JP2002234258A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 従来技術に比べて、より短波長に発振波長を
有する半導体レーザを用いるＤＶＤ−Ｒディスクシステ
ムに適用でき、耐光性、保存安定性に優れ、かつ、高速
記録が可能な光記録媒体の提供。 【解決手段】 基板上に記録層を設けた光記録媒体にお
いて、記録層中に、下記一般式（１）で示されるアゾ化
合物と、金属、金属酸化物又はその塩からなるアゾ金属
キレート化合物を少なくとも一種含有することを特徴と
する光記録媒体。 〔式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び（活性水
素を有している）窒素原子と一緒になって複素環を形成
する残基を表し、Ｂはそれが結合している２つの炭素原
子と一緒になって芳香族環を形成する残基を表し、Ｒは
アルキルシリル基を含有する置換又は未置換のアルキル
基を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、短波長記録が可能
な光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、次世代大容量光ディスクとしてＤ
ＶＤ−Ｒの開発が進められている。記録容量の向上の要
素技術としては、記録ピット微少化のための記録材料開
発、ＭＰＥＧ２に代表される画像圧縮技術の採用、記録
ピット読み取りのための半導体レーザの短波長化等が必
要である。これまで赤色波長域の半導体レーザとして
は、バーコードリーダ、計測器用に６７０ｎｍ帯のＡｌ
ＧａＩｎＰレーザダイオードが商品化されているのみで
あったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが
本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶＤ
ドライブの場合、６３５ｎｍ帯と６５０ｎｍ帯の波長の
レーザダイオード光源で規格化されている。一方、再生
専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブは、波長６５０ｎｍ前後
で商品化されている。このような状況下で最も好ましい
ＤＶＤ−Ｒ記録媒体は、波長６３０〜６７０ｎｍで記
録、再生が可能なものであるが、耐光性、保存安定性に
優れ、６７０ｎｍ以下のレーザを用いた光ピックアップ
で記録、再生が可能であり、かつ高速記録に対応できる
記録材料は未だ開発されていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
比べて、より短波長に発振波長を有する半導体レーザを
用いるＤＶＤ−Ｒディスクシステムに適用でき、耐光
性、保存安定性に優れ、かつ、高速記録が可能な光記録
媒体の提供を目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等が検討した結
果、特定構造の色素を主成分とする記録層を用いれば、
発振波長６７０ｎｍ以下の半導体レーザを用いる次世代
大容量光ディスクシステムに適用可能であることを見出
し本発明に至った。即ち、上記課題は、次の１）〜６）
の発明によって解決される。 １） 基板上に記録層を設けた光記録媒体において、記
録層中に、下記一般式（１）で示されるアゾ化合物と、
金属、金属酸化物又はその塩からなるアゾ金属キレート
化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする光記
録媒体。

【化４】 〔式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び（活性水
素を有している）窒素原子と一緒になって複素環を形成
する残基を表し、Ｂはそれが結合している２つの炭素原
子と一緒になって芳香族環を形成する残基を表し、Ｒは
アルキルシリル基を含有する置換又は未置換のアルキル
基を表す。〕 ２） 前記アゾ金属キレート化合物が、下記一般式
（２）で示される化合物であることを特徴とする１）記
載の光記録媒体。

【化５】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子
と一緒になってピロール、イミダゾール、ピラゾール、
トリアゾール、テトラゾール、インドール、ベンゾイミ
ダゾールからなる群より選択された複素環を形成する残
基を表し、Ｍは金属又は金属酸化物を表し、Ｒはアルキ
ルシリル基を含有する置換又は未置換のアルキル基を表
し、Ｒ_２〜Ｒ_５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミ
ノ基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換の
アリール基、置換又は未置換の複素環残基、置換又は未
置換のアルキルカルボニル基、置換又は未置換のアリー
ルカルボニル基、置換又は未置換のアルキルオキシカル
ボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニル
基、置換又は未置換のアルキルスルホニル基、置換又は
未置換のアリールスルホニル基、置換又は未置換のアル
キルチオオキシ基、置換又は未置換のアリールチオオキ
シ基、置換又は未置換のアルキルオキシ基、置換又は未
置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルア
ミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又は
未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換又は未置換
のアリールカルボニルアミノ基、置換又は未置換のアル
キルカルバモイル基、置換又は未置換のアリールカルバ
モイル基、置換又は未置換のアルケニル基を表し、ｎは
２又は３を表す。また、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４
とＲ_５はそれぞれ連結して環を形成していてもよい。） ３） 前記金属が、２価又は３価の金属であることを特
徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。 ４） 前記２価又は３価の金属が、マンガン、コバル
ト、ニッケル、銅の何れかであることを特徴とする３）
記載の光記録媒体。 ５） 前記Ａを含む複素環が、イミダゾール環であるこ
とを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒
体。 ６） 前記イミダゾール環を有する化合物が、下記一般
式（３）で示される化合物であることを特徴とする５）
記載の光記録媒体。

【化６】 （式中、Ｒはアルキルシリル基を含有する置換又は未置
換のアルキル基を表し、Ｒ_６、Ｒ_７はそれぞれ独立に水
素原子、シアノ基、置換又は未置換のアルキル基、置換
又は未置換のアリール基を表し、Ｒ_８及びＲ_９はそれぞ
れ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換又は未置換
のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は
未置換の複素環残基、置換又は未置換のアルキルカルボ
ニル基、置換又は未置換のアリールカルボニル基、置換
又は未置換のアルキルオキシカルボニル基、置換又は未
置換のアリールオキシカルボニル基、置換又は未置換の
アルキルスルホニル基、置換又は未置換のアリールスル
ホニル基、置換又は未置換のアルキルチオオキシ基、置
換又は未置換のアリールチオオキシ基、置換又は未置換
のアルキルオキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ
基、置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置
換のアリールアミノ基、置換又は未置換のアルキルカル
ボニルアミノ基、置換又は未置換のアリールカルボニル
アミノ基、置換又は未置換のアルキルカルバモイル基、
置換又は未置換のアリールカルバモイル基、置換又は未
置換のアルケニル基を表す。また、Ｒ_７とＲ_８、Ｒ_８と
Ｒ_９はそれぞれ連結して環を形成していてもよい。）

【０００５】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。前記一般式（１）において、Ａはそれが結合してい
る炭素原子及び（活性水素を有している）窒素原子と一
緒になって複素環を形成する残基を表し、Ｂはそれが結
合している２つの炭素原子と一緒になって芳香族環を形
成する残基を表し、Ｒはアルキルシリル基を含有する置
換又は未置換のアルキル基を表す。Ａを含む複素環の例
としては、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリ
アゾール、テトラゾール、インドール、イソインドー
ル、ベンゾイミダゾール、インダゾール、プリン、ペリ
ミジン等が挙げられる。Ｒの例としては、（トリメチル
シリル）メチル基、２−（トリメチルシリル）エチル
基、３−（トリメチルシリル）プロピル基、３−（トリ
メチルシリル）−２−プロペン基、３−（トリメチルシ
リル）−２−プロピン基などが挙げられる。

【０００６】前記一般式（２）において、Ａはそれが結
合している炭素原子及び窒素原子と一緒になってピロー
ル、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラ
ゾール、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾ
ール、インダゾール、プリン、ペリミジンからなる群よ
り選択された複素環を形成する残基を表し、Ｍは金属又
は金属酸化物を表し、Ｒ_２〜Ｒ_５はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等）、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、ア
ミノ基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換
のアリール基、置換又は未置換の複素環残基、置換又は
未置換のアルキルカルボニル基、置換又は未置換のアリ
ールカルボニル基、置換又は未置換のアルキルオキシカ
ルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボニ
ル基、置換又は未置換のアルキルスルホニル基、置換又
は未置換のアリールスルホニル基、置換又は未置換のア
ルキルチオオキシ基、置換又は未置換のアリールチオオ
キシ基、置換又は未置換のアルキルオキシ基、置換又は
未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキル
アミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換又
は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換又は未置
換のアリールカルボニルアミノ基、置換又は未置換のア
ルキルカルバモイル基、置換又は未置換のアリールカル
バモイル基、置換又は未置換のアルケニル基を表し、ｎ
は２又は３を表す。また、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ
_４とＲ_５はそれぞれ連結して環を形成していてもよい。

【０００７】上記アルキル基の具体例としては、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の一級アルキル
基、イソブチル基、イソアミル基、２−メチルブチル
基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４
−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、２−メチル
ヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシ
ル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペンチル基、
３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メ
チルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘ
プチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル
基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプ
ロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロ
ピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、
１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル
基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘ
キシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル
基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エ
チル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチル
プロピル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペン
チル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピ
ル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチ
ルブチル基、１−メチルオクチル基、１−プロピルヘキ
シル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基等の二級
アルキル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔ
ｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−
オクチル基等の三級アルキル基、シクロヘキシル基、４
−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル
基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２
−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イ
ソボルニル基（アダマンタン基）等のシクロアルキル基
等が挙げられる。

【０００８】更に、これら一級及び二級アルキル基は、
水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシ基、シア
ノ基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換の
複素環残基等により置換されていてもよく、また酸素、
硫黄、窒素等の原子を介して前記のアルキル基で置換さ
れていてもよい。酸素を介して置換されているアルキル
基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル
基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、
メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、ピペリジノ
基、モルホリノ基等が、硫黄を介して置換されているア
ルキル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエ
チル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基
等が、窒素を介して置換されているアルキル基として
は、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル
基、ジエチルアミノプロピル基等が挙げられる。

【０００９】前記アリール基の具体例としては、フェニ
ル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、ア
ズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フェ
ナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、
トリフェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。前記
複素環残基の具体例としては、インドリル基、フリル
基、チエニル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル
基、イソキノリル基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピ
ロリル基等が挙げられる。前記アルキルカルボニル基の
具体例としては、カルボニル基の炭素原子に直接置換又
は未置換のアルキル基が結合されているものであればよ
く、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げる
ことができる。前記アリールカルボニル基の具体例とし
ては、カルボニル基の炭素原子に直接置換又は未置換の
アリール基が結合されているものであればよく、アリー
ル基の具体例としては前述の具体例を挙げることができ
る。前記アルキルオキシカルボニル基の具体例として
は、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。前記アリールオキシカルボニル基の具体例とし
ては、オキシカルボニル基の酸素原子に直接置換又は未
置換のアリール基が結合されているものであればよく、
アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げること
ができる。

【００１０】前記アルキルスルホニル基の具体例として
は、スルホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のア
ルキル基が結合されているものであればよく、アルキル
基の具体例としては前述の具体例を挙げることができ
る。前記アリールスルホニル基の具体例としては、スル
ホニル基の硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール基
が結合されているものであればよく、アリール基の具体
例としては前述の具体例を挙げることができる。前記ア
ルキルチオオキシ基の具体例としては、硫黄原子に直接
置換又は未置換のアルキル基が結合されているものであ
ればよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を
挙げることができる。前記アリールチオオキシ基の具体
例としては、硫黄原子に直接置換又は未置換のアリール
基が結合されているものであればよく、アリール基の具
体例としては前述の具体例を挙げることができる。前記
アルキルオキシ基の具体例としては、酸素原子に直接置
換又は未置換のアルキル基が結合されているものであれ
ばよく、アルキル基の具体例としては前述の具体例を挙
げることができる。前記アリールオキシ基の具体例とし
ては、酸素原子に直接置換又は未置換のアリール基が結
合されているものであればよく、アリール基の具体例と
しては前述の具体例を挙げることができる。

【００１１】前記アルキルアミノ基の具体例としては、
窒素原子に直接置換又は未置換のアルキル基が結合され
ているものであればよく、アルキル基の具体例としては
前述の具体例を挙げることができる。前記アリールアミ
ノ基の具体例としては、窒素原子に直接置換又は未置換
のアリール基が結合されているものであればよく、アリ
ール基の具体例としては前述の具体例を挙げることがで
きる。前記アルキルカルボニルアミノ基の具体例として
は、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未置
換のアルキル基が結合されているものであればよく、ア
ルキル基の具体例としては前述の具体例を挙げることが
できる。前記アリールカルボニルアミノ基の具体例とし
ては、カルボニルアミノ基の炭素原子に直接置換又は未
置換のアリール基が結合されているものであればよく、
アリール基の具体例としては前述の具体例を挙げること
ができる。前記アルキルカルバモイル基の具体例として
は、カルバモイル基の窒素原子に直接それぞれ独立して
水素原子、置換又は未置換のアルキル基が結合されてい
るものであればよく、アルキル基の具体例としては前述
の具体例を挙げることができる。前記アリールカルバモ
イル基の具体例としては、カルバモイル基の窒素原子に
直接それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアリ
ール基が結合されているものであればよく、アリール基
の具体例としては前述の具体例を挙げることができる。

【００１２】２価又は３価の金属の具体例としては、チ
タン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、
ニッケル、銅、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テ
クネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム等が挙
げられ、金属酸化物の具体例としては酸化バナジウム等
が挙げらる。特にマンガン、コバルト、ニッケル、銅の
アゾ金属キレート化合物は、光記録材料として光学特性
が優れている。更に、ニッケルのアゾ金属キレート化合
物は、光学特性に加え、保存安定性において特に優れて
おり、極めて安定な光記録媒体を提供できる。複素環残
基については、光学特性、保存安定性、熱分解特性の点
で、イミダゾール環残基が特に優れており、極めて安定
な光記録媒体を提供できる。

【００１３】本発明における最も特性の優れたアゾ金属
キレート化合物の構造は、一般式（３）として表すこと
ができる。式中、Ｒ_６及びＲ_７はそれぞれ独立に水素原
子、シアノ基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は
未置換のアリール基を表し、Ｒ_８及びＲ_９はそれぞれ独
立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水
酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換又は未置換のアル
キル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換
の複素環残基、置換又は未置換のアルキルカルボニル
基、置換又は未置換のアリールカルボニル基、置換又は
未置換のアルキルオキシカルボニル基、置換又は未置換
のアリールオキシカルボニル基、置換又は未置換のアル
キルスルホニル基、置換又は未置換のアリールスルホニ
ル基、置換又は未置換のアルキルチオオキシ基、置換又
は未置換のアリールチオオキシ基、置換又は未置換のア
ルキルオキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、
置換又は未置換のアルキルアミノ基、置換又は未置換の
アリールアミノ基、置換又は未置換のアルキルカルボニ
ルアミノ基、置換又は未置換のアリールカルボニルアミ
ノ基、置換又は未置換のアルキルカルバモイル基、置換
又は未置換のアリールカルバモイル基、置換又は未置換
のアルケニル基を表す。また、Ｒ_７とＲ_８、Ｒ_８とＲ_９
はそれぞれ連結して環を形成していてもよい。

【００１４】本発明のアゾ金属キレート化合物の特徴
は、活性水素を有する複素環残基と活性水素を有しない
カップラーで構成されたアゾ化合物が金属と作用し、光
記録媒体の記録材料として用いることができる安定なキ
レート化合物を形成する点にある。また、アゾ金属キレ
ート化合物の構造中にアルキルシリル基を導入すること
により、通常のアゾ金属キレート化合物よりも、ディス
ク作成時に使用する塗布溶媒への溶解度が向上するこ
と、及び熱分解点が低くなること（１６０〜２００℃）
を見出した（通常２５０〜３００℃）。特に熱分解点の
低温度化により記録レーザパワーを低くできるメリット
が生じるので、将来のニーズである高速記録に好都合で
ある。参考までに、次の表１に、後述するアルキルシリ
ル基を有する本発明の化合物Ｎｏ．１、Ｎｏ．７と、そ
の構造からアルキルシリル基を外したサンプル化合物
１、２の熱分解点を示す。

【００１５】

【表１】

【００１６】次に、本発明の光記録媒体の層構造、各層
の必要特性及び構成材料等について説明する。本発明の
光記録媒体は、図１に示すような通常の追記型光記録媒
体構造（図１の積層体を２枚貼合わせたエアーサンドイ
ッチ構造、又は密着貼合わせ構造としてもよい）、図２
に示すようなＣＤ−Ｒ用光記録媒体構造、図３に示すよ
うなＤＶＤ−Ｒ用光記録媒体構造の何れの構造とするこ
ともできる。しかし、記録層を介して第１基板と第２基
板を接着剤で張り合わせた基本構造とすることが好まし
い。記録層は有機色素層単層でもよく、反射率を高める
ため有機色素層と金属反射層との積層でもよい。記録層
と基板の間に下引き層又は保護層を設けてもよく、機能
向上のためそれらを積層化した構成としてもよい。最も
普通に用いられるのは、第１基板／有機色素層／金属反
射層／保護層／接着層／第２基板という層構造である。

【００１７】＜基板＞基板の必要特性としては、基板側
より記録再生を行う場合のみ使用レーザ光に対して透明
であればよく、記録層側から記録、再生を行う場合に基
板が透明である必要はない。基板材料としては、例え
ば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカ
ーボネート、ポリオレフィン、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリイミド等のプラスチック、ガラス、セラミ
ック、又は金属等を用いることができる。なお、基板の
表面にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアド
レス信号等のプレフォーマットが形成されていてもよ
い。

【００１８】＜中間層＞基板、記録層、反射層、保護
層、及び基板表面ハードコート層以外に設けられた下引
き層などの層をここでは一括して中間層と呼ぶことにす
る。中間層は、（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガス
等のバリアー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、
（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板や記録層の
保護、（ｆ）案内溝・案内ピット・プレフォーマット等
の形成、等を目的として設けられる。（ａ）の目的に対
しては、高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリア
ミド、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコー
ン、液状ゴム等の種々の高分子物質、シランカップリン
グ剤等を用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に
対しては、上記高分子材料の他に、ＳｉＯ_２、Ｍｇ
Ｆ_２、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等の
無機化合物、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ等の金属又は半金属などを用いることが
できる。また（ｄ）の目的に対しては、Ａｌ、Ａｇ等の
金属、メチン染料、キサンテン系染料等の金属光沢を有
する有機薄膜を用いることができ、（ｅ）及び（ｆ）の
目的に対しては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑
性樹脂などを用いることができる。また、中間層には、
安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性
剤、可塑剤等を含有させることができる。下引き層の膜
厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μ
ｍが適当である。

【００１９】＜記録層＞記録層はレーザ光の照射により
何らかの光学的変化を生じ、その変化により情報を記録
できるものであって、この記録層中には本発明の色素が
少なくとも一種含有されている必要がある。更に、光学
特性、記録感度、信号特性等の向上の目的で、本発明の
色素に他の有機色素、金属、金属化合物を混合するか又
は積層してもよい。このような他の有機色素の例として
は、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシア
ニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウ
ム系、ナフトキノン系、アントレキノン（インダンスレ
ン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレ
ン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリ
フェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が挙
げられる。これらの色素は単独でも２種以上組合せて用
いてもよい。また、前記染料中にＩｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓ
ｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ_２、Ｓｎ
Ｏ、Ａｓ、Ｃｄ等の金属又は金属化合物を分散混合する
か、積層して用いることもできるし、アイオノマー樹
脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シ
リコーン、液状ゴム等の種々の高分子材料又はシランカ
ップリング剤等を分散混合して用いてもよい。更に、特
性改良の目的で、安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等
を含有させることもできる。

【００２０】記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、
ＣＶＤ、溶液塗布等の通常の手段によって行うことがで
きる。塗布法を用いる場合には、前記染料等を有機溶媒
等に溶解して、スプレー、ローラーコーティング、ディ
ッピング、スピンコーティング等の慣用のコーティング
法によって行えばよい。有機溶剤としては、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類；
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシ
ド等のスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチル
エーテル等のエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチル等の
エステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエ
タン、四塩化炭素、トリクロルエタン等の脂肪族ハロゲ
ン化炭化水素類；或いはベンゼン、キシレン、モノクロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼン等の芳香族類；メトキシ
エタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ類；ヘ
キサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキ
サン等の炭化水素類等を用いることができる。記録層の
膜厚は、１００Å〜１０μｍ、好ましくは２００〜２０
００Åが適当である。

【００２１】＜金属反射層＞反射層材料としては、単体
で高反射率の得られる腐食し難い金属、半金属等が挙げ
られ、具体例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａ
ｌ、Ｆｅ、Ｓｎ等があるが、反射率や生産性の点からＡ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、が最も好ましい。また、これらの金
属、半金属は単独で使用しても、２種の合金として使用
してもよい。反射膜の形成法としては、蒸着、スッパタ
リング等が挙げられ、膜厚は５０〜５０００Å、好まし
くは１００〜３０００Åとする。

【００２２】＜保護層、基板表面ハードコート層＞保護
層又は基板面ハードコート層は、（ａ）記録層（反射吸
収層）を、傷、ホコリ、汚れ等から保護する、（ｂ）記
録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射率
の向上等を目的として使用される。これらの目的に対し
ては、前記中間層に示した材料を用いることができる。
また、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカ
ーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステ
ル、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳
香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹
脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾
性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂も用いること
ができる。前記材料のうち保護層又は基板表面ハードコ
ート層に最も好ましいのは生産性に優れた紫外線硬化樹
脂である。保護層又は基板面ハードコート層の膜厚は、
０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが
適当である。保護層、基板面ハードコート層には、記録
層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯
電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることがで
きる。

【００２３】次の表２〜７に、本発明のアゾ金属化合物
の例を示す。

【表２】

【表３】

【表４】

【表５】

【表６】

【表７】

【００２４】

【実施例】以下、実施例及び比較例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定さ
れるものではない。

【００２５】実施例１ 厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に、
フォトポリマーを用いて、深さ１７５０Å、半値幅０．
２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝を形成
し、その上に化合物Ｎｏ．１の１，１，２，２−テトラ
フルオロプロパノール溶液をスピンナー塗布し、厚さ９
００Åの記録層を形成した。次いでスパッタ法により金
からなる膜厚１２００Åの反射層を設け、その上にアク
リル系フォトポリマーを用いて膜厚７μｍの保護層を設
け、更に厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート平
面基板をアクリル系フォトポリマーを用いて接着し、光
記録媒体とした。

【００２６】実施例２〜２５ 実施例１における化合物Ｎｏ．１の代りに、化合物Ｎ
ｏ．２〜２５を用いた点以外は実施例１と全く同様にし
て光記録媒体を作成した。

【００２７】比較例１ 実施例１における化合物Ｎｏ．１の代りに、次の化合物
（比−１）を用いた点以外は実施例１と全く同様にして
光記録媒体を作成した。

【化７】

【００２８】上記実施例及び比較例の光記録媒体に、レ
ーザ発振波長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体
レーザ光を用いて、トラッキングしながら、線速３．５
ｍ／ｓｅｃで記録し、発振波長６８５ｎｍの半導体レー
ザの連続光（再生パワー０．７ｍＷ）を用いて再生し、
再生波形を観察して反射率及び変調度を測定した。即
ち、次のような条件で耐候テストを行った。測定結果を
表５に示す。 ＜耐候テスト条件＞ 耐光テスト ： ４万ｌｕｘ、Ｘｅ（キセノン）光、２
０時間連続照射 保存テスト ： ６０℃、９０％で４００時間放置 ＜測定手段＞記録／再生の評価には、パルステック工業
製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００を用いた。反
射率及び変調度は、ＤＤＵ−１０００からの再生信号
（再生波形）をオシロスコープ上に表示させて測定し
た。なお、変調度は、｛（未記録の反射率）−（記録部
の反射率）｝／（未記録部の反射率）で定義される値で
ある。

【００２９】

【表８】

【００３０】

【発明の効果】本発明によれば、６７０ｎｍ以下の波長
域のレーザ光により記録、再生が可能であり、耐光性、
保存安定性に優れ、かつ高感度（高速）記録が可能な情
報記録媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】通常の追記型光記録媒体構造を示す図。 （ａ） 基板と記録層のみからなる基本構造。 （ｂ） 更に下引き層を設けたもの。 （ｃ） 更に保護層を設けたもの。 （ｄ） 更にハードコート層を設けたもの。

【図２】ＣＤ−Ｒ用光記録媒体構造を示す図。 （ａ） 基本的層構造を示す図。 （ｂ） 更に下引き層を設けたもの。 （ｃ） 更にハードコート層を設けたもの。

【図３】ＤＶＤ−Ｒ用光記録媒体構造を示す図。 （ａ） 基本的層構造を示す図。 （ｂ） 更に接着層を介して保護基板を設けたもの。 （ｃ） 更に下引き層とハードコート層を設けたもの。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に記録層を設けた光記録媒体にお
   いて、記録層中に、下記一般式（１）で示されるアゾ化
   合物と、金属、金属酸化物又はその塩からなるアゾ金属
   キレート化合物を少なくとも一種含有することを特徴と
   する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び（活性水
   素を有している）窒素原子と一緒になって複素環を形成
   する残基を表し、Ｂはそれが結合している２２つの炭素
   原子と一緒になって芳香族環を形成する残基を表し、Ｒ
   はアルキルシリル基を含有する置換又は未置換のアルキ
   ル基を表す。〕
2. 【請求項２】 前記アゾ金属キレート化合物が、下記一
   般式（２）で示される化合物であることを特徴とする請
   求項１記載の光記録媒体。 【化２】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子
   と一緒になってピロール、イミダゾール、ピラゾール、
   トリアゾール、テトラゾール、インドール、 ベンゾイミダゾールからなる群より選択された複素環を
   形成する残基を表し、 Ｍは金属又は金属酸化物を表し、Ｒはアルキルシリル基
   を含有する置換又は未置換のアルキル基を表し、Ｒ_２〜
   Ｒ_５はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ
   基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換
   又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール
   基、置換又は未置換の複素環残基、 置換又は未置換のアルキルカルボニル基、置換又は未置
   換のアリールカルボニル基、置換又は未置換のアルキル
   オキシカルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシ
   カルボニル基、置換又は未置換のアルキルスルホニル
   基、置換又は未置換のアリールスルホニル基、置換又は
   未置換のアルキルチオオキシ基、置換又は未置換のアリ
   ールチオオキシ基、置換又は未置換のアルキルオキシ
   基、 置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換の
   アルキルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ
   基、置換又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置
   換又は未置換のアリールカルボニルアミノ基、置換又は
   未置換のアルキルカルバモイル基、置換又は未置換のア
   リールカルバモイル基、置換又は未置換のアルケニル基
   を表し、ｎは２又は３を表す。また、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_３
   とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５はそれぞれ連結して環を形成してい
   てもよい。）
3. 【請求項３】 前記金属が、２価又は３価の金属である
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記２価又は３価の金属が、マンガン、
   コバルト、ニッケル、銅の何れかであることを特徴とす
   る請求項３記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 前記Ａを含む複素環が、イミダゾール環
   であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の
   光記録媒体。
6. 【請求項６】 前記イミダゾール環を有する化合物が、
   下記一般式（３）で示される化合物であることを特徴と
   する請求項５記載の光記録媒体。 【化３】 （式中、Ｒはアルキルシリル基を含有する置換又は未置
   換のアルキル基を表し、Ｒ_６、Ｒ_７はそれぞれ独立に水
   素原子、シアノ基、置換又は未置換のアルキル基、置換
   又は未置換のアリール基を表し、Ｒ_８及びＲ_９はそれぞ
   れ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
   基、水酸基、カルボキシ基、 アミノ基、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置
   換のアリール基、置換又は未置換の複素環残基、置換又
   は未置換のアルキルカルボニル基、置換又は未置換のア
   リールカルボニル基、置換又は未置換のアルキルオキシ
   カルボニル基、置換又は未置換のアリールオキシカルボ
   ニル基、置換又は未置換のアルキルスルホニル基、置換
   又は未置換のアリールスルホニル基、置換又は未置換の
   アルキルチオオキシ基、置換又は未置換のアリールチオ
   オキシ基、置換又は未置換のアルキルオキシ基、置換又
   は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキ
   ルアミノ基、置換又は未置換のアリールアミノ基、置換
   又は未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換又は未
   置換のアリールカルボニルアミノ基、置換又は未置換の
   アルキルカルバモイル基、置換又は未置換のアリールカ
   ルバモイル基、置換又は未置換のアルケニル基を表す。
   また、Ｒ_７とＲ_８、Ｒ_８とＲ_９はそれぞれ連結して環を
   形成していてもよい。）