JP2003237240A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Abstract
する半導体レーザを用いるDVD−Rディスクシステム
おいて、記録、再生が可能で、しかも耐光性、保存安定
性が共に優れた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に記録層を設けてなる光記録媒体
において、記録層中に下記一般式(I)で示されるアゾ
化合物と金属、金属酸化物またはそれらの塩とから形成
されるアゾ金属キレートアニオン化合物と下記一般式
(II)で示されるシアニン色素カチオン化合物とから形
成される色素塩を少なくとも一種類含有する(式中、R
1〜R8及びA、Bは明細書に示すとおりである)。 【化1】 【化2】
Description
クトディスク、DVD−R 等データ用大容量追記光デ
ィスクに関する。また、本発明による光ディスクは大容
量光カードとしても応用できる。
VD−Rの開発が進められている。そのための記録容量
向上の要素技術としては、記録ピット微少化のための記
録材料開発、MPEG2に代表される画像圧縮技術の採
用、記録ピット読みとりのための半導体レーザの短波長
化等の技術開発が必要である。
は、バーコードリーダ、計測器用に670nm体のAl
GaInPレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。DVD
ドライブの場合、光源として635nm帯と650nm
帯のレーザダイオードの2つの波長で規格化されてい
る。一方、再生専用のDVD−ROMドライブは波長〜
650nmで商品化されている。
Rメディアは、波長630〜670nmで記録、再生が
可能なメディアである。WO98/29257、特開2
000−198273、特開2000−190642等
には630〜690nmから選択される波長において、
優れた記録ないし再生特性が得られるとして、アゾ系金
属錯塩アニオンとシアニン色素カチオンとの塩形成色素
を記録層に用いた光記録媒体が開示されている。しかし
ながら、これらはいずれも耐光性、保存安定性の点で必
ずしも十分ではない。
みてなされたもので、上記従来システムに比べて短波長
に発振波長を有する半導体レーザを用いるDVD−Rデ
ィスクシステムにおいて、記録、再生が可能で、しかも
耐光性、保存安定性が共に優れた光記録媒体を提供する
ことを目的とする。
解決するべく検討した結果、特定の構造を有する色素を
主成分とする記録層とすることにより、発振波長670
nm以下の半導体レーザを用いる次世代大容量光ディス
クシステムに適用可能なことを見いだし本発明に至っ
た。すなわち、本発明によれば、第一に、請求項1で
は、基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、
記録層中に下記一般式(I)で示されるアゾ化合物と金
属、金属酸化物またはそれらの塩とから得られるアゾ金
属キレートアニオン化合物と下記一般式(II)で示さ
れるシアニン色素カチオン化合物とから得られる色素塩
を少なくとも一種類含有することを特徴とする光記録媒
体が提供される。
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、
カルボキシ基、アミノ基、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは
未置換の複素環残基、置換もしくは未置換のアルキルカ
ルボニル基、置換もしくは未置換のアリールカルボニル
基、置換もしくは未置換のアルキルオキシカルボニル
基、置換もしくは未置換のアリールオキシカルボニル
基、置換もしくは未置換のアルキルスルホニル基、置換
もしくは未置換のアリールスルホニル基、置換もしくは
未置換のアルキルチオオキシ基、置換もしくは未置換の
アリールチオオキシ基、置換もしくは未置換のアルキル
オキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルアミノ基、置換もしくは未
置換のアリールアミノ基、置換もしくは未置換のアルキ
ルカルボニルアミノ基、置換もしくは未置換のアリール
カルボニルアミノ基、置換もしくは未置換のアルキルカ
ルバモイル基、置換もしくは未置換のアリールカルバモ
イル基、置換もしくは未置換のアルケニル基を表し、ま
た、R1とR2、R2とR3、もしくはR3とR4は連結して
環を形成していても良い)
立に炭素と隣接の窒素原子を連結し芳香族性を有する環
を表し、R7およびR8はそれぞれ独立に置換もしくは未
置換のアルキル基を表す)
載の光記録媒体において、アゾ金属キレートアニオン化
合物における金属または金属酸化物の価数が3価である
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。
は2に記載の光記録媒体において、アゾ金属キレートア
ニオン化合物における金属原子がコバルトであることを
特徴とする光記録媒体が提供される。
3のいずれか1項に記載の光記録媒体において、一般式
(II)で表されるシアニン色素カチオン化合物の炭素と
隣接の窒素原子を連結し芳香族性を有する環が、インド
レニン環、チアゾリン環、またはオキサゾリン環である
こと(ただし、これらはベンゼン環を縮合してもよ
い。)を特徴とする光記録媒体が提供される。
4のいずれか1項に記載の光記録媒体において、記録再
生波長±5nmの波長領域の光に対する記録層単層の屈
折率nが1.5≦n≦3.0であり、消衰係数kが0.
02≦k≦0.2であることを特徴とする光記録媒体が
提供される。
5のいずれか1項に記載の光記録媒体において、有機色
素の熱重量分析における主減量過程での温度に対する減
量の傾きが2%/℃以上であることを特徴とする光記録
媒体が提供される。
6のいずれか1項に記載の光記録媒体において、有機色
素の熱重量分析における主減量過程での総減量が30%
以上で、かつ減量開始温度が350℃以下であることを
特徴とする光記録媒体が提供される。
7のいずれか1項に記載の光記録媒体において、基板上
のトラックピッチが0.7〜0.8μmであり、溝幅が
半値幅で、0.18〜0.40μmであることを特徴と
する光記録媒体が提供される。
上述のように、本発明の光記録媒体は、一般式(I)で
示されるアゾ化合物を用いたアゾ系アゾ金属キレートア
ニオン化合物と一般式(II)で示されるシアニン色素カ
チオン化合物とで形成される色素塩を少なくとも一種類
含有する記録層を有する。
式(I)において、R1〜R6はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カル
ボキシ基、アミノ基、置換もしくは未置換のアルキル
基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未
置換の複素環残基、置換もしくは未置換のアルキルカル
ボニル基、置換もしくは未置換のアリールカルボニル
基、置換もしくは未置換のアルキルオキシカルボニル
基、置換もしくは未置換のアリールオキシカルボニル
基、置換もしくは未置換のアルキルスルホニル基、置換
もしくは未置換のアリールスルホニル基、置換もしくは
未置換のアルキルチオオキシ基、置換もしくは未置換の
アリールチオオキシ基、置換もしくは未置換のアルキル
オキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルアミノ基、置換もしくは未
置換のアリールアミノ基、置換もしくは未置換のアルキ
ルカルボニルアミノ基、置換もしくは未置換のアリール
カルボニルアミノ基、置換もしくは未置換のアルキルカ
ルバモイル基、置換もしくは未置換のアリールカルバモ
イル基、置換もしくは未置換のアルケニル基を表し、X
およびYは活性水素を有する基を表す。また、R1とR
2、R2とR3、もしくはR3とR4は連結して環を形成し
ていても良い。尚、本明細書において、アルキル基、ア
ルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、アルキル
チオオキシ基、アルキルカルボニルアミノ基、アルキル
カルバモイル基等における「アルキル」とは、いかなる
アルキルであっても良く、直鎖状、分岐状又は環状であ
っても良い。例えば炭素数1〜30の公知のアルキルで
あっても良い。又、アルケニル基は上記のアルキルに不
飽和二重結合を導入した基を意味する。
素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
チル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−ノニル基、n−デシル基等の一級アルキル基、
イソブチル基、イソアミル基、2−メチルブチル基、2
−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチ
ルペンチル基、2−エチルブチル基、2−メチルヘキシ
ル基、3−メチルヘキシル基、4−メチルヘキシル基、
5−メチルヘキシル基、2−エチルペンチル基、3−エ
チルペンチル基、2−メチルヘプチル基、3−メチルヘ
プチル基、4−メチルヘプチル基、5−メチルヘプチル
基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル基、イ
ソプロピル基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル
基、1−メチルブチル基、1,2−ジメチルプロピル
基、1−メチルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,
3−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1
−エチル−2−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル
基、1−エチルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1
−イソプロピル−2−メチルプロピル基、1−エチル−
2−メチルブチル基、1−エチル−2−メチルブチル
基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−メチル
ヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピルペン
チル基、1−イソプロピルペンチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3−メチ
ルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチルヘプチ
ル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル−3−
メチルブチル基等の二級アルキル基、ネオペンチル基、
tert−ブチル基、tert−ヘキシル基、tert
−アミル基、tert−オクチル基等の三級アルキル
基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、
4−エチルシクロヘキシル基、4−tert−ブチルシ
クロヘキシル基、4−(2−エチルヘキシル)シクロヘ
キシル基、ボルニル基、イソボルニル基(アダマンタン
基)等のシクロアルキル基等が挙げられる。更に、これ
ら一級及び二級アルキル基は、水酸基、ハロゲン原子、
ニトロ基、カルボキシ基、シアノ基、置換又は未置換の
アリール基、置換又は未置換の複素環残基等を以て置換
されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介
して前記のアルキル基で置換されていてもよい。酸素を
介して置換されているアルキル基としては、メトキシメ
チル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキ
シエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチ
ル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エト
キシプロピル基、ピペリジノ基、モルホリノ基等が、硫
黄を介して置換されているアルキル基としては、メチル
チオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピ
ル基、フェニルチオエチル基等が、窒素を介して置換さ
れているアルキル基としては、ジメチルアミノエチル
基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル
基等が挙げられる。
ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニ
ル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェナレニ
ル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、トリフ
ェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。
基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピペリジル
基、キノリル基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モル
ホリノ基、ピロリル基等が挙げられる。
ルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアルキル
基が結合されているものであればよく、アルキル基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
ルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアリール基が結合されているものであればよく、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
ルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアルキル
基が結合されているものであればよく、アルキル基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
ルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。
原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されてい
るものであればよく、アルキル基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。
原子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されてい
るものであればよく、アリール基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されている
ものであればよく、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合されている
ものであればよく、アルキル基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
子に直接置換又は未置換のアリール基が結合されている
ものであればよく、アリール基の具体例としては前述の
具体例を挙げることができる。
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアリール基が結合されているものであればよく、ア
リール基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。
カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素
原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されているも
のであればよく、アルキル基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。
カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して水素
原子、置換又は未置換のアリール基が結合されているも
のであればよく、アリール基の具体例としては前述の具
体例を挙げることができる。
を表1〜表3に示す。
それぞれ独立に炭素と隣接の窒素原子を連結し芳香族性
を有する環を表し、R7およびR8はそれぞれ独立に置換
もしくは未置換のアルキル基を表す。一般式(II)で表
されるシアニンカチオン化合物の具体例を表4〜表8に
表す。
ものの具体例は、チタン、バナジウム、クロム、マンガ
ン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ジリコニウム、ニオ
ブ、モリブデン、テクネニウム、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、酸化バナジウム、酸化チタン等が挙げ
られる。
価または3価の金属、金属酸化物、またはそれらの塩と
容易に作用してキレート化合物を生成する。ここで、安
定なアゾ金属キレートアニオン化合物を生成するには、
金属または金属酸化物の価数が3価であるものを用いる
ことが重要である。アゾ色素と3価金属等とが、2:1
の比により構成されるアゾキレートアニオン化合物は安
定に単離出来、種々のシアニン色素と容易に塩交換をし
本発明の記録材料を生成する。
ンカチオン化合物からなる色素塩とすることで、スチリ
ル色素の弱点である耐光性が著しく向上する。光学特
性、耐光性及び溶解性の点で優れた光記録材として使用
することができる。また、本記録材料をDVDに用いる
場合、材料の光安定性、記録波長での記録感度、塗布溶
媒への溶解性を検証した結果、金属種としてはコバルト
が最も耐光性が向上し、インドレニン環、チアゾリン
環、もしくはオキサゾリン環で構成されるシアニンカチ
オン化合物が最も記録感度が高いことが明らかとなっ
た。
録層を構成するのに必要な項目として、光学特性と熱的
特性が挙げられる。光学特性に必要な条件は、記録再生
波長である630nm〜690nmに対して短波長側に
大きな吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長
波長端近傍にあることが必要である。これは、記録再生
波長である630nm〜690nmで大きな屈折率と消
衰係数を有することを意味するものである。具体的に
は、記録再生波長近傍の長波長近傍の波長域光に対する
記録層単層の屈折率nが1.5以上3.0以下であり、
消衰係数kが0.02以上0.2以下の範囲にあること
が好ましい。nが1.5未満の場合には、十分な光学的
変化が得られにくいため、記録変調度が低くなるため好
ましくなく、nが3.0を越える場合には、波長依存性
が高くなり過ぎるため、記録再生波長領域であってもエ
ラーとなってしまうため好ましくない。また、kが0.
02未満の場合には、記録感度が悪くなるため好ましく
なく、kが0.2を越える場合には、50%以上の反射
率を得ることが困難となるので好ましくない。
主減量過程での重量減量が、温度に対して急であること
が必要である。主減量過程により有機材料膜は分解し、
膜厚の減少と光学定数の変化を起こし、光学的な意味で
の記録部が形成されるからである。したがて、主減量過
程の重量減量が温度に対して穏やかな場合、これは広い
温度範囲にわたって形成されてしまうため、高密度の記
録部を形成させる場合は極めて不利となる。同様な理由
で重量減量の過程が複数存在する材料を用いた場合も高
密度対応には不利である。
で、減量率が最大のものを主減量過程と呼ぶ。本発明に
於いて重量減量の傾きは下記のように求める。図1に示
すように、質量M0の有機材料を窒素雰囲気下中で、1
0℃/min.で昇温させる。この昇温に従って、質量
は微量づつ減少し、はぼ直線a−bの重量減量線を示
し、ある温度に達すると急激な重量減少を起こし、ほぼ
直線c−dに沿って重量減量を起こす。さらに温度を上
げ続けると質量の急激な減量が終了し、ほぼ直線e−f
に沿った重量減少を起こす。今直線a−bと直線c−d
との交点に於ける温度をT1(℃)、初期質量M0に対
する残存重量をm1(%)、直線c−dと直線e−fと
の交点に於ける温度をT2(℃)、初期質量M0に対す
る残存重量をm2(%)とする。減量開始温度はT1、
減量終了温度はT2となり、重量減量の傾きは、(m1
−m2)(%)/(T2−T1)(℃)で示される値
で、初期重量に対する重量減量率は、(m1−m2)
(%)で示される。
る記録材料としては、主減量過程に於ける重量減量の傾
きが2%/℃以上であることが好ましい。この重量減量
の傾きが2%/℃未満である記録材料を用いると、記録
部の広がりが大きくなり、また短い記録部を形成するこ
とが困難となるため、情報記録媒体には不向きである。
また、主減量過程に於ける重量減少率は、30%以上で
あることが好ましい。30%未満であると、良好な記録
変調度、記録感度が得られない可能性がある。
温度T1が、ある温度範囲にあることが必要である。具
体的には減量開始温度が350℃以下であり、好ましく
は200〜350℃の範囲にあることが望ましい。減量
開始温度が350℃以上であると、記録レーザ光のパワ
ーが高くなり実用的でなく、200℃以下であると再生
劣化を起こすなど記録安定性が悪化する。基板形状に必
要な条件は、基板上のトラックピッチが0.7〜0.8
μmであり、溝幅が半値幅で、0.20〜0.36μm
である。基板は通常、深さ1000〜2500Åの案内
溝を有している。トラックピッチは、通常、0.7〜
1.0μmであるが、高容量化の用途には0.7〜0.
8μmが好ましい。溝幅は、半値幅で0.18〜0.3
6μmが好ましい。0.18μm未満には十分なトラッ
キングエラー信号強度を得ることが困難となる恐れがあ
る。また、0.36μmを越える場合には、記録したと
きに記録部が横に広がりやすくなるので好ましくない。
の構造(図3を2枚貼合わせたいわゆるエアーサンドイ
ッチ、又は密着貼合わせ構造としてもよい)と図4から
なるCD−R用メディアの構造としてもよい。
とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基本構
造とする。記録層は有機色素層単層でもよく、反射率を
高めるため有機色素層と金属反射層との積層でも良い。
記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して層成
してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構成で
も良い。最も通常に用いられるのは、第1基板/有機色
素層/金属反射層/保護層/接着層/第2基板構造であ
る。
り記録再生を行う場合のみ使用レーザ光に対して透明で
なければならず、記録層側から記録、再生を行う場合基
板は透明である必要はない。従って、本発明では、基板
を1層しか用いない場合は、請求項に記載の第2の基板
のみが透明であれば、第1の透明、不透明は問わない。
基板材料としては例えば、ポリエステル、アクリル樹
脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィ
ン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等
のプラスチック、ガラス、セラミックあるいは金属等を
用いることができる。尚、基板を1層しか用いない場
合、あるいは基板2枚をサンドイッチ状で用いる場合は
請求項に記載の第1の基板の表面にトラッキング用の案
内溝や案内ピット、さらにアドレス信号等のプレフォー
マットが形成されている必要がある。
層、反射層、保護層以外に設けられた層をここでは中間
層と呼ぶことにする。この中間層は(a)接着性の向
上、(b)水、又はガス等のバリアー、(c)記録層の
保存安定性の向上、(d)反射率の向上、(e)溶剤か
らの基板や記録層の保護、(f)案内溝・案内ピット・
プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
(a)の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天
然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分子物
質、およびシランカップリング剤等を用いることがで
き、(b)及び(c)の目的に対しては、前記高分子材
料以外に無機化合物、例えばSiO2、MgF2、Si
O、TiO2、ZnO、TiN、SiN等金属、又は半
金属、例えばZn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、A
u、Ag、Al等を用いることができる。また(d)の
目的に対しては金属、例えばAl、Ag等や、金属光沢
を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キサンテン系染
料等を用いることができ、(e)及び(f)の目的に対
しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を
用いることができる。下引き層の膜厚は0.01〜30
μm、好ましくは0.05〜10μmが適当である。
何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報を
記録できるものであって、この記録層中には本発明の色
素が含有されていることが必要で、記録層の形成にあた
って本発明の色素を1種又は2種以上の組合せで用いて
もよい。さらに、本発明の前記色素は光学特性、記録感
度、信号特性等の向上の目的で他の有機色素及び金属、
金属化合物と混合又は積層化しても良い。他の有機色素
の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、
フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム
系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントレキノン
(インダンスレン)系、キサンテン系、トリフェニルメ
タン系、アズレン系、テトレヒドロコリン系、フェナン
スレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属キレー
ト化合物等が挙げられ、前記の染料を単独で用いてもよ
いし、2種以上の組合せにしてもよい。
ば、In、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、A
l、Be、TeO2、SnO、As、Cd等を分散混合
あるいは積層の形態で用いることもできる。さらに、前
記染料中に高分子材料例えば、アイオノマー樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリン
グ剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改
良の目的で安定剤(例えば遷移金属錯体)、分散剤、難
燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等と一緒
に用いることができる。
VDまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことが
できる。塗布法を用いる場合には前記染料等を有機溶媒
等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッ
ピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティ
ング法によって行われる。
ール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル
等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロ
ロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、あるいはベンゼン、キシレン、モ
ノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メ
トキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
しくは200Å〜2000Åが適当である。
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としてはAu、Ag、Cr、Ni、Al、Fe、S
n等が挙げられるが、反射率、生産性の点からAu、A
g、Al、が最も好ましく、これらの金属、半金属は単
独で使用しても良く、2種の合金としても良い。膜形成
法としては蒸着、スッパタリング等が挙げられ、膜圧と
しては50〜5000Å好ましくは100〜3000Å
である。
層、又は基板面ハードコート層は(a)記録層(反射吸
収層)を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、(b)記録
層(反射吸収層)の保存安定性の向上、(c)反射率の
向上等を目的として使用される。これらの目的に対して
は、前記中間層に示した材料を用いることができる。
又、無機材料として、SiO、SiO 2等も用いること
ができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリ
カーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエス
テル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹
脂、芳香属炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエ
ン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹
脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用い
ることができる。前記材料のうち保護層又は基板表面ハ
ードコート層に最も好ましい例としては、生産性に優れ
た紫外線硬化樹脂である。保護層又は基板面ハードコー
ト層の膜厚は0.01〜30μm、好ましくは0.05
〜10μmが適当である。本発明において、前記中間
層、保護層、及び基板面ハードコート層には記録層の場
合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止
剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
説明する。実施例では、まず本発明による色素塩化合物
の合成例を示し、次に得られた色素塩化合物を記録層に
用いて記録特性を評価した結果を示す。ただし、本発明
は以下の実施例によって限定されるものではない。
をエタノール 100mlに懸濁した。この懸濁液に5
N−NaOH水溶液1.52ml(7.60mmol)
を加えた後、コバルト(III)アセチルアセトナート
0.68g(1.90mmol)を加え、80℃で10
時間反応させた。反応液を濃縮後、水100mlを加
え、弱酸になるまで塩酸水溶液を加え、析出した沈殿物
を濾過し、乾燥した。乾燥した沈殿物をDMF 30m
lに溶解した後、No.C−7化合物のヨウ化物を2.
04g(3.80mmol)加え、150℃で2時間反
応させた。反応液を水300mlに注ぎ、析出した物質
を濾別した。析出物質は乾燥後、クロマトグラフ法によ
り精製した。充填材にはシリカゲルを、展開溶媒にはト
ルエン−メタノール(5:1)を用いた。第1フラクシ
ョンより色素塩化合物No.1(収率77%)を得た。
塩、亜鉛塩、クロム塩、ニッケル塩、および銅塩を用
い、化学量論比を保つように同様に操作を行った。
金属キレート化合物とシアニン色素とで形成された色素
塩の存在(有無)について評価した。評価結果を表9に
示す。
をエタノール 100mlに懸濁した。この懸濁液に5
N−NaOH水溶液1.40ml(6.98mmol)
を加えた後、コバルト(III)アセチルアセトナート
0.63g(1.75mmol)を加え、80℃で10
時間反応させた。反応液を濃縮後、水100mlを加
え、弱酸になるまで塩酸水溶液を加え、析出した沈殿物
を濾過し、乾燥した。乾燥した沈殿物をDMF 30m
lに溶解した後、No.C−31化合物のヨウ化物を
1.97g(3.49mmol)加え、150℃で2時
間反応させた。反応液を水300mlに注ぎ、析出した
物質を濾別した。析出物質は乾燥後、クロマトグラフ法
により精製した。充填材にはシリカゲルを、展開溶媒に
はトルエン−メタノール(5:1)を用いた。第1フラ
クションより色素塩化合物No.4(収率71%)を得
た。
塩、クロム塩、鉄塩、マンガン塩、セリウム塩、ロジウ
ム塩、および酸化チタン塩を用い、化学量論比を保つよ
うに同様に操作を行い、化合物No.5〜11を得た。
トとシアニン色素からなる色素塩の耐光性について評価
した。結果を表10に示す。 <耐光テスト条件>化合物No.4−11をトリフロロ
アルコールに溶解し、1.5w%の濃度になるように調
整した色素溶液を、石英基板(50mm×50mm×1
mm)上にスピンコート法により製膜した。これを耐光
試験器(4万Lux、Xe光)に入れ、その劣化定数を
測定した。
をエタノール 100mlに懸濁した。この懸濁液に5
N−NaOH水溶液1.48ml(7.38mmol)
を加えた後、コバルト(III)アセチルアセトナート
0.71g(1.98mmol)を加え、80℃で10
時間反応させた。反応液を濃縮後、水100mlを加
え、弱酸になるまで塩酸水溶液を加え、析出した沈殿物
を濾過し、乾燥した。乾燥した沈殿物をDMF 30m
lに溶解した後、No.C−1化合物のヨウ化物を1.
89g(3.96mmol)加え、150℃で2時間反
応させた。反応液を水300mlに注ぎ、析出した物質
を濾別した。析出物質は乾燥後、クロマトグラフ法によ
り精製した。充填材にはシリカゲルを、展開溶媒にはト
ルエン−メタノール(5:1)を用いた。第1フラクシ
ョンより色素塩化合物No.12(収率80%)を得
た。
−2、C−3、C−4、C−5、およびC−6を用い、
化学量論比を保つように同様に操作を行い、化合物N
o.13〜17を得た。
成形ポリカーボネート基板上に、フォトポリマーにて深
さ1750Å、半値幅0.25μm、トラックピッチ
0.74μmの案内溝を形成し、化合物No.12〜1
7の1,1,2,2−テトラフルオロプロパノール溶液
をスピンナー塗布し、厚さ900Åの記録層を形成し、
ついでスパッタ法により銀1200Åの反射層を設け、
さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて7μmの
保護層を設けた後、厚さ0.6mmの射出成形ポリカー
ボネート平面基板をアクリル系フォトポリマーにて接着
し、記録媒体とした。 <記録条件>この記録媒体にレーザ発振波長658n
m、ビーム径1.0μmの半導体レーザ光を用い、トラ
ッキングしながらEFM信号(線速3.5m/se
c.)を記録し、発振波長658nmの半導体レーザの
連続光(再生パワー0.7mW)で再生し、再生波形を
観察した。記録特性の評価結果を表11に示す。
例) 実施例1〜20と同様な操作を行い、化合物No.18
〜31を得た。
成形ポリカーボネート基板上に、フォトポリマーにて深
さ1650Å、半値幅0.20μm、トラックピッチ
0.74μmの案内溝を形成し、化合物No.18〜3
1の1,1,2,2−テトラフルオロプロパノール溶液
をスピンナー塗布し、厚さ900Åの記録層を形成し、
ついでスパッタ法により銀1200Åの反射層を設け、
さらにその上にアクリル系フォトポリマーにて7μmの
保護層を設けた後、厚さ0.6mmの射出成形ポリカー
ボネート平面基板をアクリル系フォトポリマーにて接着
し、記録媒体とした。 <記録条件>この記録体にレーザ発振波長658nm、
ビーム径1.0μmの半導体レーザ光を用い、トラッキ
ングしながらEFM信号(線速3.5m/sec.)を
記録し、発振波長658nmの半導体レーザの連続光
(再生パワー0.7mW)で再生し、再生波形を観察し
た。
よれば、特定のアゾ金属キレートアニオン化合物とシア
ニン色素カチオン化合物とから得られた色素塩化合物を
用いたことから、670nm以下の波長域のレーザ光で
記録、再生が可能で、耐光性、保存安定性の優れた光記
録媒体を得ることができる。
金属キレートアニオン化合物における金属または金属酸
化物の価数が3価であることから、安定なアゾ金属キレ
ートアニオン化合物が生成し、種々のシアニン色素と容
易に塩交換を行なうことができる。
金属キレートアニオン化合物における金属原子がコバル
トであることから、耐光性の優れた記録媒体を得ること
ができる。
ニン色素カチオン化合物の炭素と隣接の窒素原子を連結
し芳香族性を有する環が、インドレニン環、チアゾリン
環、またはオキサゾリン環であることから、記録感度の
高い記録媒体を得ることができる。
録媒体において、記録再生波長±5nmの波長領域の光
に対する記録層単層の屈折率nが1.5≦n≦3.0で
あり、消衰係数kが0.02≦k≦0.2であることか
ら、安定した高反射率かつ高変調度で記録再生できる光
記録媒体を提供することができる。
録媒体において、有機色素の熱重量分析における主減量
過程での温度に対する減量の傾きが2%/℃以上である
ことから、低ジッタで高密度記録ができる情報記録媒体
が得られる。
録媒体において、有機色素の熱重量分析における主減量
過程での総減量が30%以上で、かつ減量開始温度が3
50℃以下であることから、上記と同様、低ジッタで高
密度記録ができる光記録媒体を得ることができる。
録媒体において、基板上のトラックピッチが0.7〜
0.8μmであり、溝幅が半値幅で、0.18〜0.4
0μmであることから、安定した記録及び再生のできる
光記録媒体を提供することができる。
グラフ。
成を示す概略断面図。
成を示す概略断面図。
成を示す概略断面図。
Claims (8)
- 【請求項1】 基板上に記録層を設けてなる光記録媒体
において、記録層中に下記一般式(I)で示されるアゾ
化合物と金属、金属酸化物またはそれらの塩とから得ら
れるアゾ金属キレートアニオン化合物と下記一般式(I
I)で示されるシアニン色素カチオン化合物とから得ら
れる色素塩を少なくとも一種類含有することを特徴とす
る光記録媒体。 【化1】 (一般式(I)において、R1〜R6はそれぞれ独立に水
素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、
カルボキシ基、アミノ基、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは
未置換の複素環残基、置換もしくは未置換のアルキルカ
ルボニル基、置換もしくは未置換のアリールカルボニル
基、置換もしくは未置換のアルキルオキシカルボニル
基、置換もしくは未置換のアリールオキシカルボニル
基、置換もしくは未置換のアルキルスルホニル基、置換
もしくは未置換のアリールスルホニル基、置換もしくは
未置換のアルキルチオオキシ基、置換もしくは未置換の
アリールチオオキシ基、置換もしくは未置換のアルキル
オキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置
換もしくは未置換のアルキルアミノ基、置換もしくは未
置換のアリールアミノ基、置換もしくは未置換のアルキ
ルカルボニルアミノ基、置換もしくは未置換のアリール
カルボニルアミノ基、置換もしくは未置換のアルキルカ
ルバモイル基、置換もしくは未置換のアリールカルバモ
イル基、置換もしくは未置換のアルケニル基を表し、ま
た、R1とR2、R2とR3、もしくはR3とR4は連結して
環を形成していても良い) 【化2】 (一般式(II)において、A環およびB環はそれぞれ独
立に炭素と隣接の窒素原子を連結し芳香族性を有する環
を表し、R7およびR8はそれぞれ独立に置換もしくは未
置換のアルキル基を表す) - 【請求項2】 請求項1に記載の光記録媒体において、
アゾ金属キレートアニオン化合物における金属または金
属酸化物の価数が3価であることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の光記録媒体に
おいて、アゾ金属キレートアニオン化合物における金属
原子がコバルトであることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の
光記録媒体において、一般式(II)で表されるシアニン
色素カチオン化合物の炭素と隣接の窒素原子を連結し芳
香族性を有する環が、インドレニン環、チアゾリン環、
またはオキサゾリン環であること(ただし、これらはベ
ンゼン環を縮合してもよい。)を特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項5】 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の
光記録媒体において、記録再生波長±5nmの波長領域
の光に対する記録層単層の屈折率nが1.5≦n≦3.
0であり、消衰係数kが0.02≦k≦0.2であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の
光記録媒体において、有機色素の熱重量分析における主
減量過程での温度に対する減量の傾きが2%/℃以上で
あることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
光記録媒体において、有機色素の熱重量分析における主
減量過程での総減量が30%以上で、かつ減量開始温度
が350℃以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項8】 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の
光記録媒体において、基板上のトラックピッチが0.7
〜0.8μmであり、溝幅が半値幅で、0.18〜0.
40μmであることを特徴とする光記録媒体。
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