JP2007059908A - オーバーレイドリード線を備えた磁気記録ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】ハードバイアス構造間のセンサの上面と接触し、センサとの直接接触から電気的に絶縁されたハードバイアス構造とは接触しない、オーバーレイドリードパッドを備えた磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】フォトレジストパッド４６をセンサ４１の中心部の上全体にわたってパターニングして、リード線間でほぼ対称に位置するセンサの活性領域を画定する。導電材料４８をフォトレジストパッド４６の側壁への蒸着を最大限にするために、導電材料４８を浅い角度で蒸着し、次に高角度でイオンミルを行って、側壁材料を残しながらこの領域から導電材料を除去する。絶縁層５１を高角度でリード材料上に蒸着し、次に浅い角度でミルを行って、側壁から絶縁材を除去する。次に、リード材料５３をウェハ全体に蒸着して、リードパッド４８Ａ、４８Ｂの側面に接続させる。次に、露出した接続リード材料５３とともにリードパッドを残して、フォトレジストパッドを剥離する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、磁気記録媒体中の磁界を感知する薄膜磁気変換器に関し、特に磁気ディスクドライブで使用される磁気変換器に関する。

一般的な従来技術のヘッドおよびディスクシステム１０を、図１のブロック図に示す。動作中、磁気変換器２０は、ディスク１６上を浮揚している際はサスペンション１３で支持される。通常は「ヘッド」または「スライダ」と称される磁気変換器２０は、薄膜２１に含まれる磁気媒体に磁気転移を書き込むタスク（書き込みヘッド２３）および磁気転移を読み取るタスク（読み取りヘッド１２）を行なう要素から構成される。読み取りヘッド１２および書き込みヘッド２３へ、またそこからの電気的信号は、サスペンション１３に取り付けられている、または埋め込まれている導電性パス（リード線）１４に沿って移動する。磁気変換器２０は、ディスク１６の中心から異なる径方向の距離にある複数のポイントの上に配置されて、円形トラック（図示せず）を読み取り、またそこに書き込む。ディスク１６は、スピンドルモータ２４で駆動されてディスク１６を回転させるスピンドル１８に取り付けられる。ディスク１６は、複数の薄膜２１が蒸着されている基板２６を含む。薄膜２１は強磁性体を含んでおり、書き込みヘッド２３はそこに、情報がエンコードされた磁気転移を記録する。媒体中の磁区は、水平方向または垂直方向に書き込むことができる。スライダの読み取りおよび書き込みヘッド部分は、薄膜処理技術を使用して層状に作られる。一般に、読み取りヘッドが最初に形成されるが、書き込みヘッドを最初に作製することもできる。従来の書き込みヘッドは誘導性である。

垂直記録を用いるディスクドライブでは、記録ヘッドは、記録層を介してディスク平面にほぼ垂直な方向に磁束を方向付けるように設計される。一般に、垂直記録用のディスクは、硬磁性の記録層および軟磁性の下地層を有する。単磁極タイプのヘッドを用いる記録動作中、磁束は、記録ヘッドの主磁極から硬磁性記録層を介して垂直に、次に軟磁性下地層の平面に入り、また記録ヘッド内の戻り磁極に戻るように方向付けられる。主磁極および任意のシールドの形状および寸法は、トラック幅を決定する主な要因である。

垂直磁気記録は、超高密度の磁気記録用としては、水平磁気記録よりも優れていると考えられる。より高い面密度に対する要求の高まりに応答して、書き込み磁極片の幅を縮小し、書き込み磁界の強度を増大し、書き込み磁界の勾配を改善するための方法を探求することへの要求が高まった。実験的証拠およびモデリングにより、トレーリングシールド単磁極ライタ（ＳＰＴ）の設計が、シールドなし磁極の後縁での書き込みに対して、媒体における信号対雑音について４〜５ｄＢの優位性を達成し、ヘッド磁界のｄＨｙ／ｄｘを向上し、部分的な消去を低減し、また飽和を改善することが示されている。これらの特徴により、転移の鋭さ（直線分解能）が改善され、磁界の保磁力がより高い媒体（改善された安定性）が可能になる。

読み取りセンサ用のリード線のオーバーレイ設計により、改善された安定性および振幅という利点が得られる。主な問題は広いＭＲＷである。この設計では、センサの頂部上にある導電性のリード線を分離することによって制御されるトラック幅は、センサの全幅よりも小さい。リード線のオーバーレイ設計により、トラックの縁部はセンサの活性領域から外れる。オーバーレイドリード線を備えた従来技術のスピンバルブヘッド１２Ａを、空気軸受面（図示せず）に平行に取った図２の断面図に示す。この特定の実施形態に示されるようなリード線３６Ａ、３６Ｂは、タンタル３７、クロム３８、およびロジウム３９の３つのサブレイヤを含む。タンタル層およびクロム層は、ロジウムのシード層として機能する。リード線は、スピンバルブセンサ３５の上面およびハードバイアス構造３３Ａ、３３Ｂと接触して蒸着される。ギャップ層３１は、２つのハードバイアス構造３３Ａ、３３Ｂおよびセンサ３５の下にある。ハードバイアス構造３３Ａ、３３Ｂは、１を超える層、例えばクロム層（図示せず）およびそれに続くＣｏＰｔＣｒ層（図示せず）を含んでいるが、単一の要素として示されている。スピンバルブ３５も、複数の層を含んでいるが、簡単にするため単一の実体として示されている。

２００４年１２月２３日発行のピナルバシュらによる特許文献１では、リード線の端部付近で感知電流を強調するために、ほぼ垂直な端壁を有するリード線を備えたリードオーバーレイ磁気抵抗センサが記載されている。絶縁層は、感知電流の経路からハードバイアス層を分離する。第１のフォトレジストリフトオフ構造が除去された後、フォトレジストの第２の層が形成され、パターニングされる。フォトレジストの第２の層は、通常のアンダーカットリフトオフ構造を有さない。代わりに、フォトレジストの第２の層はほぼ垂直な壁面を有する。リード線材料は、ロジウム、金、ルテニウムなどの、低抵抗で実質的に不活性な導体から便利なように選択されてもよい。

２００３年１月１６日発行のウェッブらによる特許文献２では、オーバーレイドリード線を備えたスピンバルブセンサの様々な実施形態が記載されている。ボトムスピンバルブの第１の実施形態は、センサ上にキャップ層を蒸着し、次に「切込みを入れ」て、センサの外側縁部を露出させる。オーバーレイドリード線は、センサの露出した側面と接触して蒸着される。第２の実施形態は、キャップとともに自由層の中まで「切込みを入れ」、次に銅およびＮｉＦｅを再充填してからオーバーレイドリード線を蒸着する。第３の実施形態は、自由層および部分的にスペーサの中まで「切込みを入れ」、ＮｉＦｅを再充填してからオーバーレイドリード線を蒸着する。第４の実施形態は、自由層の中まで、かつスペーサを完全に貫通して「切込みを入れ」、ＮｉＦｅを再充填してからオーバーレイドリード線を蒸着する。トップスピンバルブの実施形態は、キャップ、ＡＦＭ層、および任意に固着層の中までまたはそこを貫通して切込みを入れてから、固着層と接触するリード線を形成する。

２００５年１月１３日発行のドヴェクらによる特許文献３は、ボトムスピンバルブの設計において、オーバーレイドリード線の下にさらなる反強磁性層が追加された設計を記載している。追加の反強磁性層は、ハードバイアスパッドを超えてスピンバルブの頂部上に延び、リード材料と境界を接している。ハードバイアスパッドによって提供される水平方向のバイアスは、リード線の縁部に至るまで減衰なしで延びると言われており、その結果、センサの物理的および磁気的な幅は本質的に同一である。

米国特許出願公開２００４／０２５７７１３号明細書 米国特許出願公開２００３／００１１９４３号明細書 米国特許出願公開２００５／０００７７０６号明細書

必要なのは、ハードバイアス構造間のセンサの上面と接触し、センサとの直接接触から電気的に絶縁されたハードバイアス構造とは接触しない、オーバーレイドリードパッドを備えた磁気ヘッドである。

本発明は、ハードバイアス構造間のセンサの上面と接触するオーバーレイドリードパッドを備えて、センサの電気的に活性な領域を画定する、ディスクドライブに使用することができる読み取りヘッド、およびその読み取りヘッドの作製方法である。ハードバイアス構造は、絶縁材料の層によって、センサの側面との直接接触から電気的に絶縁される。センサの頂部上の接触面積は、リード線の残部を形成する前に、導電材料を側壁に蒸着して、フォトレジスト上にリードパッドを形成することで最小化される。側壁への蒸着を用いてリードパッドを形成することで、本発明の１つの利点であるセンサ上の接触面積の最小化がなされる。センサのための層は、好ましくはルテニウムのキャップを含む。酸化ルテニウムは導電性なので、導電率を提供するとともに、腐食を防止する。ヘッドを作製するために、最初にセンサのバックエッジに対してミルを行い、次に絶縁層を蒸着して、バックエッジをリード線との接触から分離する。ＣＭＰの後、センサの面積全体にわたってフォトレジストパッドをパターニングして、ハードバイアス構造を画定する。センサスタックに、部分的にミルを行って（切込みを入れて）、ハードバイアス構造が後で形成される選択された層の側面を露出させる。センサの側面を電気的に絶縁するために、薄い絶縁層を蒸着し、次にハードバイアス構造を形成する。ＣＭＰを使用して、ハードバイアス構造のためにレジストをリフトオフする。リード線用のフォトレジストを、センサの中心部の上全体に形成する。導電材料の小さなパッド（オーバーレイドリードパッド）は、複数段階のプロセスでセンサの頂部上に形成される。最初に、フォトレジスト上の側壁への蒸着を最大限にするために、導電材料を浅い角度で蒸着し、次に高角度でのイオンミリングを用いて、側壁の材料を残したままその領域から導電材料を除去する。絶縁層を高角度でリード材料上に蒸着し、次に浅い角度でのミルを行って、側壁から絶縁材を除去し、かつ領域表面上にはそれを残す。その後、導電材料の層を、オーバーレイドリードパッドと電気的に接触させて蒸着する。リードパッドおよび導電性リード材料を適当な場所に残して、フォトレジストパッドを剥離する。センサがルテニウムのキャップを含む場合、センサに損傷を与えるような過剰な量の材料を除去しないように注意しながら、この時点で除去することが好ましい。リード線構造をスライダの外側まで延長してセンサ用の電気接点を提供するために、従来技術のプロセスをこの時点で再開して、リードパッドと接触して形成されるさらなるリード層を追加することができる。

本発明によれば、ハードバイアス構造間のセンサの上面と接触し、センサとの直接接触から電気的に絶縁されたハードバイアス構造とは接触しない、オーバーレイドリードパッドを備えた磁気ヘッドを提供することができる。

本発明の第１の実施形態は、限定された範囲に沿ってのみセンサの頂部と接触するオーバーレイドリード線を備えた読み取りヘッドである。図３Ａは、本発明によるオーバーレイドリード線を備えたセンサを作製するプロセスの第１段階におけるウェハ４０の平面の模式図である。広い範囲にわたる寸法が図面を不明瞭にするため、図面は縮尺によらない。ただし、次元は従来技術によるものであることに留意されたい。センサ材料層４１のスタックには、図３Ａに示すプロセスの時点でミルが行われて、センサのバックエッジを画定している。図３Ｂは、センサのバックエッジにミルを行って絶縁材料４２を再充填した後のウェハ４０の表面に垂直に取った断面の模式図である。センサのための層は、好ましくはルテニウムのキャップ４１Ａを含む。酸化ルテニウムは導電性なので、導電率を提供するとともに、腐食を防止する。

ＣＭＰの後、図４に示すようなハードバイアス構造４４がセンサの側面に形成される。好ましい一実施形態では、センサスタック４１に、部分的にのみミルを行って（切込みを入れて）、ハードバイアス構造が後に形成される選択された層の側面を露出させる。薄い絶縁層４５は、ハードバイアス構造が形成される前に蒸着されて、センサの側面を電気的に絶縁する。絶縁層は、好ましくは原子層堆積法（ＡＬＤ）によって蒸着されたアルミナであり、側壁上において厚さ約５０〜７５オングストロームであるべきである。ＣＭＰを使用して、ハードバイアス構造のためにレジストをリフトオフする。結果得られる構造を図４に示す。ハードバイアス構造の内層は、従来技術によるものである。

フォトレジストパッド４６をセンサの適切な中心部の上全体にわたってパターニングして、図５に示すようにリード線間でほぼ対称に位置するセンサの活性領域を画定する。ハードバイアス構造間のセンサ材料４１の幅は、センサの電気的に活性な領域を画定するオーバーレイドパッド間の面積よりも広い。導電材料の小さなパッド（オーバーレイリードパッド）は、複数段階のプロセスでセンサの頂部上に形成される。側壁への蒸着を用いてリードパッドを形成することによって、本発明の１つの利点であるセンサ上の接触面積の最小化がなされる。

フォトレジスト上の側壁への蒸着を最大限にするために、導電材料４８を浅い角度で蒸着する。その後、高角度でのイオンミリングを用いて、図６に示すように側壁の材料を残したままその領域から導電材料を除去して、リードオーバーレイパッド４８Ａ、４８Ｂを形成する。側壁上に形成されたリードパッドは、ハードバイアス構造間にあって、ハードバイアス構造とは接触しない。これにより、有益な結果を伴う導電性の接触面積が画定され、制御される。各リードパッドの幅は、第１および第２のハードバイアス構造間の距離の２分の１よりも小さくなくてはならないことになる。

絶縁層５１を高角度でリード材料上に蒸着し、次に浅い角度でミルを行って、図７に示すようにリードパッドの側面の絶縁材を除去する。絶縁層５１は、センサの頂部上の通電範囲をリードパッドの下の範囲に制限するためのものである。ハードバイアス構造はセンサから電気的に絶縁されているので、絶縁層はハードバイアス構造の上に延びる必要はない。次に、リード材料５３をウェハ全体に蒸着して、図８に示すようにリードパッドの側面に接続させる。側壁のリードパッドの下側部分は、リード材料の層によって強化される。

図９に示すように、露出した接続リード材料５３とともにリードオーバーレイパッド４８Ａ、４８Ｂを残して、フォトレジストを剥離する。この図は、以前はフォトレジストが設けられており、今は露出しているセンサの範囲で、ルテニウムのキャップ４１Ａにミルが行われていることを示している。ルテニウムのキャップには、さらなるマスキングの必要なしにミルを行うことができるが、過剰なミリングによって下にあるセンサに損傷を与えないように注意しなければならない。

リード構造の残部は、一般に導電材料の追加の層を作ってリード線を成形し、それをセンサの外部に向ける、従来技術にしたがって完成することができる。

図１０は、本発明による方法の一実施形態のフローチャートである。センサ層スタックを最初に蒸着するが、これは、好ましくは上述したようにルテニウムのキャップを含むべきである（８１）。センサのバックエッジにミルを行い、また、ウェハを、リード線との接触からセンサのバックエッジを絶縁する絶縁材料で再充填する（８２）。ＣＭＰの後、センサの側面にミルを行ってハードバイアス構造のための切込みを入れ、薄い絶縁層を蒸着してハードバイアス構造をセンサから電気的に絶縁し、次にハードバイアス構造のための層を蒸着し、また、ＣＭＰを用いて、ハードバイアス構造のためのレジストをリフトオフする（８３）。ハードバイアス構造間の分離は、センサの活性領域のための所定のターゲット範囲よりも広くされる。レジストパッドは、ハードバイアス構造間のセンサのほぼ中心部に作製される（８４）。このパッドは、センサの活性面積の幅を画定し、またこれは、ハードバイアス構造間のセンサ材料の幅よりも狭い。レジスト上の側壁への蒸着を最大限にするために、リードパッド用の導電材料を浅い角度で蒸着し、次に垂直の角度からミリングを行って、側壁以外の範囲からリード材料を除去する（８５）。残りの側壁リード材料はリードパッドを形成する。絶縁材料を垂直の角度で蒸着し、浅い角度でミルを行って、リードパッドの側面上の絶縁材を除去する（８６）。その後、ウェハ全体に導電性リード材料を蒸着して、リードパッドの露出した側面と電気的に接触させる（８７）。次にレジストを剥離する（８８）。ルテニウムのキャップがセンサの一部である場合、活性範囲のセンサに損傷を与えないように注意しながら、この時点で除去することが好ましい（８９）。リード線構造をスライダの外側まで延長するために、従来技術のプロセスをこの時点で再開して、リードパッドと接触するリード材料と接触して形成されるさらなるリード層を追加することができる。

本発明を特定の実施形態に関して記載してきたが、本発明による薄膜構造の他の用途および応用例が当業者には明らかであろう。

従来技術のディスクドライブにおける選択された構成要素の模式図である。 オーバーレイドリード線を備えた従来技術の読み取りセンサの、空気軸受面に垂直に取った断面図の模式図である。 本発明によるオーバーレイドリード線を備えたセンサを作製するプロセスの第１段階におけるウェハの平面の模式図である。 本発明による、センサのバックエッジにミルを行い、絶縁材料を再充填した後のウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明による、ハードバイアス構造をセンサの側面に形成した後のウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明の一実施形態による、フォトレジストパッドをセンサ全体にわたってパターニングし、導電材料の層を蒸着した後の、図４に示す状態に続くウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明の一実施形態による、導電材料に高角度でミルを行った後の、図５に示す状態に続くウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明の一実施形態による、絶縁材料の層を蒸着し、次に浅い角度でミルを行って側壁から絶縁材料を除去した後の、図６に示す状態に続くウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明の一実施形態による、導電材料の層を蒸着して側壁上のリードパッド材料と接触させた後の、図７に示す状態に続くウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明の一実施形態による、フォトレジストをリードオーバーレイパッドの間で剥離した後、およびセンサ上のキャップ層にミルを行って除去した後の、図８に示す状態に続くウェハの表面に垂直に取った断面の模式図である。 本発明による方法の一実施形態のフローチャートである。

符号の説明

１０…ディスクシステム、
１２…読み取りヘッド、
１３…サスペンション、
１６…ディスク、
１８…スピンドル、
２０…磁気変換器、
２１…薄膜、
２６…基板、
４０…ウェハ、
４１…センサスタック
４１Ａ…キャップ、
４２…絶縁材料、
４４…ハードバイアス構造、
４５…絶縁層、
４６…フォトレジストパッド、
４８…導電材料、
４８Ａ，４８Ｂ…リードオーバーレイパッド、
５１…絶縁層、
５３…接続リード材料。

Claims (20)

1. 薄膜磁気センサをウェハ上に作製する方法であって、
   薄膜磁気センサのための薄膜層のスタックを蒸着するステップと、
   前記薄膜磁気センサの第１および第２の側面に、所定の位置で第１および第２のハードバイアス構造を形成するステップと、
   第１および第２のオーバーレイドリードパッド間における前記センサの活性範囲として選択された、前記磁気センサの所定の中心部範囲全体にわたってレジストパッドをパターニングするステップと、
   前記磁気センサと電気的に接触している前記レジストパッドの側壁上に蒸着され、前記ハードバイアス構造から電気的に絶縁された導電材料から、第１および第２リードパッドを形成するステップと、
   前記ウェハ全体に、前記第１および第２のリードパッドと電気的に接触する導電性のリード材料を蒸着するステップとを含む方法。
2. 第１および第２のリードパッドを形成する前記ステップが、前記側壁上にある導電材料が前記ハードバイアス構造と電気的に接触せず、前記磁気センサと電気的に接触するように、前記レジストの前記側壁上を含む前記ウェハ上に前記導電材料を蒸着し、次に前記第１および第２の側壁上にない前記導電材料を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 第１および第２のリードパッドを形成する前記ステップが、前記導電材料を除去する前記ステップの後に実行される、前記ウェハ全体に電気的絶縁材料を蒸着し、次に前記第１および第２のリードパッドの前記側壁から前記電気的絶縁材料を除去するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
4. 第１および第２のリードパッドを形成する前記ステップが、前記導電材料を浅い角度で蒸着するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記第１および第２の側壁上にない前記導電材料を除去する前記ステップが、高角度でミルを行うステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記第１および第２のリードパッドの前記側壁から前記電気的絶縁材料を除去する前記ステップが、浅い角度でミルを行うステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記レジストパッドを除去するステップと、前記リードパッド間の範囲で前記磁気センサ上のキャップをミリングによって取り除くステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
8. ミリングによって切込みを入れる前記ステップの前に実行される、ウェハ上の所定の場所で前記磁気センサのための層にミルを行うことによって前記磁気センサのバックエッジを形成するステップと、ウェハを電気的絶縁材料で再充填するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記第１および第２のハードバイアス構造のための層を蒸着する前に電気的絶縁材料の層を蒸着する前記ステップが、ＡＬＤを用いてアルミナの薄い層を蒸着するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
10. 第１および第２のハードバイアス構造を形成する前記ステップが、前記第１および第２のハードバイアス構造のための層を蒸着する前に電気的絶縁材料の層を蒸着することによって、前記第１および第２のハードバイアス構造を前記磁気センサから電気的に絶縁するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
11. 薄膜磁気ヘッドであって、
    第１および第２のハードバイアス構造間に第１の表面が配置され、前記第１および第２のハードバイアス構造と電気的に絶縁されたセンサと、
    前記センサと電気的に接触し、前記センサに電気的接触を提供する第１および第２の導電性リードパッドであって、前記第１および第２のハードバイアス構造間に配置され、間にあるギャップが前記センサの電気的に活性な範囲を画定する第１および第２の導電性リードパッドとを備える薄膜磁気ヘッド。
12. 前記第１および第２の導電性リードパッドの幅が、当該第１および第２の導電性リードパッドが前記第１または第２のハードバイアス構造と重ならないように選択される、請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
13. 前記第１および第２の導電性リードパッドの幅が、当該第１および第２の導電性リードパッドが前記第１および第２のハードバイアス構造から離れて前記磁気センサと接触するように選択され、電気的絶縁材料の層が、前記第１および第２の導電性リードパッドの外側縁部から前記第１および第２のハードバイアス構造の上に延びる、請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
14. 前記第１および第２の導電性リードパッドが、当該第１および第２の導電性リードパッドの下にある前記センサの一部であるキャップ層と接触して形成され、前記キャップ層が前記第１および第２の導電性リードパッド間で除去されている、請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
15. 前記第１および第２の導電性リードパッドが、当該第１および第２の導電性リードパッドの下にあるルテニウムのキャップ層と接触して形成され、前記ルテニウムのキャップ層が前記第１および第２の導電性リードパッド間で除去されている、請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
16. ディスクドライブであって、
    磁気転移が記録された薄膜磁性材料を備えたディスクと、
    磁性材料中の磁気転移を読み取るための読み取りヘッドとを備え、前記読み取りヘッドが、
    センサと、
    電気的絶縁材料の層によって前記センサとの直接の電気的接触から分離された第１および第２のハードバイアス構造と、
    前記センサと電気的に接触し、前記センサに対する電気的接触を提供する第１および第２の導電性リードパッドであって、前記第１および第２のハードバイアス構造間に配置され、前記センサの電気的に活性な範囲を画定する第１および第２の導電性リードパッドとを備える、ディスクドライブ。
17. 前記第１および第２の導電性リードパッドの幅が、当該第１および第２の導電性リードパッドが前記第１または第２のハードバイアス構造と重ならないように選択される、請求項１６に記載のディスクドライブ。
18. 前記第１および第２の導電性リードパッドの幅が、当該第１および第２の導電性リードパッドが前記第１および第２のハードバイアス構造から離れて前記磁気センサと接触するように選択され、電気的絶縁材料の層が、前記第１および第２の導電性リードパッドの外側縁部から前記第１および第２のハードバイアス構造の上に延びる、請求項１６に記載のディスクドライブ。
19. 前記第１および第２の導電性リードパッドが、当該第１および第２の導電性リードパッドの下にある前記センサの一部であるキャップ層と接触して形成され、前記キャップ層が前記第１および第２の導電性リードパッド間で除去されている、請求項１６に記載のディスクドライブ。
20. 前記第１および第２の導電性リードパッドが、当該第１および第２の導電性リードパッドの下にあるルテニウムのキャップ層と接触して形成され、前記ルテニウムのキャップ層が前記第１および第２の導電性リードパッド間で除去されている、請求項１６に記載のディスクドライブ。

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