JP3353046B2 - 有機ビスマス化合物を用いる有機化合物の製造法 - Google Patents
有機ビスマス化合物を用いる有機化合物の製造法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遷移金属触媒存在下
に、有機ビスマス化合物と脱離基を有する有機化合物を
反応させることを特徴とする、新たな炭素−炭素結合の
形成による有機化合物の新規な製造法に関するものであ
る。炭素−炭素結合の形成は有機合成化学の最も基本的
な反応操作であり、新たな形成手法の開発は、医薬・農
薬等のファインケミカルズ、機能性高分子、等を含む広
い範囲の合成技術に応用されるものである。
に、有機ビスマス化合物と脱離基を有する有機化合物を
反応させることを特徴とする、新たな炭素−炭素結合の
形成による有機化合物の新規な製造法に関するものであ
る。炭素−炭素結合の形成は有機合成化学の最も基本的
な反応操作であり、新たな形成手法の開発は、医薬・農
薬等のファインケミカルズ、機能性高分子、等を含む広
い範囲の合成技術に応用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者らは、遷移金属触媒存在下、有
機ビスマス化合物と脱離基を有する有機化合物を反応さ
せることによる２種の有機基を炭素−炭素結合により結
合させる方法を、特許出願（特願平１０−１９４７５
８）してきた。しかし、この方法では、脱離基を有する
有機化合物として、工業的に容易に得られる有機ハロゲ
ン化合物を用いた場合には、一般に反応性が低い欠点が
あった。
機ビスマス化合物と脱離基を有する有機化合物を反応さ
せることによる２種の有機基を炭素−炭素結合により結
合させる方法を、特許出願（特願平１０−１９４７５
８）してきた。しかし、この方法では、脱離基を有する
有機化合物として、工業的に容易に得られる有機ハロゲ
ン化合物を用いた場合には、一般に反応性が低い欠点が
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、有機ビスマ
ス化合物を脱離基を有する有機化合物と反応させて２種
の有機基を結合させる反応の反応性を飛躍的に向上さ
せ、もって、脱離基を有する有機化合物として有機ハロ
ゲン化合物を用いた場合でも高収率を達することが可能
な方法を提供することを課題とする。
ス化合物を脱離基を有する有機化合物と反応させて２種
の有機基を結合させる反応の反応性を飛躍的に向上さ
せ、もって、脱離基を有する有機化合物として有機ハロ
ゲン化合物を用いた場合でも高収率を達することが可能
な方法を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、該反応を塩基性化合
物の存在下に実施した場合には、予想外の加速効果が実
現されることを見いだし、それに基づいて本発明を完成
するに至った。即ち、本発明は、炭素−ビスマス結合を
少なくとも１個有する有機ビスマス化合物（Ａ）と、少
なくとも１個の脱離基を有する有機化合物（Ｂ）とを、
遷移金属触媒および塩基性化合物の存在下に反応させ
て、有機ビスマス化合物（Ａ）の有機基と有機化合物
（Ｂ）の有機残基とが新たな炭素−炭素結合で結合した
化合物を製造する方法に関する。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、該反応を塩基性化合
物の存在下に実施した場合には、予想外の加速効果が実
現されることを見いだし、それに基づいて本発明を完成
するに至った。即ち、本発明は、炭素−ビスマス結合を
少なくとも１個有する有機ビスマス化合物（Ａ）と、少
なくとも１個の脱離基を有する有機化合物（Ｂ）とを、
遷移金属触媒および塩基性化合物の存在下に反応させ
て、有機ビスマス化合物（Ａ）の有機基と有機化合物
（Ｂ）の有機残基とが新たな炭素−炭素結合で結合した
化合物を製造する方法に関する。
【０００５】より詳細には本発明は、遷移金属触媒の存
在下に、一般式（Ｉ） ＢｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （Ｉ） （式中、Ｒ１は、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリー
ル基、複素環式基、アラルキル基の中から選ばれる１価
の基を示し、Ｒ２およびＲ３はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニ
ル基、アリール基、複素環式基、アラルキル基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、アミノ基の中から選ばれる
１価の基を示し、Ｒ２およびＲ３は結合して環を形成し
ていてもよく、またその環のなかにヘテロ原子を含んで
いてもよい。）で表される有機ビスマス化合物と、一般
式(II) Ｒ４−Ｙ （II） （式中、Ｒ４は、アリール基、複素環式基、アルケニル
基の中から選ばれる１価の基を示し、Ｙは脱離基を示
す。）で表される脱離基を有する有機化合物とを反応さ
せることを特徴とする一般式(III) Ｒ１−Ｒ４ (III) （式中、Ｒ１およびＲ４は、前記と同じ意味を有する）
で表される有機化合物の製造方法に関する。
在下に、一般式（Ｉ） ＢｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （Ｉ） （式中、Ｒ１は、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリー
ル基、複素環式基、アラルキル基の中から選ばれる１価
の基を示し、Ｒ２およびＲ３はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニ
ル基、アリール基、複素環式基、アラルキル基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、アミノ基の中から選ばれる
１価の基を示し、Ｒ２およびＲ３は結合して環を形成し
ていてもよく、またその環のなかにヘテロ原子を含んで
いてもよい。）で表される有機ビスマス化合物と、一般
式(II) Ｒ４−Ｙ （II） （式中、Ｒ４は、アリール基、複素環式基、アルケニル
基の中から選ばれる１価の基を示し、Ｙは脱離基を示
す。）で表される脱離基を有する有機化合物とを反応さ
せることを特徴とする一般式(III) Ｒ１−Ｒ４ (III) （式中、Ｒ１およびＲ４は、前記と同じ意味を有する）
で表される有機化合物の製造方法に関する。
【０００６】即ち、本発明を化学反応式で示せば、 ＢｉＲ１Ｒ２Ｒ３ ＋ Ｒ４−Ｙ → Ｒ１−Ｒ４ と表されるように、式中のＲ１及びＲ４は炭素原子を有
する有機基であって、本発明の反応を阻害しないもので
あれば、特に制限はなく、本発明は一般式（Ｉ）で表さ
れる有機ビスマス化合物を用いて、遷移金属触媒および
塩基性化合物の存在下で、簡便で且つ高収率の新たな炭
素−炭素結合を生じさせる方法を提供するものである。
する有機基であって、本発明の反応を阻害しないもので
あれば、特に制限はなく、本発明は一般式（Ｉ）で表さ
れる有機ビスマス化合物を用いて、遷移金属触媒および
塩基性化合物の存在下で、簡便で且つ高収率の新たな炭
素−炭素結合を生じさせる方法を提供するものである。
【０００７】
【実施の形態】本発明において用いられる有機ビスマス
化合物（Ａ）は、少なくとも１個の炭素−ビスマス結合
を有するものであり、ビスマスに結合する他の基は反応
に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。ま
た、当該炭素−ビスマス結合を形成している炭素原子を
有する基も、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特
に制限はなく、これらの基は反応に悪影響を及ぼさない
官能基を置換基として有していてもよい。本発明の好ま
しい有機ビスマス化合物としては、前記一般式（Ｉ）で
表される化合物を挙げることができる。前記一般式
（Ｉ）において式中のＲ１はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニ
ル基、アリール基、複素環式基、アラルキル基の中から
選ばれる１価の基を示す。
化合物（Ａ）は、少なくとも１個の炭素−ビスマス結合
を有するものであり、ビスマスに結合する他の基は反応
に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。ま
た、当該炭素−ビスマス結合を形成している炭素原子を
有する基も、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特
に制限はなく、これらの基は反応に悪影響を及ぼさない
官能基を置換基として有していてもよい。本発明の好ま
しい有機ビスマス化合物としては、前記一般式（Ｉ）で
表される化合物を挙げることができる。前記一般式
（Ｉ）において式中のＲ１はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニ
ル基、アリール基、複素環式基、アラルキル基の中から
選ばれる１価の基を示す。
【０００８】前記一般式（Ｉ）におけるアルキル基とし
ては、炭素数１〜３０、好ましくは１〜２０、より好ま
しくは１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基であ
り、アルケニル基としては、炭素数２〜３０、好ましく
は２〜２０、より好ましくは２〜１０の直鎖状又は分枝
状のアルケニル基であり、アルキニル基としては、炭素
数２〜３０、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜
１０の直鎖状又は分枝状のアルキニル基であり、シクロ
アルキル基としては、炭素数５〜３０、好ましくは５〜
２０、より好ましくは６〜１０の単環、多環又は縮合環
式のシクロアルキル基であり、シクロアルケニル基とし
ては前記したシクロアルキル基であって少なくとも１個
以上の不飽和結合を有するものが好ましく、アリール基
としては、炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より
好ましくは６〜１０の単環、多環又は縮合環式のアリー
ル基であり、複素環式基としては、環中に少なくとも１
個以上の窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を有し、１個
の環の大きさが５〜２０員、好ましく５〜１０員、より
好ましく５〜７員であって、前記したシクロアルキル
基、シクロアルケニル基又はアリール基を縮合していて
もよい飽和又は不飽和の単環、多環又は縮合環式の複素
環式基であってもよく、アラルキル基としては前記した
アルキル基又はアルケニル基に前記のアリール基又は複
素環式基が置換しているものが挙げられる。
ては、炭素数１〜３０、好ましくは１〜２０、より好ま
しくは１〜１０の直鎖状又は分枝状のアルキル基であ
り、アルケニル基としては、炭素数２〜３０、好ましく
は２〜２０、より好ましくは２〜１０の直鎖状又は分枝
状のアルケニル基であり、アルキニル基としては、炭素
数２〜３０、好ましくは２〜２０、より好ましくは２〜
１０の直鎖状又は分枝状のアルキニル基であり、シクロ
アルキル基としては、炭素数５〜３０、好ましくは５〜
２０、より好ましくは６〜１０の単環、多環又は縮合環
式のシクロアルキル基であり、シクロアルケニル基とし
ては前記したシクロアルキル基であって少なくとも１個
以上の不飽和結合を有するものが好ましく、アリール基
としては、炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より
好ましくは６〜１０の単環、多環又は縮合環式のアリー
ル基であり、複素環式基としては、環中に少なくとも１
個以上の窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を有し、１個
の環の大きさが５〜２０員、好ましく５〜１０員、より
好ましく５〜７員であって、前記したシクロアルキル
基、シクロアルケニル基又はアリール基を縮合していて
もよい飽和又は不飽和の単環、多環又は縮合環式の複素
環式基であってもよく、アラルキル基としては前記した
アルキル基又はアルケニル基に前記のアリール基又は複
素環式基が置換しているものが挙げられる。
【０００９】一般式（Ｉ）中の前記したアルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロ
アルケニル基、アリール基、複素環式基、又は、アラル
キル基は、反応を阻害しない置換基で置換されていても
よい。また、置換基が反応を阻害する可能性がある場合
には、必要に応じてこれらの置換基を保護基で保護する
こともできる。したがって、本発明の置換基としては、
反応中に保護基で保護することができる反応性の置換基
も包含している。一般式（Ｉ）中の前記したアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、
シクロアルケニル基、アリール基、複素環基、又は、ア
ラルキル基の置換基としては、これらの基が相互に置換
することができる場合には、これらの基が相互に置換し
たものであってもよい。例えば、アルキル置換シクロア
ルキル基、アルキル置換アリール基、アルキル置換複素
環式基、アルキル置換アラルキル基、シクロアルキルア
ルキル基、シクロアルキルアルケニル基、アルケニル置
換アリール基などが挙げられる。
ルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロ
アルケニル基、アリール基、複素環式基、又は、アラル
キル基は、反応を阻害しない置換基で置換されていても
よい。また、置換基が反応を阻害する可能性がある場合
には、必要に応じてこれらの置換基を保護基で保護する
こともできる。したがって、本発明の置換基としては、
反応中に保護基で保護することができる反応性の置換基
も包含している。一般式（Ｉ）中の前記したアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、
シクロアルケニル基、アリール基、複素環基、又は、ア
ラルキル基の置換基としては、これらの基が相互に置換
することができる場合には、これらの基が相互に置換し
たものであってもよい。例えば、アルキル置換シクロア
ルキル基、アルキル置換アリール基、アルキル置換複素
環式基、アルキル置換アラルキル基、シクロアルキルア
ルキル基、シクロアルキルアルケニル基、アルケニル置
換アリール基などが挙げられる。
【００１０】その他の置換基としては、前記したアルキ
ル基からなるアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキ
ルアミノ基、トリアルキルシリル基、アルキル置換シロ
キシ基などの他に、塩素、臭素、フッ素などのハロゲン
原子、メチレンジオキシ、ジメチルメチレンジオキシ基
（アセトナイド）などのアルキレンジオキシ基、シアノ
基などが挙げられる。
ル基からなるアルコキシ基、アルキルチオ基、ジアルキ
ルアミノ基、トリアルキルシリル基、アルキル置換シロ
キシ基などの他に、塩素、臭素、フッ素などのハロゲン
原子、メチレンジオキシ、ジメチルメチレンジオキシ基
（アセトナイド）などのアルキレンジオキシ基、シアノ
基などが挙げられる。
【００１１】Ｒ１の具体例としては、メチル基、エチル
基、シクロヘキシル基、フェニル基、４−ピリジル基、
ベンジル基、ビニル基、フェニルエチニル基等を例示す
ることができる。また、Ｒ２およびＲ３は前記したアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル
基、シクロアルケニル基、アリール基、複素環式基、ア
ラルキル基などのほかに、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基の中から選ばれる１価の基であってもよ
い。アルコキシ基としては前記したアルキル基から誘導
されるアルコキシ基、好ましくは低級アルコキシ基であ
り、アリールオキシ基としては前記したアリール基から
誘導されるアリールオキシ基であり、アミノ基は遊離の
アミノ基の他に前記したアルキル基やアリール基などで
Ｎ−置換されたアミノ基が包含される。Ｒ２およびＲ３
は結合して環を形成していてもよく、またその環のなか
に１個又は２個以上のヘテロ原子を含んでいてもよい。
また、Ｒ２及びＲ３がビスマス原子と共に環を形成した
場合に、当該環に含まれるヘテロ原子としては、酸素原
子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素などが挙げられる。当
該環は各種の置換基を有していてもよいし、シクロアル
キル環、アリール又は複素環などの他の環が結合してい
てもよい。
基、シクロヘキシル基、フェニル基、４−ピリジル基、
ベンジル基、ビニル基、フェニルエチニル基等を例示す
ることができる。また、Ｒ２およびＲ３は前記したアル
キル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル
基、シクロアルケニル基、アリール基、複素環式基、ア
ラルキル基などのほかに、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基の中から選ばれる１価の基であってもよ
い。アルコキシ基としては前記したアルキル基から誘導
されるアルコキシ基、好ましくは低級アルコキシ基であ
り、アリールオキシ基としては前記したアリール基から
誘導されるアリールオキシ基であり、アミノ基は遊離の
アミノ基の他に前記したアルキル基やアリール基などで
Ｎ−置換されたアミノ基が包含される。Ｒ２およびＲ３
は結合して環を形成していてもよく、またその環のなか
に１個又は２個以上のヘテロ原子を含んでいてもよい。
また、Ｒ２及びＲ３がビスマス原子と共に環を形成した
場合に、当該環に含まれるヘテロ原子としては、酸素原
子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素などが挙げられる。当
該環は各種の置換基を有していてもよいし、シクロアル
キル環、アリール又は複素環などの他の環が結合してい
てもよい。
【００１２】Ｒ２およびＲ３の具体例としては、メチル
基、エチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、４−ピ
リジル基、ベンジル基、ビニル基、フェニルエチニル
基、メトキシ基、フェノキシ基、１，２−エチレンジオ
キシ基、１，２−シクロヘキシレンジオキシ基、１，２
−フェニレンジオキシ基、２，６−ピリジンビス［１−
（１−メチルエチルオキシ）］基、２，６−ピリジンビ
ス［２−（１，１−ジフェニルエチルオキシ）］基、ジ
メチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ’−ジメ
チル−１，２−エチレンジアミノ基、Ｎ，Ｎ’−ビス
（ジメチルエチル）−１，２−フェニレンジアミノ基、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルエチル）−ジメチルシリレン
ジアミノ基、２，６−ピリジンビス［Ｎ−フェニル（メ
チルアミノ）］基等を例示することができる。本発明の
ビスマス化合物は前記した３価の結合以外に他の結合を
有するものであってもよい。例えば、電子を供与し得る
原子又は基による配位結合を有していてもよい。
基、エチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、４−ピ
リジル基、ベンジル基、ビニル基、フェニルエチニル
基、メトキシ基、フェノキシ基、１，２−エチレンジオ
キシ基、１，２−シクロヘキシレンジオキシ基、１，２
−フェニレンジオキシ基、２，６−ピリジンビス［１−
（１−メチルエチルオキシ）］基、２，６−ピリジンビ
ス［２−（１，１−ジフェニルエチルオキシ）］基、ジ
メチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ’−ジメ
チル−１，２−エチレンジアミノ基、Ｎ，Ｎ’−ビス
（ジメチルエチル）−１，２−フェニレンジアミノ基、
Ｎ，Ｎ’−ビス（ジメチルエチル）−ジメチルシリレン
ジアミノ基、２，６−ピリジンビス［Ｎ−フェニル（メ
チルアミノ）］基等を例示することができる。本発明の
ビスマス化合物は前記した３価の結合以外に他の結合を
有するものであってもよい。例えば、電子を供与し得る
原子又は基による配位結合を有していてもよい。
【００１３】本発明の反応に用いる少なくとも１個の脱
離基を有する化合物（Ｂ）は次の一般式（II） Ｒ４−Ｙ （II） （式中、Ｒ４及びＹは前記したものを示す。）で表さ
れ、脱離基Ｙは本発明の方法により新たな炭素−炭素結
合を形成するために脱離し得るものであれば特に制限は
ない。脱離基Ｙの例としては、スルフォナート基、ハロ
ゲン、アシルオキシ基などが挙げられるが、スルフォナ
ート基やヨード原子である場合に特に反応性が高い傾向
が認められる。
離基を有する化合物（Ｂ）は次の一般式（II） Ｒ４−Ｙ （II） （式中、Ｒ４及びＹは前記したものを示す。）で表さ
れ、脱離基Ｙは本発明の方法により新たな炭素−炭素結
合を形成するために脱離し得るものであれば特に制限は
ない。脱離基Ｙの例としては、スルフォナート基、ハロ
ゲン、アシルオキシ基などが挙げられるが、スルフォナ
ート基やヨード原子である場合に特に反応性が高い傾向
が認められる。
【００１４】前記一般式中のＲ４は前記したアリール
基、複素環式基、アルケニル基の中から選ばれる１価の
基を示し、Ｒ４の具体例としては、フェニル基、チエニ
ル基、ピリジル基、ビニル基、シクロヘキセニル基等を
例示することができる。
基、複素環式基、アルケニル基の中から選ばれる１価の
基を示し、Ｒ４の具体例としては、フェニル基、チエニ
ル基、ピリジル基、ビニル基、シクロヘキセニル基等を
例示することができる。
【００１５】本発明の反応の生起には、遷移金属触媒の
使用は必須であり、触媒が存在しない場合には、反応は
全く進行しない。遷移金属触媒としては、種々の構造の
ものを用いることができるが、好適なものは、いわゆる
低原子価の遷移金属錯体である。更に好ましい遷移金属
としては、ニッケル、パラジウム、コバルト、白金、イ
リジウム、ルテニウムなどが挙げられ、殊に、パラジウ
ム、ニッケル、白金触媒が優れている。本発明の触媒は
これらの遷移金属の化合物を使用することができる。ま
た、これらの触媒をそのまま反応系に加えてもよいが、
反応系中で容易に低原子価遷移金属錯体に変換される適
当な前駆錯体を用いることも好ましい態様である。
使用は必須であり、触媒が存在しない場合には、反応は
全く進行しない。遷移金属触媒としては、種々の構造の
ものを用いることができるが、好適なものは、いわゆる
低原子価の遷移金属錯体である。更に好ましい遷移金属
としては、ニッケル、パラジウム、コバルト、白金、イ
リジウム、ルテニウムなどが挙げられ、殊に、パラジウ
ム、ニッケル、白金触媒が優れている。本発明の触媒は
これらの遷移金属の化合物を使用することができる。ま
た、これらの触媒をそのまま反応系に加えてもよいが、
反応系中で容易に低原子価遷移金属錯体に変換される適
当な前駆錯体を用いることも好ましい態様である。
【００１６】本発明に用いられる遷移金属触媒を具体的
に例示すると、以下の通りである。テトラカルボニルニ
ッケル、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）
ニッケル、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケ
ル、（η２−エチレン）ビス（トリエチルホスフィン）
ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッ
ケル、テトラキス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニ
ッケル、ジメチルビス（トリメチルホスフィン）ニッケ
ル、クロロ（η−シクロペンタジエニル）（トリフェニ
ルホスフィン）ニッケル等のニッケル触媒などが挙げら
れる。
に例示すると、以下の通りである。テトラカルボニルニ
ッケル、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）
ニッケル、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケ
ル、（η２−エチレン）ビス（トリエチルホスフィン）
ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッ
ケル、テトラキス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニ
ッケル、ジメチルビス（トリメチルホスフィン）ニッケ
ル、クロロ（η−シクロペンタジエニル）（トリフェニ
ルホスフィン）ニッケル等のニッケル触媒などが挙げら
れる。
【００１７】テトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム、酢酸パラジウム、テトラキス（トリメチルホ
スフィン）パラジウム、トリス（トリエチルホスフィ
ン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）パラジウム、テトラキス（トリエチルホスフィト）
パラジウム、テトラキス（トリフェニルアルシン）パラ
ジウム、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム、（η２−エチレン）ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム、（η２−無水マレイン酸）
［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ パ
ラジウム、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラ
ジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウ
ム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、クロ
ロ（メチル）（１，５−シクロオクタジエン）パラジウ
ム、ジエチルビス（トリフェニルフォスフィト）パラジ
ウム、ジエチルビス（トリメチルフォスフィト）パラジ
ウム、ジエチルビス（トリ−ｉ−プロピルフォスフィ
ト）パラジウム、ジメチル［１，２−ビス（ジメチルホ
スフィノ）エタン］パラジウム、ジメチル［１，３−ビ
ス（ジメチルホスフィノ）プロパン］パラジウム、ジメ
チル［１，２−ビス（ジメチルアミノ）エタン］パラジ
ウム、ジメチルビス（４−エチル−１−ホスファ−２，
６，７−トリオキサビシクロ［２，２，２］オクタン）
パラジウム、ビス（ｔ−ブチルイソシアニド）ジメチル
パラジウムビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル
イソシアニド）ジメチルパラジウムジフェニルビス（メ
チルジフェニルホスフィニト）パラジウム、ジベンジル
ビス（トリメチルホスフィン）パラジウム、ジエチニル
ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、ジネオペン
チル（２，２’−ビピリジル）パラジウム、ブロモ（メ
チル）ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、ベン
ゾイル（クロロ）ビス（トリメチルホスフィン）パラジ
ウム、シクロペンタジエニル（フェニル）（トリエチル
ホスフィン）パラジウム、η−アリル（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）パラジウム、π−アリル（１，５
−シクロオクタジエン）パラジウムテトラフルオロほう
酸塩、ビス（π−アリル）パラジウム、ビス（アセチル
アセトナト）パラジウム、ジクロロエチレンジアミンパ
ラジウム、塩化パラジウム、パラジウム炭素などの担持
パラジウム金属等のパラジウム触媒などが挙げられる。
ラジウム、酢酸パラジウム、テトラキス（トリメチルホ
スフィン）パラジウム、トリス（トリエチルホスフィ
ン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィ
ン）パラジウム、テトラキス（トリエチルホスフィト）
パラジウム、テトラキス（トリフェニルアルシン）パラ
ジウム、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム、（η２−エチレン）ビス（トリフェニルホ
スフィン）パラジウム、（η２−無水マレイン酸）
［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ パ
ラジウム、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラ
ジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウ
ム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、クロ
ロ（メチル）（１，５−シクロオクタジエン）パラジウ
ム、ジエチルビス（トリフェニルフォスフィト）パラジ
ウム、ジエチルビス（トリメチルフォスフィト）パラジ
ウム、ジエチルビス（トリ−ｉ−プロピルフォスフィ
ト）パラジウム、ジメチル［１，２−ビス（ジメチルホ
スフィノ）エタン］パラジウム、ジメチル［１，３−ビ
ス（ジメチルホスフィノ）プロパン］パラジウム、ジメ
チル［１，２−ビス（ジメチルアミノ）エタン］パラジ
ウム、ジメチルビス（４−エチル−１−ホスファ−２，
６，７−トリオキサビシクロ［２，２，２］オクタン）
パラジウム、ビス（ｔ−ブチルイソシアニド）ジメチル
パラジウムビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル
イソシアニド）ジメチルパラジウムジフェニルビス（メ
チルジフェニルホスフィニト）パラジウム、ジベンジル
ビス（トリメチルホスフィン）パラジウム、ジエチニル
ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、ジネオペン
チル（２，２’−ビピリジル）パラジウム、ブロモ（メ
チル）ビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、ベン
ゾイル（クロロ）ビス（トリメチルホスフィン）パラジ
ウム、シクロペンタジエニル（フェニル）（トリエチル
ホスフィン）パラジウム、η−アリル（ペンタメチルシ
クロペンタジエニル）パラジウム、π−アリル（１，５
−シクロオクタジエン）パラジウムテトラフルオロほう
酸塩、ビス（π−アリル）パラジウム、ビス（アセチル
アセトナト）パラジウム、ジクロロエチレンジアミンパ
ラジウム、塩化パラジウム、パラジウム炭素などの担持
パラジウム金属等のパラジウム触媒などが挙げられる。
【００１８】テトラキス（トリフェニルホスフィン）白
金、ビス（トリフェニルホスフィン）エチレン白金、テ
トラキス（トリエチルフホスフィン）白金、ビス（１，
５−シクロオクタジエン）白金、ビス（ジベンジリデン
アセトン）白金、白金ブラック等の金属白金触媒等など
が挙げられる。
金、ビス（トリフェニルホスフィン）エチレン白金、テ
トラキス（トリエチルフホスフィン）白金、ビス（１，
５−シクロオクタジエン）白金、ビス（ジベンジリデン
アセトン）白金、白金ブラック等の金属白金触媒等など
が挙げられる。
【００１９】オクタカルボニル二コバルト、ヘキサカル
ボニルビス（トリフェニルホスフィン）二コバルト等の
コバルト触媒などが挙げられる。
ボニルビス（トリフェニルホスフィン）二コバルト等の
コバルト触媒などが挙げられる。
【００２０】クロロトリス（トリフェニルホスフィン）
ロジウム、ドデカカルボニル四ロジウム、ヒドリドテト
ラカルボニルロジウム、塩化ロジウム等のロジウム触
媒、ドデカカルボニル四イリジウム、クロロトリカルボ
ニルイリジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィ
ン）イリジウム、クロロカルボニルビス（トリフェニル
ホスフィン）イリジウム等のイリジウム触媒などが挙げ
られる。
ロジウム、ドデカカルボニル四ロジウム、ヒドリドテト
ラカルボニルロジウム、塩化ロジウム等のロジウム触
媒、ドデカカルボニル四イリジウム、クロロトリカルボ
ニルイリジウム、クロロトリス（トリフェニルホスフィ
ン）イリジウム、クロロカルボニルビス（トリフェニル
ホスフィン）イリジウム等のイリジウム触媒などが挙げ
られる。
【００２１】ドデカカルボニル三ルテニウム、テトラヒ
ドリド（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロ
ロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、カル
ボニルクロロヒドリドトリス（トリフェルホスフィン）
ルテニウム等のルテニウム触媒などが挙げられる。
ドリド（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロ
ロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、カル
ボニルクロロヒドリドトリス（トリフェルホスフィン）
ルテニウム等のルテニウム触媒などが挙げられる。
【００２２】これらの触媒は、反応系中で合成したもの
を精製せずそのまま用いてもよく、また二種以上の混合
系触媒として用いてもよい。さらに上記錯体と各種配位
子を系中で混合してそのまま用いてもよい。この反応の
触媒系にリン配位子を持つものを用いる場合、系中の触
媒金属原子と配位子中のリン原子の当量比は金属原子１
に対しリン原子０〜１０望ましくは０．５〜５がよい。
また、これらの触媒は無機担体や高分子に担持して使用
することができる。
を精製せずそのまま用いてもよく、また二種以上の混合
系触媒として用いてもよい。さらに上記錯体と各種配位
子を系中で混合してそのまま用いてもよい。この反応の
触媒系にリン配位子を持つものを用いる場合、系中の触
媒金属原子と配位子中のリン原子の当量比は金属原子１
に対しリン原子０〜１０望ましくは０．５〜５がよい。
また、これらの触媒は無機担体や高分子に担持して使用
することができる。
【００２３】これら遷移金属触媒の使用量はいわゆる触
媒量で良く、一般的には有機ビスマス化合物（Ａ）に対
して２０モル％以下で十分である。有機ビスマス化合物
（Ａ）と有機化合物（Ｂ）との使用比率は、一般的には
（Ａ）に含まれる一つの炭素−ビスマス結合に対して当
量の（Ｂ）を用いるのが好ましいが、これより大きくて
も小さくても、反応の生起を阻害するものではない。
媒量で良く、一般的には有機ビスマス化合物（Ａ）に対
して２０モル％以下で十分である。有機ビスマス化合物
（Ａ）と有機化合物（Ｂ）との使用比率は、一般的には
（Ａ）に含まれる一つの炭素−ビスマス結合に対して当
量の（Ｂ）を用いるのが好ましいが、これより大きくて
も小さくても、反応の生起を阻害するものではない。
【００２４】本発明の反応は塩基性化合物の存在下で好
ましい速度で進行するが、そのような塩基性化合物とし
ては、種々の塩基性の有機・無機化合物が好適に用いら
れ、アルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩などの塩基性
無機化合物や、第３級アミンのような塩基性有機化合物
が特に好ましい。アルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩
の塩としては、炭酸塩、水酸化物、ハロゲン化物などの
無機塩や酢酸などの有機塩が挙げられる。好ましい、ア
ルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩としては、例えば、
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、水酸化
カルシウム、水酸化マグネシウム、フッ化リチウム、フ
ッ化セシウム、フッ化ルビジウム、酢酸リチウム、酢酸
ナトリウム、酢酸カリウム、が挙げられる。第３級アミ
ンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミンなど
のトリアルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリンなどの芳香族第３級アミンな
どが挙げられる。本発明の塩基性化合物としては無機化
合物のほうが、価格や収率の点で特に好ましい結果が得
られる。塩基性化合物の使用量は、少量であっても相応
の効果は認められるが、一般には、一つの炭素−ビスマ
ス結合あたり１当量もしくはそれ以上であるのが好まし
い。
ましい速度で進行するが、そのような塩基性化合物とし
ては、種々の塩基性の有機・無機化合物が好適に用いら
れ、アルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩などの塩基性
無機化合物や、第３級アミンのような塩基性有機化合物
が特に好ましい。アルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩
の塩としては、炭酸塩、水酸化物、ハロゲン化物などの
無機塩や酢酸などの有機塩が挙げられる。好ましい、ア
ルカリ金属塩やアルカリ土類金属塩としては、例えば、
炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、水酸化
カルシウム、水酸化マグネシウム、フッ化リチウム、フ
ッ化セシウム、フッ化ルビジウム、酢酸リチウム、酢酸
ナトリウム、酢酸カリウム、が挙げられる。第３級アミ
ンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミンなど
のトリアルキルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリンなどの芳香族第３級アミンな
どが挙げられる。本発明の塩基性化合物としては無機化
合物のほうが、価格や収率の点で特に好ましい結果が得
られる。塩基性化合物の使用量は、少量であっても相応
の効果は認められるが、一般には、一つの炭素−ビスマ
ス結合あたり１当量もしくはそれ以上であるのが好まし
い。
【００２５】反応は特に溶媒を用いなくてもよいが、必
要に応じて溶媒中で実施することもできる。溶媒として
は、炭化水素系、エーテル系、アミド系、ハロゲン化炭
化水素系の溶媒が好適に用いられるが、非プロトン性極
性溶媒中で実施するのが特に好ましい。非プロトン性極
性溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、
１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡ）、ヘキサメチルホスホルトリアミド（Ｈ
ＭＰＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミドゾリジノン（ＤＭ
Ｉ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等が例示される。
要に応じて溶媒中で実施することもできる。溶媒として
は、炭化水素系、エーテル系、アミド系、ハロゲン化炭
化水素系の溶媒が好適に用いられるが、非プロトン性極
性溶媒中で実施するのが特に好ましい。非プロトン性極
性溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、
１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド（ＤＭＡ）、ヘキサメチルホスホルトリアミド（Ｈ
ＭＰＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミドゾリジノン（ＤＭ
Ｉ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等が例示される。
【００２６】反応温度は、あまりに低温では反応が有利
な速度で進行せず、あまりに高温では触媒が分解するの
で、一般的には０℃ないし２００℃の範囲から選ばれ、
好ましくは室温ないし１５０℃の範囲で実施される。
な速度で進行せず、あまりに高温では触媒が分解するの
で、一般的には０℃ないし２００℃の範囲から選ばれ、
好ましくは室温ないし１５０℃の範囲で実施される。
【００２７】本反応の中間体は酸素や水に敏感であり、
反応の実施は、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気で
行うのが好ましい。反応混合物からの生成物の分離は、
蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等によって容易に達
成される。
反応の実施は、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気で
行うのが好ましい。反応混合物からの生成物の分離は、
蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等によって容易に達
成される。
【００２８】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、もとより本発明は、これら実施例に限定されるも
のではない。
るが、もとより本発明は、これら実施例に限定されるも
のではない。
【００２９】実施例１ トリフェニルビスマスを０．１２５ｍモル、１−ナフタ
レントリフルオロメタンスルフォナートを０．４０６ｍ
モル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．００６２ｍモル、炭酸
カリウムを０．３７５ｍモル、ＮＭＰを３ｍｌを混合
し、窒素雰囲気下１００℃で５時間攪拌した。反応混合
物をガスクロマトグラフィーで分析した結果、１−フェ
ニルナフタレンが９２％の収率で生成していることが判
明した。
レントリフルオロメタンスルフォナートを０．４０６ｍ
モル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．００６２ｍモル、炭酸
カリウムを０．３７５ｍモル、ＮＭＰを３ｍｌを混合
し、窒素雰囲気下１００℃で５時間攪拌した。反応混合
物をガスクロマトグラフィーで分析した結果、１−フェ
ニルナフタレンが９２％の収率で生成していることが判
明した。
【００３０】比較例１ 実施例１の反応を炭酸カリウムを加えないで同様に実施
した。ガスクロマトグラフィーによる１−フェニルナフ
タレンの収率は１１％に過ぎなかった。
した。ガスクロマトグラフィーによる１−フェニルナフ
タレンの収率は１１％に過ぎなかった。
【００３１】実施例２〜８ 実施例１の反応を、炭酸カリウムに代えて種々の添加物
を０．５ｍモル加え、場合により溶媒も代えて、１００
℃で実施した結果を第１表にまとめて示した。
を０．５ｍモル加え、場合により溶媒も代えて、１００
℃で実施した結果を第１表にまとめて示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】実施例９ トリフェニルビスマスを０．１２５ｍモル、１−ヨード
ナフタレンを０．４０６ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を
０．００６２ｍモル、炭酸カリウムを０．５ｍモル、Ｎ
ＭＰを３ｍｌを混合し、窒素雰囲気下１００℃で６時間
攪拌した。反応混合物をガスクロマトグラフィーで分析
した結果、１−フェニルナフタレンが８５％の収率で生
成していることが判明した。
ナフタレンを０．４０６ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を
０．００６２ｍモル、炭酸カリウムを０．５ｍモル、Ｎ
ＭＰを３ｍｌを混合し、窒素雰囲気下１００℃で６時間
攪拌した。反応混合物をガスクロマトグラフィーで分析
した結果、１−フェニルナフタレンが８５％の収率で生
成していることが判明した。
【００３４】比較例２ 実施例２の反応を炭酸カリウムを加えないで同様に実施
した。ガスクロマトグラフィーによる１−フェニルナフ
タレンの収率は１３％に過ぎなかった。
した。ガスクロマトグラフィーによる１−フェニルナフ
タレンの収率は１３％に過ぎなかった。
【００３５】実施例１０ トリフェニルビスマスを０．１２５ｍモル、１−ブロモ
ナフタレンを０．４０６ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を
０．００６２ｍモル、フッ化セシウムを１．０ｍモル、
ＤＭＥを３ｍｌを混合し、窒素雰囲気下１００℃で１８
時間攪拌した。反応混合物をガスクロマトグラフィーで
分析した結果、１−フェニルナフタレンが７６％の収率
で生成していることが判明した。
ナフタレンを０．４０６ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を
０．００６２ｍモル、フッ化セシウムを１．０ｍモル、
ＤＭＥを３ｍｌを混合し、窒素雰囲気下１００℃で１８
時間攪拌した。反応混合物をガスクロマトグラフィーで
分析した結果、１−フェニルナフタレンが７６％の収率
で生成していることが判明した。
【００３６】比較例３ 実施例３の反応をフッ化セシウムを加えないで同様に実
施した。ガスクロマトグラフィーによる１−フェニルナ
フタレンの収率は１．４％に過ぎなかった。
施した。ガスクロマトグラフィーによる１−フェニルナ
フタレンの収率は１．４％に過ぎなかった。
【００３７】実施例１１ トリフェニルビスマスを０．１２５ｍモル、１−ブロモ
ナフタレンを０．４０６ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を
０．０１２５ｍモル、フッ化カリウムを０．７５ｍモ
ル、ＮＭＰを３ｍｌを混合し、窒素雰囲気下１００℃で
１６時間攪拌した。反応混合物をガスクロマトグラフィ
ーで分析した結果、１−フェニルナフタレンが２４％の
収率で生成していることが判明した。
ナフタレンを０．４０６ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を
０．０１２５ｍモル、フッ化カリウムを０．７５ｍモ
ル、ＮＭＰを３ｍｌを混合し、窒素雰囲気下１００℃で
１６時間攪拌した。反応混合物をガスクロマトグラフィ
ーで分析した結果、１−フェニルナフタレンが２４％の
収率で生成していることが判明した。
【００３８】実施例１２ 次式で表される有機ビスマス化合物、
【００３９】
【化１】
【００４０】（２，６−Ｐｙ（ＣＥｔ２Ｏ）２ＢｉＰ
ｈ）を０．１２５ｍモル、１−ブロモナフタレンを０．
１２５ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．０１２５ｍモ
ル、トリエチルアミンを０．３７５ｍモル、ＮＭＰを３
ｍｌを混合し、窒素雰囲気下６０℃で１２時間攪拌し
た。反応混合物をガスクロマトグラフィーで分析した結
果、１−フェニルナフタレンが１７％の収率で生成して
いることが判明した。
ｈ）を０．１２５ｍモル、１−ブロモナフタレンを０．
１２５ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．０１２５ｍモ
ル、トリエチルアミンを０．３７５ｍモル、ＮＭＰを３
ｍｌを混合し、窒素雰囲気下６０℃で１２時間攪拌し
た。反応混合物をガスクロマトグラフィーで分析した結
果、１−フェニルナフタレンが１７％の収率で生成して
いることが判明した。
【００４１】比較例４ 実施例４の反応を、トリエチルアミンを加えず、ＮＭＰ
に代えてトルエンを溶媒に用い、反応時間を２０時間に
延長して同様に実施した。ガスクロマトグラフィーによ
る１−フェニルナフタレンの収率は８％に過ぎなかっ
た。
に代えてトルエンを溶媒に用い、反応時間を２０時間に
延長して同様に実施した。ガスクロマトグラフィーによ
る１−フェニルナフタレンの収率は８％に過ぎなかっ
た。
【００４２】実施例１３〜１６ 次式で表される有機ビスマス化合物、
【００４３】
【化２】
【００４４】（２，６−Ｐｙ（ＣＥｔ２Ｏ）２ＢｉＰ
ｈ）を０．１２５ｍモル、１−ブロモナフタレンを０．
１２５ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．０１２５ｍモ
ル、ＮＭＰを３ｍｌを混合し、種々の添加物（０．３７
５ｍモル）の存在下、窒素雰囲気下１００℃で反応させ
た。ガスクロマトグラフィーによる反応溶液の分析に基
づく１−フェニルナフタレンの収率を第２表にまとめて
示した。
ｈ）を０．１２５ｍモル、１−ブロモナフタレンを０．
１２５ｍモル、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４を０．０１２５ｍモ
ル、ＮＭＰを３ｍｌを混合し、種々の添加物（０．３７
５ｍモル）の存在下、窒素雰囲気下１００℃で反応させ
た。ガスクロマトグラフィーによる反応溶液の分析に基
づく１−フェニルナフタレンの収率を第２表にまとめて
示した。
【００４５】
【表２】
【００４６】実施例１７〜２８トリフェニルビスマス
（実施例１７〜２６）、前記実施例１３〜１６で使用し
たビスマス化合物（表３中では、実施例番号の後の「＊
３」で示す。）（実施例２７）、または、次式
（実施例１７〜２６）、前記実施例１３〜１６で使用し
たビスマス化合物（表３中では、実施例番号の後の「＊
３」で示す。）（実施例２７）、または、次式
【００４７】
【化３】
【００４８】で表される有機ビスマス化合物（表３中で
は、実施例番号の後の「＊４」で示す。）（実施例２
８）と、脱離基を有する種々の有機化合物の反応結果
を、反応の実施方法・条件と共に第３表にまとめて示し
た。表３に示す方法は、ビスマス化合物０．１２５ミリ
モル、脱離基を有する有機化合物０．４０６ミリモル、
Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．００６２ミリモル、ＮＭＰ溶媒
を３ｍｌ用いて、１００℃にて反応させたものである。
は、実施例番号の後の「＊４」で示す。）（実施例２
８）と、脱離基を有する種々の有機化合物の反応結果
を、反応の実施方法・条件と共に第３表にまとめて示し
た。表３に示す方法は、ビスマス化合物０．１２５ミリ
モル、脱離基を有する有機化合物０．４０６ミリモル、
Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．００６２ミリモル、ＮＭＰ溶媒
を３ｍｌ用いて、１００℃にて反応させたものである。
【００４９】
【表３】
【００５０】表３中の「＊１」の注は、添加物のビスマ
ス化合物に対する当量であることを示し、「＊２」の注
は（実施例２４〜２６）、溶媒としてＮＭＰに代えてＤ
ＭＥを使用ことを示す。
ス化合物に対する当量であることを示し、「＊２」の注
は（実施例２４〜２６）、溶媒としてＮＭＰに代えてＤ
ＭＥを使用ことを示す。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、有機ビスマス化合物と
脱離基を有する種々の有機化合物の反応により有機基の
交差結合生成反応を高い収率で実現でき、生成物の分離
も容易である。２種類の有機基の交差結合生成反応は医
農薬の合成において極めて重要な反応であり、また、有
機系電子材料をはじめとする各種有機系材料の製造にも
有用である。従って本発明の産業的意義は多大である。
脱離基を有する種々の有機化合物の反応により有機基の
交差結合生成反応を高い収率で実現でき、生成物の分離
も容易である。２種類の有機基の交差結合生成反応は医
農薬の合成において極めて重要な反応であり、また、有
機系電子材料をはじめとする各種有機系材料の製造にも
有用である。従って本発明の産業的意義は多大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 15/24 Ｃ０７Ｃ 15/24 17/263 17/263 25/18 25/18 45/65 45/65 49/784 49/784 253/30 253/30 255/50 255/50 Ｃ０７Ｆ 9/94 Ｃ０７Ｆ 9/94 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 島田 茂 茨城県つくば市東１−１ 工業技術院物 質工学工業技術研究所内 (72)発明者 マダリ ラクシュミ ナラヤナ ラオ 茨城県つくば市梅園２−34−２ ベルコ ーポ梅園202号 (56)参考文献 特開2000−26335（ＪＰ，Ａ) Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，1988，Ｖｏ ｌ．44，Ｎｏ．18，Ｐ5661−68 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 31/24 B01J 31/28 C07C 1/32 C07C 15/14 C07C 15/24 C07C 17/263 C07C 25/18 C07C 45/65 C07C 49/784 C07C 253/30 C07C 255/50 C07F 9/94 C07B 61/00 300 ＣＡＳＲＥＡＣＴ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） ＢｉＲ１Ｒ２Ｒ３ （Ｉ） （式中、Ｒ１は、アルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリー
ル基、複素環式基、アラルキル基の中から選ばれる１価
の基を示し、Ｒ２およびＲ３は、アルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケ
ニル基、アリール基、複素環式基、アラルキル基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アミノ基の中から選ばれ
る１価の基を示し、Ｒ２およびＲ３は結合して環を形成
していてもよく、またその環のなかにヘテロ原子を含ん
でいてもよい。）で表される有機ビスマス化合物Ａと、 一般式（II） Ｒ４−Ｙ （II） （式中、Ｒ４はアリール基、複素環式基、アルケニル基
の中から選ばれる１価の基を示し、Ｙは脱離基を示
す。）で表される有機化合物（Ｂ）とを、遷移金属触媒
および塩基性化合物の存在下に反応させて、有機ビスマ
ス化合物（Ａ）の有機基と有機化合物（Ｂ）の有機残基
とが新たな炭素−炭素結合で結合した化合物を製造する
方法。 - 【請求項２】 遷移金属触媒が、パラジウム化合物、ニ
ッケル化合物又は白金化合物である請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 反応操作を非プロトン性極性溶媒中で行
う請求項１又は２に記載の方法。
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