２１ｇ（０．１８ミリモル）を加えた後、この混合溶液を還流温度で１０時間攪拌還流した。反応終了後に反応液を室温まで冷却した後、トルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗生成物２．７５ｇを得た。これを、シリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶２．３４ｇを得た。収率は９８．０％（４−ブロモベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．１％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７０】
実施例５ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸２．５ｇ（０．０１２モル）、４−クロロベンゾニトリル１．５ｇ（０．０１１モル）、テトラヒドロフラン１０ｍｌおよびリン酸三カリウム６．９ｇ（０．０３３モル）を導入した。これに１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．０６１ｇ（０．１１ミリモル）を加え、この混合溶液を還流温度で１０時間攪拌した。反応終了後に反応液を室温まで冷却した後、トルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物３．０２ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶２．８４ｇを得た。収率は９７．３％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７１】
実施例６ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸無水物（ボロキシン）２．３ｇ（０．００４モル）、４−クロロベンゾニトリル１．５ｇ（０．０１１モル）、テトラヒドロフラン１０ｍｌおよびリン酸三カリウム６．９ｇ（０．０３３モル）を導入した。これに１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．０６１ｇ（０．１１ミリモル）を加え、この混合溶液を還流温度で５時間攪拌した。反応終了後に反応液を室温まで冷却しトルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物３．１２ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶２．８０ｇを得た。収率は９５．９％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７２】
実施例７ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、これにマグネシウム１．５ｇ（０．０６２モル）、少量の臭化エチルを入れて撹拌し、マグネシウムを活性化した。次いで、４−ｔｅｒｔ−アミロキシクロルベンゼン６．２ｇ（０．０３１モル）をテトラヒドロフラン９ｍｌとトルエン５ｍｌの混合溶媒に溶解させた溶液を、フラスコ中の溶液の温度が７０℃になるようにして５時間かけて滴下ロートで滴下した。滴下後、フラスコ中の溶液の温度が７０℃のままで２時間撹拌し、グリニャール試薬として４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルマグネシウムクロライドを得た。このグリニャール試薬をトルエン４ｍｌに希釈したホウ酸トリ−ｎ−ヘキシルエステル６．６ｇ（０．０２１モル）中に３５〜４５℃で１時間かけて滴下し、滴下後、３５〜４５℃で１時間攪拌した。反応終了後、この反応液に、３０℃以下で１０％硫酸水溶液１１．９ｇを加えて加水分解し分液した。得られた有機層を１％硫酸水溶液９ｍｌで洗浄し、さらに水９ｍｌで２回洗浄した。その結果、４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を主成分とするホウ素化合物のテトラヒドロフラン／トルエン溶液２７．８ｇを得た。還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに上記の方法で合成した、４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を含む反応液を２７．８ｇ、４−クロロベンゾニトリル３．６ｇ（０．０２６モル）およびリン酸三カリウム１６．６ｇ（０．０７８モル）を導入した。この混合溶液に１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．１５ｇ（０．２６ミリモル）を加え、溶液を還流温度で２時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却しトルエン２５ｍｌおよび水２５ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水２５ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物６．３ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶６．８１ｇを得た。収率は９８．７％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７３】
実施例８ [４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル２．６５ｇ（０．０１０モル）、テトラヒドロフラン３ｍｌと７０％硫酸水１．５ｇ（０．０１１モル）を導入し、２０〜３０℃で４時間攪拌した。反応終了後、水３ｍｌおよびトルエン３ｍｌを反応液に加えて分液し、得られた有機層を水３ｍｌで３回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗結晶を２．２５ｇ得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝５／１（ｖ／ｖ）]により精製し、白色結晶１．８７ｇを得た。収率は９４．４％（４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１９４〜１９５℃であった。
【００７４】
【発明が属する技術分野】
本発明は、医薬、農薬、染料、電子材料、液晶材料などの中間体として有用なシアノヒドロキシビフェニル化合物の製造前駆体となる、新規なｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
シアノヒドロキシビフェニル化合物の製造方法については、従来よりいくつかの製造方法が知られている。
【０００３】
▲１▼４−アセトキシビフェニルをヨード化して４−アセトキシ−４’−ヨードビフェニルを調製し、さらにヨード基をシアノ化し、アセトキシ基を加水分解して４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法（特開平８−１６９８６８号公報）。この方法では、シアン化銅を使用するため、取り扱いに問題がある。
▲２▼水素化ナトリウム、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ニッケル（ＩＩ）ジアセテート、２，２’−ビピリジン、ヨウ化カリウムから調製したニッケル錯体を用いて、ハロゲン化アリールのクロスカップリング反応により、４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法［ジャーナル オブ オルガニック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第５４巻，第４８４４頁、１９８９年］。この方法では、ニッケル錯体の調製が困難であり、また副生成物（ホモカップリング体）も多い。
▲３▼４−クロロベンゾニトリルと２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを、光反応によりカップリングさせ、さらに、芳香環から脱ｔｅｒｔ−ブチル化を行い、４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法［ジャーナル オブオルガニック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第５９巻，第４４８２頁、１９９４年］。光反応の装置が必要で、しかも位置異性体が多い。
▲４▼４−メトキシフェニルボロン酸と、３−ブロモベンゾニトリルとを、パラジウム触媒および塩基の存在下でカップリング反応を行ない、さらにメトキシ基の脱保護を塩化メチレン中、−７８℃で、三臭化ホウ素を用いて行ない、３−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを得る方法（国際公開特許ＷＯ９７／２０８１５号公報）がある。しかしながら、この方法では、−７８℃の低温で、特殊な試薬である三臭化ホウ素を用いて脱保護を行うので特殊な装置を必要とし、しかも取り扱いが困難でかつ高価な三臭化ホウ素を使用しなければならないという問題点がある。
▲５▼同様のメトキシ基の脱保護反応には、濃臭化水素、酢酸中で還流する方法［ジャーナル オブ オルガニック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、第６巻，第８５２頁、１９４１年］もある。しかし、この方法では、シアノ基が加水分解し、カルボン酸になってしまうという問題点がある。一方、ｎ−アルコキシ基が脱保護しにくいことを利用し、４’−ｎ−アミルオキシ−４−カルボン酸ビフェニルに、五塩化リン、ｐ−トルエンスルホン酸アミドを加え加熱し４’−ｎ−アミルオキシ−４−シアノビフェニルを合成する例もある（特開昭５１−７５０５０号公報）。
▲６▼アルデヒドを保護した４−ブロモベンズアルデヒドと、ｐ−アルコキシフェニルマグネシウムハライドとのカップリング反応を経て、アルデヒドの脱保護、ホルミル基のシアノ化および加水分解を行い４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニル化合物を合成する方法（国際公開特許ＷＯ９８／３７０５９号公報）。４−フェニルフェノールを出発物質としてカルボン酸を経由し５段階で、シアノヒドロキシビフェニル化合物を合成する方法（国際公開特許ＷＯ９８／３７０６０号公報）。しかしながら、これら文献は、どちらも反応工程が長いなど工業的に行うには問題点があった。
▲７▼ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル金属化合物と４−ハロゲノベンゾニトリル化合物のクロスカップリング反応から４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−４’−シアノビフェニルを合成し、酸触媒の存在下で脱イソブテン反応させて４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルを合成する方法（特開２０００−３４４７２７号報）。しかしながら、この方法では、フェノール性水酸基の保護反応（ｔ−ブトキシ化）にイソブチレンガス（気体）を使用するため、取扱いが煩雑である。さらに、脱イソブテン反応（脱保護反応）の加水分解条件が厳しいという欠点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のシアノヒドロキシビフェニル化合物の合成法は、前記したような様々な問題点があり、そのためこれらに代る工業的に有利な製法の開発が望まれている。したがって、本発明は、これらの従来の方法に代わり、シアノヒドロキシビフェニル化合物の工業的に有利な製法の新規な前駆体であるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討を続けた。その結果、シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）を工業的に製造する上で、前駆体として新規化合物である、ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン（６）およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を使用して反応させることが極めて有用であることを見出した。
【０００６】
つまり、ハロゲノフェノール化合物（５）と２−メチル−２−ブテンから新規前駆体であるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）を製造し、このｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）から合成されるｔｅｒｔ−アミロキシフェニルホウ素化合物（２）（第１工程）と、ハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とを、遷移金属触媒および塩基の存在下に反応（第２工程）させることにより、シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の前駆体であるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を簡便に、かつ高収率、高純度で製造することができることを見出した。さらに、ｔｅｒｔ-アミロキシフェニルホウ素化合物（２）を単離精製することなく、上記第１工程と第２工程を連続して行い、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物をより簡便に、かつ高収率、高純度で製造できることを見出した。そして、このｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を穏やかな酸性条件下で加水分解（第３工程）することにより、シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）を効率よく、高収率かつ高純度に得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
なお、化合物名の（ ）内番号は、以下に示す一般式等の番号を示す。以下でも同様である。
【０００８】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
（１）下記一般式（１）
【化１８】
で表されるハロゲノベンゾニトリル化合物と、下記一般式（２）
【化１９】
で表されるホウ素化合物とを、遷移金属触媒および塩基の存在下で反応させることを特徴とする、下記一般式（３）
【化２０】
【０００９】
（２）下記一般式（３）
【化２１】
【化２２】
【００１０】
（３）下記一般式（５）
【化２３】
で表されるハロゲノフェノール化合物と、２−メチル−２−ブテンとを酸触媒の存在下で反応させることを特徴とする、下記一般式（６）
【化２４】
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物の製法。
【００１１】
（４）下記一般式（６）
【化２５】
と金属マグネシウムとから合成される下記一般式（７）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシフェニルマグネシウムハライド化合物
【化２６】
【化２７】
で表されるホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとを反応させ、加水分解することによって得ることができる、下記一般式（２）
【化２８】
で表されるホウ素化合物を単離することなく、反応溶液のままで下記一般式（１）
【化２９】
【化３０】
【００１２】
（５）下記一般式（３）
【化３１】
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物。
【００１３】
（６）前記一般式（３）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物が、下記式（９）
【化３２】
【００１４】
（７）下記一般式（６）
【化３３】
で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物。
【００１５】
（８）前記一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物が次式（１０）
【化３４】
で表されることを特徴とする、４−ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）およびその製法並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の製法を詳細に説明する。
【００１７】
［１］ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）の製造
本発明に係るｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）は、下記一般式（５）で表されるハロゲノフェノール化合物と、２−メチル−２−ブテンとを、硫酸などの酸触媒存在下で反応させることにより製造することができる。
【００１８】
【化３５】
【００１９】
このｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物（６）は、ホウ素化合物（２）の製造に重要な化合物である。
【００２０】
上記ハロゲノフェノール化合物（５）と２−メチル−２−ブテンの反応は、特に溶媒を加えずに行うこともできるが、有機溶媒中で行うこともできる。そのような有機溶媒としては、たとえば、トルエン、ベンゼンなどの炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルなどのエーテル類、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素類が挙げられる。
【００２１】
有機溶媒の使用量は、化合物（５）に対して、重量比で０．５〜２倍量の範囲であることが好ましく、特に等量であることが好ましい。
【００２２】
反応に用いられる酸触媒は、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、三フッ化ホウ素などが挙げられる。これらの酸触媒中、硫酸が特に好ましい。
【００２３】
酸触媒の使用量は、化合物（５）に対して０．５モル％〜２モル％が好ましく、特に１モル％であることが好ましい。
【００２４】
２−メチル−２−ブテンの使用量は、化合物（５）に対して、１〜５モル倍量が好ましく、特に２モル倍量であることが好ましい。
【００２５】
反応温度は−１５℃〜２５℃の範囲で実施できるが、特に０℃〜１０℃の範囲で反応させることが好ましい。
【００２６】
一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物の具体例として、
▲１▼２−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼン、
▲２▼３−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼン、
▲３▼４−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼン、
▲４▼２−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼン、
▲５▼３−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼン、
▲６▼４−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼン、
などが挙げられるが、本発明はこれらの例示に限定されるものではない。
【００２７】
［２］ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の製造
本発明におけるｔｅｒｔ−アミロキシビフェニル化合物の製造経路は以下に示すとおりである。
【００２８】
（第１工程）
【化３６】
【００２９】
（第２工程）
【化３７】
【００３０】
（第１工程）
前記一般式（２）で表されるホウ素化合物（２）は、一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物から合成される一般式（７）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシフェニルマグネシウムハライド化合物と、（ＲＯ）３Ｂで表されるホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル（８）とを反応させて得られる生成物を加水分解することによって得ることができる。
【００３１】
上記のグリニャール試薬（７）は、通常のグリニャール試薬の調製法により調製でき、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ベンゼン、トルエンなどを単独または２種類以上組み合わせた溶媒中で、上記ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とマグネシウムと反応させることで合成できる。ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物のハロゲンとしては、臭素原子または塩素原子が好ましい。このハロゲン化合物中のｔｅｒｔ−アミロキシ基の位置は、２位、３位、４位のいずれでもよい。
【００３２】
また、式（ＲＯ）３Ｂ で表されるホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル（８）は、炭素数が１〜６のものが使用できるが、なかでも炭素数が４〜６であるものが好ましい。
【００３３】
なお、これらのホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルは、たとえば、アルコールまたはナトリウムアルコキシドと、ホウ酸、無水ホウ酸または塩化ホウ酸との反応により合成することができる。
【００３４】
ホウ素化合物（２）の合成に係るグリニャール試薬と、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル（８）との反応は、有機溶媒中で行なうことが好ましく、このような有機溶媒としては、たとえば、ペンタン、ヘキサンなどの飽和炭化水素、トルエンなどの芳香族炭化水素、エーテル類などが挙げられる。
【００３５】
このようなグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとの反応は、上記溶媒中で、−５０〜４０℃の温度で行なうのが好ましい。このグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとの反応により、ホウ素化合物（２）を得る場合の、好ましい反応温度は、上記ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランを得る場合は、反応温度は−１０〜４０℃であることが好ましい。ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を得る場合は、反応温度は−１０〜４０℃であることが好ましく、ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸を得る場合は、反応温度は−５０〜−３０℃であることが好ましい。
【００３６】
上記ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボラン、ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸、ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸をそれぞれ合成するには、反応させるグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルの使用の割合を調製することにより、所望のホウ素化合物（２）を得ることができる。具体的には、上記ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランを得るには、グリニャール試薬１モルに対して、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル０．２〜０．４モル、好ましくは０．２５〜０．３５モルを使用することが望ましく、ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を得るには、グリニャール試薬１モルに対して、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル０．４５〜０．７モル、好ましくは０．５〜０．７モルを使用することが望ましく、ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸を得るには、グリニャール試薬１モルに対して、ホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステル０．８〜３モル、好ましくは０．９〜２モルを使用することが望ましい。
【００３７】
上記のようにしてグリニャール試薬とホウ酸トリ−ｎ−アルキルエステルとの反応で得られた化合物は、酸性条件下で加水分解することにより、ホウ素化合物（２）を得ることができる。このような加水分解で使用する酸は特に限定されず、各種の酸の存在下で行うことができ、たとえば、塩酸、希硫酸などを使用することができる。
【００３８】
（第２工程）ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の製造
第１工程で得られるホウ素化合物（２）は、単離精製してハロゲノベンゾニトリル化合物（１）との反応に用いてもよいし、上記のような方法で得られたホウ素化合物（２）の含有液を単離精製せずに、該含有液をそのままあるいは濃縮した含有液をそのままハロゲノベンゾニトリル化合物（１）との反応に使用することもできる。
【００３９】
なお、上記ホウ素化合物（２）の代りに、これらホウ素化合物から誘導される塩、エステル類、もしくはモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸の脱水体であるトリス（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボロキシンなどのホウ酸無水物もハロゲノベンゾニトリル化合物（１）との反応に用いることができる。
【００４０】
本発明においては、上記のようにして合成したホウ素化合物（２）とハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とを、遷移金属触媒、塩基の存在下に反応させて、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を得る。これらの触媒、塩基、原料であるハロゲノベンゾニトリル化合物（１）およびホウ素化合物（２）は同時に仕込んで反応させてもよいし、必要に応じてこれらの触媒、塩基、ハロゲノベンゾニトリル化合物（１）およびホウ素化合物（２）のうち１種または２種以上の混合物を滴下して反応させてもよい。
【００４１】
本発明に係るハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とホウ素化合物（２）との反応では、溶媒を特に加えずに行うこともできるし、溶媒中で行うこともできる。たとえば、水、トルエン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンなどのエーテル類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノールなどの炭素数が１〜６のアルコール類からなる群から選ばれる１または２種類以上の溶媒が挙げられる。
【００４２】
本発明に係る遷移金属触媒としては、各種遷移金属触媒を使用することができるが、このうち下記に例示するようなパラジウム触媒またはニッケル触媒を用いることが好ましい。
【００４３】
パラジウム触媒としては、
▲１▼ テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、
▲２▼ ビス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲３▼ １，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲４▼ １，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンパラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲５▼ １，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンパラジウム（ＩＩ）クロライド、
▲６▼ １，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンパラジウム（ＩＩ）クロライド
などが挙げられる。このうち、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を使用することが特に好ましい。
【００４４】
ニッケル触媒としては、
▲１▼ １，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド、
▲２▼ １，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンニッケル（ＩＩ）クロライド、
▲３▼ １，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンニッケル（ＩＩ）クロライド、
▲４▼ １，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケル（ＩＩ）クロライド
などが挙げられる。このうち、１,４-ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライドを使用することが特に好ましい。
【００４５】
本発明において、パラジウム触媒を使用する場合は、水と水以外の溶媒を併用するのが好ましく、特にテトラヒドロフランと水の混合溶媒を使用することが更に好ましい。また、ニッケル触媒の場合は、非水系で使用することが好ましい。
【００４６】
これら遷移金属触媒は、単独に使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。これら遷移金属触媒の使用量は、ハロゲノベンゾニトリル化合物 １モルに対し、０．１〜１０モル％であることが好ましく、０．２〜２モル％であることが更に好ましい。
【００４７】
本発明において塩基としては、具体的には、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、リン酸塩などが挙げられ、より具体的には、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸三カリウムなどの水溶性の塩基性化合物が挙げられる。これらは単独に使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。これら塩基の使用量は、ハロゲノベンゾニトリル化合物 １モルに対し、０．５〜５モル倍であることが好ましく、１〜３モル倍であることが更に好ましい。
【００４８】
このような、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）を得る反応では、ホウ素化合物（２）のホウ素一原子に結合するｔｅｒｔ−アミロキシフェニル基の数により、ハロゲノベンゾニトリル化合物（１）とホウ素化合物（２）の使用割合が変わる。
【００４９】
ホウ素化合物（２）において、ｎ＝０で表されるトリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランを用いる場合は、トリ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボランの使用量は、使用するハロゲノベンゾニトリル化合物１モルに対し、０．１〜０．５モルが好ましく、更に好ましくは０．３〜０．４である。ｎ＝１で表されるジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を用いる場合は、ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸の使用量は、使用するハロゲノベンゾニトリル化合物１モルに対し、０．５〜１．０モルが好ましく、更に好ましくは０．５〜０．８である。ｎ＝２で表されるモノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸を用いる場合は、モノ−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸の使用量は、使用するハロゲノベンゾニトリル化合物１モルに対し、０．８〜１．５モルが好ましく、更に好ましくは１．０〜１．５である。
【００５０】
本発明においては、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）のうち、出発原料であるハロゲノベンゾニトリル化合物（１）のハロゲン原子とシアノ基とがメタ位またはパラ位に結合した場合に得られる、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物のｔｅｒｔ−アミロキシ基がフェニル基の２’位、３’位または４’位のいずれかに結合し、シアノ基がフェニル基の３位または４位のいずれかに結合するｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物が好ましい。具体例として、
▲１▼２’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−３−シアノビフェニル、
▲２▼２’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル、
▲３▼３’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−３−シアノビフェニル、
▲４▼３’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル、
▲５▼４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−３−シアノビフェニル、
▲６▼４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル、
などが挙げられるが、本発明はこれらの例示のみに限定されるものではない。このうち特に、４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル化合物が好ましい。
【００５１】
［３］シアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の製造
本発明におけるシアノヒドロキシビフェニル化合物（４）の製造経路は以下に示すとおりである。
【００５２】
（第３工程）
【化３８】
ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）に対して、酸性条件下で加水分解することにより、ｔｅｒｔ−アミロキシ基の保護基であるｔｅｒｔ−アミル基を脱保護させてシアノヒドロキシビフェニル化合物を得ることができる。
【００５４】
この反応で用いるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）は、前記（第２工程）で得られるｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を含有した反応液をそのままかあるいは適度に濃縮等をしてそのまま用いてもよいし、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を精製してもよい。
【００５５】
本発明において、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）のうち、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物のｔｅｒｔ−アミロキシ基がフェニル基の２’位、３’位または４’位のいずれかに結合し、シアノ基がフェニル基の３位または４位のいずれかに結合するシアノビフェニル化合物を使用することが好ましい。
【００５６】
ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物からのｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護は、酸性条件下で行う。このような脱保護反応に使用する酸としては、硫酸、塩酸、トリフルオロ酢酸、トリフロロメタンスルホン酸トリメチルシラン、ヨウ化トリメチルシランなどが挙げられる。このうち、工業的には安価で取り扱いの容易な希硫酸が好ましい。
【００５７】
このようなｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護反応は、たとえば酸触媒として硫酸水を使用する場合、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）に、室温条件下で、硫酸水の濃度が３０〜９０％であることが好ましく、更に好ましくは６０〜８０％、特に好ましくは６５〜７０％の硫酸水を添加して行う。
【００５８】
このようなｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護反応は、有機溶媒中で行なうのが好ましく、たとえば、トルエン、テトラヒドロフランなどの有機溶媒が好ましく、特にテトラヒドロフランが好ましい。この溶媒の使用量は、ｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の重量の０．５〜２．０倍の量で、好ましくは０．８〜１．５倍の量である。
【００５９】
このようにしてｔｅｒｔ−アミロキシ基の脱保護反応を経て得られる、シアノヒドロキシビフェニル化合物を含有した反応液を水洗した後、たとえばシアノヒドロキシビフェニル化合物のＮａ塩として取り出したり、あるいは溶媒を留去しシリカゲルクロマトグラフィーや再結晶法などにより精製して、目的物であるシアノヒドロキシビフェニル化合物（４）を得ることができる。
【００６０】
従来の保護基であるｎ−ブトキシ基のようなｎ−アルコキシ基の脱保護反応では、特殊な試薬あるいは濃臭化水素などの強酸を必要とし、しかも還流下という厳しい反応条件で行う必要があり、反応途中で副反応を伴うなどの問題点があったのに比べ、本発明に係るｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物（３）の脱保護反応は、室温下に希硫酸などを添加することにより容易に行うことができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明に係るｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物の製造方法によれば、効率的な製造工程によりｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物を高収率かつ高純度に得ることができる。また、本発明に係るシアノヒドロキシビフェニル化合物の製造方法によれば、温和な条件下で効率よくシアノヒドロキシビフェニル化合物を高収率かつ高純度に得ることができる。
【００６２】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、これらの実施例により本発明は限定されるものではない。
【００６３】
実施例１ [４−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼンの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、４−ブロモフェノール１７．３ｇ（０．１モル）、ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物０．１９ｇ（０．００１モル）、２−メチル−２−ブテン１４．０ｇ（０．２モル）およびトルエン２０ｍｌを加え、この混合溶液を１０〜１５℃で約2時間攪拌した。反応終了後に反応液に１０％ＮａＯＨ水溶液を加え、未反応の４−ブロモフェノールを除去し、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物１７．３ｇを得た。これを蒸留（１０５℃／４ｍｍＨｇ）により精製し、精製品１４．５ｇを得た。収率５９．９％であった。得られた精製品を以下に示したごとくの１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定（以下の実施例でも同様）し、この精製品が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシブロモベンゼンであることを確認した。精製品の純度は９９．９％[ガスクロマトグラフィー（以下「ＧＣ」と略す。）より]であった。
【００６４】
実施例２ [４−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼンの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、４−クロロフェノール１２．９ｇ（０．１モル）、ｐ−トルエンスルホン酸・一水和物０．１９ｇ（０．００１モル）、２−メチル−２−ブテン１４．０ｇ（０．２モル）およびトルエン２０ｍｌを加え、この混合溶液を１０〜１５℃で約2時間攪拌した。反応終了後に反応液に１０％ＮａＯＨ水溶液を加え、未反応の４−クロロフェノールを除去し、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物１４．３ｇを得た。これを蒸留（９６℃／５ｍｍＨｇ）により精製し、精製品１０．９ｇを得た。収率５４．９％であった。得られた精製品を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製品が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシクロロベンゼンであることを確認した。精製品の純度は９９．９％（ＧＣより）であった。
【００６６】
実施例３ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸２．１ｇ（０．００６モル）、４−クロロベンゾニトリル１．５ｇ（０．０１１モル）、リン酸三カリウム６．９ｇ（０．０３３モル）およびテトラヒドロフラン１０ｍｌを加え、これに１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．０６１ｇ（０．１１ミリモル）を加えた後、この混合溶液を還流温度で約2時間攪拌した。反応終了後に反応液を室温まで冷却した後、トルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを反応液に加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物３．３ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、２．８８ｇの精製結晶を得た。収率９８．７％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００６８】
実施例４ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸２．０８ｇ（０．０１０モル）、４−ブロモベンゾニトリル１．６４ｇ（０．００９モル）、テトラヒドロフラン１０ｍｌ，水酸化ナトリウム０．７２ｇ（０．０１８モル）および水１ｇを導入した。これにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２１ｇ（０．１８ミリモル）を加えた後、この混合溶液を還流温度で１０時間攪拌還流した。反応終了後に反応液を室温まで冷却した後、トルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗生成物２．７５ｇを得た。これを、シリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶２．３４ｇを得た。収率は９８．０％（４−ブロモベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．１％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７０】
実施例５ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸２．５ｇ（０．０１２モル）、４−クロロベンゾニトリル１．５ｇ（０．０１１モル）、テトラヒドロフラン１０ｍｌおよびリン酸三カリウム６．９ｇ（０．０３３モル）を導入した。これに１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．０６１ｇ（０．１１ミリモル）を加え、この混合溶液を還流温度で１０時間攪拌した。反応終了後に反応液を室温まで冷却した後、トルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物３．０２ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶２．８４ｇを得た。収率は９７．３％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７１】
実施例６ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルボロン酸無水物（ボロキシン）２．３ｇ（０．００４モル）、４−クロロベンゾニトリル１．５ｇ（０．０１１モル）、テトラヒドロフラン１０ｍｌおよびリン酸三カリウム６．９ｇ（０．０３３モル）を導入した。これに１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．０６１ｇ（０．１１ミリモル）を加え、この混合溶液を還流温度で５時間攪拌した。反応終了後に反応液を室温まで冷却しトルエン１０ｍｌおよび水１０ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水１０ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物３．１２ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶２．８０ｇを得た。収率は９５．９％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７２】
実施例７ [４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、これにマグネシウム１．５ｇ（０．０６２モル）、少量の臭化エチルを入れて撹拌し、マグネシウムを活性化した。次いで、４−ｔｅｒｔ−アミロキシクロルベンゼン６．２ｇ（０．０３１モル）をテトラヒドロフラン９ｍｌとトルエン５ｍｌの混合溶媒に溶解させた溶液を、フラスコ中の溶液の温度が７０℃になるようにして５時間かけて滴下ロートで滴下した。滴下後、フラスコ中の溶液の温度が７０℃のままで２時間撹拌し、グリニャール試薬として４−ｔｅｒｔ−アミロキシフェニルマグネシウムクロライドを得た。このグリニャール試薬をトルエン４ｍｌに希釈したホウ酸トリ−ｎ−ヘキシルエステル６．６ｇ（０．０２１モル）中に３５〜４５℃で１時間かけて滴下し、滴下後、３５〜４５℃で１時間攪拌した。反応終了後、この反応液に、３０℃以下で１０％硫酸水溶液１１．９ｇを加えて加水分解し分液した。得られた有機層を１％硫酸水溶液９ｍｌで洗浄し、さらに水９ｍｌで２回洗浄した。その結果、４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を主成分とするホウ素化合物のテトラヒドロフラン／トルエン溶液２７．８ｇを得た。還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに上記の方法で合成した、４，４’−ジ（ｔｅｒｔ−アミロキシフェニル）ボリン酸を含む反応液を２７．８ｇ、４−クロロベンゾニトリル３．６ｇ（０．０２６モル）およびリン酸三カリウム１６．６ｇ（０．０７８モル）を導入した。この混合溶液に１，４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタンニッケル（ＩＩ）クロライド０．１５ｇ（０．２６ミリモル）を加え、溶液を還流温度で２時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却しトルエン２５ｍｌおよび水２５ｍｌを加えて分液した。さらに、得られた有機層を水２５ｍｌで２回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗組成物６．３ｇを得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝１／５（ｖ／ｖ）]により精製し、精製結晶６．８１ｇを得た。収率は９８．７％（４−クロロベンゾニトリルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１０２〜１０４℃であった。
【００７３】
実施例８ [４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルの製造]
還流冷却器、温度計、滴下ロートおよび攪拌機を備えた四頚フラスコを窒素置換し、このフラスコに４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニル２．６５ｇ（０．０１０モル）、テトラヒドロフラン３ｍｌと７０％硫酸水１．５ｇ（０．０１１モル）を導入し、２０〜３０℃で４時間攪拌した。反応終了後、水３ｍｌおよびトルエン３ｍｌを反応液に加えて分液し、得られた有機層を水３ｍｌで３回洗浄し減圧条件で溶媒を留去し、粗結晶を２．２５ｇ得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー[展開溶媒：酢酸エチル／ヘキサン＝５／１（ｖ／ｖ）]により精製し、白色結晶１．８７ｇを得た。収率は９４．４％（４’−ｔｅｒｔ−アミロキシ−４−シアノビフェニルより）であった。得られた精製結晶を１Ｈ−ＮＭＲ、質量分析により同定し、この精製結晶が４−シアノ−４’−ヒドロキシビフェニルであることを確認した。精製結晶の純度は９９．０％（ＧＣより）であり、結晶の融点は、１９４〜１９５℃であった。
【００７４】
Claims (2)
- 下記一般式（６）
- 請求項１記載の一般式（６）で表されるｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物が、次式（１０）
で表される４−ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316684A JP4165858B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とその製法およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物とその製法、並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物の製法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316684A JP4165858B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とその製法およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物とその製法、並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003119175A JP2003119175A (ja) | 2003-04-23 |
| JP4165858B2 true JP4165858B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=19134653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001316684A Expired - Fee Related JP4165858B2 (ja) | 2001-10-15 | 2001-10-15 | ｔｅｒｔ−アミロキシハロゲノベンゼン化合物とその製法およびｔｅｒｔ−アミロキシシアノビフェニル化合物とその製法、並びにシアノヒドロキシビフェニル化合物の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4165858B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AR052930A1 (es) | 2005-03-02 | 2007-04-11 | Basf Ag | Procedimiento para la preparacion de bifenilos sustituidos |
| US7521581B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-04-21 | Tosoh Corporation | Catalyst composition and process for producing cross-coupled compound using same |
| CA2636695A1 (en) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | Basf Se | Process for preparing substituted biphenyls |
| JP4907463B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2012-03-28 | 東ソー株式会社 | 触媒組成物及びそれを用いたクロスカップリング化合物の製造方法 |
| KR101751249B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2017-06-27 | 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 | 테트라아릴보레이트를 사용한 치환된 비페닐의 제조 방법 |
| CN102503855A (zh) * | 2011-12-09 | 2012-06-20 | 华东理工大学 | 4-氰基联苯的合成方法 |
| JP6616244B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2019-12-04 | 北興化学工業株式会社 | 新規なヒドロキシフェニルボロン酸エステルとその製造方法、およびヒドロキシビフェニル化合物の製造法 |
-
2001
- 2001-10-15 JP JP2001316684A patent/JP4165858B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003119175A (ja) | 2003-04-23 |
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