KR100261347B1 - 고체촬상장치 및 그의 구동방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 고체촬상장치는, 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생되는 전하를 전송하기 위한 전송부; 상기 전송부에 의해 전송된 전하를 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 상기 플로팅 다이오드에 의해 발생된 전압신호를 각각 증폭하는 복수의 소스 폴로워 회로를 포함하는 증폭부를 구비하며, 상기 각각의 소스 폴로워 회로에는 상이한 전원 전압이 공급되고, 상기 각각의 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류가 증가할수록 전원 전압이 감소된다.
Description
제1도는 본 발명의 제1실시예에 사용된 CCD 고체촬상장치의 블럭도.
제2도는 본 발명의 상기 제1실시예에 의한 CCD 고체촬상장치의 신호출력회로를 보인 회로도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 CCD 고체촬상장치의 신호출력회로를 보인 회로도.
제4도는 종래 고체촬상장치의 블럭도.
제5도는 제4도의 종래 고체촬상장치의 종래 신호출력회로를 보인 회로도.
[발명의 목적]
본 발명은 비디오 카메라, 모니터 카메라, 도어 체커 카메라, 차량탑재용 카메라, TV 전화용 카메라 및 멀티미디어용 카메라 등의 카메라 시스템에 적용가능한 고체촬상장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 카메라 시스템의 저전압화 및 저소비 전력화에 기여하는 고체촬상장치 및 그의 구동방법에 관한 것이다.
[발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]
제4도는 종래 고체촬상장치의 구성을 나타낸다. 제4도에 보인 바와 같이, 고체 촬상장치는 매트릭스형태로 배열된 복수의 광전변환 소자(110), 복수의 수직 전송부(130), 및 수평 전송부(140)를 포함한다. 상기 광전변환 소자(110)는 수광소자로서 작용한다. 수직 전송부(130)의 각각은 상기 광전변환 소자(110)의 열을 따라 배열된 전하결합소자(이하, CCD 라 함)로 구성된다. 상기 수평 전송부(140)는 수직 전송부(130)의 하단에 배치된다.
상기 광전변환 소자(110)에 저장된 신호 전하는 매 필드 주기마다 수직 전송부(130)에 전송된다. 다음, 상기 수직 전송부(130)는 다음 필드 주기의 시작전에 수직방향으로(즉, 수직전송부(130)가 연장되는 방향으로) 주입된 신호 전하를 순차적으로 전송한다. 수평 전송부(140)는 상기 수직 전송부(130)로부터 순차적으로 출력되는 신호 전하를 수신하여 이 신호 전하를 수평으로 직렬 전송한다.
상기 수평 전송부(140)로부터 전송되는 신호 전하는 신호출력회로에 의해 신호출력으로서 출력된다. 제5도는 종래 신호 출력 회로의 구성을 개략적으로 보인 것이다.
제5도에 보인 신호 출력 회로는 리셋 회로(1), 플로팅 다이오드(2) 및 증폭회로(3)를 포함한다. 상기 리셋 회로(1)는 전하의 검출에 앞서 플로팅 다이오드(2)에 15V의 리셋 전압 Vr을 인가하며, 이에 따라 플로팅 다이오드(2)의 단자 전압이 리셋 전압 Vr로 설정된다. 그 후, 상기 수평 전송부(140)로부터 전송되는 전하가 플로팅 다이오드(2)에 축적된다. 그 결과, 플로팅 다이오드(2)의 단자전압이 변화한다. 증폭회로(3)는 플로팅 다이오드(2)의 단자전압을 수신하여, 전압의 변화에 따라 신호를 출력한다. 그 후, 리셋 회로(1)는 플로팅 다이오드(2)에 리셋 전압 Vr을 재인가하며, 이에 따라 수평 전송부(140)로부터 전송되는 전하가 플로팅 다이오드(2)에 다시 전송되게 된다.
상기 플로팅 다이오드(2)는 반도체 기판 및 반도체 기판상에 형성된, 전위적으로 플로팅 상태에 있는 확산층 N+을 포함한다. 상기 확산층 N+및 반도체층의 P 웰은 PN접합을 형성하여, 다이오드를 형성하게 된다. 이 다이오드는 또한 커패시터로서 작용한다.
상기 플로팅 다이오드(2)의 전압 Vq 의 변화는 다음 식 1로 표현된다.
[식 1]
Vq=Q/C
단, C는 플로팅 다이오드(2)의 용량이고, Q는 수평 전송부(140)로부터 플로팅 다이오드(2)로 전송되는 전하량이다.
상기 플로팅 다이오드(2)는 현저히 높은 출력 임피던스를 갖기 때문에, 신호를 출력하는 것이 불가능하다. 따라서, 출력 임피던스를 낮추기 위해서는 복수의 소스 폴로워(source follower) 회로(4,5)가 증폭회로(3)에 대해 병렬로 제공된다. 상기 소스 폴로워 회로(4,5)를 통해 상기 전압 Vq의 변화에 대응하는 신호가 출력된다.
상기 소스 폴로워 회로(4)의 트랜지스터(6)의 소스에는 정전류원(8)이 접속되며 상기 소스 폴로워 회로(5)의 트랜지스터(7)의 소스에는 정전류원(9)이 접속되어 있다. 상기 정전류원(9)의 각각은 트랜지스터에 의해 구성된다.
복수의 소스 폴로워 회로(5)가 병렬로 제공되는 이유는 다음과 같다.
우선, 소스 폴로워 회로의 출력 임피던스 Rout는 하기 식 2로 표시된다.
[식 2]
Rout는 ∝ [(w/s) x I]-1/2
단, W 는 소스 폴로워 회로의 트랜지스터의 게이트폭, I은 드레인에서 소스로 흐르는 전류이다.
식 2로부터 명백한 바와 같이, 소스 폴로워 회로의 출력 임피던스 Rout는 (W/L) x I]의 치를 증가시킴으로써 낮출 수 있다.
그러나, 게이트폭 W 가 증가하면, 식 1에 있어서의 플로팅 다이오드(2)의 용량 C도 따라서 증가한다. 이에 의해 전압 Vq의 변화가 감소되기 때문에 게이트폭 W을 증가시키는 것은 소스 폴로워 회로의 출력 임피던스를 낮추기 위해 바람직하지 않다. 실제로, 트랜지스터가 노이즈 등의 영향을 받지 않도록 하기 위해 게이트 폭 W 은 가능한한 작게 되어야 한다.
출력 임피던스 Rout를 낮추기 위해서는 게이트 길이 L을 작게 하거나 또는 전류 I를 증가시킬 수도 있다. 그러나, 게이트 길이 L의 감소 또는 전류 I 의 증가는 노이즈 영향에 의해 제한된다.
소스 폴로워 회로가 채용되더라도 단일 소스 폴로워 회로만으로는 출력 임피던스 Rout를 충분히 낮출수 없기 때문에, 복수의 소스 폴로워 회로를 병렬로 제공하여 입력신호를 이 복수의 소스 폴로워 회로를 통과시킴으로써 출력 임피던스를 서서히 감소시킨다.
특히, 복수의 소스 폴로워 회로는, 입력신호를 소스 폴로워 회로를 통과시킴으로써 (W/L) x I 의 값을 증가시켜 출력임피던스를 감소시키도록 설계된다. 이와 같은 구성에 따라, 소스 폴로워의 최종단은 3∼4mA 이상의 전류를 필요로 한다.
예컨대, 일본국 특허공개공보 3-274811, 5-251677 및 6-70239호는 복수의 소스 폴로워 회로를 채용한 고체촬상장치를 기술하고 있다.
복수의 소스 폴로워 회로(4,5)가 채용된 경우, 전원 전압을 하이레벨로 설전하는 것이 바람직하며, 그 이유는 다음과 같다. 소스 폴로워 회로의 입력에서 출력으로 흐름에 따라 직류 전압레벨이 저하되며, 이 전압이 어느 일정전압(즉, 트랜지스터에 의해 구성되는 정전류원(8,9)이 동작하지 않는 하한 전압) 이하로 되면, 소스 폴로워 회로(4,5)는 동작하지 않게 된다. 소스 폴로워 회로가 동작할 수 있게 되는 직류전압 레벨의 범위는 전원 전압이 높을수록 증가한다. 따라서, 전원전압을 하이레벨로 설전하는 것이 다이나믹 레인지의 측면에서 유리하다.
이와 같은 높은 전원 전압 Vod1을 확보하기 위하여, 전술한 플로팅 다이오드(2)의 비교적 높은 15V 의 리셋 전압을 사용함으로써, 시스템이 간략화될 수 있다.
그러나, 전원 전압 Vod1 이 높게 설정되는 경우, 소스 폴로워 회로의 출력 임피던스 Rout를 저허시키기 위해 소스 폴로워 회로를 통과하는 전류가 증가하기 때문에 소비전력이 커지는 문제가 있다.
[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]
본 발명의 고체촬상장치는, 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생되는 전하를 전송하기 위한 전송부; 상기 전송부에 의해 전송된 전하를 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 상기 플로팅 다이오드에 의해 발생된 전압신호를 각각 증폭하는 복수의 소스 폴로워 회로를 포함하는 증폭부를 구비하고, 상기 각각의 소스 폴로워 회로에는 상이한 전원 전압이 공급되고, 상기 각각의 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류가 증가함에 따라 전원 전압이 감소된다.
본 발명의 1 실시예에서, 상기 소스 폴로워 회로들중 하나를 각각 구성하는 트랜지스터들은 각각 상이한 문턱치(threshold)를 갖고, 각각의 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류가 증가함에 따라 상기 소스 폴로워 회로의 트랜지스터의 문턱치가 증가한다.
본 발명의 한 양태에 의한 고체촬상장치는, 매트릭스형태로 배열된 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생된 전하를 전송하기 위한 전송부; 상기 전송부에 의해 전송된 전하를 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 제1 전류가 흐르는 제 1소스 폴로워 회로와 제 2전류가 흐르는 제2 소스 폴로워 회로를 포함하고, 상기 제2 전류가 제 1전류보다 높은 값을 갖는, 전압신호를 증폭하기 위한 증폭부를 구비하고, 상기 제 1소스 폴로워 회로를 동작시키기 위한 제 1전압이 상기 제 1소스 폴로워 회로에 인가되고, 상기 제 2소스 폴로워 회로를 동작시키기 위한 제 2전압이 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가되며, 상기 제2 전압은 상기 제1 전압보다 낮게 설정된다.
본 발명의 1실시예에서, 상기 제 1소스 폴로워 회로는 제 1트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제 2소스 폴로워 회로는 제 2트랜지스터에 의해 형성되며, 상기 제 2트랜지스터의 문턱치는 제 1트랜지스터의 문턱치보다 높다.
본 발명의 다른 실시예에서, 상기 증폭부는 제 3전류가 흐르는 제 3소스 폴로워 회로를 더 포함하고, 상기 제 3전류는 제 2소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 제 2전류보다 높고, 상기 제 3소스 폴로워 회로에 인가되며, 상기 제 3소스 폴로워 회로를 동작시킬 수 있는 전압이 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가되는 제 2 전압보다 낮게 설정된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 1소스폴로워 회로는 제 1트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제 2소스 폴로워 회로는 제 2트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제 3소스 폴로워 회로는 제 3트랜지스터에 의해 형성되며, 상기 제 3트랜지스터의 문턱치는 제 2트랜지스터의 문턱치보다 높고, 상기 제 2트랜지스터의 문턱치는 제 1트랜지스터의 문턱치보다 높게 설정된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가되는 제 2 전압은 15V 이하이다.
본 발명의 또 다른 양태에 의한, 매트릭스형태로 배열된 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생된 전하를 전송하기 위한 전송부; 상기 전송부에 의해 전송된 전하를 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 제 1전류가 흐르는 제 1소스 폴로워 회로와 제 2전류가 흐르는 제2 소스 폴로워 회로를 포함하고, 상기 제 2전류가 제 1전류보다 높은 값을 갖는, 전압신호를 증폭하기 위한 증폭부를 포함하는 고체촬상장치의 구동방법은, 상기 제 1소스 폴로워 회로를 동작시키기 위해 제 1전압을 상기 제 1소스 폴로워 회로에 인가하는 스텝, 및 상기 제 2소스폴로워 회로를 동작시키기 위해 제 2전압을 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가하는 스텝을 포함하며, 상기 제 2전압은 상기 제 1전압보다 낮게 설정된다.
본 발명의 1실시예에서, 상기 제2 소스 폴로워 회로에 인가되는 제 2전압은 15V 이하이다.
따라서, 본 발명은 (1) 소비전력을 억제하면서 복수의 소스 폴로워 회로를 채용한 고체촬상장치를 제공하고, (2)이와 같은 고체촬상장치의 구동방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
[발명의 구성 및 작용]
[실시예 1]
제1도는 실시예 1의 CCD 고체촬상장치의 구성을 나타낸다. 제1도에 보인바와같이, CCD 고체촬상장치는 매트릭스형태로 배열된 복수의 광전변환 소자(110), 복수의 수직 전송부(130), 및 수평 전송부(140)를 포함한다. 상기 광전변환 소자(110)는 수광소자로서 작용한다. 수직 전송부(130)의 각각은 상기 광전변환 소자(110)의 열을 따라 배열된 CCD 로 구성된다. 상기 수평 전송부(140)는 수직 전송부(130)의 하단에 배치된다.
상기 광전변환 소자(110)에 저장된 신호 전하는 매 필드 주기마다 수직 전송부(130)에 전송된다. 다음, 상기 수직 전송부(130)는 다음 필드 주기의 시작전에 수직방향으로(즉, 수직 전송부(130)가 연장되는 방향으로)주입된 신호 전하를 순차적으로 전송한다. 수평 전송부(140)는 상기 수직 전송부(130)로부터 순차적으로 출력되는 신호 전하를 수신하여 이 신호 전하를 수평으로 직렬 전송한다.
실시예 1의 고체촬상장치는 제2도에 보인 바와 같이 수평 전송부(140)로부터 전송된 신호 전하를 신호출력으로서 출력하기 위한 신호출력회로를 포함한다. 제2도에 보인 신호출력회로는 수평 전송부(140)의 출력부에 접속된다. 상기 신호출력회로는 리셋 회로(1), 플로팅 다이오드(2), 및 증폭회로(3)을 포함한다. 상기 증폭회로(3)는 병렬로 제공된 제 1소스 폴로워 회로(4) 및 제2 소스 폴로워 회로(5)를 포함한다.
상기 리셋 회로(1)는 전하의 검출에 앞서 플로팅 다이오드(2)에 약 15V 의 리셋 전압 Vr을 인가하며, 이에 따라 플로팅 다이오드(2)의 단자전압이 리셋 전압 Vr로 설정된다. 그 후, 상기 수평 전송부(140)로부터 전송되는 전하가 플로팅 다이오드 (2)에 축적된다. 그 결과, 플로팅 다이오드(2)의 단자전압이 변화한다. 증폭회로(3)는 플로팅 다이오드(2)의 단자전압을 공급받아, 전압의 변화에 따라 신호를 출력한다. 그 후, 리셋회로(1)는 플로팅 다이오드(2)에 리셋 전압 Vr을 재인가하며, 이에 따라 수평 전송부(140)로부터 전송되는 전하가 플로팅 다이오드(2)에 다시 전송되게 된다.
실시예 1에서, 상기 리셋 전압 Vr 보다 낮은 전원 전압 Vod2가 증폭회로(3)의 제 2소스 폴로워 회로(5)용 전원 전압으로 사용된다. 이 점에서, 실시예 1의 신호출력회로는 제 2소스 폴로워 회로(5)의 전원 전압으로서 15V 의 리셋 전압 Vr을 사용하는 종래 신호 출력회로(제5도 참조)와 상이하다.
그러나, 제 1소스 폴로워 회로(4)는 종래 신호 출력 회로와 같이 전원 전압 Vod1 로서 15V 의 리셋 전압 Vr을 사용한다. 제 1소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 전류는 약 200∼300μA 정도로 적기 때문에, 소스 폴로워 회로(4)의 전원 전압 Vod1 이 낮더라도 소비전력의 현저한 감소는 기대할 수 없다.
한편, 약 3∼4mA 의 전류가 제 2소스 폴로워 회로(5)를 통해 흐르기 때문에, 소스 폴로워 회로(5)의 전원 전압 Vod2를 낮춤으로써 전류와 전압의 곱에 의해 얻어지는 소비전려이 절감될 수 있다.
제 2 소스 폴로워 회로(5)의 전원 전압 Vod2은 다음과 같이 결정될 수 있다.
우선, 제 2소스 폴로워 회로(5)가 통상적인 동작을 행할 수 있도록 하기 위해서는 트랜지스터를 그의 전류포화영역에서 동작시키는 것이 좋다. 그 조건은 다음 식 3으로 표시된다.
[식 3]
(Vod2-Vos) ≥ (Vg-Vos)-Vth2
단, Vos 는 트랜지스터(7)의 소스 전압, Vg 는 게이트전압, Vth2 는 트랜지스터 (7)의 문턱치이다.
식 3에서 소스 전압 Vos를 소거하면, 다음 식 4가 얻어진다.
[식 4]
Vod2 ≥ Vg- Vth2
식 4에 의해 결정되는 범위내에서는, 제2 소스 폴로워 회로(5)의 전원 전압 Vod2을 어떤 치로 설정하여도 포화된 전류를 흐르게 할 수 있다. 식 4에 의해 정해진 범위내에서 전원 전압 Vod2 가 최소화되면, 소스 폴로워 회로(5)의 전력을 억제하는 것이 가능하다.
예컨대, 게이트전압 Vg 가 10V 이고 문턱치 Vth 가 1V 라고 하면, 상기 식 4에 기초하여 9V 이상의 전원 전압 Vod2 가 얻어질 수 있다. 따라서, 전원 전압 Vod2 가 9V로 설정되면, 트랜지스터(7)의 포화전류를 유지하면서 제 2소스폴로워 회로(5)의 소비전력을 최소화할 수 있다.
제 2소스 폴로워 회로(2)를 통해 흐르는 전류 I 가 4mA라 하면, 소스 폴로워 회로(5)의 소비전력은 (9V x 4mA), 즉 36mW 이다. 한편, 제5도에 보인 종래예에 있어서는 15V의 리셋 전압 Vr이 소스 폴로워 회로(5)의 전원 전압으로 사용되기 때문에, 소비전력은 (15V x 4mA), 즉 60mW이다. 소비전력의 비교로부터 명백한 바와 같이, 제1도의 전력소비는 종래예보다 적다. 소비전력의 차는 24mW 이다.
상기 식 4에 기초하여, 문턱치 Vth2를 증가시킴으로써 전원 전압 Vod2를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 문턱치 Vth2를 증가시킴으로써 소비전력을 감소시킬 수 있다.
예컨대, 5V의 문턱치 Vth2를 갖는 트랜지스터(7)를 채용하는 경우, 식 4에 기초하여 5V 이상의 전원 전압 Vod2가 얻어질수 있다(이 경우 게이트 전압 Vg는 10V 이다). 제2소스 폴로워 회로(2)를 통해 흐르는 전류 I 가 4mA 라하면, 그의 소비전력은 (5V x 4mA), 즉 20mW 로 더욱 감소된다. 이에 따라, 실시예 1의 소비전력과 제6도에 보인 종래예의 소비전력(60mW) 사이의 차는 40mW이며; 소비전력은 종래예의 약 1/3로 감소된다.
따라서, 식 4에 기초하여 전원 전압 Vod2를 가능한한 적게하고 트랜지스터(7)의 문턱치 Vth2를 증가시키면 소비전력이 크게 감소된다.
[실시예 2]
제3도는 본 발명에 의한 실시예 2의 신호출력 회로를 보인 회로도이다. 실시예 2는 제3 소스폴로워 회로(11)가 증폭회로(93)에 추가로 제공되는 점에서 실시예 1과 다르다.
실시예 2에서, 제2 소스폴로워 회로(5)의 전원 전압 Vod2 는 실시예 1의 식 4에 기초하여 가능한한 적게 설정된다. 제 3소스 폴로워 회로(11)의 전원 전압 Vod3는 하기 식 5에 기초하여 가능한한 적게 설정된다.
[식 5]
Vod3 ≥ Vg3-Vth3
그 결과, 제 3소스 폴로워 회로(3)에 있어서의 소비전력도 감소된다. 또한, 전원 전압 Vod3를 더욱 감소시키기 위해 제 3소스 폴로워 회로(11)의 트랜지스터 (12)의 문턱치 Vth3를 증가시키면 소비전력이 더욱 감소된다.
물론, 제 4소스 폴로워 회로, 제5 소스 폴로워 회로등을 부가적으로 제공함으로써 동일한 효과가 얻어질 수 있다.
[발명의 효과]
상기한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 각 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류를 증가시킬수록 소스 폴로워 회로의 전원 전압을 낮출 수 있다.
또한, 각 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류가 커질수록 소스 폴로워 회로의 트랜지스터에 대한 문턱치가 높아진다. 트랜지스터를 포화범위내에서 동작시킬 필요가 있는 전원 전압을 저하시킴으로써 전원 전압을 용이하게 감소시킬 수 있다.
본 발명의 범위와 정신을 벗어나지 않고도 당업자들에 의해 각종 변형예들이 용이하게 실시될 수 있을 것이다. 따라서, 첨부된 특허청구의 범위는 본 명세서의 설명내용에 제한되지 않고, 더 넓게 해석되어야 한다.
Claims (9)
- 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생되는 전하를 전송하기 위한 전송부; 상기 전송부에 의해 전송된 전하를 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 상기 플로팅 다이오드에 의해 발생된 전압신호를 각각 증폭하는 복수의 소스 폴로워 회로를 포함하는 증폭부를 구비하며, 상기 각각의 소스 폴로워 회로에는 상이한 전원 전압이 공급되고, 상기 각각의 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류가 증가함에 따라 전원 전압이 감소되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제1항에 있어서, 상기 소스 폴로워 회로들중 하나를 각각 구성하는 트랜지스터들은 각각 상이한 문턱치를 갖고, 각각의 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 직류 전류가 증가함에 따라 상기 소스 폴로워 회로의 트랜지스터의 문턱치가 증가하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 매트릭스형태로 배열된 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생된 전하를 제2트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제3소스플로워 회로는 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 제 1전류가 흐르는 제1 소스 폴로워 회로와 제 2전류가 흐르는 제2 소스 폴로워 회로를 포함하고, 상기 제 2전류가 제 1전류보다 높은 값을 갖는, 전압신호를 증폭하기 위한 증폭부를 구비하며, 상기 제 1소스 폴로워 회로를 동작시키기 위한 제 1전압이 상기 제 1소스 폴로워 회로에 인가되고, 상기 제 2소스 폴로워 회로를 동작시키기 위한 제 2전압이 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가되며, 상기 제 2전압은 상기 제 1 전압보다 낮게 설정되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제 1소스 폴로워 회로는 제 1트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제 2소스 폴로워 회로는 제2 트랜지스터에 의해 형성되며, 상기 제 2트랜지스터의 문턱치는 제 1트랜지스터의 문턱치보다 높은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제3항에 있어서, 상기 증폭부는 제 3전류가 흐르는 제 3 소스 폴로워 회로를 더 포함하고, 상기 제 3전류는 제 2 소스 폴로워 회로를 통해 흐르는 제 2 전류보다 높고, 상기 제 3소스 폴로워 회로에 인가되고, 상기 제 3소스 폴로워 회로를 동작시킬 수 있는 전압이 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가되는 제 2전압보다 낮게 설정되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제 1소스 폴로워 회로는 제 1트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제 2소스 폴로워 회로는 제 2트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제 3소스 폴로워 회로는 제2트랜지스터에 의해 형성되고, 상기 제3소스 폴로워 회로는 제3 트랜지스터에 의해 형성되며, 상기 제 3트랜지스터의 문턱치는 제 2트랜지스터의 문턱치보다 높고, 상기 제 2트랜지스터의 문턱치는 제 1 트랜지스터의 문턱치보다 높은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제2소스 폴로워 회로에 인가되는 제2전압은 15V 이하인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 매트릭스형태로 배열된 복수의 광전변환소자; 상기 광전변환소자에 의해 발생된 전하를 전송하기 위한 전송부; 상기 전송부에 의해 전송된 전하를 전압신호로 변환하기 위한 플로팅 다이오드; 및 제 1전류가 흐르는 제 1소스 폴로워 회로와 제 2전류가 흐르는 제 2소스 폴로워 회로를 포함하고, 상기 제 2전류가 제 1전류보다 높은 값을 갖는, 전압신호를 증폭하기 위한 증폭부를 포함하는 고체촬상장치의 구동방법으로서, 상기 제 1소스 폴로워 회로를 동작시키기 위해 제 1전압을 상기 제 1소스 폴로워 회로에 인가하는 스텝, 및 상기 제 2소스 플로워 회로를 동작시키기 위해 제 2전압을 상기 제 2소스 플로워 회로에 인가하는 스텝을 포함하며, 상기 제 2전압은 상기 제 1전압보다 낮게 설정되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 구동방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제 2소스 폴로워 회로에 인가되는 제 2전압은 15V 이하인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 구동방법.
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