JP2002152565A - 定電流供給装置、固体撮像装置、撮像システム及び発光装置 - Google Patents
定電流供給装置、固体撮像装置、撮像システム及び発光装置Info
- Publication number
- JP2002152565A JP2002152565A JP2000337899A JP2000337899A JP2002152565A JP 2002152565 A JP2002152565 A JP 2002152565A JP 2000337899 A JP2000337899 A JP 2000337899A JP 2000337899 A JP2000337899 A JP 2000337899A JP 2002152565 A JP2002152565 A JP 2002152565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant current
- signal
- solid
- current supply
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
る。 【解決手段】 複数の定電流回路9と、各定電流回路か
ら供給される電流を定電流に維持するための電流値をそ
れぞれサンプルホールドする複数のサンプルホールド手
段26′,27と、電流値を設定するための基準電流を
複数のサンプルホールド手段に与える基準電流源25
と、を備える。
Description
固体撮像装置、撮像システム及び発光装置に係わり、特
に定電流回路を有する固体撮像装置、撮像システム、発
光装置に好適に用いられるものである。
回路構成図、図6はそのタイミング図である。
トダイオード1(1−1−1,1−1−2,1−1−
3,…)、転送スイッチ2(2−1−1,2−1−2,
2−1−3,…)、リセットスイッチ3(3−1−1,
3−1−2,3−1−3,…)、増幅トランジスタ4
(4−1−1,4−1−2,4−1−3,…)、選択ス
イッチ5(5−1−1,5−1−2,5−1−3,…)
から構成される。転送スイッチ2、リセットスイッチ
3、増幅トランジスタ4、選択スイッチ5としてはMO
Sトランジスタを用いることができる。
オード1に蓄積された信号は増幅トランジスタ4によっ
て電圧として、増幅トランジスタ4に接続される垂直出
力線8(8−1,8−2,8−3,…)に読み出される
が、この時、増幅トランジスタ4と定電流回路となって
いる負荷トランジスタ9(9−1,9−2,…)によっ
てソースフォロワー回路が構成されているのでフォトダ
イオード1の信号に応じた電圧信号が垂直出力線8に読
み出される。負荷トランジスタ9−1,9−2,9−
3,…のゲートは、定電流源25と、そのゲートとドレ
インが短絡されたトランジスタ26によって電圧印加さ
れることでカレントミラー回路が構成されている。負荷
トランジスタ9、定電流源25、トランジスタ26は定
電流供給手段となる。
クランプ容量13(13−1,13−2,13−3,
…)を駆動するソースフォロワー回路がある。このソー
スフォロワー回路を構成するのはトランジスタ11(1
1−1,11−2,11−3,…)と定電流回路となる
トランジスタ12(12−1,12−2,12−3,
…)であり、トランジスタ12−1,12−2,12−
3,…のゲートは、定電流源24と、そのゲートとドレ
インを短絡したトランジスタ23によって電圧印加され
ることでカレントミラー回路を構成している。14(1
4−1,14−2,14−3,…)はクランプ容量13
の出力側の端子の所定の電位を設定するためのトランジ
スタ、22は所定の電位に設定する電源端子である。
ーアンプとなるトランジスタ11、クランプ容量13、
垂直信号線16(16−1,16−2,16−3,
…)、水平転送スイッチ17(17−1,17−2,1
7−3,…)、水平出力線18を経て、増幅アンプ20
と負帰還容量19を介して電圧信号が出力端子21から
出力される。トランジスタ12、トランジスタ23、定
電流源24は定電流供給手段となる。
スタにより順次選択され、垂直信号線16から順次信号
を水平出力線18に出力する。行方向に配列された各セ
ルの転送スイッチ2(2−1−1,2−1−2,…、2
−2−1,2−2−2,…、…)の制御端子(MOSト
ランジスタの場合はゲート)は信号線7(7−1、7−
2、…)に接続され、行方向に配列された各セルのリセ
ットスイッチ3(3−1−1,3−1−2,…、3−2
−1,3−2−2,…、…)の制御端子は信号線6(6
−1、6−2、…)に接続され、行方向に配列された各
セルの選択スイッチ5(5−1−1,5−1−2,…、
5−2−1,5−2−2,…、…)の制御端子は信号線
10(10−1、10−2、…)に接続されている。
用いて説明する。図6は上記MOS型固体撮像装置にお
ける、信号の読み出し、及びその信号における雑音を低
減するクランプ型雑音低減回路の動作を表すタイミング
図である。
ベルの信号パルス101を印加することによって、第1
行目の増幅トランジスタ4−1−1,4−1−2,…を
活性化させる。信号線6−1にHレベルの信号パルス1
02を印加することによって第1行目のリセットトラン
ジスタ3−1−1,3−1−2,…をオンし、垂直出力
線8−1,8−2,8−3,…にセンサーのリセット電
位が現れるようにする。ほぼ同時に、クランプトランジ
スタ14−1,14−2,14−3,…のゲートにHレ
ベルの信号パルス104を印加して、クランプ容量13
−1,13−2,13−3,…の両端に端子22から加
えられるクランプ基準電圧の電位と、センサーリセット
電位に応じたソースフォロワー11−1,11−2,1
1−3の出力電位が印加されるようにする。この動作
で、第1行目に配列された各セルからノイズ信号が垂直
出力線8に読み出され、クランプ容量13にノイズ信号
がクランプされることになる。
ルス103を印加することにより、転送スイッチ2−1
−1,2−1−2,2−1−3,…をオンさせ、フォト
ダイオード1−1−1,1−1−2,1−1−3,…の
信号電荷に対応する信号出力が垂直出力線8−1,8−
2,8−3,…に読み出され、それにともなってソース
フォロワー11の出力に応じた電位がクランプ容量13
の一端に現われる。
平転送スイッチ17−1,17−2,17−3,…のゲ
ートにHレベルの信号パルス105、106、107を
順次加えて、水平転送スイッチ17−1,17−2,1
7−3,…を順次オンして、第1行目に配列された各セ
ルからの信号を水平出力線18に出力し、演算増幅器2
0と負帰還容量19によって信号電荷を信号電圧に変換
し、出力端子21から出力する。
…に配列された各セルについて行うことで、全セルの信
号読み出しを行う。
スフォロワーの定電流回路は、定電流回路を構成するト
ランジスタのゲートとソースの電位(この場合はGND電
位)がそれぞれ等しいことを前提に構成されているが、
実際の半導体基板上に作られる、配線となるアルミはあ
る値の抵抗を有するため、そこに電流が流れることで電
圧降下が発生するため、多画素のセンサーICなど、その
チップ形状が大きくなるにつれ、GNDラインを形成する
アルミ配線長も長くなるため、上記電圧降下の大きさは
無視できなくなり、図5における各垂直出力線8に接続
されたソースフォロワーの定電流回路の設定電流は変動
し、ICのGND端子に遠いところほど、その電流値は小さ
くなるため、各垂直信号線の出力電圧にある傾き(シェ
ーディング)が発生してしまうという問題があった。ま
た、センサーを高速に駆動する場合には、前記ソースフ
ォロワーの出力インピーダンスを下げる必要が生じるた
め、前記ソースフォロワーに接続された定電流回路の設
定電流を大きくする必要があり、その結果、前記GND配
線の電圧降下分も増加するので、前記定電流の電流値は
大きく変動することになる。
及び特性図である。図7において、41は電源端子、4
2はGND端子、43は基準定電流源、44(44−1,
44−2,…)は図5における垂直出力線8−1,8−
2,…を、45はソースフォロワーの各出力端子、トラ
ンジスタ46と47でソースフォロワー回路を構成して
おり、48(48−1,48−2,…)はGND配線が有
する寄生抵抗である。図7の特性図に示すように、基準
電流源の電流に対し、各ソースフォロワーの定電流回路
の電流はGND端子42から遠ざかるほど低下する。
は、複数の定電流回路と、各定電流回路から供給される
電流を定電流に維持するための電流値をそれぞれサンプ
ルホールドする複数のサンプルホールド手段と、該電流
値を設定するための基準電流を該複数のサンプルホール
ド手段に与える基準電流源と、を備えた定電流供給装置
である。
は本発明の定電流供給装置を用いたものである。また本
発明の発光装置は本発明の定電流供給装置を用いたもの
である。
荷に電流を流し込む形で電流を供給する吐出型、負荷か
ら電流が流し込まれる形で電流を供給する吸込型を問わ
ず適用することができる。
ンプリングすることで電流値の設定を行うので、各定電
流回路に接続されているGND配線の電位に基本的には依
存しない。
詳細に説明する。
像装置を示す回路構成図であり、図2はそのタイミング
図である。図1において、光電変換セルの構成は図5と
同じなので同一符号を付して説明は省略する。
フォロワーのバイアスを与える定電流回路(図5内の
9、12)に定電流源24,25の電流をサンプル/ホ
ールドするための回路が挿入されている。なお、負荷ト
ランジスタ9、定電流源25、ホールド容量26′、ス
イッチ27は定電流供給手段(定電流供給装置)とな
り、またトランジスタ31、スイッチ32、定電流源2
4、ホールド容量30は定電流供給手段(定電流供給装
置)となる。
6′−2,…)はホールド容量、27(27−1,27
−2,…),28(28−1,28−2,…),29
(29−1,29−2,…)はスイッチである。また、
30(30−1,30−2,…)はホールド容量、32
(32−1,32−2,…),33(33−1,33−
2,…),34(34−1,34−2,…)はスイッチ
である。スイッチ27,28,29、スイッチ32,3
3,34としては、例えばMOSトランジスタを用いる
ことができる。31(31−1,31−2,…)は負荷
トランジスタである。
ン、ホールド時にオフし、スイッチ29は、その逆相
で、サンプル時にオフ、ホールド時にオンすることで電
流源25の出力電流のサンプル/ホールドを行う。同様
に、スイッチ32と33は電流サンプル時にオン、ホー
ルド時にオフし、スイッチ34は、その逆相で、サンプ
ル時にオフ、ホールド時にオンすることで電流源24の
出力電流のサンプル/ホールドを行う。
ド動作と、図6を用いて説明したセンサー信号の出力、
及びその信号に含まれる雑音の低減を行うクランプ型雑
音低減回路の動作を表すタイミング図である。センサー
信号における動作、タイミング図は図6と同じなので説
明は省略する。
に、前記電流サンプリングを行う。
を加えた状態で、スイッチ27−1と28−1にそれぞ
れHレベルの信号パルス401,402を加え、スイッ
チ27−1と28−1をオン、スイッチ29−1をオフ
することで、電流源25の電流値に応じたゲート・ソー
ス間電圧がトランジスタ9−1に発生し、その電圧がホ
ールド容量26′−1に保存される。スイッチの有する
寄生電荷の問題からスイッチ27−1をスイッチ28−
1より先にオフさせる。次に同様な動作で、スイッチ2
7−2,28−2をオンさせるために、信号パルス40
3,404を印加し、ホールド容量26′−2にトラン
ジスタ9−2のゲート・ソース間電圧を保存する。この
ようにして全ての電流サンプリングが行われた後、信号
パルス407をHレベルとして、スイッチ29−1,2
9−2,29−3をオンさせ、トランジスタ9−1,9
−2,9−3の発生するバイアス定電流を垂直出力線8
−1,8−2,8−3に印加する。
イミングで、ソースフォロワー用バイアス電流回路の電
流サンプリングを行う。
を加えた状態で、スイッチ32−1と33−1にそれぞ
れHレベルの信号パルス408,409を加え、スイッ
チ32−1と33−1をオン、スイッチ34−1をオフ
することで、電流源24の電流値に応じたゲート・ソー
ス間電圧がトランジスタ31−1に発生し、その電圧が
ホールド容量30−1に保存される。スイッチの有する
寄生電荷の問題からスイッチ32−1をスイッチ33−
1より先にオフさせる。次に同様な動作で、スイッチ3
2−2,33−2をオンさせるために、信号パルス41
0,411を印加し、ホールド容量30−2にトランジ
スタ31−2のゲート・ソース間電圧を保存する。この
ようにして全ての電流サンプリングが行われた後、信号
パルス414をHレベルとして、スイッチ31−1,3
1−2,31−3をオンさせ、トランジスタ31−1,
31−2,31−3の発生するバイアス定電流をソース
フォロワー11−1,11−2,11−3に供給する。
サンプリングによる設定が終了した後、図6を用いて説
明した信号読み出し動作を行う。
で、各バイアス電流の値を増加させてもシェーディング
等の垂直信号線に現れる信号電圧の変動は発生せず、セ
ンサーの高速駆動化と高精度化を同時に満たすことが可
能になる。
ースフォロワーに限るものではなく、各信号線に付随す
る演算増幅器などのバイアス電流回路など、多数存在
し、その出力がGND電位または電源電圧の変動に依存す
る回路に対し適応可能であることは勿論である。
置を示す回路構成図であり、定電流駆動が適したレーザ
ダイオードや発光ダイオード等の発光素子を複数駆動
し、レーザービームプリンター等その出力特性に高い相
対精度が必要な機器における発光素子駆動回路を示して
いる。
ダイオードもしくは発光ダイオード(LED)(以下、
レーザーダイオードとして説明する。)で、M1〜M
4,…はレーザーダイオードD1,D2,…をスイッチ
ングするための差動回路を構成するMOSトランジス
タ、T1,T2は実施例1と同様に定電流源I1の電流
をサンプリングするためのスイッチ、N1,N2,…は
トランジスタであり、電流源I1の電流値に応じたゲー
ト−ソース間電圧(Vgs)をホールド容量C1,C2,
…に保存する。この電流サンプリングの動作は実施例1
と同じであるので、この動作説明は省略する。
ング速度は非常に高速になっており、したがって上記差
動回路のバイアス電流も、この高速動作を可能にするた
め大きな値になっている。したがって、定電流回路を構
成するM1〜M4,…のソース電圧となっているGND
電位の変動は、GND配線の有する寄生抵抗による電圧
降下によって大きくなっている。MOSトランジスタM
1のソース電位が変動すると、上記バイアス電流は当然
変動してしまう。
や、スイッチングにおけるパルス幅の相対精度は上記バ
イアス電流の相対精度に大きく依存するため、上記複数
の発光素子を用いる光通信機器やレーザービームプリン
ターなどでは前記バイアス電流の相対精度を向上させる
ことが重要となる。図3に示した発光素子駆動回路を用
いることによりバイアス電流の相対精度を向上させるこ
とが可能となる。
スチルカメラに適用した場合の一実施例について詳述す
る。
ビデオカメラ」に適用した場合を示すブロック図であ
る。
とメインスイッチを兼ねるバリア、52は被写体の光学
像を固体撮像素子54に結像させるレンズ、53はレン
ズ52を通った光量を可変するための絞り、54はレン
ズ52で結像された被写体を画像信号として取り込むた
めの固体撮像素子、56は固体撮像素子54より出力さ
れる画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D
変換器、57はA/D変換器56より出力された画像デ
ータに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理
部、58は固体撮像素子54、撮像信号処理回路55、
A/D変換器56、信号処理部57に、各種タイミング
信号を出力するタイミング発生部、59は各種演算とス
チルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、6
0は画像データを一時的に記憶する為のメモリ部、61
は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインター
フェース部、62は画像データの記録または読み出しを
行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、63は
外部コンピュータ等と通信する為のインターフェース部
である。
ビデオカメラの動作について説明する。
がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更に
A/D変換器56などの撮像系回路の電源がオンされ
る。それから、露光量を制御する為に、全体制御・演算
部59は絞り53を開放にし、固体撮像素子54から出
力された信号はA/D変換器56で変換された後、信号
処理部57に入力される。
演算部59で行う。この測光を行った結果により明るさ
を判断し、その結果に応じて全体制御・演算部59は絞
りを制御する。
号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の
演算を全体制御・演算部59で行う。その後、レンズを
駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断し
た時は、再びレンズを駆動し測距を行う。そして、合焦
が確認された後に本露光が始まる。
出力された画像信号はA/D変換器56でA/D変換さ
れ、信号処理部57を通り全体制御・演算部59により
メモリ部に書き込まれる。
は、全体制御・演算部59の制御により記録媒体制御I
/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体62
に記録される。
ュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
GND,電源の各配線の有する寄生抵抗による電圧降下の影
響を回避して、複数の定電流回路の設定電流の変動を抑
えることができる。
定電流回路など、多数存在し、かつその出力電流がGND
電位や電源電位の変動に対し影響を受ける回路に対し
て、リファレンスとなる定電流源の出力電流をサンプル
/ホールドし、ある基準電圧を参照することで電流の設
定を行なうことで、自らの消費電流などによる電流とGN
D,電源の各配線の有する寄生抵抗による電圧降下の影響
を回避し、撮像素子の出力の精度を向上させることがで
きる。
す回路構成図である。
サー信号の出力、及びその信号に含まれる雑音の低減を
行うクランプ型雑音低減回路の動作を表すタイミング図
である。
路構成図である。
ラ」に適用した場合を示すブロック図である。
ある。
ミング図である。
性図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 複数の定電流回路と、各定電流回路から
供給される電流を定電流に維持するための電流値をそれ
ぞれサンプルホールドする複数のサンプルホールド手段
と、該電流値を設定するための基準電流を該複数のサン
プルホールド手段に与える基準電流源と、を備えた定電
流供給装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の定電流供給装置におい
て、前記サンプルホールド手段は、スイッチ手段と容量
手段とを有し、該容量手段には前記電流値に対応する電
圧が保持され、該電圧を前記定電流回路に与えることで
定電流を維持することを特徴とする定電流供給装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の定電流供給装置におい
て、前記定電流回路はトランジスタを有し、 前記スイッチ手段は該トランジスタの主電極と制御電極
間に設けられ、前記容量手段はトランジスタの制御電極
に接続され、前記スイッチ手段をオンすることで、前記
電流値に対応する主電極・制御電極電圧を前記容量手段
に保持することを特徴とする定電流供給装置。 - 【請求項4】 光電変換手段と、この光電変換手段によ
って形成された信号電荷を信号電圧に変換して増幅する
増幅手段とを有する増幅型光電変換素子を備え、この増
幅型光電変換素子を信号出力線に接続し、該信号出力線
を介して信号を出力する固体撮像装置において、 前記信号出力線に、バイアス電流を与える定電流供給手
段として、請求項1から3のいずれかに記載の定電流供
給装置を用いたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項5】 複数の光電変換手段を有する光電変換素
子を備え、この光電変換素子を信号出力線に接続し、こ
の信号出力線に出力される信号をバッファーを介して伝
送する固体撮像装置において、 前記バッファーアンプのバイアス電流を与える定電流供
給手段として、請求項1から3のいずれかに記載の定電
流供給装置を用いたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の定電流供給装置におい
て、前記光電変換素子は、光電変換手段と、この光電変
換手段によって形成された信号電荷を信号電圧に変換し
て増幅する増幅手段とを有する増幅型光電変換素子であ
り、前記信号出力線に、バイアス電流を与える定電流供
給手段として、請求項1から3のいずれかに記載の定電
流供給装置を用いたことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項7】 請求項5又は請求項6に記載の固体撮像
装置において、前記バッファーアンプは電界効果型トラ
ンジスタであり、前記定電流回路とでソースフォロワー
回路を構成する固体撮像装置。 - 【請求項8】 請求項4〜7のいずれかに記載の固体撮
像装置と、該固体撮像装置へ光を結像する光学系と、該
固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 【請求項9】 複数の発光素子を定電流駆動する発光装
置において、該複数の発光素子に定電流を供給する定電
流供給手段として、請求項1から3のいずれかに記載の
定電流供給装置を用いたことを特徴とする発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000337899A JP3793016B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 固体撮像装置及び撮像システム |
US09/985,211 US7023482B2 (en) | 2000-11-06 | 2001-11-02 | Processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000337899A JP3793016B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002152565A true JP2002152565A (ja) | 2002-05-24 |
JP3793016B2 JP3793016B2 (ja) | 2006-07-05 |
Family
ID=18813206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000337899A Expired - Fee Related JP3793016B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7023482B2 (ja) |
JP (1) | JP3793016B2 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002221937A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003195812A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-07-09 | Nec Corp | 電流負荷デバイス駆動用半導体装置及びそれを備えた電流負荷デバイス |
JP2007129473A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
US7277073B2 (en) | 2002-07-09 | 2007-10-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Driving device, display apparatus using the same, and driving method therefor |
CN100377192C (zh) * | 2003-10-07 | 2008-03-26 | 三星Sdi株式会社 | 电流采样和保持电路及方法以及解多路复用器及显示设备 |
JP2008276267A (ja) * | 2001-08-29 | 2008-11-13 | Nec Corp | 電流負荷デバイス駆動用半導体装置及びそれを備えた電流負荷デバイス |
US7570244B2 (en) | 2002-06-19 | 2009-08-04 | Mitsubishi Denki Kabuhsiki Kaisha | Display device |
US7576734B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same |
JP2009225004A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US7742064B2 (en) | 2001-10-30 | 2010-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof |
JP2010178173A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
US7791566B2 (en) | 2001-10-31 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US7817116B2 (en) | 2000-11-07 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
JP2010258737A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Sony Corp | Da変換装置、固体撮像素子、およびカメラシステム |
JP2010268440A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-25 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
US7855699B2 (en) | 2003-03-25 | 2010-12-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Drive device and a display device |
JP2011109486A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置、負荷電流源回路 |
US8120551B2 (en) | 2000-11-07 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US8164548B2 (en) | 2001-10-30 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit and light emitting device and driving method therefor |
JP2013009407A (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-10 | Canon Inc | 光電変換装置、撮像システム、および、光電変換装置の駆動方法 |
US8354987B2 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-15 | Sony Corporation | Constant current circuit and flat display device |
JP2013085110A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3988189B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US7456885B2 (en) * | 2003-08-22 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Per column one-bit ADC for image sensors |
JP5123601B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
FR2910710B1 (fr) * | 2006-12-21 | 2009-03-13 | St Microelectronics Sa | Capteur d'image cmos a photodiode piegee a faible tension d'alimentation |
EP1942663B1 (en) * | 2007-01-02 | 2013-07-24 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Column current source |
JP5156434B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
JP5484208B2 (ja) | 2010-06-14 | 2014-05-07 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5814539B2 (ja) | 2010-11-17 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2013106206A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP6261162B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2018-01-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法 |
JP2015080178A (ja) | 2013-10-18 | 2015-04-23 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置、カメラ、および、撮像装置の駆動方法 |
JP6300488B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-03-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、固体撮像素子及びカメラ |
JP6391290B2 (ja) | 2014-05-08 | 2018-09-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US9979916B2 (en) | 2014-11-21 | 2018-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus and imaging system |
JP6539149B2 (ja) | 2015-08-13 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US9900539B2 (en) | 2015-09-10 | 2018-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup element, and image pickup system |
JP6674219B2 (ja) | 2015-10-01 | 2020-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP6632421B2 (ja) | 2016-02-22 | 2020-01-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP6833531B2 (ja) | 2017-01-30 | 2021-02-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62122488A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Toshiba Corp | X線撮影装置 |
US5811808A (en) * | 1996-09-12 | 1998-09-22 | Amber Engineering, Inc. | Infrared imaging system employing on-focal plane nonuniformity correction |
JP3226859B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2001-11-05 | 日本電気株式会社 | 撮像装置 |
US6046444A (en) * | 1997-12-08 | 2000-04-04 | Intel Corporation | High sensitivity active pixel with electronic shutter |
US6781627B1 (en) * | 1999-06-24 | 2004-08-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Solid state imaging device and electric charge detecting apparatus used for the same |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000337899A patent/JP3793016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-02 US US09/985,211 patent/US7023482B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002221937A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
US8139000B2 (en) | 2000-11-07 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US10269296B2 (en) | 2000-11-07 | 2019-04-23 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US9741289B2 (en) | 2000-11-07 | 2017-08-22 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US9245481B2 (en) | 2000-11-07 | 2016-01-26 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US8120551B2 (en) | 2000-11-07 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US8810486B2 (en) | 2000-11-07 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US8344972B2 (en) | 2000-11-07 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8711065B2 (en) | 2000-11-07 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US8558769B2 (en) | 2000-11-07 | 2013-10-15 | Sony Corporation | Active-matrix display device, and active-matrix organic electroluminescent display device |
US7817116B2 (en) | 2000-11-07 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
JP2008276267A (ja) * | 2001-08-29 | 2008-11-13 | Nec Corp | 電流負荷デバイス駆動用半導体装置及びそれを備えた電流負荷デバイス |
US7796110B2 (en) | 2001-08-29 | 2010-09-14 | Nec Corporation | Semiconductor device for driving a current load device and a current load device provided therewith |
JP2003195812A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-07-09 | Nec Corp | 電流負荷デバイス駆動用半導体装置及びそれを備えた電流負荷デバイス |
US8624802B2 (en) | 2001-10-30 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit and light emitting device and driving method therefor |
US7742064B2 (en) | 2001-10-30 | 2010-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof |
US7576734B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same |
US8314754B2 (en) | 2001-10-30 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof |
US8164548B2 (en) | 2001-10-30 | 2012-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit and light emitting device and driving method therefor |
US7961159B2 (en) | 2001-10-30 | 2011-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof |
US8593377B2 (en) | 2001-10-31 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US8294640B2 (en) | 2001-10-31 | 2012-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US7791566B2 (en) | 2001-10-31 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal line driving circuit and light emitting device |
US7570244B2 (en) | 2002-06-19 | 2009-08-04 | Mitsubishi Denki Kabuhsiki Kaisha | Display device |
US7277073B2 (en) | 2002-07-09 | 2007-10-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Driving device, display apparatus using the same, and driving method therefor |
US7855699B2 (en) | 2003-03-25 | 2010-12-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Drive device and a display device |
US8354987B2 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-15 | Sony Corporation | Constant current circuit and flat display device |
CN100377192C (zh) * | 2003-10-07 | 2008-03-26 | 三星Sdi株式会社 | 电流采样和保持电路及方法以及解多路复用器及显示设备 |
JP2007129473A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Canon Inc | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP4746962B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP2013009407A (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-10 | Canon Inc | 光電変換装置、撮像システム、および、光電変換装置の駆動方法 |
JP2009225004A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2010178173A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2010268440A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-25 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
US8872092B2 (en) | 2009-04-17 | 2014-10-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-electric conversion device with current fluctuation suppression |
US8957364B2 (en) | 2009-04-17 | 2015-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-electric conversion device with current fluctuation suppression |
US9253425B2 (en) | 2009-04-17 | 2016-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photo-electric conversion device for current fluctuation suppression |
JP2010258737A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Sony Corp | Da変換装置、固体撮像素子、およびカメラシステム |
JP2011109486A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置、負荷電流源回路 |
JP2013085110A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7023482B2 (en) | 2006-04-04 |
JP3793016B2 (ja) | 2006-07-05 |
US20020057355A1 (en) | 2002-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3793016B2 (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP4194544B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 | |
KR100399954B1 (ko) | 아날로그 상호 연관된 이중 샘플링 기능을 수행하는씨모스 이미지 센서용 비교 장치 | |
US6801255B2 (en) | Image pickup apparatus | |
US6903771B2 (en) | Image pickup apparatus | |
US6963371B2 (en) | Image pickup apparatus including a plurality of pixels, each having a photoelectric conversion element and an amplifier whose output is prevented from falling below a predetermined level | |
JP4362156B2 (ja) | Cmos領域アレイ・センサのための逐次相関ダブル・サンプリング方式 | |
JP4288346B2 (ja) | 撮像装置及び画素回路 | |
JP3870137B2 (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像システム | |
JP3585219B2 (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
JP2004112740A (ja) | 画質を向上させたイメージセンサ | |
US6498332B2 (en) | Solid-state image sensing device | |
JP4243688B2 (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
US6791613B2 (en) | Signal processing apparatus | |
JP2003051989A (ja) | 光電変換装置、固体撮像装置及びシステム | |
JP3667187B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US6697108B1 (en) | Fast frame readout architecture for array sensors with integrated correlated double sampling system | |
JP5106596B2 (ja) | 撮像装置 | |
US6414292B1 (en) | Image sensor with increased pixel density | |
JP4336508B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP4708583B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2003259223A (ja) | 撮像システム | |
JP4708849B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
JP2001078093A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2004165825A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050805 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060404 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090414 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100414 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110414 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120414 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130414 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140414 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |