JP2002221736A - 液晶表示装置 - Google Patents
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 残像を抑制する。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、前記対
向電極は積層絶縁膜を介して画素電極の上層に形成さ
れ、前記積層絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート
絶縁膜を一部とする絶縁膜、無機材料層と有機材料層の
順次積層体からなる保護膜からなり、前記対向電極は一
方向に延在し該一方向に交差する方向に並設される複数
の帯状電極からなるとともに、前記画素電極は画素領域
の大部分の領域に形成される透光性の平面状電極からな
る。
一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、前記対
向電極は積層絶縁膜を介して画素電極の上層に形成さ
れ、前記積層絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート
絶縁膜を一部とする絶縁膜、無機材料層と有機材料層の
順次積層体からなる保護膜からなり、前記対向電極は一
方向に延在し該一方向に交差する方向に並設される複数
の帯状電極からなるとともに、前記画素電極は画素領域
の大部分の領域に形成される透光性の平面状電極からな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
り、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液
晶側の各画素領域に画素電極と対向電極とが形成され、
これら各電極の間に発生する電界のうち基板にほぼ平行
な方向の成分によって、液晶の光透過率を制御するよう
になっている。そして、このような液晶表示装置のう
ち、画素電極と対向電極とを絶縁膜を介して異なる層に
形成し、一方の電極を画素領域のほぼ全域に形成された
透明電極として形成するとともに、他方の電極を該画素
領域のほぼ全域にわたって一方向に延在し該方向に並設
する方向に並設された複数のストライブ状の透明電極と
して形成したものが知られるに到っている。このような
技術としては、たとえば、K.Tarumi, M.Bremer, and B.
Schuler, IEICE TRANS.ELECTRON., VOL. E79-C NO.8, p
p. 1035-1039, AUGUST 1996 に詳述されている。なお、
このような液晶表示装置にはいわゆるアクティブ・マト
リクス方式が適用され、たとえばｘ方向に延在されｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在されｘ方向
に並設されるゲート信号線とで囲まれる各画素領域に、
一方のゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動
されるスイッチング素子が備えられ、このスイッチング
素子を介して一方のドレイン信号線からの映像信号が前
記画素電極に供給されるようになっている。
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液
晶側の各画素領域に画素電極と対向電極とが形成され、
これら各電極の間に発生する電界のうち基板にほぼ平行
な方向の成分によって、液晶の光透過率を制御するよう
になっている。そして、このような液晶表示装置のう
ち、画素電極と対向電極とを絶縁膜を介して異なる層に
形成し、一方の電極を画素領域のほぼ全域に形成された
透明電極として形成するとともに、他方の電極を該画素
領域のほぼ全域にわたって一方向に延在し該方向に並設
する方向に並設された複数のストライブ状の透明電極と
して形成したものが知られるに到っている。このような
技術としては、たとえば、K.Tarumi, M.Bremer, and B.
Schuler, IEICE TRANS.ELECTRON., VOL. E79-C NO.8, p
p. 1035-1039, AUGUST 1996 に詳述されている。なお、
このような液晶表示装置にはいわゆるアクティブ・マト
リクス方式が適用され、たとえばｘ方向に延在されｙ方
向に並設されるゲート信号線とｙ方向に延在されｘ方向
に並設されるゲート信号線とで囲まれる各画素領域に、
一方のゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動
されるスイッチング素子が備えられ、このスイッチング
素子を介して一方のドレイン信号線からの映像信号が前
記画素電極に供給されるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、画素電極と対向電極と
の間に生じる電界のうち、基板にほぼ垂直方向に生じる
電界による残像が生じ易いことが指摘されているととも
に、さらなる開口率の向上も要望されていた。本発明
は、このような事情に基づくもので、その目的は、残像
の生じ難い液晶表示装置を提供することにある。また、
他の目的は開口率を向上させた液晶表示装置を提供する
ことにある。
うに構成された液晶表示装置は、画素電極と対向電極と
の間に生じる電界のうち、基板にほぼ垂直方向に生じる
電界による残像が生じ易いことが指摘されているととも
に、さらなる開口率の向上も要望されていた。本発明
は、このような事情に基づくもので、その目的は、残像
の生じ難い液晶表示装置を提供することにある。また、
他の目的は開口率を向上させた液晶表示装置を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。
【０００５】すなわち、本発明による液晶表示装置は、
たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方
の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走
査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタと、こ
の薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電
界を生じせしめる対向電極とが備えられ、前記対向電極
は積層絶縁膜を介して画素電極の上層に形成され、前記
積層絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を
一部とする絶縁膜、無機材料層と有機材料層の順次積層
体からなる保護膜からなり、前記対向電極は一方向に延
在し該一方向に交差する方向に並設される複数の帯状電
極からなるとともに、前記画素電極は画素領域の大部分
の領域に形成される透光性の平面状電極からなることを
特徴とするものである。
たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方
の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走
査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタと、こ
の薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電
界を生じせしめる対向電極とが備えられ、前記対向電極
は積層絶縁膜を介して画素電極の上層に形成され、前記
積層絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を
一部とする絶縁膜、無機材料層と有機材料層の順次積層
体からなる保護膜からなり、前記対向電極は一方向に延
在し該一方向に交差する方向に並設される複数の帯状電
極からなるとともに、前記画素電極は画素領域の大部分
の領域に形成される透光性の平面状電極からなることを
特徴とするものである。
【０００６】このように構成した液晶表示装置は、画素
電極と対向電極との間に介在される絶縁膜は無機材料層
と有機材料層の順次積層体から構成され、その誘電率を
小さくすることができ、また厚膜化が容易であることか
ら、基板にほぼ垂直方向に生じる電界による残像が生じ
難なる。
電極と対向電極との間に介在される絶縁膜は無機材料層
と有機材料層の順次積層体から構成され、その誘電率を
小さくすることができ、また厚膜化が容易であることか
ら、基板にほぼ垂直方向に生じる電界による残像が生じ
難なる。
【０００７】また、本発明による液晶表示装置は、上記
の構成において、複数の各対向電極はドイレン信号線と
ほぼ平行に形成されているとともに、該ドレイン信号線
に重畳され、かつ該ドレイン信号線と中心軸がほぼ一致
づけられて該ドレイン信号線よりも幅広の対向電極を備
えることを特徴とするものである。
の構成において、複数の各対向電極はドイレン信号線と
ほぼ平行に形成されているとともに、該ドレイン信号線
に重畳され、かつ該ドレイン信号線と中心軸がほぼ一致
づけられて該ドレイン信号線よりも幅広の対向電極を備
えることを特徴とするものである。
【０００８】このように構成した液晶表示装置は、ドレ
ンイ信号線の形成領域においてもそれに重畳させて対向
電極が形成されていることから、開口率を向上させるこ
とができるようになる。
ンイ信号線の形成領域においてもそれに重畳させて対向
電極が形成されていることから、開口率を向上させるこ
とができるようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１０】実施例１． 《等価回路》図２は本発明による液晶表示装置の等価回
路を示す図である。同図は等価回路であるが、実際の幾
何学配置に対応した図となっている。同図において、透
明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は液晶を
介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置されてい
る。
路を示す図である。同図は等価回路であるが、実際の幾
何学配置に対応した図となっている。同図において、透
明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は液晶を
介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置されてい
る。
【００１１】前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、
図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線Ｇ
Ｌと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在
しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成さ
れ、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域
となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを
構成するようになっている。
図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線Ｇ
Ｌと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在
しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成さ
れ、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域
となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを
構成するようになっている。
【００１２】また、各ゲート信号線ＧＬの間には該ゲー
ト信号線ＧＬと平行に配置された対向電圧信号線ＣＬが
形成されている。これら各対向電圧信号線ＣＬは後述す
る映像信号に対して基準となる信号（電圧）が供給され
るようになっており、各画素領域において後述する対向
電極ＣＴと接続されるようになっている。
ト信号線ＧＬと平行に配置された対向電圧信号線ＣＬが
形成されている。これら各対向電圧信号線ＣＬは後述す
る映像信号に対して基準となる信号（電圧）が供給され
るようになっており、各画素領域において後述する対向
電極ＣＴと接続されるようになっている。
【００１３】各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬ
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
【００１４】また、画素電極ＰＩＸと対向電圧信号線Ｃ
Ｌとの間には容量素子Ｃｓｔｇが形成され、この容量素
子Ｃｓｔｇによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオ
フした際に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長
く蓄積させるようになっている。
Ｌとの間には容量素子Ｃｓｔｇが形成され、この容量素
子Ｃｓｔｇによって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオ
フした際に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長
く蓄積させるようになっている。
【００１５】各画素領域における画素電極ＰＩＸは、こ
の画素電極ＰＸと隣接する対向電極ＣＴとの間に透明基
板ＳＵＢ１に対してほぼ平行な成分を有する電界を発生
せしめるようになっており、これにより対応する画素領
域の液晶の光透過率を制御するようになっている。
の画素電極ＰＸと隣接する対向電極ＣＴとの間に透明基
板ＳＵＢ１に対してほぼ平行な成分を有する電界を発生
せしめるようになっており、これにより対応する画素領
域の液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００１６】各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一
辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板
ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積
回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成
され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板Ｓ
ＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は
該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路から
なる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子
部ＤＴＭが形成されている。
辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板
ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積
回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成
され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板Ｓ
ＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は
該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路から
なる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子
部ＤＴＭが形成されている。
【００１７】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれ
ぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載され
たもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と
称されている。
ぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載され
たもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と
称されている。
【００１８】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力
側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部Ｇ
ＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになってお
り、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介
して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分
にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続
されるようになっている。また、各対向電圧信号線ＣＬ
の一端（右端）は、それぞれ共通に接続されて透明基板
ＳＵＢ１の端辺にまで延在されて端子部ＣＴＭに接続さ
れている。
側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部Ｇ
ＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになってお
り、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介
して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分
にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続
されるようになっている。また、各対向電圧信号線ＣＬ
の一端（右端）は、それぞれ共通に接続されて透明基板
ＳＵＢ１の端辺にまで延在されて端子部ＣＴＭに接続さ
れている。
【００１９】前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積
回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板Ｓ
ＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さ
な面積となっている。
回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板Ｓ
ＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さ
な面積となっている。
【００２０】そして、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基
板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成
されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬ
は透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機
能も兼ねている。
板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成
されたシール材ＳＬによってなされ、このシール材ＳＬ
は透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封止する機
能も兼ねている。
【００２１】なお、上述した説明では、ＣＯＧ方式を用
いた液晶表示装置について説明したものであるが、本発
明はＴＣＰ方式のものであっても適用できる。ここで、
ＴＣＰ方式とは、半導体集積回路がテープキャリア方式
によって形成されたもので、その出力端子が透明基板Ｓ
ＵＢ１に形成された端子部に接続され、入力端子が該透
明基板ＳＵＢ１に近接して配置されるプリント基板上の
端子部に接続されるようになっている。
いた液晶表示装置について説明したものであるが、本発
明はＴＣＰ方式のものであっても適用できる。ここで、
ＴＣＰ方式とは、半導体集積回路がテープキャリア方式
によって形成されたもので、その出力端子が透明基板Ｓ
ＵＢ１に形成された端子部に接続され、入力端子が該透
明基板ＳＵＢ１に近接して配置されるプリント基板上の
端子部に接続されるようになっている。
【００２２】《画素の構成》図１は上述した液晶表示装
置の画素の一実施例を示す平面図である。また、同図の
III−III線における断面図を図３に、IV−IV線における
断面図を図４に、V−V線における断面図を図５に示して
いる。
置の画素の一実施例を示す平面図である。また、同図の
III−III線における断面図を図３に、IV−IV線における
断面図を図４に、V−V線における断面図を図５に示して
いる。
【００２３】なお、この実施例の液晶表示装置は、その
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１
とほぼ平行な成分をもつ電界が発生していない場合には
黒表示がなされるノーマリブラックモードの構成となっ
ており、このノーマリブラックモードは液晶の特性（こ
の実施例ではたとえばｐ型）、画素電極ＰＸと対向電極
ＣＴとの間の電界の方向、配向膜ＯＲＩのラビング方
向、偏光板ＰＯＬの偏光透過軸方向によって設定できる
ようになっている。
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１
とほぼ平行な成分をもつ電界が発生していない場合には
黒表示がなされるノーマリブラックモードの構成となっ
ており、このノーマリブラックモードは液晶の特性（こ
の実施例ではたとえばｐ型）、画素電極ＰＸと対向電極
ＣＴとの間の電界の方向、配向膜ＯＲＩのラビング方
向、偏光板ＰＯＬの偏光透過軸方向によって設定できる
ようになっている。
【００２４】まず、透明基板ＳＵＢ１の表面であって画
素領域の下側には図中ｘ方向に延在するゲート信号線Ｇ
Ｌが形成されている。このゲート信号線ＧＬはたとえば
Ｃｒあるいはその合金からなっている。
素領域の下側には図中ｘ方向に延在するゲート信号線Ｇ
Ｌが形成されている。このゲート信号線ＧＬはたとえば
Ｃｒあるいはその合金からなっている。
【００２５】このゲート信号線ＧＬは、該画素領域の上
側に位置づけられる画素領域の対応するゲート信号線
（図示せず）、後述するドレイン信号線ＤＬ、該画素領
域の右側に位置づけられる画素領域の対応するドレイン
信号線（図示せず）とともに、該画素領域を囲むように
して形成されている。
側に位置づけられる画素領域の対応するゲート信号線
（図示せず）、後述するドレイン信号線ＤＬ、該画素領
域の右側に位置づけられる画素領域の対応するドレイン
信号線（図示せず）とともに、該画素領域を囲むように
して形成されている。
【００２６】また、前記ゲート信号線ＧＬに隣接して該
ゲート信号線ＧＬと平行に走行する対向電圧信号線ＣＬ
が形成されている。この対向電圧信号線ＣＬはたとえば
ゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成され、たとえ
ばＣｒあるいはその合金からなっている。
ゲート信号線ＧＬと平行に走行する対向電圧信号線ＣＬ
が形成されている。この対向電圧信号線ＣＬはたとえば
ゲート信号線ＧＬの形成の際に同時に形成され、たとえ
ばＣｒあるいはその合金からなっている。
【００２７】また、透明基板ＳＵＢ１の上面には、前記
ゲート信号線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬとの形成領域を
回避してたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜あるい
はＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）膜等からなる透光性の
画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは画
素領域の大部分に形成された平面状の電極として形成さ
れている。
ゲート信号線ＧＬと対向電圧信号線ＣＬとの形成領域を
回避してたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜あるい
はＩＺＯ（Indium-Zinc-Oxide）膜等からなる透光性の
画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは画
素領域の大部分に形成された平面状の電極として形成さ
れている。
【００２８】このようにゲート信号線ＧＬ、対向電圧信
号線ＣＬ、画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面にはこれらゲート信号線ＧＬ等をも被ってたとえ
ばＳｉＮ等からなる絶縁膜ＧＩが形成されている（図
３、図４、図５参照）。
号線ＣＬ、画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面にはこれらゲート信号線ＧＬ等をも被ってたとえ
ばＳｉＮ等からなる絶縁膜ＧＩが形成されている（図
３、図４、図５参照）。
【００２９】この絶縁膜ＧＩは、前記ゲート信号線Ｇ
Ｌ、対向電圧信号線ＣＬに対しては後述のドレイン信号
線ＤＬとの層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴに対してはそのゲート絶縁膜としての機
能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇに対してはその誘電体膜
としての機能を有するようになっている。
Ｌ、対向電圧信号線ＣＬに対しては後述のドレイン信号
線ＤＬとの層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴに対してはそのゲート絶縁膜としての機
能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇに対してはその誘電体膜
としての機能を有するようになっている。
【００３０】そして、前記絶縁膜ＧＩの上面であってゲ
ート信号線ＧＬと重畳する部分にたとえばアモルファス
Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層ＡＳが形成されてい
る。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層となり、この上面にドレイン電極ＳＤ１およびソー
ス電極ＳＤ２を形成することによって、ゲート信号線Ｇ
Ｌの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型ト
ランジスタが形成されるようになっている。
ート信号線ＧＬと重畳する部分にたとえばアモルファス
Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層ＡＳが形成されてい
る。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層となり、この上面にドレイン電極ＳＤ１およびソー
ス電極ＳＤ２を形成することによって、ゲート信号線Ｇ
Ｌの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩＳ型ト
ランジスタが形成されるようになっている。
【００３１】なお、この半導体層ＡＳは薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域ばかりでなく、後述のドレイン信号
線ＤＬの形成領域にも形成されている。該ドレイン信号
線ＤＬのゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬに
対する層間絶縁膜としての機能を前記絶縁膜ＧＩととも
にもたせるためである。
タＴＦＴの形成領域ばかりでなく、後述のドレイン信号
線ＤＬの形成領域にも形成されている。該ドレイン信号
線ＤＬのゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬに
対する層間絶縁膜としての機能を前記絶縁膜ＧＩととも
にもたせるためである。
【００３２】薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極Ｓ
Ｄ１はドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるようにな
っており、この際に、該ドレイン電極ＳＤ１と薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのチャネル長に相当する分だけの間隔を
有してソース電極ＳＤ２が形成されるようになってい
る。
Ｄ１はドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるようにな
っており、この際に、該ドレイン電極ＳＤ１と薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのチャネル長に相当する分だけの間隔を
有してソース電極ＳＤ２が形成されるようになってい
る。
【００３３】すなわち、前記絶縁膜ＧＩ上にて図中ｙ方
向に延在するドレイン信号線ＤＬが形成され、この際
に、その一部が前記半導体層ＡＳの上面まで延在させる
ことによってドイレン電極ＳＤ１が形成されている。こ
れらドレイン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１はた
とえばＣｒあるいはその合金によって形成されている。
向に延在するドレイン信号線ＤＬが形成され、この際
に、その一部が前記半導体層ＡＳの上面まで延在させる
ことによってドイレン電極ＳＤ１が形成されている。こ
れらドレイン信号線ＤＬおよびドレイン電極ＳＤ１はた
とえばＣｒあるいはその合金によって形成されている。
【００３４】また、この際に形成されるソース電極ＳＤ
２は半導体層ＡＳの形成領域をはみ出して延在され、こ
の延在部は前記画素電極ＰＸとの接続を図るコンタクト
部となっている。また、ソース電極ＳＤ２は対向電圧信
号線ＣＬとの間の容量素子Ｃｓｔｇとしての機能を有す
るようになっている。
２は半導体層ＡＳの形成領域をはみ出して延在され、こ
の延在部は前記画素電極ＰＸとの接続を図るコンタクト
部となっている。また、ソース電極ＳＤ２は対向電圧信
号線ＣＬとの間の容量素子Ｃｓｔｇとしての機能を有す
るようになっている。
【００３５】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレ
イン信号線ＤＬ、画素電極ＰＸが形成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面には該薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被っ
てたとえばＳｉＮ等からなる無機膜ＰＳＶ１および樹脂
膜等からなる有機膜ＰＳＶ２の順次積層体からなる保護
膜ＰＳＶが形成されている（図３、図４、図５参照）。
この保護膜ＰＳＶは主として薄膜トランジスタＴＦＴの
液晶ＬＣとの直接の接触を回避させるために形成されて
いる。
イン信号線ＤＬ、画素電極ＰＸが形成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面には該薄膜トランジスタＴＦＴ等をも被っ
てたとえばＳｉＮ等からなる無機膜ＰＳＶ１および樹脂
膜等からなる有機膜ＰＳＶ２の順次積層体からなる保護
膜ＰＳＶが形成されている（図３、図４、図５参照）。
この保護膜ＰＳＶは主として薄膜トランジスタＴＦＴの
液晶ＬＣとの直接の接触を回避させるために形成されて
いる。
【００３６】保護膜ＰＳＶの一部として樹脂膜等からな
る有機膜ＰＳＶ２を用いているのは、該有機膜ＰＳＶ２
の誘電体率が小さいことから、該保護膜ＰＳＶの下層に
位置づけられる信号線と該保護膜ＰＳＶの上層に位置づ
けられる電極との間に生じる容量を小さくさせるためで
ある。
る有機膜ＰＳＶ２を用いているのは、該有機膜ＰＳＶ２
の誘電体率が小さいことから、該保護膜ＰＳＶの下層に
位置づけられる信号線と該保護膜ＰＳＶの上層に位置づ
けられる電極との間に生じる容量を小さくさせるためで
ある。
【００３７】これにより、前記画素電極ＰＸと後述の対
向電極ＣＴとの間に発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ
１とほぼ垂直方向の電界は、誘電率の小さな前記保護膜
によって残像を発生し難くなる。
向電極ＣＴとの間に発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ
１とほぼ垂直方向の電界は、誘電率の小さな前記保護膜
によって残像を発生し難くなる。
【００３８】有機膜ＰＳＶ２は、該無機膜ＰＳＶ１と比
較して厚膜化が容易であり、無機膜ＰＳＶ１と比較して
平坦な表面を得ることが容易である。そのため、透明基
板ＳＵＢ１上の配線等の端部の段差が原因で生じる配向
膜の塗布不良や、ラビング時の陰による初期配向不良、
液晶のスイッチング異常（ドメイン）を防止する効果が
ある。
較して厚膜化が容易であり、無機膜ＰＳＶ１と比較して
平坦な表面を得ることが容易である。そのため、透明基
板ＳＵＢ１上の配線等の端部の段差が原因で生じる配向
膜の塗布不良や、ラビング時の陰による初期配向不良、
液晶のスイッチング異常（ドメイン）を防止する効果が
ある。
【００３９】そして、この保護膜ＰＳＶの上面には図中
ｙ方向に延在しｘ方向に並設される複数の帯状の対向電
極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴはたとえば
ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜あるいはＩＺＯ（Indium
-Zinc-Oxide）膜等のような透明の導電膜から形成され
ている。
ｙ方向に延在しｘ方向に並設される複数の帯状の対向電
極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴはたとえば
ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）膜あるいはＩＺＯ（Indium
-Zinc-Oxide）膜等のような透明の導電膜から形成され
ている。
【００４０】これら各対向電極ＣＴは、前記対向電圧信
号線ＣＬと重畳する領域にて互いに接続されるパターン
とすることにより電気的に接続された構成となっている
とともに、ここの部分にて前記保護膜ＰＳＶ（有機膜Ｐ
ＳＶ２、無機膜ＰＳＶ１）に形成されたコンタクトホー
ルＣＨ１を介して前記対向電圧信号線ＣＬに接続されて
いる。
号線ＣＬと重畳する領域にて互いに接続されるパターン
とすることにより電気的に接続された構成となっている
とともに、ここの部分にて前記保護膜ＰＳＶ（有機膜Ｐ
ＳＶ２、無機膜ＰＳＶ１）に形成されたコンタクトホー
ルＣＨ１を介して前記対向電圧信号線ＣＬに接続されて
いる。
【００４１】また、このコンタクトホールＣＨ１の形成
の際に、画素電極ＰＸの一部を露出させるコンタクトホ
ールＣＨ２および薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ２の延在部の一部を露出させるコンタクトホールＣ
Ｈ３も形成され、前記対向電極ＣＴを構成する材料によ
って、画素電極ＰＸと薄膜トランジスタＴＦＴのソース
電極ＳＤ２とが接続されている。
の際に、画素電極ＰＸの一部を露出させるコンタクトホ
ールＣＨ２および薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ２の延在部の一部を露出させるコンタクトホールＣ
Ｈ３も形成され、前記対向電極ＣＴを構成する材料によ
って、画素電極ＰＸと薄膜トランジスタＴＦＴのソース
電極ＳＤ２とが接続されている。
【００４２】さらに、前記ドレイン信号線ＤＬの形成領
域上において該ドレイン信号線ＤＬの中心軸をほぼ同じ
にし、かつ該ドレイン信号線ＤＬよりも幅広の対向電極
ＣＴが形成されている。換言すれば、この対向電極ＣＴ
を透明基板ＳＵＢ１を垂直方向から観た場合に前記ドレ
イン信号線ＤＬが露出することなく完全に被った状態で
形成されている。
域上において該ドレイン信号線ＤＬの中心軸をほぼ同じ
にし、かつ該ドレイン信号線ＤＬよりも幅広の対向電極
ＣＴが形成されている。換言すれば、この対向電極ＣＴ
を透明基板ＳＵＢ１を垂直方向から観た場合に前記ドレ
イン信号線ＤＬが露出することなく完全に被った状態で
形成されている。
【００４３】この対向電極ＣＴは、たとえばＩＴＯ膜等
からなる透明の導電層で形成されているにも拘らず、ド
レイン信号線ＤＬの近傍において液晶を駆動させる電界
による光漏れを遮光する遮光膜として機能するようにな
っている。
からなる透明の導電層で形成されているにも拘らず、ド
レイン信号線ＤＬの近傍において液晶を駆動させる電界
による光漏れを遮光する遮光膜として機能するようにな
っている。
【００４４】すなわち、上述したように、この液晶表示
装置は画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板Ｓ
ＵＢ１とほぼ平行な成分をもつ電界が発生していない際
には黒表示がなされるノーマリブラックモードの構成と
なっている。このことは対向電極ＣＴの上方において、
透明基板ＳＵＢ１とほぼ垂直方向に電界が多く発生して
おり、該透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分をもつ電界
が発生していないことから黒表示されることになり、前
記対向電極ＣＴは遮光膜の代わりとすることができる。
装置は画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板Ｓ
ＵＢ１とほぼ平行な成分をもつ電界が発生していない際
には黒表示がなされるノーマリブラックモードの構成と
なっている。このことは対向電極ＣＴの上方において、
透明基板ＳＵＢ１とほぼ垂直方向に電界が多く発生して
おり、該透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分をもつ電界
が発生していないことから黒表示されることになり、前
記対向電極ＣＴは遮光膜の代わりとすることができる。
【００４５】また、ドレイン信号線ＤＬ上の対向電極Ｃ
Ｔは、該ドレイン信号線ＤＬから生じる電界を終端させ
ることができ、該ドレイン信号線ＤＬと隣接する画素電
極ＰＸ側に終端するのを抑制できるようになっている。
Ｔは、該ドレイン信号線ＤＬから生じる電界を終端させ
ることができ、該ドレイン信号線ＤＬと隣接する画素電
極ＰＸ側に終端するのを抑制できるようになっている。
【００４６】この場合、保護膜ＰＳＶは積層体として構
成し、その上層に誘電率の低い樹脂層からなる保護膜Ｐ
ＳＶ２を用いていることもドレイン信号線ＤＬからの電
界を容易に該対向電極ＣＴ側に終端させやすくしてい
る。
成し、その上層に誘電率の低い樹脂層からなる保護膜Ｐ
ＳＶ２を用いていることもドレイン信号線ＤＬからの電
界を容易に該対向電極ＣＴ側に終端させやすくしてい
る。
【００４７】このことは、画素電極ＰＸは薄膜トランジ
スタＴＦＴを介した映像信号に基づく電界のみを対向電
極ＣＴとの間に発生せしめることができ、ドレイン信号
線ＤＬからのノイズとなる電界が侵入しないことから表
示の不良を回避できる構成となっている。
スタＴＦＴを介した映像信号に基づく電界のみを対向電
極ＣＴとの間に発生せしめることができ、ドレイン信号
線ＤＬからのノイズとなる電界が侵入しないことから表
示の不良を回避できる構成となっている。
【００４８】さらに、対向電極ＣＴはドレイン信号線Ｄ
Ｌの形成領域にまで及んで形成された構成となっている
ため、たとえば設定された本数の対向電極ＣＴの離間距
離が大きくなり、これにより開口率の向上が図れるよう
になる。
Ｌの形成領域にまで及んで形成された構成となっている
ため、たとえば設定された本数の対向電極ＣＴの離間距
離が大きくなり、これにより開口率の向上が図れるよう
になる。
【００４９】このように対向電極ＣＴが形成された透明
基板ＳＵＢ１の表面には該対向電極ＣＴをも被って配向
膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液
晶ＬＣと直接に接触して該液晶ＬＣの分子の初期配向方
向を規制する膜で、この実施例では、そのラビング方向
は図中ｙ方向に対して＋θ方向あるいは−θ方向となっ
ている。ここで、前記θは０°より大きく４５°より小
さく、望ましくは５°から３０°の範囲に設定されてい
る。
基板ＳＵＢ１の表面には該対向電極ＣＴをも被って配向
膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液
晶ＬＣと直接に接触して該液晶ＬＣの分子の初期配向方
向を規制する膜で、この実施例では、そのラビング方向
は図中ｙ方向に対して＋θ方向あるいは−θ方向となっ
ている。ここで、前記θは０°より大きく４５°より小
さく、望ましくは５°から３０°の範囲に設定されてい
る。
【００５０】なお、透明基板ＳＵＢ１の液晶側と反対側
の面には偏光板ＰＯＬ１が形成され、その偏光軸方向は
前記配向膜ＯＲＩ１のラビング方向と同一あるいはそれ
と直交する方向となっている。
の面には偏光板ＰＯＬ１が形成され、その偏光軸方向は
前記配向膜ＯＲＩ１のラビング方向と同一あるいはそれ
と直交する方向となっている。
【００５１】また、このように構成された透明基板ＳＵ
Ｂ１と液晶ＬＣを介して対向配置される透明基板ＳＵＢ
２の液晶側の面には、各画素領域を画するようにしてブ
ラックマトリクスＢＭが形成されている。このブラック
マトリクスＢＭは表示のコントラストを向上させるた
め、そして、薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の照射
を回避するために形成されている。
Ｂ１と液晶ＬＣを介して対向配置される透明基板ＳＵＢ
２の液晶側の面には、各画素領域を画するようにしてブ
ラックマトリクスＢＭが形成されている。このブラック
マトリクスＢＭは表示のコントラストを向上させるた
め、そして、薄膜トランジスタＴＦＴへの外来光の照射
を回避するために形成されている。
【００５２】このようにブラックマトリクスＢＭが形成
された透明基板ＳＵＢ２の表面には、ｙ方向に並設され
る各画素領域に共通な色のカラーフィルタＦＩＬが形成
され、ｘ方向にたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の順に配置されている。
された透明基板ＳＵＢ２の表面には、ｙ方向に並設され
る各画素領域に共通な色のカラーフィルタＦＩＬが形成
され、ｘ方向にたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）
の順に配置されている。
【００５３】そして、これらブラックマトリクスＢＭお
よびカラーフィルタＦＩＬをも被ってたとえば樹脂膜か
らなる平坦化膜ＯＣが形成され、この平坦化膜ＯＣの表
面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ２のラビング方向は透明基板ＳＵＢ１側の配向膜の
それと同じになっている。
よびカラーフィルタＦＩＬをも被ってたとえば樹脂膜か
らなる平坦化膜ＯＣが形成され、この平坦化膜ＯＣの表
面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ２のラビング方向は透明基板ＳＵＢ１側の配向膜の
それと同じになっている。
【００５４】なお、透明基板ＳＵＢ１の液晶側と反対側
の面には偏光板ＰＯＬ２が形成され、その偏光軸方向は
前記透明基板ＳＵＢ１側に形成した偏光板ＰＯＬ１の偏
光軸方向と直交する方向となっている。
の面には偏光板ＰＯＬ２が形成され、その偏光軸方向は
前記透明基板ＳＵＢ１側に形成した偏光板ＰＯＬ１の偏
光軸方向と直交する方向となっている。
【００５５】本実施例に示した有機膜ＰＳＶ２の他の機
能として、保護膜自体の信頼性を向上する効果もある。
従来の無機膜ＰＳＶ１単体で保護膜を構成した場合、配
線端部のカバレジ不良によって生じた微細な欠陥から、
配線材料の一部が液晶内部に流出し、液晶の電気−光学
特性に影響を与える場合があった。良好なカバレジが得
られ、厚膜が得られる有機膜ＰＳＶ２を導入することで
上記の不良を防止できる。
能として、保護膜自体の信頼性を向上する効果もある。
従来の無機膜ＰＳＶ１単体で保護膜を構成した場合、配
線端部のカバレジ不良によって生じた微細な欠陥から、
配線材料の一部が液晶内部に流出し、液晶の電気−光学
特性に影響を与える場合があった。良好なカバレジが得
られ、厚膜が得られる有機膜ＰＳＶ２を導入することで
上記の不良を防止できる。
【００５６】上述した実施例では、ノーマリブラックモ
ードの構成の液晶表示装置について説明したものであ
る。しかし、ノーマリホワイトモードの構成についても
適用できることはいうまでもない。
ードの構成の液晶表示装置について説明したものであ
る。しかし、ノーマリホワイトモードの構成についても
適用できることはいうまでもない。
【００５７】実施例２．図６は本発明による液晶表示装
置の画素構成の他の実施例を示す平面図であり、図１に
対応した図面となっている。また、同図のVII−VII線に
おける断面図を図７に、VIII−VIII線における断面図を
図８に示している。実施例１の場合と異なる構成は、画
素電極ＰＸは絶縁膜ＧＩの上層に、また保護膜ＰＳＶの
下層に形成されていることにある。このため、この画素
電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２
と同層に形成され、これらの接続にあってコンタクトホ
ールを必要としなくなる。すなわち、該ソース電極ＳＤ
２の延在部を設け、この延在部に画素電極ＰＸが重ねら
れるようにして形成することにより、それらの接続がな
される。保護膜ＰＳＶは、実施例１と同様に、無機材料
層からなる保護膜ＰＳＶ１および有機材料層からなる保
護膜ＰＳＶ２の順次積層体から構成されているため、そ
の誘電率を小さくでき、信号線と該保護膜ＰＳＶ上に形
成される対向電極ＣＴとの容量結合を小さくすることが
できる。
置の画素構成の他の実施例を示す平面図であり、図１に
対応した図面となっている。また、同図のVII−VII線に
おける断面図を図７に、VIII−VIII線における断面図を
図８に示している。実施例１の場合と異なる構成は、画
素電極ＰＸは絶縁膜ＧＩの上層に、また保護膜ＰＳＶの
下層に形成されていることにある。このため、この画素
電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２
と同層に形成され、これらの接続にあってコンタクトホ
ールを必要としなくなる。すなわち、該ソース電極ＳＤ
２の延在部を設け、この延在部に画素電極ＰＸが重ねら
れるようにして形成することにより、それらの接続がな
される。保護膜ＰＳＶは、実施例１と同様に、無機材料
層からなる保護膜ＰＳＶ１および有機材料層からなる保
護膜ＰＳＶ２の順次積層体から構成されているため、そ
の誘電率を小さくでき、信号線と該保護膜ＰＳＶ上に形
成される対向電極ＣＴとの容量結合を小さくすることが
できる。
【００５８】実施例３．図９は本発明による液晶表示装
置の画素構成の他の実施例を示す平面図であり、図６に
対応した図面となっている。また、同図のX−X線におけ
る断面図を図１０に、XI−XI線における断面図を図１１
に示している。実施例１、２の場合と異なる構成は、画
素電極ＰＸは無機材料層からなる保護膜ＰＳＶ１の上
層、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２の下層に形成さ
れていることにある。該画素電極ＰＸは、無機材料層か
らなる保護膜ＰＳＶ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴ
のソース電極ＳＤ２と異なる層に形成されることから、
該保護膜ＰＳＶ１に形成されたコンタクトホールＣＨ４
を介して該ソース電極ＳＤ２とが接続されるようになっ
ている。これにより、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの
間には、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２のみが介在
される構成となる。また、この保護膜ＰＳＶ２は有機材
料を塗布することによって形成できることから、その膜
厚を容易に大きくでき、たとえば無機材料層の層厚より
も大きく構成することにより、信号線と対向電極ＣＴの
容量結合を極力小さくすることができるようになる。
置の画素構成の他の実施例を示す平面図であり、図６に
対応した図面となっている。また、同図のX−X線におけ
る断面図を図１０に、XI−XI線における断面図を図１１
に示している。実施例１、２の場合と異なる構成は、画
素電極ＰＸは無機材料層からなる保護膜ＰＳＶ１の上
層、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２の下層に形成さ
れていることにある。該画素電極ＰＸは、無機材料層か
らなる保護膜ＰＳＶ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴ
のソース電極ＳＤ２と異なる層に形成されることから、
該保護膜ＰＳＶ１に形成されたコンタクトホールＣＨ４
を介して該ソース電極ＳＤ２とが接続されるようになっ
ている。これにより、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの
間には、有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２のみが介在
される構成となる。また、この保護膜ＰＳＶ２は有機材
料を塗布することによって形成できることから、その膜
厚を容易に大きくでき、たとえば無機材料層の層厚より
も大きく構成することにより、信号線と対向電極ＣＴの
容量結合を極力小さくすることができるようになる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したことから、本発明による液
晶表示装置によれば、残像の発生を抑止することができ
る。また、開口率の向上を図ることができる。
晶表示装置によれば、残像の発生を抑止することができ
る。また、開口率の向上を図ることができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素構成の一実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
価回路図である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】図１のV−V線における断面図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素構成の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII線における断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII線における断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素構成の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図１０】図９のX−X線における断面図である。
【図１１】図９のXI−XI線における断面図である。
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、
ＣＬ…対向電圧信号線、ＧＩ…絶縁膜、ＡＳ…半導体
層、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…ソース電極、ＴＦ
Ｔ…薄膜トランジスタ、ＰＳＶ１…無機材料層からなる
保護膜、ＰＳＶ２…有機材料層からなる保護膜、ＣＴ…
対向電極。
ＣＬ…対向電圧信号線、ＧＩ…絶縁膜、ＡＳ…半導体
層、ＳＤ１…ドレイン電極、ＳＤ２…ソース電極、ＴＦ
Ｔ…薄膜トランジスタ、ＰＳＶ１…無機材料層からなる
保護膜、ＰＳＶ２…有機材料層からなる保護膜、ＣＴ…
対向電極。
フロントページの続き (72)発明者 石井 正宏 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H090 HA02 HA06 HD01 KA04 LA01 2H092 GA14 GA17 JA26 JB52 JB56 NA07 NA25
Claims (10)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記対向電極は積層絶縁膜を介して画素電極の上層に形
成され、 前記積層絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁
膜を一部とする絶縁膜、無機材料層と有機材料層の順次
積層体からなる保護膜からなり、 前記対向電極は一方向に延在し該一方向に交差する方向
に並設される複数の帯状電極からなるとともに、前記画
素電極は画素領域の大部分の領域に形成される透光性の
平面状電極からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 画素電極と層を同じにして対向電圧信号
線が形成され、この対向電圧信号線は前記積層絶縁膜に
形成されたスルホールを通して対向電極に接続されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 画素電極はこの上層に形成される積層絶
縁膜に形成されたスルホールと薄膜トランジスタのソー
ス電極の上層に形成される保護膜に形成されたスルホー
ルとを通して該ソース電極に接続されていることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 複数の各対向電極はドイレン信号線とほ
ぼ平行に形成されているとともに、該ドレイン信号線に
重畳され、かつ該ドレイン信号線と中心軸がほぼ一致づ
けられて該ドレイン信号線よりも幅広の対向電極を備え
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との
間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記対向電極は保護膜を介して画素電極の上層に形成さ
れ、 前記保護膜は、無機材料層と有機材料層の順次積層体か
らなり、 前記対向電極は一方向に延在し該一方向に交差する方向
に並設される複数の帯状電極からなるとともに、前記画
素電極は画素領域の大部分の領域に形成される透光性の
平面状電極からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 画素電極は薄膜トランジスタのゲート絶
縁膜を一部とする絶縁膜上に形成されているとともに、
この絶縁膜の下層に対向電圧信号線が形成され、この対
向電圧信号線は前記保護膜および絶縁膜を貫通するスル
ホールを通して対向電極に接続されていることを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 複数の各対向電極はドイレン信号線とほ
ぼ平行に形成されているとともに、該ドレイン信号線に
重畳され、かつ該ドレイン信号線と中心軸がほぼ一致づ
けられて該ドレイン信号線よりも幅広の対向電極を備え
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 液晶を介して対向配置される基板のうち
一方の基板の該液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号の供給により駆動される薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号線が供給される画素電極と、この画素電極と
の間に電界を生じせしめる対向電極とが備えられ、 前記画素電極は、前記薄膜トランジスタを被って形成さ
れる無機材料層からなる第１保護膜上に画素領域の大部
分に及んで平面状に形成されているとともに、該第１保
護膜に形成されたコンタクトホールを通して該薄膜トラ
ンジスタのソース電極に接続された透光性の導電材から
なり、 前記対向電極は、前記第１保護膜上に前記画素電極をも
被って形成された有機材料層からなる第２の保護膜上に
形成されているとともに、一方向に延在され該方向に交
差する方向に並設された複数の電極群とからなることを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項９】 対向電極は、透光性の導電材からなるこ
とを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 ドレイン信号線とその中心線をほぼ同
じにして重畳して配置される対向電極が存在し、その対
向電極の幅は該ドレイン信号線の幅よりも大きく形成さ
れていることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装
置。
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