JP2002283732A - 光記録媒体及び光記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 短波長に発振波長を有する半導体レーザを用
いるＤＶＤ−Ｒディスクシステムに適用可能で、耐光
性、保存安定性に優れ、エラーとなる光学特性変化を起
こさずに溶解度を変化させることができる記録材料を用
いた光記録媒体及び光記録方法の提供。 【解決手段】 基板上に記録層を設けてなる光記録媒体
において、記録層中に一般式（Ｉ）で示されるアゾ金属
キレート色素化合物を少なくとも一種類含有することを
特徴とする光記録媒体及び光記録方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、短波長レーザ光に
より記録再生が可能な色素記録層を有する光記録媒体及
び光記録方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、次世代大容量光ディスクとしてＤ
ＶＤ−Ｒの開発が進められている。記録容量向上のため
には、記録ピット微少化のための記録材料開発、ＭＰＥ
Ｇ２に代表される画像圧縮技術の採用、記録ピット読み
取り用の半導体レーザを短波長化する技術の開発等が必
要である。これまで赤色波長域の半導体レーザとして
は、バーコードリーダ、計測器用に６７０ｎｍ帯のＡｌ
ＧａＩｎＰレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶＤ
ドライブの場合、光源として６５０ｎｍ帯のレーザダイ
オードで規格化されている。このような状況下で最も好
ましいＤＶＤ−Ｒ媒体は、波長６３０〜６７０ｎｍで記
録、再生が可能な媒体である。しかしながら、耐光性、
保存安定性に優れ６７０ｎｍ以下のレーザを用いた光ピ
ックアップで記録、再生が可能な記録材料はまだ開発さ
れていない。また、光ディスクの高密度化に伴い、基板
上に形成される案内溝のトラックピッチが狭くなってい
る。光ディスクの生産にはスピンコート法等の記録層材
料の溶剤液を塗布する方法が用いられているが、トラッ
クピッチの狭化により塗膜形状の制御が難しくなってい
る。一般的に、塗膜形状の制御は塗布溶剤への添加剤の
混入等によって行う方法と、記録材の溶解度を変化させ
る方法が採られている。しかし、前者は塗布溶剤の品質
管理に問題があり、後者は記録材の光学特性が大きく変
化するという問題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術に比べて、短波長に発振波長を有する半導体レーザを
用いるＤＶＤ−Ｒディスクシステムに適用可能で、耐光
性、保存安定性に優れ、エラーとなる光学特性変化を起
こさずに溶解度を変化させることができる記録材料を用
いた光記録媒体及び光記録方法の提供を目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等が検討した結
果、特定の構造を有する色素を主成分とする記録層とす
れば、発振波長６７０ｎｍ以下の半導体レーザを用いる
次世代大容量光ディスクシステムに適用可能となること
を見出し、また、エラーとなる光学特性変化を起こさず
溶解度を変化させることができることを見出し本発明に
至った。即ち、上記課題は、次の１）〜６）の発明（以
下、本発明１〜６という）によって解決される。 １） 基板上に記録層を設けてなる光記録媒体におい
て、記録層中に一般式（Ｉ）で示されるアゾ金属キレー
ト色素化合物を少なくとも一種類含有することを特徴と
する光記録媒体。

【化２】 一般式（Ｉ）において、Ｍは３価の金属原子を表し、Ｒ
_１〜Ｒ_７はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニ
トロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、
置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリー
ル基、置換又は未置換の複素環残基、置換又は未置換の
アルキルカルボニル基、置換又は未置換のアリールカル
ボニル基、置換又は未置換のアルキルオキシカルボニル
基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置
換又は未置換のアルキルスルホニル基、置換又は未置換
のアリールスルホニル基、置換又は未置換のアルキルチ
オオキシ基、置換又は未置換のアリールチオオキシ基、
置換又は未置換のアルキルオキシ基、置換又は未置換の
アリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルアミノ
基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置
換のアルキルカルボニルアミノ基、置換又は未置換のア
リールカルボニルアミノ基、置換又は未置換のアルキル
カルバモイル基、置換又は未置換のアリールカルバモイ
ル基、置換又は未置換のアルケニル基を表し、Ｒ_８〜Ｒ
_９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は未置換のアルキ
ル基、置換又は未置換のアリール基を表し、Ｒ_１０〜Ｒ
_１２はそれぞれ独立に水素原子、置換又は未置換のアル
キル基、置換又は未置換のアリール基を表す。また、Ｒ
_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_５とＲ_８、Ｒ_６
とＲ_９、又はＲ_８とＲ_９は連結して環を形成していても
よい。 ２） 前記３価の金属原子がコバルト、バナジウム、ア
ルミニウム、クロムの何れかであることを特徴とする
１）記載の光記録媒体。 ３） 前記記録層を構成するアゾ金属キレート色素化合
物（有機色素）の熱重量分析で、主減量過程での温度に
対する減量の割合が２％／℃以上であることを特徴とす
る１）又は２）記載の光記録媒体。 ４） 前記記録層を構成するアゾ金属キレート色素化合
物（有機色素）の熱重量分析で、主減量過程での総減量
が３０％以上で、かつ減量開始温度が２００〜３５０℃
であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光
記録媒体。 ５） 基板上のトラックピッチが０．７〜０．８μｍで
あり、溝幅が半値幅で、０．１８〜０．３６μｍである
ことを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒
体。 ６） 記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に対する記
録層単層の屈折率ｎが、１．５≦ｎ≦３．０であり、消
衰係数ｋが、０．０２≦ｋ≦０．２である１）〜５）の
何れかに記載の光記録媒体を用いることを特徴とする光
記録再生方法。

【０００５】以下、上記発明について詳しく説明する。
一般式（Ｉ）におけるＭ、即ち３価の金属原子の具体例
としては、コバルト、バナジウム、アルミニウム、クロ
ム等が挙げられる。特にコバルトアゾ金属キレート色素
化合物は、光記録材料として耐光性及び溶解性に優れ、
かつセルソルブ類、フッ素アルコール類に対して高い溶
解性を示す。また、Ｒ_１〜Ｒ_７、Ｒ_８〜Ｒ_９、Ｒ_１０〜
Ｒ_１２は、前記１）に記載した通りである。前記記載に
おけるハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられる。前記アルキル基の具体例と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブ
チル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチ
ル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等
の一級アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、２−
メチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペ
ンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル
基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４
−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチ
ルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプ
チル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル
基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３
−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル
基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，
２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−
エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−
ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル
基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１
−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプ
ロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−エチ
ル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプ
ロピル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチ
ル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル
−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチル
ブチル基、１−メチルオクチル基、１−プロピルヘキシ
ル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級ア
ルキル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅ
ｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オ
クチル基等の三級アルキル基、シクロヘキシル基、４−
メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル
基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２
−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イ
ソボルニル基（アダマンタン基）等のシクロアルキル基
等が挙げられる。

【０００６】更に、これら一級及び二級アルキル基は、
水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シア
ノ基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の
複素環残基等により置換されていてもよく、また酸素、
硫黄、窒素等の原子を介して前記のアルキル基で置換さ
れていてもよい。酸素を介して置換されているアルキル
基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル
基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、
メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ
基、モルホリノ基等が、硫黄を介して置換されているア
ルキル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエ
チル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基
等が、窒素を介して置換されているアルキル基として
は、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル
基、ジエチルアミノプロピル基等が挙げられる。前記ア
リール基の具体例としては、フェニル基、ペンタレニル
基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタ
レニル基、ビフェニレニル基、フェナレニル基、フェナ
ントレニル基、アントラセニル基、トリフェニレニル
基、ピレニル基等が挙げられる。前記複素環残基の具体
例としては、インドリル基、フリル基、チエニル基、ピ
リジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル
基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリル基等が挙げ
られる。

【０００７】前記アルキルカルボニル基の具体例として
は、カルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のア
ルキル基が結合されているものであればよく、アルキル
基の具体例としては前述のものを挙げることができる。
前記アリールカルボニル基の具体例としては、カルボニ
ル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結
合されているものであればよく、アリール基の具体例と
しては前述のものを挙げることができる。前記アルキル
オキシカルボニル基の具体例としては、オキシカルボニ
ル基の酸素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結
合されているものであればよく、アルキル基の具体例と
しては前述のものを挙げることができる。前記アリール
オキシカルボニル基の具体例としては、オキシカルボニ
ル基の酸素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結
合されているものであればよく、アリール基の具体例と
しては前述のものを挙げることができる。前記アルキル
スルホニル基の具体例としては、スルホニル基の硫黄原
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
ものを挙げることができる。前記アリールスルホニル基
の具体例としては、スルホニル基の硫黄原子に直接置換
又は未置換のアリール基が結合されているものであれば
よく、アリール基の具体例としては前述のものを挙げる
ことができる。

【０００８】前記アルキルチオキシ基の具体例として
は、硫黄原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合
されているものであればよく、アルキル基の具体例とし
ては前述のものを挙げることができる。前記アリールチ
オキシ基の具体例としては、硫黄原子に直接置換又は未
置換のアリール基が結合されているものであればよく、
アリール基の具体例としては前述のものを挙げることが
できる。前記アルキルオキシ基の具体例としては、酸素
原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されてい
るものであればよく、アルキル基の具体例としては前述
のものを挙げることができる。前記アリールオキシ基の
具体例としては、酸素原子に直接置換又は未置換のアリ
ール基が結合されているものであればよく、アリール基
の具体例としては前述のものを挙げることができる。前
記アルキルアミノ基の具体例としては、窒素原子に直接
置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであ
ればよく、アルキル基の具体例としては前述のものを挙
げることができる。前記アリールアミノ基の具体例とし
ては、窒素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結
合されているものであればよく、アリール基の具体例と
しては前述のものを挙げることができる。

【０００９】前記アルキルカルボニルアミノ基の具体例
としては、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又
は未置換のアルキル基が結合されているものであればよ
く、アルキル基の具体例としては前述のものを挙げるこ
とができる。前記アリールカルボニルアミノ基の具体例
としては、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又
は未置換のアリール基が結合されているものであればよ
く、アリール基の具体例としては前述のものを挙げるこ
とができる。前記アルキルカルバモイル基の具体例とし
ては、カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立し
て水素原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されて
いるものであればよく、アルキル基の具体例としては前
述のものを挙げることができる。前記アリールカルバモ
イル基の具体例としては、カルバモイル基の窒素原子に
直接それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアリ
ール基が結合されているものであればよく、アリール基
の具体例としては前述のものを挙げることができる。

【００１０】次に、記録層を構成するのに必要な項目と
して、光学特性と熱的特性が挙げられる。前記一般式で
示される色素化合物は、光吸収スペクトルの変化を伴う
ことなく溶解度を変化させることができる。該色素化合
物の光吸収特性は、下記一般式（II）の部分が支配して
おり、該化合物の溶解度の変化は、下記一般式（III）
で示した部分の変化によって行う。これにより、エラー
となる光学特性変化を起こさずに溶解度を変化させるこ
とができる記録材料の提供が可能となった。

【化３】

【化４】

【００１１】光学特性としては、記録再生波長である６
３０ｎｍ〜６９０ｎｍのレーザ光に対して短波長側に大
きな吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波
長端近傍にあることが必要である。これは、記録再生波
長である６３０ｎｍ〜６９０ｎｍで大きな屈折率と消衰
係数を有することを意味する。具体的には、記録再生波
長近傍の長波長近傍の波長域光に対する記録層単層の屈
折率ｎが、１．５≦ｎ≦３．０であり、消衰係数ｋが、
０．０２≦ｋ≦０．２の範囲にあることが好ましい。ｎ
が１．５未満の場合には、十分な光学的変化が得られ難
いため、記録変調度が低くなるので好ましくなく、ｎが
３．０を超えると、波長依存性が高くなり過ぎるため、
記録再生波長領域であってもエラーとなってしまうので
好ましくない。また、ｋが０．０２未満の場合には、記
録感度が悪くなるため好ましくなく、ｋが０．２を超え
ると、５０％以上の反射率を得ることが困難となるので
好ましくない。

【００１２】熱的特性としては、熱重量分析に於ける主
減量過程での重量減量が、温度に対して急であることが
必要である。主減量過程により有機材料膜は分解し、膜
厚の減少と光学定数の変化を起こし、光学的な意味での
記録部が形成されるからである。従って、主減量過程の
重量減量が温度に対して穏やかな場合、記録部が広い温
度範囲に亘って形成されてしまうため、高密度の記録部
を形成させる場合は極めて不利となる。同様な理由で重
量減量の過程が複数存在する材料を用いた場合も高密度
対応には不利である。本発明ではいくつかの重量減量過
程のうちで、減量率が最大のものを主減量過程と呼ぶ。

【００１３】本発明に於いて重量減量の傾きは次のよう
にして求める。図１に示すように、質量Ｍ０の有機色素
を窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎ．で昇温させる。この
昇温に従って、質量は微量づつ減少し、ほぼ直線ａ−ｂ
の重量減量線を示し、ある温度に達すると急激な重量減
少を起こし、ほぼ直線ｃ−ｄに沿って重量減量を起こ
す。更に温度を上げ続けると質量の急激な減量が終了
し、ほぼ直線ｅ−ｆに沿った重量減少を起こす。今直線
ａ−ｂと直線ｃ−ｄとの交点に於ける温度をＴ１
（℃）、初期質量Ｍ０に対する残存重量をｍ１（％）、
直線ｃ−ｄと直線ｅ−ｆとの交点に於ける温度をＴ２
（℃）、初期質量Ｍ０に対する残存重量をｍ２（％）と
すると、主減量過程開始温度はＴ１、主減量過程終了温
度はＴ２となり、初期重量に対する主減量過程での重量
減量率は、（ｍ１−ｍ２）（％）で示され、主減量過程
での温度に対する重量減量の割合は、次式で示される値
となる。

【数１】（ｍ１−ｍ２）（％）／（Ｔ２−Ｔ１）（℃）

【００１４】上記定義に基づくと光記録媒体に用いる記
録材料としては、主減量過程に於ける温度に対する重量
減量の割合が２％／℃以上であることが好ましく、２％
／℃未満の記録材料を用いると、記録部の広がりが大き
くなるし、短い記録部を形成することが困難となるた
め、光記録媒体には不向きである。また、主減量過程に
於ける重量減少率は、３０％以上であることが好まし
く、３０％未満では、良好な記録変調度や記録感度が得
られない可能性がある。更に、熱的特性としては、減量
開始温度が３５０℃以下である必要があり、２００〜３
５０℃の範囲にあることが望ましい。減量開始温度が３
５０℃を超えると記録レーザ光のパワーが高くなり過ぎ
て実用的でなく、２００℃未満では再生劣化を起こすな
ど記録安定性が悪くなる。

【００１５】基板形状としては、基板上のトラックピッ
チが０．７〜０．８μｍ、溝幅が半値幅で０．１８〜
０．３６μｍとする必要がある。基板は通常、深さ１０
００〜２５００Åの案内溝を有しており、トラックピッ
チは、通常０．７〜１．０μｍであるが、高容量化の用
途には０．７〜０．８μｍが好ましい。また、溝幅が
０．１８μｍ未満では十分なトラッキングエラー信号強
度を得ることが困難となる恐れがあるし、０．３６μｍ
を超えると、記録したときに記録部が横に広がり易くな
るので好ましくない。

【００１６】本発明の光記録媒体の層構成としては、通
常の追記型光ディスクである図２の構造（図２の媒体を
２枚貼り合わせた所謂エアーサンドイッチ型、又は密着
貼合わせ構造としてもよい）、図３のようなＣＤ−Ｒ用
の構造、更には図４のようなＤＶＤ−Ｒ用の構造とする
ことができる。好ましい層構成としては、第１基板と第
２基板を記録層を介して接着剤で貼り合わせた構造を基
本構造とする。記録層は有機色素層単層でもよく、反射
率を高めるため有機色素層と金属反射層との積層構造と
してもよい。記録層と基板の間には下引き層又は保護層
を設けてもよく、機能向上のためにそれらを積層化した
構成としてもよい。最も普通に用いられるのは、第１基
板／有機色素記録層／金属反射層／保護層／接着層／第
２基板からなる構造である。

【００１７】以下、各層の必要特性及び構成材料例につ
いて順に説明する。 ＜基板＞基板の必要特性としては、基板側より記録再生
を行う場合のみ使用レーザ光に対して透明とし、記録層
側から記録再生を行う場合には透明である必要はない。
基板材料としては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリ
アミド、ポリカーボネート、ポリオレフィン、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等のプラスチック、
ガラス、セラミックあるいは金属等を用いることができ
る。なお、基板を１層しか用いない場合、又は基板２枚
をサンドイッチ状で用いる場合は、第１基板の表面にト
ラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス信号
等のプレフォーマットを形成してもよい。

【００１８】＜中間層＞下引き層等を含め基板、記録
層、反射層、保護層以外に設けられた層をここでは中間
層と呼ぶことにする。この中間層は（ａ）接着性の向
上、（ｂ）水、又はガス等のバリアー、（ｃ）記録層の
保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤か
らの基板や記録層の保護、（ｆ）案内溝・案内ピット・
プレフォーマット等の形成、などを目的として使用され
る。（ａ）の目的に対しては、アイオノマー樹脂、ポリ
アミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコ
ーン、液状ゴム等の種々の高分子物質、及びシランカッ
プリング剤等を用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の
目的に対しては、前記高分子材料以外に、ＳｉＯ_２、Ｍ
ｇＦ_２、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等
の無機化合物、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、
Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属又は半金属を用いることがで
きる。また（ｄ）の目的に対しては、Ａｌ、Ａｇ等の金
属や、メチン染料、キサンテン系染料等の金属光沢を有
する有機薄膜を用いることができ、（ｅ）及び（ｆ）の
目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑
性樹脂等を用いることができる。下引き層の膜厚は、
０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍと
する。

【００１９】＜記録層＞記録層はレーザ光の照射により
何らかの光学的変化を生じ、その変化により情報を記録
できるものであって、この記録層中には本発明の色素化
合物が含有されていることが必要であり、記録層の形成
に当って本発明の色素を１種で又は２種以上組合せて用
いてもよい。更に、本発明の色素化合物は、光学特性、
記録感度、信号特性等の向上の目的として他の有機色
素、金属、金属化合物などと混合したり或いは積層化し
てもよい。他の有機色素の例としては、ポリメチン色
素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリ
リウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノ
ン系、アントレキノン（インダンスレン）系、キサンテ
ン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒド
ロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系
各染料、及び金属キレート化合物等が挙げられ、これら
の染料は単独でも２種以上組合せて用いてもよい。ま
た、前記染料中にＩｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、Ａｓ、Ｃｄ、ＴｅＯ_２、Ｓｎ
Ｏ、等の金属又は金属化合物を分散混合するか、或いは
これらの材料を積層して用いることもできる。更に、前
記染料中に、アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビ
ニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種
々の高分子材料、又はシランカップリング剤等を分散混
合して用いてもよいし、或いは特性改良の目的で、安定
剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯
電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒に用いてもよ
い。

【００２０】記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、
ＣＶＤ（化学的気相成長）又は溶液塗布等の通常の手段
によって行うことができる。塗布法を用いる場合には前
記染料等を有機溶媒等に溶解してスプレー、ローラーコ
ーティング、ディッピング、スピンコーティング等の慣
用のコーティング法により塗布すればよい。有機溶剤と
しては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等
のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類；ジ
メチルスルホキシド等のスルホキシド類；テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリ
コールモノメチルエーテル等のエーテル類；酢酸メチ
ル、酢酸エチル等のエステル類；クロロホルム、塩化メ
チレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタ
ン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類；又はベンゼン、キ
シレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳
香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノール等の
セロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、
メチルシクロヘキサン等の炭化水素類等を用いることが
できる。記録層の膜厚は、１００Å〜１０μｍ、好まし
くは２００〜２０００Åとする。

【００２１】＜金属反射層＞反射層材料としては、単体
で高反射率の得られる腐食され難い金属や半金属等が挙
げられ、具体例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａ
ｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等が挙げられるが、反射率や生産性の点
からＡｕ、Ａｇ、Ａｌが最も好ましい。また、これらの
金属や半金属は単独でも２種の合金として用いてもよ
い。反射層の形成法としては、蒸着、スッパタリング等
が挙げられ、膜厚は５０〜５０００Å、好ましくは１０
０〜３０００Åとする。

【００２２】＜保護層、基板表面ハードコート層＞保護
層又は基板面ハードコート層は、（ａ）記録層（反射吸
収層）の傷、ホコリ、汚れ等からの保護、（ｂ）記録層
（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射率の向
上、等を目的として使用される。材料としては、前記中
間層に示したものを用いることができる。また、無機材
料としてＳｉＯ、ＳｉＯ_２等も用いることができ、有機
材料としてポリメチルアクリレート、ポリカーボネー
ト、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ビニ
ル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香属炭化
水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロ
プレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジ
ン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。
前記材料のうち保護層又は基板表面ハードコート層に最
も好ましいのは生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。
保護層又は基板面ハードコート層の膜厚は、０．０１〜
３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍとする。本発
明において、前記中間層、保護層及び基板面ハードコー
ト層には、記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有
させることができる。

【００２３】一般式（１）で示されるアゾ金属キレート
色素化合物の好ましい例を次の表１に示す。

【表１】

【００２４】

【実施例】以下、合成例、実施例及び比較例により本発
明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によ
り限定されるものではない。

【００２５】一般式（Ｉ）の色素化合物の合成例 ≪化合物Ｎｏ．１の合成≫２−アミノ−４−ニトロフェ
ノールをジアゾ化したものを、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−
アミノフェノールとカップリングしアゾ色素を得た。こ
のアゾ色素をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）中に溶解
し、アゾ色素に対して２倍当量の水酸化ナトリウム溶液
を加えて混合撹拌した。得られた溶液に、アゾ色素に対
し０．５倍当量のコバルト（III）アセチルアセトナー
トを加え、５０℃で２時間混合撹拌した後、反応液の１
０倍量の水を加え、更に溶液が酸性になるまで塩酸を加
えた。析出した結晶をＤＭＦ中に溶解し、先のアゾ色素
に対し５倍当量の塩酸、次いで先のアゾ色素に対し５倍
当量のトリメチルアミンをを加え、５０℃で２時間混合
撹拌した後、反応液の１０倍量の水を加えた。析出した
結晶を２−プロパノールより再結晶して化合物Ｎｏ．１
を得た。 ≪化合物Ｎｏ．２〜２０の合成≫化合物Ｎｏ．１と同様
にして、化合物Ｎｏ．２〜２０を合成した。

【００２６】実施例１ 厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に、
フォトポリマーを用いて深さ１７５０Å、半値幅０．２
５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝を形成し
た後、化合物Ｎｏ．１の１，１，２，２−テトラフルオ
ロプロパノール溶液をスピンナー塗布し、厚さ９００Å
の記録層を形成した。次いで、スパッタ法により厚さ１
２００Åの金の反射層を設け、更にその上にアクリル系
フォトポリマーを用いて厚さ７μｍの保護層を設けた。
最後に、厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート平
面基板をアクリル系フォトポリマーにより接着して光記
録媒体とした。

【００２７】実施例２〜２０ 実施例１で用いた化合物Ｎｏ．１に代えて化合物Ｎｏ．
２〜２０を用い、実施例１と全く同様にして光記録媒体
を作成した。

【００２８】比較例１ 実施例１で用いた化合物Ｎｏ．１に代えて、次の〔化
５〕の化合物を用い、実施例１と全く同様にして光記録
媒体を作成した。

【化５】

【００２９】上記のようにして作成した実施例１〜２０
及び比較例１の光記録媒体に対し、レーザ発振波長６５
８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザ光を用いて
トラッキングしながらＥＦＭ信号（線速３．５ｍ／ｓｅ
ｃ．）を記録し、次いで発振波長６８５ｎｍの半導体レ
ーザの連続光（再生パワー０．７ｍＷ）を用いて再生
し、再生波形を観察すると共に、次のような耐候テスト
を行った。 ＜耐候テスト条件＞ 耐光テスト：４万Ｌｕｘ、Ｘｅ光、２０時間連続照射 保存テスト：６０℃、９０％、６００時間放置 測定結果を次の表２に示す。

【００３０】

【表２】

【００３１】

【発明の効果】本発明１〜２によれば、６７０ｎｍ以下
の波長域のレーザ光で記録、再生が可能で、耐光性、高
塗布性、保存安定性に優れた光記録媒体を提供できる。
本発明３〜４によれば、低ジッタで高密度記録が可能な
光記録媒体を提供できる。本発明５によれば、より安定
した記録再生が可能な光記録媒体を提供できる。本発明
６によれば、高反射率かつ高変調度で安定した記録再生
が可能な光記録再生方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】有機材料の主減量過程、重量減量率を求める方
法の説明図である。

【図２】通常の追記型光記録媒体の層構成例を示す図で
ある （ａ） 基板と記録層からなる基本構成を示す。 （ｂ） 基板と記録層の間に下引き層を設けた構成を示
す。 （ｃ） 更に記録層の上に保護層を設けた構成を示す。 （ｄ） 更に基板の裏面にハードコート層を設けた構成
を示す。

【図３】ＣＤ−Ｒ用の光記録媒体の層構成例を示す図で
ある。 （ａ） 基板、記録層、金属反射層、保護層を設けた基
本構成を示す。 （ｂ） 更に基板と記録層の間に下引き層を設けた構成
を示す。 （ｃ） 更に基板の裏面にハードコート層を設けた構成
を示す。

【図４】ＤＶＤ−Ｒ用の光記録媒体の層構成例を示す図
である。 （ａ） 基板、記録層、金属反射層、保護層を設けた基
本構成を示す。 （ｂ） 更に保護層上に接着層を介して保護基板を設け
た構成を示す。 （ｃ） 更に基板と記録層の間に下引き層を設け、基板
の裏面にハードコート層を設けた構成を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５２２Ａ ５２２ ５６１Ｎ ５６１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 戸村 辰也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 野口 宗 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA31 EA40 FB42 5D029 JA04 JC05 JC06 WB11 WB14 WD10

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に記録層を設けてなる光記録媒体
   において、記録層中に一般式（Ｉ）で示されるアゾ金属
   キレート色素化合物を少なくとも一種類含有することを
   特徴とする光記録媒体。 【化１】 一般式（Ｉ）において、Ｍは３価の金属原子を表し、Ｒ
   _１〜Ｒ_７はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニ
   トロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、
   置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリー
   ル基、置換又は未置換の複素環残基、置換又は未置換の
   アルキルカルボニル基、置換又は未置換のアリールカル
   ボニル基、置換又は未置換のアルキルオキシカルボニル
   基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル基、置
   換又は未置換のアルキルスルホニル基、置換又は未置換
   のアリールスルホニル基、置換又は未置換のアルキルチ
   オオキシ基、置換又は未置換のアリールチオオキシ基、
   置換又は未置換のアルキルオキシ基、置換又は未置換の
   アリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルアミノ
   基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は未置
   換のアルキルカルボニルアミノ基、置換又は未置換のア
   リールカルボニルアミノ基、置換又は未置換のアルキル
   カルバモイル基、置換又は未置換のアリールカルバモイ
   ル基、置換又は未置換のアルケニル基を表し、Ｒ_８〜Ｒ
   _９はそれぞれ独立に水素原子、置換又は未置換のアルキ
   ル基、置換又は未置換のアリール基を表し、Ｒ_１０〜Ｒ
   _１２はそれぞれ独立に水素原子、置換又は未置換のアル
   キル基、置換又は未置換のアリール基を表す。また、Ｒ
   _１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_５とＲ_８、Ｒ_６
   とＲ_９、又はＲ_８とＲ_９は連結して環を形成していても
   よい。
2. 【請求項２】 前記３価の金属原子がコバルト、バナジ
   ウム、アルミニウム、クロムの何れかであることを特徴
   とする請求項１記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 前記記録層を構成するアゾ金属キレート
   色素化合物（有機色素）の熱重量分析で、主減量過程で
   の温度に対する減量の割合が２％／℃以上であることを
   特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記記録層を構成するアゾ金属キレート
   色素化合物（有機色素）の熱重量分析で、主減量過程で
   の総減量が３０％以上で、かつ減量開始温度が２００〜
   ３５０℃であることを特徴とする請求項１〜３の何れか
   に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 前記基板上のトラックピッチが０．７〜
   ０．８μｍであり、溝幅が半値幅で、０．１８〜０．３
   ６μｍであることを特徴とする請求項１〜４の何れかに
   記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に
   対する記録層単層の屈折率ｎが、１．５≦ｎ≦３．０で
   あり、消衰係数ｋが、０．０２≦ｋ≦０．２である請求
   項１〜５の何れかに記載の光記録媒体を用いることを特
   徴とする光記録再生方法。