JP2001078093A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2001078093A
JP2001078093A JP24814899A JP24814899A JP2001078093A JP 2001078093 A JP2001078093 A JP 2001078093A JP 24814899 A JP24814899 A JP 24814899A JP 24814899 A JP24814899 A JP 24814899A JP 2001078093 A JP2001078093 A JP 2001078093A
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voltage
source follower
signal
follower circuit
charge transfer
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Masashi Asaumi
政司 浅海
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Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 周波数特性の劣化及び新たな電源回路の追加
なしに、信号出力部の消費電力を低減した固体撮像装置
を提供すること。 【解決手段】 1段目のソースフォロワ回路10と2段
目のソースフォロワ回路を結合するコンデンサ15によ
り、1段目のソースフォロア回路10の出力電圧V1に
含まれる直流成分が除去され、2段目のソースフォロワ
回路19の入力と電源電圧VDD2間に接続されたダイ
オード16により、出力電圧のピーク部分がVDD2近
くにクランプされて2段目のソースフォロア回路19に
入力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷転送装置を用
いた固体撮像装置の信号出力部に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電荷結合素子(以下「CCD」という)
に代表される電荷転送装置を用いた固体撮像装置は、そ
の低雑音特性等の優位性により、近年その実用化が著し
い。特に、固体撮像装置の低消費電力化を実現するため
に、出力回路の消費電力を低減する構成として、特開平
10−285469号には、ソースフォロア回路の電源
電圧を複数個使用し、各段のソースフォロワ回路の駆動
電圧をそれより前段のソースフォロワ回路の駆動電圧以
下の電圧に設定した構成が提案されている。
【0003】以下、図面を参照しながら、従来の固体撮
像装置について説明する。
【0004】図5は、従来技術に係る固体撮像装置の信
号出力部が2段のソースフォロア回路で構成された場合
を示したものである。図5において、水平方向電荷転送
部(第2の信号電荷転送手段、以下「HCCD」と記
す)から転送されてきた信号電荷がフローティング・デ
ィフュージョン(以下「FD」と記す)に入力されて電
圧に変換される。この電圧をトランジスタ1,2で構成
された1段目のソースフォロア回路5に入力し、さらに
その出力をトランジスタ3,4で構成された2段目のソ
ースフォロア回路6に入力し、その出力を固体撮像装置
出力としている。1段目及び2段目のソースフォロア回
路5,6の電源電圧、すなわちトランジスタ1,3のド
レイン端子電圧はそれぞれVDD1(第1の電圧)、V
DD2(第2の電圧)であり、VDD1には、垂直方向
電荷転送部(第1の信号電荷転送手段、図示せず、以下
「VCCD」と記す)の駆動に用いられるハイレベル電
圧と同じ電圧、たとえば15Vが用いられ、VDD2に
は、1段目のソースフォロワ回路5によるDC電圧の低
下分を考慮して、VDD1以下の電圧が用いられる。
【0005】図6は、信号出力部から出力される電圧波
形を表したものある。期間T1は、リセットゲート(R
G)にハイレベルの電圧が印加された期間であり、期間
T1の間、フローティング・ディフュージョン(FD)
の電位がリセットドレイン(RD)に固定されるととも
に、容量カップリングによりリセットパルスが重畳され
る。期間T2は、FD電位がCCD出力信号の基準電位
であるRD電位に保持されている期間である。期間T3
は、HCCDより信号電荷がFDに転送され、FDの電
位を信号電荷量に比例して変調している期間である。以
上のFDの電位変化が図6のような出力電圧波形にな
る。出力信号成分は、図中VSで示すようにVREFを
基準とした電位差である。このVREFで示した電位
は、FDがリセットされるRD電位が複数段のソースフ
ォロア回路によって増幅され変位した電位である。
【0006】なお、各ソースフォロア毎の出力波形は図
6と相似形となるため、以下の説明では各ノードの信号
波形は記さず、1段目のソースフォロア回路の出力電圧
をV1、その信号成分をV1Sといったように記す。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に係る固
体撮像装置の出力回路では、以下のような問題があっ
た。
【0008】1段目のソースフォロア回路の出力電圧の
DCレベルは、ドレイン電圧VDD1よりΔV1だけ低
い電圧となる。通常このΔV1は2V程度である。従っ
て、2段目のソースフォロア回路のドレイン電圧VDD
2は、トランジスタ3を飽和領域で動作させ、2段目の
ソースフォロワ回路に流れる電流を低減して、消費電力
を抑えるためには、VDD1が15V、ΔV1=2Vで
あるので、VDD1−ΔV1=13V程度の電圧を印加
する必要がある。このため、固体撮像装置駆動用の外部
電源として新たに13V程度の電圧を発生する電源回路
が必要となり、その電源回路が追加されることで、撮像
システムの部品点数が増大し、また追加の電源回路での
電力損失により消費電力がシステム全体として増大する
可能性もある。
【0009】そこで、新たに電源回路を設けるのではな
く、VDD2を固体撮像装置のHCCD駆動に用いられ
ている電圧、たとえば3Vで代用しようとすると、1段
目のソースフォロワ回路におけるDC電圧の低下分ΔV
1をVDD1−VDD2=12V程度に設計しなければ
ならない。この場合、1段目ソースフォロア回路のドラ
イブトランジスタの閾値電圧VTが上昇し、コンダクタ
ンスgmが低下するため、周波数特性が劣化するという
問題がある。
【0010】また、HCCD電位との関係上、ドレイン
電圧VDD1は低くできないので、上記のように、VC
CDに用いられるハイレベル電圧等と同じ電圧、たとえ
ば15Vの電圧がVDD1に用いられ、VDD2には1
3V程度の電圧が用いられる。ここで、1段目のソース
フォロア回路を構成するトランジスタ1は、FD容量と
並列に加わるゲート容量が電荷電圧変換容量としても機
能するように、ゲートサイズを小さくし流れる電流値を
少なくしている。しかし、2段目のソースフォロア回路
は、CCD出力信号を外部の処理回路へ伝送するため
に、大きなサイズのトランジスタを用いて出力インピー
ダンスが低く設計されるので、2段目のソースフォロワ
回路の電流値は、1段目のソースフォロア回路の電流値
の10倍以上になる。従って、図5に示した構成をとる
固体撮像装置の出力回路全体の消費電力は、2段目のソ
ースフォロア回路の消費電力が支配的なものとなる。
【0011】したがって、本発明は、上記問題点を解決
するためになされたもので、周波数特性の劣化及び新た
な電源回路の追加なしに、信号出力部の消費電力を低減
した固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明の第1の固体撮像装置は、撮像対象からの光
信号を電気信号に変換する光電変換部、該電気信号たる
電荷を所定周期で少なくとも1方向に転送する信号電荷
転送部、転送されてきた電荷を電圧として検出する電荷
検出部、及び検出された電圧を増幅するために複数のソ
ースフォロワ回路が多段接続された信号出力部を有する
固体撮像装置であって、前記信号出力部は、入力端が前
記電荷検出部に接続され、電源端に第1の電圧が印加さ
れる第1のソースフォロア回路と、前記第1のソースフ
ォロワ回路の出力端と容量性素子を介して入力端が接続
され、電源端に前記第1の電圧より低い第2の電圧が印
加される第2のソースフォロワ回路と、前記容量性素子
と協働して、前記第2の電圧に基づき、前記第2のソー
スフォロワ回路の入力端における信号のDCレベルをシ
フトさせるレベルシフト回路を備えたことを特徴とす
る。
【0013】前記第1の固体撮像装置によれば、容量性
素子により、第1のソースフォロワ回路の出力信号にお
ける直流成分を除去して交流成分のみを抽出し、レベル
シフト回路により、第2の電圧に基づき、第2のソース
フォロワ回路が飽和領域動作可能な動作点に信号のDC
レベルをシフトすることができるので、第2の電圧を第
1のソースフォロワ回路の出力信号の最大振幅値程度に
まで低くすることができる。これにより、第2のソース
フォロワ回路及びその後段のソースフォロワ回路の電源
電圧を低減して、信号出力部したがって固体撮像装置全
体の消費電力を低減することが可能になる。また、第1
のソースフォロワ回路において信号のDCレベルを大幅
に低下させるような構成をとらないので、周波数特性が
劣化することはない。
【0014】前記第1の固体撮像装置において、前記レ
ベルシフト回路は、アノードが前記第2のソースフォロ
ワ回路の入力端に接続され、カソードに前記第2の電圧
が印加されるダイオードを備えることが好ましい。
【0015】この構成によれば、ダイオードクランプを
用いて、第1のソースフォロワ回路の出力信号のピーク
レベルを第2の電圧近くにまでシフトさせることができ
る。
【0016】また、前記第1の固体撮像装置において、
前記レベルシフト回路は、前記第2の電圧を分圧して前
記第2のソースフォロワ回路の入力端に供給する分圧回
路を備えることが好ましい。
【0017】この構成によれば、分圧回路により、第1
のソースフォロワ回路の出力信号のDCレベルを、第2
のソースフォロワ回路が飽和領域動作可能な動作点にシ
フトすることができる。
【0018】また、前記第1の固体撮像装置において、
前記第2のソースフォロワ回路及びその後段のソースフ
ォロア回路はデプレション型のトランジスタで構成さ
れ、前記レベルシフト回路は、アノードが前記第2のソ
ースフォロワ回路の入力端に接続され、カソードに前記
第2の電圧を分圧した電圧が印加されるダイオードを備
えることが好ましい。
【0019】この構成によれば、第2のソースフォロワ
回路以降のソースフォロワ回路に、ゲート電圧がゼロで
もドレイン電流が流れるデプレション型トランジスタを
用い、第1のソースフォロワ回路の出力信号を、第2の
ソースフォロワ回路が飽和領域動作可能な動作点になる
ように、所定電圧にダイオードクランプすることができ
るので、前記第2のソースフォロワ回路及びその後段の
ソースフォロア回路の電源電圧をさらに低減することが
できる。
【0020】さらに、前記第1の固体撮像装置におい
て、前記信号電荷転送部は、第1の電荷転送部と、該第
1の信号電荷転送部と直交する方向に前記第1の信号電
荷転送部と一端を接した第2の信号電荷転送部とを備
え、前記第1の電圧は前記第1の信号電荷転送部に印加
するハイレベルの電圧と同じ電圧であり、前記第2の電
圧は前記第2の信号電荷転送部に印加するハイレベルの
電圧と同じ電圧であることが好ましい。
【0021】この構成によれば、第1の信号電荷転送部
を駆動する電圧よりも低い、第2の信号電荷転送部を駆
動する電圧を、第2の電圧として用いることができるの
で、第2の電圧を発生させるために新たに電源回路を設
ける必要がない。
【0022】前記の目的を達成するため、本発明の第2
の固体撮像装置は、撮像対象からの光信号を電気信号に
変換する光電変換部、該電気信号たる電荷を所定周期で
少なくとも1方向に転送する信号電荷転送部、転送され
てきた電荷を電圧として検出する電荷検出部、及び検出
された電圧を増幅するために複数のソースフォロワ回路
が多段接続された信号出力部を有する固体撮像装置であ
って、前記信号出力部は、入力端が前記電荷検出部に接
続され、電源端に第1の電圧が印加される第1のソース
フォロア回路と、前記第1のソースフォロワ回路の出力
端と容量性素子を介して入力端が接続され、電源端に前
記第1の電圧より低い第2の電圧が印加され、デプレシ
ョン型のトランジスタで構成された第2のソースフォロ
ワ回路と、アノードが前記第2のソースフォロワ回路の
入力端に接続され、カソードが接地に接続されたダイオ
ードを備えたことを特徴とする。
【0023】前記第2の固体撮像装置によれば、容量性
素子により、第1のソースフォロワ回路の出力信号にお
ける直流成分を除去して交流成分のみを抽出し、ダイオ
ードクランプを用いて、第1のソースフォロワ回路の出
力信号のピークレベルを、デプレション型トランジスタ
が飽和領域動作可能なマイナスの閾値以上の接地電位近
くにまでシフトさせることができるので、第2の電圧を
第1のソースフォロワ回路の出力信号の最大振幅値程度
にまで低くすることができる。これにより、第2のソー
スフォロワ回路及びその後段のソースフォロワ回路の電
源電圧を低減して、信号出力部したがって固体撮像装置
全体の消費電力を低減することが可能になる。また、第
1のソースフォロワ回路において信号のDCレベルを大
幅に低下させるような構成をとらないので、周波数特性
が劣化することはない。
【0024】前記第2の固体撮像装置において、前記信
号電荷転送部は、第1の電荷転送部と、該第1の信号電
荷転送部と直交する方向に前記第1の信号電荷転送部と
一端を接した第2の信号電荷転送部とを備え、前記第1
の電圧は前記第1の信号電荷転送部に印加するハイレベ
ルの電圧と同じ電圧であり、前記第2の電圧は前記第2
の信号電荷転送部に印加するハイレベルの電圧と同じ電
圧であることが好ましい。
【0025】この構成によれば、第1の信号電荷転送部
を駆動する電圧よりも低い、第2の信号電荷転送部を駆
動する電圧を、第2の電圧として用いることができるの
で、第2の電圧を発生させるために新たに電源回路を設
ける必要がない。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る固
体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。
【0027】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態に係る固体撮像装置の信号出力部の構成を示
したものである。
【0028】図1において、従来技術を示す図5と異な
るのは、信号出力部が、トランジスタ11、12で構成
される1段目のソースフォロア回路10(第1のソース
フォロワ回路)とトランジスタ13、14で構成される
2段目のソースフォロア回路19(第2のソースフォロ
ワ回路)とを接続するコンデンサ15(容量性素子)
と、2段目のソースフォロア回路19のドレインとゲー
ト間に接続されているダイオード16を備えている点に
ある。なお、ダイオード16の接続方向は、図1に示す
ようにゲートからドレインに向かって順方向となるよう
にする。
【0029】このような構成とすることで、コンデンサ
15によって、1段目のソースフォロア回路10の出力
電圧V1に含まれる直流成分が除去されて、交流成分で
ある信号成分のみを取り出すことができる。信号成分V
1Sは約1Vであり、リセットパルスの重畳成分を含め
ても2Vp-p程度である。得られた出力信号を、ダイオ
ード16(レベルシフト回路)によって、その最大電圧
レベル、すなわちリセットパルスの重畳部のレベルVR
P(図6参照)がVDD2(第2の電圧)近くになるよ
うにクランプする。これを2段目のソースフォロア回路
19のトランジスタ13のゲートに入力することで、2
段目のソースフォロア回路19が安定的に飽和領域で動
作するように設定することができる。
【0030】ここで、本実施形態の場合、1段目のソー
スフォロワ回路10の電源電圧VDD1は、VCCDの
駆動に用いられるハイレベルの電圧である15Vに、2
段目のソースフォロワ回路19の電源電圧VDD2は、
HCCDの駆動に用いられるハイレベルの電圧である3
Vに設定することができる。
【0031】したがって、本実施形態の場合、1段目の
ソースフォロワ回路の出力電圧は2VのDCレベルの低
下により、その出力電圧のピークレベル、すなわちリセ
ットパルスの重畳部は約13Vの電位となるが、コンデ
ンサ15により、出力電圧から直流成分が除去されて出
力電圧の平均レベルが0Vとなり、ダイオード16によ
り、リセットパルスの重畳部が3V近くにピーククラン
プされるので、2段目のソースフォロワ回路からは、最
大振幅が約3Vから1Vの出力信号Voutが得られる
ことになる。
【0032】(第2の実施形態)図2は、本発明の第2
の実施形態に係る固体撮像装置の信号出力部の構成を示
したものである。
【0033】図2において、第1の実施形態と異なるの
は、信号出力部が、電源電圧VDD2を抵抗26,27
により分圧して、この分圧した電圧を2段目のソースフ
ォロア回路29の動作点となるバイアス電圧として供給
する分圧回路40を備えている点にある。
【0034】このような構成とすることで、第1の実施
形態と同様にして、コンデンサ25によって、1段目の
ソースフォロア回路20の出力電圧に含まれる直流成分
が除去されて、交流成分である信号成分のみを取り出す
ことができる。次に、分圧回路40によって、直流成分
を除去した出力信号に改めて直流電圧を重畳させ、1段
目のソースフォロワ回路20の出力信号のDCレベル
を、2段目のソースフォロワ回路29が飽和領域動作可
能な動作点にシフトすることができる。
【0035】したがって、本実施形態の場合、1段目の
ソースフォロワ回路20の出力電圧は2VのDCレベル
の低下により、その出力電圧のピークレベル、すなわち
リセットパルスの重畳部は約13Vの電位となるが、コ
ンデンサ15により、出力電圧から直流成分が除去され
て出力電圧の平均レベルが0Vとなり、出力電圧が最大
振幅2Vp-pを有する(CCDの全ての画素からの出力
電圧が最大である)場合に、その最大振幅範囲が、2段
目のソースフォロワ回路29が飽和領域動作可能な範囲
に入るように、分圧回路40により3VのVDD2から
分圧された約2Vのバイアス電圧が重畳され、出力電圧
の平均レベルがシフトされて、2段目のソースフォロワ
回路29から最大振幅が約3Vから1Vの出力信号Vo
utが得られることになる。
【0036】ここで、図6に示したように、固体撮像装
置の出力電圧波形は1画素ごとに異なるものとなる。前
記第1の実施形態では、画素に関わらず一定の電圧波形
となる期間T1のリセットパルス重畳部をダイオードク
ランプするため、VREFは一定となる。従って、第1
の実施形態は信号波形を忠実に再現する。これに対し
て、第2の実施形態では、単に直流電圧を重畳している
だけであるので、出力信号のレベルに応じて信号成分の
基準となるVREFの値が常に変動することになる。し
かし、通常、固体撮像装置の出力は、後段の信号処理回
路部(図示しない)に設けられた相関二重サンプリング
等の方式によるサンプル/ホールド回路によって、VR
EFを基準にした信号成分のみを抽出するため、この実
施形態でも実用上問題はない。
【0037】(第3の実施形態)図3は、本発明の第3
の実施形態に係る固体撮像装置の信号出力部の構成を示
したものである。
【0038】図3において、第1の実施形態と異なるの
は、1段目及び2段目のソースフォロワ回路を構成する
トランジスタがエンハンスメント型ではなく、1段目の
ソースフォロワ回路30の負荷トランジスタ32と、2
段目のソースフォロワ回路39の駆動及び負荷トランジ
スタ33及び34がデプレション型である点、また、ダ
イオード36のカソードが、VDD2に接続されている
のではなく、抵抗37,38からなる分圧回路50によ
りVDD2を分圧した電圧に接続されている点にある。
【0039】このような構成とすることで、第1の実施
形態と同様に、コンデンサ35により、1段目のソース
フォロア回路30の出力電圧に含まれる直流成分を除去
した後、ダイオード36により、出力電圧のリセットパ
ルス重畳部をピーククランプして出力電圧をシフトし、
2段目ソースフォロア回路39に入力する。この時、ト
ランジスタ33がデプレション型であるため、第1の実
施形態のように、ドレインとダイオードを直接接続する
と飽和領域動作しない。そのために、抵抗37、38か
らなる分圧回路50を追加し、クランプ電位を下げた。
こうすることで、2段目ソースフォロア回路39を安定
的に飽和領域で動作するように設定することができる。
【0040】したがって、本実施形態の場合、1段目の
ソースフォロワ回路30の出力電圧は2VのDCレベル
の低下により、その出力電圧のピークレベル、すなわち
リセットパルスの重畳部は約13Vの電位となるが、コ
ンデンサ35により、出力電圧から直流成分が除去され
て出力電圧の平均レベルが0Vとなり、ダイオード36
及び分圧回路50で3Vから分圧された2Vにより、リ
セットパルスの重畳部が2V近くにピーククランプされ
るので、2段目のソースフォロワ回路39からは、最大
振幅が約2Vから0Vの出力信号Voutが得られるこ
とになる。
【0041】また、第1及び第2の実施形態で用いたト
ランジスタは、エンハンスメント型トランジスタであ
り、これはシリコン基板の界面を電流が流れるのに対し
て、本実施形態のデプレション型トランジスタでは、シ
リコン基板内部を電流が流れるため、発生するノイズが
小さくなり、高S/Nを実現することができる。
【0042】(第4の実施形態)図4は、本発明の第4
の実施形態に係る固体撮像装置の信号出力部の構成を示
したものである。
【0043】図4において、第3の実施形態と異なるの
は、分圧回路39が無く、ダイオード36のクランプ電
位がグランドに設定されている点にある。
【0044】回路動作は第3の実施形態と同様であり、
異なる点は、電源電圧VDD2をさらに低くできること
にある。
【0045】トランジスタを飽和領域で動作させるに
は、ゲート電圧VG、ドレイン電圧VD、および閾値電
圧VTの間に VG−VD<VT の関係が成り立たなければならない。これより信号振幅
を2Vp-pとすると、第3の実施形態の場合、VDD2
は2V以上でなければならない。しかし、本実施形態の
場合、VDD2は−VT以上であればよいことになり、
VTをたとえば−1Vに設定すればVDD2は1Vまで
低くできる。
【0046】したがって、本実施例の場合、1段目のソ
ースフォロワ回路30の出力電圧は2VのDCレベルの
低下により、その出力電圧のピークレベル、すなわちリ
セットパルスの重畳部は約13Vの電位となるが、コン
デンサ35により、出力電圧から直流成分が除去されて
出力電圧の平均レベルが0Vとなり、ダイオード36に
より、リセットパルスの重畳部が0V近くにピーククラ
ンプされるので、2段目のソースフォロワ回路39から
は、最大振幅が約0Vから−2Vの出力信号Voutが
得られることになる。
【0047】以上説明したように、本発明の固体撮像装
置によれば、1段目のソースフォロア回路の出力波形の
交流成分を抽出した上で2段目以降のソースフォロア回
路のドレイン電圧を基準に最適なバイアスを付加するこ
とができる。従って、2段目以降の電源電圧VDD2
を、1段目のソースフォロア回路の出力波形の最大振幅
値程度にまで低く設定できる。従来例で述べたように、
出力回路の消費電力は2段目以降のソースフォロア回路
が支配的であるため、この電源電圧VDD2を低くする
ことによる低消費電力化の効果は大きい。具体的には、
信号波形の振幅が約2Vであるので、HCCD駆動に用
いる電圧である3Vまで低下させることができる。従来
例と同じ電流を流した場合、本発明によれば消費電力を
約1/4に低減できることになる。
【0048】なお、上記説明はソースフォロアを2段接
続した構成について説明してきたが、3段以上接続され
た場合でも同様である。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ソースフォロアの電源電圧をHCCD駆動電圧まで低く
できるので、消費電力を大幅に低減することができる固
体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置
の信号出力部の回路図
【図2】 本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置
の信号出力部の回路図
【図3】 本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置
の信号出力部の回路図
【図4】 本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置
の信号出力部の回路図
【図5】 従来技術に係る固体撮像装置の信号出力部の
回路図
【図6】 固体撮像装置の出力波形図
【符号の説明】
VDD1 1段目のソースフォロワ回路の電源電圧(第
1の電圧) VDD2 2段目のソースフォロワ回路の電源電圧(第
2の電圧) 10,20,30 1段目のソースフォロワ回路(第1
のソースフォロワ回路) 15,25,35 コンデンサ(容量性素子) 16,26,36 ダイオード(レベルシフト回路) 19,29,39 2段目のソースフォロワ回路(第2
のソースフォロワ回路) 40,50 分圧回路(レベルシフト回路)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 撮像対象からの光信号を電気信号に変換
    する光電変換部、該電気信号たる電荷を所定周期で少な
    くとも1方向に転送する信号電荷転送部、転送されてき
    た電荷を電圧として検出する電荷検出部、及び検出され
    た電圧を増幅するために複数のソースフォロワ回路が多
    段接続された信号出力部を有する固体撮像装置におい
    て、 前記信号出力部は、 入力端が前記電荷検出部に接続され、電源端に第1の電
    圧が印加される第1のソースフォロア回路と、 前記第1のソースフォロワ回路の出力端と容量性素子を
    介して入力端が接続され、電源端に前記第1の電圧より
    低い第2の電圧が印加される第2のソースフォロワ回路
    と、 前記容量性素子と協働して、前記第2の電圧に基づき、
    前記第2のソースフォロワ回路の入力端における信号の
    DCレベルをシフトさせるレベルシフト回路とを備えた
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記レベルシフト回路は、アノードが前
    記第2のソースフォロワ回路の入力端に接続され、カソ
    ードに前記第2の電圧が印加されるダイオードを備えた
    ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 前記レベルシフト回路は、前記第2の電
    圧を分圧して前記第2のソースフォロワ回路の入力端に
    供給する分圧回路を備えたことを特徴とする請求項1に
    記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 前記第2のソースフォロワ回路及びその
    後段のソースフォロア回路はデプレション型のトランジ
    スタで構成され、前記レベルシフト回路は、アノードが
    前記第2のソースフォロワ回路の入力端に接続され、カ
    ソードに前記第2の電圧を分圧した電圧が印加されるダ
    イオードを備えたことを特徴とする請求項1に記載の固
    体撮像装置。
  5. 【請求項5】 前記信号電荷転送部は、第1の電荷転送
    部と、該第1の信号電荷転送部と直交する方向に前記第
    1の信号電荷転送部と一端を接した第2の信号電荷転送
    部とを備え、前記第1の電圧は前記第1の信号電荷転送
    部に印加するハイレベルの電圧と同じ電圧であり、前記
    第2の電圧は前記第2の信号電荷転送部に印加するハイ
    レベルの電圧と同じ電圧であることを特徴とする請求項
    1から4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項6】 撮像対象からの光信号を電気信号に変換
    する光電変換部、該電気信号たる電荷を所定周期で少な
    くとも1方向に転送する信号電荷転送部、転送されてき
    た電荷を電圧として検出する電荷検出部、及び検出され
    た電圧を増幅するために複数のソースフォロワ回路が多
    段接続された信号出力部を有する固体撮像装置におい
    て、 前記信号出力部は、 入力端が前記電荷検出部に接続され、電源端に第1の電
    圧が印加される第1のソースフォロア回路と、 前記第1のソースフォロワ回路の出力端と容量性素子を
    介して入力端が接続され、電源端に前記第1の電圧より
    低い第2の電圧が印加され、デプレション型のトランジ
    スタで構成された第2のソースフォロワ回路と、 アノードが前記第2のソースフォロワ回路の入力端に接
    続され、カソードが接地に接続されたダイオードとを備
    えたことを特徴とする固体撮像装置。
  7. 【請求項7】 前記信号電荷転送部は、第1の電荷転送
    部と、該第1の信号電荷転送部と直交する方向に前記第
    1の信号電荷転送部と一端を接した第2の信号電荷転送
    部とを備え、前記第1の電圧は前記第1の信号電荷転送
    部に印加するハイレベルの電圧と同じ電圧であり、前記
    第2の電圧は前記第2の信号電荷転送部に印加するハイ
    レベルの電圧と同じ電圧であることを特徴とする請求項
    6に記載の固体撮像装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223860A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Sony Corp 固体撮像装置および画像入力装置
JP2006049986A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sony Corp 固体撮像装置
JP2014045385A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Sharp Corp 固体撮像装置
JP2016046284A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 キヤノン株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム
JP2017108176A (ja) * 2017-03-08 2017-06-15 キヤノン株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223860A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Sony Corp 固体撮像装置および画像入力装置
JP4517660B2 (ja) * 2004-02-09 2010-08-04 ソニー株式会社 固体撮像装置、画像入力装置および固体撮像素子の駆動方法
JP2006049986A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Sony Corp 固体撮像装置
JP2014045385A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Sharp Corp 固体撮像装置
JP2016046284A (ja) * 2014-08-20 2016-04-04 キヤノン株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム
US9948877B2 (en) 2014-08-20 2018-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and imaging system having first and second metal members arranged in different directions
US10404933B2 (en) 2014-08-20 2019-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus and imaging system
JP2017108176A (ja) * 2017-03-08 2017-06-15 キヤノン株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム

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