JPH01106835A - パラー第三級−ブトキシスチレンの合成法 - Google Patents

パラー第三級−ブトキシスチレンの合成法

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JPH01106835A
JPH01106835A JP26399587A JP26399587A JPH01106835A JP H01106835 A JPH01106835 A JP H01106835A JP 26399587 A JP26399587 A JP 26399587A JP 26399587 A JP26399587 A JP 26399587A JP H01106835 A JPH01106835 A JP H01106835A
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正行 梅野
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荒木 義博
Sumio Wakabayashi
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ)発明の目的 (産業上の利用分野) 本発明は、医農薬の中間体として使用されるフェノール
化合物の前駆体として有用な、また、レジスト材料やエ
ポキシ硬化触媒として使用されるポリ−パラ−ヒドロキ
シスチレンを得るための原料上ツマ−として有用なバラ
−第三級−ブトキシスチレンの新規な合成法に関する。
本発明の目的化合物であるバラ−第三級−ブトキシスチ
レンは単独重合や共重合によりポリ−パラ−第三級−ブ
トキシスチレンに、また、ポリ−パラ−第三級−ブトキ
シスチレンのビニル基に種々の反応剤を作用させて誘導
体にそれぞれ導くことができる。そして、これらの化合
物は酸触媒により特異的に第三級−ブチル基か脱離する
ため、前記のポリ−バラ−ヒドロキシスチレンやフェノ
ール類に容易に変換できる。
(従来の技術) 本発明の目的化合物であるバラ−第三級−ブトキシスチ
レンは既知である。そして、この化合物の従来の合成法
は、米国特許第4603101号明細書及び特開昭59
−199705号公報において、バラ−ブロモスチレン
あるいはバラ−クロロスチレンのグリニヤール試薬に過
安息香酸−第三級−ブチルエステルを反応させて行われ
る。しかし、これらの公報に記載の方法によれば、パラ
−第三級−ブトキシスチレンの収率は20%と極めて低
い(米国特許第4603101号明細書)。
また、本発明の目的化合物の異性体であるバラ−n−ブ
トキシスチレンは、バラ−n−ブトキシフェネチルアル
コールをアルカリ条件下でφ脱水反応させれば得られる
。しかし、このバラ−n−ブトキシスチレンの脱n−ツ
チル基反応は、きわめて困難をともなうため、これから
ポリ−バラ−ヒドロキシスチレンやフェノール類を得ら
れない。
(発明か解決しようとする問題点) 従来のパラ−第三級−ブトキシスチレンの合成法は、原
料の一つとして、入手か困難で、かつ高価であり、しか
も操作上の安全性ても問題のある過安息香酸−第三級−
ブチルエステルを第三級−ブトキシ化剤として使用する
ため、工業規模の合成法としては好ましくない。したが
って、本発明は、このような問題点かなく、工業的規模
での合成に適したパラ−第三級−ブトキシスチレンの新
規な合成法を提供することを目的とするものである。
旦ユJL里!す1處 (問題を解決するための手段) 本発明者らは、かかる問題点を解決するために種々の合
成法について鋭意検討を重ねた。その結果、下記の知見
を得て極めて有利なlI$バラ−第三級−ブトキシスチ
レンの新規な合成法を発明するに至った。すなわち、パ
ラ−第三級−ブトキシフェニルハライトを金属マグネシ
ウムと反応させてパラ−第三級−ブトキシフェニルマグ
ネシウムハライドとし、これをニッケルホスフィン錯体
触媒の存在下に、ビニルハライドを作用させることによ
り、パラ−第三級−ブトキシスチレンを高純度、高収率
で得る合成法を完成した。
本発明におけるパラ−第三級−ブトキシスチレンの合成
方法を反応式で示せば、次のとおりである。
(m) (I) (式中、X + 、 X 2は同一または異なるハロゲ
ン原子を示す) 本発明のパラ−第三級−ブトキシスチレン(I)は、バ
ラ−ハロゲノフェノールのヒドロキシル基を第三級−ブ
チル基で保護したパラ−第三級−ブトキシフェニルハラ
イト(II)を金属マグネシウムと反応させ、グリニヤ
ール試薬であるパラ−第三級−ブトキシフェニルマグネ
シウムハライト(m)とし、これにニッケルホスフィン
錯体触媒の存在下で塩化ビニル、臭化ビニルなどのビニ
ルハライドとのクロスカップリング反応により目的とす
るパラ−第三級−ブトキシスチレンを合成できる。
以下、本発明の合成法をさらに詳細に説明する。
一般式(III)の化合物は、次の方法により容易に合
成しつる。すなわち、活性化した金属マグネシウムを無
水テトラヒドロフラン中でかきまぜつつ、一般式(n)
の化合物を20℃ないし溶媒の還流温度て滴下し、さら
に、1〜8時間攪拌することによって得られる。
反応に使用する金属マグネシウムは、市販のテープ状あ
るいは削り状物を一般式(II)の化合物に対して1〜
3倍モル程度を使用する。
この反応の開始に先立って金属マグネシウムを活性化さ
せるために、窒素雰囲気あるいは減圧条件で加熱してか
きまぜたり、微量のヨウ素あるいはヨウ化メチル、臭化
エチル、ジブロモエタンなどを添加することは、グリニ
ヤール反応を円滑に進める上で有効である。
この反応で使用しつる化合物(II)のへロゲン化合物
としては、塩化物あるいは臭化物の使用か望ましい。
一般式(III)の化合物の合成時の溶媒は、テトラヒ
ドロフランやジエチルエーテルなどの単独系のほか、こ
れらと不活性な溶媒、例えば、ベンゼンやトルエンなど
との混合溶媒の系であっても同様に有効に使用でき、特
に、一般式(II)のハライドか臭化物の場合は、ジエ
チルエーテル溶媒中ても容易にグリニヤール試薬を得る
ことができる。
なお、一般式(m)においてXlか塩素であるバラ−第
三級−ブトキシフェニルマグネシウムクロリドは新規化
合物である。
一般式(I)の化合物は、グリニヤール試薬(m)にニ
ッケルホスフィン錯体触媒の存在下で、ビニルハライド
、例えば、塩化ビニルや臭化ビニルとのクロスカップリ
ング反応により得られる。
このクロスカップリング反応の触媒として用いられるニ
ッケルホスフィン錯体は、二座配位ホスフィン錯体、例
えば、ジ゛クロロ(l、2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタン)ニッケル、ジクロロ(l、3−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)プロパン)ニッケル等が有効である
触媒の使用量は、グリニヤール試薬(m)に対して1O
−4〜1O−2倍モル、好ましくは5×1O−4〜5X
10−’倍モル程度の使用が望ましい。
クロスカップリング反応を行うには、上記方法により合
成したグリニヤール試薬(m)の温度をθ℃〜70℃、
好ましくは30〜40℃に保ち、これにビニルハライド
を吹込むか、これを溶媒に溶解して滴下して、さらに、
1〜5時間の攪拌を続ける。
反応終了後は1反応液に塩化アンモニウム水溶液を加え
て生成した塩を溶解し、有機層を分離して水洗後、芒硝
で脱水する。次に、溶媒を蒸留して、これに第三級−ブ
チルカテコール等の重合防止剤を添加して減圧蒸留する
ことにより、目的とするバラ−第三級−ブトキシスチレ
ン(I)を得る。
次に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。
Wエ バラ−第三級−ブトキシスチレンの含窒素雰囲気
で置換した1文容量の4径フラスコに金属マグネシウム
片29.2g (1,2モル)と、溶媒としてテトラヒ
ドロフラン30 m lを入れ、臭化メチル1mJ1を
加えた。金属マグネシウム表面での発泡と反応の開始を
確認した後、バラ−第三級−ブトキシクロロベンゼン1
84゜7g (1,0モル)をテトラヒドロフラン37
0m1に溶かした溶液を還流温度(86℃)で約2時間
を要して滴下した。さらに、4時間還流(86°C)を
続け、グリニヤール試薬を得た。この反応におけるグリ
ニヤール試薬への転換率は99゜8%てあった。
上記の操作によって得られたグリニヤール試薬の上澄液
を窒素雰囲気下で1文容量の4径フラスコに移して、触
媒としてジクロロ(l、3−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)プロパン)ニッケル2 、7 g (0,005モ
ル)を入れ、冷却して30〜40℃を保ちながらビニル
クロライド93.8g(0,5モル)を約1.5時間を
要して吹込んだ。そして、さらに、同温度て1時間攪拌
を続けた。
反応終了後は、反応液に塩化アンモニウム水溶液を加え
て生成した塩を溶解し、有機層を分離して水洗後、無水
芒硝で脱水した。
さらに、溶媒を留去し、これに第三級−ブチルカテコー
ル等の重合防止剤を添加し、減圧条件で蒸留して、沸点
63℃/ 2 m m Hgの留分を163.7g (
収率93.0%)を得た。これを以下に示す方法で分析
し、同定した結果、バラ−第三級−ブトキシスチレンで
あることを確かめた。
分析値および物性値は以下のとおりであった。
(1)ガスクロマトグラフィーによる分析純度は100
%であった。
(2)元素分析値 CH 計算値  81.8%   9.1% 実測値  81.9%   9.1% (3)NMRスペクトル ■1 δ1.32 (9H,s、H’ ) δs、 12 (IH,q、H’ ) 65.60 (IH,(1,H’ ) δ6.64 (IH,q、H” ) δ6.’90 (2H,d、Hb) 67.28 (2H,d、Hc) (4)赤外吸収スペクトル 1620cm−’   C=C伸縮 x適勇1 バラ−第三級−ブトキシスチレンのンゼンか
ら) 窒素雰囲気で置換した1文容量の4径フラスコに金属マ
グネシウム片29.2g (1,2モル)と溶媒として
無水ジエチルエーテル30m1を入れ、臭化エチル2m
Mを加えた。金属マグネシウム表面での発泡と反応の開
始を確認した後、バラ−第三級−ブトキシブロモベンゼ
ン229.1g(1,0モル)をジエチルエーテル60
0 m lに溶かした溶液を還流温度で約2時間を要し
て滴下した。さらに、熟成を2時間続け、グリニヤール
試薬を得た。この反応におけるグリニヤール試薬への転
換率は99.9%であった。
上記の操作によって得られたグリニヤール試薬を窒素雰
囲気下で1交容量の4径フラスコに移して、触媒として
ジクロロ(l、2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタ
ン)ニッケル2.6g(o、oosモル)を入れ、30
〜40℃を保つため、冷却しつつビニルブロマイド13
8.2g(0,5モル)を約1.5時間を要して吹き込
み、さらに、同温度で1時間の攪拌を続けた。
反応終了後は、反応液に塩化アンモニウム水溶液を加え
て生成した塩を溶解し、有機層を分離して水洗後、無水
芒硝で脱水した。さらに、溶媒を留去して第三級−ブチ
ルカテコール等の重合防止剤を添加し、減圧条件で蒸留
して、沸点63°C/2mmHgの留分を167.2g
 (収率95.0%)を得た。これを実施例1と同様の
方法で分析し、同定した結果、バラ−第三級−ブトキシ
スチレンであることを確認した。
分析値及び物性値は実施例1と同してあった。
ガスクロマトグラフィーによる分析純度は99.9%で
あった。
へし及五塁皇】 バラ−第三級−ブトキシスチレンの合成法において、本
発明の合成法は従来の合成法に比べ、次の点てすぐれた
効果がもたらされる。
すなわち5本発明の合成法は、従来の合成法ては、高価
であり、原料の一つとして入手困難てあリ、しかも操作
上の安全性でも問題のある過安息香酸−第三級−ブチル
エステルを使用するのに対し、使用する原料か安価であ
り、容易な操作で目的物を高純度、高収率で得ることか
できる。
特許出願人 北興化学工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (X_1はハロゲン原子を示す)で表わされるパラ−第
    三級−ブトキシフェニルハライドを金属マグネシウムと
    反応させ、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされるパラ−第三級−ブトキシフェニルマグネシ
    ウムハライドとし、これをニッケルホスフィン錯体触媒
    の存在下に、 一般式 CH_2=CHX_2 (X_2はハロゲン原子を示す)で表わされるビニルハ
    ライドを作用させることを特徴とする、▲数式、化学式
    、表等があります▼ で表わされるパラ−第三級−ブトキシスチレンの合成法
JP26399587A 1987-10-21 1987-10-21 パラー第三級−ブトキシスチレンの合成法 Granted JPH01106835A (ja)

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