JP2002151646A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱疲労試験を行ったときに、熱応力の影響に
よる内部圧力分布の不均一性を改善するように構成され
たマルチチップ圧接型半導体装置を提供する。 【解決手段】 ＭＯＳゲート駆動型チップ１を含む複数
の半導体チップ１、２の各終端部に合成樹脂のチップフ
レーム７を装着し、各チップを互いにそのチップフレー
ムを接するように同一平面に配列し、これらを第１の電
極板４及び第２の電極板３で圧接し固定するマルチチッ
プ圧接型半導体装置を構成する。その外囲器を構成する
キャップ５はビッカーズ硬度５０以上、好ましくは８０
以上の銅もしくは銅合金を用いる。熱疲労試験中の温度
変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化に対しても弾性
変形するキャップを用いることにより、半導体装置内部
の面圧の均一性を保つことが可能となり、圧力抜けによ
るチップ電極のせり出しや摺動によるチップ特性劣化が
防止できる。
よる内部圧力分布の不均一性を改善するように構成され
たマルチチップ圧接型半導体装置を提供する。 【解決手段】 ＭＯＳゲート駆動型チップ１を含む複数
の半導体チップ１、２の各終端部に合成樹脂のチップフ
レーム７を装着し、各チップを互いにそのチップフレー
ムを接するように同一平面に配列し、これらを第１の電
極板４及び第２の電極板３で圧接し固定するマルチチッ
プ圧接型半導体装置を構成する。その外囲器を構成する
キャップ５はビッカーズ硬度５０以上、好ましくは８０
以上の銅もしくは銅合金を用いる。熱疲労試験中の温度
変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化に対しても弾性
変形するキャップを用いることにより、半導体装置内部
の面圧の均一性を保つことが可能となり、圧力抜けによ
るチップ電極のせり出しや摺動によるチップ特性劣化が
防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧接型半導体装置
に係り、とくに複数の半導体素子を有するＩＧＢＴ（In
sulated Gate Bipolar Transisitor）などのＭＯＳゲー
ト駆動型スイッチングデバイスを用いるマルチチップ圧
接型外囲器に関する。
に係り、とくに複数の半導体素子を有するＩＧＢＴ（In
sulated Gate Bipolar Transisitor）などのＭＯＳゲー
ト駆動型スイッチングデバイスを用いるマルチチップ圧
接型外囲器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、圧接型半導体装置は、単一の半導
体基板に形成された単一の半導体素子（以下、チップと
いう）を圧接する構造しかなかった。圧接型半導体装
置、例えば、アノードショート型ＧＴＯサイリスタは、
円板型のチップを備え、Ｐ型エミッタ層、Ｎ型ベース
層、Ｐ型ベース層、Ｎ型エミッタ層が形成されている。
Ｎ型エミッタ層は、Ｐ型ベース層の上にメサ状に形成さ
れ、Ｎ型エミッタ層上にはＡｌからなるカソード電極が
形成されている。また、Ｐ型ベース層上にはＡｌからな
るゲート電極が形成されている。Ｎ型ベース層の表面内
にはＰ型エミッタ層が形成されている。Ａｌからなるア
ノード電極は、Ｐ型エミッタ層及びＮ型ベース層上にま
たがるように形成されてアノード短絡型ＧＴＯ（Gate T
urn-Off)を構成している。チップの側面は、絶縁保護の
ため、例えば、シリコーン樹脂で被覆されている。そし
て、チップの側面はアノード／カソード間の耐圧維持の
ためベベル形状に加工されることもある。
体基板に形成された単一の半導体素子（以下、チップと
いう）を圧接する構造しかなかった。圧接型半導体装
置、例えば、アノードショート型ＧＴＯサイリスタは、
円板型のチップを備え、Ｐ型エミッタ層、Ｎ型ベース
層、Ｐ型ベース層、Ｎ型エミッタ層が形成されている。
Ｎ型エミッタ層は、Ｐ型ベース層の上にメサ状に形成さ
れ、Ｎ型エミッタ層上にはＡｌからなるカソード電極が
形成されている。また、Ｐ型ベース層上にはＡｌからな
るゲート電極が形成されている。Ｎ型ベース層の表面内
にはＰ型エミッタ層が形成されている。Ａｌからなるア
ノード電極は、Ｐ型エミッタ層及びＮ型ベース層上にま
たがるように形成されてアノード短絡型ＧＴＯ（Gate T
urn-Off)を構成している。チップの側面は、絶縁保護の
ため、例えば、シリコーン樹脂で被覆されている。そし
て、チップの側面はアノード／カソード間の耐圧維持の
ためベベル形状に加工されることもある。
【０００３】カソード電極には圧力が加えられるカソー
ド外部電極が電極板及びＣｕからなる軟金属板を介して
圧接されている。アノード電極には、圧力が加えられる
アノード外部電極がモリブデン（Ｍｏ）電極板を介して
圧接されている。ゲート電極には、ゲートリードがゲー
ト圧接用ばねにより圧接されている。このゲートリード
の一端は、筒状の外囲器の側壁にろう付けされた金属ス
リーブを挿通していて外囲器の外部に導出されている。
金属スリーブにはシールが設けられておりチップは外囲
器内に封止される。
ド外部電極が電極板及びＣｕからなる軟金属板を介して
圧接されている。アノード電極には、圧力が加えられる
アノード外部電極がモリブデン（Ｍｏ）電極板を介して
圧接されている。ゲート電極には、ゲートリードがゲー
ト圧接用ばねにより圧接されている。このゲートリード
の一端は、筒状の外囲器の側壁にろう付けされた金属ス
リーブを挿通していて外囲器の外部に導出されている。
金属スリーブにはシールが設けられておりチップは外囲
器内に封止される。
【０００４】ところで、新しいＭＯＳゲート駆動型スイ
ッチングデバイスとしてＩＧＢＴが登場したが、これ
は、バイポーラトランジスタの有する高耐圧、大容量化
が容易であるという長所と、パワーＭＯＳＦＥＴの有す
る高速なスイッチングが可能で駆動も容易であるという
長所を合せ持つデバイスである。このＩＧＢＴを用いた
スイッチングデバイスにフリーホイールダイオード（Ｆ
ＲＤ）を組み込んだ逆導通型スイッチングデバイスがあ
る。このデバイスは、ＩＧＢＴにＦＲＤを逆並列に接続
したものである。このデバイスは、ヒートシンクに利用
されるベースにＡｌＮなどの絶縁基板を取り付け、絶縁
基板には所定のパターンを有するコレクタ電極及びエミ
ッタ電極、エミッタ制御電極、ゲート電極を形成してい
る。このコレクタ電極上にそれぞれ複数のＩＧＢＴチッ
プ及びＦＲＤチップが半田接合され、各電極とチップと
はボンディングワイヤなどで適宜接続されている。この
モジュール構造のスイッチングデバイスに搭載されるＩ
ＧＢＴチップは、ゲート、エミッタのボンディングパッ
ド以外は、表面をポリイミドなどのパッシベーション膜
で被覆されている。
ッチングデバイスとしてＩＧＢＴが登場したが、これ
は、バイポーラトランジスタの有する高耐圧、大容量化
が容易であるという長所と、パワーＭＯＳＦＥＴの有す
る高速なスイッチングが可能で駆動も容易であるという
長所を合せ持つデバイスである。このＩＧＢＴを用いた
スイッチングデバイスにフリーホイールダイオード（Ｆ
ＲＤ）を組み込んだ逆導通型スイッチングデバイスがあ
る。このデバイスは、ＩＧＢＴにＦＲＤを逆並列に接続
したものである。このデバイスは、ヒートシンクに利用
されるベースにＡｌＮなどの絶縁基板を取り付け、絶縁
基板には所定のパターンを有するコレクタ電極及びエミ
ッタ電極、エミッタ制御電極、ゲート電極を形成してい
る。このコレクタ電極上にそれぞれ複数のＩＧＢＴチッ
プ及びＦＲＤチップが半田接合され、各電極とチップと
はボンディングワイヤなどで適宜接続されている。この
モジュール構造のスイッチングデバイスに搭載されるＩ
ＧＢＴチップは、ゲート、エミッタのボンディングパッ
ド以外は、表面をポリイミドなどのパッシベーション膜
で被覆されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＧＴＯサイリス
タなどから構成された圧接型半導体装置は、１つのチッ
プを圧接する構造しかないので素子の大容量化が困難で
あるという問題がある。即ち、素子の電流定格を増大さ
せるためには、チップサイズを大きくする必要があっ
た。しかし、ＩＧＢＴなどのＭＯＳゲート型スイッチン
グデバイスのような高速パワー素子のチップサイズを大
きくすると、微細加工が困難になる、修復不能な欠陥を
含む可能性が高くなって不良率が増す、などの問題が生
じている。また、この半導体装置は、高機能化、高付加
価値化が困難であるという問題がある。例えば、逆導通
型ＩＧＢＴを製造する場合、１つのウェーハ内にＩＧＢ
ＴとＦＲＤの２つの異なるデバイス構造を製造しなけれ
ばならないので、製造プロセスが複雑で製造困難にな
る。このような従来の問題を解決する技術としてマルチ
チップ圧接構造が考え出された（特願平６−２４６９２
７号参照）。
タなどから構成された圧接型半導体装置は、１つのチッ
プを圧接する構造しかないので素子の大容量化が困難で
あるという問題がある。即ち、素子の電流定格を増大さ
せるためには、チップサイズを大きくする必要があっ
た。しかし、ＩＧＢＴなどのＭＯＳゲート型スイッチン
グデバイスのような高速パワー素子のチップサイズを大
きくすると、微細加工が困難になる、修復不能な欠陥を
含む可能性が高くなって不良率が増す、などの問題が生
じている。また、この半導体装置は、高機能化、高付加
価値化が困難であるという問題がある。例えば、逆導通
型ＩＧＢＴを製造する場合、１つのウェーハ内にＩＧＢ
ＴとＦＲＤの２つの異なるデバイス構造を製造しなけれ
ばならないので、製造プロセスが複雑で製造困難にな
る。このような従来の問題を解決する技術としてマルチ
チップ圧接構造が考え出された（特願平６−２４６９２
７号参照）。
【０００６】マルチチップ圧接型半導体装置は、ＭＯＳ
ゲート駆動型チップを含む複数の半導体チップの各終端
部に合成樹脂のチップフレームを装着し、各チップを互
いにそのチップフレームを接するように同一平面に配列
し、これらを第１の中間導電板及び第２の中間導電板で
圧接し固定するように構成されている。すなわち、マル
チチップ圧接型半導体装置は、周囲を絶縁性樹脂のチッ
プフレームによって囲まれた複数の半導体素子と、前記
半導体素子の第１の面に接する第１の中間導電板と、前
記半導体素子の第２の面に接する第２の中間導電板と、
前記第１の中間導電板に接する部分を有する銅もしくは
銅の合金からなる第１の電極板と、前記第２の中間導電
板に接する部分を有する銅もしくは銅の合金からなる第
２の電極板と、前記半導体素子を互いに前記チップフレ
ームが接するように同一平面に配置しこれら同一平面に
配置された前記半導体素子を前記第１の中間導電板及び
前記第２の中間導電板とで上下から圧接してなることを
特徴としている。このマルチチップ圧接型半導体装置
は、セラミックアセンブリ本体とこれに取り付けられた
第１の電極板及び第２の電極板から外囲器が構成されて
いる。この第１の電極板及び第２の電極板には外周にそ
れぞれ金属性のリングクッション材が溶接などにより取
り付けられており、第２の電極板にはフレームが取り付
けられている。フレームは、リングクッション材を介し
て第２の電極板に接合されている。そして、セラミック
アセンブリ本体に半導体素子及びこの半導体素子を上下
から挟む第１の中間導電板及び第２の中間導電板を収容
し、この本体に第２の電極板及び第１の電極板を上下か
ら封止して外囲器が形成される。
ゲート駆動型チップを含む複数の半導体チップの各終端
部に合成樹脂のチップフレームを装着し、各チップを互
いにそのチップフレームを接するように同一平面に配列
し、これらを第１の中間導電板及び第２の中間導電板で
圧接し固定するように構成されている。すなわち、マル
チチップ圧接型半導体装置は、周囲を絶縁性樹脂のチッ
プフレームによって囲まれた複数の半導体素子と、前記
半導体素子の第１の面に接する第１の中間導電板と、前
記半導体素子の第２の面に接する第２の中間導電板と、
前記第１の中間導電板に接する部分を有する銅もしくは
銅の合金からなる第１の電極板と、前記第２の中間導電
板に接する部分を有する銅もしくは銅の合金からなる第
２の電極板と、前記半導体素子を互いに前記チップフレ
ームが接するように同一平面に配置しこれら同一平面に
配置された前記半導体素子を前記第１の中間導電板及び
前記第２の中間導電板とで上下から圧接してなることを
特徴としている。このマルチチップ圧接型半導体装置
は、セラミックアセンブリ本体とこれに取り付けられた
第１の電極板及び第２の電極板から外囲器が構成されて
いる。この第１の電極板及び第２の電極板には外周にそ
れぞれ金属性のリングクッション材が溶接などにより取
り付けられており、第２の電極板にはフレームが取り付
けられている。フレームは、リングクッション材を介し
て第２の電極板に接合されている。そして、セラミック
アセンブリ本体に半導体素子及びこの半導体素子を上下
から挟む第１の中間導電板及び第２の中間導電板を収容
し、この本体に第２の電極板及び第１の電極板を上下か
ら封止して外囲器が形成される。
【０００７】第２の電極板のリングクッションにフレー
ムを取り付けるには、例えば、Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金を
材料とするフレームを銀臘などを用いて５００℃〜６０
０℃の高温でアニール処理を行なう臘付けによってい
る。従来のマルチチップ圧接型半導体装置の外囲器は、
その製造工程において、前記臘付け処理によるアニール
工程を行う結果、Ｃｕなどから構成された第２の電極板
や第１の電極板の硬度がビッカーズ硬度３０〜４０と低
くなり、したがって、柔らかくなり、塑性変形する構造
となっていた。そのためこの圧接型半導体装置に対して
熱疲労試験を行うと、試験中の温度上昇／下降時に、素
子内温度温度分布によって変形の度合いに差が生じ、結
果的に圧接型半導体装置が部分的に面圧が強くなった
り、圧力抜けを起こす場合があり、チップ電極に異常な
摺動やせり出しを生じせしめ、熱疲労耐量を低下させる
という問題があった。このような熱処理がなければ銅及
びその合金は、通常ビッカーズ硬度８０以上の圧接時に
弾性変形を維持する固さがある。銅の場合は、ビッカー
ズ硬度が５０以上ならば圧接時に弾性変形領域にある。
本発明は、このような事情により成されたものであり、
熱疲労試験を行ったときに、熱応力の影響による内部圧
力分布の不均一性を改善するように構成されたマルチチ
ップ圧接型半導体装置を提供する。
ムを取り付けるには、例えば、Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金を
材料とするフレームを銀臘などを用いて５００℃〜６０
０℃の高温でアニール処理を行なう臘付けによってい
る。従来のマルチチップ圧接型半導体装置の外囲器は、
その製造工程において、前記臘付け処理によるアニール
工程を行う結果、Ｃｕなどから構成された第２の電極板
や第１の電極板の硬度がビッカーズ硬度３０〜４０と低
くなり、したがって、柔らかくなり、塑性変形する構造
となっていた。そのためこの圧接型半導体装置に対して
熱疲労試験を行うと、試験中の温度上昇／下降時に、素
子内温度温度分布によって変形の度合いに差が生じ、結
果的に圧接型半導体装置が部分的に面圧が強くなった
り、圧力抜けを起こす場合があり、チップ電極に異常な
摺動やせり出しを生じせしめ、熱疲労耐量を低下させる
という問題があった。このような熱処理がなければ銅及
びその合金は、通常ビッカーズ硬度８０以上の圧接時に
弾性変形を維持する固さがある。銅の場合は、ビッカー
ズ硬度が５０以上ならば圧接時に弾性変形領域にある。
本発明は、このような事情により成されたものであり、
熱疲労試験を行ったときに、熱応力の影響による内部圧
力分布の不均一性を改善するように構成されたマルチチ
ップ圧接型半導体装置を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＭＯＳゲート
駆動型チップを含む複数の半導体チップの各終端部に合
成樹脂のチップフレームを装着し、各チップを互いにそ
のチップフレームを接するように同一平面に配列し、こ
れらを第１の中間導電板及び第２の中間導電板で圧接し
固定するマルチチップ圧接型半導体装置において、その
外囲器を構成する第２の電極板をビッカーズ硬度５０以
上、好ましくは８０以上の銅もしくは銅合金を用いるこ
とを特徴としている。熱疲労試験中の温度変化に伴う面
圧分布すなわち応力の変化に対しても弾性変形する第２
の電極板を用いることにより、半導体装置内部の面圧の
均一性を保つことが可能となり、圧力抜けによるチップ
電極のせり出しや摺動によるチップ特性劣化が防止でき
る。
駆動型チップを含む複数の半導体チップの各終端部に合
成樹脂のチップフレームを装着し、各チップを互いにそ
のチップフレームを接するように同一平面に配列し、こ
れらを第１の中間導電板及び第２の中間導電板で圧接し
固定するマルチチップ圧接型半導体装置において、その
外囲器を構成する第２の電極板をビッカーズ硬度５０以
上、好ましくは８０以上の銅もしくは銅合金を用いるこ
とを特徴としている。熱疲労試験中の温度変化に伴う面
圧分布すなわち応力の変化に対しても弾性変形する第２
の電極板を用いることにより、半導体装置内部の面圧の
均一性を保つことが可能となり、圧力抜けによるチップ
電極のせり出しや摺動によるチップ特性劣化が防止でき
る。
【０００９】すなわち、本発明の圧接型半導体装置は、
複数の半導体素子と、前記半導体素子の第１の面に接す
る第１の中間導電板と、前記半導体素子の第２の面に接
する第２の中間導電板と、銅もしくは銅合金からなり、
前記第１の中間導電板に接する部分を有する第１の電極
板と、銅もしくは銅合金からなり、前記第２の中間導電
板に接する部分を有する第２の電極板と、前記半導体素
子を同一平面に配置し、これら同一平面に配置された前
記半導体素子を前記第１の中間導電板及び前記第２の中
間導電板とで上下から所定の圧接力で圧接してなり、前
記第２の電極板もしくは前記第１の電極板にはビッカー
ス硬度が５０以上の材料を用いることを特徴としてい
る。前記第１の電極板及び前記第２の電極板には外周に
それぞれリングクッションが形成され、前記第１の電極
板にはセラミックアセンブリ本体が前記リングクッショ
ンを介して接合され、前記第２の電極板に取り付けられ
た前記リングクッションにはフレームが蝋付けされてお
り、これらのセラミックアセンブリ本体、前記セラミッ
クアセンブリ本体の上下を封止する前記第１の電極板及
び前記第２の電極板を組み合わせて、前記半導体素子、
前記第１の中間導電板及び前記第２の中間導電板を収容
する外囲器を構成しているようにしても良い。
複数の半導体素子と、前記半導体素子の第１の面に接す
る第１の中間導電板と、前記半導体素子の第２の面に接
する第２の中間導電板と、銅もしくは銅合金からなり、
前記第１の中間導電板に接する部分を有する第１の電極
板と、銅もしくは銅合金からなり、前記第２の中間導電
板に接する部分を有する第２の電極板と、前記半導体素
子を同一平面に配置し、これら同一平面に配置された前
記半導体素子を前記第１の中間導電板及び前記第２の中
間導電板とで上下から所定の圧接力で圧接してなり、前
記第２の電極板もしくは前記第１の電極板にはビッカー
ス硬度が５０以上の材料を用いることを特徴としてい
る。前記第１の電極板及び前記第２の電極板には外周に
それぞれリングクッションが形成され、前記第１の電極
板にはセラミックアセンブリ本体が前記リングクッショ
ンを介して接合され、前記第２の電極板に取り付けられ
た前記リングクッションにはフレームが蝋付けされてお
り、これらのセラミックアセンブリ本体、前記セラミッ
クアセンブリ本体の上下を封止する前記第１の電極板及
び前記第２の電極板を組み合わせて、前記半導体素子、
前記第１の中間導電板及び前記第２の中間導電板を収容
する外囲器を構成しているようにしても良い。
【００１０】また、本発明の圧接型半導体装置は、複数
の半導体素子と、前記半導体素子の第１の面に接する第
１の中間導電板と、前記半導体素子の第２の面に接する
第２の中間導電板と、銅もしくは銅の合金からなり、前
記第１の中間導電板に接する部分を有する第１の電極板
と、銅もしくは銅の合金からなり、前記第２の中間導電
板に接する部分を有する第２の電極板と、前記半導体素
子を同一平面に配置し、これら同一平面に配置された前
記半導体素子を前記第１の中間導電板及び前記第２の中
間導電板とで上下から所定の圧接力で圧接してなり、前
記第２の電極板は、前記第２の中間導電板に接する補助
電極板を有し、且つ前記補助電極板にはビッカース硬度
が５０以上の材料を用いることを特徴としている。前記
第１の電極板及び前記第２の電極板には外周にそれぞれ
リングクッションが形成され、前記第１の電極板にはセ
ラミックアセンブリ本体が前記リングクッションを介し
て接合され、前記第２の電極板に取り付けられた前記リ
ングクッションにはフレームが蝋付けされており、これ
らのセラミックアセンブリ本体、前記セラミックアセン
ブリ本体の上下を封止する前記第１の電極板及び前記第
２の電極板を組み合わせて、前記半導体素子、前記第１
の中間導電板、前記第２の中間導電板及び前記補助電極
板を収容する外囲器を構成しているようにしても良い。
の半導体素子と、前記半導体素子の第１の面に接する第
１の中間導電板と、前記半導体素子の第２の面に接する
第２の中間導電板と、銅もしくは銅の合金からなり、前
記第１の中間導電板に接する部分を有する第１の電極板
と、銅もしくは銅の合金からなり、前記第２の中間導電
板に接する部分を有する第２の電極板と、前記半導体素
子を同一平面に配置し、これら同一平面に配置された前
記半導体素子を前記第１の中間導電板及び前記第２の中
間導電板とで上下から所定の圧接力で圧接してなり、前
記第２の電極板は、前記第２の中間導電板に接する補助
電極板を有し、且つ前記補助電極板にはビッカース硬度
が５０以上の材料を用いることを特徴としている。前記
第１の電極板及び前記第２の電極板には外周にそれぞれ
リングクッションが形成され、前記第１の電極板にはセ
ラミックアセンブリ本体が前記リングクッションを介し
て接合され、前記第２の電極板に取り付けられた前記リ
ングクッションにはフレームが蝋付けされており、これ
らのセラミックアセンブリ本体、前記セラミックアセン
ブリ本体の上下を封止する前記第１の電極板及び前記第
２の電極板を組み合わせて、前記半導体素子、前記第１
の中間導電板、前記第２の中間導電板及び前記補助電極
板を収容する外囲器を構成しているようにしても良い。
【００１１】前記複数の半導体素子は、それぞれ周囲を
絶縁性樹脂のチップフレームによって囲まれているよう
にしても良い。前記ビッカース硬度が５０以上の材料
は、前記圧接力が働いているときには弾性変形領域にあ
るようにしても良い。前記第１の中間導電板は、各半導
体素子の第１の面に個別に接する複数の導電板からな
り、前記第２の中間導電板は、全ての半導体素子の第２
の面に接する１つの導電板からなるようにしても良い。
前記第１の中間導電板は、各半導体素子の第１の面に個
別に接する複数の導電板からなり、前記第２の中間導電
板は、前記各半導体素子の第２の面に個別に接する１つ
の導電板からなるようにしても良い。前記第１の中間導
電板及び前記第２の中間導電板の間に互いに前記チップ
フレームが接するように同一平面に配置された前記半導
体素子は、複数種の半導体素子からなり、これら各種は
それぞれ複数個有するようにしても良い。前記半導体素
子は、複数のフリーホイールダイオード及び複数のＩＧ
ＢＴからなり、前記フリーホイールダイオードは、中心
部に配置され前記ＩＧＢＴは、周辺部に配置されている
ようにしても良い。前記前記同一平面に配置された半導
体素子上には前記第１の中間導電板に前記第１の電極板
が当接するのをガイドするガイド口を備えたガイド板が
介在しているようにしても良い。なお、特許請求の範囲
に示したように、ビッカース硬度が５０以上の材料は、
第１の電極板あるいは第２の電極板のいずれかに用いれ
ば良い。両方に対してこの材料を用いる必要はない。
絶縁性樹脂のチップフレームによって囲まれているよう
にしても良い。前記ビッカース硬度が５０以上の材料
は、前記圧接力が働いているときには弾性変形領域にあ
るようにしても良い。前記第１の中間導電板は、各半導
体素子の第１の面に個別に接する複数の導電板からな
り、前記第２の中間導電板は、全ての半導体素子の第２
の面に接する１つの導電板からなるようにしても良い。
前記第１の中間導電板は、各半導体素子の第１の面に個
別に接する複数の導電板からなり、前記第２の中間導電
板は、前記各半導体素子の第２の面に個別に接する１つ
の導電板からなるようにしても良い。前記第１の中間導
電板及び前記第２の中間導電板の間に互いに前記チップ
フレームが接するように同一平面に配置された前記半導
体素子は、複数種の半導体素子からなり、これら各種は
それぞれ複数個有するようにしても良い。前記半導体素
子は、複数のフリーホイールダイオード及び複数のＩＧ
ＢＴからなり、前記フリーホイールダイオードは、中心
部に配置され前記ＩＧＢＴは、周辺部に配置されている
ようにしても良い。前記前記同一平面に配置された半導
体素子上には前記第１の中間導電板に前記第１の電極板
が当接するのをガイドするガイド口を備えたガイド板が
介在しているようにしても良い。なお、特許請求の範囲
に示したように、ビッカース硬度が５０以上の材料は、
第１の電極板あるいは第２の電極板のいずれかに用いれ
ば良い。両方に対してこの材料を用いる必要はない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図６を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、マルチチップ圧接型半導
体装置である逆導通型ＩＧＢＴデバイスが組み立てられ
た状態の概略断面図、図２は、図１に示す逆導通型ＩＧ
ＢＴの組み立て前の各部の断面図、図３は、図１に示す
逆導通型ＩＧＢＴデバイスのチップ集合体を示す平面
図、図４及び図５は、ＩＧＢＴチップの内部を説明する
部分断面図、図６は、本発明及び従来のマルチチップ圧
接型半導体装置の第２の電極板の面圧分布を説明する第
２の電極板の面圧分布図である。図３に示すように、こ
のデバイスには、例えば、１２個のＩＧＢＴチップ（Ｉ
ＧＢＴ）１と９個のダイオードチップ（ＦＲＤ）２から
構成されたチップ集合体が含まれている。各チップは、
角型であり、その周縁がそれぞれチップフレームで囲ま
れているがこの図では表示しない。これらチップ１、２
が集合した集合体は、円形に圧接される。このチップ集
合体は、その外周を囲むように集合体の各チップを位置
決めする円形のガイド８により周囲が保護されている。
そして、集合体は、中央にＦＲＤチップ２、外側にＩＧ
ＢＴチップ１が配置形成されている。
の形態を説明する。まず、図１乃至図６を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、マルチチップ圧接型半導
体装置である逆導通型ＩＧＢＴデバイスが組み立てられ
た状態の概略断面図、図２は、図１に示す逆導通型ＩＧ
ＢＴの組み立て前の各部の断面図、図３は、図１に示す
逆導通型ＩＧＢＴデバイスのチップ集合体を示す平面
図、図４及び図５は、ＩＧＢＴチップの内部を説明する
部分断面図、図６は、本発明及び従来のマルチチップ圧
接型半導体装置の第２の電極板の面圧分布を説明する第
２の電極板の面圧分布図である。図３に示すように、こ
のデバイスには、例えば、１２個のＩＧＢＴチップ（Ｉ
ＧＢＴ）１と９個のダイオードチップ（ＦＲＤ）２から
構成されたチップ集合体が含まれている。各チップは、
角型であり、その周縁がそれぞれチップフレームで囲ま
れているがこの図では表示しない。これらチップ１、２
が集合した集合体は、円形に圧接される。このチップ集
合体は、その外周を囲むように集合体の各チップを位置
決めする円形のガイド８により周囲が保護されている。
そして、集合体は、中央にＦＲＤチップ２、外側にＩＧ
ＢＴチップ１が配置形成されている。
【００１３】図１及び図２に示すように、チップ１、２
は、モリブデンなどからなる第２の中間導電板（コレク
タ側）３上に配置固定される。これらチップ１、２は、
一枚の中間導電板であるＭｏ板上に隙間なく並べられて
いる。この第２の中間導電板（コレクタ側）３は、ポリ
エーテルイミドなどからなる外側から囲むようにガイド
する絶縁性のリングフレーム１７によって保護されてい
る。各チップ１、２の外周にはシリコーン樹脂やポリエ
ーテルイミドなどの材料からなるチップフレーム７が装
着されている。第２の中間導電板３の上にはチップ集合
体が配置され、この集合体を囲むように、円形のガイド
８が第２の中間導電板３及びリングフレーム１７上に載
置されている。ガイド８にはガイド口８ａが形成され、
ガイド口８ａからは、チップフレーム７に覆われた周辺
部を除いて、中央部分が露出している。そして、第１の
中間導電板（エミッタ側）４は、各チップ１、２の第１
の面上に搭載されている。
は、モリブデンなどからなる第２の中間導電板（コレク
タ側）３上に配置固定される。これらチップ１、２は、
一枚の中間導電板であるＭｏ板上に隙間なく並べられて
いる。この第２の中間導電板（コレクタ側）３は、ポリ
エーテルイミドなどからなる外側から囲むようにガイド
する絶縁性のリングフレーム１７によって保護されてい
る。各チップ１、２の外周にはシリコーン樹脂やポリエ
ーテルイミドなどの材料からなるチップフレーム７が装
着されている。第２の中間導電板３の上にはチップ集合
体が配置され、この集合体を囲むように、円形のガイド
８が第２の中間導電板３及びリングフレーム１７上に載
置されている。ガイド８にはガイド口８ａが形成され、
ガイド口８ａからは、チップフレーム７に覆われた周辺
部を除いて、中央部分が露出している。そして、第１の
中間導電板（エミッタ側）４は、各チップ１、２の第１
の面上に搭載されている。
【００１４】第１の電極板６は、金属製のリングクッシ
ョン１５を介してセラミックアセンブリ本体１３の上部
に接続されている。第１の電極板６には第１の中間導電
板と接触するポスト部が設けられている。セラミックア
センブリ本体１３は、アルミナなどのセラミックを材料
とし円筒状である。セラミックアセンブリ本体１３の下
部には金属製のリングクッション１６が接合されてい
る。第１の電極板６には、アセンブリ本体１３に取り付
けられたゲート端子９に抵抗１０を介して電気的に接続
されたゲート線１１が取り付けられている。第２の電極
板５にはその周縁に金属製のリングクッション１６′が
接合されており、リングクッション１６′とＦｅ−４２
％Ｎｉ合金からなるフレーム１４とは、銀蝋などの蝋付
けにより接合されている。これら第１の電極板６、チッ
プ集合体、第２の電極板５を組み合わせ、例えば、０．
４〜０．６Ｋｇ／ｍｍの圧接力で圧接して外囲器に収容
されたまるチップ圧接型半導体装置が形成される。この
圧接された状態の第１の電極板６のポスト部は、第１の
中間導電板４に接触し、第２の電極板５は、第２の中間
導電板３に接触している。セラミックアセンブリ本体１
３を備えた第１の電極板６と第２の電極板５とで気密に
保たれた外囲器が形成されている。外囲器の気密に保た
れた内部を排気・封入するのはセラミックアセンブリ本
体１３に取り付けた排気パイプ１２により行われる。ま
た、ゲート線１１は、ＩＧＢＴチップ１のゲート電極に
接触している。
ョン１５を介してセラミックアセンブリ本体１３の上部
に接続されている。第１の電極板６には第１の中間導電
板と接触するポスト部が設けられている。セラミックア
センブリ本体１３は、アルミナなどのセラミックを材料
とし円筒状である。セラミックアセンブリ本体１３の下
部には金属製のリングクッション１６が接合されてい
る。第１の電極板６には、アセンブリ本体１３に取り付
けられたゲート端子９に抵抗１０を介して電気的に接続
されたゲート線１１が取り付けられている。第２の電極
板５にはその周縁に金属製のリングクッション１６′が
接合されており、リングクッション１６′とＦｅ−４２
％Ｎｉ合金からなるフレーム１４とは、銀蝋などの蝋付
けにより接合されている。これら第１の電極板６、チッ
プ集合体、第２の電極板５を組み合わせ、例えば、０．
４〜０．６Ｋｇ／ｍｍの圧接力で圧接して外囲器に収容
されたまるチップ圧接型半導体装置が形成される。この
圧接された状態の第１の電極板６のポスト部は、第１の
中間導電板４に接触し、第２の電極板５は、第２の中間
導電板３に接触している。セラミックアセンブリ本体１
３を備えた第１の電極板６と第２の電極板５とで気密に
保たれた外囲器が形成されている。外囲器の気密に保た
れた内部を排気・封入するのはセラミックアセンブリ本
体１３に取り付けた排気パイプ１２により行われる。ま
た、ゲート線１１は、ＩＧＢＴチップ１のゲート電極に
接触している。
【００１５】この実施例ではＩＧＢＴチップ及びＦＲＤ
チップがそれぞれ９個備えた逆導通型圧接型ＩＧＢＴを
説明したが、同じチップを用い、数量、配分比を変える
ことによりあらゆる定格の半導体装置が提供できる。ま
た、例えば、ＩＧＢＴ素子に対してＦＲＤ素子の面積比
を２：１、ＦＲＤ素子を長辺がＩＧＢＴ素子と同じで短
辺を半分に設計すると数量配分比の自由度、高密度配置
が容易となる。次に、図４及び図５を参照してＩＧＢＴ
チップを説明する。ＩＧＢＴチップの主面は、制御電極
であるゲート電極の電源供給領域及びエミッタ電極と接
する領域以外は、例えば、ポリイミドなどからなるパッ
シベーション膜１８によって被覆されている。このパッ
シベーション膜１８は、チップ終端部に形成されるの
で、チップ周囲に装着されるチップフレーム７の下に形
成されることになる。図は、いづれもＩＢＧＴチップの
断面図である。図４の左側はチップの左端部を示し、そ
の終端部が形成されている。右側はチップ端部までは示
していない。図５は左右両側ともチップ端部までは示し
ておらず、チップ内部のほぼ中央部分の断面を示してい
る。チップフレーム７は、接着剤１９によってチップ
１、２の周辺に固定される。
チップがそれぞれ９個備えた逆導通型圧接型ＩＧＢＴを
説明したが、同じチップを用い、数量、配分比を変える
ことによりあらゆる定格の半導体装置が提供できる。ま
た、例えば、ＩＧＢＴ素子に対してＦＲＤ素子の面積比
を２：１、ＦＲＤ素子を長辺がＩＧＢＴ素子と同じで短
辺を半分に設計すると数量配分比の自由度、高密度配置
が容易となる。次に、図４及び図５を参照してＩＧＢＴ
チップを説明する。ＩＧＢＴチップの主面は、制御電極
であるゲート電極の電源供給領域及びエミッタ電極と接
する領域以外は、例えば、ポリイミドなどからなるパッ
シベーション膜１８によって被覆されている。このパッ
シベーション膜１８は、チップ終端部に形成されるの
で、チップ周囲に装着されるチップフレーム７の下に形
成されることになる。図は、いづれもＩＢＧＴチップの
断面図である。図４の左側はチップの左端部を示し、そ
の終端部が形成されている。右側はチップ端部までは示
していない。図５は左右両側ともチップ端部までは示し
ておらず、チップ内部のほぼ中央部分の断面を示してい
る。チップフレーム７は、接着剤１９によってチップ
１、２の周辺に固定される。
【００１６】そして、この角型のチップ（シリコン半導
体基板）１はＰ型コレクタ領域２８、Ｎ−ベース領域２
７、Ｐ＋ベース領域２５、Ｐ型ベース領域２４、Ｎ型エ
ミッタ領域２４を備えている。Ｐ型コレクタ領域２８
は、チップ１の裏面に形成され、この裏面には全面に、
例えば、Ａｌのコレクタ電極２０が形成されている。Ｐ
＋ベース領域２６及びＰ型ベース領域２５は、Ｎ−ベー
ス領域２７内においてチップ１の主面に面して形成され
ている。Ｎ型エミッタ領域２４は、Ｐ型ベース領域２４
内においてチップ１主面に面して形成されている。Ｎ型
エミッタ領域２４上にはＰ型ベース領域２５に短絡して
Ａｌなどからなるエミッタ電極２９が形成されている。
Ｐ型ベース領域２５とこのＰ型ベース領域２５に挟まれ
たＮ−ベース領域２７の上にはポリシリコンゲート２２
がゲート酸化膜２３を介して形成されている。ポリシリ
コンゲート２２は、シリコン酸化膜などの層間絶縁膜２
１で被覆されており、エミッタ電極２９は、この上に配
置されている。エミッタ電極２９は、第１の電極板６に
接触している。ポリシリコンゲート２２に接続するゲー
ト電極３０は、Ａｌなどからなり、層間絶縁膜２１の開
口部を介してこのポリシリコンゲート２２に接続されて
いる（図５）。チップ１の主面は、ゲート電極３０の接
続部及びエミッタ電極２９の接続部以外は、ポリイミド
などのパッシベーション膜１８で被覆されている。した
がって、ゲート電極３０の接続部を除く領域は、パッシ
ベーション膜１８で被覆されている。ゲート電極３０
は、シリコン酸化膜３１で被覆保護され、その上にパッ
シベーション膜１８が形成されている。ゲート電極３０
は、図１及び図２に示す様に、ゲート線１１に接続され
てゲート端子９に繋がっている。
体基板）１はＰ型コレクタ領域２８、Ｎ−ベース領域２
７、Ｐ＋ベース領域２５、Ｐ型ベース領域２４、Ｎ型エ
ミッタ領域２４を備えている。Ｐ型コレクタ領域２８
は、チップ１の裏面に形成され、この裏面には全面に、
例えば、Ａｌのコレクタ電極２０が形成されている。Ｐ
＋ベース領域２６及びＰ型ベース領域２５は、Ｎ−ベー
ス領域２７内においてチップ１の主面に面して形成され
ている。Ｎ型エミッタ領域２４は、Ｐ型ベース領域２４
内においてチップ１主面に面して形成されている。Ｎ型
エミッタ領域２４上にはＰ型ベース領域２５に短絡して
Ａｌなどからなるエミッタ電極２９が形成されている。
Ｐ型ベース領域２５とこのＰ型ベース領域２５に挟まれ
たＮ−ベース領域２７の上にはポリシリコンゲート２２
がゲート酸化膜２３を介して形成されている。ポリシリ
コンゲート２２は、シリコン酸化膜などの層間絶縁膜２
１で被覆されており、エミッタ電極２９は、この上に配
置されている。エミッタ電極２９は、第１の電極板６に
接触している。ポリシリコンゲート２２に接続するゲー
ト電極３０は、Ａｌなどからなり、層間絶縁膜２１の開
口部を介してこのポリシリコンゲート２２に接続されて
いる（図５）。チップ１の主面は、ゲート電極３０の接
続部及びエミッタ電極２９の接続部以外は、ポリイミド
などのパッシベーション膜１８で被覆されている。した
がって、ゲート電極３０の接続部を除く領域は、パッシ
ベーション膜１８で被覆されている。ゲート電極３０
は、シリコン酸化膜３１で被覆保護され、その上にパッ
シベーション膜１８が形成されている。ゲート電極３０
は、図１及び図２に示す様に、ゲート線１１に接続され
てゲート端子９に繋がっている。
【００１７】このように、外囲器を構成する第２の電極
板を圧接時に弾性変形特性を有する銅もしくは銅合金を
用いるので、熱疲労試験中の温度変化に伴う面圧分布す
なわち応力の変化が半導体装置内部において十分均一性
を保つことが可能となり、したがって、圧力抜けによる
チップ電極のせり出しや摺動によるチップ特性劣化が防
止できる。なお、第１の電極板の銅もしくは銅合金は、
圧接時に塑性変形特性を有する材料、圧接時に弾性変形
特性を有する材料のいずれでも良い。また、第２の電極
板にビッカーズ硬度５０以上であり、且つ圧接時に弾性
変形特性を有する材料を用いる以上、第２の電極板にフ
レームを取り付ける工程に銀臘を使用した高温でのアニ
ール工程を用いるのは好ましくなく、接着剤により接合
するか、銅の合金として、熱処理を加えても材料が弾性
変形特性を示すような添加物を用いるのが好ましい。
板を圧接時に弾性変形特性を有する銅もしくは銅合金を
用いるので、熱疲労試験中の温度変化に伴う面圧分布す
なわち応力の変化が半導体装置内部において十分均一性
を保つことが可能となり、したがって、圧力抜けによる
チップ電極のせり出しや摺動によるチップ特性劣化が防
止できる。なお、第１の電極板の銅もしくは銅合金は、
圧接時に塑性変形特性を有する材料、圧接時に弾性変形
特性を有する材料のいずれでも良い。また、第２の電極
板にビッカーズ硬度５０以上であり、且つ圧接時に弾性
変形特性を有する材料を用いる以上、第２の電極板にフ
レームを取り付ける工程に銀臘を使用した高温でのアニ
ール工程を用いるのは好ましくなく、接着剤により接合
するか、銅の合金として、熱処理を加えても材料が弾性
変形特性を示すような添加物を用いるのが好ましい。
【００１８】次に、図７を参照して第２の実施例を説明
する。図７は、マルチチップ圧接型半導体装置である逆
導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図である。こ
の実施例のマルチチップ圧接型半導体装置は、複数のチ
ップフレームにより周辺を保護されたチップが集合した
チップ集合体、セラミックアセンブリ本体を備え、第１
の中間導電板（エミッタ側）と接触するポスト部を有す
る第１の電極板、第２の中間導電板（コレクタ側）と接
触する第２の電極板を備えており、第１の電極板部分と
チップ集合体部分の構成は、第１の実施例と同じである
が、第２の電極板部分は、相違している。したがって、
第１の電極板部分及びチップ集合体部分の説明は省略す
る。この実施例の第２の電極板３５は、第２の中間導電
板（コレクタ側）３に接する補助電極板３２を有し、補
助電極板３２には弾性変形特性を有するビッカース硬度
が５０以上の材料を用いることを特徴としている。第２
の電極板３５にはその周縁に金属製のリングクッション
３３が接合されており、リングクッション３３とＦｅ−
４２％Ｎｉ合金からなるフレーム３４とは、銀蝋などの
蝋付けにより接合されている。
する。図７は、マルチチップ圧接型半導体装置である逆
導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図である。こ
の実施例のマルチチップ圧接型半導体装置は、複数のチ
ップフレームにより周辺を保護されたチップが集合した
チップ集合体、セラミックアセンブリ本体を備え、第１
の中間導電板（エミッタ側）と接触するポスト部を有す
る第１の電極板、第２の中間導電板（コレクタ側）と接
触する第２の電極板を備えており、第１の電極板部分と
チップ集合体部分の構成は、第１の実施例と同じである
が、第２の電極板部分は、相違している。したがって、
第１の電極板部分及びチップ集合体部分の説明は省略す
る。この実施例の第２の電極板３５は、第２の中間導電
板（コレクタ側）３に接する補助電極板３２を有し、補
助電極板３２には弾性変形特性を有するビッカース硬度
が５０以上の材料を用いることを特徴としている。第２
の電極板３５にはその周縁に金属製のリングクッション
３３が接合されており、リングクッション３３とＦｅ−
４２％Ｎｉ合金からなるフレーム３４とは、銀蝋などの
蝋付けにより接合されている。
【００１９】この実施例でも第１の電極板６、チップ集
合体及び第２の電極板３２、３５を組み合わせ、圧接し
て外囲器に収容されたまるチップ圧接型半導体装置が形
成される。この圧接された状態の第１の電極板６のポス
ト部は、第１の中間導電板４に接触し、補助電極板３２
は、第２の中間導電板３に接触している。そして、セラ
ミックアセンブリ本体１３を備えた第１の電極板６と第
２の電極板とで気密に保たれた外囲器が形成されてい
る。外囲器の気密に保たれた内部を排気・封入するのは
セラミックアセンブリ本体１３に取り付けた排気パイプ
１２により行われる。また、ゲート線１１は、ＩＧＢＴ
チップ１のゲート電極に接触している。このように、外
囲器を構成する第２の電極板の補助電極板を弾性変形特
性を有する銅もしくは銅合金を用いるので、熱疲労試験
中の温度変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化が半導
体装置内部において十分均一性を保つことが可能となる
ので圧力抜けによるチップ電極のせり出しや摺動による
チップ特性劣化が防止できる。
合体及び第２の電極板３２、３５を組み合わせ、圧接し
て外囲器に収容されたまるチップ圧接型半導体装置が形
成される。この圧接された状態の第１の電極板６のポス
ト部は、第１の中間導電板４に接触し、補助電極板３２
は、第２の中間導電板３に接触している。そして、セラ
ミックアセンブリ本体１３を備えた第１の電極板６と第
２の電極板とで気密に保たれた外囲器が形成されてい
る。外囲器の気密に保たれた内部を排気・封入するのは
セラミックアセンブリ本体１３に取り付けた排気パイプ
１２により行われる。また、ゲート線１１は、ＩＧＢＴ
チップ１のゲート電極に接触している。このように、外
囲器を構成する第２の電極板の補助電極板を弾性変形特
性を有する銅もしくは銅合金を用いるので、熱疲労試験
中の温度変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化が半導
体装置内部において十分均一性を保つことが可能となる
ので圧力抜けによるチップ電極のせり出しや摺動による
チップ特性劣化が防止できる。
【００２０】なお、第１の電極板及び第２の電極板の銅
もしくは銅合金は、圧接時に塑性変形特性を有する材
料、圧接時に弾性変形特性を有する材料のいずれでも良
い。また、補助電極板にビッカーズ硬度５０以上であ
り、且つ圧接時に弾性変形特性を有する材料を用いるの
で、第２の電極板にフレームを取り付ける工程に銀臘を
使用した高温でのアニール工程を用いても良く、また、
他の手段、接着剤により接合するか、銅の合金として、
熱処理を加えても材料が弾性変形特性を示すような添加
物を用いるようにしても良い。
もしくは銅合金は、圧接時に塑性変形特性を有する材
料、圧接時に弾性変形特性を有する材料のいずれでも良
い。また、補助電極板にビッカーズ硬度５０以上であ
り、且つ圧接時に弾性変形特性を有する材料を用いるの
で、第２の電極板にフレームを取り付ける工程に銀臘を
使用した高温でのアニール工程を用いても良く、また、
他の手段、接着剤により接合するか、銅の合金として、
熱処理を加えても材料が弾性変形特性を示すような添加
物を用いるようにしても良い。
【００２１】次に、図８及び図９を参照して第３の実施
例を説明する。図８は、マルチチップ圧接型半導体装置
である逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図、
図９は、第２の電極板の他の例を示す断面図である。こ
の実施例のマルチチップ圧接型半導体装置は、複数のチ
ップフレームにより周辺を保護されたチップが集合した
チップ集合体、セラミックアセンブリ本体を備え、第１
の中間導電板（エミッタ側）と接触するポスト部を有す
る第１の電極板、第２の中間導電板（コレクタ側）と接
触する第２の電極板を備えており、第１の電極板部分の
構成は、第１の実施例と同じであるが、チップ集合体部
分及び第２の電極板部分は、相違している。したがっ
て、第１の電極板部分の説明は省略する。
例を説明する。図８は、マルチチップ圧接型半導体装置
である逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図、
図９は、第２の電極板の他の例を示す断面図である。こ
の実施例のマルチチップ圧接型半導体装置は、複数のチ
ップフレームにより周辺を保護されたチップが集合した
チップ集合体、セラミックアセンブリ本体を備え、第１
の中間導電板（エミッタ側）と接触するポスト部を有す
る第１の電極板、第２の中間導電板（コレクタ側）と接
触する第２の電極板を備えており、第１の電極板部分の
構成は、第１の実施例と同じであるが、チップ集合体部
分及び第２の電極板部分は、相違している。したがっ
て、第１の電極板部分の説明は省略する。
【００２２】チップ１、２は、モリブデンなどからなる
第２の中間導電板（コレクタ側）３６上に配置固定され
る。第２の中間導電板３６は、複数のＭｏ板からなり、
これらＭｏ板は集合されポリエーテルイミドなどの材料
からなるリングフレーム３９により固定されている。こ
れらチップ１、２は、第２の中間導電板（コレクタ側）
３６のＭｏ板の１つ１つに対応して並べられている。各
チップ１、２の外周にはシリコーン樹脂やポリエーテル
イミドなどの材料からなるチップフレーム７が装着され
ている。第２の中間導電板３６の上にはチップ集合体が
配置され、この集合体を囲むように、円形のガイド８が
第２の中間導電板３６及びリングフレーム３９上に載置
されている。ガイド８にはガイド口８ａが形成され、ガ
イド口８ａからはチップフレーム７に覆われた周辺部を
除いて、中央部分が露出している。第１の中間導電板
（エミッタ側）４は、各チップ１、２の第１の面上に搭
載されている。この実施例の第２の電極板３５は、第２
の中間導電板（コレクタ側）３６に接する補助電極板３
８を有し、補助電極板３８には圧接時に弾性変形特性を
有するビッカース硬度が５０以上の材料を用い、第２の
中間導電板３６に接する部分には複数のポスト部３７が
複数形成されていることを特徴としている。
第２の中間導電板（コレクタ側）３６上に配置固定され
る。第２の中間導電板３６は、複数のＭｏ板からなり、
これらＭｏ板は集合されポリエーテルイミドなどの材料
からなるリングフレーム３９により固定されている。こ
れらチップ１、２は、第２の中間導電板（コレクタ側）
３６のＭｏ板の１つ１つに対応して並べられている。各
チップ１、２の外周にはシリコーン樹脂やポリエーテル
イミドなどの材料からなるチップフレーム７が装着され
ている。第２の中間導電板３６の上にはチップ集合体が
配置され、この集合体を囲むように、円形のガイド８が
第２の中間導電板３６及びリングフレーム３９上に載置
されている。ガイド８にはガイド口８ａが形成され、ガ
イド口８ａからはチップフレーム７に覆われた周辺部を
除いて、中央部分が露出している。第１の中間導電板
（エミッタ側）４は、各チップ１、２の第１の面上に搭
載されている。この実施例の第２の電極板３５は、第２
の中間導電板（コレクタ側）３６に接する補助電極板３
８を有し、補助電極板３８には圧接時に弾性変形特性を
有するビッカース硬度が５０以上の材料を用い、第２の
中間導電板３６に接する部分には複数のポスト部３７が
複数形成されていることを特徴としている。
【００２３】第２の電極板３５にはその周縁に金属製の
リングクッション３３が接合されており、リングクッシ
ョン３３とＦｅ−４２％Ｎｉ合金からなるフレーム３４
とは、銀蝋などの蝋付けにより接合されている。この実
施例でも第１の電極板６、チップ集合体及び第２の電極
板３５、３８を組み合わせ、圧接して外囲器に収容され
たまるチップ圧接型半導体装置が形成される。この圧接
された状態の第１の電極板６のポスト部は、第１の中間
導電板４に接触し、補助電極板３８のポスト部３７は、
第２の中間導電板３に接触している。そして、セラミッ
クアセンブリ本体１３を備えた第１の電極板６と第２の
電極板とで気密に保たれた外囲器が形成されている。外
囲器の気密に保たれた内部を排気・封入するのはセラミ
ックアセンブリ本体１３に取り付けた排気パイプ１２に
より行われる。また、ゲート線１１は、ＩＧＢＴチップ
１のゲート電極に接触している。このように、外囲器を
構成する第２の電極板の補助電極板を圧接時に弾性変形
特性を有する銅もしくは銅合金を用いるので、熱疲労試
験中の温度変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化が半
導体装置内部において十分均一性を保つことが可能とな
り、圧力抜けによるチップ電極のせり出しや摺動による
チップ特性劣化が防止できる。第２の中間導電板がチッ
プ毎に独立して形成されているので、面圧の均一性は、
第２の中間導電板が１枚のときよりさらに向上する。
リングクッション３３が接合されており、リングクッシ
ョン３３とＦｅ−４２％Ｎｉ合金からなるフレーム３４
とは、銀蝋などの蝋付けにより接合されている。この実
施例でも第１の電極板６、チップ集合体及び第２の電極
板３５、３８を組み合わせ、圧接して外囲器に収容され
たまるチップ圧接型半導体装置が形成される。この圧接
された状態の第１の電極板６のポスト部は、第１の中間
導電板４に接触し、補助電極板３８のポスト部３７は、
第２の中間導電板３に接触している。そして、セラミッ
クアセンブリ本体１３を備えた第１の電極板６と第２の
電極板とで気密に保たれた外囲器が形成されている。外
囲器の気密に保たれた内部を排気・封入するのはセラミ
ックアセンブリ本体１３に取り付けた排気パイプ１２に
より行われる。また、ゲート線１１は、ＩＧＢＴチップ
１のゲート電極に接触している。このように、外囲器を
構成する第２の電極板の補助電極板を圧接時に弾性変形
特性を有する銅もしくは銅合金を用いるので、熱疲労試
験中の温度変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化が半
導体装置内部において十分均一性を保つことが可能とな
り、圧力抜けによるチップ電極のせり出しや摺動による
チップ特性劣化が防止できる。第２の中間導電板がチッ
プ毎に独立して形成されているので、面圧の均一性は、
第２の中間導電板が１枚のときよりさらに向上する。
【００２４】なお、第１の電極板及び第２の電極板の銅
もしくは銅合金は、圧接時に塑性変形特性を有する材
料、圧接時に弾性変形特性を有する材料のいずれでも良
い。また、補助電極板にビッカーズ硬度５０以上の弾性
変形特性を有する材料を用いるので、第２の電極板にフ
レームを取り付ける工程に銀臘を使用した高温でのアニ
ール工程を用いても良く、また、他の手段、接着剤によ
り接合するか、銅の合金として、熱処理を加えても材料
が弾性変形特性を示すような添加物を用いるようにして
も良い。また、図９に示すように、第１の実施例と同じ
ように第１の及び第２の電極板を一体化した場合には、
第２の電極板４０の第２の電極に接する面に各チップ
１、２に当接されるポスト部４１が各チップに対応して
形成配置されている。
もしくは銅合金は、圧接時に塑性変形特性を有する材
料、圧接時に弾性変形特性を有する材料のいずれでも良
い。また、補助電極板にビッカーズ硬度５０以上の弾性
変形特性を有する材料を用いるので、第２の電極板にフ
レームを取り付ける工程に銀臘を使用した高温でのアニ
ール工程を用いても良く、また、他の手段、接着剤によ
り接合するか、銅の合金として、熱処理を加えても材料
が弾性変形特性を示すような添加物を用いるようにして
も良い。また、図９に示すように、第１の実施例と同じ
ように第１の及び第２の電極板を一体化した場合には、
第２の電極板４０の第２の電極に接する面に各チップ
１、２に当接されるポスト部４１が各チップに対応して
形成配置されている。
【００２５】また、前述した実施例では、図３に示すよ
うにＩＧＢＴチップとＦＲＤチップは、ＦＲＤチップが
チップ集合体の中心部に配置され、ＩＧＢＴチップは、
その周辺部に配置されている。この様に配置すると、従
来技術では図６（ａ）に示されるように、チップ集合体
に対して中心から同心円状に面圧が分布する。また、Ｆ
ＲＤチップ及びＩＧＢＴチップを互いに隣接するように
それぞれ千鳥状に配置した状態のチップ集合体を従来技
術に適用すると、チップ集合体に加わる面圧の分布は、
図６（ａ）の説明とは異なり、各ＦＲＤチップの位置を
中心とする面圧分布がこのチップの位置ごとにチップ集
合体に生じている。このように、チップ集合体のチップ
配置によって、面圧分布に違いが生じるが、本発明を適
用すると、どの様にチップを配置しても、図６（ｂ）に
示すようにチップ集合体には均一な面圧が与えられる。
図６（ａ）に示す従来技術の面圧分布は、図３に示す素
子配置によって生じるが、素子が全部ＩＧＢＴ又は全部
ＦＲＤのような配置であっても同じような面圧分布が得
られる。
うにＩＧＢＴチップとＦＲＤチップは、ＦＲＤチップが
チップ集合体の中心部に配置され、ＩＧＢＴチップは、
その周辺部に配置されている。この様に配置すると、従
来技術では図６（ａ）に示されるように、チップ集合体
に対して中心から同心円状に面圧が分布する。また、Ｆ
ＲＤチップ及びＩＧＢＴチップを互いに隣接するように
それぞれ千鳥状に配置した状態のチップ集合体を従来技
術に適用すると、チップ集合体に加わる面圧の分布は、
図６（ａ）の説明とは異なり、各ＦＲＤチップの位置を
中心とする面圧分布がこのチップの位置ごとにチップ集
合体に生じている。このように、チップ集合体のチップ
配置によって、面圧分布に違いが生じるが、本発明を適
用すると、どの様にチップを配置しても、図６（ｂ）に
示すようにチップ集合体には均一な面圧が与えられる。
図６（ａ）に示す従来技術の面圧分布は、図３に示す素
子配置によって生じるが、素子が全部ＩＧＢＴ又は全部
ＦＲＤのような配置であっても同じような面圧分布が得
られる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、以上の構成により、熱疲労試
験中の温度変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化に対
しても弾性変形するポストの効果により、面圧の均一性
を保つことが可能となり、圧力抜けによるチップ電極の
せり出しや摺動によるチップ特性劣化が防止できる。そ
の結果熱疲労試験の寿命が向上する。
験中の温度変化に伴う面圧分布すなわち応力の変化に対
しても弾性変形するポストの効果により、面圧の均一性
を保つことが可能となり、圧力抜けによるチップ電極の
せり出しや摺動によるチップ特性劣化が防止できる。そ
の結果熱疲労試験の寿命が向上する。
【図１】本発明のマルチチップ圧接型半導体装置である
逆導通型ＩＧＢＴデバイスが組み立てられた状態の概略
断面図。
逆導通型ＩＧＢＴデバイスが組み立てられた状態の概略
断面図。
【図２】図１に示す逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各
部の断面図。
部の断面図。
【図３】図１に示す逆導通型ＩＧＢＴデバイスのチップ
集合体を示す平面図。
集合体を示す平面図。
【図４】本発明のＩＧＢＴチップの内部を説明する部分
断面図。
断面図。
【図５】本発明のＩＧＢＴチップの内部を説明する部分
断面図。
断面図。
【図６】本発明及び従来のマルチチップ圧接型半導体装
置の第２の電極板の面圧分布を説明する面圧分布図。
置の第２の電極板の面圧分布を説明する面圧分布図。
【図７】本発明のマルチチップ圧接型半導体装置である
逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図。
逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図。
【図８】本発明のマルチチップ圧接型半導体装置である
逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図。
逆導通型ＩＧＢＴの組み立て前の各部の断面図。
【図９】本発明に用いられる第２の電極板を示す断面
図。
図。
１・・・ＩＧＢＴチップ、 ２・・・ＦＲＤチップ、
３、３６・・・第２の中間導電板（コレクタ側）、４・
・・第１の中間導電板（エミッタ側）、５、４０・・・
第２の電極板、 ６・・・第１の電極板、７・・・チ
ップフレーム、 ８・・・ガイド、 ８ａ・・・ガ
イド口、９・・・ゲート端子、 １０・・・抵抗、
１１・・・ゲート線、１２・・・排気パイプ、 １
３・・・セラミックアセンブリ本体、１４、３４・・・
フレーム、１５、１６、、１６′、３３・・・リングク
ッション、１７、３９・・・リングフレーム、 １８
・・・パッシベーション膜、１９・・・接着剤、 ２０
・・・コレクタ電極、 ２１・・・層間絶縁膜、２２・
・・ポリシリコンゲート、 ２３・・・シリコン酸化
膜、２４・・・Ｎ型エミッタ領域、 ２５・・・Ｐ型
ベース領域、２６・・・Ｐ＋ベース領域、 ２７・・
・Ｎ−ベース領域、２８・・・Ｐ型コレクタ領域、
２９・・・エミッタ電極、３０・・・ゲート電極、
３１・・・保護酸化膜、３２、３８・・・補助電極板、
３５・・・第２の電極板、３７、４１・・・ポスト
部。
３、３６・・・第２の中間導電板（コレクタ側）、４・
・・第１の中間導電板（エミッタ側）、５、４０・・・
第２の電極板、 ６・・・第１の電極板、７・・・チ
ップフレーム、 ８・・・ガイド、 ８ａ・・・ガ
イド口、９・・・ゲート端子、 １０・・・抵抗、
１１・・・ゲート線、１２・・・排気パイプ、 １
３・・・セラミックアセンブリ本体、１４、３４・・・
フレーム、１５、１６、、１６′、３３・・・リングク
ッション、１７、３９・・・リングフレーム、 １８
・・・パッシベーション膜、１９・・・接着剤、 ２０
・・・コレクタ電極、 ２１・・・層間絶縁膜、２２・
・・ポリシリコンゲート、 ２３・・・シリコン酸化
膜、２４・・・Ｎ型エミッタ領域、 ２５・・・Ｐ型
ベース領域、２６・・・Ｐ＋ベース領域、 ２７・・
・Ｎ−ベース領域、２８・・・Ｐ型コレクタ領域、
２９・・・エミッタ電極、３０・・・ゲート電極、
３１・・・保護酸化膜、３２、３８・・・補助電極板、
３５・・・第２の電極板、３７、４１・・・ポスト
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 日吉 道明 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の半導体素子と、 前記半導体素子の第１の面に接する第１の中間導電板
と、 前記半導体素子の第２の面に接する第２の中間導電板
と、 銅もしくは銅合金からなり、前記第１の中間導電板に接
する部分を有する第１の電極板と、 銅もしくは銅合金からなり、前記第２の中間導電板に接
する部分を有する第２の電極板と、 前記半導体素子を同一平面に配置し、これら同一平面に
配置された前記半導体素子を前記第１の中間導電板及び
前記第２の中間導電板とで上下から所定の圧接力で圧接
してなり、前記第２の電極板もしくは前記第１の電極板
にはビッカース硬度が５０以上の材料を用いることを特
徴とする圧接型半導体装置。 - 【請求項２】 前記第１の電極板及び前記第２の電極板
には外周にそれぞれリングクッションが形成され、前記
第１の電極板にはセラミックアセンブリ本体が前記リン
グクッションを介して接合され、前記第２の電極板に取
り付けられた前記リングクッションにはフレームが蝋付
けされており、これらのセラミックアセンブリ本体、前
記セラミックアセンブリ本体の上下を封止する前記第１
の電極板及び前記第２の電極板を組み合わせて、前記半
導体素子、前記第１の中間導電板及び前記第２の中間導
電板を収容する外囲器を構成していることを特徴とする
請求項１に記載の圧接型半導体装置。 - 【請求項３】 複数の半導体素子と、 前記半導体素子の第１の面に接する第１の中間導電板
と、 前記半導体素子の第２の面に接する第２の中間導電板
と、 銅もしくは銅の合金からなり、前記第１の中間導電板に
接する部分を有する第１の電極板と、 銅もしくは銅の合金からなり、前記第２の中間導電板に
接する部分を有する第２の電極板と、 前記半導体素子を同一平面に配置し、これら同一平面に
配置された前記半導体素子を前記第１の中間導電板及び
前記第２の中間導電板とで上下から所定の圧接力で圧接
してなり、前記第２の電極板は、前記第２の中間導電板
に接する補助電極板を有し、且つ前記補助電極板にはビ
ッカース硬度が５０以上の材料を用いることを特徴とす
る圧接型半導体装置。 - 【請求項４】 前記第１の電極板及び前記第２の電極板
には外周にそれぞれリングクッションが形成され、前記
第１の電極板にはセラミックアセンブリ本体が前記リン
グクッションを介して接合され、前記第２の電極板に取
り付けられた前記リングクッションにはフレームが蝋付
けされており、これらのセラミックアセンブリ本体、前
記セラミックアセンブリ本体の上下を封止する前記第１
の電極板及び前記第２の電極板を組み合わせて、前記半
導体素子、前記第１の中間導電板、前記第２の中間導電
板及び前記補助電極板を収容する外囲器を構成している
ことを特徴とする請求項３に記載の圧接型半導体装置。 - 【請求項５】 前記複数の半導体素子は、それぞれ周囲
を絶縁性樹脂のチップフレームによって囲まれているこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の圧接型半導体装置。 - 【請求項６】 前記ビッカース硬度が５０以上の材料
は、前記圧接力が働いているときには弾性変形領域にあ
ることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の圧接
型半導体装置。 - 【請求項７】 前記第１の中間導電板は、各半導体素子
の第１の面に個別に接する複数の導電板からなり、前記
第２の中間導電板は、全ての半導体素子の第２の面に接
する１つの導電板からなることを特徴とする請求項１乃
至請求項６のいずれかに記載の圧接型半導体装置。 - 【請求項８】 前記第１の中間導電板は、各半導体素子
の第１の面に個別に接する複数の導電板からなり、前記
第２の中間導電板は、前記各半導体素子の第２の面に個
別に接する１つの導電板からなることを特徴とする請求
項１乃至請求項６のいずれかに記載の圧接型半導体装
置。 - 【請求項９】 前記第１の中間導電板及び前記第２の中
間導電板の間に互いに前記チップフレームが接するよう
に同一平面に配置された前記半導体素子は、複数種の半
導体素子からなり、これら各種はそれぞれ複数個有する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記
載の圧接型半導体装置。 - 【請求項１０】 前記半導体素子は、複数のフリーホイ
ールダイオード及び複数のＩＧＢＴからなり、前記フリ
ーホイールダイオードは、中心部に配置され、前記ＩＧ
ＢＴは、周辺部に配置されていることを特徴とする請求
項９に記載の圧接型半導体装置。 - 【請求項１１】 前記前記同一平面に配置された半導体
素子上には前記第１の中間導電板に前記第１の電極板が
当接するのをガイドするガイド口を備えたガイド板が介
在していることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の
いずれかに記載の圧接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000343800A JP3973832B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 圧接型半導体装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000343800A JP3973832B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3973832B2 JP3973832B2 (ja) | 2007-09-12 |
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ID=18818111
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159780A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2019116736A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置及び圧接型半導体装置の製造方法 |
| CN110047805A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-23 | 无锡天杨电子有限公司 | 一种igbt陶瓷管壳应力自适应调节结构 |
| JP2020047750A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN112687676A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-20 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 压接式igbt子模组及压接式igbt模块 |
| WO2022259503A1 (ja) * | 2021-06-11 | 2022-12-15 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6736531B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2020-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2000
- 2000-11-10 JP JP2000343800A patent/JP3973832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011159780A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2019116736A1 (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置及び圧接型半導体装置の製造方法 |
| JP2020047750A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN110931470A (zh) * | 2018-09-19 | 2020-03-27 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
| US11233048B2 (en) | 2018-09-19 | 2022-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP7010794B2 (ja) | 2018-09-19 | 2022-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN110931470B (zh) * | 2018-09-19 | 2023-10-13 | 株式会社东芝 | 半导体装置 |
| CN110047805A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-23 | 无锡天杨电子有限公司 | 一种igbt陶瓷管壳应力自适应调节结构 |
| CN112687676A (zh) * | 2020-12-14 | 2021-04-20 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 压接式igbt子模组及压接式igbt模块 |
| CN112687676B (zh) * | 2020-12-14 | 2023-06-27 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 压接式igbt子模组及压接式igbt模块 |
| WO2022259503A1 (ja) * | 2021-06-11 | 2022-12-15 | 三菱電機株式会社 | 圧接型半導体装置 |
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