JP2002232239A - 演算増幅器 - Google Patents
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Abstract
ズ)を低減させる。 【解決手段】差動増幅回路の入力端子をなすFETの差
動トランジスタ110を、安定動作領域外(=非飽和領
域及び飽和領域境界付近でありVdsの変化によりId
が変化する通常は使われない領域)で動作させる。これ
により、gmが機能している範囲でIdを制限して動作
させ、VdsとIdの積である損失による発熱を抑え、
発熱によるゆらぎをなくし低周波ノイズを抑制する。安
定動作領域外で差動トランジスタを動作させる手段とし
て、差動トランジスタの低電位側端子の電位を基準電位
としてリファレンス電圧を発生するリファレンス発生部
220と、差動トランジスタよりも高電位側に挿入さ
れ、リファレンス電圧により動作して電圧降下を行う電
圧シフト部210と、からなるレベルシフト回路200
を挿入し、これにより差動トランジスタにかかるVds
を決定する構成とする。
Description
アンプ)に関する。
増幅回路を入力段に備えた演算増幅器は、低消費電力、
高入力インピーダンスといった特徴を有することが知ら
れている。この種の演算増幅器は一般に図1に示すよう
な構造とされる。すなわち、入力段の差動増幅回路1、
利得段の増幅回路2、定電流回路3からなる構成であ
る。
能動負荷の負荷トランジスタ11,12及び入力端子と
なる差動トランジスタ13,14からなり、これに電流
駆動回路として電流駆動トランジスタ15が設けられて
いる。また、増幅回路2は出力トランジスタ21、電流
駆動トランジスタ22、位相補償キャパシタ23、定電
流回路3は負荷抵抗31、電圧設定トランジスタ32か
ら構成される。差動増幅回路1の出力は出力トランジス
タ21のゲートへ提供されるとともに位相補償キャパシ
タ23を通して出力端子outへ提供され、各電流駆動
トランジスタ15,22のゲートには定電流回路3の出
力が提供される。
トランジスタ、典型的にはMOSトランジスタを使用し
た演算増幅器は、トランジスタ自体から発生するノイ
ズ、特に低周波ノイズ(1/fノイズ)が特性に影響す
るという問題が指摘されており、微小信号の増幅時にノ
イズ解決が必須の課題となっている。この演算増幅器の
ノイズ低減手法としては、相補バランスのとれた半導体
デバイスを組み合わせたカレントミラーなどを使用した
り、特開平4−360307号や特開平9−93051
号のような差動増幅回路の負荷トランジスタ及び差動ト
ランジスタの相互コンダクタンスやゲート長を調整する
手法が知られている。
も、利得段に提供される電圧の増減により熱損失が大き
く変動することがあり、低周波ノイズ及び電圧ドリフト
へ影響する(特にパルス的急変動による熱損失急変によ
る低周波ノイズ発生)という現象を防ぎきれるまでには
至っていない。そこで、本発明により、その問題を解決
しようとするものである。
1の手段として、入力端子をなす差動トランジスタに電
界効果トランジスタを使用した差動増幅回路を入力段に
備える演算増幅器において、その差動トランジスタを安
定動作領域外で動作させることを特徴とする。今までの
常識では、電界効果トランジスタは、Id−Vds特性
が一定となる安定動作領域、つまり十分な飽和領域で使
用するのが当たり前であり、gmの大きなデバイスを用
いてドレイン電流Idを多く流し、ゲインを稼ぐことに
より相対的にノイズを低減するというのが常套手段であ
った。本発明ではこの定説を覆し、差動トランジスタで
ある電界効果トランジスタを、安定動作領域外、つま
り、非飽和領域及び飽和領域境界付近のドレイン−ソー
ス間電圧Vdsの変化によりドレイン電流Idが変化す
る通常は使われない領域で動作させることにより、gm
が機能している範囲でIdを制限して動作させるもので
ある。Vdsを小さくしてIdを少なくするということ
は、VdsとIdの積である損失による発熱を抑えられ
ることになり、発熱によるゆらぎをなくし低周波ノイズ
を抑制することが可能となる。そして、発熱が抑えられ
れば、デバイスの温度変化によるgmの変動(gmは温
度依存性をもつ)を抑止することができるので、低周波
ノイズを低減させられる。
スタを動作させる手段としては、差動トランジスタより
も高電位側にレベルシフト回路を挿入し、これにより差
動トランジスタにかかるVdsを決定する構成とすれば
よい。そのレベルシフト回路の具体例としては、差動ト
ランジスタの低電位側端子の電位を基準電位としてリフ
ァレンス電圧を発生するリファレンス発生部と、差動ト
ランジスタよりも高電位側に挿入され、リファレンス電
圧により動作して電圧降下を行う電圧シフト部と、から
なる構成が考えられる。リファレンス発生部は、精密な
電圧安定性は不要であるが、低周波ゆらぎノイズに対し
ある程度の安定性をもつほうが好ましいので、低ノイズ
特性の得られる電圧源(代表例としてシリコンダイオー
ド)とするのがよい。また、電圧シフト部はバイポーラ
トランジスタあるいは電界効果トランジスタから形成す
ることができる。
ランジスタを動作させるということは、電界効果トラン
ジスタ自体のリーク電流がほとんどなくなる結果にもつ
ながるため、電流の流れない非常にハイインピーダンス
の入力端子を形成することができる。そこで、このよう
な格別にハイインピーダンスの入力端子に接続して所定
の電圧を提供する電圧源には、所定の電圧(電位)を保
持したキャパシタを使用することができる。すなわち、
リーク電流も無視できるほどハイインピーダンスの入力
端子であれば、電荷を充電して一定電位にホールドした
キャパシタを使用することで電圧源として十分役に立
つ。このように電圧源としてキャパシタを使用すると、
非常に安定したノイズのない優良な完全フローティング
電圧源を得られることになる。つまり、本発明の演算増
幅器の入力端子用には、キャパシタを使用した非常に安
定な定電圧源が提供される。このようにキャパシタを電
圧源とすることで、電圧源も含めてワンチップ化するこ
とも可能となる。
て、差動増幅回路を備えた演算増幅器において、その差
動増幅回路の電流駆動回路として、スレーブ制御電圧を
発生するスレーブ電圧源と、マスタ制御電圧を発生する
マスタ電圧源と、スレーブ制御電圧により動作するスレ
ーブトランジスタと、マスタ電圧源と熱的相関関係にあ
り、スレーブトランジスタの低電位側に直列接続されて
マスタ制御電圧により動作するマスタトランジスタと、
を備え、そのマスタ制御電圧に従うマスタトランジスタ
の制御端子(ベースやゲート)と高電位側端子(コレク
タやドレイン)との間の電圧差よりもスレーブ制御電圧
に従うスレーブトランジスタの制御端子と高電位側端子
との間の電圧差のほうが大きくなるようにしたことを特
徴とする。この場合、スレーブ電圧源とスレーブトラン
ジスタとについても熱的相関をとっておくと、安定動作
の面でさらに好ましい。
気中にあるなど周囲の温度条件が一致していればよく、
熱結合の必要はない)電圧源及びトランジスタの組み合
わせをカスケード接続して用いるものであり、スレーブ
制御電圧によりローインピーダンス動作するスレーブ素
子を発熱担当とし、マスタ制御電圧により高抵抗動作す
るマスタ素子に電流値を決定させる仕組みである。すな
わち、差動増幅回路から電流駆動回路へかかかる印加電
圧による熱損失のほとんどを、制御端子と高電位側端子
との間の電圧差(ベース−コレクタ間電圧、ゲート−ド
レイン間電圧)を大きくしてローインピーダンス動作さ
せるスレーブトランジスタに受けもたせ、これよりも下
流のマスタトランジスタは制御端子と高電位側端子との
間の電圧差を極力小さくして高抵抗動作させることで自
己損失による発熱を抑え、安定動作させる。電流値を決
定するのはマスタトランジスタなので、マスタトランジ
スタが熱的に安定していれば、熱ゆらぎを抑制すること
ができ、低周波ノイズを大きく抑えることができる。ま
た、マスタの動作電圧が一定となることから、当該マス
タの容量など高速性能に影響する因子が安定し、高速性
能が向上して高い周波数領域まで対応することができる
ようになる。
はマスタトランジスタは、ダーリントン接続の構成とす
ることも可能であるし、この場合、ダイオードを挿入し
てマスタトランジスタへの印加電圧を下げて発熱をさら
に抑える構成も可能である。トランジスタとしては、バ
イポーラ型、電界効果型のいずれも可能である。
動増幅回路を入力段に備えた演算増幅器の利得段につい
て、差動増幅回路の非反転(+)入力端子側の出力を受
ける第1の電流入力ノードと、差動増幅回路の反転
(−)入力端子側の出力を受ける第2の電流入力ノード
と、第1の電流入力ノードに接続するとともに制御端子
(ベース、ゲート)を所定の電位(たとえば回路の+電
源と−電源との間の中間電位、典型的には接地)に接続
した第1のトランジスタ及び第2の電流入力ノードに接
続するとともに制御端子を前記所定の電位に接続した第
2のトランジスタからなる電流−電圧変換回路と、この
電流−電圧変換回路の第1のトランジスタに接続したト
ランジスタからなる熱拡散均等化回路と、この熱拡散均
等化回路のトランジスタ及び電流−電圧変換回路の第2
のトランジスタに接続して第1の電流入力ノードの電流
をミラーリングするようにしたカレントミラー回路と、
から構成し、その電流−電圧変換回路をなす第2のトラ
ンジスタとカレントミラー回路との間に出力端子を設
け、熱拡散均等化回路をなすトランジスタの制御端子の
電位を、出力端子の電位と同程度に設定することを特徴
とする。
転側出力に対応した電流−電圧変換回路の第1のトラン
ジスタについて、その低電位側の電位を熱拡散均等化回
路によりシフトさせることができる。熱拡散均等化回路
がない場合、2つの電流入力ノードにかかる印加電圧は
演算増幅器が動作することにより当然異なる(第1>第
2)ため、電流−電圧変換回路における両トランジスタ
の損失による発熱量には差が生じる。その発熱の不均衡
が熱ゆらぎとなって低周波ノイズの原因になっていると
考えられる。そこで、熱拡散均等化回路を設けることに
より非反転側のトランジスタの低電位側電位をシフトさ
せることにより、電流−電圧変換回路の両トランジスタ
に関するバイアス電圧をできるだけ均衡させ、素子間の
発熱が不均衡とならないようにしている。これにより、
熱ゆらぎが抑えられて低周波ノイズが抑制される。
ため、そのトランジスタの制御端子電位を出力端子の電
位と同程度に設定するものであるが、これは、回路が出
力動作していないときの静的電位に対し同程度とするも
のであり、動作で上下動する出力端子の電位に追従する
必要はない。また、出力端子の電位とぴったり一致させ
る厳密な制御は必要なく、ある程度の範囲(ダイオード
やトランジスタによる電圧降下分程度の違い)をもって
一致していればよい。
組み合わせて用いるといっそう効果的である。
の代表例を示している。
電源−Vsとの間で動作する入力段に、能動負荷100
及び入力端子110からなる差動増幅回路を形成してあ
り、その能動負荷100と入力端子110との間に、レ
ベルシフト回路200の電圧シフト部210が挿入され
ている。この電圧シフト部210は、同じくレベルシフ
ト回路200を構成するリファレンス発生部220から
発生されるリファレンス電圧により動作するものとして
ある。能動負荷100はバイポーラトランジスタや電界
効果トランジスタのカレントミラーから構成され、入力
端子110は電界効果トランジスタを使用した差動トラ
ンジスタ対から構成される。
に設けられる電流源として本例では、本発明に係る電流
駆動回路300が使用されている。また、本例の差動増
幅回路の2出力は、電流−電圧(I−V)変換回路40
0、熱拡散均等化回路500、カレントミラー回路60
0からなる利得段へ入力されている。
回路200の詳細を示してある。入力端子110は、電
界効果トランジスタからなる差動トランジスタ111,
112により構成されており、差動トランジスタ111
が非反転入力、差動トランジスタ112が反転入力を担
当する。この差動トランジスタ111,112よりも高
電位側に、レベルシフト回路200の電圧シフト部21
0を構成するトランジスタ211,212がそれぞれ挿
入されている。これらトランジスタ211,212が、
ダイオードを利用したリファレンス発生部220により
差動トランジスタ111,112の低電位側端子のノー
ドSの電位を基準にして設定されるリファレンス電圧に
従い動作することで、相応のドレイン−ソース間電圧V
dsが差動トランジスタ111,112に設定される。
そのVdsは、リファレンス発生部220の設計によ
り、非飽和領域など差動トランジスタ111,112の
安定動作領域外の値となるようにしてあるので、差動ト
ランジスタ111,112は従来より非常に小さなゲー
ト−ソース間電圧Vgs及び非常に少ないドレイン電流
Idで動作する。このようにVdsを小さくすると安定
動作領域で使うことはできなくなるが、レベルシフト回
路200でVdsを固定することにより動作点の固定化
は可能である。
の場合、差動トランジスタ111,112のVdsとし
てたとえば5V以上の電圧をかけ、十分に安定した飽和
領域で動作させるのが常識であった。そして、相互コン
ダクタンスgmが大きく且つ飽和ドレイン電流Idss
が多い素子を用い、Idをできるだけ多く流してゲイン
をかせぐことにより、相対的にノイズを低減させるとい
う手法が当然のこととして知られている。このような従
来の常識に対し本発明の手法では、上記のようにVds
を小さくし、gmが機能している範囲でIdを制限して
使用するので、ある程度以上のgmで且つIdssのな
るべく少ない素子を用いる。
Vdsで動作する本例の差動トランジスタ111,11
2は、小さいVdsに従うVdとの関係からVgsも小
さくなるので、小さいVds及びVgsにより、ゲート
リーク電流を抑制することができる。これにより、電界
効果素子の特性であるハイインピーダンスを十分に発揮
できるし、電流性ノイズを低減することもできる。ま
た、Vdsを小さくし且つgmが機能する範囲でIdを
制限することで、損失(VdsとIdsの積)による発
熱を大幅に抑えられることになる。その結果、熱ゆらぎ
を抑止し、低周波ノイズを大きく低減することが可能で
ある。
の電流駆動回路300につき、図4に詳細を示し説明す
る。図4Aには本例の電流駆動回路300の詳細、図4
Bには従来の回路例を示している。
は、差動トランジスタ111,112の低電位側につな
がるスレーブトランジスタ310、このスレーブトラン
ジスタ310と熱的相関のとれたスレーブ電圧源32
0、スレーブトランジスタ310に直列接続されたマス
タトランジスタ330、このマスタトランジスタ330
と熱的相関のとれたマスタ電圧源340、そしてマスタ
トランジスタ330に接続された抵抗350で構成され
ている。スレーブトランジスタ310とスレーブ電圧源
320との熱的相関はそれほど気にする必要はないが、
相関をとっておいた方がいっそう動作が安定し好まし
い。本例の場合、熱的相関をとるために、スレーブトラ
ンジスタ310とスレーブ電圧源320、そして、マス
タトランジスタ330とマスタ電圧源340を、ワンパ
ッケージ内に収めるなどし、両者の温度条件が一致する
ようにしている。なお、周囲の温度条件が一致しさえし
ていればよく、ワンチップ化するなどの熱結合までは必
要ない(ワンチップ化すればさらに良好であるが)。
0,330ともバイポーラトランジスタあるいは電界効
果トランジスタのいずれで形成してもよく、その制御端
子(ベース又はゲート)を各担当の電圧源320,34
0へつないだ構成とする。スレーブ電圧源320による
スレーブ制御電圧は、スレーブトランジスタ310の制
御端子と高電位側端子との間の電圧差(ベース−コレク
タ間電圧、ゲート−ドレイン間電圧)がマスタトランジ
スタ330に比べて大きくなるように設定する一方、マ
スタ電圧源340によるマスタ制御電圧は、マスタトラ
ンジスタ330の制御端子と高電位側端子との間の電圧
差ができるだけ小さく(0でも可)なるように設定す
る。これにより、制御端子と高電位側端子との間の電圧
差、すなわちベース−コレクタ間電圧やゲート−ドレイ
ン間電圧が大きく設定されてローインピーダンス動作す
るスレーブトランジスタ310が発熱を担当し、コレク
タ−ベース間電圧が極小化されて高抵抗動作するマスタ
トランジスタ330が電流値決定を担当する。
と、まず、図4Bの回路では、電流値を決めるトランジ
スタ360がバイポーラの場合、ベース−コレクタ間電
圧をたとえば3〜5V以上の高電圧に設定して動作させ
るのが常識である。これに対し図4Aの回路では、電流
値を決めるマスタトランジスタ330のベース−コレク
タ間電圧は非常に小さく(差0=同電位でも動作可)な
るようにされている。そして、図4Bの従来回路にかか
る電圧をV、流れる電流をI、抵抗370の抵抗値をR
とすると、トランジスタ360の熱損失PはP={(V
−R・I)・I}となる。一方、図4Aの本例の回路で
は、同じく電圧V、電流I、抵抗350の抵抗値Rと
し、マスタに対する電圧をV1、スレーブに対する電圧
をV2とすると、スレーブトランジスタ310の熱損失
Pは、P=(V2−V1)・Iとなる。なお、V2=V
−R・Iである。基本的に両者とも熱損失はP=V・I
であるが、本例の回路の場合V1が小さければ、差動増
幅回路からかかるトータルの印加電圧Vによる熱損失の
ほとんどをスレーブトランジスタ310が受けもつこと
になる点で大きく相違している。したがって、マスタト
ランジスタ330は発熱することなく一定の動作点に固
定され、電流値を決定する素子として安定した状態で動
作することが可能になっている。つまり、電流値を決定
するマスタトランジスタ330は、ベース電位(ゲート
電位)を上記のように適宜設定して電圧V1を極小化す
ることで、自己損失による発熱を抑制することができ、
熱ゆらぎがなくなり、低周波ノイズを防止することがで
きる。また、発熱による素子の温度上昇を抑えること
で、電流増幅率hfe(FETではgm)の変動を抑止
することができるので、回路の動作点が固定され、非常
に安定性の優れたものとなる。
他の構成例を図5に示している。図示の例は、スレーブ
及びマスタの両方をダーリントン接続のトランジスタと
した例である。
310及びマスタトランジスタ330の両方ともNPN
トランジスタのダーリントン接続とした例である。スレ
ーブトランジスタ310をなすダーリントン接続した2
つのトランジスタ311,312に対しそれぞれ、熱的
相関をとって電圧源素子321,322が割り当てられ
ている。すなわち、電圧源320をなす電圧源素子32
1とトランジスタ311が熱的に相関し、電圧源素子3
22とトランジスタ312が熱的に相関する。また、マ
スタトランジスタ330をなすダーリントン接続した2
つのトランジスタ331,332に対しても同様に、そ
れぞれ熱的相関をとった電圧源素子341,342が電
圧源340として割り当てられている。
及びNPNトランジスタ332’をダーリントン接続に
してマスタトランジスタ330を構成した例を示してあ
り、図5Cには、PNPトランジスタ331’及びNP
Nトランジスタ332’をダーリントン接続にしたうえ
にダイオード333を挿入して、印加電圧(V1)をさ
らに下げるようにしたマスタトランジスタ330を示し
てある。これらの場合における電圧源320,340も
図5Aの例同様のものとする。
回路400、熱拡散均等化回路500、カレントミラー
回路600の詳細について、図6に示し説明する。
00は、差動増幅回路の非反転入力側の出力を受ける第
1の電流入力ノードN1に接続された第1のトランジス
タ401と、反転入力側の出力を受ける第2の電流入力
ノードN2に接続された第2のトランジスタ402と、
で構成され、その両トランジスタ401,402の制御
端子を正電源+Vsと負電源−Vsとの間の中間電位で
ある接地につないだベース(ゲート)接地型の回路とな
っている。各電流入力ノードN1,N2は抵抗を通して
正電源+Vsにつながれている。また、図示のようにト
ランジスタ401,402がバイポーラの場合、ダイオ
ード及び電圧源を通してベースが正電源+Vsへつなが
れる。このような電流−電圧変換回路400の下流側
に、熱拡散均等化回路500及び出力端子outが設け
られる。熱拡散均等化回路500は第1のトランジスタ
401の低電位側に接続され、出力端子outは第2の
トランジスタ402の低電位側に設けられる。つまり、
この利得段の出力は、電流−電圧変換回路400の第2
のトランジスタ402から得られる。
換回路400の第1のトランジスタ401に接続したP
NPトランジスタ501から構成してあり、そのベース
を接地させて使用する。本例の場合、電流−電圧変換回
路400のトランジスタ401,402のベースを、電
流源を介し熱拡散均等化回路500のトランジスタ50
1のベースへ接続し、まとめて接地している。この構成
により、トランジスタ501のベースが出力端子out
と同電位に設定されることになる。このトランジスタ5
01を第1のトランジスタ401の低電位側に挿入する
ことにより電圧シフトが行われ、熱拡散均等化回路50
0がない従来回路に比べて電流−電圧変換回路400の
印加バイアスが均衡化される結果、電流−電圧変換回路
400における素子間の発熱不均衡が改善される。した
がって、熱ゆらぎが防がれ、低周波ノイズが削減され
る。
tに続けては、カレントミラー回路600が設けられ
る。本例のカレントミラー回路600はバイポーラトラ
ンジスタ601〜604からなるウイルソン型で(ウイ
ルソン型以外でも同様に適用可)、非反転入力側出力を
受ける第1の電流入力ノードN1側の電流をミラーリン
グする。すなわち、熱拡散均等化回路500にトランジ
スタ601を接続するとともに出力端子outにトラン
ジスタ602を接続し、これらのゲートを熱拡散均等化
回路500のほうに接続してある。さらに、これらトラ
ンジスタ601,602に続けてトランジスタ603,
604を接続し、これらのゲートをトランジスタ602
のほうに接続してある。トランジスタ603,604の
エミッタは、抵抗を介し接地される。
からの出力は、図2のカレントブースター700を経て
他の回路へわたされる。
の例を示している。この例では、電流−電圧変換回路4
00のトランジスタ403,405のベースが電流源を
通して接地され、この接地端に対しダイオードを介して
熱拡散均等化回路500のトランジスタ502のベース
が接続されている。また、このトランジスタ502のベ
ースは電流源を介して負電源−Vsへつながれており、
したがってトランジスタ502のベース電位は、出力端
子outに対しダイオード1個分の差をもって同程度に
設定される。
他に、NPNトランジスタ、電界効果トランジスタを使
用することも可能である。
力端子に使用する電圧源の原理モデルを示している。
いる。演算増幅器OPは負帰還接続されており、その非
反転入力端子(+)に、電圧源となるキャパシタCが接
続されている。この電圧源キャパシタCは、一電極を非
反転入力端子に、もう一方の電極を接地してある。その
一電極はまた、スイッチSを介して電源Vにつながれて
おり、スイッチSを入れることで充電され、所定の電圧
をホールドしたところでスイッチSをきることでフロー
ティング状態となる。すると、演算増幅器OPの入力端
子は上記のような構成のため電流の流れる経路がないの
で、電圧源キャパシタCは充電された電荷を長時間維持
することができる(リークがなければ永久的にもつ)。
完全フローティング状態となった電圧源キャパシタC
は、ノイズもなく極めて安定した定電圧源となるので、
これをリファレンスとした演算増幅器OPの出力は、非
常に低ノイズの電源として使用することができる。
路例を示している。演算増幅器OPの非反転入力端子側
に接続される、キャパシタC1、スイッチS、電源Vの
構成は図7A同様であるが、反転入力端子側の負帰還接
続の構成が図7Aと異なっている。すなわち、演算増幅
器OPの出力はキャパシタC2を通った後、分圧抵抗R
1,R2の接続点を介して反転入力端子へ帰還されるよ
うになっている。分圧抵抗R1,R2は、演算増幅器O
Pの出力端子と接地端との間に直列接続した2つの抵抗
素子である。この回路により、上記同様に非常に低ノイ
ズのゲインを有する電源が提供される。しかも、このよ
うなキャパシタ及び演算増幅器による回路は、ワンチッ
プ化しての提供が可能である。
熱ゆらぎの抑制で低周波ノイズが大きく低減され、従来
に比べ格段にノイズの少ない増幅器が提供される。大幅
にノイズが低減されることで、微小信号の増幅に特に適
しており、デバイスの1/fノイズ評価回路への応用が
可能であるし、従来では非常に難しいと言われていた等
倍アンプの形成をも容易に可能とする。特に、入力段に
用いた電界効果素子によるgmを能動負荷のドレインロ
ードを通じてI−V変換回路へ入力する構成とした場
合、高い電圧ゲインを得ることができる構成となるの
で、交流に対して原理的に安定な単極応答増幅器(従来
難しかった100%負帰還などの全帰還動作、あるいは
オープンループゲイン内で任意のクローズドループゲイ
ンでの動作も可能となる)とすることができる。
図。
るキャパシタの一例を示す回路図。
Claims (16)
- 【請求項1】 入力端子をなす差動トランジスタに電界
効果トランジスタを使用した差動増幅回路を入力段に備
える演算増幅器において、前記差動トランジスタを安定
動作領域外で動作させることを特徴とする演算増幅器。 - 【請求項2】 差動トランジスタよりも高電位側にレベ
ルシフト回路を挿入し、これにより前記差動トランジス
タにかかるドレイン−ソース間電圧を決定する請求項1
記載の演算増幅器。 - 【請求項3】 レベルシフト回路は、差動トランジスタ
の低電位側端子の電位を基準電位としてリファレンス電
圧を発生するリファレンス発生部と、前記差動トランジ
スタよりも高電位側に挿入され、前記リファレンス電圧
により動作して電圧降下を行う電圧シフト部と、からな
る請求項2記載の演算増幅器。 - 【請求項4】 差動増幅回路の電流駆動回路として、ス
レーブ制御電圧を発生するスレーブ電圧源と、マスタ制
御電圧を発生するマスタ電圧源と、前記スレーブ制御電
圧により動作するスレーブトランジスタと、前記マスタ
電圧源と熱的相関関係にあり、前記スレーブトランジス
タの低電位側に直列接続されて前記マスタ制御電圧によ
り動作するマスタトランジスタと、を備え、前記マスタ
制御電圧に従う前記マスタトランジスタの制御端子と高
電位側端子との間の電圧差よりも前記スレーブ制御電圧
に従う前記スレーブトランジスタの制御端子と高電位側
端子との間の電圧差のほうが大きくなるようにしてある
請求項1〜3のいずれか1項に記載の演算増幅器。 - 【請求項5】 スレーブ電圧源とスレーブトランジスタ
とが熱的相関関係にある請求項4記載の演算増幅器。 - 【請求項6】 スレーブトランジスタをダーリントン接
続とした請求項4又は請求項5記載の演算増幅器。 - 【請求項7】 マスタトランジスタをダーリントン接続
とした請求項4〜6のいずれか1項に記載の演算増幅
器。 - 【請求項8】 マスタトランジスタへの印加電圧を下げ
るためのダイオードを挿入してある請求項7記載の演算
増幅器。 - 【請求項9】 差動増幅回路の非反転入力端子側の出力
を受ける第1の電流入力ノードと、前記差動増幅回路の
反転入力端子側の出力を受ける第2の電流入力ノード
と、前記第1の電流入力ノードに接続するとともに制御
端子を所定の電位に接続した第1のトランジスタ及び前
記第2の電流入力ノードに接続するとともに制御端子を
前記所定の電位に接続した第2のトランジスタからなる
電流−電圧変換回路と、該電流−電圧変換回路の第1の
トランジスタに接続したトランジスタからなる熱拡散均
等化回路と、該熱拡散均等化回路のトランジスタ及び前
記電流−電圧変換回路の第2のトランジスタに接続して
前記第1の電流入力ノード側の電流をミラーリングする
ようにしたカレントミラー回路と、からなり、前記電流
−電圧変換回路をなす第2のトランジスタと前記カレン
トミラー回路との間に出力端子が設けられ、前記熱拡散
均等化回路をなすトランジスタの制御端子の電位を、前
記出力端子の電位と同程度に設定するようにした利得段
を備える請求項1〜8のいずれか1項に記載の演算増幅
器。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれか1項に記載の
演算増幅器における入力端子に対し使用する電圧源であ
って、所定の電圧を保持したキャパシタの一電極を前記
入力端子に接続してなる電圧源。 - 【請求項11】 差動増幅回路を備えた演算増幅器にお
いて、前記差動増幅回路の電流駆動回路として、スレー
ブ制御電圧を発生するスレーブ電圧源と、マスタ制御電
圧を発生するマスタ電圧源と、前記スレーブ制御電圧に
より動作するスレーブトランジスタと、前記マスタ電圧
源と熱的相関関係にあり、前記スレーブトランジスタの
低電位側に直列接続されて前記マスタ制御電圧により動
作するマスタトランジスタと、を備え、前記マスタ制御
電圧に従う前記マスタトランジスタの制御端子と高電位
側端子との間の電圧差よりも前記スレーブ制御電圧に従
う前記スレーブトランジスタの制御端子と高電位側端子
との間の電圧差のほうが大きくなるようにしてあること
を特徴とする演算増幅器。 - 【請求項12】 スレーブ電圧源とスレーブトランジス
タとが熱的相関関係にある請求項11記載の演算増幅
器。 - 【請求項13】 スレーブトランジスタをダーリントン
接続とした請求項11又は請求項12記載の演算増幅
器。 - 【請求項14】 マスタトランジスタをダーリントン接
続とした請求項11〜13のいずれか1項に記載の演算
増幅器。 - 【請求項15】 マスタトランジスタへの印加電圧を下
げるためのダイオードを挿入してある請求項14記載の
演算増幅器。 - 【請求項16】 差動増幅回路を入力段に備えた演算増
幅器の利得段であって、前記差動増幅回路の非反転入力
端子側の出力を受ける第1の電流入力ノードと、前記差
動増幅回路の反転入力端子側の出力を受ける第2の電流
入力ノードと、前記第1の電流入力ノードに接続すると
ともに制御端子を所定の電位に接続した第1のトランジ
スタ及び前記第2の電流入力ノードに接続するとともに
制御端子を前記所定の電位に接続した第2のトランジス
タからなる電流−電圧変換回路と、該電流−電圧変換回
路の第1のトランジスタに接続したトランジスタからな
る熱拡散均等化回路と、該熱拡散均等化回路のトランジ
スタ及び前記電流−電圧変換回路の第2のトランジスタ
に接続して前記第1の電流入力ノード側の電流をミラー
リングするようにしたカレントミラー回路と、からな
り、前記電流−電圧変換回路をなす第2のトランジスタ
と前記カレントミラー回路との間に出力端子が設けら
れ、前記熱拡散均等化回路をなすトランジスタの制御端
子の電位を、前記出力端子の電位と同程度に設定するよ
うにしたことを特徴とする利得段。
Priority Applications (1)
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JP2001025444A JP2002232239A (ja) | 2001-02-01 | 2001-02-01 | 演算増幅器 |
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