JP2003161936A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射強度およびコントラストの良好な液晶表
示装置を得る。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の
上方に形成される反射膜からなる画素電極が、他方の基
板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層上に形成され
る対向電極が形成され、前記第１の下地層の表面は画素
領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部が形成されて
いるとともに、前記第２の下地層の表面は画素領域の周
辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成されている。
示装置を得る。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の
上方に形成される反射膜からなる画素電極が、他方の基
板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層上に形成され
る対向電極が形成され、前記第１の下地層の表面は画素
領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部が形成されて
いるとともに、前記第２の下地層の表面は画素領域の周
辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえば反射型あるいは部分透過型と称される液晶
表示装置に関する。
り、たとえば反射型あるいは部分透過型と称される液晶
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶を介して対向配置
される各基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に多数
の画素が形成されて構成されている。
される各基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に多数
の画素が形成されて構成されている。
【０００３】各画素にはその部分の液晶に独立に電界を
発生せしめる手段が設けられ、該電界によって液晶の光
透過率を制御させるようになっている。
発生せしめる手段が設けられ、該電界によって液晶の光
透過率を制御させるようになっている。
【０００４】そして、反射型と称されるものは、観察側
の基板と異なる他の基板の液晶側の面に反射膜を備え、
該観察側からの太陽等の外来光を液晶に透過させた後に
該反射膜によって反射させるようにしている。
の基板と異なる他の基板の液晶側の面に反射膜を備え、
該観察側からの太陽等の外来光を液晶に透過させた後に
該反射膜によって反射させるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このように構
成された液晶表示装置は、反射光による反射強度がいま
だ充分でないとともに、各基板に介在される液晶のギャ
ップに誤差が生じた場合に表示のコントラストが低下し
てしまうことが指摘されるに至った。
成された液晶表示装置は、反射光による反射強度がいま
だ充分でないとともに、各基板に介在される液晶のギャ
ップに誤差が生じた場合に表示のコントラストが低下し
てしまうことが指摘されるに至った。
【０００６】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は、反射強度およびコントラスト
の良好な液晶表示装置を提供することにある。
れたもので、その目的は、反射強度およびコントラスト
の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００８】手段１．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れていることを特徴とするものである。
【０００９】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れ、該凹部の表面と凸部の表面はそれらを重ねあわせた
場合にほぼ勘合するような形状となっていることを特徴
とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れ、該凹部の表面と凸部の表面はそれらを重ねあわせた
場合にほぼ勘合するような形状となっていることを特徴
とするものである。
【００１０】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れ、前記第２の下地層に形成された凸部の傾斜の角度は
５〜１５°とし、前記第１の下地層に形成された凹部の
傾斜の対応する個所の角度はそれよりも小さくなってい
ることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れ、前記第２の下地層に形成された凸部の傾斜の角度は
５〜１５°とし、前記第１の下地層に形成された凹部の
傾斜の対応する個所の角度はそれよりも小さくなってい
ることを特徴とするものである。
【００１１】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れ、前記第１の下地層に形成された凹部の傾斜の角度お
よび前記第２の下地層に形成された凸部の傾斜の角度が
いずれも１０〜１５°となっていることを特徴とするも
のである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凹部
が形成されているとともに、前記第２の下地層の表面は
画素領域の周辺を縁とする斜面が滑らかな凸部が形成さ
れ、前記第１の下地層に形成された凹部の傾斜の角度お
よび前記第２の下地層に形成された凸部の傾斜の角度が
いずれも１０〜１５°となっていることを特徴とするも
のである。
【００１２】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域にて複数の領域に分割されその分割部
を縁とする斜面が滑らかな凹部が形成されているととも
に、前記第２の下地層の表面は前記第１の下地層の分割
された領域に対応して分割されその分割部を縁とする斜
面が滑らかな凸部が形成されていることを特徴とするも
のである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層の上方
に形成される反射膜からなる画素電極を少なくとも有
し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下地層
上に形成される対向電極が形成され、前記第１の下地層
の表面は画素領域にて複数の領域に分割されその分割部
を縁とする斜面が滑らかな凹部が形成されているととも
に、前記第２の下地層の表面は前記第１の下地層の分割
された領域に対応して分割されその分割部を縁とする斜
面が滑らかな凸部が形成されていることを特徴とするも
のである。
【００１３】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面に光透過領域と光反射領域からな
る画素領域を有し、この画素領域に画素領域の周辺を縁
とする凹部が設けられているとともに前記光透過領域に
相当する部分に開口が形成された有機材料からなる第１
の層と、この第１の層の上面に形成された反射膜からな
る第１の画素電極と、前記層の開口部に形成された光透
過性の第２の電極とが形成され、他方の基板の液晶側の
画素領域に下地層上に形成される対向電極が形成され、
該下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする凸部が形成
されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面に光透過領域と光反射領域からな
る画素領域を有し、この画素領域に画素領域の周辺を縁
とする凹部が設けられているとともに前記光透過領域に
相当する部分に開口が形成された有機材料からなる第１
の層と、この第１の層の上面に形成された反射膜からな
る第１の画素電極と、前記層の開口部に形成された光透
過性の第２の電極とが形成され、他方の基板の液晶側の
画素領域に下地層上に形成される対向電極が形成され、
該下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする凸部が形成
されていることを特徴とするものである。
【００１４】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面に光透過領域と光反射領域からな
る画素領域を有し、この画素領域に画素領域の周辺を縁
とする凹部が設けられているとともに前記光透過領域に
相当する部分に開口が形成された有機材料からなる第１
の層と、この第１の層の上面に形成された反射膜からな
る第１の画素電極と、前記第１の層の開口部に形成され
た光透過性の第２の電極とが形成され、他方の基板の液
晶側の画素領域にカラーフィルタと該画素領域の周辺を
縁とする凸部が設けられた有機材料からなる第２の層
と、この第２の層の上面に形成された対向電極とが形成
され、前記カラーフィルタは前記第１の層の開口部に対
向する部分にて突起部が形成されていることを特徴とす
るものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち、一
方の基板の液晶側の面に光透過領域と光反射領域からな
る画素領域を有し、この画素領域に画素領域の周辺を縁
とする凹部が設けられているとともに前記光透過領域に
相当する部分に開口が形成された有機材料からなる第１
の層と、この第１の層の上面に形成された反射膜からな
る第１の画素電極と、前記第１の層の開口部に形成され
た光透過性の第２の電極とが形成され、他方の基板の液
晶側の画素領域にカラーフィルタと該画素領域の周辺を
縁とする凸部が設けられた有機材料からなる第２の層
と、この第２の層の上面に形成された対向電極とが形成
され、前記カラーフィルタは前記第１の層の開口部に対
向する部分にて突起部が形成されていることを特徴とす
るものである。
【００１５】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１、２、３、４、５のうちいずれかの構成
を前提として、第２の下地層はカラーフィルタであるこ
とを特徴とするものである。
とえば、手段１、２、３、４、５のうちいずれかの構成
を前提として、第２の下地層はカラーフィルタであるこ
とを特徴とするものである。
【００１６】手段９．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段６の構成を前提として、下地層はカラーフ
ィルタであることを特徴とするものである。
とえば、手段６の構成を前提として、下地層はカラーフ
ィルタであることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。
の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１８】実施例１．
《等価回路》図２は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
施例を示す等価回路図である。同図は等価回路図である
が、実際の幾何学的配置に対応させて描いている。
【００１９】同図において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
【００２０】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００２１】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。
【００２２】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。
【００２３】この画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵ
Ｂ２の液晶側の面の各画素領域に共通に形成された対向
電極ＣＴ（図示せず）との間に電界を発生させ、この電
界によって液晶の光透過率を制御させるようになってい
る。
Ｂ２の液晶側の面の各画素領域に共通に形成された対向
電極ＣＴ（図示せず）との間に電界を発生させ、この電
界によって液晶の光透過率を制御させるようになってい
る。
【００２４】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。
【００２５】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。
【００２６】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。
【００２７】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２８】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。
【００２９】また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。
【００３０】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成されるにと
もない、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンから
なる半導体素子を配線層とともに形成されたものであっ
てもよい。
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成されるにと
もない、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンから
なる半導体素子を配線層とともに形成されたものであっ
てもよい。
【００３１】《透明基板ＳＵＢ１側の画素の構成》図３
は、透明基板ＳＵＢ１側の前記各画素領域のうちの一の
画素領域の一実施例を示す平面図である。また、図１は
図３のＩ−Ｉ線における断面図を示している。
は、透明基板ＳＵＢ１側の前記各画素領域のうちの一の
画素領域の一実施例を示す平面図である。また、図１は
図３のＩ−Ｉ線における断面図を示している。
【００３２】図３において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００３３】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のド
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。
【００３４】このようにゲート信号線ＧＬが形成された
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩ（図１参照）が該ゲート信号線ＧＬをも被って
形成されている。
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩ（図１参照）が該ゲート信号線ＧＬをも被って
形成されている。
【００３５】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては
その誘電体膜としての機能を有するようになっている。
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を、後述の容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては
その誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００３６】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。
【００３７】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩ
Ｓ型トランジスタを構成することができる。
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のＭＩ
Ｓ型トランジスタを構成することができる。
【００３８】ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。
【００３９】すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。
【００４０】このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面か
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の反射膜を兼ねる画素電極ＰＸとの接続を図る
ためのコンタクト部ＣＮが形成されている。
ら画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に至るまで若干延在さ
れ、後述の反射膜を兼ねる画素電極ＰＸとの接続を図る
ためのコンタクト部ＣＮが形成されている。
【００４１】なお、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
およびソース電極ＳＤ２との界面には高濃度の不純物が
ドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層
として機能するようになっている。
【００４２】このコンタクト層は、たとえば半導体層Ａ
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
Ｓの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。
【００４３】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極
ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえ
ばＳｉＮ等の無機材料層からなる保護膜ＰＳＶ１、樹脂
等の有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２（図１参照）が
形成されている。この保護膜ＰＳＶ１、２は前記薄膜ト
ランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する層
で、該薄膜トランジスタの特性劣化を防止せんとするよ
うになっている。
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、およびソース電極
ＳＤ２が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえ
ばＳｉＮ等の無機材料層からなる保護膜ＰＳＶ１、樹脂
等の有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２（図１参照）が
形成されている。この保護膜ＰＳＶ１、２は前記薄膜ト
ランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する層
で、該薄膜トランジスタの特性劣化を防止せんとするよ
うになっている。
【００４４】ここで、前記保護膜ＰＳＶ２は、ゲート信
号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬで囲まれる画素領域の周
辺を基準面とするとその基準面を縁部とする凹部が形成
された構成となっている。
号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬで囲まれる画素領域の周
辺を基準面とするとその基準面を縁部とする凹部が形成
された構成となっている。
【００４５】この保護膜ＰＳＶ２に形成された凹部に関
しては透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成した有機材
料層ＯＬの対応する凸部とともに後に詳述する。
しては透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に形成した有機材
料層ＯＬの対応する凸部とともに後に詳述する。
【００４６】保護膜ＰＳＶ２の上面には反射膜を兼ねる
画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは光
反射効率の大きな金属、たとえばアルミニュウム（Ａ
ｌ）等から構成されている。
画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは光
反射効率の大きな金属、たとえばアルミニュウム（Ａ
ｌ）等から構成されている。
【００４７】この画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタの
形成領域を回避して画素領域の大部分を占めるようにし
て形成されている。そして、その一部が前記保護膜ＰＳ
Ｖの一部に形成されたコンタクトホールＣＨを通して薄
膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２のコンタクト
部ＣＮに電気的に接続されている。
形成領域を回避して画素領域の大部分を占めるようにし
て形成されている。そして、その一部が前記保護膜ＰＳ
Ｖの一部に形成されたコンタクトホールＣＨを通して薄
膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２のコンタクト
部ＣＮに電気的に接続されている。
【００４８】そして、このように画素電極ＰＸが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該画素電極ＰＸをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該画素電極ＰＸをも被
って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲ
Ｉ１は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成され
たラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定
づけるようになっている。
【００４９】《透明基板ＳＵＢ２側の画素の構成》図１
に示すように、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にはカラ
ーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィル
タはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のフィ
ルタからなり、ｙ方向に並設される各画素領域群にたと
えば赤色のフィルタが共通に形成され、該画素領域群に
ｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に赤（Ｒ）色、
緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、……、というよう
な配列で形成されている。
に示すように、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面にはカラ
ーフィルタＦＩＬが形成されている。このカラーフィル
タはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色のフィ
ルタからなり、ｙ方向に並設される各画素領域群にたと
えば赤色のフィルタが共通に形成され、該画素領域群に
ｘ方向に順次隣接する画素領域群に共通に赤（Ｒ）色、
緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色、赤（Ｒ）色、……、というよう
な配列で形成されている。
【００５０】カラーフィルタＦＩＬが形成された透明基
板ＳＵＢ２の表面にはこれらカラーフィルタＦＩＬをも
被って有機材料層ＯＬが形成されている。
板ＳＵＢ２の表面にはこれらカラーフィルタＦＩＬをも
被って有機材料層ＯＬが形成されている。
【００５１】この有機材料層ＯＬは、その画素領域の周
辺を基準面とするとその基準面を縁部とする凸部が形成
された構成となっている。
辺を基準面とするとその基準面を縁部とする凸部が形成
された構成となっている。
【００５２】該有機材料層ＯＬの凸部は透明基板ＳＵＢ
１側の保護膜ＰＳＶ２に形成された凹部と対応した形状
をなしており、それらを重ね合わせた場合にはほぼ勘合
しあうような関係となっている。
１側の保護膜ＰＳＶ２に形成された凹部と対応した形状
をなしており、それらを重ね合わせた場合にはほぼ勘合
しあうような関係となっている。
【００５３】この有機材料層の上面には、たとえばＩＴ
Ｏ(Indium Tin Oxide)膜からなる透光性の導電膜が形成
され、この導電膜によって各画素領域に共通の対向電極
ＣＴが形成されている。
Ｏ(Indium Tin Oxide)膜からなる透光性の導電膜が形成
され、この導電膜によって各画素領域に共通の対向電極
ＣＴが形成されている。
【００５４】この対向電極ＣＴの表面には配向膜ＯＲＩ
２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は液晶と直接に当接
する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液
晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになってい
る。
２が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は液晶と直接に当接
する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液
晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになってい
る。
【００５５】なお、透明基板ＳＵＢ２の液晶と反対側の
面には、位相差板ＰＨ、偏光板ＰＯＬが順次貼付されて
いる。
面には、位相差板ＰＨ、偏光板ＰＯＬが順次貼付されて
いる。
【００５６】上述した構成からなる透明基板ＳＵＢ１と
透明基板ＳＵＢ２との間に介在される液晶ＬＣは、各画
素領域ごとに湾曲した層を有するようになるが、それら
の層厚（液晶ギャップ）はほぼ等しいものとなってい
る。
透明基板ＳＵＢ２との間に介在される液晶ＬＣは、各画
素領域ごとに湾曲した層を有するようになるが、それら
の層厚（液晶ギャップ）はほぼ等しいものとなってい
る。
【００５７】図１では、画素領域の中央部において液晶
ギャップはｔ２となり、それより画素領域の周辺に近い
個所ではｔ１となって、ｔ２＞ｔ１となっているが、そ
れらはほぼ等しい値となっている。
ギャップはｔ２となり、それより画素領域の周辺に近い
個所ではｔ１となって、ｔ２＞ｔ１となっているが、そ
れらはほぼ等しい値となっている。
【００５８】また、図１に対応して描かれた図４に示す
ように、保護膜ＰＳＶ２に形成された凹部の斜面の角度
ｘ’、有機材料層ＯＬに形成された凸部の角度ｘを、そ
れぞれ、画素領域の周縁における角度ｘ１’、ｘ１、画
素領域の中央部に近い個所の角度ｘ２’、ｘ２、画素領
域の中央部の個所の角度ｘ３’、ｘ３とした場合、たと
えば、ｘ１’＝ｘ１＝０°、ｘ２’＝ｘ２＝１５°ｘ
３’＝ｘ３＝０°となっている。
ように、保護膜ＰＳＶ２に形成された凹部の斜面の角度
ｘ’、有機材料層ＯＬに形成された凸部の角度ｘを、そ
れぞれ、画素領域の周縁における角度ｘ１’、ｘ１、画
素領域の中央部に近い個所の角度ｘ２’、ｘ２、画素領
域の中央部の個所の角度ｘ３’、ｘ３とした場合、たと
えば、ｘ１’＝ｘ１＝０°、ｘ２’＝ｘ２＝１５°ｘ
３’＝ｘ３＝０°となっている。
【００５９】このように構成した液晶表示装置は、画素
電極ＰＸによる光反射の強度の向上、および表示のコン
トラストの向上が図れるようになる。以下、それについ
て考察する。
電極ＰＸによる光反射の強度の向上、および表示のコン
トラストの向上が図れるようになる。以下、それについ
て考察する。
【００６０】《考察》比較のため、図５は従来の液晶表
示装置の画素領域における断面図を示し、図１に対応し
た図となっている。
示装置の画素領域における断面図を示し、図１に対応し
た図となっている。
【００６１】このような液晶表示装置を、図６に示すよ
うに配置し、その観察側から光源の光を照射させ、地表
に対する法線方向に配置された受光器によって反射光を
捕らえるようにした。
うに配置し、その観察側から光源の光を照射させ、地表
に対する法線方向に配置された受光器によって反射光を
捕らえるようにした。
【００６２】この場合、前記液晶表示装置の地表に対す
る傾き角度をθｓ、前記法線方向に対して光源からの光
の角度をθｉ、受光器が捕らえる反射光の広がりの角度
をθｄとしている。
る傾き角度をθｓ、前記法線方向に対して光源からの光
の角度をθｉ、受光器が捕らえる反射光の広がりの角度
をθｄとしている。
【００６３】ここで、θｓ＝０°、θｉ＝１５〜８０
°、θｄ＝３０°としてコントラストを測定した。
°、θｄ＝３０°としてコントラストを測定した。
【００６４】この場合のコントラストは液晶のギャップ
に大きく依存することが判明し、それらの関係として図
７に示すような結果が得られた。
に大きく依存することが判明し、それらの関係として図
７に示すような結果が得られた。
【００６５】すなわち、図７に示すように、コントラス
トが最も大きくなる液晶ギャップは３．８μｍであり、
この値を基準にすると±０．４μｍの液晶ギャップ差が
人が許容できるコントラストの低下１０％以内にはいる
範囲となる。
トが最も大きくなる液晶ギャップは３．８μｍであり、
この値を基準にすると±０．４μｍの液晶ギャップ差が
人が許容できるコントラストの低下１０％以内にはいる
範囲となる。
【００６６】このことから、液晶ギャップは±０．４μ
ｍ以内に抑えることが必要となることが判る。
ｍ以内に抑えることが必要となることが判る。
【００６７】また、上記構成の液晶表示装置を、図６に
示した測定において、地表に対してθｓ傾け、光源から
の光の入射角θｉを１５〜８０°とした。なお、受光器
が捕らえる反射光の広がりの角度をθｄは３０°であ
る。
示した測定において、地表に対してθｓ傾け、光源から
の光の入射角θｉを１５〜８０°とした。なお、受光器
が捕らえる反射光の広がりの角度をθｄは３０°であ
る。
【００６８】この場合の反射光の反射強度を測定した場
合、前記θｓに依存し、それらの関係は図８に示すよう
になった。
合、前記θｓに依存し、それらの関係は図８に示すよう
になった。
【００６９】図８から明らかとなるように、反射強度を
大きくとる場合には前記θｓは１０〜１５°の範囲にあ
ることが望ましい。
大きくとる場合には前記θｓは１０〜１５°の範囲にあ
ることが望ましい。
【００７０】このことは、上述した実施例の液晶表示装
置に示すように、各透明基板ＳＵＢ１、２の液晶側の面
のそれぞれにおいて上述した角度の範囲内の傾斜を有す
る凹部および凸部を形成することによって反射強度を大
きくできることを意味する。
置に示すように、各透明基板ＳＵＢ１、２の液晶側の面
のそれぞれにおいて上述した角度の範囲内の傾斜を有す
る凹部および凸部を形成することによって反射強度を大
きくできることを意味する。
【００７１】そして、このような液晶表示装置におい
て、各透明基板ＳＵＢ１、２の液晶側の面のそれぞれの
凹部および凸部の傾斜の角度を１０〜１５°とした際
に、許容される液晶ギャップ差が±０．４μｍ以内であ
る場合、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の
合わせずれの許容範囲は１．６〜２．４μｍとなる。
て、各透明基板ＳＵＢ１、２の液晶側の面のそれぞれの
凹部および凸部の傾斜の角度を１０〜１５°とした際
に、許容される液晶ギャップ差が±０．４μｍ以内であ
る場合、透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２の
合わせずれの許容範囲は１．６〜２．４μｍとなる。
【００７２】図９（ａ）は、図９（ｂ）に示すように一
方の透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２をθｋ
傾斜した場合、その角度に対する許容合わせずれを示し
たグラフであり、上述した１．６〜２．４μｍの値が裏
付けられる。
方の透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２をθｋ
傾斜した場合、その角度に対する許容合わせずれを示し
たグラフであり、上述した１．６〜２．４μｍの値が裏
付けられる。
【００７３】このことは、透明基板ＳＵＢ１に対する透
明基板ＳＵＢ２の合わせずれを１．６〜２．４μｍに抑
えることによって、コントラストの低下を１０％以内に
抑えられることを意味する。
明基板ＳＵＢ２の合わせずれを１．６〜２．４μｍに抑
えることによって、コントラストの低下を１０％以内に
抑えられることを意味する。
【００７４】ここで、各透明基板ＳＵＢ１、２の液晶側
の面のそれぞれの凹部および凸部の傾斜の角度を１０〜
１５°とするのは理想的な状態であり、実用的には透明
基板ＳＵＢ２（反射膜が形成されていない基板）側の凸
部の傾斜の角度は５〜１５°とし、透明基板ＳＵＢ１
（反射膜が形成されている基板）側の凹部の傾斜の角度
はそれよりも小さくすることによって本発明の目的を充
分に達成できる。
の面のそれぞれの凹部および凸部の傾斜の角度を１０〜
１５°とするのは理想的な状態であり、実用的には透明
基板ＳＵＢ２（反射膜が形成されていない基板）側の凸
部の傾斜の角度は５〜１５°とし、透明基板ＳＵＢ１
（反射膜が形成されている基板）側の凹部の傾斜の角度
はそれよりも小さくすることによって本発明の目的を充
分に達成できる。
【００７５】《透明基板ＳＵＢ１の製造方法》図１０
は、前記透明基板ＳＵＢ２の製造方法の一実施例を示す
工程図である。
は、前記透明基板ＳＵＢ２の製造方法の一実施例を示す
工程図である。
【００７６】工程１．（図１０（ａ））
透明基板ＳＵＢ１を用意する。この透明基板ＳＵＢ２の
液晶側の面には既にゲート信号線ＧＬ、絶縁膜ＧＩ、半
導体層ＡＳ、ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２、さ
らに保護膜ＰＳＶ１が形成されている。
液晶側の面には既にゲート信号線ＧＬ、絶縁膜ＧＩ、半
導体層ＡＳ、ドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２、さ
らに保護膜ＰＳＶ１が形成されている。
【００７７】そして、透明基板ＳＵＢ１の表面にたとえ
ば感光性のアクリル樹脂を塗布する。このアクリル樹脂
は保護膜ＰＳＶ２の材料となるものである。
ば感光性のアクリル樹脂を塗布する。このアクリル樹脂
は保護膜ＰＳＶ２の材料となるものである。
【００７８】次に、フォトマスクＰＭ１を用いて前記保
護膜ＰＳＶ２に選択露光を行う。前記フォトマスクＰＭ
１は、その平面図である図１１（ａ）に示すように、各
画素領域に対応する領域の中央部にて開口部ＯＰＮを有
し周辺に及ぶにしたがって前記開口部を同心的に囲む幾
重の環状の遮光部ＩＮＴを有して構成されている。
護膜ＰＳＶ２に選択露光を行う。前記フォトマスクＰＭ
１は、その平面図である図１１（ａ）に示すように、各
画素領域に対応する領域の中央部にて開口部ＯＰＮを有
し周辺に及ぶにしたがって前記開口部を同心的に囲む幾
重の環状の遮光部ＩＮＴを有して構成されている。
【００７９】この遮光部ＩＮＴと開口部ＯＰＮからなる
フォトマスクパターンは解像度限界以下のそれとなって
いる。
フォトマスクパターンは解像度限界以下のそれとなって
いる。
【００８０】なお、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のｂ−
ｂ線における断面図である。
ｂ線における断面図である。
【００８１】工程２．（図１０（ｂ））
このようにして選択露光された前記保護膜ＰＳＶ２を現
像することにより、各画素領域においてその中央部に薄
い膜厚を有し周辺に及ぶにしたがって順次段差的に厚い
膜厚を有する保護膜ＰＳＶ２が残存するようになる。
像することにより、各画素領域においてその中央部に薄
い膜厚を有し周辺に及ぶにしたがって順次段差的に厚い
膜厚を有する保護膜ＰＳＶ２が残存するようになる。
【００８２】工程３．（図１０（ｃ））
前記保護膜ＰＳＶ２を熱処理する。これにより該保護膜
ＰＳＶ２はリフローされ、段差的に変化していた表面は
滑らかな連続的な面となる。
ＰＳＶ２はリフローされ、段差的に変化していた表面は
滑らかな連続的な面となる。
【００８３】工程４．（図１０（ｄ））
前記保護膜ＰＳＶ２の表面にたとえばアルミニュム（Ａ
ｌ）からなる導電材料を形成し、これをフォトリソグラ
フィ技術による選択エッチング法でパターニングし、反
射膜を兼ねる画素電極ＰＸを形成する。
ｌ）からなる導電材料を形成し、これをフォトリソグラ
フィ技術による選択エッチング法でパターニングし、反
射膜を兼ねる画素電極ＰＸを形成する。
【００８４】次に、透明基板ＳＵＢ１の表面に前記画素
電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１を形成する。
電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１を形成する。
【００８５】なお、上述した製造方法において、前記保
護膜ＰＳＶ２の材料としてアクリル樹脂を用いたが、こ
れに限定されることはなく、たとえばノボラック樹脂の
ように透明な樹脂ならばどのような材料であってもよ
い。
護膜ＰＳＶ２の材料としてアクリル樹脂を用いたが、こ
れに限定されることはなく、たとえばノボラック樹脂の
ように透明な樹脂ならばどのような材料であってもよ
い。
【００８６】また、前記有機材料層は感光性のものを用
いたが、非感光性のものであってもよい。この場合、フ
ォトレジストを用いることによって図１０（ｂ）に示し
たと同様な形状とすることができるからである。
いたが、非感光性のものであってもよい。この場合、フ
ォトレジストを用いることによって図１０（ｂ）に示し
たと同様な形状とすることができるからである。
【００８７】《透明基板ＳＵＢ２の製造方法》図１２
は、前記透明基板ＳＵＢ２の製造方法の一実施例を示す
工程図である。
は、前記透明基板ＳＵＢ２の製造方法の一実施例を示す
工程図である。
【００８８】工程１．（図１２（ａ））
透明基板ＳＵＢ２を用意する。この透明基板ＳＵＢ２の
液晶側の面には既にカラーフィルタＦＩＬが形成されて
いる。そして、透明基板ＳＵＢ２の表面にたとえば感光
性のアクリル樹脂を塗布する。このアクリル樹脂は有機
材料層ＯＬの材料となるものである。
液晶側の面には既にカラーフィルタＦＩＬが形成されて
いる。そして、透明基板ＳＵＢ２の表面にたとえば感光
性のアクリル樹脂を塗布する。このアクリル樹脂は有機
材料層ＯＬの材料となるものである。
【００８９】次に、フォトマスクＰＭ２を用いて前記有
機材料層ＯＬに選択露光を行う。前記フォトマスクＯＭ
２は、その平面図である図１３（ａ）に示すように、各
画素領域に対応する領域の中央部にて遮光部ＩＮＴを有
し周辺に及ぶにしたがって前記遮光部を同心的に囲む幾
重の環状の遮光部ＩＮＴを有して構成されている。この
ため、遮光部ＩＮＴと他の異なる遮光部ＩＮＴの間には
環状の開口部ＯＰＮが形成されたパターンとなってい
る。
機材料層ＯＬに選択露光を行う。前記フォトマスクＯＭ
２は、その平面図である図１３（ａ）に示すように、各
画素領域に対応する領域の中央部にて遮光部ＩＮＴを有
し周辺に及ぶにしたがって前記遮光部を同心的に囲む幾
重の環状の遮光部ＩＮＴを有して構成されている。この
ため、遮光部ＩＮＴと他の異なる遮光部ＩＮＴの間には
環状の開口部ＯＰＮが形成されたパターンとなってい
る。
【００９０】この遮光部ＩＮＴと開口部ＯＰＮからなる
フォトマスクパターンは解像度限界以下のそれとなって
いる。
フォトマスクパターンは解像度限界以下のそれとなって
いる。
【００９１】なお、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のｂ−
ｂ線における断面図である。
ｂ線における断面図である。
【００９２】工程２．（図１２（ｂ））
このようにして選択露光された前記有機材料層ＯＬを現
像することにより、各画素領域においてその中央部に厚
い膜厚を有し周辺に及ぶにしたがって順次段差的に薄い
膜厚を有する有機材料層ＯＬが残存するようになる。
像することにより、各画素領域においてその中央部に厚
い膜厚を有し周辺に及ぶにしたがって順次段差的に薄い
膜厚を有する有機材料層ＯＬが残存するようになる。
【００９３】工程３．（図１２（ｃ））
前記有機材料層ＯＬを熱処理する。これにより該有機材
料層ＯＬはリフローされ、膜厚が段差的に変化していた
表面は連続的な面となる。
料層ＯＬはリフローされ、膜厚が段差的に変化していた
表面は連続的な面となる。
【００９４】工程４．（図１２（ｄ））
前記有機材料層ＯＬの表面にたとえばITO (Indium Tin
Oxide)からなる透明導電材料を形成し、これをフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチング法でパターニング
し、対向電極ＣＴを形成する。
Oxide)からなる透明導電材料を形成し、これをフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチング法でパターニング
し、対向電極ＣＴを形成する。
【００９５】次に、該対向電極ＣＴの表面に配向膜ＯＲ
Ｉ２を形成する。その後は、透明基板ＳＵＢ２の液晶と
反対側の面に位相差板ＰＨおよび偏光板ＰＯＬを順次貼
付する。
Ｉ２を形成する。その後は、透明基板ＳＵＢ２の液晶と
反対側の面に位相差板ＰＨおよび偏光板ＰＯＬを順次貼
付する。
【００９６】なお、上述した製造方法において、前記有
機材料層ＯＬの材料としてアクリル樹脂を用いたが、こ
れに限定されることはなく、たとえばノボラック樹脂の
ように透明な樹脂ならばどのような材料であってもよ
い。
機材料層ＯＬの材料としてアクリル樹脂を用いたが、こ
れに限定されることはなく、たとえばノボラック樹脂の
ように透明な樹脂ならばどのような材料であってもよ
い。
【００９７】また、前記有機材料層ＯＬは感光性のもの
を用いたが、非感光性のものであってもよい。この場
合、フォトレジストを用いることによって図１２（ｂ）
に示したと同様な形状とすることができるからである。
を用いたが、非感光性のものであってもよい。この場
合、フォトレジストを用いることによって図１２（ｂ）
に示したと同様な形状とすることができるからである。
【００９８】実施例２．図１４は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図
となっている。
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図
となっている。
【００９９】図１の場合と比較して異なる部分は、透明
基板ＳＵＢ１側に形成された各画素領域の保護膜ＰＳＶ
において、曲面で形成された凹部を有するものでなく、
局部的平面を有する斜面で形成された凹部を有してい
る。
基板ＳＵＢ１側に形成された各画素領域の保護膜ＰＳＶ
において、曲面で形成された凹部を有するものでなく、
局部的平面を有する斜面で形成された凹部を有してい
る。
【０１００】この場合にあっても、該凹部を構成する面
は滑らかな斜面を有することには変わりはなく、同様の
効果を奏するからである。
は滑らかな斜面を有することには変わりはなく、同様の
効果を奏するからである。
【０１０１】この場合、透明基板ＳＵＢ２側に形成され
た各画素領域の有機材料層ＯＬは、曲面で形成された凸
部でもよいし、また、透明基板ＳＵＢ１の前記保護膜Ｐ
ＳＶの凹部に対応させた平面を有する凸部であってもよ
い。
た各画素領域の有機材料層ＯＬは、曲面で形成された凸
部でもよいし、また、透明基板ＳＵＢ１の前記保護膜Ｐ
ＳＶの凹部に対応させた平面を有する凸部であってもよ
い。
【０１０２】このようにした場合、実形成条件において
プロセス裕度が大きくなるという効果を奏する。前記図
１０（ｃ）あるいは図１２（ｃ）においてリフローの作
業を省略することによって形成することができるからで
ある。
プロセス裕度が大きくなるという効果を奏する。前記図
１０（ｃ）あるいは図１２（ｃ）においてリフローの作
業を省略することによって形成することができるからで
ある。
【０１０３】実施例３．図１５は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図
となっている。
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図
となっている。
【０１０４】図１の場合と比較して異なる構成は、透明
基板ＳＵＢ２側の画素領域に形成する凹部はカラーフィ
ルタＦＩＬに形成していることにある。このため、有機
材料層ＯＬが存在しない構成となっている。
基板ＳＵＢ２側の画素領域に形成する凹部はカラーフィ
ルタＦＩＬに形成していることにある。このため、有機
材料層ＯＬが存在しない構成となっている。
【０１０５】カラーフィルタＦＩＬは顔料が混入された
有機材料で構成されることから、その加工においても前
記有機材料層ＯＬと同様にすることができるからであ
る。
有機材料で構成されることから、その加工においても前
記有機材料層ＯＬと同様にすることができるからであ
る。
【０１０６】このように構成した場合、各画素領域にお
ける色純度の均一性の向上を図ることができ、製造の工
程を低減させる効果を奏する。
ける色純度の均一性の向上を図ることができ、製造の工
程を低減させる効果を奏する。
【０１０７】実施例４．図１６は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１５に対応した
図となっている。
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１５に対応した
図となっている。
【０１０８】図１５の場合と比較して異なる構成は、凹
部が形成されたカラーフィルタＦＩＬを比較的膜厚の薄
い有機材料層ＯＬ１で被覆した構成となっている。この
ため、対向電極ＣＴはこの有機材料層ＯＬ１の上面に形
成されている。
部が形成されたカラーフィルタＦＩＬを比較的膜厚の薄
い有機材料層ＯＬ１で被覆した構成となっている。この
ため、対向電極ＣＴはこの有機材料層ＯＬ１の上面に形
成されている。
【０１０９】図１５の場合と同様な効果を得るととも
に、前記薄い有機材料層ＯＬ１によってカラーフィルタ
ＦＩＬに形成した凹部の傾斜角を調整できる効果を奏す
る。
に、前記薄い有機材料層ＯＬ１によってカラーフィルタ
ＦＩＬに形成した凹部の傾斜角を調整できる効果を奏す
る。
【０１１０】実施例５．図１７は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図
となっている。
示装置の他の実施例を示す断面図で、図１に対応した図
となっている。
【０１１１】図１の場合と比較して異なる構成は、ま
ず、外来光の入射側の透明基板ＳＵＢ２の液晶と反対側
の面に映り込み防止用フィルムＴＰＦを設けていること
にある。すなわち、透明基板ＳＵＢ２の液晶と反対側の
面には、位相差板、偏光板、映り込み防止用フィルムＴ
ＰＦが順次貼付されている。
ず、外来光の入射側の透明基板ＳＵＢ２の液晶と反対側
の面に映り込み防止用フィルムＴＰＦを設けていること
にある。すなわち、透明基板ＳＵＢ２の液晶と反対側の
面には、位相差板、偏光板、映り込み防止用フィルムＴ
ＰＦが順次貼付されている。
【０１１２】この映り込み防止用フィルムＴＰＦによっ
て、外来光の反射による映り込みを防止でき、自然な表
示を観察することができる。
て、外来光の反射による映り込みを防止でき、自然な表
示を観察することができる。
【０１１３】これにより、該映り込み防止用フィルムＴ
ＰＦは必ずしも上述した個所に設ける必要はなく、透明
基板ＳＵＢ２の液晶側の面に設けてもよいことはいうま
でもない。
ＰＦは必ずしも上述した個所に設ける必要はなく、透明
基板ＳＵＢ２の液晶側の面に設けてもよいことはいうま
でもない。
【０１１４】ここで、前記映り込み防止用フィルムＴＰ
Ｆは、たとえばフィルムに表面に細かな凹凸を形成する
ことによって、あるいはフィルム内部に該フィルムの母
材とは屈折率の異なる粒子を混在させることによって作
成することができる。
Ｆは、たとえばフィルムに表面に細かな凹凸を形成する
ことによって、あるいはフィルム内部に該フィルムの母
材とは屈折率の異なる粒子を混在させることによって作
成することができる。
【０１１５】実施例６．図１８は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、そのＸＩＸ
−ＸＩＸ線における断面図を図１９に示している。
示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、そのＸＩＸ
−ＸＩＸ線における断面図を図１９に示している。
【０１１６】この実施例は、一画素領域当たり、透明基
板ＳＵＢ１および透明基板ＳＵＢ２のそれぞれの液晶側
の面において、一方の側に複数の凹凸が形成されてお
り、また、他方の側に前記凹凸に対応して、すなわち、
それらが互いに噛み合うようにして凹凸が形成されてい
ることにある。
板ＳＵＢ１および透明基板ＳＵＢ２のそれぞれの液晶側
の面において、一方の側に複数の凹凸が形成されてお
り、また、他方の側に前記凹凸に対応して、すなわち、
それらが互いに噛み合うようにして凹凸が形成されてい
ることにある。
【０１１７】これにより、反射効率の高い液晶表示装置
を得ることができる。ここで、前記凹凸はその凸の頂部
が稜線となっており、その稜線がｙ軸方向と平行となる
ように形成されていても、ｘ軸方向と平行となるように
形成されていてもよい。また、前記凹凸の凸の頂部が点
となっており、その点がマトリクス状に形成されていて
もよい。
を得ることができる。ここで、前記凹凸はその凸の頂部
が稜線となっており、その稜線がｙ軸方向と平行となる
ように形成されていても、ｘ軸方向と平行となるように
形成されていてもよい。また、前記凹凸の凸の頂部が点
となっており、その点がマトリクス状に形成されていて
もよい。
【０１１８】また、この実施例では、透明基板ＳＵＢ２
側の前記凹凸は有機材料層ＯＬの表面に凹凸を形成する
ことにより形成したものである。しかし、この有機材料
層ＯＬをなくしカラーフィルタＦＩＬに形成するように
してもよいことはもちろんである。
側の前記凹凸は有機材料層ＯＬの表面に凹凸を形成する
ことにより形成したものである。しかし、この有機材料
層ＯＬをなくしカラーフィルタＦＩＬに形成するように
してもよいことはもちろんである。
【０１１９】実施例７．図２０は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、そのＸＸＩ
−ＸＸＩ線における断面図を図２１に示している。
示装置の画素の他の実施例を示す平面図で、そのＸＸＩ
−ＸＸＩ線における断面図を図２１に示している。
【０１２０】図２０、２１において、それぞれ対応する
図３、１と同符号の部分は同一の機能を有する材料とな
っている。
図３、１と同符号の部分は同一の機能を有する材料とな
っている。
【０１２１】図３、１の場合と比較して異なる構成は、
いわゆる部分透過型の液晶表示装置を対象としているこ
とにある。すなわち、画素領域のほぼ中央の領域におい
て、反射膜を兼ねる画素電極ＰＸ（Ｒ）が形成されるこ
となく、代わりに該画素電極ＰＸ（Ｒ）と電気的接続が
された透明導電層からなる画素電極ＰＸ（Ｔ）が形成さ
れた構成となっている。前記透明導電層としては、たと
えば、ＩＴＯ(IndiumTin Oxide)が用いられる。
いわゆる部分透過型の液晶表示装置を対象としているこ
とにある。すなわち、画素領域のほぼ中央の領域におい
て、反射膜を兼ねる画素電極ＰＸ（Ｒ）が形成されるこ
となく、代わりに該画素電極ＰＸ（Ｒ）と電気的接続が
された透明導電層からなる画素電極ＰＸ（Ｔ）が形成さ
れた構成となっている。前記透明導電層としては、たと
えば、ＩＴＯ(IndiumTin Oxide)が用いられる。
【０１２２】透明導電層は、たとえばドレイン信号線Ｄ
Ｌとの絶縁を図る絶縁膜ＩＮの上面に形成され、該透明
導電層の上面に形成される保護膜ＰＳＶ２に形成された
開口部を通して露出されている。また、該保護膜ＰＳＶ
２の上面に形成される反射膜を兼ねる画素電極ＰＸ
（Ｒ）が前記開口部の側壁面にまで及んで形成され、前
記透明導電層に接続されている。
Ｌとの絶縁を図る絶縁膜ＩＮの上面に形成され、該透明
導電層の上面に形成される保護膜ＰＳＶ２に形成された
開口部を通して露出されている。また、該保護膜ＰＳＶ
２の上面に形成される反射膜を兼ねる画素電極ＰＸ
（Ｒ）が前記開口部の側壁面にまで及んで形成され、前
記透明導電層に接続されている。
【０１２３】そして、上述した各実施例と同様に、透明
基板ＳＵＢ１側の各画素領域の保護膜ＰＳＶ２はその中
央側にて膜厚の小さな凹部が形成されているとともに、
透明基板ＳＵＢ２側の各画素領域の有機材料層はその中
央側にて膜厚の大きな凸部が形成されている。
基板ＳＵＢ１側の各画素領域の保護膜ＰＳＶ２はその中
央側にて膜厚の小さな凹部が形成されているとともに、
透明基板ＳＵＢ２側の各画素領域の有機材料層はその中
央側にて膜厚の大きな凸部が形成されている。
【０１２４】なお、この実施例では、透明基板ＳＵＢ２
側の前記凹凸は有機材料層ＯＬの表面に凹凸を形成する
ことにより形成したものである。しかし、この有機材料
層ＯＬをなくしカラーフィルタＦＩＬに形成するように
してもよいことは上述したとおりである。
側の前記凹凸は有機材料層ＯＬの表面に凹凸を形成する
ことにより形成したものである。しかし、この有機材料
層ＯＬをなくしカラーフィルタＦＩＬに形成するように
してもよいことは上述したとおりである。
【０１２５】また、この液晶表示装置は部分透過型であ
るため、透明基板ＳＵＢ１の液晶とは反対側の面に、位
相差板ＰＨ１、偏光板ＰＯＬ１が順次貼付されている。
るため、透明基板ＳＵＢ１の液晶とは反対側の面に、位
相差板ＰＨ１、偏光板ＰＯＬ１が順次貼付されている。
【０１２６】実施例８．図２２は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示した構成図で、図２１と
対応した図となっている。
示装置の画素の他の実施例を示した構成図で、図２１と
対応した図となっている。
【０１２７】図２１の場合と比較して異なる構成は、透
明基板ＳＵＢ２側において形成される凸部はカラーフィ
ルタＦＩＬに形成しているとともに、光透過領域におけ
る部分にて、透明基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ２に形
成された開口部を埋めるようにして突出部ＰＲＪが形成
されていることにある。
明基板ＳＵＢ２側において形成される凸部はカラーフィ
ルタＦＩＬに形成しているとともに、光透過領域におけ
る部分にて、透明基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ２に形
成された開口部を埋めるようにして突出部ＰＲＪが形成
されていることにある。
【０１２８】このようにした場合、反射部における色純
度の均一性を向上でき、透過部におけるカラーフィルタ
ＦＩＬの色純度を向上させることができる。そして、光
反射領域と光透過領域のそれぞれにおいて光の経路にお
いてカラーフィルタを通過する光学経路をほぼ等しくで
きる効果を有する。
度の均一性を向上でき、透過部におけるカラーフィルタ
ＦＩＬの色純度を向上させることができる。そして、光
反射領域と光透過領域のそれぞれにおいて光の経路にお
いてカラーフィルタを通過する光学経路をほぼ等しくで
きる効果を有する。
【０１２９】実施例９．図２３は、本発明による液晶表
示装置の画素の他の実施例を示した構成図で、図２１と
対応した図となっている。
示装置の画素の他の実施例を示した構成図で、図２１と
対応した図となっている。
【０１３０】図２１の場合と比較して異なる構成は、透
明基板ＳＵＢ２側のカラーフィルタＦＩＬにおいて、透
明基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶの透過部における開口
部と対向する部分の膜厚をそれ以外の領域の膜厚よりも
大きくして突起部ＰＲＪを設けていることにある。
明基板ＳＵＢ２側のカラーフィルタＦＩＬにおいて、透
明基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶの透過部における開口
部と対向する部分の膜厚をそれ以外の領域の膜厚よりも
大きくして突起部ＰＲＪを設けていることにある。
【０１３１】これらの膜厚は一方に対して他方が約２倍
になっていることが好ましい。ただし、反射部領域にお
ける光の経路はその部分のカラーフィルタＦＩＬを２回
通過するが、透過部領域における光の経路はその部分の
カラーフィルタＦＩＬを１回しか通過しないからであ
る。
になっていることが好ましい。ただし、反射部領域にお
ける光の経路はその部分のカラーフィルタＦＩＬを２回
通過するが、透過部領域における光の経路はその部分の
カラーフィルタＦＩＬを１回しか通過しないからであ
る。
【０１３２】なお、このカラーフィルタＦＩＬの上面に
は有機材料層ＯＬが形成され、その画素領域のほぼ中央
部が凸部となるようにして形成されている。このため、
前記カラーフィルタＦＩＬのうちその膜厚の大きな部分
は該有機材料層の凸部内に配置され、該有機材料層の凸
部によって該カラーフィルタＦＩＬの表面形状に影響を
与えることのない構成となっている。
は有機材料層ＯＬが形成され、その画素領域のほぼ中央
部が凸部となるようにして形成されている。このため、
前記カラーフィルタＦＩＬのうちその膜厚の大きな部分
は該有機材料層の凸部内に配置され、該有機材料層の凸
部によって該カラーフィルタＦＩＬの表面形状に影響を
与えることのない構成となっている。
【０１３３】実施例１０．図２４は、本発明による液晶
表示装置の画素の他の実施例を示した構成図で、図２１
に対応した図となっている。
表示装置の画素の他の実施例を示した構成図で、図２１
に対応した図となっている。
【０１３４】図２１の場合と比較して異なる構成は、透
明基板ＳＵＢ２側の有機材料層ＯＬの透過部領域に相当
する部分に凹陥部ＤＥＮが形成され、ここの部分の液晶
の層厚がｄ２とした場合、他の領域（反射部）の液晶の
層厚がｄ１となり、ｄ２＞ｄ １の関係が成立しているこ
とにある。
明基板ＳＵＢ２側の有機材料層ＯＬの透過部領域に相当
する部分に凹陥部ＤＥＮが形成され、ここの部分の液晶
の層厚がｄ２とした場合、他の領域（反射部）の液晶の
層厚がｄ１となり、ｄ２＞ｄ １の関係が成立しているこ
とにある。
【０１３５】このようにした場合、反射部の液晶のギャ
ップと透過部の液晶のギャップをそれぞれ最適な値とす
ることができ、反射表示および透過表示のそれぞれのコ
ントラストを最適化することができる。
ップと透過部の液晶のギャップをそれぞれ最適な値とす
ることができ、反射表示および透過表示のそれぞれのコ
ントラストを最適化することができる。
【０１３６】この場合、各液晶のギャップの関係は、
１．５×ｄ１≦ｄ２≦２．５×ｄ１とすることが好まし
いことが判明している。
１．５×ｄ１≦ｄ２≦２．５×ｄ１とすることが好まし
いことが判明している。
【０１３７】実施例１１．図２５は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した
図となっている。
表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した
図となっている。
【０１３８】図１の場合の構成と比較して、透明基板Ｓ
ＵＢ１側の保護膜ＰＳＶはその膜厚がほぼ一定に形成さ
れ、また、透明基板ＳＵＢ２側の有機材料層もその膜厚
がほぼ一定に形成されている。
ＵＢ１側の保護膜ＰＳＶはその膜厚がほぼ一定に形成さ
れ、また、透明基板ＳＵＢ２側の有機材料層もその膜厚
がほぼ一定に形成されている。
【０１３９】そして、透明基板ＳＵＢ１自体が各画素領
域ごとに液晶側の面が凹部となるように加工され、ま
た、透明基板ＳＵＢ２自体が各画素領域ごとに液晶側の
面が凸部となるように加工されている。透明基板ＳＵＢ
１側の凹部と透明基板ＳＵＢ２側の凸部は互いに噛み合
うような形状となっている。
域ごとに液晶側の面が凹部となるように加工され、ま
た、透明基板ＳＵＢ２自体が各画素領域ごとに液晶側の
面が凸部となるように加工されている。透明基板ＳＵＢ
１側の凹部と透明基板ＳＵＢ２側の凸部は互いに噛み合
うような形状となっている。
【０１４０】画素領域における中央部とこの中央部に近
い周辺との液晶ギャップをそれぞれｄ２’ｄ１’とした
場合、それらはほぼ等しくｄ１’−０．４≦ｄ２’≦ｄ
１’＋０．４の関係が成立することが望ましい。
い周辺との液晶ギャップをそれぞれｄ２’ｄ１’とした
場合、それらはほぼ等しくｄ１’−０．４≦ｄ２’≦ｄ
１’＋０．４の関係が成立することが望ましい。
【０１４１】この場合、透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の
材料としてはたとえばポリカーボネートを用いている。
しかし、他にポリエチレンテレフタレート等であっても
よい。
材料としてはたとえばポリカーボネートを用いている。
しかし、他にポリエチレンテレフタレート等であっても
よい。
【０１４２】このように構成することによっても、図１
の場合と同様の効果が得られるようになる。
の場合と同様の効果が得られるようになる。
【０１４３】このような構成からなる液晶表示装置のた
とえば図２６に示すような工程を経ることにより形成で
きる。
とえば図２６に示すような工程を経ることにより形成で
きる。
【０１４４】工程１．（図２６（ａ））
透明基板ＳＵＢ１および透明基板ＳＵＢ２を固着させい
わゆる液晶セルを構成したものを用意し、この液晶セル
を加圧機械ＰＲＤに対向させる。この加圧機械ＰＲＤは
液晶セルの各画素領域ごとに凸面が形成されている。
わゆる液晶セルを構成したものを用意し、この液晶セル
を加圧機械ＰＲＤに対向させる。この加圧機械ＰＲＤは
液晶セルの各画素領域ごとに凸面が形成されている。
【０１４５】工程２．（図２６（ｂ））
液晶セルに対して加圧機械ＰＲＤを加圧させ、その際に
温度８０℃の熱を加える。この場合の加圧する圧力は約
１ｋｇ／ｃｍ２が適当である。
温度８０℃の熱を加える。この場合の加圧する圧力は約
１ｋｇ／ｃｍ２が適当である。
【０１４６】工程３．（図２６（ｃ））
液晶セルを加圧機械ＰＲＤから解除させ冷却する。な
お、この図の点線で囲まれた領域の部分は図２５に示し
た構成に相当している。
お、この図の点線で囲まれた領域の部分は図２５に示し
た構成に相当している。
【０１４７】実施例１２．上述した各実施例では、透明
基板ＳＵＢ１側に形成される薄膜トランジスタＴＦＴは
アモルファスＳｉを半導体層としたものであるが、これ
に限定されることはなく、多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）等の
他の半導体層としてもよいことはいうまでもない。
基板ＳＵＢ１側に形成される薄膜トランジスタＴＦＴは
アモルファスＳｉを半導体層としたものであるが、これ
に限定されることはなく、多結晶Ｓｉ（ｐ−Ｓｉ）等の
他の半導体層としてもよいことはいうまでもない。
【０１４８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、反射強度およびコ
ントラストの良好なものを得ることができる。
本発明による液晶表示装置によれば、反射強度およびコ
ントラストの良好なものを得ることができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
価回路図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の効果を示す説明図
である。
である。
【図６】本発明による液晶表示装置の効果を示す説明図
である。
である。
【図７】本発明による液晶表示装置の効果を示すグラフ
である。
である。
【図８】本発明による液晶表示装置の効果を示すグラフ
である。
である。
【図９】本発明による液晶表示装置の効果を示す説明図
である。
である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の透明基板ＳＵＢ
１の製造方法の一実施例を示す工程図である。
１の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図１１】図１０に示す製造方法で用いられるフォトマ
スクの構成図である。
スクの構成図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の透明基板ＳＵＢ
２の製造方法の一実施例を示す工程図である。
２の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図１３】図１２に示す製造方法で用いられるフォトマ
スクの構成図である。
スクの構成図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図で
ある。
ある。
【図２０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図で
ある。
ある。
【図２２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２６】 本発明による液晶表示装置の製造方法の他
の実施例を示す工程図である。
の実施例を示す工程図である。
ＳＵＢ１…透明基板、ＳＵＢ２…透明基板、ＧＬ…ゲー
ト信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＴＦＴ…薄膜トラン
ジスタ、ＰＸ（Ｒ）…反射膜からなる画素電極、ＰＸ
（Ｔ）…透光性の材料からなる画素電極、ＣＴ…対向電
極、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ…保護膜、ＦＩＬ…カラーフ
ィルタ、ＯＬ…有機材料層。
ト信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＴＦＴ…薄膜トラン
ジスタ、ＰＸ（Ｒ）…反射膜からなる画素電極、ＰＸ
（Ｔ）…透光性の材料からなる画素電極、ＣＴ…対向電
極、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ…保護膜、ＦＩＬ…カラーフ
ィルタ、ＯＬ…有機材料層。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35
(72)発明者 桶 隆太郎
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA11 BA48 BB02 BB10
BB37 BB42
2H091 FA02Y FA14Y GA02 GA13
LA16
2H092 GA17 JA24 KA04 NA01 PA01
5C094 AA06 BA03 BA43 CA19 CA23
EA04 EA07 ED03 FA04 JA09
Claims (9)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層
の上方に形成される反射膜からなる画素電極を少なくと
も有し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下
地層上に形成される対向電極が形成され、 前記第１の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜
面が滑らかな凹部が形成されているとともに、前記第２
の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑ら
かな凸部が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層
の上方に形成される反射膜からなる画素電極を少なくと
も有し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下
地層上に形成される対向電極が形成され、 前記第１の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜
面が滑らかな凹部が形成されているとともに、前記第２
の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑ら
かな凸部が形成され、 該凹部の表面と凸部の表面はそれらを重ねあわせた場合
にほぼ勘合するような形状となっていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層
の上方に形成される反射膜からなる画素電極を少なくと
も有し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下
地層上に形成される対向電極が形成され、 前記第１の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜
面が滑らかな凹部が形成されているとともに、前記第２
の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑ら
かな凸部が形成され、 前記第２の下地層に形成された凸部の傾斜の角度は５〜
１５°とし、前記第１の下地層に形成された凹部の傾斜
の対応する個所の角度はそれよりも小さくなっているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層
の上方に形成される反射膜からなる画素電極を少なくと
も有し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下
地層上に形成される対向電極が形成され、 前記第１の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜
面が滑らかな凹部が形成されているとともに、前記第２
の下地層の表面は画素領域の周辺を縁とする斜面が滑ら
かな凸部が形成され、 前記第１の下地層に形成された凹部の傾斜の角度および
前記第２の下地層に形成された凸部の傾斜の角度がいず
れも１０〜１５°となっていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面の画素領域に第１の下地層
の上方に形成される反射膜からなる画素電極を少なくと
も有し、他方の基板の液晶側の面の画素領域に第２の下
地層上に形成される対向電極が形成され、 前記第１の下地層の表面は画素領域にて複数の領域に分
割されその分割部を縁とする斜面が滑らかな凹部が形成
されているとともに、 前記第２の下地層の表面は前記第１の下地層の分割され
た領域に対応して分割されその分割部を縁とする斜面が
滑らかな凸部が形成されていることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面に光透過領域と光反射領域
からなる画素領域を有し、この画素領域に画素領域の周
辺を縁とする凹部が設けられているとともに前記光透過
領域に相当する部分に開口が形成された有機材料からな
る第１の層と、この第１の層の上面に形成された反射膜
からなる第１の画素電極と、前記層の開口部に形成され
た光透過性の第２の電極とが形成され、 他方の基板の液晶側の画素領域に下地層上に形成される
対向電極が形成され、該下地層の表面は画素領域の周辺
を縁とする凸部が形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項７】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち、一方の基板の液晶側の面に光透過領域と光反射領域
からなる画素領域を有し、この画素領域に画素領域の周
辺を縁とする凹部が設けられているとともに前記光透過
領域に相当する部分に開口が形成された有機材料からな
る第１の層と、この第１の層の上面に形成された反射膜
からなる第１の画素電極と、前記第１の層の開口部に形
成された光透過性の第２の電極とが形成され、 他方の基板の液晶側の画素領域にカラーフィルタと該画
素領域の周辺を縁とする凸部が設けられた有機材料から
なる第２の層と、この第２の層の上面に形成された対向
電極とが形成され、 前記カラーフィルタは前記第１の層の開口部に対向する
部分にて突起部が形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項８】 第２の下地層はカラーフィルタであるこ
とを特徴とする請求項１、２、３、４、５のうちいずれ
かに記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 下地層はカラーフィルタであることを特
徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
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