JPH02160739A - ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法 - Google Patents
ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法Info
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- JPH02160739A JPH02160739A JP63314948A JP31494888A JPH02160739A JP H02160739 A JPH02160739 A JP H02160739A JP 63314948 A JP63314948 A JP 63314948A JP 31494888 A JP31494888 A JP 31494888A JP H02160739 A JPH02160739 A JP H02160739A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ヒドロキシル基を有するスチレン重合体の原
料または医農薬の中間体として有用なフェノール化合物
の前駆体のｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法に
関する。
料または医農薬の中間体として有用なフェノール化合物
の前駆体のｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法に
関する。
【股五且遣
本発明の製造法により得られるｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
スチレンは、公知化合物である。その一般的な合成法と
しては、ｍ−ブロモスチレンのグリニヤール試薬を合成
し、これに過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを反応
させる方法がある。しかしながら、この方法では１反応
操作メ昼険性があり、収率も低いため、工業化に際して
は問題が多い（米国特許第４６０３１０１号明細書、特
開昭５９−１９９７０５号公報）。
スチレンは、公知化合物である。その一般的な合成法と
しては、ｍ−ブロモスチレンのグリニヤール試薬を合成
し、これに過安息香酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを反応
させる方法がある。しかしながら、この方法では１反応
操作メ昼険性があり、収率も低いため、工業化に際して
は問題が多い（米国特許第４６０３１０１号明細書、特
開昭５９−１９９７０５号公報）。
が しようと る
本発明は、前記した従来技術の問題点を改善して、工業
的に有利なｍ −ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの工業的
に有利な製造法を提供するものである。
的に有利なｍ −ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの工業的
に有利な製造法を提供するものである。
本発明者らは、前記した従来技術の問題点を解決するた
めにｍ−ｔｅｒｔ−ブトキクスチレンの合成法について
鋭意検討した。その結果、工業的に有利なｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシスチレンの製造法を見いたすに至った。
めにｍ−ｔｅｒｔ−ブトキクスチレンの合成法について
鋭意検討した。その結果、工業的に有利なｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシスチレンの製造法を見いたすに至った。
したがって、第１の本発明の要旨とするところ（式中、
Ｘは、ハロゲン原子を示す、）で示されるｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルマグネシウムパライドにニッケルホ
スフィン錯体触媒の存在下で、一般式 ％式％（） （式中、ｘ′は、ハロゲン原子を示す、）で示されるビ
ニルハライドを反応させることを特徴とする。
Ｘは、ハロゲン原子を示す、）で示されるｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルマグネシウムパライドにニッケルホ
スフィン錯体触媒の存在下で、一般式 ％式％（） （式中、ｘ′は、ハロゲン原子を示す、）で示されるビ
ニルハライドを反応させることを特徴とする。
で示されるｍ −ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法
にある。
にある。
第２の本発明の要旨とするところは、一般式（式中、Ｘ
は、ハロゲン原子を示す、）で示されるｍ −ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルハライトと金属マグネシウムとを反
応させ、一般式 （式中、Ｘは、前記に同じ、）で示されるｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルマグネシウムハライドとし、このグ
リニヤール試薬にニッケルホスフィン錯体触媒の存在下
に、一般式 ％式％） （式中、ｘ′は、ハロゲン原子を示す、）で示されるビ
ニルパライトを反応させることを特徴とする。
は、ハロゲン原子を示す、）で示されるｍ −ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルハライトと金属マグネシウムとを反
応させ、一般式 （式中、Ｘは、前記に同じ、）で示されるｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルマグネシウムハライドとし、このグ
リニヤール試薬にニッケルホスフィン錯体触媒の存在下
に、一般式 ％式％） （式中、ｘ′は、ハロゲン原子を示す、）で示されるビ
ニルパライトを反応させることを特徴とする。
で示されるｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法に
ある。
ある。
本発明におけるｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの合成
の反応式を下記に示す。
の反応式を下記に示す。
（ＩＶ） （ｍ）ノＩｔ／
（Ｉ ） （式中、ｘ、ｘ′は同一または異なるハロゲン原子を示
す、） 本発明の原料である式（ＩＶ）のｍ −ｔａｒｔ−ブト
キシハロゲノベンゼンを得るには１ｍ−ハロゲノフェノ
ールの水酸基をルイス酸触媒の存在下で。
（Ｉ ） （式中、ｘ、ｘ′は同一または異なるハロゲン原子を示
す、） 本発明の原料である式（ＩＶ）のｍ −ｔａｒｔ−ブト
キシハロゲノベンゼンを得るには１ｍ−ハロゲノフェノ
ールの水酸基をルイス酸触媒の存在下で。
ｔｅｒｔ−ブタノールやイソブチレンを用いてｔｅｒｔ
−ブチル化すればよい、このような式（ＩＶ）のｍ −
ｔｅｒｔ−ブトキシハロゲノベンゼンとしては、塩ムハ
ライトを得るには、常法に従って、活性化した金属マグ
ネシウムを無水のテトラヒドロフランなどの溶媒に浸し
、この溶液を攪拌しながら上記方法により得た式（ＩＶ
）のｍ−Ｌｅｒｔ−ブトキシハロゲノベンゼンを２０℃
から溶媒の還流温度で滴下し、さらに１〜８時間の攪拌
を続けることによって得られる。 この反応に使用する
金属マグネシウムは、市販のリボン状あるいはチップ状
のものを使用すればよい、また、塩化マグネシウムを金
属カリウムなどで還元して得られる原子状のマグネシウ
ムを用いることもできる。金属マグネシウムを活性化す
るには１通常、窒素雰囲気下で加熱したり、または減圧
条件下で加熱して、微量のヨウ素あるいはヨウ化メチル
、臭化メチル、ジブロモエタンなどを添加することが好
ましい。
−ブチル化すればよい、このような式（ＩＶ）のｍ −
ｔｅｒｔ−ブトキシハロゲノベンゼンとしては、塩ムハ
ライトを得るには、常法に従って、活性化した金属マグ
ネシウムを無水のテトラヒドロフランなどの溶媒に浸し
、この溶液を攪拌しながら上記方法により得た式（ＩＶ
）のｍ−Ｌｅｒｔ−ブトキシハロゲノベンゼンを２０℃
から溶媒の還流温度で滴下し、さらに１〜８時間の攪拌
を続けることによって得られる。 この反応に使用する
金属マグネシウムは、市販のリボン状あるいはチップ状
のものを使用すればよい、また、塩化マグネシウムを金
属カリウムなどで還元して得られる原子状のマグネシウ
ムを用いることもできる。金属マグネシウムを活性化す
るには１通常、窒素雰囲気下で加熱したり、または減圧
条件下で加熱して、微量のヨウ素あるいはヨウ化メチル
、臭化メチル、ジブロモエタンなどを添加することが好
ましい。
また、式（ｍ）のグリニヤール試薬の合成で使用される
溶剤としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテル
、ジグライムなどの単独のエーテル系雨媒のほか、これ
らの溶媒とグリニヤール試薬に対して不活性な溶媒、例
えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、オク
タンなどとの混合溶媒の系でも同様に使用できる。
溶剤としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテル
、ジグライムなどの単独のエーテル系雨媒のほか、これ
らの溶媒とグリニヤール試薬に対して不活性な溶媒、例
えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、オク
タンなどとの混合溶媒の系でも同様に使用できる。
次に、本発明の目的とする式（Ｉ）のｍ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシスチレンは公知物質であるが、前記により得た式
（ｍ）のグリニヤール試薬、または市賑品もしくは他の
方法により得た式（ＩＩＩ）のグリニヤール試薬にニッ
ケルホスフィン錯体触媒の存在下テ、式（ＩＩ）のビニ
ルハライドを作用させ、クロスカップリング反応により
得られる。ここで使用される式（ＩＩ）のビニルハライ
ドとしては、塩化ビニル、臭化ビニルおよびヨウ化ビニ
ルか好ましい、また、このクロスカップリング反応の触
媒としては、ニッケルホスフィン錯体が有効であるが、
特に二座配位ホスフィン錯体か有効であり、その例とし
て、次のものがあげられ、活性面ですぐれている。
トキシスチレンは公知物質であるが、前記により得た式
（ｍ）のグリニヤール試薬、または市賑品もしくは他の
方法により得た式（ＩＩＩ）のグリニヤール試薬にニッ
ケルホスフィン錯体触媒の存在下テ、式（ＩＩ）のビニ
ルハライドを作用させ、クロスカップリング反応により
得られる。ここで使用される式（ＩＩ）のビニルハライ
ドとしては、塩化ビニル、臭化ビニルおよびヨウ化ビニ
ルか好ましい、また、このクロスカップリング反応の触
媒としては、ニッケルホスフィン錯体が有効であるが、
特に二座配位ホスフィン錯体か有効であり、その例とし
て、次のものがあげられ、活性面ですぐれている。
ジクロロ（ｌ、２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン）ニッケル。
ン）ニッケル。
ジブロモ（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン）ニッケル、 ジクロロ（ｌ、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロ
パン）ニッケル。
ン）ニッケル、 ジクロロ（ｌ、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロ
パン）ニッケル。
ジブロモ（ｌ、３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロ
パン）ニッケル、 ジクロロ〔１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタ
ン〕ニッケル、 ジブロモ（１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタ
ン）ニッケル。
パン）ニッケル、 ジクロロ〔１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタ
ン〕ニッケル、 ジブロモ（１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタ
ン）ニッケル。
このニッケルホスフィン錯体の使用量は、式（ｍ）のグ
リニヤール試薬であるｍ −ｊＣｒｌ−ブトキシフェニ
ルマグネシウムハライドに対して１０−’ 〜１０−”
モル倍、通常は５ｘｌＯ−４〜５ｘ１０１モル倍程度で
よい。
リニヤール試薬であるｍ −ｊＣｒｌ−ブトキシフェニ
ルマグネシウムハライドに対して１０−’ 〜１０−”
モル倍、通常は５ｘｌＯ−４〜５ｘ１０１モル倍程度で
よい。
次に式（ｍ）のグリニヤール試薬にビニル基を導入して
本発明の目的とする式（Ｉ）の化合物を得るクロスカッ
プリング反応の操作をより詳しく下記に示す。
本発明の目的とする式（Ｉ）の化合物を得るクロスカッ
プリング反応の操作をより詳しく下記に示す。
まず、上記により得た式（ｍ）のｍ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シマグネシウムハライドを含む溶液に、上記した範囲の
量のニッケルホスフィン錯体触媒を添加して０〜７０℃
、好ましくは２０〜４０°Ｃの温度で式（ＩＩ）のビニ
ルハライドをガス状で吹き込むか、溶媒に溶解して滴下
して反応を進め、さらに１〜５時間攪拌を続けて反応を
完結させる０反応終了後は、この反応液に塩化アンモニ
ウム水溶液などを加えて生成した塩を溶解して除き、有
機層を水洗した後、芒硝で脱水する。そして、溶媒を留
去して、 ｔｅｒｔ−ブチルカテコールなどの重合防止
剤を添加し、減圧蒸留すると、目的とする式（１）のｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンを得る。
シマグネシウムハライドを含む溶液に、上記した範囲の
量のニッケルホスフィン錯体触媒を添加して０〜７０℃
、好ましくは２０〜４０°Ｃの温度で式（ＩＩ）のビニ
ルハライドをガス状で吹き込むか、溶媒に溶解して滴下
して反応を進め、さらに１〜５時間攪拌を続けて反応を
完結させる０反応終了後は、この反応液に塩化アンモニ
ウム水溶液などを加えて生成した塩を溶解して除き、有
機層を水洗した後、芒硝で脱水する。そして、溶媒を留
去して、 ｔｅｒｔ−ブチルカテコールなどの重合防止
剤を添加し、減圧蒸留すると、目的とする式（１）のｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンを得る。
以下に具体的に実施例を示して本発明を説明する。
実施例１
窒Ｊ置換した１２容量の４径フラスコにチップ状の金属
マグネシウム ２９．２ｇ （１，２モル）と無水テト
ラヒドロフラン ３０ｍＪＬを入れて、臭化エチル約２
ｍｊＬを加えて攪拌し、発泡による反応の開始を確認し
てｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロルベンゼン １８４．７
ｇ （１，０モル）を４００ｍ１の無水のテトラヒドロ
フランに溶解し、還流温度で２時間を要して滴下し、さ
らに５時間還流を続けてグリニヤール試薬を得た。この
グリニヤール試薬の一部を取り、加水分解してガスクロ
マトグラフィーにより分析を行うと、転換率は９９．７
％であった。
マグネシウム ２９．２ｇ （１，２モル）と無水テト
ラヒドロフラン ３０ｍＪＬを入れて、臭化エチル約２
ｍｊＬを加えて攪拌し、発泡による反応の開始を確認し
てｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシクロルベンゼン １８４．７
ｇ （１，０モル）を４００ｍ１の無水のテトラヒドロ
フランに溶解し、還流温度で２時間を要して滴下し、さ
らに５時間還流を続けてグリニヤール試薬を得た。この
グリニヤール試薬の一部を取り、加水分解してガスクロ
マトグラフィーにより分析を行うと、転換率は９９．７
％であった。
次いで前記の操作により、得られたグリニヤール試薬を
未反応のマグネシウムと分離するために上澄液をグラス
フィルターで濾過して別の１見容量の４径フラスコに移
し、触媒としてジクロロ（ｌ、３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）プロパン）ニッケル ２．７ｇ （０，００
５モル）を入れ、冷却して攪拌しながら３０℃でビニル
クロライド９３．８ｇ （０，５モル）を約１時間を要
して吹き込み、さらに１時間同温度で攪拌を続けた。
未反応のマグネシウムと分離するために上澄液をグラス
フィルターで濾過して別の１見容量の４径フラスコに移
し、触媒としてジクロロ（ｌ、３−ビス（ジフェニルホ
スフィノ）プロパン）ニッケル ２．７ｇ （０，００
５モル）を入れ、冷却して攪拌しながら３０℃でビニル
クロライド９３．８ｇ （０，５モル）を約１時間を要
して吹き込み、さらに１時間同温度で攪拌を続けた。
反応後、冷却攪拌しながら３００ ｍ ｌの塩化アンモ
ニウム飽和水溶液を加えて、生成した塩を溶解し、さら
にベンゼン３００ｎＪｌを加えて有機層を分離し、水洗
後、芒硝で脱水する。そして、溶媒を留去して粗製のｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンを得た。
ニウム飽和水溶液を加えて、生成した塩を溶解し、さら
にベンゼン３００ｎＪｌを加えて有機層を分離し、水洗
後、芒硝で脱水する。そして、溶媒を留去して粗製のｍ
−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンを得た。
さらに、これに重合防止剤としてｔｅｒｔ−ブチルカテ
コール ２ｇを加えて減圧蒸留し、沸点６Ｂ’Ｃ１０，
５ｍｍＨｇの留分としてｍ−ｊｅｒｋ−ブトキシスチレ
ン１６２．５ｇ （収率 ９２．２％）を得た。
コール ２ｇを加えて減圧蒸留し、沸点６Ｂ’Ｃ１０，
５ｍｍＨｇの留分としてｍ−ｊｅｒｋ−ブトキシスチレ
ン１６２．５ｇ （収率 ９２．２％）を得た。
新値とＮＭＲスペクトルは次のとおりであった。
及ｍ舅 ＣＨ
計算値 ８１．８％ ９．１％
実測値 ８１．８ ９．１
ａ Ｈ。
６１．３６ （９Ｈ，ｓ、Ｈａ）δ６．
７４〜７．２０ （４Ｍ、ｍ、Ｗｂ）δ６．８０
（１Ｂ、ｇ、Ｈｃ）δ５． １６
（１Ｍ、ｄ、Ｈｄ）６５．６４
（ＩＨ，ｄ、Ｈａ）害ｍ 窒素置換したｌ皇容量の４径フラスコにチップ状の金属
マグネシウム ２９．２ｇ （１，２モル）、ｍ−ｊｅ
ｒｔ−ブトキシブロモベンゼン２２９．１ｇ （１，０
モル）、ジエチルエーテル７００１１１Ｍを用いてグリ
ニヤール試薬を合成した。この反応でのグリニヤール試
薬の転換率は９９．８％であった。
７４〜７．２０ （４Ｍ、ｍ、Ｗｂ）δ６．８０
（１Ｂ、ｇ、Ｈｃ）δ５． １６
（１Ｍ、ｄ、Ｈｄ）６５．６４
（ＩＨ，ｄ、Ｈａ）害ｍ 窒素置換したｌ皇容量の４径フラスコにチップ状の金属
マグネシウム ２９．２ｇ （１，２モル）、ｍ−ｊｅ
ｒｔ−ブトキシブロモベンゼン２２９．１ｇ （１，０
モル）、ジエチルエーテル７００１１１Ｍを用いてグリ
ニヤール試薬を合成した。この反応でのグリニヤール試
薬の転換率は９９．８％であった。
次いて、実施例１と同様の操作により得たグリニヤール
試薬を別のフラスコに移して、触媒としてジクロロ（ｌ
、２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）ニッケル
２．６１ （０，００５モル）を入れ、冷却して撹拌し
ながら３０”Ｃてビニルブロマイド１３８．２ｇ （１
モル）を１時間を要して吹き込み、さらに同温度で１時
間攪拌を続けた。
試薬を別のフラスコに移して、触媒としてジクロロ（ｌ
、２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）ニッケル
２．６１ （０，００５モル）を入れ、冷却して撹拌し
ながら３０”Ｃてビニルブロマイド１３８．２ｇ （１
モル）を１時間を要して吹き込み、さらに同温度で１時
間攪拌を続けた。
反応後も実施例１と同様に塩化アンモニウム水溶液で処
理して有機層を得て、これを水洗し、芒硝で脱水後、溶
媒を留去し、重合防止剤としてｔｅｒＬ−ブチルカテコ
ール ２ｇを鰯加し、減圧蒸留し、沸点６８℃７０ 、
５ ｍａＨｇの留分としてｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチ
レン １６３．０ｇ、（収率９２．５％）を得た。ガス
クロマトグラフィーによる分析純度は９９．９％であり
、元素分析値とＮＭＲスペクトルは実施例１と全く同一
であった。
理して有機層を得て、これを水洗し、芒硝で脱水後、溶
媒を留去し、重合防止剤としてｔｅｒＬ−ブチルカテコ
ール ２ｇを鰯加し、減圧蒸留し、沸点６８℃７０ 、
５ ｍａＨｇの留分としてｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチ
レン １６３．０ｇ、（収率９２．５％）を得た。ガス
クロマトグラフィーによる分析純度は９９．９％であり
、元素分析値とＮＭＲスペクトルは実施例１と全く同一
であった。
ハユ」［九！し１釆
本発明の製造法は、従来の合成法に比べ、高純度で高収
率のｍ −ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンか安全に、しか
も簡単な操作により得られるため、工業的に極めて有利
である。
率のｍ −ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンか安全に、しか
も簡単な操作により得られるため、工業的に極めて有利
である。
特許出願人 北興化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）で示されるｍ−
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルマグネシウムハライドにニ
ッケルホスフィン錯体触媒の存在下で、一般式 ＣＨ＿２＝ＣＨ−Ｘ′ （式中、Ｘ′は、ハロゲン原子を示す。）で示されるビ
ニルハライドとを反応させることを特徴とする、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法。 ２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、ハロゲン原子を示す。）で示されるｍ−
ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルハライドと金属マグネシウ
ムとを反応させ、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは、前記と同じ。）で示されるｍ−ｔｅｒｔ
−ブトキシフェニルマグネシウムハライドとし、このグ
リニヤール試薬にニッケルホスフィン錯体触媒の存在下
に、一般式 ＣＨ＿２＝ＣＨ−Ｘ′ （式中、Ｘ′は、ハロゲン原子を示す。）で示されるビ
ニルハライドを反応させることを特徴とする、 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314948A JPH02160739A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314948A JPH02160739A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02160739A true JPH02160739A (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=18059588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63314948A Pending JPH02160739A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02160739A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472567B2 (en) | 1998-01-30 | 2002-10-29 | Tosoh Corporation | Process for the production of styrene compound, and styrene compound free from biphenyl |
| US6479709B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-11-12 | Tosoh Corporation | Process for the production of styrene derivative |
| JP2004189599A (ja) * | 2001-10-23 | 2004-07-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | 不飽和有機化合物誘導体の製造方法 |
| JP2006036757A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Toray Ind Inc | シリコーンモノマーの製造方法 |
| JP2007084563A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-04-05 | Tosoh Corp | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6072833A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-24 | Hokko Chem Ind Co Ltd | 芳香族ビニル化合物の改良製造法 |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP63314948A patent/JPH02160739A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6072833A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-24 | Hokko Chem Ind Co Ltd | 芳香族ビニル化合物の改良製造法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472567B2 (en) | 1998-01-30 | 2002-10-29 | Tosoh Corporation | Process for the production of styrene compound, and styrene compound free from biphenyl |
| US6479709B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-11-12 | Tosoh Corporation | Process for the production of styrene derivative |
| DE19903925B4 (de) * | 1998-01-30 | 2013-07-25 | Tosoh Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Styrolderivates |
| JP2004189599A (ja) * | 2001-10-23 | 2004-07-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | 不飽和有機化合物誘導体の製造方法 |
| JP4581321B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2010-11-17 | 住友化学株式会社 | 不飽和有機化合物誘導体の製造方法 |
| JP2006036757A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-02-09 | Toray Ind Inc | シリコーンモノマーの製造方法 |
| JP2007084563A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-04-05 | Tosoh Corp | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
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