JP2002020391A - ヒドロシリル化方法 - Google Patents

ヒドロシリル化方法

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JP2002020391A JP2001146523A JP2001146523A JP2002020391A JP 2002020391 A JP2002020391 A JP 2002020391A JP 2001146523 A JP2001146523 A JP 2001146523A JP 2001146523 A JP2001146523 A JP 2001146523A JP 2002020391 A JP2002020391 A JP 2002020391A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒドロシリル化方法におけるヒドロシリル化
速度および生成物選択性を高めてプロセス効率を向上さ
せると同時に、加工費を減少すること。 【解決手段】 担体に担持された、元素状または化合物
の形態にある白金等の活性ヒドロシリル化金属と元素状
または化合物の形態にある銅等の表面偏析金属とを含ん
でなる二金属触媒の存在下で水素化ケイ素と不飽和反応
物を接触させることを含むヒドロシリル化方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、担体に担持され
た、元素状または化合物の形態にある白金等の活性ヒド
ロシリル化金属と元素状または化合物の形態にある銅等
の表面偏析金属とを含んでなる二金属触媒の存在下で、
水素化ケイ素と不飽和反応物とを接触させることを含む
ヒドロシリル化方法である。
【０００２】
【従来の技術】触媒の存在下で水素化ケイ素含有化合物
と不飽和有機化合物とを反応させることにより有機ケイ
素化合物を生成させることは当該技術分野で知られてい
る。この反応は、通常、ヒドロシリル化と呼ばれてい
る。典型的には、触媒は、カーボン担体に担持された単
金属白金金属、一般的に溶剤中にある白金化合物、また
は白金錯体である。本発明は、白金−銅等の二金属触媒
を使用して、ヒドロシリル化に使用される単金属触媒と
比較して、ヒドロシリル化速度、全体的な転化生成物の
選択性を高めてプロセス効率を向上させると同時に、加
工費を減少させる。Speier等の米国特許第２，８２３，
２１８号明細書には、クロロ白金酸の存在下で、Ｓｉ−
Ｈと多重結合により連結された脂肪族炭素原子を含む化
合物とを反応させることによる有機ケイ素化合物の製法
が教示されている。Lamoreauxの米国特許第３，２２
０，９７２号明細書には、同様な方法が教示されている
が、触媒はクロロ白金酸の反応生成物である。Wagner等
の米国特許第２，８５１，４７３号明細書には、不飽和
有機化合物と白金−γアルミナ触媒とを反応させること
を含む有機ケイ素化合物の製法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ヒドロシリル化反応に
関して当該技術分野で知られている主な問題の１つは、
反応完了前の触媒の失活である。触媒を再活性化する１
つの方法として、反応混合物を酸素に暴露するものがあ
る。例えば、Onopchenko等の米国特許第４，５７８，４
９７号明細書には、アルキルシランをヒドロシリル化す
るのに酸素化された白金を含む触媒を使用することが教
示されている。Kleyer等のヨーロッパ特許出願第０５３
３１７０Ａ１号明細書には、反応混合物中に存在する白
金に対して反応混合物中の酸素の溶液濃度を調節するこ
とによりヒドロシリル化反応を制御する方法が開示され
ている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、担体に担持さ
れた、元素状または化合物の形態にある白金等の活性ヒ
ドロシリル化金属と元素状または化合物の形態にある銅
等の表面偏析金属とを含んでなる二金属触媒の存在下
で、水素化ケイ素と不飽和反応物とを接触させることを
含むヒドロシリル化方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は、担体に担持された、元
素状または化合物の形態にある白金等の活性ヒドロシリ
ル化金属と元素状または化合物の形態にある銅等の表面
偏析金属とを含んでなる二金属触媒の存在下で、水素化
ケイ素と不飽和反応物とを接触させることを含むヒドロ
シリル化方法である。このヒドロシリル化方法は、
（Ａ）式：Ｒ1 aＨbＳｉＸ4-a-b（式中、各Ｒ1は１〜約
２０個の炭素原子を含むアルキル、約４〜１２個の炭素
原子を含むシクロアルキル、およびアリールからなる群
から独立に選ばれ、各Ｘはハロゲンであり、ａ＝０〜
３、ｂ＝１〜３、およびａ＋ｂ＝１〜４である）により
表される水素化ケイ素と、（Ｂ）（ｉ）置換および非置
換の不飽和炭化水素化合物、（ii）置換または非置換の
不飽和炭化水素置換基を含むケイ素化合物、並びに（ii
i）（ｉ）と（ii）の混合物からなる群から選ばれる不
飽和反応物とを、担体に担持された、元素状または化合
物の形態にある活性ヒドロシリル化金属と、元素状また
は化合物の形態にある表面偏析金属とを含んでなる二金
属触媒の存在下、約０℃〜３５０℃の温度で接触させる
ことを含み、前記活性ヒドロシリル化金属は前記表面偏
析金属と異なる。
【０００６】水素化ケイ素と不飽和反応物とを接触させ
ることは、ヒドロシリル化プロセスを実施するのに適す
る標準的な反応器において実施できる。このプロセス
は、連続式、半連続式または回分式プロセスとして実施
できる。
【０００７】本発明の方法において有用な水素化ケイ素
は、式：Ｒ1 aＨbＳｉＸ4-a-b（式中、各Ｒ1は１〜約２
０個の炭素原子を含むアルキル、約４〜１２個の炭素原
子を含むシクロアルキル、およびアリールからなる群か
ら独立に選ばれ、ａ＝０〜３、ｂ＝１〜３、およびａ＋
ｂ＝１〜４である）により表される。Ｒ1は、上記のよ
うに、置換または非置換のアルキル、シクロアルキルま
たはアリールであることができる。各Ｒ1が１〜約６個
の炭素原子を含むアルキル基から独立に選ばれることが
好ましい。各Ｒ1がメチルであることがさらに好まし
い。各Ｘはハロゲンであり、好ましくはＸは塩素であ
る。本発明の方法において有用であることができる式：
Ｒ1 aＨbＳｉＸ4-a-bにより表される水素化ケイ素の例と
しては、トリメチルシラン、ジメチルシラン、トリエチ
ルシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン、メチル
ジクロロシラン、ジメチルクロロシラン、エチルジクロ
ロシラン、シクロペンチルジクロロシラン、メチルフェ
ニルクロロシランおよび（３，３，３−トリフルオロプ
ロピル）ジクロロシランが挙げられる。好ましくは、水
素化ケイ素は、ジメチルクロロシラン、メチルジクロロ
シラン、トリクロロシランおよびジクロロシランから選
ばれる。
【０００８】この水素化ケイ素に、式：Ｒ2 mＳｉＯ（−
Ｒ2 2ＳｉＯ）n−（Ｒ2 2ＳｉＯ）o−ＳｉＲ2 m（式中、Ｒ
2は水素、１〜約２０個の炭素原子を含むアルキル、約
４〜１２個の炭素原子を含むシクロアルキル、およびア
リールからなる群から独立に選ばれ、ｍ＝０〜３、ｎ＝
０〜１００、およびｏ＝０〜１００である）により表さ
れるシロキサンが含まれても良い。シロキサンの１つの
例はビス−トリメチルシロキシメチルヒドリドシランで
ある。
【０００９】水素化ケイ素を、（ｉ）置換および非置換
の不飽和炭化水素化合物、（ii）置換および非置換の不
飽和炭化水素置換基を含むケイ素化合物、並びに（ii
i）（ｉ）と（ii）の混合物からなる群から選ばれる不
飽和反応物に接触させる。本発明の目的に対し、「不飽
和」とは、少なくとも１つの炭素−炭素二重結合または
少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を含む化合物を意
味する。
【００１０】本発明の方法において有用な前記不飽和反
応物の具体例として、少なくとも４個の炭素原子を含む
非置換シクロアルケン化合物、少なくとも４個の炭素原
子を含む置換シクロアルケン化合物、２〜約３０個の炭
素原子を含む直鎖アルケン化合物、例えば、アセチレ
ン、エチレン、プロペン、ブテン、１−オクテン、１−
ドデセンおよび１−オクタデセン、４〜約３０個の炭素
原子を含む分枝アルケン化合物、例えばイソブテン、ア
ミレン、２−メチルヘプテン、並びにこれらの化合物の
任意の２種以上の混合物が挙げられる。
【００１１】本発明の方法において有用な置換および非
置換のシクロアルケン化合物は、環内に１つ以上の不飽
和炭素−炭素結合を含むものである。非置換シクロアル
ケン化合物は、例えば、シクロブテン、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテ
ン、シクロペンタジエン、１，３−シクロヘキサジエン
および１，３，５−シクロヘプタトリエンであることが
できる。本発明において有用な置換不飽和化合物は、例
えば、３−メチルシクロペンテン、３−クロロシクロブ
テン、４−フェニルシクロヘキセンおよび３−メチルシ
クロペンタジエンであることができる。好ましいシクロ
アルケン化合物はシクロヘキセンおよびシクロペンテン
であり、シクロヘキセンが最も好ましい。
【００１２】本発明の方法において有用な他の不飽和炭
化水素化合物は直鎖アルケン化合物および分枝アルケン
化合物であり、この直鎖アルケン化合物および分枝アル
ケン化合物としては、例えば、１−ヘキセン、１，５−
ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン等の末端不飽和を
有する化合物、およびtrans−２−ヘキセン、２−メチ
ル−２−ブテン、２，３−ジメチル−２−ブテン等の内
部不飽和を有する化合物、ならびにスチレンおよびα−
メチルスチレン等の不飽和アリール含有化合物が挙げら
れる。前記不飽和反応物は、ハロゲン、酸、酸無水物、
エステルおよびエーテルの形態にある酸素、並びに窒素
を含んでも良い。本発明の方法において、上記不飽和炭
化水素化合物のうちの２種以上が使用されても良い。ハ
ロゲンを含む不飽和炭化水素化合物としては、例えば塩
化ビニル、塩化アリル、臭化アリル、ヨウ化アリル、塩
化メタリル、３，３，３−トリフルオロプロペン、４−
クロロメチルスチレン、クロロプレンおよび４−クロロ
スチレンが挙げられる。
【００１３】酸素を含む好適な不飽和炭化水素化合物と
しては、例えば、アリルエーテルおよびビニルエーテル
等のエーテル；アクリル酸、メタクリル酸、ビニル酢
酸、オレイン酸、ソルビン酸およびリノレン酸等の酸；
酢酸ビニル、酢酸アリル、酢酸ブテニル、ステアリン酸
アリル、アクリル酸メチル、クロトン酸エチル、コハク
酸ジアリルおよびフタル酸ジアリル等のエステルが挙げ
られる。好適な窒素含有不飽和炭化水素化合物として
は、例えば、インジゴ、インドール、アクリロニトリル
およびシアン化アリルが挙げられる。
【００１４】不飽和炭化水素化合物の定義の範疇に特に
含まれるものは、 ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2ＯＣ（Ｏ）Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ2， ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2， ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2ＮＨ2， ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨＣＨ2Ｏ， ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2ＳＨ， ＣＨ2＝ＣＨＳｉ｛Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣＨ3｝3， ＣＨ2＝ＣＨＣＨ2Ｎ（ＨＣｌ）ＨＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣＨ2
（Ｃ6Ｈ4）ＣＨ＝ＣＨ2， および他の類似の化合物等の有機官能部分により置換さ
れたものである。
【００１５】不飽和炭化水素化合物は、例えば式：（Ｃ
Ｈ2＝ＣＨ（ＣＨ2）g）hＲ1 iＳｉ（ＯＲ1）4-h-iおよび
（ＣＨ2＝ＣＨ（ＣＨ2）g）hＲ1 iＳｉＸ4-h-i（式中、
Ｒ1およびＸは先に定義したとおりであり、ｇ＝０〜１
２、ｈ＝１〜３、ｉ＝０〜３、およびｈ+ｉ＝１〜４で
ある）により表される置換および非置換の炭化水素置換
基を含むケイ素化合物であることができる。好適な不飽
和炭化水素化合物はビニルトリメトキシシラン、ビニル
トリエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、
ヘキセニルメチルジメトキシシラン、メチルビニルジク
ロロシランおよびビニルトリクロロシランである。
【００１６】不飽和反応物との水素化ケイ素の接触に先
立って、不飽和反応物を処理または精製することが好ま
しい場合がある。不飽和反応物を処理または精製するの
に有用な方法は、不飽和有機化合物を処理または精製す
ることに関して当該技術分野で知られている方法であ
り、そのような方法としては蒸留、および活性炭、活性
アルミナまたは分子ふるい等の吸着剤による処理が挙げ
られるが、これらに限定されない。
【００１７】本発明の方法において使用される水素化ケ
イ素と不飽和反応物の相対量は広い範囲内でさまざまで
あることができる。ケイ素結合水素原子当たり１個の不
飽和炭素−炭素結合が化学量論的であるが、化学量論的
条件のもとで本発明の方法を実施すべき必要性はない。
一般的に、化学量論的に過剰な水素化ケイ素を使用して
本発明の方法を実施することが好ましい。約０．１〜１
０％化学量論的に過剰な水素化ケイ素を使用して本発明
の方法を実施する場合が好ましい。
【００１８】水素化ケイ素と不飽和反応物とを、担体に
担持された、元素状または化合物の形態にある活性ヒド
ロシリル化金属と表面偏析金属とを含む二金属触媒の存
在下で接触させる。活性ヒドロシリル化金属は表面偏析
金属と異なるものである。活性ヒドロシリル化金属は、
元素状または化合物の形態にある第ＶＩＢ族および第Ｖ
ＩＩＩ族の金属からなる群から選ばれる。「活性ヒドロ
シリル化」なる用語は、触媒を使用してケイ素原子をオ
レフィンと反応させることを意味するものと理解された
い。活性ヒドロシリル化金属は、元素状または化合物の
形態にあるルテニウム、ロジウム、コバルト、パラジウ
ム、イリジウム、白金、クロムおよびモリブデン金属か
らなる群から選ばれる。活性ヒドロシリル化金属が、元
素状または化合物の形態にあるルテニウムまたは白金で
あることが最も好ましい。
【００１９】表面偏析金属は、元素状または化合物の形
態にある第ＩＢ，ＩＩＢ，ＩＩＩＡ，ＩＩＩＢ，ＩＶ
Ａ，ＩＶＢ，ＶＡ，ＶＢ，ＶＩＢ，ＶＩＩＢおよびＶＩ
ＩＩ族に属する金属からなる群から選ばれる。「表面偏
析」なる用語は、昇華熱が小さく、かつ、原子半径が大
きい金属が、不均一な凝集と比較して、合金表面に均一
に偏析することを意味する。好ましくは、表面偏析金属
は、元素状または化合物の形態にある銅、ニッケル、
錫、銀、亜鉛、カドミウム、金およびルテニウム金属か
らなる群から選ばれる。最も好ましくは、表面偏析金属
は、元素状または化合物の形態にある銅またはルテニウ
ムである。
【００２０】好ましい二金属触媒は、担体上に、元素状
または化合物の形態にあるルテニウム、ロジウム、コバ
ルト、パラジウム、イリジウム、白金、クロムおよびモ
リブデンからなる群から選ばれる活性ヒドロシリル化金
属と、元素状または化合物の形態にある銅、ニッケル、
錫、銀、亜鉛、カドミウム、金、レニウム、パラジウ
ム、コバルト、鉄、オスミウム、イリジウムおよびルテ
ニウム金属からなる群から選ばれる表面偏析金属を含
む。担体上に、元素状または化合物の形態にあるルテニ
ウム、ロジウム、コバルトおよび白金からなる群から選
ばれる活性ヒドロシリル化金属と、元素状または化合物
の形態にある銅、ニッケル、錫および金からなる群から
選ばれる表面偏析金属とを含む二金属触媒がより好まし
い。担体上に、元素状または化合物の形態にあるルテニ
ウムまたは白金からなる群から選ばれる活性ヒドロシリ
ル化金属と、表面偏析金属として元素状または化合物の
形態にある銅とを含む二金属触媒が最も好ましい。
【００２１】二金属触媒中の活性ヒドロシリル化金属と
表面偏析金属の割合および量はさまざまである。活性ヒ
ドロシリル化金属は、触媒の元素基準で０．０１〜約２
０質量％をなすことができ、そして表面偏析金属は、触
媒の元素基準で０．０１〜約２０質量％をなすことがで
きる。より好ましくは、元素基準で、活性ヒドロシリル
化金属は触媒の約０．０３〜３質量％をなし、そして表
面偏析金属は触媒の約０．０５〜１５質量％をなす。最
も好ましくは、触媒の元素基準で、活性ヒドロシリル化
金属は触媒の約０．０５〜１質量％をなし、そして表面
偏析金属は触媒の約０．１〜１０質量％をなす。
【００２２】担体上に分散された活性ヒドロシリル化金
属および表面偏析金属の粒度は１ｎｍ〜約５００ｎｍの
範囲内にある。好ましくは、担体上に分散された活性ヒ
ドロシリル化金属および表面偏析金属の粒度は５ｎｍ〜
約６０ｎｍの範囲内にある。最も好ましくは、担体上に
分散された活性ヒドロシリル化金属および表面偏析金属
の粒度は約１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にある。
【００２３】前記二金属触媒用の担体は、カーボン、シ
リカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、アルミノケイ酸
塩、および酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの混合
酸化物からなる群から選ばれる。好ましくは、担体は活
性炭であり、特に未含浸状態で約５０ｍ2／ｇ〜１４０
０ｍ2／ｇの比表面積を有する活性炭である。最も好ま
しくは、担体は約１１００ｍ2／ｇ〜１３００ｍ2／ｇの
比表面積を有する。
【００２４】様々な考えられる方法での使用に非常に適
することが判っている市販入手可能なカーボンの１つの
例は、Calgon Carbon Corporationにより「BPLF3」の名
称で製造されている石炭ベースのカーボンであり、１１
００ｍ2／ｇ〜１３００ｍ2／ｇの比表面積、０．７〜
０．８５ｃｍ2／ｇの細孔容積、および１２．３〜１４
Åの平均細孔径を有するものとして概して特徴づけられ
るものである。このカーボンの蛍光Ｘ線分析に基づい
て、BPLF3カーボンの典型的なバルク組成が質量基準で
以下のように求められた：ケイ素１．５％；アルミニウ
ム１．４％；硫黄０．７５％；鉄０．４８％；カルシウ
ム０．１７％；カリウム０．０８６％；チタン０．０５
９％；マグネシウム０．０５１％；塩素０．０２８％；
リン０．０２６％；バナジウム０．０１０％；ニッケル
０．０３６％；銅０．０３５％；クロム０．０２８％；
およびマンガン０．０１８％；そして残りは炭素であ
る。
【００２５】触媒は、少なくとも約２００ｍ2／ｇの比
表面積を有するカーボン担体に担持された、元素基準で
計算して０．０１〜約５質量％の白金を含む二金属白金
／銅触媒であることが好ましい。触媒が、０．１０〜約
３質量％の白金および０．０５〜約５質量％の銅を含
み、かつ、カーボン担体が少なくとも約５００ｍ2／ｇ
の比表面積を有することがより好ましい。触媒が、０．
１〜約２質量％の白金および０．２０〜約２質量％の銅
を含み、かつ、カーボン担体が少なくとも約８００ｍ2
／ｇの比表面積を有することが最も好ましい。
【００２６】カーボンに担持されるのに好適な白金化合
物は、例えば、Onopchenko等の米国特許第４，５７８，
４９７号明細書、Lamoreauxの米国特許第３，２２０，
９７２号明細書およびSpeierの米国特許第２，８２３，
２１８号明細書に記載されており、これらの記載は引用
により本明細書に含まれていることにする。白金は、例
えば、クロロ白金酸、クロロ白金酸六水和物、カルステ
ット触媒（すなわち、クロロ白金酸とsym−ジビニルテ
トラメチルジシロキサンの錯体）、ジクロロビス（トリ
フェニルホスフィン）白金（II）、cis−ジクロロビス
（アセトニトリル）白金（II）、ジカルボニルジクロロ
白金（II）、塩化白金および酸化白金であることができ
る。好ましい白金は、クロロ白金酸、クロロ白金酸六水
和物、および白金ビニルシロキサン錯体、例えばクロロ
白金酸とsym−ジビニルテトラメチルジシロキサンの中
和された錯体から選ばれる。カーボンに担持されるのに
好適な銅化合物は、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酢酸銅
および硝酸銅である。カーボンに担持されるのに好適な
ルテニウム化合物は、塩化ルテニウム、ルテニウムカル
ボニル、アセチルアセトン酸ルテニウムおよびヘキサア
ミンルテニウムクロリドである。
【００２７】含浸または本発明の場合に湿式共含浸（we
t co-impregnation）等の当該技術分野で知られている
方法を使用して活性ヒドロシリル化金属および表面偏析
金属を担体に担持できる。担持された二金属触媒の存在
下での水素化ケイ素と不飽和反応物との接触は、約０℃
〜３５０℃の範囲内の温度で行われる。好ましくは、こ
の温度は約６０℃〜２５０℃の範囲内である。最も好ま
しくは、この温度は約８０℃〜１９０℃の範囲内であ
る。取り扱いの容易さから触媒を溶剤中にプレミックス
してよい。好適な溶剤としては、例えば、ベンゼン、ト
ルエンおよびキシレン等の無極性炭化水素溶剤並びに
水、グリコール類およびエステル類等の極性溶剤が挙げ
られる。
【００２８】
【実施例】本発明を例示するために、以下の例を示す。
これらの例は、特許請求の範囲を限定するものではな
い。 例１．０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二金属触媒の存
在のもとでのトリクロロシランと塩化アリルのヒドロシ
リル化についての評価 脱イオン水（５０ｍｌ）中の、Aldrich Chemical Compa
ny Inc.から入手したクロロ白金酸溶液（Ｈ2ＰｔＣｌ6
・６Ｈ2Ｏ，０．５２ｇ，３８．６質量％のＰｔを含
有）およびＣｕＣｌ2（０．８７５ｇ）の水溶液を調製
した。Ｈ2ＰｔＣｌ 6・６Ｈ2ＯおよびＣｕＣｌ2を含むこ
の水溶液を、Calgon BPLF3活性炭（４０ｇ）、６×１６
メッシュを含むフラスコにゆっくり加え、そして活性炭
を均一にコートして二金属触媒を形成するようにフラス
コ内容物を攪拌した。２０℃〜３５０℃の温度範囲で水
素ガスまたは水素−アルゴン混合ガスの流れを用いて、
触媒を、その使用に先立って予め還元して、金属塩をそ
の金属結晶に転化させた。全ての実験を、冷却コイル、
加熱用マントル、熱電対および温度調節器を備えた１リ
ットル連続攪拌式タンク反応器（ＣＳＴＲ）内で行っ
た。このＣＳＴＲに２０ｇの０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃ
ｕ／Ｃ二金属触媒を入れ、そして１４０℃で２リットル
／ｍの流速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥
させた。ＣＳＴＲにトリクロロシラン（３３０ｇ／時，
２．４モル／時）および塩化アリル（１５０ｇ／時，
２．０モル／時）を供給し、そして２．５分間の接触時
間の間、１８０ｐｓｉｇの圧力で、温度を２０℃に保っ
た。ＣＳＴＲからの生成物を、生成物の組成を調べるた
め、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスクロマト
グラフィー（ＧＣ）により分析した。様々な反応温度で
同じ手順を使用してこの例を繰り返した。反応温度、全
接触時間にわたって反応した塩化アリルの量として定義
される全転化率、および触媒の単位質量につき単位時間
当たり反応した塩化アリルとして定義される反応速度を
表１に示す。
【００２９】例２．例１に記載の二金属触媒の調製方法
と同じような方法により調製された０．５％Ｐｔ−０．
５％Ｒｕ／Ｃ二金属触媒の存在のもとでのトリクロロシ
ランと塩化アリルのヒドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに２０ｇの０．５％Ｐｔ−０．５％Ｒｕ／Ｃ二
金属触媒を入れ、そして１４０℃で２リットル／ｍの流
速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥させた。
ＣＳＴＲにトリクロロシラン（３３０ｇ／時，２．４モ
ル／時）および塩化アリル（１５０ｇ／時，２．０モル
／時）を供給し、そして２．５分間の接触時間の間、１
８０ｐｓｉｇの圧力で、温度を４０℃に保った。ＣＳＴ
Ｒからの生成物を、生成物の組成を調べるため、熱伝導
度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスクロマトグラフィー
（ＧＣ）により分析した。様々な反応温度で同じ手順を
使用して実験を繰り返した。反応温度、全接触時間にわ
たって反応した塩化アリルの量として定義される全転化
率、および触媒の単位質量につき単位時間当たり反応し
た塩化アリルとして定義される反応速度を表１に示す。
【００３０】例３．例１に記載の二金属触媒の調製方法
と同じような方法により調製された０．５％Ｐｔ／Ｃ触
媒の存在のもとでのトリクロロシランと塩化アリルのヒ
ドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに２０ｇの０．５％Ｐｔ／Ｃ触媒を入れ、そし
て１４０℃で２リットル／ｍの流速のアルゴンガスによ
り触媒を４〜６時間乾燥させた。ＣＳＴＲにトリクロロ
シラン（３３０ｇ／時，２．４モル／時）および塩化ア
リル（１５０ｇ／時，２．０モル／時）を供給し、そし
て２．５分間の接触時間の間、１８０ｐｓｉｇの圧力
で、温度を４０℃に保った。ＣＳＴＲからの生成物を、
生成物の組成を調べるため、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）
を使用するガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により分析
した。様々な反応温度で同じ手順を使用して実験を繰り
返した。反応温度、全接触時間にわたって反応した塩化
アリルの量として定義される全転化率、および触媒の単
位質量につき単位時間当たり反応した塩化アリルとして
定義される反応速度を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】例４．０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二
金属触媒の存在のもとでのトリクロロシランとイソブテ
ンのヒドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに、例１に記載の二金属触媒の調製方法と同じ
ような方法により調製された２０ｇの０．５％Ｐｔ−
０．１％Ｃｕ／Ｃ二金属触媒を入れた。１４０℃で２リ
ットル／ｍの流速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時
間乾燥させた。ＣＳＴＲにトリクロロシラン（３８０ｇ
／時，２．８モル／時）およびイソブテン（１５０ｇ／
時，２．７モル／時）を供給し、そして１８０ｐｓｉｇ
の圧力で、温度を１００℃に保った。ＣＳＴＲからの生
成物を、生成物の組成を調べるため、熱伝導度検出器
（ＴＣＤ）を使用するガスクロマトグラフィー（ＧＣ）
により分析した。様々な反応温度で同じ手順を使用して
実験を繰り返した。反応温度、全接触時間にわたって反
応したイソブテンの量として定義される全転化率、およ
び触媒の単位質量につき単位時間当たり反応したイソブ
テンとして定義される反応速度を表２に示す。
【００３３】例５．０．５％Ｐｔ／Ｃ触媒の存在のもと
でのトリクロロシランとイソブテンのヒドロシリル化に
ついての評価 ＣＳＴＲに、例１に記載の二金属触媒の調製方法と同じ
ような方法により調製された２０ｇの０．５％Ｐｔ／Ｃ
触媒を入れた。１４０℃で２リットル／ｍの流速のアル
ゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥させた。ＣＳＴＲ
にトリクロロシラン（３８０ｇ／時，２．８モル／時）
およびイソブテン（１５０ｇ／時，２．７モル／時）を
供給し、そして１８０ｐｓｉｇの圧力で、温度を１００
℃に保った。ＣＳＴＲからの生成物を、生成物の組成を
調べるため、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガス
クロマトグラフィー（ＧＣ）により分析した。様々な反
応温度で同じ手順を使用して実験を繰り返した。反応温
度、全接触時間にわたって反応したイソブテンの量とし
て定義される全転化率、および触媒の単位質量につき単
位時間当たり反応したイソブテンとして定義される反応
速度を表２に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】例６．連続固定床反応器（ＦＢＲ）におけ
る０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二金属触媒の存在の
もとでのトリクロロシランとイソブテンのヒドロシリル
化についての評価 冷却加熱用油浴、熱電対および温度調節器を備えた直径
１インチ×長さ４８インチの管状反応器に、例１に記載
の二金属触媒の調製方法と同じような方法により調製さ
れた１６５．５ｇの０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二
金属触媒を入れた。１４０℃で２リットル／ｍの流速の
アルゴンガスにより触媒を８時間乾燥させた。ＦＢＲに
トリクロロシラン（３８０ｇ／時，２．８モル／時）お
よびイソブチレン（１５０ｇ／時，２．７モル／時）を
供給し、そして反応器ジャケット温度を表３に記載のよ
うに保った。ＦＢＲからの生成物を、生成物の組成を調
べるため、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスク
ロマトグラフィー（ＧＣ）により分析した。様々な反応
温度で同じ手順を使用して実験を繰り返した。反応温
度、および全接触時間にわたって反応したイソブテンの
量として定義される全転化率を表３に示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】例７．０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二
金属触媒の存在のもとでのメチルジクロロシランと３，
３，３−トリフルオロプロペンのヒドロシリル化につい
ての評価 ＣＳＴＲに、例１に記載の二金属触媒の調製方法と同じ
ような方法により調製された５０．５ｇの０．５％Ｐｔ
−０．１％Ｃｕ／Ｃ二金属触媒を入れた。１４０℃で２
リットル／ｍの流速のアルゴンガスにより触媒を４〜６
時間乾燥させた。ＣＳＴＲにメチルジクロロシラン（３
３０ｇ／時，２．４モル／時）および３，３，３−トリ
フルオロプロペン（２７０ｇ／時，３．４モル／時）を
供給し、そして５分間の接触時間の間、３００ｐｓｉｇ
の圧力で温度を４０℃に保った。ＣＳＴＲからの生成物
を、３，３，３−トリフルオロプロピルメチルジクロロ
シランおよび１−（メチル）−２，２，２−トリフルオ
ロエチルメチルジクロロシラン（異性体付加物）の組成
を調べるため、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガ
スクロマトグラフィー（ＧＣ）により分析した。様々な
反応温度で同じ手順を使用して実験を繰り返した。反応
温度、３，３，３−トリフルオロプロピルメチルジクロ
ロシランおよび異性体付加物として定義される１−（メ
チル）−２，２，２−トリフルオロエチルメチルジクロ
ロシランの百分率、全接触時間にわたって反応した３，
３，３−トリフルオロプロペンの量として定義される全
転化率、および触媒の単位質量につき単位時間当たり反
応した３，３，３−トリフルオロプロペンの量として定
義される反応速度を表４に示す。
【００３８】例８．０．５％Ｐｔ／Ｃ触媒の存在のもと
でのメチルジクロロシランと３，３，３−トリフルオロ
プロペンのヒドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに５０．５ｇの０．５％Ｐｔ／Ｃ触媒を入れ
た。１４０℃で２リットル／ｍの流速のアルゴンガスに
より触媒を４〜６時間乾燥させた。ＣＳＴＲにメチルジ
クロロシラン（３３０ｇ／時，２．４モル／時）および
３，３，３−トリフルオロプロペン（２７０ｇ／時，
３．４モル／時）を供給し、そして５分間の接触時間の
間、３００ｐｓｉｇの圧力で温度を６０℃に保った。Ｃ
ＳＴＲからの生成物を、３，３，３−トリフルオロプロ
ピルメチルジクロロシランおよび１−（メチル）−２，
２，２−トリフルオロエチルメチルジクロロシラン（異
性体付加物）の組成を調べるため、熱伝導度検出器（Ｔ
ＣＤ）を使用するガスクロマトグラフィー（ＧＣ）によ
り分析した。様々な反応温度で同じ手順を使用して実験
を繰り返した。反応温度、３，３，３−トリフルオロプ
ロピルメチルジクロロシランおよび異性体付加物として
定義される１−（メチル）−２，２，２−トリフルオロ
エチルメチルジクロロシランの百分率、全接触時間にわ
たって反応した３，３，３−トリフルオロプロペンの量
として定義される全転化率、および触媒の単位質量につ
き単位時間当たり反応した３，３，３−トリフルオロプ
ロペンの量として定義される反応速度を表４に示す。
【００３９】
【表４】
【００４０】例９．０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二
金属触媒の存在のもとでのトリクロロシランと１−オク
テンのヒドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに４１．３ｇの０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／
Ｃ二金属触媒を入れた。１４０℃で２リットル／ｍの流
速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥させた。
ＣＳＴＲにトリクロロシラン（３３０ｇ／時，２．４モ
ル／時）および１−オクテン（３３０ｇ／時，２．９モ
ル／時）を供給し、そして３．７分間の接触時間の間、
１８０ｐｓｉｇの圧力で温度を８０℃に保った。ＣＳＴ
Ｒからの生成物を、生成物の組成を調べるため、熱伝導
度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスクロマトグラフィー
（ＧＣ）により分析した。様々な反応温度で同じ手順を
使用して実験を繰り返した。反応温度、接触時間、全反
応時間にわたって反応した１−オクテンの量として定義
される全転化率、および触媒の単位質量につき単位時間
当たり反応した１−オクテンとして定義される反応速度
を表５に示す。
【００４１】例１０．０．５％Ｐｔ／Ｃ触媒の存在のも
とでのトリクロロシランと１−オクテンのヒドロシリル
化についての評価 ＣＳＴＲに、例１に記載の二金属触媒の調製方法と同じ
ような方法により調製された４１．３ｇの０．５％Ｐｔ
／Ｃ触媒を入れた。１４０℃で２リットル／ｍの流速の
アルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥させた。ＣＳ
ＴＲにトリクロロシラン（３３０ｇ／時，２．４モル／
時）および１−オクテン（３３０ｇ／時，２．９モル／
時）を供給し、そして１８０ｐｓｉｇの圧力で温度を８
０℃に保った。ＣＳＴＲからの生成物を、オクチルトリ
クロロシランの組成を調べるため、熱伝導度検出器（Ｔ
ＣＤ）を使用するガスクロマトグラフィー（ＧＣ）によ
り分析した。様々な反応温度で同じ手順を使用して実験
を繰り返した。反応温度、接触時間、全反応時間にわた
って反応した１−オクテンの量として定義される全転化
率、および触媒の単位質量につき単位時間当たり反応し
た１−オクテンとして定義される反応速度を表５に示
す。
【００４２】
【表５】
【００４３】例１１．連続固定床反応器（ＦＢＲ）にお
ける０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ二金属触媒の存在
のもとでのトリクロロシランと塩化アリルのヒドロシリ
ル化についての評価 冷却加熱用油浴、熱電対および温度調節器を備えた直径
１．６インチ×長さ４８インチの管状反応器に、例１に
記載の二金属触媒の調製方法と同じような方法により調
製された４６３．５ｇの０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／
Ｃ二金属触媒を入れた。１４０℃で２リットル／ｍの流
速のアルゴンガスにより触媒を８時間乾燥させた。ＦＢ
Ｒにトリクロロシラン（５３６０ｇ／時，３９．５５モ
ル／時）および塩化アリル（２６２０ｇ／時，３４．２
４モル／時）を供給し、そして反応器壁温度を表６に記
載されているように保った。ＦＢＲからの生成物を、生
成物の組成を調べるため、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を
使用するガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により分析し
た。様々な反応温度で同じ手順を使用して実験を繰り返
した。反応温度、および全接触時間にわたって反応した
塩化アリルの量として定義される全転化率を表６に示
す。
【００４４】
【表６】
【００４５】例１２．０．５％Ｐｔ−０．５％Ｓｎ／Ａ
ｌ2Ｏ3二金属触媒の存在のもとでのトリクロロシランと
塩化アリルのヒドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに、２０ｇの０．５％Ｐｔ−０．５％Ｓｎ／Ａ
ｌ2Ｏ3二金属触媒を入れ、そして１４０℃で２リットル
／ｍの流速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥
させた。ＣＳＴＲにトリクロロシラン（３３０ｇ／時，
２．４モル／時）および塩化アリル（１５０ｇ／時，
２．０モル／時）を供給し、そして２．５分の接触時間
の間、１８０ｐｓｉｇの圧力で温度を１２０℃に保っ
た。ＣＳＴＲからの生成物を、生成物の組成を調べるた
め、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスクロマト
グラフィー（ＧＣ）により分析した。全接触時間にわた
って反応した塩化アリルの量として定義される全転化率
は２６％であった。
【００４６】例１３．０．５％Ｐｔ−０．５％Ｒｅ／Ａ
ｌ2Ｏ3二金属触媒の存在のもとでのトリクロロシランと
塩化アリルのヒドロシリル化についての評価 ＣＳＴＲに、２０ｇの０．５％Ｐｔ−０．５％Ｒｅ／Ａ
ｌ2Ｏ3二金属触媒を入れ、そして１４０℃で２リットル
／ｍの流速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥
させた。ＣＳＴＲにトリクロロシラン（３３０ｇ／時，
２．４モル／時）および塩化アリル（１５０ｇ／時，
２．０モル／時）を供給し、そして２．５分の接触時間
の間、１８０ｐｓｉｇの圧力で温度を１２０℃に保っ
た。ＣＳＴＲからの生成物を、生成物の組成を調べるた
め、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスクロマト
グラフィー（ＧＣ）により分析した。全接触時間にわた
って反応した塩化アリルの量として定義される全転化率
は７３％であった。
【００４７】例１４．０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ／Ｃ
二金属触媒の存在のもとでのビス−トリメチルシロキシ
メチルヒドリドシランと１−オクテンのヒドロシリル化
についての評価 ＣＳＴＲに、４８．２ｇの０．５％Ｐｔ−０．１％Ｃｕ
／Ｃ二金属触媒を入れ、そして１４０℃で２リットル／
ｍの流速のアルゴンガスにより触媒を４〜６時間乾燥さ
せた。ＣＳＴＲに式：Ｍｅ3ＳｉＯＳｉＭｅ（Ｈ）ＯＳ
ｉＭｅ3により表されるビス−トリメチルシロキシメチ
ルヒドリドシラン（２６４ｇ／時）および１−オクテン
（１２６ｇ／時）を供給し、そして７．４分の接触時間
の間、１６０ｐｓｉｇの圧力で温度を１００℃に保っ
た。ＣＳＴＲからの生成物を、生成物の組成を調べるた
め、熱伝導度検出器（ＴＣＤ）を使用するガスクロマト
グラフィー（ＧＣ）により分析した。全接触時間にわた
って反応した１−オクテンの量として定義される全転化
率は２１％であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 35/02 Ｂ０１Ｊ 35/02 Ｈ Ｃ０７Ｆ 7/08 Ｃ０７Ｆ 7/08 Ｘ 7/12 7/12 Ｑ Ｒ Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｋ 5/00 Ｃ０８Ｌ 83/05 Ｃ０８Ｌ 83/05 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 ポール チャールズ ディン アメリカ合衆国，ミシガン 48640，ミッ ドランド，ナコマ 5501 (72)発明者 ミン−シン ツォウ アメリカ合衆国，ミシガン 48640，ミッ ドランド，ウォルデン ウッズ コート 2611 Ｆターム(参考） 4G069 AA03 AA08 BA01A BA01B BA02A BA04A BA05A BA08A BA08B BA15A BA20A BB02A BB02B BC22A BC22B BC31A BC31B BC32A BC33A BC35A BC36A BC58A BC59A BC64A BC64B BC67A BC68A BC70A BC70B BC71A BC72A BC73A BC74A BC75A BC75B CB25 CB61 CB80 DA08 EA01Y EA02X EA02Y EB18X EB19 EC02X EC03X EC04X EC05X EC27 FA01 FA02 FB13 FC08 4H039 CA92 CF10 4H049 VN01 VP01 VP03 VQ02 VQ12 VQ18 VR21 VR22 VR23 VR33 VR41 VR42 VS02 VS12 VT04 VT06 VT10 VT12 VT13 VT16 VT17 VW02 4J002 CP021 EA017 EA047 EX006 EX017

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）式：Ｒ1 aＨbＳｉＸ4-a-b（式中、
    各Ｒ1は１〜約２０個の炭素原子を含むアルキル、約４
    〜１２個の炭素原子を含むシクロアルキル、およびアリ
    ールからなる群から独立に選ばれ、各Ｘはハロゲンであ
    り、ａ＝０〜３、ｂ＝１〜３、およびａ＋ｂ＝１〜４で
    ある）により表される水素化ケイ素と、（Ｂ）（ｉ）置
    換および非置換の不飽和炭化水素化合物、（ii）置換ま
    たは非置換の不飽和炭化水素置換基を含むケイ素化合
    物、並びに（iii）（ｉ）と（ii）の混合物からなる群
    から選ばれる不飽和反応物とを、担体に担持された、元
    素状または化合物の形態にある活性ヒドロシリル化金属
    と、元素状または化合物の形態にある表面偏析金属とを
    含んでなる二金属触媒の存在下、約０℃〜３５０℃の温
    度範囲で接触させることを含み、前記活性ヒドロシリル
    化金属が前記表面偏析金属と異なるヒドロシリル化方
    法。
  2. 【請求項２】 前記水素化ケイ素がメチルジクロロシラ
    ン、トリクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジクロ
    ロシランおよびトリメチルシランからなる群から選ばれ
    る請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記不飽和反応物が、イソブテン、１−
    オクテン、塩化アリル、アセチレン、エチレン、プロピ
    レン、１−ヘキセン、１−ドデセン、１−オクタデセ
    ン、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、シ
    クロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテンおよび
    ３，３，３−トリフルオロプロペンからなる群から選ば
    れる請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記活性ヒドロシリル化金属が元素状ま
    たは化合物の形態にあるルテニウム、ロジウム、コバル
    ト、パラジウム、イリジウム、白金、クロムおよびモリ
    ブデン金属からなる群から選ばれ、前記表面偏析金属が
    元素状または化合物の形態にある銅、ニッケル、錫、
    銀、亜鉛、カドミウム、金、レニウム、オスミウム、イ
    リジウムおよびルテニウム金属からなる群から選ばれる
    請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記活性ヒドロシリル化金属が元素状ま
    たは化合物の形態にあるルテニウムまたは白金であり、
    前記表面偏析金属が元素状または化合物の形態にある
    銅、錫またはルテニウムである請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記活性ヒドロシリル化金属が元素基準
    で触媒の０．０１〜約２０質量％をなし、前記表面偏析
    金属が元素基準で触媒の０．０１〜約２０質量％をなす
    請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 元素基準で、前記活性ヒドロシリル化金
    属が触媒の０．０３〜約３質量％をなし、前記表面偏析
    金属が触媒の０．０５〜約１５質量％をなす請求項１記
    載の方法。
  8. 【請求項８】 触媒の元素基準で、前記活性ヒドロシリ
    ル化金属が触媒の０．０５〜１質量％をなし、前記表面
    偏析金属が触媒の０．１〜約１０質量％をなす請求項１
    記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記方法が、前記不飽和反応物の不飽和
    炭素−炭素結合に対して化学量論的に過剰な水素化ケイ
    素を使用して行われる請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記方法が、前記不飽和反応物の不飽
    和炭素−炭素結合に対して０．１〜約１０％化学量論的
    に過剰な水素化ケイ素を使用して行われる請求項１記載
    の方法。
  11. 【請求項１１】 前記担体上に分散された前記活性ヒド
    ロシリル化金属および前記表面偏析金属の粒度が１ｎｍ
    〜約５００ｎｍの範囲内にある請求項１記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記担体上に分散された前記活性ヒド
    ロシリル化金属および前記表面偏析金属の粒度が約５ｎ
    ｍ〜６０ｎｍの範囲内にある請求項１記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記担体上に分散された前記活性ヒド
    ロシリル化金属および前記表面偏析金属の粒度が約１０
    ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内にある請求項１記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記担体が、カーボン、シリカ、酸化
    チタン、酸化アルミニウム、アルミノケイ酸塩、および
    酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムの混合酸化物から
    なる群から選ばれる請求項１記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記担体が活性炭である請求項１記載
    の方法。
  16. 【請求項１６】 前記活性炭が約５０ｍ2／ｇ〜１４０
    ０ｍ2／ｇの比表面積を有する請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記活性炭が約１１００ｍ2／ｇ〜１
    ３００ｍ2／ｇの比表面積を有する請求項１５記載の方
    法。
  18. 【請求項１８】 前記接触が約６０℃〜２５０℃の温度
    範囲で行われる請求項１記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記接触が約８０℃〜１９０℃の範囲
    内の温度で行われる請求項１記載の方法。
  20. 【請求項２０】 （Ａ）式：Ｒ1 aＨbＳｉＸ4-a-b（式
    中、各Ｒ1は１〜約２０個の炭素原子を含むアルキル、
    約４〜１２個の炭素原子を含むシクロアルキル、および
    アリールからなる群から独立に選ばれ、各Ｘはハロゲン
    であり、ａ＝０〜３、ｂ＝１〜３、およびａ＋ｂ＝１〜
    ４である）により表される水素化ケイ素と、（Ｂ）
    （ｉ）置換および非置換の不飽和炭化水素化合物、（i
    i）置換または非置換の不飽和炭化水素置換基を含むケ
    イ素化合物、並びに（iii）（ｉ）と（ii）の混合物か
    らなる群から選ばれる不飽和反応物とを、カーボン担体
    に担持された、元素状または化合物の形態にある白金を
    含む活性ヒドロシリル化金属と、元素状または化合物の
    形態にある銅、ルテニウム、錫またはレニウムを含む表
    面偏析金属とを含んでなる二金属触媒の存在下、約８０
    ℃〜１９０℃の温度範囲で接触させることを含み、前記
    活性ヒドロシリル化金属が前記表面偏析金属と異なるヒ
    ドロシリル化方法。
  21. 【請求項２１】 前記水素化ケイ素がメチルジクロロシ
    ラン、トリクロロシラン、ジメチルクロロシランおよび
    ジクロロシランからなる群から選ばれ、前記不飽和反応
    物がイソブテン、１−オクテン、塩化アリルおよび３，
    ３，３−トリフルオロプロペンからなる群から選ばれる
    請求項２０記載の方法。
  22. 【請求項２２】 （Ａ）式：Ｒ1 aＨbＳｉＸ4-a-b（式
    中、各Ｒ1は１〜約２０個の炭素原子を含むアルキル、
    約４〜１２個の炭素原子を含むシクロアルキル、および
    アリールからなる群から独立に選ばれ、各Ｘはハロゲン
    であり、ａ＝０〜３、ｂ＝１〜３、およびａ＋ｂ＝１〜
    ４である）により表される水素化ケイ素および式：Ｒ2 m
    ＳｉＯ（−Ｒ2 2ＳｉＯ）n−（Ｒ2 2ＳｉＯ）o−ＳｉＲ2 m
    （式中、Ｒ2は水素、１〜約２０個の炭素原子を含むア
    ルキル、約４〜１２個の炭素原子を含むシクロアルキ
    ル、およびアリールからなる群から独立に選ばれ、ｍ＝
    ０〜３、ｎ＝０〜１００、およびｏ＝０〜１００であ
    る）により表されるシロキサンと、（Ｂ）（ｉ）置換お
    よび非置換の不飽和炭化水素化合物、（ii）置換または
    非置換の不飽和炭化水素置換基を含むケイ素化合物、並
    びに（iii）（ｉ）と（ii）の混合物からなる群から選
    ばれる不飽和反応物とを、担体に担持された、元素状ま
    たは化合物の形態にある活性ヒドロシリル化金属と、元
    素状または化合物の形態にある表面偏析金属とを含んで
    なる二金属触媒の存在下、約０℃〜３５０℃の温度範囲
    で接触させることを含み、前記活性ヒドロシリル化金属
    が前記表面偏析金属と異なるヒドロシリル化方法。
  23. 【請求項２３】 前記シロキサンがビス−トリメチルシ
    ロキシメチルヒドリドシランである請求項２２記載の方
    法。
  24. 【請求項２４】 前記水素化ケイ素が、メチルジクロロ
    シラン、トリクロロシラン、ジメチルクロロシラン、ジ
    クロロシランおよびトリメチルシランからなる群から選
    ばれる請求項２２記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記不飽和反応物が、イソブテン、１
    −オクテン、塩化アリル、アセチレン、エチレン、プロ
    ピレン、１−ヘキセン、１−ドデセン、１−オクタデセ
    ン、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、シ
    クロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテンおよび
    ３，３，３−トリフルオロプロペンからなる群から選ば
    れる請求項２２記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記活性ヒドロシリル化金属が元素状
    または化合物の形態にあるルテニウム、ロジウム、コバ
    ルト、パラジウム、イリジウム、白金、クロムおよびモ
    リブデン金属からなる群から選ばれ、前記表面偏析金属
    が元素状または化合物の形態にある銅、ニッケル、錫、
    銀、亜鉛、カドミウム、金、レニウム、オスミウム、イ
    リジウムおよびルテニウム金属からなる群から選ばれる
    請求項２２記載の方法。
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