JP2002237549A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2002237549A
JP2002237549A JP2001034793A JP2001034793A JP2002237549A JP 2002237549 A JP2002237549 A JP 2002237549A JP 2001034793 A JP2001034793 A JP 2001034793A JP 2001034793 A JP2001034793 A JP 2001034793A JP 2002237549 A JP2002237549 A JP 2002237549A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
solder
solder ball
solder balls
csp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001034793A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4341187B2 (ja
Inventor
Kimio Koueki
喜美男 恒益
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2001034793A priority Critical patent/JP4341187B2/ja
Priority to US10/073,196 priority patent/US6787924B2/en
Publication of JP2002237549A publication Critical patent/JP2002237549A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4341187B2 publication Critical patent/JP4341187B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/094—Array of pads or lands differing from one another, e.g. in size, pitch, thickness; Using different connections on the pads
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

(57)【要約】 【課題】 機械的応力が付与されても、補強パッドにお
けるソルダボールの剥離を低減できるようにする。 【解決手段】 ＣＳＰ構造の本体部の基板実装面の各コ
ーナ部に補強パッドが設けられ、その各々に複数のソル
ダボールが搭載されている半導体装置にあって、四角形
状の補強パッド２１又は三角形状の補強パッド２２は、
少なくとも外側に位置するソルダボール１２の搭載部分
が、このソルダボール１２のＣＳＰ本体部との接触面の
所定部分の外側を沿うように丸形に縁取りされている。
この縁取りによる搭載面には鋭角な部分が生ぜず、機械
的応力が集中しないようになる結果、ソルダボール１２
の剥離を低減できるようになる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、ＣＳＰ（Chip Size Package ）の４隅に設け
られた補強パッドに機械的応力が加わることに起因して
生じるソルダボールのはんだ接合面の剥離を防止できる
ようにした半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、携帯電話機等の携帯機器製品に
おいては、ＬＳＩとして実装効率に優れるＣＳＰがプリ
ント配線基板上にはんだ付けにより搭載されている。Ｃ
ＳＰを用いた場合、携帯機器製品の落下、キーの押下等
があると、その際に、ねじれや曲がりによって、はんだ
付け部分には機械的な応力が生じる。この機械的応力が
プリント配線基板に加わることにより、ＣＳＰのコーナ
ー部のはんだ接続部にストレスが発生する。これを防止
するため、従来より、プリント配線基板上にＣＳＰのコ
ーナー部に対向する部位に銅箔のパターンによる補強パ
ッド（ＰＡＤ）を設け、コーナー部の強度を高める対策
がとられている。
【０００３】図２は、従来の半導体装置を示す。ＣＳＰ
１は、ＣＳＰ本体部１１と、その底面に所定間隔に設け
られた複数のソルダボール１２からなり、このソルダボ
ール１２をプリント配線基板１０の導体パターン（図示
せず）に半田接続することによって実装される。ＣＳＰ
本体部１１は、例えば、ＬＳＩチップ（図示せず）のほ
か、このＬＳＩチップが搭載された有機フレーム１１ａ
と、前記ＬＳＩチップを封止する封止樹脂１１ｂを備え
て構成されている。
【０００４】図３は、図２のＣＳＰ１のソルダボール形
成面を示す。ＣＳＰ１の底面の四隅には、補強パッド１
３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄが設けられ、補強パッド
１３ａ〜１３ｄのそれぞれには、複数のソルダボール１
２が搭載されている。
【０００５】図４は、図３の補強パッドの１つ（１３
ａ）の詳細構成を示す。図４の（ａ）は、正四角形を成
した補強パッド１３ａであり、その各コーナに４つのソ
ルダボール１２が配設されている。また、図４の（ｂ）
は、直角三角形を成した補強パッド１３ａであり、その
各コーナに３つのソルダボール１２が配設されている。
他の補強パッド１３ｂ〜１３ｄも、図３と同一の構造を
有している。補強パッド１３ａ〜１３ｄは、ソルダボー
ル１２に対してはんだ付け面積の増加により強度を向上
させる結果、補強パッド１３ｂ〜１３ｄの周辺のはんだ
付け部への応力を緩和することができる。
【０００６】また、特開２０００−２００８５４号公報
では、ＣＳＰとプリント配線板との半田接続の信頼性を
向上させ、また、はんだバンプにダメージを与えること
なく搬送用トレイに収納できるようにするため、はんだ
バンプを設けないバンプ無しパッドをＣＳＰのコーナ部
に設けると共に、プリント配線板には前記バンプ無しパ
ッドに対向する部位にＣＳＰ側に設けられているはんだ
バンプより大径のはんだボールを補強用として設けてい
る。実装時に、ＣＳＰとプリント配線板を接合してリフ
ローすると、補強用の大径のはんだボールは、他の小径
のはんだボールに比べて接着面積が大きくなるため、実
装強度が高められる。
【０００７】更に、特開平１１−２８８９７８号公報で
は、マザー基板に半導体装置を実装する際の実装強度を
向上させるため、インターポーザー基板の四隅に凹部を
設け、この凹部に電極を形成し、この電極をマザー基板
上に設けられたパッドに半田付けしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置によると、例えば、補強パッド１３ａの近傍に、図
２に示すＡ方向から機械的応力がかかると、補強パッド
１３ａに対して機械的応力（引張力）が加わる。特に、
４隅補強パッド１３ａの端部に応力（図３の機械的応力
Ｂ）が集中した場合、ソルダボール１２の剥離（＝はん
だ接合面の剥離）が発生する。
【０００９】図５は、ソルダボール１２とプリント配線
基板１０のパターン面との接続を示す。プリント配線基
板１０上には、銅配線１０ａと、その表面に形成された
ニッケルメッキ１０ｂからなるパターン面（導体）が設
けられており、そのパターン面の所定位置にソルダボー
ル１２が接続されている。ニッケルメッキ１０ｂ上の化
合物は、硬くて脆い組織であるため、この部分に図示の
方向に機械的応力Ｃが加わったときに剥離部１５が発生
し、図４のように剥離１４ａ，１４ｂが発生する。この
ような剥離が発生すると、周辺のはんだ接合部に対する
応力緩和の効果が期待できなくなり、周辺のはんだ接合
部にストレスが及ぶようになる。この原因は、はんだ付
け面積が全体に増加することによって補強パッド１３ａ
〜１３ｄの強度が向上するが、一方で、鋭角になってい
る部分の面積は少ないため、この部分に応力が集中し、
剥離が生じ易くなるためである。
【００１０】また、特開２０００−２００８５４号公報
によると、ＣＳＰとプリント配線板の両方にはんだバン
プを設ける必要があるため、工程が複雑になる。更に、
特開平１１−２８８９７８号公報によると、インターポ
ーザー基板の四隅に別途電極を形成する必要があるほ
か、この電極とマザー基板上のパッドとの半田付け処理
が必要になる。
【００１１】したがって、本発明の目的は、機械的応力
が補強パッドの一部に集中しないようにし、補強パッド
におけるソルダボールの剥離を低減できるようにした半
導体装置を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、プリント配線基板等の被実装面との接続
のための所定数のソルダボールを本体部の底面に備える
と共に、前記本体部の各コーナ部に補強パッドが設けら
れ、この補強パッドの各々に複数のソルダボールが搭載
されている半導体装置において、前記補強パッドは、前
記複数のソルダボールの内の少なくとも外側に位置する
ソルダボールの搭載部分が、前記少なくとも外側のソル
ダボールのそれぞれの接触面の所定部分の外側を沿うよ
うに縁取りされていることを特徴とする半導体装置を提
供する。
【００１３】この構成によれば、補強パッド上の少なく
とも外側のソルダボールの搭載部分が、これらソルダボ
ールのそれぞれの接触面の外側を沿うように縁取りさ
れ、丸みを持つ形状にされている。したがって、少なく
とも外側のソルダボールのそれぞれの搭載面には鋭角な
部分が生ぜず、補強パッドの一部に機械的応力が集中せ
ずに分散されるため、補強パッドにおけるソルダボール
の剥離を低減できるようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
の補強パッドの構成を示す。図１の（ａ）は、正四角形
状を成した補強パッド２１であり、その各コーナに４つ
のソルダボール１２が配設されている。また、図１の
（ｂ）は、直角三角形状を成した補強パッド２２であ
り、その各コーナには３つのソルダボール１２が配設さ
れている。ここでは、各１個の補強パッド（２１，２
２）の構成のみを示したが、図３に示したように、一個
のＣＳＰには、４個の補強パッドが必要である。
【００１５】補強パッド２１の場合、４個のソルダボー
ル１２のそれぞれの搭載部の周辺形状がソルダボール１
２の外径に沿うように縁取りされて丸みを持っている。
したがって、各ソルダボール搭載部は半円形もしくは楕
円形を成し、補強パッドの全体の形状は十字形又はＸ形
を成し、ソルダボール１２に対しては鋭角部分を生じな
い形状になっている。したがって、４個のソルダボール
１２のそれぞれに対する応力は、従来のように１ヵ所に
集中することがなく、各ソルダボール１２の搭載面の周
辺に分散されるため、はんだ接合面の剥離、すなわちソ
ルダボール１２の剥離を防止することができる。
【００１６】一方、補強パッド２２においては、同様に
３個のソルダボール１２のそれぞれの搭載部の周辺形状
は、ソルダボール１２の外径サイズに沿って縁取りされ
ており、両端部はソルダボール１２の約半周にわたって
円形に加工されている。補強パッド２２の全体の形状
は、Ｌ字形、Ｖ字形、又は“へ”の字形を成すようにな
る。このような形状により、３個のソルダボール１２の
それぞれに対する応力は、従来のように１ヵ所に集中す
ることはなく、各ソルダボール１２の搭載面の周辺に分
散される。したがって、はんだ接合面の剥離が防止され
る結果、ソルダボール１２の剥離が防止されることにな
る。
【００１７】上記実施の形態においては、機械的外力に
よるはんだ接合面の剥離について説明したが、本発明
は、温度変化等による生じる外力に対しても有効であ
る。
【００１８】また、上記実施の形態においては、半導体
装置として、ＣＳＰのみを示したが、本発明はＣＳＰに
限定されるものではなく、ＢＧＰ（Ball Grid Array
）、チップサイズパッケージ、チップスケールパッケ
ージと呼ばれるようなフェースダウンボンディングによ
る半導体装置にも本発明を適用することができる。
【００１９】更に、上記実施の形態では、補強パッド２
１，２２においてソルダボール１２が４個と３個の例を
示したが、２個、５個等、２個以上の個数にすることが
できる。いずれの場合も、各ソルダボールに対して補強
パッドの周縁が半円形を成す様にし、鋭角部分を生じな
いようにすることで本発明が達成される。
【００２０】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の半導
体装置によれば、補強パッド上の少なくとも外側のソル
ダボールの搭載部の所定部分を、そのソルダボールのそ
れぞれの接触面の外側を沿うように縁取りして丸みを持
つ形状にしたので、この部分には鋭角が生ぜず、補強パ
ッドに付与される機械的応力が分散されるため、補強パ
ッドにおけるソルダボールの剥離を低減できるようにな
る。この剥離を防止できることにより、補強パッド周辺
のはんだ付け部への応力が緩和され、補強パッド本来の
効果を持続できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置における補強パッド部の構
成を示す平面図である。
【図２】従来の半導体装置の出力要部を示す側面図であ
る。
【図３】図２のＣＳＰのソルダボール形成面を示す底面
図である。
【図４】図３の補強パッドの１つの詳細構成を示す平面
図である。
【図５】従来の半導体装置におけるソルダボールとプリ
ント配線基板のパターン面の接続状態を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ ＣＳＰ（Chip Size Package ） １０ プリント配線基板 １２ ソルダボール ２１，２２ 補強パッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プリント配線基板等の被実装面との接続
    のための所定数のソルダボールを本体部の底面に備える
    と共に、前記本体部の各コーナ部に補強パッドが設けら
    れ、この補強パッドの各々に複数のソルダボールが搭載
    されている半導体装置において、 前記補強パッドは、前記複数のソルダボールの内の少な
    くとも外側に位置するソルダボールの搭載部分が、前記
    少なくとも外側のソルダボールのそれぞれの接触面の所
    定部分の外側を沿うように縁取りされていることを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記補強パッドは、前記縁取りが、前記
    少なくとも外側のソルダボールのそれぞれの少なくとも
    半周に施されていることを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置。
  3. 【請求項３】 前記補強パッドは、十字形、Ｘ字形、Ｌ
    字形、又はＶ字形であることを特徴とする請求項１記載
    の半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記本体部は、ＣＳＰ（Chip Size Pack
    age ）であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置。
JP2001034793A 2001-02-13 2001-02-13 半導体装置 Expired - Fee Related JP4341187B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001034793A JP4341187B2 (ja) 2001-02-13 2001-02-13 半導体装置
US10/073,196 US6787924B2 (en) 2001-02-13 2002-02-13 Semiconductor device capable of preventing solder balls from being removed in reinforcing pad

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001034793A JP4341187B2 (ja) 2001-02-13 2001-02-13 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002237549A true JP2002237549A (ja) 2002-08-23
JP4341187B2 JP4341187B2 (ja) 2009-10-07

Family

ID=18898335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001034793A Expired - Fee Related JP4341187B2 (ja) 2001-02-13 2001-02-13 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6787924B2 (ja)
JP (1) JP4341187B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303305A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Aoi Electronics Co Ltd 半導体装置
JP2006303029A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Aoi Electronics Co Ltd 半導体装置
JP2007294620A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Denso Corp 半導体装置
US8797760B2 (en) 2011-08-01 2014-08-05 Seiko Epson Corporation Substrate, electronic device, and electronic apparatus
CN109494212A (zh) * 2017-09-13 2019-03-19 太阳诱电株式会社 电子部件

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183849A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP5350604B2 (ja) * 2007-05-16 2013-11-27 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
JP2009182104A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Toshiba Corp 半導体パッケージ
US7910838B2 (en) * 2008-04-03 2011-03-22 Advanced Interconnections Corp. Solder ball interface
US8513814B2 (en) 2011-05-02 2013-08-20 International Business Machines Corporation Buffer pad in solder bump connections and methods of manufacture
US10104772B2 (en) 2014-08-19 2018-10-16 International Business Machines Incorporated Metallized particle interconnect with solder components

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0582735A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Fujitsu Ltd 大規模集積回路
DE69312411T2 (de) * 1992-09-15 1997-11-27 Texas Instruments Inc Ballkontaktierung für Flip-Chip-Anordnungen
JPH06180460A (ja) * 1992-12-15 1994-06-28 Seiko Epson Corp 半導体チップ接続用基板構造
TW250620B (en) * 1994-05-31 1995-07-01 At & T Corp Method for interconnecting an electronic device using a transferable soldercarrying medium
US5468655A (en) * 1994-10-31 1995-11-21 Motorola, Inc. Method for forming a temporary attachment between a semiconductor die and a substrate using a metal paste comprising spherical modules
US5578527A (en) * 1995-06-23 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Connection construction and method of manufacturing the same
JPH09199506A (ja) * 1995-11-15 1997-07-31 Citizen Watch Co Ltd 半導体素子のバンプ形成方法
US5929521A (en) * 1997-03-26 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Projected contact structure for bumped semiconductor device and resulting articles and assemblies
JP3000975B2 (ja) * 1997-10-20 2000-01-17 富士通株式会社 半導体素子の実装構造
JP3855478B2 (ja) 1998-02-04 2006-12-13 ソニー株式会社 半導体装置
US6324754B1 (en) * 1998-03-25 2001-12-04 Tessera, Inc. Method for fabricating microelectronic assemblies
JPH11297872A (ja) * 1998-04-13 1999-10-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3214479B2 (ja) 1999-01-05 2001-10-02 日本電気株式会社 半導体構造及び電子部品実装方法
US6444563B1 (en) * 1999-02-22 2002-09-03 Motorlla, Inc. Method and apparatus for extending fatigue life of solder joints in a semiconductor device
JP3498634B2 (ja) * 1999-05-31 2004-02-16 関西日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6492738B2 (en) * 1999-09-02 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods of testing and assembling bumped devices using an anisotropically conductive layer
JP3446826B2 (ja) * 2000-04-06 2003-09-16 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6201305B1 (en) * 2000-06-09 2001-03-13 Amkor Technology, Inc. Making solder ball mounting pads on substrates

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303029A (ja) * 2005-04-18 2006-11-02 Aoi Electronics Co Ltd 半導体装置
JP2006303305A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Aoi Electronics Co Ltd 半導体装置
JP2007294620A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Denso Corp 半導体装置
US8797760B2 (en) 2011-08-01 2014-08-05 Seiko Epson Corporation Substrate, electronic device, and electronic apparatus
CN109494212A (zh) * 2017-09-13 2019-03-19 太阳诱电株式会社 电子部件
JP2019054067A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 太陽誘電株式会社 電子部品
CN109494212B (zh) * 2017-09-13 2022-11-25 太阳诱电株式会社 电子部件

Also Published As

Publication number Publication date
US20020109239A1 (en) 2002-08-15
US6787924B2 (en) 2004-09-07
JP4341187B2 (ja) 2009-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5090385B2 (ja) 改善された半田ボールランドの構造を有する半導体パッケージ
JP2006060128A (ja) 半導体装置
JP2004193223A (ja) 半導体装置
JP2003133518A (ja) 半導体モジュール
JP4562579B2 (ja) 半導体装置
JP2002237549A (ja) 半導体装置
JP2001185640A (ja) 表面実装型パッケージ及び電子部品並びに電子部品の製造方法
JP2005129663A (ja) 多層配線基板
US20050127487A1 (en) Semiconductor package with improved solder joint reliability
JP2006228932A (ja) 半導体パッケージ
JP3855992B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4042539B2 (ja) Ｃｓｐ接続方法
JP2000133668A (ja) 半導体装置および実装構造
US9368467B2 (en) Substrate structure and semiconductor package using the same
JP2002231761A (ja) 電子部品実装体および電子部品
JP2004273617A (ja) 半導体装置
JPH09162240A (ja) 半導体装置
JP2004363319A (ja) 実装基板及び半導体装置
JP2006128429A (ja) 回路基板および半導体装置
JP2005183517A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
KR100572515B1 (ko) 볼 그리드 어레이 패키지 및 볼 그리드 어레이 패키지에 솔더볼 을 어탯치하는 방법
JP3214479B2 (ja) 半導体構造及び電子部品実装方法
JP2003338666A (ja) プリント配線板
US20050146050A1 (en) Flip chip package structure and chip structure thereof
JP2005072212A (ja) 電子部品とその製造方法及び電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070424

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080513

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080619

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090616

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090629

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees