JP2002150509A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２層コイル構造において、一層目のコイル層
の巻き中心部を、レジストで形成された持上げ層上に形
成し、前記巻き中心部の上面を研磨加工してコイル絶縁
層上面から露出させ、前記巻き中心部上に２層目のコイ
ル層の巻き中心部を導通接続させる方法では、直流抵抗
値が不安定化し、また良好な導通性を図ることができな
かった。 【解決手段】 第１のコイル層の巻き中心部５４ａを平
坦化面上に形成し、前記巻き中心部５４ａ上に第１のコ
ンタクト部６２をメッキ形成し、前記第１のコンタクト
部６２の上面に第２のコイル層の巻き中心部５８ａを導
通接続させる構造であれば、安定した直流抵抗値を得る
ことができ、また良好な導通性を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア層間に２層の
コイル層が形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特に前
記コイル層の直流抵抗値の安定性を向上させることがで
き、また前記２層のコイル層間の導通性を良好に保つこ
とが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク装置などに搭載される磁
気ヘッド装置には、スライダのトレーリング側端面に、
例えば再生用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘ
ッドとを有する薄膜磁気ヘッドが形成されている。

【０００３】前記インダクティブヘッドは、磁性材料で
形成された下部コア層と上部コア層と、両コア層に記録
磁界を誘導するコイル層が設けられて成り、記録媒体と
の対向面では、ギャップ層を介して両コア層からの漏れ
磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号
が記録される。

【０００４】ところで今後の高記録密度化に伴い、狭ト
ラック化に対応すべく薄膜磁気ヘッドの構造は幾度とな
く改良が施されている。図２４に示す薄膜磁気ヘッド
は、その一例であり、図２４では、薄膜磁気ヘッドを縦
断面図で示している。

【０００５】符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形
成された下部コア層であり、記録媒体との対向面には、
下から下部磁極層２、ギャップ層４及び上部磁極層５の
３層膜で構成される磁極部６が形成されている。なお図
２４に示すように、前記下部コア層１と磁極部６との間
には、記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位
置にＧｄ決め絶縁層１０が形成されている。

【０００６】図２４に示すように前記下部コア層１上に
はコイル絶縁下地層１１が形成され、その上に第１のコ
イル層１２が形成されている。前記第１のコイル層１２
の上面は、前記上部磁極層５の上面を基準平面Ａとした
ときに、前記基準平面Ａよりも図示下側に位置し、さら
に前記第１のコイル層１２の上面にはコイル絶縁層１５
が形成され、前記コイル絶縁層１５の上面が前記基準平
面Ａと同一面となっている。

【０００７】図２４に示すように、前記第１のコイル層
１２の巻き中心部１２ａは、前記下部コア層１上に形成
された磁性材料製のバックギャップ層１３よりもハイト
方向（図示Ｙ方向）後方に形成されている。

【０００８】また前記巻き中心部１２ａの下には、コイ
ル絶縁下地層１１を介して持上げ層１４が形成されてい
る。前記持上げ層１４の存在により前記巻き中心部１２
ａの上面１２ｂは、前記第１のコイル層１２の各導体部
の上面よりも高い位置に形成される。そして図２４に示
すように前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂは、前記基
準平面Ａと同一面上に形成され、コイル絶縁層１５の上
面から露出している。

【０００９】この薄膜磁気ヘッドでは、前記コイル絶縁
層１５上に第２のコイル層１６が巻回形成されている。
図２４に示すように前記第２のコイル層１６の巻き中心
部１６ａは、コイル絶縁層１５上面に露出した第１のコ
イル層１２の巻き中心部１２ａ上に直接、導通接続され
る。

【００１０】また図２４に示すように、前記第２のコイ
ル層１６上は有機絶縁材料で形成された絶縁層１７によ
って覆われている。さらに前記上部磁極層５の上面から
前記絶縁層１７上面及びバックギャップ層１３上面にか
けて上部コア層１８が例えばフレームメッキ法などによ
って形成されている。

【００１１】上記したように図２４に示す薄膜磁気ヘッ
ドは、狭トラック化に対応可能な構造となっているが、
さらにコイル層が２層構造とされることで、磁極部６か
らバックギャップ層１３間に形成される前記第１のコイ
ル層１２の幅寸法を、前記コイル層を１層構造とする場
合に比べて短くできる。このため前記上部コア層１８の
先端部１８ａから基端部１８ｂまでの長さを短く形成で
き、上部コア層１８から下部コア層１を経る磁路長の短
磁路化によりインダクティブヘッドのインダクタンスを
低減させることが可能になっている。

【００１２】図２５から図２７は、下部コア層１上に形
成される持上げ層１４及び前記持上げ層１４上に形成さ
れる第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの形成方法
を示す一工程図である。

【００１３】図２５では、下部コア層１上にレジスト材
料を塗布し、熱処理を施し硬化させて持上げ層１４を形
成する。また下部コア層１上から前記持上げ層１４上に
かけてコイル絶縁下地層１１を形成する。さらに前記コ
イル絶縁層下地層１１上にメッキ下地層２１を形成す
る。

【００１４】次に図２６では、前記コイル絶縁下地層１
１上にレジスト層１９を形成し、露光現像によって前記
持上げ層１４上の前記レジスト層１９に、第１のコイル
層１２の巻き中心部１２ａ形成のための抜きパターン２
０を形成する。

【００１５】そして前記抜きパターン２０内に第１のコ
イル層１２の巻き中心部１２ａをメッキ形成する。

【００１６】図２７では、前記レジスト層１９を除去し
た後、前記巻き中心部１２ａの下に形成されたメッキ下
地層２１以外の前記メッキ下地層２１を除去し、その
後、前記コイル絶縁下地層１１上から前記巻き中心部１
２ａ上にかけてアルミナなどのコイル絶縁層１５を形成
し、ＣＭＰ技術などを用いて前記コイル絶縁層１５の上
面を研磨する。このとき図２４に示す基準平面Ａと同一
面となる例えばＢ−Ｂ線まで前記コイル絶縁層１５を研
磨し、前記コイル絶縁層１５の上面から前記第１のコイ
ル層１２の巻き中心部１２ａの上面を露出させる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記持上
げ層１４上に第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａを
形成し、前記巻き中心部１２ａと第２のコイル層１６の
巻き中心部１６ａとを導通接続させる構造では、次のよ
うな課題があった。

【００１８】まず図２７に示す研磨工程において、前記
第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの上面１２ｂの
露出面積は一定の大きさで形成され難い。

【００１９】図２６の工程に示すように前記持上げ層１
４の上面１４ａは、硬化のための熱処理の影響を受けて
だれて丸みを帯びる。このため前記持上げ層１４上にメ
ッキ形成される前記第１のコイル層１２の巻き中心部１
２ａの上面１２ｂも前記持上げ層１４の上面１４ａの形
状に追従して丸みを帯びて形成されてしまう。

【００２０】このように前記巻き中心部１２ａの上面１
２ｂが平坦化面とされず曲面状で形成されると、図２７
の工程時に、前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂをどこ
まで研磨するかによって、前記コイル絶縁層１５の上面
から露出する前記巻き中心部１２ａの上面１２ｂの露出
面積は変動してしまう。ここで前記研磨量は、図２４に
示す基準平面Ａとコイル絶縁層１５の上面とが同一平面
となる位置で決定される。

【００２１】このため図２７に示す工程において、例え
ばＢ−Ｂ線までコイル絶縁層１５を削って前記基準平面
Ａとの同一面化を図る場合と、Ｃ−Ｃ線までコイル絶縁
層１５を削って前記基準平面Ａとの同一面化を図る場合
とでは、前記コイル絶縁層１５の上面から露出する前記
巻き中心部１２ａの上面１２ｂの露出面積は異なってし
まう。よって持上げ層１４上に第１のコイル層１２の巻
き中心部１２ａを形成する構造では、第２のコイル層１
６の巻き中心部１６ａと第１のコイル層１２の巻き中心
部１２ａとの接触面積が製品毎で異なりやすく、このた
め直流抵抗値が変動し、品質を一定に保つことができな
い。

【００２２】さらに図２７に示すＣ−Ｃ線で切断した場
合のように、前記第１のコイル層１２の巻き中心部１２
ａと前記第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａとの接
触面積が極端に小さくなる場合には、前記巻き中心部間
の導通性が低下する。

【００２３】また上記の製造方法では、図２７に示す工
程において、前記巻き中心部１２ａの高さは研磨量によ
って変化し、これによって直流抵抗値は変動する。この
ため研磨された後に全製品の巻き中心部１２ａの高さが
一定となるように、持上げ層１４の膜厚を一定の大きさ
に設定する必要性がある。しかし前記持上げ層１４の膜
厚は、硬化のための熱処理条件などによって変化しやす
く、前記持上げ層１４の膜厚を一定値に設定することは
難しい。このため前記持上げ層１４の膜厚の変動によ
り、その上に形成される巻き中心部１２ａの高さ寸法も
変動し、製品毎に巻き中心部１２ａの高さ寸法がばらつ
きやすく、一定の直流抵抗値を有する製品を製造しにく
い。

【００２４】また図２８に示すように、レジスト層１９
の露光現像の際に、抜きパターン２０の形成位置が、持
上げ層１４の真上ではなくずれて形成された場合、前記
抜きパターン２０内に形成される第１のコイル層１２の
巻き中心部１２ａの形状は前記抜きパターン２０の形成
位置によって変わってしまう。このため製品毎に、前記
第１のコイル層１２の巻き中心部１２ａの上面１２ｂの
露出面積や前記巻き中心部１２ａの高さ寸法が変動し、
直流抵抗値の安定化を図ることができない。

【００２５】このように持上げ層１４上に第１のコイル
層１２の巻き中心部１２ａを形成し、前記巻き中心部１
２ａ上に第２のコイル層１６の巻き中心部１６ａを導通
接続させる構造では、安定した直流抵抗値を得ることは
できず、また良好な導通性も図りにくいといった課題が
あった。

【００２６】なお上記した直流抵抗値の変動や導通不良
の問題は、外部接続用端子の下に形成されるバンプとリ
ード層間でも起こりやすい。

【００２７】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に第１のコイル層の巻き中心部と第２の
コイル層の巻き中心部間にコンタクト部をメッキ形成す
ることで、直流抵抗値を安定化でき、しかも導通性を良
好にできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的として
いる。

【００２８】さらに本発明は、前記コンタクト部の形成
を容易にしかも少ない製造工程数でメッキ形成できると
ともに、例えばＭＲヘッドの電極リード層とバンプ間の
導通接続なども前記コイル層間の導通接続と同じ工程時
に行うことができ、製造工程を簡略化できる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的としている。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明は、下部コア層と
上部コア層との間に、両コア層に記録磁界を誘導するコ
イル層が設けられてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
コイル層は、第１のコイル層とその上にコイル絶縁層を
介して形成される第２のコイル層とで構成され、前記第
１のコイル層の巻き中心部は平坦化された面上に形成さ
れ、前記巻き中心部上には前記コイル絶縁層内を貫通す
る第１のコンタクト部がメッキ形成され、前記コイル絶
縁層の上面から露出する前記第１のコンタクト部の上面
に前記第２のコイル層の巻き中心部が導電接続されてい
ることを特徴とするものである。

【００３０】本発明では、第１のコイル層と第２のコイ
ル層とのそれぞれの巻き中心部間をメッキ形成された第
１のコンタクト部によって導通接続するものである。

【００３１】上記のように本発明では、前記第１のコイ
ル層の巻き中心部を平坦化された面上に形成している。
このため前記巻き中心部の上面を平坦化面として形成で
きる。

【００３２】よって本発明の一実施形態では、前記巻き
中心部上にレジストを用いて第１のコンタクト部を矩形
状や円柱状といった水平断面が一定の面積を有する形状
で形成できる。

【００３３】前記の実施形態では、前記コイル絶縁層の
上面と前記巻き中心部の上面とがともに研磨加工面であ
るが、本発明では、第１のコンタクト部の水平断面は一
定の面積を有する形状で形成され得るため、前記研磨加
工によってコイル絶縁層の上面から露出する前記巻き中
心部の上面の露出面積を一定値に保つことができる。

【００３４】よって本発明では、安定した直流抵抗を得
ることができ、さらに前記第１のコンタクト部上に導通
接続される第２の巻き中心部との導通性を良好にでき、
品質を一定に保つことが可能である。

【００３５】また本発明では、前記第１のコイル層の巻
き中心部をパターン形成によって所定の高さ寸法で形成
できるため、予め前記第１のコンタクト部の上面に対す
る研磨位置を考慮することで、前記第１のコンタクト部
の高さ寸法を所定値内に設定しやすく安定した直流抵抗
値を得ることができる。

【００３６】また前記第１のコンタクト部が第１のコイ
ル層の巻き中心部の真上に形成されず多少ずれて形成さ
れた場合でも、前記第１のコンタクト部が適切に前記巻
き中心部上に乗って形成されていれば、前記第１のコン
タクト部の上面の露出面積は一定値に保たれ、安定した
直流抵抗値及び良好な導通性を得ることができる。

【００３７】また本発明では、記録媒体との対向面にお
ける前記下部コア層と上部コア層間には、少なくとも非
磁性のギャップ層と前記ギャップ層と上部コア層間に形
成される上部磁極層とを有する磁極部が形成され、前記
磁極部と上部コア層との接合面を基準平面としたとき
に、前記第１のコイル層は、前記磁極部のハイト方向後
方に位置し、且つ前記コイル層の上面が前記基準平面よ
りも下側に位置し、前記第１のコイル層上に形成される
前記コイル絶縁層の上面は、前記基準平面と同一平面と
なっていることが好ましい。

【００３８】上記の薄膜磁気ヘッドの構造は、挟トラッ
ク化に対応可能で、さらにコイル層を２層構造で形成し
やすい。なおトラック幅Ｔｗは、前記磁極部の上部磁極
層のトラック幅方向の幅寸法で規制される。

【００３９】また本発明では、前記第１のコンタクト部
の上面は前記コイル絶縁層の上面と同一面上で形成され
ることが好ましい。これによって前記第１のコンタクト
部と第２のコイル層の巻き中心部との導通接続を適切に
行うことが可能である。

【００４０】また本発明では、前記第１のコイル層とは
離れた位置に第１のコイルリード層が形成され、前記第
１のコイルリード層のコイル接続端部上に前記コイル絶
縁層内を貫通する第２のコンタクト部がメッキ形成さ
れ、前記第２のコンタクト部上に第２のコイル層の巻き
終端部が導電接続されることが好ましい。この実施形態
の場合、前記第２のコンタクト部の上面は前記コイル絶
縁層の上面と同一面上に形成されることが好ましい。

【００４１】この発明では、第１のコイルリード層のコ
イル接続端部と第２のコイル層の巻き終端部間を第２の
コンタクト部で導通接続している。これによって安定し
た前記コイル層の直流抵抗値を得ることができ、さらに
前記第１のコイルリード層と第２のコイル層間の導通性
を良好にすることが可能である。

【００４２】また本発明では、前記第１のコイル層とは
離れた位置に第１のコイルリード層が形成され、前記第
１のコイル層の巻き終端部には第２のコイルリード層が
一体に形成され、前記第１のコイルリード層の外部接続
端部上及び／または前記第２のコイルリード層の外部接
続端部上には、前記コイル絶縁層内を貫通する第３のコ
ンタクト部がメッキ形成され、前記第３のコンタクト部
上に直接あるいは他層を介してバンプが形成されている
ことが好ましい。この実施形態の場合、前記第３のコン
タクト部の上面は前記コイル絶縁層の上面と同一面上に
形成されることが好ましい。

【００４３】この発明では、第１のコイルリード層の外
部接続端部及び／または前記第２のコイルリード層の外
部接続端部とバンプ間を第３のコンタクト部で導通接続
している。これによって安定した前記コイル層の直流抵
抗値を得ることができ、さらに前記コイルリード層の外
部接続端部とバンプ間の導通性を良好にすることが可能
である。

【００４４】さらに本発明では、前記薄膜磁気ヘッド
は、前記下部コア層の下側に再生用の磁気抵抗効果素子
を備えた複合型の薄膜磁気ヘッドであり、前記磁気抵抗
効果素子にセンス電流を供給するための電極リード層
が、前記第１のコイル層とは離れた位置に形成され、前
記電極リード層の外部接続端部上に前記コイル絶縁層内
を貫通する第４のコンタクト部がメッキ形成され、前記
第４のコンタクト部上に直接あるいは他層を介してバン
プが形成されていることが好ましい。この実施形態の場
合、前記第４のコンタクト部の上面は前記コイル絶縁層
の上面と同一面上に形成されることが好ましい。

【００４５】この発明では、磁気抵抗効果素子にセンス
電流を供給するための電極リード層とバンプ間を第４の
コンタクト部で導通接続している。これによって前記磁
気抵抗効果素子を備えたＭＲヘッドの直流抵抗値の安定
性を向上させることができ、さらに電極リード層とバン
プ間の導通性を良好にすることが可能である。

【００４６】また前記第１のコンタクト部ないし第４の
コンタクト部の少なくとも一つのコンタクト部は、下部
コア層の上面と平行な方向に切断した断面積が一定の大
きさであることが好ましい。これによって前記コンタク
ト部の上面をＣＭＰ技術などを用いて研磨加工したと
き、前記コンタクト部の上面の露出面積を一定に保つこ
とができ、直流抵抗値の安定性及び良好な導通性を得る
ことができる。

【００４７】また本発明では、前記第１のコンタクト部
ないし第４のコンタクト部のうち少なくとも一つのコン
タクト部が導電性材料層とその上に積層された表面に酸
化層が存在しない所定厚さの導電性保護層とでメッキ形
成されているか、あるいは表面に酸化層が存在しない前
記導電性材料層でメッキ形成されていることが好まし
い。

【００４８】さらには本発明では、前記第１のコイル
層、第２のコイル層、第１のコイルリード層、第２のコ
イルリード層、及び電極リード層のいずれかが、導電性
材料層とその上に積層された表面に酸化層が存在しない
所定厚さの導電性保護層とでメッキ形成されているか、
あるいは表面に酸化層が存在しない前記導電性材料層で
メッキ形成されていることが好ましい。

【００４９】また本発明では、前記導電性材料層は、Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む
単層構造又は多層構造から成り、また前記導電性保護層
は、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種
または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造から
成ることが好ましい。

【００５０】上記のようにコンタクト部あるいはコイル
層などを導電性材料層と導電性保護層との積層構造でメ
ッキ形成する理由の一つは、製造過程において、これら
の層が空気に曝され、前記コンタクトン部やコイル層の
上面が酸化される場合があるからである。

【００５１】このような酸化層が形成された場合には、
コンタクト部とコイル層間などの密着性が低下し、剥離
が生じやすくなる。また直流抵抗値も不安定になり特性
が低下しやすい。

【００５２】このため本発明では、導電性材料層上に例
えばＮｉなどで形成された導電性保護層を設け、前記導
電性材料層に酸化層が形成されないようにしている。な
お前記導電性保護層は、常温または加熱雰囲気中での表
面の酸化層が、この導電性保護層の厚さ以上に進行しな
い材料で形成される。なお本発明では、前記導電性保護
層に形成された酸化層は、次の製造工程前にエッチング
によって除去される。

【００５３】また本発明では前記導電性材料層上に導電
性保護層が設けられることで、イオンミリング時に前記
導電性材料層が削られることなく前記導電性材料層の体
積を所定の大きさに収めることができ、直流抵抗値を一
定に保ちやすい。

【００５４】次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、以下の工程を有することを特徴とするものであ
る。 （ａ）下部コア層上に、少なくとも非磁性のギャップ層
と上部磁極層とを有する磁極部を記録媒体との対向面か
らハイト方向に所定の長さ寸法で形成する工程と、
（ｂ）前記磁極部のハイト方向後方に、前記下部コア層
上にコイル絶縁下地層を形成し、前記コイル絶縁下地層
上に前記磁極部の上面よりも低い高さで第１のコイル層
をメッキ形成する工程と、（ｃ）前記第１のコイル層上
をレジスト層で覆い、このとき前記第１のコイル層の巻
き中心部上に露光現像によって第１のコンタクト部を形
成するための抜きパターンを形成する工程と、（ｄ）前
記抜きパターン内に前記第１のコンタクト部をメッキ形
成する工程と、（ｅ）前記レジスト層を除去し、前記第
１のコイル層上及び前記第１のコンタクト部上にコイル
絶縁層を形成する工程と、（ｆ）前記コイル絶縁層の上
面を前記磁極部の上面と同一面となるように平坦化し、
このとき前記絶縁層の上面に前記第１のコンタクト部の
上面を露出させる工程と、（ｇ）前記コイル絶縁層上に
第２のコイル層をメッキ形成し、このとき前記第２のコ
イル層の巻き中心部を前記コンタクト部上に導通接続さ
せる工程と、（ｈ）前記上部磁極層上から前記第２のコ
イル層上に形成された絶縁層上にかけて上部コア層を形
成する工程、本発明では、上記のようにレジストを用い
ることで容易に第１のコイル層の巻き中心部上に第１の
コンタクト部をメッキ形成できる。また本発明では、前
記第１のコンタクト部を第１のコイル層上に直接メッキ
形成するから、前記第１のコンタクト部の形成時にメッ
キ下地層は必要ないなど少ない製造工程数で前記第１の
コンタクト部をメッキ形成することができる。

【００５５】また本発明では、前記（ｂ）工程のとき
に、前記第１のコイル層とは離れた位置に第１のコイル
リード層をメッキ形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程
と同一工程によって、前記第１のコイルリード層のコイ
ル接続端部上に第２のコンタクト部をメッキ形成し、前
記（ｇ）工程のときに第２のコイル層の巻き終端部を、
前記第２のコンタクト部の上面と導通接続させることが
好ましい。

【００５６】本発明によれば、第１のコンタクト部の形
成工程と同じ工程時に、第１のコイルリード層と第２の
コイル層間を導通接続するための第２のコンタクト部を
メッキ形成できるため、製造工程の容易化・製造工程数
の簡略化を実現することが可能である。また前記第１の
コイルリード層と第２のコイル層間の導通接続を適切に
行うことが可能である。

【００５７】また本発明では、前記（ｂ）工程時に、前
記第１のコイル層とは離れた位置に第１のコイルリード
層を形成し、また前記第１のコイル層の巻き終端部から
前記第１のコイル層と一体で第２のコイルリード層をメ
ッキ形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同一工程に
よって、前記第１のコイルリード層の外部接続端部上及
び／または前記第２のコイルリード層の外部接続端部上
に第３のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程
の後に、前記第３のコンタクト部上に直接にあるいは他
層を介してバンプを形成することが好ましい。

【００５８】本発明によれば、前記第１のコイルリード
層の外部接続端部及び／あるいは第２のコイルリード層
の外部接続端部とバンプ間を導通接続するための第３の
コンタクト部を、第１のコンタクト部と同じ工程時に形
成できるため、製造工程の容易化・製造工程数の簡略化
を実現することが可能である。また本発明では前記第１
のコイルリード層の外部接続端部及び／あるいは第２の
コイルリード層の外部接続端部とバンプ間の導通接続を
適切に行うことが可能である。

【００５９】また本発明では、前記（ａ）工程の前に、
前記下部コア層の下側に再生の磁気抵抗効果素子を形成
し、前記（ｂ）工程のときに、前記第１のコイル層とは
離れた位置に、前記磁気抵抗効果素子に検出電流を供給
するための電極リード層を形成し、前記（ｃ）ないし
（ｆ）工程と同一工程によって、前記電極リード層上に
第４のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の
後に、前記第４のコンタクト部上に直接にあるいは他層
を介してバンプを形成することが好ましい。

【００６０】このように本発明によれば、磁気抵抗効果
素子にセンス電流を供給するための電極リード層とバン
プ間を導通接続するための第４のコンタクト部を、第１
のコンタクト部と同じ工程で形成できるので、製造工程
の容易化・製造工程数の簡略化を図ることが可能であ
る。

【００６１】また本発明では、前記（ｄ）工程における
第１のコンタクト部ないし第４のコンタクト部のいずれ
かのコンタクト部の形成時において、導電性材料層をメ
ッキ形成した後、前記導電性材料層の上に、常温または
加熱雰囲気での表面の酸化層が所定厚さ以上に進行しな
い材料を、前記所定厚さでメッキ形成して導電性保護層
を形成し、前記（ｆ）工程のとき、あるいは前記（ｆ）
工程と（ｇ）工程の間に、前記導電性保護層の表面に形
成された酸化層を除去して前記コイル絶縁層の上面から
前記導電性保護層を露出させ、あるいは導電性保護層を
全部除去して、前記コイル絶縁層の上面から導電性材料
層を露出させることが好ましい。

【００６２】さらには本発明では、前記（ｂ）工程時に
おける前記第１のコイル層、第１のコイルリード層、第
２のコイルリード層及び電極リード層の形成時、あるい
は前記（ｇ）工程時における第２のコイル層の形成時に
おいて、導電性材料層をメッキ形成した後、前記導電性
材料層の上に、常温または加熱雰囲気での表面の酸化層
が所定厚さ以上に進行しない材料を、前記所定厚さでメ
ッキ形成して導電性保護層を形成し、次の工程に移行す
る前に、前記導電性保護層の表面に形成された酸化層を
除去して前記コイル絶縁層の上面から前記導電性保護層
を露出させ、あるいは導電性保護層を全部除去して、前
記コイル絶縁層の上面から前記導電性材料層を露出させ
ることが好ましい。

【００６３】また本発明では、前記導電性材料層を、Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む
単層構造又は多層構造でメッキ形成し、また前記導電性
保護層を、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのう
ち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は多層構
造でメッキ形成することが好ましい。

【００６４】上記のように本発明では、コンタクト部や
コイル層などが導電性材料層と導電性保護層との積層構
造でメッキ形成されている。前記導電性材料層は、例え
ばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料により形成され
るが、前記導電性材料単体で前記コンタクト部をメッキ
形成した場合、（ｆ）工程時に例えばＣＭＰ技術などを
用いて前記コンタクト部表面を研磨加工したとき、前記
導電性材料層は、軟らかい金属で形成されているため
に、前記導電性材料層が前記研磨加工によってだれやす
く、これによって前記コンタクト部上に形成される導電
層（第２のコイル層など）との密着性が悪化したり、あ
るいは直流抵抗値が変動したりする。

【００６５】このため本発明では、導電性材料層に比べ
て硬い金属、例えばＮｉなどで形成される導電性保護層
を設け、前記導電性保護層が研磨加工されるようにす
る。これによって前記導電性材料層が研磨される心配は
無く、研磨加工によるだれの問題は生じにくくなる。

【００６６】また導電性材料層は、空気中に曝されると
酸化しやすいために、前記導電性材料層上に導電性保護
層を設けることで、前記導電性材料層の酸化を防止する
ことができる。なお前記導電性保護層は、常温または加
熱雰囲気中での表面の酸化層が、この導電性保護層の厚
さ以上に進行しない材料で形成されることが好ましい。
上記したＮｉなどの導電性材料がそれに該当する。なお
本発明では、前記導電性保護層に形成された酸化層は、
次の製造工程に移行する前にエッチングによって除去さ
れる。

【００６７】

【発明の実施の形態】図１は、本発明におけるスライダ
３０のトレーリング側端面３１の構造を示す部分平面図
である。なお前記スライダ３０の図示上面が記録媒体と
の対向面である。

【００６８】図１に示すスライダ３０は、アルミナ−チ
タンカーバイト（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）などのセラミック
材料で形成されており、そのトレーリング側端面３１上
には、記録媒体との対向面側に薄膜磁気ヘッド３２が積
層形成されている。

【００６９】前記薄膜磁気ヘッド３２は、再生用のＭＲ
ヘッドと記録用のインダクティブヘッドとが積層された
いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドである。ただし本発明で
は、前記薄膜磁気ヘッド３２はインダクティブヘッドの
みで構成されていてもよい。

【００７０】図１に示すように、前記スライダ３０のト
レーリング側端面３１上には、４つのリード層３３ない
し３６がメッキ形成されている。このうちリード層３３
及び３４は、前記インダクティブヘッドを構成するコイ
ル層と導通接続されたコイルリード層である。図１に示
すように前記第２のコイルリード層３４は、その終端部
（外部接続端部）において、前記第２のコイルリード層
３４上に直接あるいは間接的にメッキ形成されたバンプ
３７を介して外部接続用端子３８に導通接続されてい
る。なお前記第１のコイルリード層３３の終端部（外部
接続端部）の構造については図示されていないが、前記
第２のコイルリード層３４と同様に外部接続用端子にバ
ンプを介して導通接続されている。

【００７１】図１に示すリード層３５及び３６は、ＭＲ
ヘッドの磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給するため
の電極リード層であり、電極リード層３６の終端部（外
部接続端部）は、その上に直接にあるいは間接的にメッ
キ形成されたバンプ３９を介して外部接続用端子４０に
導通接続されている。なお前記電極リード層３５の終端
部（外部接続端部）の構造については図示されていない
が、前記電極リード層３６と同様に外部接続用端子にバ
ンプを介して導通接続されている。

【００７２】図２は、インダクティブヘッドを構成する
２層コイル間の導通接続構造や、図１に示した各リード
層３３ないし３６の終端部（外部接続端部）での構造を
示す部分模式図、図３は図１に示す薄膜磁気ヘッド３２
を３−３線から切断したときの部分縦断面図である。

【００７３】まず本発明の薄膜磁気ヘッド３２を構成す
る各層について説明する。図３に示すように、スライダ
３０上には、アルミナアンダーコート膜４１が形成さ
れ、さらにその上に、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）など
の磁性材料で形成された下部シールド層４２が形成され
ている。

【００７４】図３に示すように前記下シールド層４２上
には、アルミナなどの下部ギャップ層４３を介して記録
媒体との対向面に露出する磁気抵抗効果素子４４が形成
されている。前記磁気抵抗効果素子４４は、スピンバル
ブ膜に代表されるＧＭＲ素子やＡＭＲ素子であり、前記
磁気抵抗効果素子４４が外部磁界の影響を受けることに
よる電気抵抗値の変化を用いて記録媒体に記録された磁
気信号が再生される。

【００７５】前記磁気抵抗効果素子４４には、トラック
幅方向（図示Ｘ方向）の両側からハイト方向後方（図示
Ｙ方向）に向けて広がる電極層４５が接続されている。

【００７６】図３に示すように前記電極層４５及び磁気
抵抗効果素子４４の上にはアルミナなどで形成された上
部ギャップ層４６を介して上部シールド層(下部コア層)
４７が形成されている。前記上部シールド層４７は例え
ばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）などの磁性材料で形成さ
れている。なお前記下部シールド層４２から上部シール
ド層（下部コア層）４７までが再生用のＭＲヘッドであ
る。

【００７７】この実施形態では前記上部シールド層４７
が、インダクティブヘッドの下部コア層としても機能し
ている。なお前記上部シールド層と下部コア層とを別々
に形成してもよい。かかる場合、前記上部シールド層と
下部コア層間に絶縁層を介在させる。

【００７８】図３に示すように前記下部コア層４７上に
は、記録媒体との対向面からハイト方向後方に向けて所
定の長さ寸法で磁極部４８が形成されている。前記磁極
部４８はトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法がト
ラック幅Ｔｗで形成されている。前記トラック幅Ｔｗ
は、例えば０．５μｍ以下で形成される。

【００７９】図１に示す実施形態では、前記磁極部４８
は、下部磁極層４９、ギャップ層５０、および上部磁極
層５１の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前
記磁極層４９、５１およびギャップ層５０について説明
する。

【００８０】図３に示すように、前記下部コア層４７上
には磁極部４８の最下層となる下部磁極層４９がメッキ
形成されている。前記下部磁極層４９は、下部コア層４
７と磁気的に接続されており、前記下部磁極層４９は、
前記下部コア層４７と同じ材質でも異なる材質で形成さ
れていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形
成されていてもどちらでもよい。

【００８１】また図３に示すように前記下部磁極層４９
上には、非磁性のギャップ層５０が積層されている。

【００８２】本発明では、前記ギャップ層５０は非磁性
金属材料で形成されて、下部磁極層４９上にメッキ形成
されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金
属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、
ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち
１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギ
ャップ層５０は、単層膜で形成されていても多層膜で形
成されていてもどちらであってもよい。

【００８３】次に前記ギャップ層５０上には、後述する
上部コア層６０と磁気的に接続する上部磁極層５１がメ
ッキ形成されている。なお前記上部磁極層５１は、上部
コア層６０と同じ材質で形成されていてもよいし、異な
る材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜
で形成されていてもどちらでもよい。

【００８４】上記したようにギャップ層５０が、非磁性
金属材料で形成されていれば、下部磁極層４９、ギャッ
プ層５０および上部磁極層５１を連続してメッキ形成す
ることが可能になる。

【００８５】なお本発明では前記磁極部４８は、少なく
も非磁性のギャップ層５０と上部磁極層５１とで構成さ
れていれば良い。

【００８６】また図３に示すように下部コア層４７上に
は記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に
離れた位置にＧｄ決め絶縁層５２が形成されている。前
記Ｇｄ決め絶縁層５２は例えばレジスト材料などで形成
される。そしてギャップデプス（Ｇｄ）は、前記Ｇｄ決
め絶縁層５２の先端部から記録媒体との対向面間の距離
によって規制される。

【００８７】図３に示す実施形態では、記録媒体との対
向面で下部コア層４７と上部コア層６０との間にトラッ
ク幅Ｔｗで露出する磁極部４８をメッキ形成すること
で、狭トラック化に対応可能な構成となっている。

【００８８】次に図３に示すように前記磁極部４８より
もハイト側における前記下部コア層４７上には、コイル
絶縁下地層５３が形成されている。前記コイル絶縁下地
層５３は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂
Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、
Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、Ｓｉ
ＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で形成され
ていることが好ましい。

【００８９】図３に示すように前記コイル絶縁下地層５
３上には、例えばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料
で形成された第１のコイル層５４がメッキ形成されてい
る。

【００９０】図３に示すように、前記第１のコイル層５
４は、その巻き中心部５４ａが、下部コア層４７上に磁
気的に接続されたバックギャップ層５５よりもハイト方
向（図示Ｙ方向）後方に位置し、前記巻き中心部５４ａ
を中心として螺旋状にパターン形成されている。

【００９１】図３に示すように、前記第１のコイル層５
４の上面は、前記上部磁極層５１と上部コア層６０との
接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄより
も低い位置に形成されている。

【００９２】また前記第１のコイル層５４は、平坦化さ
れたコイル絶縁下地層５３上に形成できるため前記第１
のコイル層５４の各導体部を狭ピッチで形成することが
できる。

【００９３】またこの実施形態では前記第１のコイル層
５４の各導体部のピッチ間は、レジスト材料などの有機
絶縁材料による絶縁層５６によって塞がれている。有機
絶縁材料製の絶縁層５６を使用する理由は、第１のコイ
ル層５４の各導体部のピッチ間を、確実に埋めることが
できるからである。

【００９４】そして図３に示すように前記第１のコイル
層５４上は、例えば無機絶縁材料製のコイル絶縁層５７
によって覆われている。前記無機絶縁材料には、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂から１種または２種以上が選択さ
れることが好ましい。

【００９５】図３に示すように前記コイル絶縁層５７の
上面５７ａは、前記基準平面Ｄと同一面となって平坦化
されている。

【００９６】さらに図３に示すように前記コイル絶縁層
５７の上面５７ａには、螺旋状にパターン形成された第
２のコイル層５８がメッキ形成されている。前記第２の
コイル層５８も第１のコイル層５４と同じようにＣｕな
どの低い電気抵抗を有する導電材料によって形成されて
いる。なお前記第２のコイル層５８は図２を見てもわか
るように、その巻き方向が第１のコイル層５４のそれと
は逆にされている。

【００９７】上記したように前記第２のコイル層５８の
コイル形成面であるコイル絶縁層５７の上面５７ａは平
坦化面であるので、前記第２のコイル層５８はパターン
精度良く形成される。このため前記第２のコイル層５８
の各導体部を狭ピッチで形成できる。

【００９８】前記第２のコイル層５８上は、レジスト材
料などの有機絶縁材料で形成された絶縁層５９によって
覆われている。さらに前記絶縁層５９上には例えばフレ
ームメッキ法などで形成された上部コア層６０がパター
ン形成されている。図３に示すように前記上部コア層６
０の先端部６０ａは上部磁極層５１上に磁気的に接続さ
れ、前記上部コア層６０の基端部６０ｂはバックギャッ
プ層５５上に磁気的に接続されている。

【００９９】さらに前記上部コア層６０上は、アルミナ
などによる保護層６１によって覆われている。

【０１００】次に上記した第１のコイル層５４の巻き中
心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａと
の導通接続構造について説明する。

【０１０１】図２及び図３に示すように本発明では、前
記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイ
ル層５８の巻き中心部５８ａ間は、第１のコンタクト部
６２を介して導通接続される。

【０１０２】図４は、図３に示す符号Ｅで囲ったコイル
間の導通接続構造の部分拡大図である。図４に示すよう
に、第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａは、平坦化
されたコイル絶縁下地層５３上に形成されている。この
ため前記巻き中心部５４ａの上面５４ｂも平坦化面とし
て形成することができる。

【０１０３】図４に示すように前記巻き中心部５４ａ上
にはコイル絶縁層５７内を貫通して第１のコンタクト部
６２がメッキ形成されている。

【０１０４】なお図４に示す実施形態では、前記第１の
コンタクト部６２の上面６２ａが前記コイル絶縁層５７
の上面５７ａと同一面上に形成されている。

【０１０５】また図４に示すように、前記第１のコンタ
クト部６２の幅寸法は、第１のコイル層５４の巻き中心
部５４ａの幅寸法より小さい方が好ましい。これによっ
て前記第１のコンタクト部６２を、平坦化された第１の
コイル層５４の巻き中心部５４ａ上に適切に形成するこ
とが可能である。

【０１０６】そして図４に示すように前記第１のコンタ
クト部６２の上には第２のコイル層５８の巻き中心部５
８ａが導通接続されている。

【０１０７】本発明では、後述する製造方法によって前
記第１のコンタクト部６２をレジスト層を用いてパター
ン形成できる。上記したように、前記巻き中心部５４ａ
の上面は平坦化面とされているから、この上に前記第１
のコンタクト部６２を、矩形状や円柱状などの水平断面
（下部コア層の上面と平行な方向の断面）が一定の面積
である形状で形成できる。

【０１０８】ところで後述する製造方法で説明するよう
に、図４に示す第１のコンタクト部６２の上面６２ａ及
びコイル絶縁層５７の上面５７ａは、共に研磨加工面で
あるが、本発明では、前記第１のコンタクト部６２をそ
の水平断面が一定の面積を有する形状で形成できるた
め、前記第１のコンタクト部６２を研磨加工したとき、
前記コイル絶縁層５７の上面５７ａから露出する前記第
１のコンタクト部６２の上面６２ａの露出面積をほぼ常
に一定にすることができる。従って第２のコイル層５８
の巻き中心部５８ａと第１のコンタクト部６２との接触
面積を一定にできるから、安定した直流抵抗値を得るこ
とができるとともに、第２のコイル層５８の巻き中心部
５８ａとの導通性を良好に保つことができる。

【０１０９】また本発明では、前記第１のコイル層５４
の巻き中心部５４ａを所定の高さ寸法で形成することが
できるため、その上に形成される前記第１のコンタクト
部６２に対する研磨位置を考慮することで、前記第１の
コンタクト部６２の高さ寸法を所定の大きさに設定で
き、前記直流抵抗値の安定化を図ることができる。

【０１１０】また上記したように、前記第１のコンタク
ト部６２の幅寸法は、第１のコイル層５４の巻き中心部
５４ａの幅寸法よりも小さく形成されるため、前記第１
のコンタクト部６２が前記巻き中心部５４ａの真上でな
く多少ずれて形成されても、前記第１のコンタクト部６
２が前記巻き中心部５４ａ上に乗って形成されれば、安
定した直流抵抗値を図ることができる。

【０１１１】また図４に示す実施形態では、第１のコン
タクト部６２の上面６２ａがコイル絶縁層５７の上面５
７ａと同一面上で形成されているため、前記第１のコン
タクト部６２と第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａ
との導通性をより適切に図ることができる。

【０１１２】次に図４に示す実施形態では、第１のコイ
ル層５４と第２のコイル層５８、及び第１のコンタクト
部６２は、Ｃｕなどの低電気抵抗の導電性材料のみで形
成されておらず、導電性材料層の上に所定厚さの導電性
保護層がメッキ形成された積層構造となっている。

【０１１３】図４に示すように第１のコイル層５４とコ
イル絶縁下地層５３との間には、Ｃｕなどの導電性材料
で形成されたメッキ下地層６３が形成されている。前記
メッキ下地層６３の上には、前記第１のコイル層５４を
構成する導電性材料層６４がメッキ形成されている。

【０１１４】本発明では前記導電性材料層６４は、Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含む
単層構造又は多層構造から成ることが好ましい。

【０１１５】そして図４に示すように前記導電性材料層
６４の上には導電性保護層６５がメッキ形成されてい
る。前記導電性保護層６５は、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以上の元素を含む
単層構造又は多層構造から成ることが好ましい。

【０１１６】前記導電性保護層６５は前記導電性材料層
６４が空気中に曝されたときに、酸化されるのを防止す
る役割を有する。

【０１１７】前記導電性保護層６５をＮｉで形成する
と、前記導電性保護層６５は、常温または加熱雰囲気中
での表面の酸化層が、３．０ｎｍ以上に進行しないこと
がわかっている。したがってイオンミリングなどのドラ
イエッチング法によって、前記導電性保護層６５から
３．０ｎｍ以上削り取ることにより、前記導電性保護層
６５から酸化層を確実に除去することが可能になってい
る。なお図４に示す前記導電性保護層６５は前記酸化層
が除去されており、前記導電性保護層６５の表面に酸化
層が存在しない状態となっている。

【０１１８】なお本発明における実施形態では、前記導
電性保護層６５の膜厚は、２００〜６００ｎｍに設定さ
れている。上記したようにＮｉで形成された導電性保護
層６５の酸化層は３．０ｎｍ以上進行しないから、酸洗
浄やイオンミリング等によって前記導電性保護層６５の
酸化層を除去する場合に、前記導電性保護層６５のみを
削り取り、導電性材料層６４を削り取らないようにする
ことができる。すなわち導電性保護層６５の体積変化を
防ぐことができる。前記導電性材料層６４は、コイル層
の許容電流や直流抵抗値を決定する要素であるので、前
記導電性材料層６４の体積変化を防止できると、コイル
層の許容電流や直流抵抗値が一定であるインダクティブ
ヘッドを形成することができ、インダクティブヘッドの
品質を一定に保つことが可能である。

【０１１９】またＣｕで形成された導電性材料層６４の
上にＮｉで形成された導電性保護層６５を積層すること
によって前記第１のコイル層５４とコイル絶縁層５７と
の密着性や、前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４
ａ上にメッキ形成される第１のコンタクト部６２との密
着性を良好にすることができ、インダクティブヘッドの
直流抵抗値の安定化を図ることができる。

【０１２０】なお本発明では、空気に曝されて前記導電
性保護層６５に酸化層が形成された後、酸洗浄やイオン
ミリング等によって前記導電性保護層６５を全て除去
し、導電性材料層６４のみで第１のコイル層５４を構成
してもよい。この場合、前記導電性材料層６４には酸化
層が存在せず、第１のコンタクト部６２などとの密着性
や直流抵抗値の安定化を適切に図ることができる。

【０１２１】次に前記第１のコンタクト部６２もまた導
電性材料層６４と表面に酸化層が存在しない所定厚さの
導電性保護層６５との積層構造でメッキ形成される。な
お材質や膜厚について上記した通りである。また前記第
１のコンタクト部６２は表面に酸化層が存在しない前記
導電性材料層６４のみでメッキ形成されていてもよい。

【０１２２】また前記第１のコンタクト部６２の形成面
は、第１のコイル層５４の表面であるため前記第１のコ
ンタクト部６２をメッキ形成するときに、メッキ下地層
６３を必要としない。

【０１２３】また図４に示すように、前記第１のコンタ
クト部６２上にメッキ形成される第２のコイル層５８の
巻き中心部５８ａは、第１のコイル層５４と同様に下か
らメッキ下地層６３、導電性材料層６４及び表面に酸化
層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５の順に積層
形成される。なお前記第２のコイル層５８はメッキ下地
層６３上に、表面に酸化層が存在しない導電性材料層６
４のみでメッキ形成されていてもよい。

【０１２４】前記第２のコイル層５８の巻き中心部５８
ａをメッキ形成する際にまずメッキ下地層６３を形成す
るのは、図４に示すように前記巻き中心部５８ａの幅寸
法が第１のコンタクト部６２の幅寸法よりも大きいから
である。前記メッキ下地層６３が形成されていない場合
は、第１のコンタクト部６２上にのみ導電性材料層６４
がメッキ成長しやすく、図４に示すような矩形状の巻き
中心部５８ａを形成しづらくなる。なお前記第２のコイ
ル層５８の巻き中心部５８ａの幅寸法が、第１のコンタ
クト部６２の幅寸法と同程度、あるいはそれよりも小さ
く形成される場合には、前記巻き中心部５８ａの形成の
際にメッキ下地層６３の形成は必要ない。

【０１２５】図５は本発明の第１のコイル層５４の巻き
中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａ
との導通接続構造を示す別の実施形態を示す拡大断面図
である。

【０１２６】この実施形態では図４と同様に第１のコイ
ル層５４及び第２のコイル層５８がメッキ下地層６３、
導電性材料層６４及び表面に酸化層が存在しない所定厚
さの導電性保護層６５の３層メッキ構造で形成されてい
る。また第１のコンタクト部６２は、導電性材料層６４
及び表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層
６５の２層メッキ構造で形成されている。

【０１２７】図４に示す実施形態との相違は、第１のコ
ンタクト部６２の上面６２ａが、コイル絶縁層５７の上
面５７ａと同一面ではなく、前記コイル絶縁層５７の上
面５７ａよりも低い位置に形成されていることである。
なお、前記第１のコンタクト部６２の上面６２ａは前記
コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形成されて
いてもかまわない。

【０１２８】また前記第１のコンタクト部６２は下面か
ら上面６２ａに向かうにしたがって幅寸法が徐々に広が
って形成されている。

【０１２９】このように図４と図５とでは第１のコンタ
クト部６２の形状に相違点が見られるが、これは後述す
るように製造方法に起因するものである。

【０１３０】この実施形態では、コイル絶縁層５７にま
ず第１のコンタクト部６２の形成のための溝部を形成し
た後、前記溝部内に前記第１のコンタクト部６２をメッ
キ成長させるため、前記第１のコンタクト部６２をＣＭ
Ｐ技術などを用いて研磨加工することが無い。

【０１３１】このためメッキ時間などを適切に調整する
ことにより、前記第１のコンタクト部６２の高さ寸法を
調整でき、また平坦化面で形成された第１のコンタクト
部６２の上面６２ａの露出面積を一定の大きさに保ちや
すい。

【０１３２】また図５に示す実施形態では、前記コイル
絶縁層５７に前記溝部を形成する際の前記コイル絶縁層
５７上に形成されるレジストの形状やイオンミリングの
照射角度などを適切に調整することで、前記第１のコン
タクト部６２の両側に形成される傾斜面をより垂直面に
近い向きに形成できる。このため前記傾斜面は極端に傾
斜する面になることはなく、従って第１のコンタクト部
６２の上面６２ａの露出面積を所定値内に収めやすい。

【０１３３】よって図５に示す実施形態においても、コ
イル層の直流抵抗値の安定化を図りやすいと同時に、第
２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとの導通接続を良
好に行うことが可能である。

【０１３４】次に本発明では上記した図４及び図５に示
す第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと第２のコイ
ル層５８の巻き中心部５８ａとの導通接続構造は図３に
示す形態の薄膜磁気ヘッド以外に使用可能である。

【０１３５】例えば本発明では図６に示す薄膜磁気ヘッ
ドの実施形態を提示することができる。なお図６に示す
薄膜磁気ヘッドは縦断面図で示されている。

【０１３６】図６に示す薄膜磁気ヘッドは図３に示す薄
膜磁気ヘッドと同様に再生用のＭＲヘッドと記録用のイ
ンダクティブヘッドとが積層されたいわゆる複合型薄膜
磁気ヘッドであり、相違点は記録媒体との対向面におけ
る下部コア層４７と上部コア層６０間に形成された磁極
部の構成にある。

【０１３７】図６に示すように下部コア層４７上には記
録媒体との対向面に磁性材料製の下部磁極層６６が形成
されている。図６に示すように前記下部磁極層６６の上
面６６ａは前記下部磁極層６６のハイト方向（図示Ｙ方
向）の後方に形成されるコイル絶縁層５７の上面５７ａ
と同一面上で形成される。

【０１３８】前記下部磁極層６６の上には非磁性のギャ
ップ層６７が形成される。前記ギャップ層６７の後端部
は、第１のコイル層５４の最も先端側に位置する導体部
よりも記録媒体との対向面側に位置することが好まし
い。これにより第２のコイル層５８を平坦化されたコイ
ル絶縁層５７上に形成することができ、前記第２のコイ
ル層５８の巻き中心部５８ａと第１のコンタクト部６２
との導通接続を適切に図ることが可能である。

【０１３９】なお前記ギャップ層６７はハイト方向後方
に延ばされて形成されてもよい。かかる構成の場合、第
１のコイル層５４と第２のコイル層５８間にはコイル絶
縁層５７とギャップ層６７とが介在することになる。た
だし前記ギャップ層６７は、第１のコンタクト部６２上
に形成されないようにし、前記第１のコンタクト部６２
と第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａとが導通接続
されるようにしておく必要がある。

【０１４０】また図６に示す実施形態の場合は、図３に
示す薄膜磁気ヘッドと同様に前記ギャップ層６７はＮｉ
Ｐ等の非磁性の導電性材料で形成されてもよいが、従来
からギャップ層として一般的に使用されているＡｌ₂Ｏ₃
やＳｉＯ₂などの非磁性・非導電性材料を用いることも
できる。

【０１４１】また図６に示す実施形態では前記第１のコ
イル層５４の各導体層のピッチ間はコイル絶縁層５７に
よって埋められているが、図３と同様にレジストなどの
有機絶縁材料による絶縁層５６によって埋められていて
もよい。

【０１４２】以上のように本発明では、第１のコイル層
５４の巻き中心部５４ａと第２のコイル層５８の巻き中
心部５８ａとを第１のコンタクト部６２を用いて導通接
続するものであるが、前記コンタクト部による導通接続
構造は他の部分においても使用することができる。

【０１４３】図７は図１に示す７−７線から切断した薄
膜磁気ヘッドの部分断面図であり、まず図７に現れる各
層について図２を用いて説明する。

【０１４４】図２に示すように、第１のコイル層５４に
は、その巻き終端部５４ｃから一体となって長く引き延
ばされた第２のコイルリード層３４がメッキ形成されて
いる。

【０１４５】また図２に示すように第１のコイルリード
層３３が前記第１のコイル層５４とは離れた位置にメッ
キ形成されている。前記第１のコイルリード層３３は第
１のコイル層５４と同じ形成面にしかも同じ工程時にメ
ッキ形成されることが好ましい。

【０１４６】図２に示すように前記第１のコイルリード
層３３のコイル接続端部３３ａは、第２のコイル層５８
の巻き終端部５８ｂと対向する位置に形成され、前記第
１のコイルリード層３３のコイル接続端部３３ａと前記
第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂ間が第２のコン
タクト部６８によって導通接続されている。

【０１４７】また図２に示すように、２つの電極リード
層３５及び３６が第１のコイル層５４とは離れた位置に
メッキ形成されている。前記電極リード層３５及び３６
の下面は、ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子４４にセンス
電流を供給するための電極層４５と導通接続されてい
る。前記電極リード層３５及び３６は、第１のコイル層
５４と同じ形成面にしかも同じ工程時にメッキ形成され
ることが好ましい。

【０１４８】図７には上記した第１のコイルリード層３
３と第２のコイル層５８との導通接続構造、第２のコイ
ルリード層３４、及び電極リード層３６の電極層４５と
の導通接続構造が断面図として現れている。

【０１４９】図７に示すように、第１のコイルリード層
３３のコイル接続端部３３ａは、図３に示す下部コア層
４７の周囲に形成された絶縁層７０上にメッキ形成され
ている。

【０１５０】また前記絶縁層７０上には前記第１のコイ
ルリード層３３の他に第２のコイルリード層３４及び電
極リード層３６がメッキ形成され、図７では、これらの
層間はレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層５６に
よって埋められている。さらに前記絶縁層５６上には無
機絶縁材料によるコイル絶縁層５７が形成されている。

【０１５１】図７に示すように前記第１のコイルリード
層３３のコイル接続端部３３ａ上には、前記コイル絶縁
層５７を貫通する第２のコンタクト部６８がメッキ形成
されている。前記第２のコンタクト部６８の上面６８ａ
は、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一平面とな
っていることが好ましい。

【０１５２】そして図７に示すように前記第２のコンタ
クト部６８上には第２のコイル層５８の巻き終端部５８
ｂが導通接続されている。

【０１５３】かかる構成によってコイル層の直流抵抗値
の安定化を図ることができると共に、第２のコンタクト
部６８と第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂとの導
通性を良好に保つことが可能である。

【０１５４】また前記第２のコンタクト部６８は、図４
に示す第１のコンタクト部６２と同様に導電性材料層６
４と表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性保護層
６５との積層メッキ構造、あるいは表面に酸化層が存在
しない前記導電性材料層６４であることが好ましい。ま
たコイルリード層３３、３４及び電極リード層３５、３
６は、図４に示すコイル層と同様に、メッキ下地層６
３、導電性材料層６４及び表面に酸化層が存在しない所
定厚さの導電性保護層６５の３層メッキ構造、あるいは
メッキ下地層６３上に表面に酸化層が存在しない導電性
材料層６４で形成されることが好ましい。

【０１５５】なお図７に示すように第２の電極リード層
３６と電極層４５との間には、上部ギャップ層４６及び
図３に示す下部コア層４７の周囲に形成された絶縁層７
０を貫通するコンタクト部６９が形成されている。前記
コンタクト部６９の上面６９ａは、前記絶縁層７０の上
面７０ａと同一面上に形成されていることが好ましい。

【０１５６】前記電極層４５上に形成されたコンタクト
部６９は、例えば下部コア層４７の形成と同じ工程時に
レジスト層を用いてパターン形成する。前記コンタクト
部６９は前記下部コア層４７と同じ材質で形成されるこ
とが製造工程を容易化できて好ましいが異なる材質で形
成されていてもかまわない。その後、前記レジスト層を
除去した後、前記下部コア層４７の周囲に絶縁層７０を
形成する。そして例えばＣＭＰ技術などを用いて前記下
部コア層４７及び前記絶縁層７０の上面７０ａを研磨加
工することにより、前記絶縁層７０の上面７０ａと前記
コンタクト部６９の上面６９ａとを同一面に形成するこ
とができる。

【０１５７】図８は図１に示す８−８線から切断した薄
膜磁気ヘッドの部分断面図である。図８に現れる部分は
図２で説明すると、第１のコイル層５４と一体にメッキ
形成された第２のコイルリード層３４の外部接続端部３
４ａ上における導通接続構造である。

【０１５８】図８に示すように前記第２のコイルリード
層３４の外部接続端部３４ａは、下部コア層４７の周囲
に形成された絶縁層７０上に形成され、その上にコイル
絶縁層５７を貫通する第３のコンタクト部７１がメッキ
形成されている。前記第３のコンタクト部７１の上面７
１ａは、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上
で形成されることが好ましい。

【０１５９】前記第３のコンタクト部７１上には図３に
示す上部コア層６０と同じ形成時に形成された持上げ層
７２が形成されている。前記持上げ層７２は上部コア層
６０と同じ材質で形成される方が製造工程を簡略化でき
て好ましいが、異なる材質で形成されていてもかまわな
い。また前記持上げ層７２は形成されていなくても良
く、この場合、次に説明するバンプ３７が前記第３のコ
ンタクト部７１上に直接導通接続される。

【０１６０】前記持上げ層７２上には薄膜磁気ヘッド上
を覆う保護層６１を貫通するバンプ３７がメッキ形成さ
れている。前記バンプ３７は前記保護層６１の上面６１
ａから露出して形成されており、前記保護層６１上に形
成された外部接続用端子３８と導通接続されている。

【０１６１】なお図８では、第２のコイルリード層３４
の外部接続端部３４ａにおける導通接続構造について説
明したが、図２に示す第１のコイルリード層３３の外部
接続端部３３ｂにおける導通接続構造も図８と同じであ
る。

【０１６２】すなわち前記第１のコイルリード層３３の
上には第３のコンタクト部７１がコイル絶縁層５７を貫
通してメッキ形成され、さらに前記第３のコンタクト部
７１上には、持上げ層７２、バンプ３７及び外部接続用
端子３８がそれぞれ形成されている。

【０１６３】なお前記第３のコンタクト部７１は第１の
コンタクト部６２と同様に導電性材料層６４と表面に酸
化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５との積層
メッキ構造、あるいは表面に酸化層が存在しない導電性
材料層６４で構成されていることが好ましい。

【０１６４】図８に示す構成によって、コイル層の直流
抵抗値の安定化を図ることができると共に、第３のコン
タクト部７１とバンプ３７との導通性を良好に保つこと
が可能である。

【０１６５】図９は、図１に示す９−９線から切断した
薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。図９に現れる部分は
図２で説明すると、電極リード層３６の外部接続端部３
６ａ上における導通接続構造である。

【０１６６】図９に示すように、前記電極リード層３６
の外部接続端部３６ａは、下部コア層４７の周囲に形成
された絶縁層７０上に形成され、その上にコイル絶縁層
５７を貫通する第４のコンタクト部７３がメッキ形成さ
れている。前記第４のコンタクト部７３の上面７３ａ
は、前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一面上で形
成されることが好ましい。

【０１６７】前記第４のコンタクト部７３上には図３に
示す上部コア層６０と同じ形成時に形成された持上げ層
７２が形成されている。前記持上げ層７２は上部コア層
６０と同じ材質で形成される方が製造工程を簡略化でき
て好ましいが、異なる材質で形成されていてもかまわな
い。また前記持上げ層７２は形成されていなくても良
く、この場合、次に説明するバンプ３９が前記第４のコ
ンタクト部７３上に直接導通接続される。

【０１６８】前記持上げ層７２上には図３に示す上部コ
ア層６０上を覆う保護層６１を貫通するバンプ３９がメ
ッキ形成されている。前記バンプ３９は前記保護層６１
の上面６１ａから露出して形成されており、前記保護層
６１上に形成された外部接続用端子４０と導通接続され
ている。

【０１６９】なお図９では、電極リード層３６の外部接
続端部３６ａにおける導通接続構造について説明した
が、図２に示す電極リード層３５の外部接続端部３５ａ
における導通接続構造も図９と同じである。

【０１７０】すなわち前記電極リード層３５の上には第
４のコンタクト部７３がコイル絶縁層５７を貫通してメ
ッキ形成され、さらに前記第４のコンタクト部７３上に
は、持上げ層７２、バンプ３９及び外部接続用端子４０
がそれぞれ形成されている。

【０１７１】なお前記第４のコンタクト部７３は第１の
コンタクト部６２と同様に導電性材料層６４と表面に酸
化層が存在しない所定厚さの導電性保護層６５との積層
メッキ構造、あるいは表面に酸化層が存在しない導電性
材料層６４で構成されていることが好ましい。

【０１７２】図９に示す構成によって、ＭＲヘッドの直
流抵抗値の安定化を図ることができると共に、第４のコ
ンタクト部７３とバンプ３９との導通性を良好に保つこ
とが可能である。

【０１７３】次に図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法
について以下に説明する。図１０ないし図２０は薄膜磁
気ヘッドの部分縦断面図である。

【０１７４】図１０に示すように、下部コア層４７上に
Ｇｄ決め絶縁層５２を形成した後、前記下部コア層４７
上にレジスト層７４を形成する。前記レジスト層７４に
は記録媒体との対向面側にトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された磁極部形成
溝７４ａを露光現像によりパターン形成する。

【０１７５】次に前記磁極部形成溝７４ａ内に下から下
部磁極層４９、ギャップ層５０及び上部磁極層５１から
成る磁極部４８を形成する。前記ギャップ層５０にはメ
ッキ形成可能な非磁性金属材料を選択することが好まし
く、具体的には、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭ
ｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種ま
たは２種以上から選択することが好ましい。

【０１７６】これによって下部磁極層４９、ギャップ層
５０及び上部磁極層５１を連続してメッキ形成すること
が可能である。また本発明では、前記磁極部４８をギャ
ップ層５０と上部磁極層５１の２層構造で形成してもよ
い。

【０１７７】そして本発明では、前記レジスト層７４を
除去した後、前記バックギャップ層５５形成のための抜
きパターンを有するレジスト層を新たに形成して、前記
バックギャップ層５５を形成する。

【０１７８】あるいは図１０に示すように前記記録媒体
との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置
に、前記下部コア層４７上にバックギャップ層５５を形
成するための抜きパターン７４ｂを露光現像によって形
成し、前記抜きパターン７４ｂ内にバックギャップ層５
５を形成してもよい。

【０１７９】図１１は下部コア層４７上に磁極部４８と
バックギャップ層５５とが形成された状態を示してい
る。

【０１８０】次に図１２に示す工程では、磁極部４８上
から下部コア層４７及びバックギャップ層５５上にかけ
てコイル絶縁下地層５３を形成する。

【０１８１】さらに前記コイル絶縁下地層５３上に第１
のコイル層５４をパターン形成する。図１２に示すよう
に前記第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａをバック
ギャップ層５５よりもハイト方向（図示Ｙ方向）に位置
させ、前記巻き中心部５４ａから螺旋状に第１のコイル
層５４をメッキ形成する。

【０１８２】また図１２に示すように前記第１のコイル
層５４の上面を前記磁極部４８の上面４８ａよりも低い
位置で形成する。

【０１８３】このように本発明では、前記第１のコイル
層５４の各導体部及び巻き中心部５４ａを平坦化された
コイル絶縁下地層５３の上に形成することができる。よ
って前記第１のコイル層５４を所定の形状で、しかも各
導体部のピッチ間を狭く形成することが可能である。

【０１８４】次に図１３ないし図１６に示すように前記
第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上に第１のコン
タクト部６２をメッキ形成する。

【０１８５】図１３は、前記コイル絶縁下地層５３の全
面にメッキ下地層６３を形成し、その上に導電性材料層
６４及び導電性保護層６５が連続メッキ形成された第１
のコイル層５４の断面が表されている。

【０１８６】なお本発明では前記導電性材料層６４を、
Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか一方または両方の元素を含
む単層構造又は多層構造でメッキ形成し、また前記導電
性保護層６５を、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又は
Ｗのうち１種または２種以上の元素を含む単層構造又は
多層構造でメッキ形成することが好ましい。

【０１８７】前記導電性保護層６５に酸化層が形成され
ても、前記酸化層の厚さは前記導電性保護層６５の厚さ
以上に進行せず、したがってイオンミリングなどによっ
て、前記酸化層を確実に除去でき、この際前記導電性材
料層６４を傷つける心配が無い。なお前記酸化層をエッ
チングにより除去するときには、前記導電性保護層６５
の酸化層が形成された部分のみを除去するか、あるいは
前記導電性保護層６５の全てを除去する。これによって
前記第１のコイル層６４の上面には酸化層が存在しない
前記導電性保護層６５が残され、あるいは酸化層が存在
しない導電性材料層６４が露出する。これにより直流抵
抗値を安定させることができ、また密着性を良好にでき
る。

【０１８８】次に図１４に示すように前記第１のコイル
層５４上をレジスト層７５によって覆う。図１４に示す
ように前記レジスト層７５は膜厚Ｈ１で形成されるが、
前記膜厚Ｈ１は、図１２に示す磁極部４８の高さ寸法と
同程度かあるいは大きいことが好ましい。これは前記第
１のコイル層５４の巻き中心部５４ａ上にメッキ形成さ
れる第１のコンタクト部６２の上面をコイル絶縁層５７
の上面と同一面上に形成しやすくするためである。

【０１８９】図１４に示すように前記第１のコイル層５
４上にレジスト層７５を形成した後、前記第１のコイル
層５４の巻き中心部５４ａ上に形成された前記レジスト
層７５の部分に露光現像によって抜きパターン７５ａを
形成する。

【０１９０】前記レジスト層７５への露光現像によって
形成された抜きパターン７５ａは、矩形状や円柱状など
の下部コア層４７の上面と平行な方向の断面が一定の大
きさとなるように形成される。

【０１９１】次に前記レジスト層７５の抜きパターン７
５ａ内に第１のコンタクト部６２をメッキ形成する。前
述したように第１のコイル層５４の上面に形成された酸
化層は除去されているので、前記第１のコイル層５４の
巻き中心部５４ａ上に前記第１のコンタクト部６２を密
着性良くメッキ形成することができる。

【０１９２】また図１４に示すように前記第１のコンタ
クト部６２は、導電性材料層６４と導電性保護層６５と
の積層構造で形成することが好ましい。前記導電性材料
層６４及び導電性保護層６５の材質については上述した
通りである。

【０１９３】なお本発明では前記第１のコンタクト部６
２の形成のときに、メッキ下地層６３を形成する必要が
無い。前記第１のコンタクト部６２を第１のコイル層５
４の巻き中心部５４ａ上に直接メッキ成長させるからで
ある。このため前記第１のコンタクト部６２の形成工程
を容易化できる。

【０１９４】また前記第１のコンタクト部６２の上面
は、レジスト層７５の上面とほぼ同一面上で形成される
か、あるいは図１４に示すように若干低く形成される。
そして前記レジスト層７５を除去すると図１５に示すよ
うな構造となる。

【０１９５】本発明では、図１４に示す工程において前
記第１のコンタクト部６２を形成するための抜きパター
ン７５ａを矩形状や円柱状などの下部コア層４７の上面
と平行な方向の断面が一定の大きさになる形状で形成で
きるから、前記第１のコンタクト部も下部コア層４７の
上面と平行な方向の断面が一定の大きさになる形状で形
成できる。

【０１９６】次に図１６の工程時に、第１のコイル層５
４の導電材料層６４下に形成されたメッキ下地層６３以
外のメッキ下地層６３をエッチングにて除去する。

【０１９７】次に図１７に示すように、第１のコイル層
５４の各導体部のピッチ間にレジスト等の有機材料製の
絶縁層５６を埋めた後、前記第１のコイル層５４上にコ
イル絶縁層５７をスパッタ形成する。前記コイル絶縁層
５７は無機絶縁材料で形成されることが好ましい。前記
コイル絶縁層５７の上面は、ＣＭＰ技術などによって研
磨されるからである。なお前記無機絶縁材料には、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＯ ₂から１種または２種以上を選択
することが好ましい。

【０１９８】また図１７に示すように前記コイル絶縁層
５７は磁極部４８及びバックギャップ層５５上にもスパ
ッタ形成される。

【０１９９】次に図１７に示すように前記コイル絶縁層
５７の上面をＦ−Ｆ線まで例えばＣＭＰ技術などを用い
て研磨加工する。この研磨加工によって、磁極部４８、
バックギャップ層５５及び第１のコイル層５４の巻き中
心部５４ａ上にメッキ形成された第１のコンタクト部６
２の上面が前記コイル絶縁層５７の上面５７ａと同一平
面となって露出する（図１８を参照のこと）。

【０２００】本発明では前述した図１６に示す工程にお
いて、前記第１のコンタクト部６２を矩形状や円柱状な
ど下部コア層４７の上面と平行な方向に対する断面が一
定の大きさとなる形状で形成できるから、前記第１のコ
ンタクト部６２の上面の露出面積を一定の大きさで形成
できる。

【０２０１】なお前記研磨加工によって、前記第１のコ
ンタクト部６２の導電性保護層６５に形成された酸化層
が研磨除去され、前記導電性保護層６５の一部が残され
て、前記導電性保護層６５が前記コイル絶縁層５７の上
面から露出することが好ましい。あるいは前記導電性保
護層６５をすべて除去し、酸化層が存在しない導電性材
料層６４の上面を露出させてもよい。

【０２０２】第１のコンタクト部６２にＮｉなどで形成
された導電性保護層６５が設けられていないと、Ｃｕな
どで形成された導電性材料層６４は、軟らかい金属なの
で、前記導電性材料層６４の上面を研磨加工した場合、
前記導電性材料層６４にだれが発生し、直流抵抗値の不
安定化や密着性の低下を招きやすくなる。このため本発
明では、前記導電性材料層６４よりも硬い金属である導
電性保護層６５を設け、この導電性保護層６５が研磨加
工されるようにすることにより、上面にだれなどが発生
しない第１のコンタクト部６２を形成することができ
る。

【０２０３】なお前記研磨工程と次に説明する第２のコ
イル層５８の形成工程との間に、薄膜磁気ヘッドが空気
に曝される場合があるときは、前記第２のコイル層５８
の形成前にエッチングを施し、新たに前記導電性保護層
６５に形成された酸化層を除去することが好ましい。

【０２０４】これによって前記第１のコンタクト部６２
の上面には酸化層が存在せず、第２のコイル層５８の巻
き中心部５８ａとの密着性を向上させることができる。

【０２０５】次に図１９に示すように、前記コイル絶縁
層５７の上面５７ａに第２のコイル層５８をパターン形
成する。このとき前記第２のコイル層５８の巻き中心部
５８ａをコイル絶縁層５７から露出する第１のコンタク
ト部６２上に導通接続させる。そして前記巻き中心部５
８ａを中心として螺旋状に各導体部をメッキ形成する。
なお前記第２のコイル層５８は下からメッキ下地層６
３、導電性材料層６４及び導電性保護層６５の３層メッ
キ構造で形成することが好ましい。前記第２のコイル層
５８を形成した後、エッチングにより前記導電性保護層
６５に形成された酸化層、あるいは前記導電性保護層６
５全体及び第２のコイル層５８の下以外の前記メッキ下
地層を除去する。さらに前記第２のコイル層５８上を有
機絶縁材料で形成された絶縁層５９によって覆う。

【０２０６】図２０に示す工程では、前記磁極部４８上
から前記絶縁層５９上、さらには前記バックギャップ層
５５上にかけて上部コア層６０をフレームメッキ法など
によりパターン形成する。これによって図３に示す薄膜
磁気ヘッドが完成する。

【０２０７】上記のように本発明では、第１のコンタク
ト部６２をレジスト層を用いたパターン形成のみで形成
することができ、容易にしかも少ない工程数で前記第１
のコンタクト部６２をメッキ形成できる。

【０２０８】また本発明では、前記第１のコイル層５４
の巻き中心部５４ａを平坦化されたコイル絶縁下地層５
４上に形成することができ、前記巻き中心部５４ａの上
面を平坦化面として形成でき、さらに前記巻き中心部５
４ａ上にメッキ形成される前記第１のコンタクト部６２
の上面も平坦化面として形成できる。特に本発明では前
記第１のコンタクト部６２を下部コア層４７の上面と平
行な方向への断面が一定の大きさとなる形状で形成でき
る。したがって前記第１のコンタクト部６２の上面の面
積を一定に保ち、安定した直流抵抗値を得ることができ
るとともに、第２のコイル層５８の巻き中心部５８ａと
の導通性を良好にすることができる。

【０２０９】図２１ないし図２３に示す工程図は図５に
示す導通接続構造の製造方法を示す一工程図である。

【０２１０】図２１に示す工程では、まずコイル絶縁下
地層５３上に形成された第１のコイル層５４の各導体部
間をレジストなどの有機絶縁材料による絶縁層５６で埋
めた後、前記絶縁層５６及び第１のコイル層５４上にコ
イル絶縁層５７をスパッタ形成する。なお図２１に示す
ように前記第１のコイル層５４は、例えば下からメッキ
下地層６３、導電性材料層６４及び導電性保護層６５の
３層メッキ構造で形成される。

【０２１１】なお前記コイル絶縁層５７の上面５７ａ
は、図１７に示す工程におけるＣＭＰ技術などによる研
磨工程により平坦化されている。

【０２１２】図２２に示す工程では、前記コイル絶縁層
５７の上面５７ａにレジスト層７６を形成した後、前記
第１のコイル層５４の巻き中心部５４ａと対向する位置
に形成されたレジスト層７６に露光現像により抜きパタ
ーン７６ａを形成する。このとき前記レジスト層７６に
熱処理を施すことにより前記抜きパターン７６ａの両側
端面７６ｂは若干傾斜する。

【０２１３】そして前記抜きパターン７６ａ内に露出し
た絶縁層５７ｂの部分をエッチングにより除去する。こ
のエッチング工程によって第１のコイル層５４の巻き中
心部５４ａを露出させる。このとき前記巻き中心部５４
ａの表面に形成された導電性保護層６５の一部を残し前
記導電性保護層６５下に形成された導電性材料層６４ま
でエッチングされないことが好ましい。

【０２１４】次に図２３に示す工程では、前記巻き中心
部５４ａ上に第１のコンタクト部６２をメッキ形成す
る。前記第１のコンタクト部６２は導電性材料層６４と
導電性保護層６５との積層メッキ構造であることが好ま
しい。

【０２１５】次に前記第１のコンタクト部６２の導電性
保護層６５に形成された酸化層を除去した後、図１９に
示す工程においてコイル絶縁層５７上に第２のコイル層
５８をメッキ形成する。このとき前記第２のコイル層５
８の巻き中心部５８ａを第１のコンタクト部６２上に形
成して導通接続させる。

【０２１６】その後、図１９に示すように前記第２のコ
イル層５８上を絶縁層５９で覆い、さらに図２０工程で
上部コア層６０を形成する。

【０２１７】この製造方法によっても、前記第１のコン
タクト部６２を平坦化された第１のコイル層５４の巻き
中心部５４ａ上に形成できるから、前記第１のコンタク
ト部６２の上面を平坦化面として形成できる。

【０２１８】なお図２２に示す工程において、レジスト
層７６に形成された抜きパターン７６ａの両側端面７６
ｂには傾斜面が形成されるが、これによって前記第１の
コンタクト部６２の両側端面にも傾斜が付きやすくなり
（図２３を参照のこと）、前記第１のコンタクト部６２
の高さ寸法によって前記第１のコンタクト部６２の上面
の面積が変動しやすくなる。このため前記第１のコンタ
クト部６２の両側端面にはできる限り傾斜が付かないよ
うにすることが好ましいが、それは、図２２に示す工程
においてコイル絶縁層５７をエッチングするとき、異方
性エッチングを使用したり、あるいは図２２に示すレジ
スト層７６の硬化温度などを調整しながら、抜きパター
ン７６ａの両側端面７６ｂに傾斜ができる限り付かない
ようにすることによって改善することができる。

【０２１９】また第１のコンタクト部６２の両側端面が
傾斜面とされていても、メッキ時間などを適切に調整す
ることで、前記第１のコンタクト部６２の高さ寸法を所
定値に設定でき、また前記第１のコンタクト部６２の上
面６２ａの露出面積を所定値内に収めることができる。

【０２２０】次に本発明では、図１２に示す工程のとき
に、第１のコイル層５４とは離れた位置に図２あるいは
図７に示す第１のコイルリード層３３をメッキ形成し、
図１３ないし図１６、あるいは図２１ないし図２３と同
一工程によって、前記第１のコイルリード層３３のコイ
ル接続端部３３ａ上に第２のコンタクト部６８を形成す
ることができる。

【０２２１】そして図１９に示す第２のコイル層５８形
成時に、前記第２のコイル層５８の巻き終端部５８ｂ
を、前記第２のコンタクト部６８に導通接続させること
ができる。

【０２２２】また本発明では、図２に示す第１のコイル
層５４の巻き終端部から一体にして形成された第２のコ
イルリード層３４の外部接続端部３４ａ及び／または前
記第１のコイルリード層３３の外部接続端部３３ｂ上
に、図１３ないし図１６、あるいは図２１ないし図２３
と同一工程によって、第３のコンタクト部７１をメッキ
形成することができる。

【０２２３】その後、図２０に示す上部コア層６０の製
造工程と同一工程時に、図８に示す前記第３のコンタク
ト部７１上に持上げ層７２を形成し、前記持上げ層７２
上にバンプ３７を形成し、さらに保護層６１の上面から
露出する前記バンプ３７の表面に外部接続用端子３８を
形成する。

【０２２４】さらには本発明では、図１２に示す第１の
コイル層５４の形成時に、前記第１のコイル層５４とは
離れた位置に、図２あるいは図９に示す電極リード層３
５及び３６をメッキ形成し、図１３ないし図１６、ある
いは図２１ないし図２３と同一工程によって、第４のコ
ンタクト部７３を前記電極リード層３５及び３６の外部
接続端部３５ａ及び３６ａ上にメッキ形成することがで
きる。

【０２２５】その後、図２０に示す上部コア層６０の製
造工程と同一工程時に、図９に示す前記第４のコンタク
ト部７３上に持上げ層７２を形成し、前記持上げ層７２
上にバンプ３９を形成し、さらに保護層６１の上面から
露出する前記バンプ３９の表面に外部接続用端子４０を
形成する。

【０２２６】なお上記した第２のコンタクト部６８、第
３のコンタクト部７１及び第４のコンタクト部７３を、
第１のコンタクト部６２と同様に、導電性材料層６４及
び導電性保護層６５の積層メッキ構造で形成することが
好ましい。

【０２２７】また本発明では、第１のコイルリード層３
３、電極リード層３５及ぶ３６を、第１のコイル層５４
と同様に下からメッキ下地層６３、導電性材料層６４及
び導電性保護層６５の３層メッキ構造で形成することが
好ましい。

【０２２８】以上のように本発明では、第１のコンタク
ト部６２と同じ製造工程時に、第２のコンタクト部６
８、第３のコンタクト部７１及び第４のコンタクト部７
３をメッキ形成することができるため、製造工程数を少
なくでき、製造効率を向上させることができる。

【０２２９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明では、第１の
コイル層の巻き中心部と第２のコイル層の巻き中心部間
を第１のコンタクト部によって導通接続させるものであ
る。

【０２３０】本発明では、前記第１のコイル層の巻き中
心部を平坦化された面上に形成するため、前記巻き中心
部の上面を平坦化面として形成できる。

【０２３１】よって前記巻き中心部上に第１のコンタク
ト部を矩形状や円柱状などの水平断面が一定の面積を有
する形状で形成しやすく、したがってコイル絶縁層の上
面から研磨加工によって露出する前記第１のコンタクト
部の上面の露出面積をほぼ常に一定に保つことができ
る。

【０２３２】従って本発明では、前記第１のコンタクト
部上に導通接続される第２のコイル層の巻き中心部との
導通性を良好にできるとともに、安定した直流抵抗を得
ることができる。

【０２３３】また本発明における製造方法によれば、前
記コイル層間の第１のコンタクト部による導通接続を容
易にしかも少ない製造工程で形成できるとともに、例え
ばＭＲヘッドの電極リード層とバンプ間の導通接続も、
前記コイル層間の導通接続工程と同じ工程時に行うこと
ができ、製造工程の容易化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるスライダのトレーリング側端面
の部分正面図、

【図２】２層コイル間の導通接続構造や、各リード層の
導通接続構造を示す模式図、

【図３】図１に示す３−３線から切断した本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、

【図４】図３に示す符号Ｅ内のコイル層間の導通接続構
造を示す部分拡大断面図、

【図５】本発明における他の実施形態のコイル層間の導
通接続構造を示す部分拡大断面図、

【図６】本発明における他の実施形態の薄膜磁気ヘッド
の部分縦断面図、

【図７】図１に示す７−７線から切断した本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドの部分断面図、

【図８】図１に示す８−８線から切断した本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドの部分断面図、

【図９】図１に示す９−９線から切断した本発明におけ
る薄膜磁気ヘッドの部分断面図、

【図１０】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を
示す一工程図、

【図１１】図１０の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１２】図１１の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１３】第１のコイル層の巻き中心部上にメッキ形成
される第１のコンタクト部の製造方法を示す図１２の工
程の次に行なわれる一工程図、

【図１４】図１３の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１５】図１４の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１６】図１５の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１７】図１６の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１８】図１７の工程の次に行なわれる一工程図、

【図１９】図１８の工程の次に行なわれる一工程図、

【図２０】図１９の工程の次に行なわれる一工程図、

【図２１】第１のコイル層の巻き中心部上にメッキ形成
される第１のコンタクト部の他の製造方法を示す一工程
図、

【図２２】図２１の工程の次に行なわれる一工程図、

【図２３】図２２の工程の次に行なわれる一工程図、

【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、

【図２５】図２４に示すコイル層間の導通接続構造の製
造方法を示す一工程図、

【図２６】図２５の工程の次に行なわれる一工程図、

【図２７】図２６の工程の次に行なわれる一工程図、

【図２８】図２４に示すコイル層間の導通接続構造の製
造方法の問題点を示す一工程図、

【符号の説明】

３３ 第１のコイルリード層 ３４ 第２のコイルリード層 ３５、３６ 電極リード層 ３７、３９ バンプ ３８、４０ 外部接続用端子 ４７ 下部コア層 ４８ 磁極部 ５４ 第１のコイル層 ５４ａ （第１のコイル層の）巻き中心部 ５７ コイル絶縁層 ５８ 第２のコイル層 ５８ａ （第２のコイル層の）巻き中心部 ６０ 上部コア層 ６２ 第１のコンタクト部 ６３ メッキ下地層 ６４ 導電性材料層 ６５ 導電性保護層 ６８ 第２のコンタクト部 ６９ コンタクト部 ７０ 絶縁層 ７１ 第３のコンタクト部 ７２ 持上げ層 ７５、７６ レジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 潔 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 牛膓 英紀 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA36 BA39 DA04 DA07 DA31

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部コア層と上部コア層との間に、両コ
   ア層に記録磁界を誘導するコイル層が設けられてなる薄
   膜磁気ヘッドにおいて、 前記コイル層は、第１のコイル層とその上にコイル絶縁
   層を介して形成される第２のコイル層とで構成され、 前記第１のコイル層の巻き中心部は平坦化された面上に
   形成され、前記巻き中心部上には、前記コイル絶縁層内
   を貫通する第１のコンタクト部がメッキ形成され、前記
   コイル絶縁層の上面から露出する前記第１のコンタクト
   部の上面に前記第２のコイル層の巻き中心部が導電接続
   されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 記録媒体との対向面における前記下部コ
   ア層と上部コア層間には、少なくとも非磁性のギャップ
   層と前記ギャップ層と上部コア層間に形成される上部磁
   極層とを有する磁極部が形成され、 前記磁極部と上部コア層との接合面を基準平面としたと
   きに、 前記第１のコイル層は、前記磁極部のハイト方向後方に
   位置し、且つ前記コイル層の上面が前記基準平面よりも
   下側に位置し、 前記第１のコイル層上に形成される前記コイル絶縁層の
   上面は、前記基準平面と同一平面となっている請求項１
   記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記第１のコンタクト部の上面は前記コ
   イル絶縁層の上面と同一面上で形成される請求項１また
   は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記第１のコイル層とは離れた位置に第
   １のコイルリード層が形成され、前記第１のコイルリー
   ド層のコイル接続端部上に前記コイル絶縁層内を貫通す
   る第２のコンタクト部がメッキ形成され、前記第２のコ
   ンタクト部上に第２のコイル層の巻き終端部が導電接続
   される請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
   ッド。
5. 【請求項５】 前記第２のコンタクト部の上面は前記コ
   イル絶縁層の上面と同一面上に形成される請求項４記載
   の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記第１のコイル層とは離れた位置に第
   １のコイルリード層が形成され、前記第１のコイル層の
   巻き終端部には第２のコイルリード層が一体に形成さ
   れ、前記第１のコイルリード層の外部接続端部上及び／
   または前記第２のコイルリード層の外部接続端部上に
   は、前記コイル絶縁層内を貫通する第３のコンタクト部
   がメッキ形成され、前記第３のコンタクト部上に直接あ
   るいは他層を介してバンプが形成されている請求項１な
   いし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記第３のコンタクト部の上面は前記コ
   イル絶縁層の上面と同一面上に形成される請求項６記載
   の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記薄膜磁気ヘッドは、前記下部コア層
   の下側に再生用の磁気抵抗効果素子を備えた複合型の薄
   膜磁気ヘッドであり、前記磁気抵抗効果素子にセンス電
   流を供給するための電極リード層が、前記第１のコイル
   層とは離れた位置に形成され、前記電極リード層の外部
   接続端部上に前記コイル絶縁層内を貫通する第４のコン
   タクト部がメッキ形成され、前記第４のコンタクト部上
   に直接あるいは他層を介してバンプが形成されている請
   求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 前記第４のコンタクト部の上面は前記コ
   イル絶縁層の上面と同一面上に形成される請求項８記載
   の薄膜磁気ヘッド。
10. 【請求項１０】 前記第１のコンタクト部ないし第４の
    コンタクト部の少なくとも一つのコンタクト部は、下部
    コア層の上面と平行な方向に切断した断面積が一定の大
    きさである請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッド。
11. 【請求項１１】 前記第１のコンタクト部ないし第４の
    コンタクト部のうち少なくとも一つのコンタクト部が、
    導電性材料層とその上に積層された表面に酸化層が存在
    しない所定厚さの導電性保護層とでメッキ形成されてい
    るか、あるいは表面に酸化層が存在しない前記導電性材
    料層でメッキ形成されている請求項１ないし１０のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 前記第１のコイル層、第２のコイル
    層、第１のコイルリード層、第２のコイルリード層、及
    び電極リード層のいずれかが、導電性材料層とその上に
    積層された表面に酸化層が存在しない所定厚さの導電性
    保護層とでメッキ形成されているか、あるいは表面に酸
    化層が存在しない前記導電性材料層でメッキ形成されて
    いる請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
    ッド。
13. 【請求項１３】 前記導電性材料層は、Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
    ｇのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造又は
    多層構造から成り、また前記導電性保護層は、Ｎｉ，Ｃ
    ｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または２種以
    上の元素を含む単層構造又は多層構造から成る請求項１
    １または１２に記載の薄膜磁気ヘッド。
14. 【請求項１４】 以下の工程を有することを特徴とする
    薄膜磁気ヘッドの製造方法。 （ａ）下部コア層上に、少なくとも非磁性のギャップ層
    と上部磁極層とを有する磁極部を記録媒体との対向面か
    らハイト方向に所定の長さ寸法で形成する工程と、
    （ｂ）前記磁極部のハイト方向後方に、前記下部コア層
    上にコイル絶縁下地層を形成し、前記コイル絶縁下地層
    上に前記磁極部の上面よりも低い高さで第１のコイル層
    をメッキ形成する工程と、（ｃ）前記第１のコイル層上
    をレジスト層で覆い、このとき前記第１のコイル層の巻
    き中心部上に露光現像によって第１のコンタクト部を形
    成するための抜きパターンを形成する工程と、（ｄ）前
    記抜きパターン内に前記第１のコンタクト部をメッキ形
    成する工程と、（ｅ）前記レジスト層を除去し、前記第
    １のコイル層上及び前記第１のコンタクト部上にコイル
    絶縁層を形成する工程と、（ｆ）前記コイル絶縁層の上
    面を前記磁極部の上面と同一面となるように平坦化し、
    このとき前記絶縁層の上面に前記第１のコンタクト部の
    上面を露出させる工程と、（ｇ）前記コイル絶縁層上に
    第２のコイル層をメッキ形成し、このとき前記第２のコ
    イル層の巻き中心部を前記コンタクト部上に導通接続さ
    せる工程と、（ｈ）前記上部磁極層上から前記第２のコ
    イル層上に形成された絶縁層上にかけて上部コア層を形
    成する工程、
15. 【請求項１５】 前記（ｂ）工程のときに、前記第１の
    コイル層とは離れた位置に第１のコイルリード層をメッ
    キ形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同一工程によ
    って、前記第１のコイルリード層のコイル接続端部上に
    第２のコンタクト部をメッキ形成し、前記（ｇ）工程の
    ときに第２のコイル層の巻き終端部を、前記第２のコン
    タクト部の上面と導通接続させる請求項１４記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
16. 【請求項１６】 前記（ｂ）工程時に、前記第１のコイ
    ル層とは離れた位置に第１のコイルリード層を形成し、
    また前記第１のコイル層の巻き終端部から前記第１のコ
    イル層と一体で第２のコイルリード層をメッキ形成し、
    前記（ｃ）ないし（ｆ）工程と同一工程によって、前記
    第１のコイルリード層の外部接続端部上及び／または第
    ２のコイルリード層の外部接続端部上に第３のコンタク
    ト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、前記第３
    のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介してバンプ
    を形成する請求項１４または１５に記載の薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記（ａ）工程の前に、前記下部コア
    層の下側に再生用の磁気抵抗効果素子を形成し、 前記（ｂ）工程のときに、前記第１のコイル層とは離れ
    た位置に、前記磁気抵抗効果素子に検出電流を供給する
    ための電極リード層を形成し、前記（ｃ）ないし（ｆ）
    工程と同一工程によって、前記電極リード層上に第４の
    コンタクト部をメッキ形成し、前記（ｈ）工程の後に、
    前記第４のコンタクト部上に直接にあるいは他層を介し
    てバンプを形成する請求項１４ないし１６のいずれかに
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記（ｄ）工程における第１のコンタ
    クト部ないし第４のコンタクト部のいずれかのコンタク
    ト部の形成時において、導電性材料層をメッキ形成した
    後、前記導電性材料層の上に、常温または加熱雰囲気で
    の表面の酸化層が所定厚さ以上に進行しない材料を、前
    記所定厚さでメッキ形成して導電性保護層を形成し、前
    記（ｆ）工程のとき、あるいは前記（ｆ）工程と（ｇ）
    工程の間に、前記導電性保護層の表面に形成された酸化
    層を除去して前記コイル絶縁層の上面から前記導電性保
    護層を露出させ、あるいは導電性保護層を全部除去し
    て、前記コイル絶縁層の上面から導電性材料層を露出さ
    せる請求項１４ないし１７のいずれかに記載の薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記（ｂ）工程時における前記第１の
    コイル層、第１のコイルリード層、第２のコイルリード
    層及び電極リード層の形成時、あるいは前記（ｇ）工程
    時における第２のコイル層の形成時において、導電性材
    料層をメッキ形成した後、前記導電性材料層の上に、常
    温または加熱雰囲気での表面の酸化層が所定厚さ以上に
    進行しない材料を、前記所定厚さでメッキ形成して導電
    性保護層を形成し、次の工程に移行する前に、前記導電
    性保護層の表面に形成された酸化層を除去して前記コイ
    ル絶縁層の上面から前記導電性保護層を露出させ、ある
    いは導電性保護層を全部除去して、前記コイル絶縁層の
    上面から前記導電性材料層を露出させる請求項１４ない
    し１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
20. 【請求項２０】 前記導電性材料層を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
    ｇのいずれか一方または両方の元素を含む単層構造又は
    多層構造でメッキ形成し、また前記導電性保護層を、Ｎ
    ｉ，Ｃｒ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｂ又はＷのうち１種または
    ２種以上の元素を含む単層構造又は多層構造でメッキ形
    成する請求項１８または１９に記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。