JP3351503B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JP3351503B2 JP3351503B2 JP26893796A JP26893796A JP3351503B2 JP 3351503 B2 JP3351503 B2 JP 3351503B2 JP 26893796 A JP26893796 A JP 26893796A JP 26893796 A JP26893796 A JP 26893796A JP 3351503 B2 JP3351503 B2 JP 3351503B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source follower
- voltage
- imaging device
- state imaging
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばビデオカ
メラ、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用カメラ、T
Vカメラ、及びマルチメディア用カメラ等に適用される
固体撮像素子に関し、特に低電圧化並びに低消費電力化
に効を奏する固体撮像素子に関する。
メラ、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用カメラ、T
Vカメラ、及びマルチメディア用カメラ等に適用される
固体撮像素子に関し、特に低電圧化並びに低消費電力化
に効を奏する固体撮像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の固体撮像素子では、複数の光電
変換素子をマトリックス状に配列しており、これらの光
電変換素子毎に入射光に応じた電荷を形成し、これらの
光電変換素子を複数のCCDによって垂直及び水平に走
査して、各光電変換素子の電荷を転送し、これらの光電
変換素子の電荷を信号出力として順次検出している。
変換素子をマトリックス状に配列しており、これらの光
電変換素子毎に入射光に応じた電荷を形成し、これらの
光電変換素子を複数のCCDによって垂直及び水平に走
査して、各光電変換素子の電荷を転送し、これらの光電
変換素子の電荷を信号出力として順次検出している。
【0003】図3には、光電変換素子の電荷を信号出力
として取り出すための従来の回路の一例を示している。
同図において、リセット回路1は、電荷の検出に先立っ
て、フローティングダイオード2に15V程度のリセッ
ト電圧Vrを印加し、このフローティングダイオード2
の端子電圧をリセット電圧Vrに設定する。この後、C
CDから電荷を転送すると、この電荷がフローティング
ダイオード2に蓄えられ、これに伴ってフローティング
ダイオード2の端子電圧が変化する。増幅回路3は、フ
ローティングダイオード2の端子電圧を入力し、この電
圧変化に応じた信号を出力する。この後、リセット回路
1からフローティングダイオード2にリセット電圧Vr
が再び印加され、CCDからの電荷がフローティングダ
イオード2へと再び転送されて来る。
として取り出すための従来の回路の一例を示している。
同図において、リセット回路1は、電荷の検出に先立っ
て、フローティングダイオード2に15V程度のリセッ
ト電圧Vrを印加し、このフローティングダイオード2
の端子電圧をリセット電圧Vrに設定する。この後、C
CDから電荷を転送すると、この電荷がフローティング
ダイオード2に蓄えられ、これに伴ってフローティング
ダイオード2の端子電圧が変化する。増幅回路3は、フ
ローティングダイオード2の端子電圧を入力し、この電
圧変化に応じた信号を出力する。この後、リセット回路
1からフローティングダイオード2にリセット電圧Vr
が再び印加され、CCDからの電荷がフローティングダ
イオード2へと再び転送されて来る。
【0004】ここで、フローティングダイオード2は、
電位的にフローティングされた拡散層N+を半導体基板
上に形成したものであり、この拡散層N+と半導体基板
のPウェルがPN接合するので、ダイオードが形成さ
れ、等価的にはキャパシタンスとなる。
電位的にフローティングされた拡散層N+を半導体基板
上に形成したものであり、この拡散層N+と半導体基板
のPウェルがPN接合するので、ダイオードが形成さ
れ、等価的にはキャパシタンスとなる。
【0005】このフローティングダイオード2のキャパ
シタンスをCとし、またCCDからフローティングダイ
オード2に転送されて来た電荷の量をQとすると、この
フローティングダイオード2の電圧変化Vqは、次式
(1)で表される。
シタンスをCとし、またCCDからフローティングダイ
オード2に転送されて来た電荷の量をQとすると、この
フローティングダイオード2の電圧変化Vqは、次式
(1)で表される。
【0006】Vq=Q/C ……… (1) このフローティングダイオード2は、その出力インピー
ダンスが非常に高く、このままでは外部に出力できない
ので、出力インピーダンスを下げるために、増幅回路3
に複数段のソースフォロワ回路4,5を設け、これらの
ソースフォロワ回路4,5を通じて電圧変化Vqに対応す
る信号を取り出している。
ダンスが非常に高く、このままでは外部に出力できない
ので、出力インピーダンスを下げるために、増幅回路3
に複数段のソースフォロワ回路4,5を設け、これらの
ソースフォロワ回路4,5を通じて電圧変化Vqに対応す
る信号を取り出している。
【0007】各ソースフォロワ回路4,5のいずれにお
いても、各トランジスタ6,7のソース側に各定電流源
8,9を接続している。これらの定電流源8,9は、トラ
ンジスタによって構成されるものである。
いても、各トランジスタ6,7のソース側に各定電流源
8,9を接続している。これらの定電流源8,9は、トラ
ンジスタによって構成されるものである。
【0008】ソースフォロワ回路を初段だけでなく、複
数段設けるのは次の様な理由からである。
数段設けるのは次の様な理由からである。
【0009】まず、ソースフォロワ回路のトランジスタ
のゲート幅をW、ゲート長をL、ドレイン−ソース間を
流れる電流をIとすると、ソースフォロワ回路の出力イ
ンピーダンスRoutは、次式(2)で表される。
のゲート幅をW、ゲート長をL、ドレイン−ソース間を
流れる電流をIとすると、ソースフォロワ回路の出力イ
ンピーダンスRoutは、次式(2)で表される。
【0010】 Rout ∝ [(W/L)*I] -1/2 ……… (2) この式(2)から明らかな様に、ソースフォロワ回路の
出力インピーダンスRoutを小さくするには、(W/L)
*Iを大きくすることが考えられる。
出力インピーダンスRoutを小さくするには、(W/L)
*Iを大きくすることが考えられる。
【0011】ところが、この(W/L)*IのうちのWを
大きくすると、上記式(1)におけるフローティングダ
イオード2のキャパシタンスCが増大してしまい、電圧
変化Vqが小さくなるので、好ましくは無く、逆にノイ
ズ等の影響を受けない範囲で、このWをできるだけ小さ
くせねばならない。
大きくすると、上記式(1)におけるフローティングダ
イオード2のキャパシタンスCが増大してしまい、電圧
変化Vqが小さくなるので、好ましくは無く、逆にノイ
ズ等の影響を受けない範囲で、このWをできるだけ小さ
くせねばならない。
【0012】また、出力インピーダンスRoutを小さく
するには、 Lを小さくしたり、Iを大きくすることも
考えられるが、これらは、ノイズの影響から制限されて
しまう。
するには、 Lを小さくしたり、Iを大きくすることも
考えられるが、これらは、ノイズの影響から制限されて
しまう。
【0013】結局のところ、ソースフォロワ回路を適用
するにしても、初段のみでは、出力インピーダンスR
outを十分に低くすることはできず、複数段のソースフ
ォロワ回路を設け、各段の度に、出力インピーダンスを
徐々に下げている。
するにしても、初段のみでは、出力インピーダンスR
outを十分に低くすることはできず、複数段のソースフ
ォロワ回路を設け、各段の度に、出力インピーダンスを
徐々に下げている。
【0014】すなわち、複数段のソースフォロワ回路
は、後段になるに従って(W/L)*Iが大きくなる様に
設計され、その出力インピーダンスを小さくしている。
これに伴い、最終段のソースフォロワ回路では、3〜4
mA以上の電流を必要とする。
は、後段になるに従って(W/L)*Iが大きくなる様に
設計され、その出力インピーダンスを小さくしている。
これに伴い、最終段のソースフォロワ回路では、3〜4
mA以上の電流を必要とする。
【0015】この様な複数段のソースフォロワ回路を適
用した固体撮像装置は、例えば特開平3−274811
号公報、特開平5−251677号公報及び特開平6−
70239号公報等に開示されている。
用した固体撮像装置は、例えば特開平3−274811
号公報、特開平5−251677号公報及び特開平6−
70239号公報等に開示されている。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところで、複数段のソ
ースフォロワ回路4,5を適用する場合は、電源電圧を
高くする方が良い。何故なら、ソースフォロワ回路は、
入出力間で直流電圧レベルが下がるが、ある一定の電圧
(すなわちトランジスタで構成される定電流源8,9が
定電流源として動作しなくなる下限の電圧)以下になる
と、ソースフォロワ回路として動作しない。このため、
電源電圧が高い方がソースフォロワ回路として動作する
直流電圧レベルの範囲が広がり、ダイナミックレンジと
言う面から有利だからである。
ースフォロワ回路4,5を適用する場合は、電源電圧を
高くする方が良い。何故なら、ソースフォロワ回路は、
入出力間で直流電圧レベルが下がるが、ある一定の電圧
(すなわちトランジスタで構成される定電流源8,9が
定電流源として動作しなくなる下限の電圧)以下になる
と、ソースフォロワ回路として動作しない。このため、
電源電圧が高い方がソースフォロワ回路として動作する
直流電圧レベルの範囲が広がり、ダイナミックレンジと
言う面から有利だからである。
【0017】この様な高い電源電圧Vod1を確保するに
は、先に述べたフローティングダイオード2の比較的高
い15Vのリセット電圧Vrを併用すれば良く、これに
よってシステムの簡素化を図ることができる。
は、先に述べたフローティングダイオード2の比較的高
い15Vのリセット電圧Vrを併用すれば良く、これに
よってシステムの簡素化を図ることができる。
【0018】しかしながら、電源電圧Vod1を高く設定
した場合は、先に述べた様に各ソースフォロワ回路の後
段になるに従って出力インピーダンスRoutを小さく
し、大きな電流を流しているから、消費電力が大きくな
ると言う問題点があった。
した場合は、先に述べた様に各ソースフォロワ回路の後
段になるに従って出力インピーダンスRoutを小さく
し、大きな電流を流しているから、消費電力が大きくな
ると言う問題点があった。
【0019】そこで、この発明の課題は、複数段のソー
スフォロワ回路を適用しながらも、その消費電力を小さ
く抑えた固体撮像装置を提供することにある。
スフォロワ回路を適用しながらも、その消費電力を小さ
く抑えた固体撮像装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、複数の光電変換素子と、これらの光電
変換素子によって形成された電荷を転送するためのCC
Dと、このCCDによって転送されて来た電荷を電圧に
変換するためのフローティングダイオードと、このフロ
ーティングダイオードによって形成された電圧を増幅す
る複数段のソースフォロワ増幅回路からなる増幅手段と
を備える固体撮像装置において、増幅手段の各ソースフ
ォロワ回路に供給されるそれぞれの電源電圧を相互に異
ならせ、各ソースフォロワ回路に流れる直流電流が大き
い程、これらの電源電圧を低くしている。
に、この発明は、複数の光電変換素子と、これらの光電
変換素子によって形成された電荷を転送するためのCC
Dと、このCCDによって転送されて来た電荷を電圧に
変換するためのフローティングダイオードと、このフロ
ーティングダイオードによって形成された電圧を増幅す
る複数段のソースフォロワ増幅回路からなる増幅手段と
を備える固体撮像装置において、増幅手段の各ソースフ
ォロワ回路に供給されるそれぞれの電源電圧を相互に異
ならせ、各ソースフォロワ回路に流れる直流電流が大き
い程、これらの電源電圧を低くしている。
【0021】この様に各ソースフォロワ回路に流れる直
流電流が大きい程、これらのソースフォロワ回路の電源
電圧を低くした場合、電流が大きくても電圧が低くいの
で、電流と電圧の積である消費電力の増大を抑えること
ができる。
流電流が大きい程、これらのソースフォロワ回路の電源
電圧を低くした場合、電流が大きくても電圧が低くいの
で、電流と電圧の積である消費電力の増大を抑えること
ができる。
【0022】また、各ソースフォロワ回路に流れる直流
電流が大きい程、これらのソースフォロワ回路のトラン
ジスタのしきい値を高くしても良い。この様にしきい値
を高くすると、トランジスタを飽和領域で動作させるの
に必要な電源電圧が低下するので、消費電力の低減を図
り易い。
電流が大きい程、これらのソースフォロワ回路のトラン
ジスタのしきい値を高くしても良い。この様にしきい値
を高くすると、トランジスタを飽和領域で動作させるの
に必要な電源電圧が低下するので、消費電力の低減を図
り易い。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0024】図1は、この発明の固体撮像装置の第1実
施形態における信号の取り出し部分を示している。この
実施形態では、図3の従来の回路における増幅回路3の
2段目のソースフォロワ回路5の電源電圧として、15
Vのリセット電圧Vrを併用する代わりに、このリセッ
ト電圧Vrよりも低い電源電圧Vod2を用いている。
施形態における信号の取り出し部分を示している。この
実施形態では、図3の従来の回路における増幅回路3の
2段目のソースフォロワ回路5の電源電圧として、15
Vのリセット電圧Vrを併用する代わりに、このリセッ
ト電圧Vrよりも低い電源電圧Vod2を用いている。
【0025】ただし、初段のソースフォロワ回路4の電
源電圧Vod1は、従来と同様に、15Vのリセット電圧
Vrを用いている。これは、初段のソースフォロワ回路
4に流れる電流が200〜300μA程度と少なく、こ
のソースフォロワ回路4の電源電圧Vod1を低くしたと
ころで、あまり低消費電力化にはならないからである。
源電圧Vod1は、従来と同様に、15Vのリセット電圧
Vrを用いている。これは、初段のソースフォロワ回路
4に流れる電流が200〜300μA程度と少なく、こ
のソースフォロワ回路4の電源電圧Vod1を低くしたと
ころで、あまり低消費電力化にはならないからである。
【0026】これに対して、2段目のソースフォロワ回
路5には、3〜4mAの電流が流れているので、このソ
ースフォロワ回路5の電源電圧Vod2を低くすることに
よって、電流と電圧の積である消費電力を小さくするこ
とができる。
路5には、3〜4mAの電流が流れているので、このソ
ースフォロワ回路5の電源電圧Vod2を低くすることに
よって、電流と電圧の積である消費電力を小さくするこ
とができる。
【0027】さて、2段目のソースフォロワ回路5の電
源電圧Vod2を設定するには、次の様にする。
源電圧Vod2を設定するには、次の様にする。
【0028】まず、2段目のソースフォロワ回路5を通
常動作させるには、トランジスタ7をその電流飽和領域
で動作させれば良く。その条件は、トランジスタ7のソ
ース電圧をVos、ゲートの電圧をVg、このトランジス
タ7のしきい値をVth2とすれば、次式(3)に示す通
りとなる。
常動作させるには、トランジスタ7をその電流飽和領域
で動作させれば良く。その条件は、トランジスタ7のソ
ース電圧をVos、ゲートの電圧をVg、このトランジス
タ7のしきい値をVth2とすれば、次式(3)に示す通
りとなる。
【0029】 (Vod2−Vos) ≧(Vg−Vos)−Vth2 ……… (3) 更に、ソース電圧Vosを消去すると、次式(4)に示す
通りとなる。
通りとなる。
【0030】Vod2 ≧Vg−Vth2 ……… (4) この式(4)によって定められる範囲であれば、2段目
のソースフォロワ回路5の電源電圧Vod2をどの様な値
に設定しても、飽和した電流を流すことができ、この範
囲内で、この電源電圧Vod2をできるだけ低くすれば、
これによってソースフォロワ回路5の電力を小さく抑え
ることができる。
のソースフォロワ回路5の電源電圧Vod2をどの様な値
に設定しても、飽和した電流を流すことができ、この範
囲内で、この電源電圧Vod2をできるだけ低くすれば、
これによってソースフォロワ回路5の電力を小さく抑え
ることができる。
【0031】例えばゲート電圧Vg=10V、しきい値
Vth2=1Vとすれば、上式(4)に基づいて、電源電
圧Vod2≧9Vを求めることができる。したがって、電
源電圧Vod2=9Vに設定すれば、トランジスタ7の飽
和電流を保ちつつ、2段目のソースフォロワ回路5の消
費電力を最小に抑えることができる。
Vth2=1Vとすれば、上式(4)に基づいて、電源電
圧Vod2≧9Vを求めることができる。したがって、電
源電圧Vod2=9Vに設定すれば、トランジスタ7の飽
和電流を保ちつつ、2段目のソースフォロワ回路5の消
費電力を最小に抑えることができる。
【0032】ここで、2段目のソースフォロワ回路5に
流れる電流Iを4mAとすると、このソースフォロワ回
路5の消費電力は、(9V*4mA)=36mWとな
る。これに対して、図3に示す従来例の場合は、ソース
フォロワ回路5の電源電圧として、リセット電圧VR=
15Vを用いているので、その消費電力は、(15V*
4mA)=60mWとなる。両者の消費電力を比較する
と明らかな様に、この実施形態の方が従来例よりも消費
電力が少なく、その差が24mAである。
流れる電流Iを4mAとすると、このソースフォロワ回
路5の消費電力は、(9V*4mA)=36mWとな
る。これに対して、図3に示す従来例の場合は、ソース
フォロワ回路5の電源電圧として、リセット電圧VR=
15Vを用いているので、その消費電力は、(15V*
4mA)=60mWとなる。両者の消費電力を比較する
と明らかな様に、この実施形態の方が従来例よりも消費
電力が少なく、その差が24mAである。
【0033】ところで、上式(4)に基づけば、しきい
値Vth2を大きくすると、電源電圧Vod2を低下させるこ
とができるので、これによっても消費電力の低減を図る
ことができる。
値Vth2を大きくすると、電源電圧Vod2を低下させるこ
とができるので、これによっても消費電力の低減を図る
ことができる。
【0034】例えばトランジスタ7として、しきい値V
th2=5Vのものを適用すれば、上式(4)に基づい
て、電源電圧Vod2≧5Vが求められる(ただし、ゲー
ト電圧Vg=10V )。2段目のソースフォロワ回路5
に流れる電流Iを4mAとすると、その消費電力は、よ
り小さな(5V*4mA)=20mWとなり、図3に示
す従来例の消費電力60mWとの差が40mAとなっ
て、従来の略1/3と言う消費電力の大幅な低減を果た
すことができる。
th2=5Vのものを適用すれば、上式(4)に基づい
て、電源電圧Vod2≧5Vが求められる(ただし、ゲー
ト電圧Vg=10V )。2段目のソースフォロワ回路5
に流れる電流Iを4mAとすると、その消費電力は、よ
り小さな(5V*4mA)=20mWとなり、図3に示
す従来例の消費電力60mWとの差が40mAとなっ
て、従来の略1/3と言う消費電力の大幅な低減を果た
すことができる。
【0035】すなわち、上式(4)に基づいて、電源電
圧Vod2をできるだけ低くし、かつトランジスタ7のし
きい値Vth2を大きくすれば、これによって消費電力の
大幅な低減を果たすことができる。
圧Vod2をできるだけ低くし、かつトランジスタ7のし
きい値Vth2を大きくすれば、これによって消費電力の
大幅な低減を果たすことができる。
【0036】図2は、この発明の第2実施形態を示して
いる。この第2実施形態においては、増幅回路3に3段
目のソースフォロワ回路11を増設しており、この点が
第1実施形態と異なる。
いる。この第2実施形態においては、増幅回路3に3段
目のソースフォロワ回路11を増設しており、この点が
第1実施形態と異なる。
【0037】この第2実施形態では、第1実施形態と同
様に、2段目のソースフォロワ回路5の電源電圧Vod2
を上式(4)に基づいてできるだけ低く設定し、また3
段目のソースフォロワ回路11の電源電圧Vod3を上式
(4)と同様の次式(5)に基づいてできるだけ低く設
定する。
様に、2段目のソースフォロワ回路5の電源電圧Vod2
を上式(4)に基づいてできるだけ低く設定し、また3
段目のソースフォロワ回路11の電源電圧Vod3を上式
(4)と同様の次式(5)に基づいてできるだけ低く設
定する。
【0038】Vod3 ≧Vg3−Vth3 ……… (5) これによって、3段目のソースフォロワ回路11におい
ても、消費電力を小さくすることができる。また、トラ
ンジスタ12のしきい値Vth3を大きくして、電源電圧
Vod3をより低くすれば、更に消費電力を低減すること
ができる。
ても、消費電力を小さくすることができる。また、トラ
ンジスタ12のしきい値Vth3を大きくして、電源電圧
Vod3をより低くすれば、更に消費電力を低減すること
ができる。
【0039】勿論、4段目、5段目のソースフォロワ回
路を増設しても、同様の効果を果たすことができる。
路を増設しても、同様の効果を果たすことができる。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、各ソースフォロワ回路に流れる直流電流が大きい
程、これらのソースフォロワ回路の電源電圧を低くして
いるので、消費電力の増大を抑えることができる。
ば、各ソースフォロワ回路に流れる直流電流が大きい
程、これらのソースフォロワ回路の電源電圧を低くして
いるので、消費電力の増大を抑えることができる。
【0041】また、各ソースフォロワ回路に流れる直流
電流が大きい程、これらのソースフォロワ回路のトラン
ジスタのしきい値を高くし、これによってトランジスタ
を飽和領域で動作させるのに必要な電源電圧を低下さ
せ、消費電力の低減を図り易くしている。
電流が大きい程、これらのソースフォロワ回路のトラン
ジスタのしきい値を高くし、これによってトランジスタ
を飽和領域で動作させるのに必要な電源電圧を低下さ
せ、消費電力の低減を図り易くしている。
【図1】この発明の固体撮像装置の第1実施形態におけ
る信号の取り出し部分を示す回路図
る信号の取り出し部分を示す回路図
【図2】この発明の固体撮像装置の第2実施形態におけ
る信号の取り出し部分を示す回路図
る信号の取り出し部分を示す回路図
【図3】固体撮像装置における従来の信号取り出し部分
を示す回路図
を示す回路図
1 リセット回路 2 フローティングダイオード 3 増幅回路 4,5,11 ソースフォロワ回路 6,7,12 トランジスタ 8,9,13 定電流源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/335 H01L 27/148 H03F 3/345 H03F 3/50
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の光電変換素子と、これらの光電変
換素子によって形成された電荷を転送するためのCCD
と、このCCDによって転送されて来た電荷を電圧に変
換するためのフローティングダイオードと、このフロー
ティングダイオードによって形成された電圧を増幅する
複数段のソースフォロワ増幅回路からなる増幅手段とを
備える固体撮像装置において、 増幅手段の各ソースフォロワ回路に供給されるそれぞれ
の電源電圧を相互に異ならせ、各ソースフォロワ回路に
流れる直流電流が大きい程、これらの電源電圧を低くし
た固体撮像装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の固体撮像装置におい
て、 増幅手段の各ソースフォロワ回路を構成するそれぞれの
トランジスタのしきい値を相互に異ならせ、各ソースフ
ォロワ回路に流れる直流電流が大きい程、これらのソー
スフォロワ回路のトランジスタのしきい値を高くした固
体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26893796A JP3351503B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 固体撮像装置 |
US08/904,283 US5990951A (en) | 1996-10-09 | 1997-07-31 | Solid-state imaging device and method for driving the same |
KR1019970043103A KR100261347B1 (ko) | 1996-10-09 | 1997-08-29 | 고체촬상장치 및 그의 구동방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26893796A JP3351503B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10117306A JPH10117306A (ja) | 1998-05-06 |
JP3351503B2 true JP3351503B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=17465361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26893796A Expired - Fee Related JP3351503B2 (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5990951A (ja) |
JP (1) | JP3351503B2 (ja) |
KR (1) | KR100261347B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3226859B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2001-11-05 | 日本電気株式会社 | 撮像装置 |
JP3415775B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2003-06-09 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
US6677818B2 (en) * | 2000-08-03 | 2004-01-13 | Broadcom Corporation | Method and circuit for a dual supply amplifier |
US20020196352A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-12-26 | Christian Boemler | Compensation of pixel source follower variations in CMOS imager |
JP4055683B2 (ja) | 2003-09-03 | 2008-03-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
KR20050077434A (ko) * | 2004-01-28 | 2005-08-02 | 삼성전자주식회사 | 소비 전력을 줄일 수 있는 고체 촬상 장치 |
JP4299697B2 (ja) * | 2004-03-04 | 2009-07-22 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2006340071A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子用出力アンプ |
JP4620544B2 (ja) | 2005-08-10 | 2011-01-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
KR100718786B1 (ko) | 2005-12-29 | 2007-05-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지 센서 |
JP4792334B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2011-10-12 | 富士フイルム株式会社 | Ccd型固体撮像素子及びその出力回路 |
JP4931160B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-05-16 | 国立大学法人東北大学 | 固体撮像素子 |
JP2009124028A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Fujifilm Corp | 半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3097121B2 (ja) * | 1990-09-27 | 2000-10-10 | ソニー株式会社 | 電荷/電圧変換効率の測定方法 |
JP3069373B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2000-07-24 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置の駆動方法 |
KR950002084A (ko) * | 1993-06-22 | 1995-01-04 | 오가 노리오 | 전하전송장치 |
JP3413664B2 (ja) * | 1993-08-12 | 2003-06-03 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
US5457433A (en) * | 1993-08-25 | 1995-10-10 | Motorola, Inc. | Low-power inverter for crystal oscillator buffer or the like |
JP3274306B2 (ja) * | 1995-01-20 | 2002-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
US5552751A (en) * | 1995-06-06 | 1996-09-03 | Microchip Technology Inc. | Low voltage, low power oscillator having voltage level shifting circuit |
JP3556328B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2004-08-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 内部電源回路 |
JP3586502B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2004-11-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電圧発生回路 |
JP3439581B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2003-08-25 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1996
- 1996-10-09 JP JP26893796A patent/JP3351503B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-31 US US08/904,283 patent/US5990951A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-29 KR KR1019970043103A patent/KR100261347B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100261347B1 (ko) | 2000-07-01 |
US5990951A (en) | 1999-11-23 |
JPH10117306A (ja) | 1998-05-06 |
KR19980032337A (ko) | 1998-07-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5016941B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US11184571B2 (en) | Solid-state imaging device having a lower power consumption comparator | |
US8274590B2 (en) | Solid-state imaging device driving method | |
JP3351503B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
CN101237519B (zh) | 放大型固体摄像装置 | |
US6697114B1 (en) | Triple slope pixel sensor and arry | |
US20080273106A1 (en) | Class AB amplifier and imagers and systems using same | |
US6809768B1 (en) | Double slope pixel sensor and array | |
US8188524B2 (en) | CMOS image sensor with wide dynamic range | |
US6781627B1 (en) | Solid state imaging device and electric charge detecting apparatus used for the same | |
US6730897B2 (en) | Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors | |
KR100775009B1 (ko) | 상관 이중 샘플링 회로 및 이를 구비한 시모스 이미지 센서 | |
JPH05103272A (ja) | Ccd型固体撮像素子 | |
JP4307704B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4025586B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US7176971B2 (en) | Solid-state image pickup device and electronic information apparatus | |
US7468500B2 (en) | High performance charge detection amplifier for CCD image sensors | |
JP2000152090A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4055683B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH08306908A (ja) | 電荷検出装置 | |
JP2986752B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20070242146A1 (en) | Apparatus and methods providing dynamic biasing of cascode transistors in class AB amplifiers | |
JP2001078093A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2007317992A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3027482B2 (ja) | 電荷転送装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020904 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080920 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090920 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |