JP2008039812A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素電極8と信号配線6の間の層間絶縁膜7に対して凹部10を形成し、この凹部10に層間絶縁膜7よりも比誘電率の小さな物質、例えば、配向膜11を充填する。これによって、画素電極8と信号配線6間の容量を低減して、画素電極8と信号配線6のクロストークを低減する。
【選択図】図2
Description
(2)前記比誘電率の小さな物質は前記配向膜であることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(3)前記配向膜はインクジェット法で形成されていることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(4)前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(5)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚よりも小さく、かつ10nmよりも大きいことを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(6)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚と前記信号配線の膜厚の差よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(7)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記配向膜の膜厚よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする(1)に記載の液晶表示装置。
(9)前記比誘電率の小さな物質は前記配向膜であることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(10)前記配向膜はインクジェット法で形成されていることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(11)前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(12)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚よりも小さく、かつ10nmよりも大きいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(13)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚と前記信号配線の膜厚の差よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(14)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記配向膜の膜厚よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする(8)に記載の液晶表示装置。
(16)前記比誘電率の小さな物質は前記配向膜であることを特徴とする(15)に記載の液晶表示装置。
(17)前記配向膜はインクジェット法で形成されていることを特徴とする(15)に記載の液晶表示装置。
(18)前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする(15)に記載の液晶表示装置。
(19)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚と前記信号配線の膜厚の差よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする(15)に記載の液晶表示装置。
(20)前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記配向膜の膜厚よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする(15)に記載の液晶表示装置。
Claims (20)
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上にはコモン電極が形成され、前記コモン電極上には第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には信号配線が形成され、前記信号配線上には第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上には画素電極が形成され、前記画素電極の上には前記液晶と接する配向膜が形成されており、
前記第2の絶縁膜には、前記画素電極と前記信号配線との間に凹部が形成され、前記凹部には前記第2の絶縁膜よりも比誘電率の小さな物質が充填されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記比誘電率の小さな物質は前記配向膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜はインクジェット法で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚よりも小さく、かつ10nmよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚と前記信号配線の膜厚の差よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記配向膜の膜厚よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上には透明導電膜からなるコモン電極が形成され、前記コモン電極上には第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には信号配線が形成され、前記信号配線上には第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上には複数のスリットを有する透明導電膜からなる画素電極が形成され、前記画素電極の上には前記液晶と接する配向膜が形成され、前記画素電極と前記コモン電極との電位差によって前記液晶が駆動され、
前記第2の絶縁膜には、前記画素電極と前記信号配線との間に凹部が形成され、前記凹部には前記第2の絶縁膜よりも比誘電率の小さな物質が充填されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記比誘電率の小さな物質は前記配向膜であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜はインクジェット法で形成されていることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚よりも小さく、かつ10nmよりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚と前記信号配線の膜厚の差よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記配向膜の膜厚よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 第1の基板と第2の基板の間に液晶が挟持され、前記液晶に電界を作用させることによって画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1の基板上にはコモン電極が形成され、前記コモン電極上には第1の絶縁膜が形成され、前記第1の絶縁膜上には信号配線が形成され、前記信号配線上には第2の絶縁膜が形成され、前記第2の絶縁膜上には画素電極が形成され、前記画素電極の上には前記液晶と接する配向膜が形成されており、前記画素電極と前記コモン電極との電位差によって前記液晶が駆動され、
前記第2の絶縁膜には、前記画素電極と前記信号配線との間に凹部が形成され、前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部には前記画素電極の一部が形成されており、前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部には、前記第2の絶縁膜よりも比誘電率の小さな物質が充填されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記比誘電率の小さな物質は前記配向膜であることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記配向膜はインクジェット法で形成されていることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜はSiN膜であることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記第2の絶縁膜の膜厚と前記信号配線の膜厚の差よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜に形成された前記凹部の深さは前記配向膜の膜厚よりも小さく、かつ20nmよりも大きいことを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
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